JP2892191B2 - ウェーハの製造方法 - Google Patents
ウェーハの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に、単結晶、
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面な状態で形成するためのウェーハの製造
方法に関する。
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面な状態で形成するためのウェーハの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、基板上に、単結晶、
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面状態で形成することは極めて難しかっ
た。この方法として、本出願人は、特開平２−２８９２
５号公報において、基板の表面にメカノケミカル研磨さ
れにくい材料からなるストッパーを形成した後、このス
トッパーの表面にシリコン層を形成し、このシリコン層
を、表面が平坦かつ平滑な定盤を用い、高純度シリカの
微粒子が分散されたアルカリ溶液を供給しつつ、該定盤
の表面で無歪鏡面研磨するウェーハの製造方法を提供し
ている。
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面状態で形成することは極めて難しかっ
た。この方法として、本出願人は、特開平２−２８９２
５号公報において、基板の表面にメカノケミカル研磨さ
れにくい材料からなるストッパーを形成した後、このス
トッパーの表面にシリコン層を形成し、このシリコン層
を、表面が平坦かつ平滑な定盤を用い、高純度シリカの
微粒子が分散されたアルカリ溶液を供給しつつ、該定盤
の表面で無歪鏡面研磨するウェーハの製造方法を提供し
ている。
【０００３】図４は支持用ウェーハ２と、素子用ウェー
ハ４とを水素結合等により接合してなるシリコンウェー
ハであり、素子用ウェーハ４は、単結晶ウェーハ１０
（シリコン基板に相当）の一方の表面に格子状の溝を均
等な間隔で形成し、この溝の形成された表面に、ストッ
パー８を均一な厚さに形成し、このストッパー８の上に
ポリシリコン層６（シリコン層に相当）を、化学的気相
成長法により形成したものである。ストッパー８の材料
としては、ＳｉＯ2などの酸化物、ＳｉＣなどの炭化
物、Ｓｉ3Ｎ4などの窒化物等のシリコンよりもメカノケ
ミカル研磨され難い材料が使用される。
ハ４とを水素結合等により接合してなるシリコンウェー
ハであり、素子用ウェーハ４は、単結晶ウェーハ１０
（シリコン基板に相当）の一方の表面に格子状の溝を均
等な間隔で形成し、この溝の形成された表面に、ストッ
パー８を均一な厚さに形成し、このストッパー８の上に
ポリシリコン層６（シリコン層に相当）を、化学的気相
成長法により形成したものである。ストッパー８の材料
としては、ＳｉＯ2などの酸化物、ＳｉＣなどの炭化
物、Ｓｉ3Ｎ4などの窒化物等のシリコンよりもメカノケ
ミカル研磨され難い材料が使用される。
【０００４】図５は、前記図４に示したシリコンウェー
ハの、単結晶シリコン層１０を、表面が平坦かつ平滑な
定盤を用い、高純度シリカの微粒子が分散されたアルカ
リ溶液を供給しつつ、該定盤の表面で無歪鏡面研磨した
ものであり、ストッパー８上には、正方形状の多数のシ
リコンアイランド１０ａ…が、互いに均等な間隔をあけ
て形成されている。このシリコンアイランド１０ａ上
に、トランジスタ、ダイオード等の素子が形成されるも
のである。
ハの、単結晶シリコン層１０を、表面が平坦かつ平滑な
定盤を用い、高純度シリカの微粒子が分散されたアルカ
リ溶液を供給しつつ、該定盤の表面で無歪鏡面研磨した
ものであり、ストッパー８上には、正方形状の多数のシ
リコンアイランド１０ａ…が、互いに均等な間隔をあけ
て形成されている。このシリコンアイランド１０ａ上
に、トランジスタ、ダイオード等の素子が形成されるも
のである。
【０００５】ところで、上記の図５に示した如きウェー
ハを製造する際、ウェーハ２、ウェーハ４が完全に平坦
であれば、図５に示されるように、ストッパー８上に一
定の厚さのシリコンアイランド１０ａ…を正確に製造す
ることができるが、実際にはウェーハ２、ウェーハ４
は、図６乃至図８に示すように多少なりとも湾曲してい
るものがあるため（図６乃至図８においては湾曲を強調
してある。）、このようなものにおいては、表面が平坦
かつ平滑な定盤１２を用いて単結晶シリコン層１０を図
６乃至図８に示すように徐々に研磨してゆくと、図８に
示すように、ストッパー８の凸壁８ａ…のうち、最も外
側の凸壁８ａによって研磨が止まるため、シリコンアイ
ランド１０ａの厚さが一定にならないという課題があっ
た。本発明は上記の如き課題を解決することのできるウ
ェーハの製造方法を提供することを目的とする。
ハを製造する際、ウェーハ２、ウェーハ４が完全に平坦
であれば、図５に示されるように、ストッパー８上に一
定の厚さのシリコンアイランド１０ａ…を正確に製造す
ることができるが、実際にはウェーハ２、ウェーハ４
は、図６乃至図８に示すように多少なりとも湾曲してい
るものがあるため（図６乃至図８においては湾曲を強調
してある。）、このようなものにおいては、表面が平坦
かつ平滑な定盤１２を用いて単結晶シリコン層１０を図
６乃至図８に示すように徐々に研磨してゆくと、図８に
示すように、ストッパー８の凸壁８ａ…のうち、最も外
側の凸壁８ａによって研磨が止まるため、シリコンアイ
ランド１０ａの厚さが一定にならないという課題があっ
た。本発明は上記の如き課題を解決することのできるウ
ェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、（Ａ）平坦
な表面を有するシリコン基板の一方の面に、シリコンに
比べてメカノケミカル研磨され難い材料からなり、前記
シリコン基板の中側に向けて一部を突出させるストッパ
ーを形成する、ストッパー形成工程と、（Ｂ）前記シリ
コン基板に、少なくとも前記ストッパーによって形成さ
れた凹凸を埋める厚さのシリコン層を積層する、積層工
程と、（Ｃ）平坦に形成された定盤の表面に、剛体から
なる多数のセルを、弾性部材を介して取着してなる研磨
板を用い、この研磨板の前記多数のセルの表面と、前記
シリコン基板の他方の面との間に、高純度シリカの微粒
子からなる研磨剤が分散されたアルカリ溶液を供給しつ
つ、前記研磨板と前記シリコン基板の相対的加圧移動に
より、該シリコン基板を鏡面研磨する研磨工程とからな
ることを特徴とする。
な表面を有するシリコン基板の一方の面に、シリコンに
比べてメカノケミカル研磨され難い材料からなり、前記
シリコン基板の中側に向けて一部を突出させるストッパ
ーを形成する、ストッパー形成工程と、（Ｂ）前記シリ
コン基板に、少なくとも前記ストッパーによって形成さ
れた凹凸を埋める厚さのシリコン層を積層する、積層工
程と、（Ｃ）平坦に形成された定盤の表面に、剛体から
なる多数のセルを、弾性部材を介して取着してなる研磨
板を用い、この研磨板の前記多数のセルの表面と、前記
シリコン基板の他方の面との間に、高純度シリカの微粒
子からなる研磨剤が分散されたアルカリ溶液を供給しつ
つ、前記研磨板と前記シリコン基板の相対的加圧移動に
より、該シリコン基板を鏡面研磨する研磨工程とからな
ることを特徴とする。
【０００７】前記シリコン基板は、単結晶、多結晶又は
非晶質のシリコンであってもよい。
非晶質のシリコンであってもよい。
【０００８】なお、本明細書において、剛体とは、研磨
対象となるウェーハの被研磨面よりも硬度の高い材質か
らなる部材をいうものとする。
対象となるウェーハの被研磨面よりも硬度の高い材質か
らなる部材をいうものとする。
【０００９】
【作用】本発明に係るウェーハの製造方法によれば、剛
体からなる多数のセルは弾性部材を介して定盤に取着さ
れているため、研磨工程において、シリコン基板を他方
の面から研磨する際、該セルが被研磨面の形状に沿って
微小に上下動を行いながら、ストッパーに当接するまで
研磨を行う。従って、ストッパーの形成されたシリコン
基板の形状に沿って研磨が行われ、シリコン基板、シリ
コン層が湾曲をともなう場合においても、前記シリコン
層上に前記シリコン基板からなる一定の厚さのシリコン
からなる層が形成される。
体からなる多数のセルは弾性部材を介して定盤に取着さ
れているため、研磨工程において、シリコン基板を他方
の面から研磨する際、該セルが被研磨面の形状に沿って
微小に上下動を行いながら、ストッパーに当接するまで
研磨を行う。従って、ストッパーの形成されたシリコン
基板の形状に沿って研磨が行われ、シリコン基板、シリ
コン層が湾曲をともなう場合においても、前記シリコン
層上に前記シリコン基板からなる一定の厚さのシリコン
からなる層が形成される。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。まず、研磨工程において用いられる研磨装置
について、図１及び図２を参照して説明する。
説明する。まず、研磨工程において用いられる研磨装置
について、図１及び図２を参照して説明する。
【００１１】同図において、１４は上定盤、１６は下定
盤であり、ともに円板形を呈し、互いに対向する各表面
は平坦に形成されている。これら各定盤１４、１６に連
結された支持軸１８、２０は、図示されない駆動手段に
連結されて軸線回りに回転可能とされており、さらに支
持軸１８は上下方向に昇降可能とされている。上定盤１
４と支持軸１８の間にはボールベアリング１７が配置さ
れている。
盤であり、ともに円板形を呈し、互いに対向する各表面
は平坦に形成されている。これら各定盤１４、１６に連
結された支持軸１８、２０は、図示されない駆動手段に
連結されて軸線回りに回転可能とされており、さらに支
持軸１８は上下方向に昇降可能とされている。上定盤１
４と支持軸１８の間にはボールベアリング１７が配置さ
れている。
【００１２】上定盤１４の下面外周部には、キャリア樹
脂（テンプレート）２２が固着されており、このキャリ
ア樹脂２２の内径部に、図４に示したシリコンウェーハ
と全く同様のシリコンウェーハ２４が、その上面を上定
盤１４の下面と水接着されて配置されている。
脂（テンプレート）２２が固着されており、このキャリ
ア樹脂２２の内径部に、図４に示したシリコンウェーハ
と全く同様のシリコンウェーハ２４が、その上面を上定
盤１４の下面と水接着されて配置されている。
【００１３】下定盤１６の上面には、円板状のスポンジ
ゴム（弾性部材に相当）２６が接着固定されている。こ
のスポンジゴム２６は、ゴム、エラストマ系樹脂発泡体
等からなるものである。
ゴム（弾性部材に相当）２６が接着固定されている。こ
のスポンジゴム２６は、ゴム、エラストマ系樹脂発泡体
等からなるものである。
【００１４】スポンジゴム２６の上面には、正方形板状
の多数のセラミックセル２８…が、図２に示すように、
平面視において、円の中心から放射線状に、かつ、互い
に所定の間隔をあけて固定配置されている。このセラミ
ックセル２８は、Ａｌ2Ｏ3等からなるものである。ま
た、このセラミックセル２８の一辺の長さＬ１は、シリ
コンウェーハ２４のストッパー８の、格子状に形成され
た凸壁８ａ…の間に画成される正方形状の凹部８ｂの一
辺の長さＬ２（図４参照）より大きく、且つ、Ｌ２の１
０００倍より小さく形成される。
の多数のセラミックセル２８…が、図２に示すように、
平面視において、円の中心から放射線状に、かつ、互い
に所定の間隔をあけて固定配置されている。このセラミ
ックセル２８は、Ａｌ2Ｏ3等からなるものである。ま
た、このセラミックセル２８の一辺の長さＬ１は、シリ
コンウェーハ２４のストッパー８の、格子状に形成され
た凸壁８ａ…の間に画成される正方形状の凹部８ｂの一
辺の長さＬ２（図４参照）より大きく、且つ、Ｌ２の１
０００倍より小さく形成される。
【００１５】セラミックセル２８…の上面には、ウレタ
ンパッド３０が被着されている。このウレタンパッド３
０は、セラミックセル２８による研磨量を調整するため
のものであり、必ずしも設けなくともよい。
ンパッド３０が被着されている。このウレタンパッド３
０は、セラミックセル２８による研磨量を調整するため
のものであり、必ずしも設けなくともよい。
【００１６】なお、前述の、下定盤１６、スポンジゴム
２６及びセラミックセル２８…は、研磨板を構成する。
２６及びセラミックセル２８…は、研磨板を構成する。
【００１７】次に、ストッパー形成工程について説明す
る。図４に示すウェーハ２４においては、前述したよう
に、単結晶ウェーハ１０の一方の表面に格子状の溝を、
フォトリソグラフィーと選択エッチングにより均等な間
隔で形成する。この後、この溝の形成された表面に、ス
トッパー８を均一な厚さに形成する。ストッパー８の材
料としては、ＳｉＯ2などの酸化物、ＳｉＣなどの炭化
物、Ｓｉ3Ｎ4などの窒化物等のシリコンよりもメカノケ
ミカル研磨され難い材料が使用される。
る。図４に示すウェーハ２４においては、前述したよう
に、単結晶ウェーハ１０の一方の表面に格子状の溝を、
フォトリソグラフィーと選択エッチングにより均等な間
隔で形成する。この後、この溝の形成された表面に、ス
トッパー８を均一な厚さに形成する。ストッパー８の材
料としては、ＳｉＯ2などの酸化物、ＳｉＣなどの炭化
物、Ｓｉ3Ｎ4などの窒化物等のシリコンよりもメカノケ
ミカル研磨され難い材料が使用される。
【００１８】次いで、積層工程について説明する。図４
に示すウェーハ２４においては、前述したように、スト
ッパー８の表面にＣＶＤ装置によりポリシリコン層６を
積層する。積層するシリコン層６は、単結晶シリコンで
も、また、非晶質のシリコンであってもよい。積層する
シリコン層６の厚さは、少なくともストッパー８によっ
て形成された凹凸が埋まる厚さとする。
に示すウェーハ２４においては、前述したように、スト
ッパー８の表面にＣＶＤ装置によりポリシリコン層６を
積層する。積層するシリコン層６は、単結晶シリコンで
も、また、非晶質のシリコンであってもよい。積層する
シリコン層６の厚さは、少なくともストッパー８によっ
て形成された凹凸が埋まる厚さとする。
【００１９】次に、研磨工程について説明する。まず、
上記図４に示したウェーハ２４を、図１に示すように、
支持用ウェーハ２を上定盤１４の下面に水接着して固定
する。
上記図４に示したウェーハ２４を、図１に示すように、
支持用ウェーハ２を上定盤１４の下面に水接着して固定
する。
【００２０】そして、下定盤１６を軸線回りに回転させ
る一方で、上定盤１４を軸線回りに下定盤１６と逆方向
に回転させつつ、下方に加圧移動せしめ、ウレタンパッ
ド３０を介してセラミックセル２８…の上面で、ウェー
ハ２４の単結晶シリコン層１０を摩擦研磨してゆく。こ
のとき、ウレタンパッド３０とシリコン層１０の間に、
粒度０．０２μｍ程度の高純度シリカの微粒子からなる
研磨剤が分散されたアルカリ溶液（ＰＨ１０〜１１）を
滴下しつつ研磨を行う。
る一方で、上定盤１４を軸線回りに下定盤１６と逆方向
に回転させつつ、下方に加圧移動せしめ、ウレタンパッ
ド３０を介してセラミックセル２８…の上面で、ウェー
ハ２４の単結晶シリコン層１０を摩擦研磨してゆく。こ
のとき、ウレタンパッド３０とシリコン層１０の間に、
粒度０．０２μｍ程度の高純度シリカの微粒子からなる
研磨剤が分散されたアルカリ溶液（ＰＨ１０〜１１）を
滴下しつつ研磨を行う。
【００２１】この研磨工程により、ウェーハ２４の単結
晶シリコン層１０は、該単結晶シリコン層１０の中側に
突出したストッパー８の厚さ（深さ）だけを残して除去
されて、図５に示すように、格子状に形成されたストッ
パー８の凸壁８ａ…の間に、平面視において正方形を呈
する多数のシリコンアイランド１０ａ…が形成される。
晶シリコン層１０は、該単結晶シリコン層１０の中側に
突出したストッパー８の厚さ（深さ）だけを残して除去
されて、図５に示すように、格子状に形成されたストッ
パー８の凸壁８ａ…の間に、平面視において正方形を呈
する多数のシリコンアイランド１０ａ…が形成される。
【００２２】ウェーハ２４の研磨時において、セラミッ
クセル２８…は、スポンジゴム２６を介して下定盤１６
に固定されているため、ウェーハ２４が図３のように湾
曲を伴い、被研磨面が湾曲を伴う場合においても、この
被研磨面の湾曲に沿ってセラミックセル２８…が微小に
上下動を行い、被研磨面全体が均一に無歪状態で鏡面研
磨される。
クセル２８…は、スポンジゴム２６を介して下定盤１６
に固定されているため、ウェーハ２４が図３のように湾
曲を伴い、被研磨面が湾曲を伴う場合においても、この
被研磨面の湾曲に沿ってセラミックセル２８…が微小に
上下動を行い、被研磨面全体が均一に無歪状態で鏡面研
磨される。
【００２３】従って、上述のウェーハの製造方法によれ
ば、単結晶ウェーハ１０、ポリシリコン層６が湾曲をと
もなう場合でも、研磨工程において、単結晶ウェーハ１
０を該単結晶ウェーハ１０の中側に突出したストッパー
８の厚さだけ残して正確に研磨することができ、ストッ
パー形成工程において形成するストッパー８の厚さを調
整することにより、ポリシリコン層６上に単結晶ウェー
ハ１０からなる所望の厚さの無歪のシリコンからなる層
を形成することができる。このため、シリコン基板がわ
ずかな反り、湾曲を伴う場合でも、該シリコン基板を用
いて一定の厚さのシリコンからなる層が形成されたウェ
ーハを製造することができ、ウェーハ製造の歩留まりを
飛躍的に向上することができる。
ば、単結晶ウェーハ１０、ポリシリコン層６が湾曲をと
もなう場合でも、研磨工程において、単結晶ウェーハ１
０を該単結晶ウェーハ１０の中側に突出したストッパー
８の厚さだけ残して正確に研磨することができ、ストッ
パー形成工程において形成するストッパー８の厚さを調
整することにより、ポリシリコン層６上に単結晶ウェー
ハ１０からなる所望の厚さの無歪のシリコンからなる層
を形成することができる。このため、シリコン基板がわ
ずかな反り、湾曲を伴う場合でも、該シリコン基板を用
いて一定の厚さのシリコンからなる層が形成されたウェ
ーハを製造することができ、ウェーハ製造の歩留まりを
飛躍的に向上することができる。
【００２４】上述のように、セラミックセル２８…の一
辺の長さＬ１は、ストッパー８の凹部８ｂの一辺の長さ
Ｌ２（図４参照）より大きく形成されているため、研磨
中においてセラミックセル２８…が、凸壁８ａと凸壁８
ａとの間に入り込むことはなく、シリコンアイランド１
０ａ…がえぐれることはない。
辺の長さＬ１は、ストッパー８の凹部８ｂの一辺の長さ
Ｌ２（図４参照）より大きく形成されているため、研磨
中においてセラミックセル２８…が、凸壁８ａと凸壁８
ａとの間に入り込むことはなく、シリコンアイランド１
０ａ…がえぐれることはない。
【００２５】なお、上記の研磨装置においては、下定盤
１６を研磨板とする構成としたが、上定盤１４を研磨板
とする構成としてもよく、また、双方を研磨板として両
面研磨する構成としてもよい。
１６を研磨板とする構成としたが、上定盤１４を研磨板
とする構成としてもよく、また、双方を研磨板として両
面研磨する構成としてもよい。
【００２６】また、弾性部材は上記の如きスポンジゴム
には限られず、研磨時、ウェーハの表面形状に応じてセ
ルを追従して上下動できる弾性を有するものであればよ
い。
には限られず、研磨時、ウェーハの表面形状に応じてセ
ルを追従して上下動できる弾性を有するものであればよ
い。
【００２７】さらに、セルの配列形状は図２に示したも
のには限られるものではなく、例えば格子状に配列する
等、各種の変形が可能であり、また、セル自身の形状
も、丸型、三角形等、各種の形状が可能である。
のには限られるものではなく、例えば格子状に配列する
等、各種の変形が可能であり、また、セル自身の形状
も、丸型、三角形等、各種の形状が可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、平坦な表面を有するシリコン基板の一方の面に、シ
リコンに比べてメカノケミカル研磨され難い材料からな
り、前記シリコン基板の中側に向けて一部を突出させる
ストッパーを形成する、ストッパー形成工程と、前記シ
リコン基板に、少なくとも前記ストッパーによって形成
された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積層する、積層
工程と、平坦に形成された定盤の表面に、剛体からなる
多数のセルを、弾性部材を介して取着してなる研磨板を
用い、この研磨板の前記多数のセルの表面と、前記シリ
コン基板の他方の面との間に、高純度シリカの微粒子か
らなる研磨剤が分散されたアルカリ溶液を供給しつつ、
前記研磨板と前記シリコン基板の相対的加圧移動によ
り、該シリコン基板を鏡面研磨する研磨工程とからウェ
ーハを製造するので、シリコン基板、シリコン層が湾曲
をともなう場合でも、研磨工程において、シリコン基板
を該シリコン基板の中側に突出したストッパーの厚さ
（深さ）だけ残して正確に研磨することができ、ストッ
パー形成工程において形成するストッパーの厚さを調整
することにより、シリコン層上に前記シリコン基板から
なる所望の厚さの無歪のシリコンからなる層を形成する
ことができる。
ば、平坦な表面を有するシリコン基板の一方の面に、シ
リコンに比べてメカノケミカル研磨され難い材料からな
り、前記シリコン基板の中側に向けて一部を突出させる
ストッパーを形成する、ストッパー形成工程と、前記シ
リコン基板に、少なくとも前記ストッパーによって形成
された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積層する、積層
工程と、平坦に形成された定盤の表面に、剛体からなる
多数のセルを、弾性部材を介して取着してなる研磨板を
用い、この研磨板の前記多数のセルの表面と、前記シリ
コン基板の他方の面との間に、高純度シリカの微粒子か
らなる研磨剤が分散されたアルカリ溶液を供給しつつ、
前記研磨板と前記シリコン基板の相対的加圧移動によ
り、該シリコン基板を鏡面研磨する研磨工程とからウェ
ーハを製造するので、シリコン基板、シリコン層が湾曲
をともなう場合でも、研磨工程において、シリコン基板
を該シリコン基板の中側に突出したストッパーの厚さ
（深さ）だけ残して正確に研磨することができ、ストッ
パー形成工程において形成するストッパーの厚さを調整
することにより、シリコン層上に前記シリコン基板から
なる所望の厚さの無歪のシリコンからなる層を形成する
ことができる。
【図１】研磨工程にかかる研磨装置を示す側面図であ
る。
る。
【図２】剛体からなるセルの一配列例を示す平面図であ
る。
る。
【図３】研磨板によるウェーハの研磨中の状態を示す側
面図である。
面図である。
【図４】ストッパーの形成されたウェーハ（研磨前）を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図５】ストッパーの形成されたウェーハ（研磨後）を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図６】ストッパーの形成されたウェーハ（研磨前）を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図７】ストッパーの形成されたウェーハ（研磨中）を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図８】ストッパーの形成されたウェーハ（研磨後）を
示す側面図である。
示す側面図である。
６ シリコン層 ８ ストッパー ８ａ 凸壁 １０ シリコン基板 １６ 定盤 ２６ 弾性部材 ２８ セル
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）平坦な表面を有するシリコン基板の
一方の面に、シリコンに比べてメカノケミカル研磨され
難い材料からなり、前記シリコン基板の中側に向けて一
部を突出させるストッパーを形成する、ストッパー形成
工程と、 （Ｂ）前記シリコン基板に、少なくとも前記ストッパー
によって形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積
層する、積層工程と、 （Ｃ）平坦に形成された定盤の表面に、剛体からなる多
数のセルを、弾性部材を介して取着してなる研磨板を用
い、 この研磨板の前記多数のセルの表面と、前記シリコン基
板の他方の面との間に、高純度シリカの微粒子からなる
研磨剤が分散されたアルカリ溶液を供給しつつ、前記研
磨板と前記シリコン基板の相対的加圧移動により、該シ
リコン基板を鏡面研磨する研磨工程とからなることを特
徴とするウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23202691A JP2892191B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ウェーハの製造方法 |
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| JP23202691A JP2892191B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ウェーハの製造方法 |
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| JPH0677191A JPH0677191A (ja) | 1994-03-18 |
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1991
- 1991-09-11 JP JP23202691A patent/JP2892191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| JPH0677191A (ja) | 1994-03-18 |
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