JP2908480B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2908480B2 JP2908480B2 JP25212789A JP25212789A JP2908480B2 JP 2908480 B2 JP2908480 B2 JP 2908480B2 JP 25212789 A JP25212789 A JP 25212789A JP 25212789 A JP25212789 A JP 25212789A JP 2908480 B2 JP2908480 B2 JP 2908480B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ヘテロ接合構造を有する半導体レーザ装置
の改良に係り、特にInGaAa系半導体レーザ装置及び製造
方法に関する。
の改良に係り、特にInGaAa系半導体レーザ装置及び製造
方法に関する。
（従来の技術） 近年、MOCVD法等の結晶成長技術の向上に伴い、He−N
eレーザと同程度の発振波長が得られるInGaAlP化合物半
導体を使用した半導体レーザが作られるようになってい
る（日経マイクロデバイス,1985年11月号）。
eレーザと同程度の発振波長が得られるInGaAlP化合物半
導体を使用した半導体レーザが作られるようになってい
る（日経マイクロデバイス,1985年11月号）。
ところで、これらの半導体レーザを、近年注目されて
いるところのビデオディスクやレーザプリンタ等の光源
として使用する場合、解決しなければならない問題があ
る。即ち、光の損失と無駄な再結合を最小とするため特
定領域に光エネルギー及び注入電流を閉込める構造に加
え、１μｍオーダの微小スポットに絞り込む必要がある
ため半導体レーザの活性層に平行方向の光の閉込め、つ
まり横モードの制御が必要である。そこで本発明者等
は、これらの条件を満たすレーザ構造として、リッジ埋
込み型のレーザを作成し基本横モード発振することを確
認した。
いるところのビデオディスクやレーザプリンタ等の光源
として使用する場合、解決しなければならない問題があ
る。即ち、光の損失と無駄な再結合を最小とするため特
定領域に光エネルギー及び注入電流を閉込める構造に加
え、１μｍオーダの微小スポットに絞り込む必要がある
ため半導体レーザの活性層に平行方向の光の閉込め、つ
まり横モードの制御が必要である。そこで本発明者等
は、これらの条件を満たすレーザ構造として、リッジ埋
込み型のレーザを作成し基本横モード発振することを確
認した。
リッジ埋込み型半導体レーザの概略構造及びその製造
方法について第３図及び第４図を参照して説明する。ま
ず、第４図（ａ）に示す如く、ｎ−GaAs基板41上に、ｎ
−GaAsバッファ層42,n−InGaPバッファ層43,n−InGaAlP
クラッド層44,InGaP活性層45,p−InGaAlPクラッド層46
及びｐ−GaAsオートミックコンタクト層47を順次形成し
た後、コンタクト層37上にSiO2膜48をストライプ状に形
成する。次いで、SiO2膜48をマスクにコンタクト層47を
SHエッチング液（硫酸：過酸化水素水：水＝8:1:1の混
合液）によりエッチングし、コンタクト層47をストライ
プ状に残す。続いて、SiO2膜48及びコンタクト層47をマ
スクに、熱燐酸を用いた選択エッチングによりクラッド
層46を厚さｈだけ残すようにエッチングし、第４図
（ｂ）に示す如くコンタクト層47を含むストライプ状の
メサ49を形成する。次いで、SiO2膜48を選択成長用マス
クとして、減圧MOCVD法を用いた選択成長（応用物理学
会結晶工学分科会，第２回結晶工学シンポジウム講演集
p11（1985））により、第４図（ｃ）に示す如く、SiO2
マスクのある部分を除きｎ−GaAs電流阻止層50を埋込み
形成する。次いで、SiO2膜38を除去した後、全面にｐ型
GaAs層51を成長し、Ｎ型電極52としてAuGe,p型電極53と
してAuZn電極を形成し完成する。ところでｐ型InGaAlP
クラッド層46のAl組成が大きい場合、ｐ−GaAs47/p−In
GaAlP46ヘテロ接合界面で大きなヘテロバリアーが存在
し、電圧降下が生じこのレーザの特性として大きな直列
抵抗，大きな順方向電圧を示す。その為このｐ−GaAs47
を除去しｐ−InGaAlP46の間に中間バンドギャップを持
つInGaPコンタクト層を設けZn空流しを行ないながら全
面にｐ−GaAs層51を成長させることにより電圧降下を減
少させる方法が考えられた。
方法について第３図及び第４図を参照して説明する。ま
ず、第４図（ａ）に示す如く、ｎ−GaAs基板41上に、ｎ
−GaAsバッファ層42,n−InGaPバッファ層43,n−InGaAlP
クラッド層44,InGaP活性層45,p−InGaAlPクラッド層46
及びｐ−GaAsオートミックコンタクト層47を順次形成し
た後、コンタクト層37上にSiO2膜48をストライプ状に形
成する。次いで、SiO2膜48をマスクにコンタクト層47を
SHエッチング液（硫酸：過酸化水素水：水＝8:1:1の混
合液）によりエッチングし、コンタクト層47をストライ
プ状に残す。続いて、SiO2膜48及びコンタクト層47をマ
スクに、熱燐酸を用いた選択エッチングによりクラッド
層46を厚さｈだけ残すようにエッチングし、第４図
（ｂ）に示す如くコンタクト層47を含むストライプ状の
メサ49を形成する。次いで、SiO2膜48を選択成長用マス
クとして、減圧MOCVD法を用いた選択成長（応用物理学
会結晶工学分科会，第２回結晶工学シンポジウム講演集
p11（1985））により、第４図（ｃ）に示す如く、SiO2
マスクのある部分を除きｎ−GaAs電流阻止層50を埋込み
形成する。次いで、SiO2膜38を除去した後、全面にｐ型
GaAs層51を成長し、Ｎ型電極52としてAuGe,p型電極53と
してAuZn電極を形成し完成する。ところでｐ型InGaAlP
クラッド層46のAl組成が大きい場合、ｐ−GaAs47/p−In
GaAlP46ヘテロ接合界面で大きなヘテロバリアーが存在
し、電圧降下が生じこのレーザの特性として大きな直列
抵抗，大きな順方向電圧を示す。その為このｐ−GaAs47
を除去しｐ−InGaAlP46の間に中間バンドギャップを持
つInGaPコンタクト層を設けZn空流しを行ないながら全
面にｐ−GaAs層51を成長させることにより電圧降下を減
少させる方法が考えられた。
以下に、このレーザ及び製造方法について第３図を用
いて説明する。
いて説明する。
ｎ−GaAs基板21上に、ｎ−GaAsバッファ層22,n−InGa
Pバッファ層23,n−InGaAlPクラッド層24,InGaP活性層2
5,p−InGaAlPクラッド層26,中間コンタクト層としてInG
aP層27を順次形成した後、InGAP層27上にSiO2膜28をス
トライプ状に形成する。次いで、SiO2膜28をマスクに臭
化水素系のエッチャントを用いてInGaP中間コンタクト
層27をエッチングする。続いて熱燐酸用いた選択エッチ
ングによりクラッド層26を厚さｈだけ残すようにエッチ
ングし、第３図（ａ）に示す如くストライプ状のメサ29
を形成する。次いで、SiO2膜28を選択成長用マスクとし
て、減圧MOCVD法を用いた選択成長により、第３図
（ｂ）に示す如くSiO2マスクのある部分を除きｎ−GaAs
電流阻止層を埋込み形成する。次いで、SiO2膜を除去し
た後、ｐ型ドーパントの原料ガスであるDEZの空流しを
十分に行なった後、第３図（ｃ）に示す如く全面にｐ型
GaAs層を成長する。ｎ型電極としてAuGeを、ｐ型電極と
してAuZn電極を形成し完成する。このInGaP中間コンタ
クト層を挾んだ構造及びZn空流しによってヘテロ障壁に
よる電圧降下を低減することができ、直列抵抗。順方向
電圧の大巾な低減が可能になった。しかし、ここで新た
な問題が生じた。すなわち、InGaPのエッチントとして
は他に類を見ないほど優れているとはいえ、臭化水素系
エッチャントは、臭素が蒸発しやすく時間とともに組成
が変化しやすいため、そのエッチング形状は臭化水素系
エッチャント特有の凸凹状となることが多くInGaAlPに
対する選択性が無いため前出ｈのコントロールにはInGa
Pを除去後InGaAlP層のエッチングが余り進まない内に熱
燐酸に切り替えｈのコントロール及び界面の平坦性を確
保する必要があった。
Pバッファ層23,n−InGaAlPクラッド層24,InGaP活性層2
5,p−InGaAlPクラッド層26,中間コンタクト層としてInG
aP層27を順次形成した後、InGAP層27上にSiO2膜28をス
トライプ状に形成する。次いで、SiO2膜28をマスクに臭
化水素系のエッチャントを用いてInGaP中間コンタクト
層27をエッチングする。続いて熱燐酸用いた選択エッチ
ングによりクラッド層26を厚さｈだけ残すようにエッチ
ングし、第３図（ａ）に示す如くストライプ状のメサ29
を形成する。次いで、SiO2膜28を選択成長用マスクとし
て、減圧MOCVD法を用いた選択成長により、第３図
（ｂ）に示す如くSiO2マスクのある部分を除きｎ−GaAs
電流阻止層を埋込み形成する。次いで、SiO2膜を除去し
た後、ｐ型ドーパントの原料ガスであるDEZの空流しを
十分に行なった後、第３図（ｃ）に示す如く全面にｐ型
GaAs層を成長する。ｎ型電極としてAuGeを、ｐ型電極と
してAuZn電極を形成し完成する。このInGaP中間コンタ
クト層を挾んだ構造及びZn空流しによってヘテロ障壁に
よる電圧降下を低減することができ、直列抵抗。順方向
電圧の大巾な低減が可能になった。しかし、ここで新た
な問題が生じた。すなわち、InGaPのエッチントとして
は他に類を見ないほど優れているとはいえ、臭化水素系
エッチャントは、臭素が蒸発しやすく時間とともに組成
が変化しやすいため、そのエッチング形状は臭化水素系
エッチャント特有の凸凹状となることが多くInGaAlPに
対する選択性が無いため前出ｈのコントロールにはInGa
Pを除去後InGaAlP層のエッチングが余り進まない内に熱
燐酸に切り替えｈのコントロール及び界面の平坦性を確
保する必要があった。
（発明が解決しようとする課題） このように中間バンドギャップ層としてInGaP層を挾
むことにより、順方向電圧，直列抵抗の低減が可能にな
ったが、前記した様な新たな問題が生じた。
むことにより、順方向電圧，直列抵抗の低減が可能にな
ったが、前記した様な新たな問題が生じた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、中間バ
ッドギャップ層をエッチングするための新たなエッチン
グ液を必要とせず、順方向電圧及び直列抵抗の低減及び
ｈの制御性に関しても良好な半導体レーザの構造を提供
するものである。
ッドギャップ層をエッチングするための新たなエッチン
グ液を必要とせず、順方向電圧及び直列抵抗の低減及び
ｈの制御性に関しても良好な半導体レーザの構造を提供
するものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、InGaAlPクラッド層のエッチング液
である熱燐酸により同時に均一性よくエッチングできる
GaAlAsを中間バンドギャップ層として用いることにあ
る。第２図にInGaP中間バンドギャップ層で得られるInG
aAlP−InGaPヘテロ接合電圧及びInGaAlP−GaAlPヘテロ
接合電圧のGa1-xAlxAsのAl混晶比ｘおよび不純物濃度に
ついて検討実験を行なった結果を示す。第２図（ａ）は
ｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐとｐ−InGaPのヘテロ接
合のＩ−Ｖ特性を示したものである。順方向電流密度3K
A/cm2のとき順方向電圧は約2.5Vである。第２図（ｂ）
にはｐ−InGaPの代わりにｘ＝０〜0.1までのGaAlxAsを
使用した場合のＩ−Ｖ特性を示す。この場合、後述する
ようにGaAlAsの不純物濃度により順方向電圧が変わるた
め、不純物濃度２×1018/cm3のものについて記してあ
る。ｘ＝0.4のものでは、順方向電流密度3KA/cm2のとき
順方向電圧は3.1Vであるがｘ＝0.6になると3KA/cm2のと
き2.4VとInGaPを用いたものと同等またはそれより低い
順方向電圧を示すようになり、この傾向はｘ＝1.0まで
続いた。前述したGaAlAsの不純物濃度依存性を調べるた
め、ｘ＝0.6のAl混晶比のGaAlAsの不純物濃度を５×10
17,1×1018,2×1018と変化させてInGaAlP−GaAlAsヘテ
ロ接合電圧を調べたところ第２図（ｃ）に示すように２
×1018以上の点でInGaPを用いた場合と同等のＩ−Ｖ特
性を示した。なお、Alxのｘが0.6よりも低いところでは
不純物濃度を２×1018以上にしても大きな改善は見られ
ず、InGaPと同等もしくはそれより低い順方向電圧を得
るにはAlxのｘが0.6以上であり不純物濃度も２×1018以
上あることが好ましいことが分った。
である熱燐酸により同時に均一性よくエッチングできる
GaAlAsを中間バンドギャップ層として用いることにあ
る。第２図にInGaP中間バンドギャップ層で得られるInG
aAlP−InGaPヘテロ接合電圧及びInGaAlP−GaAlPヘテロ
接合電圧のGa1-xAlxAsのAl混晶比ｘおよび不純物濃度に
ついて検討実験を行なった結果を示す。第２図（ａ）は
ｐ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐとｐ−InGaPのヘテロ接
合のＩ−Ｖ特性を示したものである。順方向電流密度3K
A/cm2のとき順方向電圧は約2.5Vである。第２図（ｂ）
にはｐ−InGaPの代わりにｘ＝０〜0.1までのGaAlxAsを
使用した場合のＩ−Ｖ特性を示す。この場合、後述する
ようにGaAlAsの不純物濃度により順方向電圧が変わるた
め、不純物濃度２×1018/cm3のものについて記してあ
る。ｘ＝0.4のものでは、順方向電流密度3KA/cm2のとき
順方向電圧は3.1Vであるがｘ＝0.6になると3KA/cm2のと
き2.4VとInGaPを用いたものと同等またはそれより低い
順方向電圧を示すようになり、この傾向はｘ＝1.0まで
続いた。前述したGaAlAsの不純物濃度依存性を調べるた
め、ｘ＝0.6のAl混晶比のGaAlAsの不純物濃度を５×10
17,1×1018,2×1018と変化させてInGaAlP−GaAlAsヘテ
ロ接合電圧を調べたところ第２図（ｃ）に示すように２
×1018以上の点でInGaPを用いた場合と同等のＩ−Ｖ特
性を示した。なお、Alxのｘが0.6よりも低いところでは
不純物濃度を２×1018以上にしても大きな改善は見られ
ず、InGaPと同等もしくはそれより低い順方向電圧を得
るにはAlxのｘが0.6以上であり不純物濃度も２×1018以
上あることが好ましいことが分った。
（作 用） 以上のInGaAlP−GaAlAsヘテロ接合電圧の測定からInG
aP中間バンドギャップ層の代りにAl組成ｘ＝0.6以上，
不純物濃度２×1018/cm2以上のGa1-xAlxAs層を用いても
低順方向電圧を実現できる。またこの中間バンドギャッ
プ層として用いるGaAlAsのAl組成を0.6程度とすること
により、InGaAlP（ｘ＝0.7）クラッド層の熱燐酸に対す
るエッチング速度とほぼ等しくすることが可能となり、
リッジ作製上の困難も解決することができる。
aP中間バンドギャップ層の代りにAl組成ｘ＝0.6以上，
不純物濃度２×1018/cm2以上のGa1-xAlxAs層を用いても
低順方向電圧を実現できる。またこの中間バンドギャッ
プ層として用いるGaAlAsのAl組成を0.6程度とすること
により、InGaAlP（ｘ＝0.7）クラッド層の熱燐酸に対す
るエッチング速度とほぼ等しくすることが可能となり、
リッジ作製上の困難も解決することができる。
（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明す
る。第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの
製造工程を示す斜視図である。ｎ−GaAs基板11上に、厚
さ0.8μｍのｎ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐクラッド層1
2.厚さ0.06μｍのInGaP活性層13及び厚さ0.8μｍのｐ−
In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐクラッド層14及び厚さ0.01μ
ｍのｐ−Ga0.4Al0.6As中間コンタクト層15を成長し、ダ
ブルヘテロ構造部を形成する。次いで、SiO2膜18をマス
クにｐ−Ga0.4Al0.6As中間コンタクト層15及びｐ−GaIn
AlPクラッド層14の途中まで60℃の熱燐酸を用いてエッ
チングし、ストライプ状のメサ19を形成する。このと
き、ｐ−Ga0.4Al0.6Asの60℃の熱燐酸に対するエッチン
グレートは0.5μm/minであり、またｐ−In0.5（Ga0.3Al
0.7）0.5Ｐクラッド層のエッチングレートも同様に0.5
μm/min程度であるため、一様なエッチングが行われ、
リッジのストライプ巾もｈも再現良く、制御することが
可能であった。その後、このSiO2膜を選択成長のマスク
として減圧CVD法を用いた選択成長により、SiO2マスク
のある部分を除いて厚さ１μｍのｎ−GaAs電流阻止層16
を成長し、メサ側部を電流阻止層16で埋め込む。続い
て、SiO2膜を除去した後、露出したｐ−GaAlAs中間コン
タクト層15及び電流阻止層16上にZn空流しを行ない厚さ
３μｍのｐ−GaAsオーミックコンタクト層17を成長形成
し、ｎ型及びｐ型電極を形成し完成した。かくして得ら
れた半導体レーザの順方向電圧及び直列抵抗は中間バン
ドギャップ層としてInGaPを用いた場合と同等もしくは
それ以下の値を示した。なお本実施例は、In0.5（Ga0.3
Al0.7）0.5Ｐクラッド層に対してGa0.4Al0.6As中間コン
タクト層を用いたが、InGaAlPのAl混晶比の増加に合わ
せGaAlAsのAl混晶比を高くすることで順方向電圧は低
く、かつ熱燐酸に対するエッチング速度も等しくするこ
とが可能である。また、GaAlAsに対する不純物のドーピ
ング特性はInGaAlPに対するドーピング特性よりも優れ
ており、InGaAlPのｐ型不純物が５×1017程度までしか
ドーピングできないのに対し、GaAlAsでは５×1018程度
までドーピングできる。そのため、この中間バンドギャ
ップ層の厚みを0.4μｍ程度に厚くし、InGaAlPクラッド
層の厚みを半分以下に減らすことにより、InGaAlPクラ
ッド層に起因する直列抵抗成分を減らすことができ、か
つクラッド層としての役割をそこなうことなく十分な導
波特性が確保される。我々の実験によるとIn0.5（Ga0.3
Al0.7）0.5Ｐクラッド層及びGa0.4Al0.6As中間バンドギ
ャップ層を使用した場合、前者は0.2μｍ、後者は0.6μ
ｍ程度でも十分導波特性には影響がなく、順方向電圧，
直列抵抗もさらに減少させることが可能であった。
る。第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの
製造工程を示す斜視図である。ｎ−GaAs基板11上に、厚
さ0.8μｍのｎ−In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐクラッド層1
2.厚さ0.06μｍのInGaP活性層13及び厚さ0.8μｍのｐ−
In0.5（Ga0.3Al0.7）0.5Ｐクラッド層14及び厚さ0.01μ
ｍのｐ−Ga0.4Al0.6As中間コンタクト層15を成長し、ダ
ブルヘテロ構造部を形成する。次いで、SiO2膜18をマス
クにｐ−Ga0.4Al0.6As中間コンタクト層15及びｐ−GaIn
AlPクラッド層14の途中まで60℃の熱燐酸を用いてエッ
チングし、ストライプ状のメサ19を形成する。このと
き、ｐ−Ga0.4Al0.6Asの60℃の熱燐酸に対するエッチン
グレートは0.5μm/minであり、またｐ−In0.5（Ga0.3Al
0.7）0.5Ｐクラッド層のエッチングレートも同様に0.5
μm/min程度であるため、一様なエッチングが行われ、
リッジのストライプ巾もｈも再現良く、制御することが
可能であった。その後、このSiO2膜を選択成長のマスク
として減圧CVD法を用いた選択成長により、SiO2マスク
のある部分を除いて厚さ１μｍのｎ−GaAs電流阻止層16
を成長し、メサ側部を電流阻止層16で埋め込む。続い
て、SiO2膜を除去した後、露出したｐ−GaAlAs中間コン
タクト層15及び電流阻止層16上にZn空流しを行ない厚さ
３μｍのｐ−GaAsオーミックコンタクト層17を成長形成
し、ｎ型及びｐ型電極を形成し完成した。かくして得ら
れた半導体レーザの順方向電圧及び直列抵抗は中間バン
ドギャップ層としてInGaPを用いた場合と同等もしくは
それ以下の値を示した。なお本実施例は、In0.5（Ga0.3
Al0.7）0.5Ｐクラッド層に対してGa0.4Al0.6As中間コン
タクト層を用いたが、InGaAlPのAl混晶比の増加に合わ
せGaAlAsのAl混晶比を高くすることで順方向電圧は低
く、かつ熱燐酸に対するエッチング速度も等しくするこ
とが可能である。また、GaAlAsに対する不純物のドーピ
ング特性はInGaAlPに対するドーピング特性よりも優れ
ており、InGaAlPのｐ型不純物が５×1017程度までしか
ドーピングできないのに対し、GaAlAsでは５×1018程度
までドーピングできる。そのため、この中間バンドギャ
ップ層の厚みを0.4μｍ程度に厚くし、InGaAlPクラッド
層の厚みを半分以下に減らすことにより、InGaAlPクラ
ッド層に起因する直列抵抗成分を減らすことができ、か
つクラッド層としての役割をそこなうことなく十分な導
波特性が確保される。我々の実験によるとIn0.5（Ga0.3
Al0.7）0.5Ｐクラッド層及びGa0.4Al0.6As中間バンドギ
ャップ層を使用した場合、前者は0.2μｍ、後者は0.6μ
ｍ程度でも十分導波特性には影響がなく、順方向電圧，
直列抵抗もさらに減少させることが可能であった。
［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、従来のInGaP中
間バンドギャップ層をGaAlAsとすることにより、レーザ
作製プロセス上の制御性の困難性，煩雑さを解消するこ
とができ、従来と同等もしくはそれ以上の順方向電圧，
直列抵抗の低減を図ることができる。
間バンドギャップ層をGaAlAsとすることにより、レーザ
作製プロセス上の制御性の困難性，煩雑さを解消するこ
とができ、従来と同等もしくはそれ以上の順方向電圧，
直列抵抗の低減を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ装置の
構造及び製造方法を示す断面図、第２図は中間バンドギ
ャップ層にInGaP及びGaAlAsを用いた場合の順方向電流
−順方向電圧特性を示す図、第３図乃至第４図は従来の
構造及び製造方法を示す図である。 11,21,41……ｎ−GaAs基板 12,24,44……ｎ−InGaAlPクラッド層 13,25,45……InGaP活性層 14,26,46……Ｐ−InGaAlPクラッド層 15……GaAlAs中間バンドギャップ層 16,30,50……ｎ−GaAs電流ブロック層 17,31……ｐ−GaAs層 18,28,48……SiO2マスク 19,29……リッジ部 27……InGaP中間バンドギャップ層 22,42……GaAsバッファ層 23,43……InGaPバッファ層 32,52……ｎ型電極 33,53……ｐ型電極 47……GaAsコンタクト層
構造及び製造方法を示す断面図、第２図は中間バンドギ
ャップ層にInGaP及びGaAlAsを用いた場合の順方向電流
−順方向電圧特性を示す図、第３図乃至第４図は従来の
構造及び製造方法を示す図である。 11,21,41……ｎ−GaAs基板 12,24,44……ｎ−InGaAlPクラッド層 13,25,45……InGaP活性層 14,26,46……Ｐ−InGaAlPクラッド層 15……GaAlAs中間バンドギャップ層 16,30,50……ｎ−GaAs電流ブロック層 17,31……ｐ−GaAs層 18,28,48……SiO2マスク 19,29……リッジ部 27……InGaP中間バンドギャップ層 22,42……GaAsバッファ層 23,43……InGaPバッファ層 32,52……ｎ型電極 33,53……ｐ型電極 47……GaAsコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−244691（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−241190（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−184973（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−164374（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−168091（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−33987（ＪＰ，Ａ) 昭和60年度電子通信学会半導体・材料 部門全国大会ＳＩ−10，ｐ．１−284〜 285 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 665
Claims (1)
- 【請求項１】ｎ型クラッド層、活性層及びストライプ状
の凸部を有したｐ型クラッド層からなるInGaAlP系ダブ
ルヘテロ接合構造部と、前記ｐ型クラッド層の凸部の両
側に形成されたｎ型GaAlAs系電流阻止層とを具備し、光
導波及び電流狭窄を行う半導体レーザ装置において、前
記ｐ型クラッド層上に該ｐ型クラッド層よりもバンドギ
ャップが小さい、Ga1-xAlxAs（0.6≦ｘ≦1.0 不純物濃
度≧２×1018cm-3）からなるｐ型中間コンタクト層を有
することを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25212789A JP2908480B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体レーザ装置 |
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| JP25212789A JP2908480B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体レーザ装置 |
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Family Applications (1)
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- 1989-09-29 JP JP25212789A patent/JP2908480B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Title |
|---|
| 昭和６０年度電子通信学会半導体・材料部門全国大会ＳＩ−１０，ｐ．１−２８４〜２８５ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03116886A (ja) | 1991-05-17 |
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