JP2901820B2 - 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ型液
晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば特開平３−２３９２１６号公報に開示されるもの
があった。従来、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板をラ
ビングする時に、絶縁膜である配向膜のポリイミドを擦
るため、配向膜上に静電気により電荷がたまり、配向膜
を破壊すると、蓄積された電荷は一気に、ＴＦＴ基板上
の電荷に放電され、放電された電極上に接続されるトラ
ンジスタ部は特性が変動してしまう。また、絶縁膜破壊
により、ゲート・ドレイン電極間にショートが発生す
る。

【０００３】そこで、上記特開平３−２３９２１６号公
報によれば、ラビング時に導電性微粒子粉体を散布した
後に、基板をラビングすることにより、静電気発生を抑
えるようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の配向膜の形成方法では、導電性微粒子粉体を散
布する工程を増やさねばならない。また、導電性微粒子
を擦ることによる新たな配向膜へのダメージが起こる可
能性を含んだものであった。本発明は、上記問題点を除
去し、静電気を発生し難い構造を有する薄膜トランジス
タ基板にすることで、薄膜トランジスタ基板がダメージ
を受けないようにした薄膜トランジスタ型液晶表示装置
を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、薄膜トランジスタ型液晶表示装置におい
て、基板上に形成されるゲート電極と、該ゲート電極上
に設けられるゲート絶縁膜形成領域と、ドレイン電極上
でかつ画素電極の下に設けられる保護絶縁膜形成領域
と、前記ゲート絶縁膜形成領域と保護絶縁膜形成領域と
が表示領域より広く形成され、かつ配向膜形成領域は前
記表示領域よりも広くかつ前記保護絶縁膜形成領域より
内側に狭く形成される構造を備え、前記ゲート電極及び
ドレイン電極は前記ゲート絶縁膜形成領域もしくは前記
保護絶縁膜形成領域より外側において薄膜トランジスタ
基板の表面に位置するように構成され、かつ、表示領域
内においては前記ドレイン電極上に前記保護絶縁膜を介
して保護電極を形成し、該保護電極は表示領域外におい
て前記保護絶縁膜に形成されるコンタクトホールによっ
て前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特
徴とする。

【０００６】

【０００７】

【作用】本発明によれば、上記したように、薄膜トラン
ジスタ型液晶表示装置において、表示領域外においては
ゲート・ドレイン電極上には絶縁膜が形成されないよう
にし、ラビング時に静電気が発生し難い構造にしたの
で、電荷の放電による薄膜トランジスタ基板のトランジ
スタ部の破壊を防止することができる。

【０００８】また、表示領域外においてはゲート・ドレ
イン電極上には絶縁膜が形成されないようにし、かつ、
表示領域内においてはドレイン電極上に絶縁膜を介して
保護電極を有する構成としたので、ドレイン電極上での
短絡時もその時の放電電流はその保護電極に流れ込むよ
うになり、ドレイン電極への放電電流はＴＦＴのチャネ
ル部を直撃するが、保護電極への放電電流は、第２コン
タクトホールを通して行われるので、電流値自体をかな
り抑えて、小さくすることができる。

【０００９】更に、前記保護電極は対応するドレイン電
極と表示領域外において前記保護絶縁膜に形成されるコ
ンタクトホールによって電気的に接続するようにしたの
で、配向膜に短絡が発生しても、配向膜表面上の電荷は
ドレイン電極に流れ込まず、保護電極に流れ込み、第２
のコンタクトホールを介してドレイン電極に流れ込むこ
とにより、チャネル部への経路が長くなり、電流も表示
領域外へと逃がすことができる。

【００１０】また、ドレイン電極上以外での配向膜短絡
の場合についても、画素電極上には、チャネル部がある
ので、ドレイン電極上への電荷量自体少なく、ドレイン
電極単位での特性変動を起こすほどのものではない。更
に、ゲート電極上においては、絶縁膜が２層あり、か
つ、ゲート電極が陽極化されているので、ゲート電極ま
で一気に短絡することはない。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す薄
膜トランジスタ型液晶表示装置のラビング工程前のＴＦ
Ｔ基板内の絶縁膜、配向膜、電極の位置関係を示す全体
平面図である。この図に示すように、まず、配向膜形成
領域２は、表示領域１より広く形成される。次に、配向
膜エッジにおいては、その下地が電極であったり、絶縁
膜であったりしては、密着力が異なるので、ＴＦＴ基板
の上層部に形成される保護絶縁膜の上に配向膜が形成さ
れている。すなわち、保護絶縁膜形成領域３は配向膜形
成領域２より広く形成されている。

【００１２】次いで、ゲート絶縁膜形成領域４は、ゲー
ト電極がＴＦＴ基板の表面に出るようにするために、保
護絶縁膜と同様に表示領域１以外にはない方がよいの
で、図に示すように、略保護絶縁膜と同じ領域に形成し
ている。一方、ゲート・ドレイン電極は、ラビング時に
は共通電極５に全て電気的に接続されており、静電気に
耐えられるようになっている。最終的には、この共通電
極５が切り落とされて、ゲート・ドレイン電極が全て電
気的に独立した電極となる。

【００１３】図２は本発明の実施例を示すＴＦＴ基板内
の表示領域の左上のトランジスタ部と絶縁膜の位置関係
を示す平面図である。この図に示すように、ガラス基板
１０上に形成されるゲート電極１１とドレイン電極１５
が交差する部分において、半導体層１３をチャネルとす
るトランジスタがあり、ゲート電極１１にＯＮ電圧が印
加されると、その時のドレイン電極１５上の電圧信号を
ソース電極１６に書き込むという構成になっている。こ
のソース電極１６は、コンタクトホール２０により画素
電極１８と電気的に接続されており、そのソース電圧
は、画素電極１８にも書き込まれるという構成になって
いる。

【００１４】次に、この半導体層１３はドレイン電極１
５の下に帯状に形成されている。一方、配向膜は表示領
域外にそのエッジを持たねばならないので、図に示す位
置にエッジがくる。更に、先に述べたように、このエッ
ジ部において異なる下地がこないように、保護絶縁膜の
エッジは配向膜エッジよりも外側にまで形成されてい
る。また、ゲート絶縁膜のエッジも表示領域１内にさえ
あればよいので、略保護絶縁膜のエッジと同じ場所に形
成されている。

【００１５】図３は図２のＡ−Ａ線に示されるトランジ
スタチャネル部の断面図である。この図に示すように、
ガラス基板１０上にゲート電極１１が形成されており、
その上にゲート絶縁膜１２が形成されている。このゲー
ト絶縁膜１２の上には、半導体層１３、オーミック接合
層１４が所定の領域に形成されている。その上に、ドレ
イン・ソース電極１５、１６が形成されており、トラン
ジスタとなっている。その上に保護絶縁膜１７がコンタ
クトホール２０以外の領域に形成されており、その上
に、画素電極１８が形成され、コンタクトホール２０を
介してソース電極１６と画素電極１８は電気的に接続さ
れている。その上に、液晶を配向させるために配向膜１
９が形成され、ラビング処理される。

【００１６】図４は図２のＢ−Ｂ線断面図である。この
図に示すように、ゲート絶縁膜１２はゲート絶縁膜形成
領域４まで形成されており、帯状の半導体層１３、オー
ミック接合層１４が、更にその内側に形成されており、
その上のドレイン電極１５は表示領域外にまで形成され
ており、その上の保護絶縁膜１７は保護絶縁膜形成領域
３にまで形成されている。

【００１７】よって、この保護絶縁膜形成領域３より外
側では、ドレイン電極１５がＴＦＴ基板の表面に出てい
ることがわかる。そして、配向膜１９は、保護絶縁膜１
７の上に形成されるように配向膜形成領域２は保護絶縁
膜形成領域３の内側となっている。このように、ドレイ
ン電極１５上に配向膜が形成されることはない。

【００１８】図５は図２のＣ−Ｃ線断面図である。この
図に示すように、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２
はゲート絶縁膜形成領域４まで形成されており、このゲ
ート絶縁膜形成領域４より外側ではゲート電極１１がＴ
ＦＴ基板の表面に出ていることがわかる。ゲート絶縁膜
１２上に形成される保護絶縁膜１７は保護絶縁膜形成領
域３にまで形成されている。そして、配向膜１９は保護
絶縁膜１７の上に配向膜形成領域２まで形成される。そ
の配向膜形成領域２は保護絶縁膜形成領域３の内側とな
っている。

【００１９】以上のような構成のＴＦＴ基板をラビング
する時に発生する静電気が小さくなる。以下、この点に
ついて説明する。ラビング工程では、バフを巻き付けた
ロールを回転させて、基板を擦るのであるが、基板上の
配向膜の形成領域は、配向膜が絶縁物であるために電荷
が蓄積しやすく、１箇所でも配向膜に短絡が生じれば、
蓄積された電荷が短絡箇所を通して一気にＴＦＴ基板上
の電極に放電される。このことは、配向膜表面に電荷が
蓄積される量は、バフの表面に蓄積される量と比例する
ことを示している。すなわち、バフに電荷がたまらない
ようにすれば、配向膜表面の電荷は逃がすことができ
る。このことは、バフに導電体を擦らせるようにすれば
実現できる。すなわち、ＴＦＴ基板上に占める導電体の
割合を大きくすることで、可能となる。

【００２０】この導電体は、切断線（図示なし）による
基板の切り落とし前の共通電極５によって、実現してい
る。絶縁膜がＴＦＴ基板の全面にあると、最も静電気が
大きくなるので、表示領域１外はほとんど、ゲート・ド
レイン電極が表面に表れている構成にすることで静電気
自体を抑えることができる。次に、本発明の第２実施例
について説明する。

【００２１】この実施例においても、薄膜トランジスタ
型液晶表示装置のラビング工程前のＴＦＴ基板内の絶縁
膜、配向膜、電極の位置関係を示す全体平面図、第１実
施例の図５に対応する断面図は同様であるので、省略す
る。図６は本発明の第２実施例を示すＴＦＴ基板内の表
示領域の左上のトランジスタ部と表示領域外の絶縁膜・
配向膜の位置関係を示す平面図である。 この図に示す
ように、ゲート電極１１とソース電極１６が交差する部
分において、半導体層１３をチャネルとするトランジス
タがあり、ゲート電極１１にＯＮ電圧が印加されると、
その時のドレイン電極１５上の電圧信号をソース電極１
６に書き込むという構成になっている。このソース電極
１６は、コンタクトホール２０により画素電極１８と電
気的に接続されており、そのソース電圧は、画素電極１
８にも書き込まれるという構成になっている。

【００２２】次に、この半導体層１３はドレイン電極１
５の下に帯状に形成されていることを示している。一
方、配向膜は表示領域外にそのエッジを持たねばならな
いので、図に示すような位置にエッジがくる。更に、先
に述べたように、このエッジ部において異なる下地がこ
ないように、保護絶縁膜のエッジは配向膜エッジよりも
外側にまで形成されているのである。また、ゲート絶縁
膜のエッジも表示領域１内にさえあればよいので、ほぼ
保護絶縁膜のエッジと同じ場所に形成されている。

【００２３】一方、表示領域１内においては、ドレイン
電極１５の上に保護絶縁膜を介して、ドレイン電極より
やや広い幅を有して、保護電極２２が形成されている。
この保護電極２２は表示領域１外の保護絶縁膜形成領域
３の内側において、保護絶縁膜の第２コンタクトホール
２１によって、ドレイン電極１５と電気的に接続される
ようになっているのである。

【００２４】図７は図６のＡ−Ａ線に示されるトランジ
スタチャネル部の断面図である。この図において、ゲー
ト電極１１はガラス基板１０上に形成されており、その
上にゲート絶縁膜１２が形成されている。このゲート絶
縁膜１２の上には、半導体層１３、オーミック接合層１
４が所定の領域に形成されている。その上に、ソース・
ドレイン電極１６，１５が形成されており、トランジス
タとなっている。その上に保護絶縁膜１７がコンタクト
ホール２０以外の領域に形成されており、その上に、画
素電極１８が形成されており、コンタクトホール２０を
介してソース電極１６と画素電極１８は電気的に接続さ
れている。その上に、液晶を配向させるために配向膜１
９が形成され、ラビング処理されるものである。

【００２５】図８は図６のＢ−Ｂ線に示される部分の断
面図である。この図において、ゲート絶縁膜１２はゲー
ト絶縁膜形成領域４まで形成されており、帯状の半導体
層１３、オーミック接合層１４も更にその内側に形成さ
れており、その上のドレイン電極１５は表示領域１外に
まで形成されており、その上の保護絶縁膜１７は保護絶
縁膜形成領域３にまで形成されている。更に、ドレイン
電極１５上に保護絶縁膜１７を介して形成されている保
護電極２２は、保護絶縁膜１７の第２コンタクトホール
２１によってドレイン電極１５と電気的に接続されてい
る。

【００２６】よって、この保護絶縁膜形成領域３より外
側では、ドレイン電極１５がＴＦＴ基板の表面に出てい
ることがわかる。そして、配向膜１９は保護絶縁膜１７
の上に形成されるように、配向膜形成領域２は保護絶縁
膜形成領域３の内側となっている。このことにより、ド
レイン電極１５上に配向膜が形成されることはない。図
６のＣ−Ｃ線に示される部分の断面図は、図５と同様で
あり、省略する。

【００２７】ここで、図５に示すように、ゲート絶縁膜
１２はゲート絶縁膜形成領域４まで形成されており、よ
って、このゲート絶縁膜形成領域４より外側ではゲート
電極１１がＴＦＴ基板の表面に出ていることがわかる。
その上の保護絶縁膜１７は保護絶縁膜形成領域３にまで
形成されている。そして、配向膜１９は保護絶縁膜１７
の上に形成されるように、配向膜形成領域２は保護絶縁
膜形成領域３の内側となっている。

【００２８】以上のような構成のＴＦＴ基板をラビング
する時に、発生する静電気が小さくなることについては
第１実施例で述べた通りであるが、この実施例において
は、保護電極２２を設けるようにしたので、静電気に対
しても強い。この点について、以下説明する。先ほど述
べたように、静電気によって問題となるのは、配向膜表
面上に蓄積された電荷が配向膜の短絡により一気に電極
上に流れ込み、ＴＦＴのチャネル部にダメージを与える
ことである。通常、このような場合、ドレイン電極１本
単位でＴＦＴの特性が大きく変動してしまう。ゲート電
極上へは、その上に絶縁膜が２層あることから、まず、
電荷が流れ込むことはなく、画素電極上への短絡の場合
は点欠陥にとどまるので、そう大きな問題ではない。よ
って、ドレイン電極上への短絡さえなくせば、ほぼ静電
気による対策は十分ということになる。

【００２９】上記のようにドレイン電極１５上に保護電
極２２を保護絶縁膜１７を介して設けると、ドレイン電
極１５上での短絡時も、その時の放電電流はその保護電
流に流れ込むようになる。ドレイン電極１５への放電電
流は、ＴＦＴのチャネル部を直撃するが、保護電極２２
への放電電流は、第２コンタクトホール２１を通してな
ので、電流値自体かなり小さくなっている。むしろ、共
通電極５へと逃がすことができるので、構造上静電気に
強いものである。

【００３０】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図９は本発明の第３実施例を示す薄膜トランジスタ
型液晶表示装置の一部分の平面図である。この図に示す
ように、ゲート電極３１とドレイン電極３６が交差する
部分において、半導体層３４をチャネルとするトランジ
スタがあり、ゲート電極３１にＯＮ電圧が印加される
と、その時のドレイン電極３６上の電圧信号をソース電
極３７に書き込むという構成になっている。このソース
電極３７は、第１コンタクトホール４０により、画素電
極３９と電気的に接続されており、そのソース電圧は、
画素電極３９にも書き込まれるという構成になってい
る。次に、この半導体層３４はドレイン電極３６の下に
帯状に形成されている。そして、ドレイン電極３６上
に、ドレイン電極３６よりやや幅の大きな保護電極３９
が設けられている。

【００３１】図１０は図９のＡ−Ａ線に示されるトラン
ジスタチャネル部の断面図である。この図に示すよう
に、ゲート電極３１はガラス基板３０上に形成されてお
り、その表面が陽極酸化されゲート陽極酸化膜３２とな
っており、その上にゲート絶縁膜である第１絶縁膜３３
が形成されている。この第１絶縁膜３３の上には、半導
体層３４、オーミック接合層３５が所定の領域に形成さ
れている。その上に、ドレイン・ソース電極３６，３７
が形成されており、トランジスタとなっている。その上
に第２絶縁膜３８がコンタクトホール４０以外の領域に
形成されており、その上に、画素電極４１が形成され、
コンタクトホール４０を介してソース電極３７と画素電
極４１は電気的に接続されている。この画素電極４１が
形成される時に、同時に保護電極３９がドレイン電極３
６上に第２絶縁膜３８を介して形成されるものである。
その上に、液晶を配向させるために配向膜４２が形成さ
れ、ラビング処理されるものである。

【００３２】図１１は本発明の第３実施例を示す薄膜ト
ランジスタ型液晶表示装置の保護電極の表示領域外での
構成を示す図である。この図に示すように、表示領域１
（図１参照）外において保護電極３９は第２絶縁膜３８
の第２コンタクトホール５０により各々、ドレイン電極
３６に電気的に接続されている。表示領域内において
は、保護電極３９とドレイン電極３６は第２絶縁膜３８
によって電気的には絶縁されている。このコンタクトホ
ール５０部のみにおいて、電気的に接続されている。

【００３３】図１２は薄膜トランジスタ型液晶表示装置
の保護電極のない場合の等価回路図である。配向膜は絶
縁物であるために、配向膜表面５５とドレイン電極５２
の間には容量が形成されている。このときの容量は配向
膜容量５４として考えることができる。ラビング処理の
時には、配向膜表面５５を擦るので、配向膜表面５５に
静電気により電荷が蓄積される。配向膜が短絡しなけれ
ば、電荷が蓄積されてもＴＦＴの配線には電荷が流れ込
まないが、配向膜の１箇所に短絡が発生すれば、配向膜
表面５５上の電荷は一気にドレイン電極５２に流れ込
み、このドレイン電極５２につながっているチャネル部
のほとんど全てに電流が流れ、ドレイン電極５２の１本
単位で特性変動してしまうのである。なお、５１はゲー
ト電極、５３はソース電極である。

【００３４】図１３は本発明の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の保護電極がある場合の等価回路図である。こ
こで、図１２と同じ部分については、同じ番号を付して
その説明を省略する。この図に示すように、配向膜表面
６４は、保護電極６２との間に配向膜容量６３を持つこ
とになる。よって、配向膜に短絡が発生しても、配向膜
表面６４上の電荷はドレイン電極５２に流れ込まず、保
護電極６２に流れ込み、コンタクトホール５０（図１１
参照）を介してドレイン電極５２に流れ込む。

【００３５】保護電極がない場合と比較すれば、本発明
の場合は、チャネル部への経路が長くなり、電流も表示
領域外へと逃がすことができる。一方、ドレイン電極５
２上以外での配向膜短絡の場合についてであるが、画素
電極上では、チャネル部があるので、ドレイン電極５２
上への電荷量自体少なく、ドレイン電極５２単位での特
性変動を起こすほどのものではなく、せいぜい、画素１
つが特性変動を起こすにとどまる。

【００３６】更に、ゲート電極上については、絶縁膜が
２層あり、かつ、ゲート電極が陽極化されているので、
ゲート電極まで一気に短絡することは、まずありえない
ことになる。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００３７】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）ラビング工程の際に発生する静電気を抑えること
ができ、かつ静電気に強い構造のＴＦＴとしたので、Ｔ
ＦＴのチャネル部の破壊や特性変動がなくなることが期
待できるのである。

【００３８】（２）ドレイン電極上に保護絶縁膜を介し
て保護電極を設けておくことにより、ドレイン電極上で
の短絡時も、その時の放電電流はその保護電極に流れ込
むようになり、ドレイン電極への放電電流はＴＦＴのチ
ャネル部を直撃するが、保護電極への放電電流は、第２
コンタクトホールを通して行われるので、電流値自体を
かなり抑えて、小さくすることができる。

【００３９】（３）配向膜に短絡が発生しても、配向膜
表面上の電荷はドレイン電極に流れ込まず、まず、保護
電極に流れ込み、第２のコンタクトホールを介してドレ
イン電極に流れ込むことにより、チャネル部への経路が
長くなり、電流も表示領域外へと逃がすことができる。
また、ドレイン電極上以外での配向膜短絡の場合につい
も、画素電極上では、チャネル部があるので、ドレイン
電極上への電荷量自体少なく、ドレイン電極単位での特
性変動を起こすほどのものではない。

【００４０】更に、ゲート電極上においては、絶縁膜が
２層あり、かつ、ゲート電極が陽極化されているので、
ゲート電極まで一気に短絡することはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す薄膜トランジスタ型
液晶表示装置のラビング工程前のＴＦＴ基板内における
絶縁膜、配向膜、電極の位置関係を示す全体平面図であ
る。

【図２】本発明の第１実施例を示すＴＦＴ基板内の表示
領域の左上のトランジスタ部と絶縁膜の位置関係を示す
平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ線に示されるトランジスタチャネ
ル部の断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ線断面図である。

【図５】図２のＣ−Ｃ線断面図である。

【図６】本発明の第２実施例を示すＴＦＴ基板内の表示
領域の左上のトランジスタ部と絶縁膜の位置関係を示す
平面図である。

【図７】図６のＡ−Ａ線に示されるトランジスタチャネ
ル部の断面図である。

【図８】図６のＢ−Ｂ線断面図である。

【図９】本発明の第３実施例を示す薄膜トランジスタ型
液晶表示装置の一部分の平面図である。

【図１０】図９のＡ−Ａ線に示されるトランジスタチャ
ネル部の断面図である。

【図１１】本発明の第３実施例を示す薄膜トランジスタ
型液晶表示装置の保護電極の表示領域外での構成を示す
図である。

【図１２】薄膜トランジスタ型液晶表示装置の保護電極
のない場合の等価回路図である。

【図１３】本発明の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の
保護電極がある場合の等価回路図である。

【符号の説明】

１ 表示領域 ２ 配向膜形成領域 ３ 保護絶縁膜形成領域 ４ ゲート絶縁膜形成領域 ５ 共通電極 １０，３０ ガラス基板 １１，３１ ゲート電極 １２ ゲート絶縁膜 １３，３４ 半導体層 １４，３５ オーミック接合層 １５，３６，５２ ドレイン電極 １６，３７ ソース電極 １７ 保護絶縁膜 １８，４１ 画素電極 １９，４２ 配向膜 ２０，４０，５０ コンタクトホール ２１ 第２コンタクトホール ２２，３９，６２ 保護電極 ３２ ゲート陽極酸化膜 ３３ 第１絶縁膜 ３８ 第２絶縁膜 ５４，６３ 配向膜容量 ５５，６４ 配向膜表面

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−217421（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−56943（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−150822（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1343 G02F 1/1337 G02F 1/1333 G09F 9/30 H01L 29/78

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）基板上に形成されるゲート電極と、 （ｂ）該ゲート電極上に設けられるゲート絶縁膜形成領
   域と、 （ｃ）ドレイン電極上でかつ画素電極の下に設けられる
   保護絶縁膜形成領域と、 （ｄ）前記ゲート絶縁膜形成領域と保護絶縁膜形成領域
   とが表示領域より広く形成され、かつ配向膜形成領域は
   前記表示領域よりも広くかつ前記保護絶縁膜形成領域よ
   り内側に狭く形成される構造を備え、 （ｅ）前記ゲート電極及びドレイン電極は前記ゲート絶
   縁膜形成領域もしくは前記保護絶縁膜形成領域より外側
   において薄膜トランジスタ基板の表面に位置するように
   構成され、かつ、表示領域内においては前記ドレイン電
   極上に前記保護絶縁膜を介して保護電極を形成し、該保
   護電極は表示領域外において前記保護絶縁膜に形成され
   るコンタクトホールによって前記ドレイン電極と電気的
   に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ型
   液晶表示装置。