JP2909856B2 - セラミックス基板と金属の接合体 - Google Patents
セラミックス基板と金属の接合体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックス基板と金属
との接合体に関し、たとえばパッケージ・多層基板にお
ける金具（入出力ピン、シールリング、リード等）の接
合に好適に利用される。
との接合体に関し、たとえばパッケージ・多層基板にお
ける金具（入出力ピン、シールリング、リード等）の接
合に好適に利用される。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージには主としてアル
ミナ基板（α=6.8×10-6／℃）が用いられており、メタ
ライズ・薄膜等を介して銀ロー（共晶Ａｇロー等）によ
りコバール（Fe−Ni−Co）、４２アロイ(Fe-Ni) の金具
の接合がなされている。
ミナ基板（α=6.8×10-6／℃）が用いられており、メタ
ライズ・薄膜等を介して銀ロー（共晶Ａｇロー等）によ
りコバール（Fe−Ni−Co）、４２アロイ(Fe-Ni) の金具
の接合がなされている。
【０００３】しかしアルミナには誘電率が比較的大きく
信号伝播遅延を引き起こす、熱膨張係数が大きくシリコ
ン半導体チップと大きな差がある、焼成温度が高く金・
銀・銅等の良好な導電体と同時焼成できない、等の欠点
がある。そこで高密度、高速化に対応するため、アルミ
ナに替わる材料として誘電率が低く、熱膨張係数がシリ
コン半導体チップに近く、焼成温度が低いなどの特性を
持つ低熱膨張材料、低誘電率材料の開発が求められてい
る。これらの要求を満たす材料としてガラスセラミック
ス（α=1.5〜5.0 ×10-6／℃）、窒化アルミニウム（α
=4.4×10-6／℃）、ムライト（α=3.8×10-6／℃）等の
基板の使用が検討されている（特公平３−３７３０８、
特開平３−２１０４６）。
信号伝播遅延を引き起こす、熱膨張係数が大きくシリコ
ン半導体チップと大きな差がある、焼成温度が高く金・
銀・銅等の良好な導電体と同時焼成できない、等の欠点
がある。そこで高密度、高速化に対応するため、アルミ
ナに替わる材料として誘電率が低く、熱膨張係数がシリ
コン半導体チップに近く、焼成温度が低いなどの特性を
持つ低熱膨張材料、低誘電率材料の開発が求められてい
る。これらの要求を満たす材料としてガラスセラミック
ス（α=1.5〜5.0 ×10-6／℃）、窒化アルミニウム（α
=4.4×10-6／℃）、ムライト（α=3.8×10-6／℃）等の
基板の使用が検討されている（特公平３−３７３０８、
特開平３−２１０４６）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の低熱膨
張材料は、熱膨張係数がシリコンチップ（α=3.0〜3.5
×10-6／℃）に近いという特性ゆえに、金具の接合に際
しては、先に述べたようにアルミナ基板（α=6.8×10-6
／℃）の金具接合において用いられるロー材（共晶銀ロ
ー）、金属（コバール、４２アロイ）を用いた場合、基
板と金属の熱膨張係数差が大きくなってしまい、熱応力
によりクラックなどの不具合が生じてしまい良好な接合
状態が得られないといった問題があった。
張材料は、熱膨張係数がシリコンチップ（α=3.0〜3.5
×10-6／℃）に近いという特性ゆえに、金具の接合に際
しては、先に述べたようにアルミナ基板（α=6.8×10-6
／℃）の金具接合において用いられるロー材（共晶銀ロ
ー）、金属（コバール、４２アロイ）を用いた場合、基
板と金属の熱膨張係数差が大きくなってしまい、熱応力
によりクラックなどの不具合が生じてしまい良好な接合
状態が得られないといった問題があった。
【０００５】本発明は、低熱膨張セラミック基板と金属
との気密性良好な接合体および接合方法を提供すること
を目的とする。
との気密性良好な接合体および接合方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その手段は、３０〜４０
０℃における熱膨張係数が１．５〜５．０×１０−６／
℃であるセラミックス基板の所定部分に、セラミックス
基板側より順にスパッタ層およびメッキ層が積層された
多層構造の金属膜を形成し、この金属膜に同じく熱膨張
係数が１．５〜５．０×１０−６／℃である金属を、Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金からなるロー材により接合したこと
を特徴とするセラミックス基板と金属の接合体、にあ
る。
０℃における熱膨張係数が１．５〜５．０×１０−６／
℃であるセラミックス基板の所定部分に、セラミックス
基板側より順にスパッタ層およびメッキ層が積層された
多層構造の金属膜を形成し、この金属膜に同じく熱膨張
係数が１．５〜５．０×１０−６／℃である金属を、Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金からなるロー材により接合したこと
を特徴とするセラミックス基板と金属の接合体、にあ
る。
【０００７】また、望ましい手段は、セラミックス基板
が、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ムライト、Ｓｉ３Ｎ４、コージェ
ライトを主成分とするセラミックス、ガラス・セラミッ
クスまたは結晶化ガラスからなる上記の接合体にある。
同じく望ましい手段は、金属が、低熱膨張コバールであ
る上記の接合体にある。上記低熱膨張コバールとして
は、特にはＮｉ ３１％（重量％、以下同じ）、Ｃｏ
１４％、残部の主成分がＦｅである３１Ｎｉ−１４Ｃｏ
−Ｆｅ合金が好ましい。同じく望ましい手段は、銀系ロ
ー材が、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金である上記の接合体にあ
る。上記Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金としては、特にはＡｇ
７２％（重量％、以下同じ）、Ｃｕ ２２％、Ｉｎ １
５％のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎロー材が好ましい。同じく望ま
しい手段は、金属膜が、セラミックス基板側より順にス
パッタ層およびメッキ層が積層された多層構造をなして
いる上記の接合体にある。上記金属膜としては、特には
セラミックス基板側より順にＴｉスパッタ膜、Ｍｏスパ
ッタ膜、Ｃｕスパッタ膜、ＣｕメッキおよびＮｉメッキ
が積層された多層構造であることが好ましい。
が、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ムライト、Ｓｉ３Ｎ４、コージェ
ライトを主成分とするセラミックス、ガラス・セラミッ
クスまたは結晶化ガラスからなる上記の接合体にある。
同じく望ましい手段は、金属が、低熱膨張コバールであ
る上記の接合体にある。上記低熱膨張コバールとして
は、特にはＮｉ ３１％（重量％、以下同じ）、Ｃｏ
１４％、残部の主成分がＦｅである３１Ｎｉ−１４Ｃｏ
−Ｆｅ合金が好ましい。同じく望ましい手段は、銀系ロ
ー材が、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金である上記の接合体にあ
る。上記Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金としては、特にはＡｇ
７２％（重量％、以下同じ）、Ｃｕ ２２％、Ｉｎ １
５％のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎロー材が好ましい。同じく望ま
しい手段は、金属膜が、セラミックス基板側より順にス
パッタ層およびメッキ層が積層された多層構造をなして
いる上記の接合体にある。上記金属膜としては、特には
セラミックス基板側より順にＴｉスパッタ膜、Ｍｏスパ
ッタ膜、Ｃｕスパッタ膜、ＣｕメッキおよびＮｉメッキ
が積層された多層構造であることが好ましい。
【０００８】ここで、低熱膨張コバールとは、表１に示
すように、特に５００℃未満で従来のコバール（２９Ｎ
ｉ−１６Ｃｏ−Ｆｅ）よりも熱膨張係数の低いＮｉ−Ｃ
ｏ−Ｆｅ系合金をいい、例えば３１Ｎｉ−１４Ｃｏ−Ｆ
ｅ合金がある。
すように、特に５００℃未満で従来のコバール（２９Ｎ
ｉ−１６Ｃｏ−Ｆｅ）よりも熱膨張係数の低いＮｉ−Ｃ
ｏ−Ｆｅ系合金をいい、例えば３１Ｎｉ−１４Ｃｏ−Ｆ
ｅ合金がある。
【０００９】
【表１】
【作用】固相線６５０℃以下の銀系ロー材（例えばＡｇ
７２％（重量％、以下同じ）、Ｃｕ ２２％、Ｉｎ
１５％のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎロー：固相線 ６００〜６５
０℃）を用いることにより、従来から用いていた共晶Ａ
ｇロー（Ａｇ７２−Ｃｕ２８：固相線 ７８０℃、液相
線 ７８０℃）よりもロー材が耐力を持ち始める温度が
約１００℃ぐらい低くなる。そして、３０〜４００℃に
おける熱膨張係数が１．５〜５．０×１０−６／℃であ
る金属を低熱膨張セラミックス基板の相手材として用い
ることにより、ロー材が耐力を持っている温度範囲でセ
ラミックス基板と基板との熱膨張差がすくなくなり、そ
の結果、熱応力の緩和が可能になるが、それだけでは十
分な熱応力の低減をはかることはできない。 そこで本願
発明では、セラミックス基板の所定部分に、熱応力緩和
層としての機能を付与した多層構造の金属膜を形成し、
この金属膜を介してＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金からなるロー
材により接合することで、係る問題を解決した。
７２％（重量％、以下同じ）、Ｃｕ ２２％、Ｉｎ
１５％のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎロー：固相線 ６００〜６５
０℃）を用いることにより、従来から用いていた共晶Ａ
ｇロー（Ａｇ７２−Ｃｕ２８：固相線 ７８０℃、液相
線 ７８０℃）よりもロー材が耐力を持ち始める温度が
約１００℃ぐらい低くなる。そして、３０〜４００℃に
おける熱膨張係数が１．５〜５．０×１０−６／℃であ
る金属を低熱膨張セラミックス基板の相手材として用い
ることにより、ロー材が耐力を持っている温度範囲でセ
ラミックス基板と基板との熱膨張差がすくなくなり、そ
の結果、熱応力の緩和が可能になるが、それだけでは十
分な熱応力の低減をはかることはできない。 そこで本願
発明では、セラミックス基板の所定部分に、熱応力緩和
層としての機能を付与した多層構造の金属膜を形成し、
この金属膜を介してＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金からなるロー
材により接合することで、係る問題を解決した。
【００１０】すなわち、セラミックス基板側より順にＴ
ｉスパッタ膜、Ｍｏスパッタ膜、Ｃｕスパッタ膜、Ｃｕ
メッキおよびＮｉメッキが積層された多層構造をなす金
属膜を介して基板と金具のロー付けを行うので、ロー
材の濡れ性の向上、密着強度の向上、金属膜が熱応
力緩和層として作用する、などの効果が得られる。な
お、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金からなるロー材を用いるか
ら、接合後の工程、例えばシリコンチップ搭載、リッド
シールなどにおいて支障をきたすことがない。また、金
属膜のうち、Ｔｉスパッタ膜は、セラミックス基板との
密着強度を確保し、Ｍｏスパッタ膜はロー材が拡散して
ロー材とチタン膜とが反応して金属膜の密着強度が劣化
するのを防止し、Ｃｕスパッタ膜はスパッタ膜と銅メッ
キとの密着性を向上させるし、Ｃｕメッキは熱応力緩和
のための緩衝材として作用し、Ｎｉメッキはロー材との
濡れ性を向上させるほか、ロー材による銅のくわれを防
止する。
ｉスパッタ膜、Ｍｏスパッタ膜、Ｃｕスパッタ膜、Ｃｕ
メッキおよびＮｉメッキが積層された多層構造をなす金
属膜を介して基板と金具のロー付けを行うので、ロー
材の濡れ性の向上、密着強度の向上、金属膜が熱応
力緩和層として作用する、などの効果が得られる。な
お、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金からなるロー材を用いるか
ら、接合後の工程、例えばシリコンチップ搭載、リッド
シールなどにおいて支障をきたすことがない。また、金
属膜のうち、Ｔｉスパッタ膜は、セラミックス基板との
密着強度を確保し、Ｍｏスパッタ膜はロー材が拡散して
ロー材とチタン膜とが反応して金属膜の密着強度が劣化
するのを防止し、Ｃｕスパッタ膜はスパッタ膜と銅メッ
キとの密着性を向上させるし、Ｃｕメッキは熱応力緩和
のための緩衝材として作用し、Ｎｉメッキはロー材との
濡れ性を向上させるほか、ロー材による銅のくわれを防
止する。
【００１１】
〔実施例１〕熱膨張係数が３．０×１０-6／℃（室温〜
４００℃）、誘電率が５．１（１ＭＨZ ，室温）、組成
がＺｎＯ：４ｗｔ％，ＭｇＯ：１３ｗｔ％，Ａｌ
2 Ｏ3 ：２３ｗｔ％，ＳｉＯ2 ：５８ｗｔ％，Ｂ
2 Ｏ3 ：１ｗｔ％，Ｐ2 Ｏ5 ：１ｗｔ％の結晶化ガラス
からなり、20×20×1.0 ｍｍの方形セラミック基板、外
径□20×内径□18.5×0.03ｍｍの金属製シールリングお
よびシールリングとほぼ同形のロー材プリフォームを用
いて以下のような手順でテストを行った。
４００℃）、誘電率が５．１（１ＭＨZ ，室温）、組成
がＺｎＯ：４ｗｔ％，ＭｇＯ：１３ｗｔ％，Ａｌ
2 Ｏ3 ：２３ｗｔ％，ＳｉＯ2 ：５８ｗｔ％，Ｂ
2 Ｏ3 ：１ｗｔ％，Ｐ2 Ｏ5 ：１ｗｔ％の結晶化ガラス
からなり、20×20×1.0 ｍｍの方形セラミック基板、外
径□20×内径□18.5×0.03ｍｍの金属製シールリングお
よびシールリングとほぼ同形のロー材プリフォームを用
いて以下のような手順でテストを行った。
【００１２】セラミック基板のロー付けする部分にスパ
ッタリングによってＴｉ膜２０００Å、Ｍｏ膜３００
０、Ｃｕ膜５０００を順次形成しその上にＣｕめっき１
０μｍ、Ｎｉめっき０．５μｍを行った後、ベルト炉
（約５００℃、Ｎ2 中）にてめっきのシンターをおこな
って接合テスト用基板とした。ロー材には低融点ロー材
（Ag63-Cu22-In15：固相線 630 ℃、液相線 685 ℃）
を用い、比較例のために共晶銀ロー（Ag72-Cu28 ：固相
線 780 ℃、液相線780 ℃）でもテストを行った。金属
は、低熱膨張コバールの他にコバール、４２アロイでも
比較例としてテストした。
ッタリングによってＴｉ膜２０００Å、Ｍｏ膜３００
０、Ｃｕ膜５０００を順次形成しその上にＣｕめっき１
０μｍ、Ｎｉめっき０．５μｍを行った後、ベルト炉
（約５００℃、Ｎ2 中）にてめっきのシンターをおこな
って接合テスト用基板とした。ロー材には低融点ロー材
（Ag63-Cu22-In15：固相線 630 ℃、液相線 685 ℃）
を用い、比較例のために共晶銀ロー（Ag72-Cu28 ：固相
線 780 ℃、液相線780 ℃）でもテストを行った。金属
は、低熱膨張コバールの他にコバール、４２アロイでも
比較例としてテストした。
【００１３】接合の良否は、外観の検査（クラックの
有無）、気密性テスト（Ｈｅリークテスト３×１０-8
STD・CC/SEC以下を合格）、環境試験（温度サイクル
テスト 150℃３０分→−65℃３０分を 100サイクル、熱
衝撃テスト 150 ℃３０分→−65℃３０分を 100サイク
ル、プレッシャー・クッカー・テスト 125℃ 1.7atm100
ｈ）後の気密性テスト、３つのテストを行い判定し
た。その結果を表２に示す。
有無）、気密性テスト（Ｈｅリークテスト３×１０-8
STD・CC/SEC以下を合格）、環境試験（温度サイクル
テスト 150℃３０分→−65℃３０分を 100サイクル、熱
衝撃テスト 150 ℃３０分→−65℃３０分を 100サイク
ル、プレッシャー・クッカー・テスト 125℃ 1.7atm100
ｈ）後の気密性テスト、３つのテストを行い判定し
た。その結果を表２に示す。
【００１４】
【表２】 テストの結果、低融点ロー材と低熱膨張コバールの組み
合わせではクラックは発生せず、気密性及び環境試験後
の気密性もともに良好であった。その他の組み合わせで
は基板のクラックや気密性不良などの不具合が発生して
しまい良好な接合を得ることができなかった。
合わせではクラックは発生せず、気密性及び環境試験後
の気密性もともに良好であった。その他の組み合わせで
は基板のクラックや気密性不良などの不具合が発生して
しまい良好な接合を得ることができなかった。
【００１５】〔実施例２〕実施例１のセラミック基板と
同一組成の結晶化ガラスからなるセラミック基板（５層
ラミネート）、低熱膨張コバール製シールリング、及び
セラミック製もしくは金属製キャップシールを用いて、
□30×2.0 ｍｍのＩＣパッケージを作製した。実施例１
と同様の環境試験を行った後、気密性テストを行った結
果、合格であった。
同一組成の結晶化ガラスからなるセラミック基板（５層
ラミネート）、低熱膨張コバール製シールリング、及び
セラミック製もしくは金属製キャップシールを用いて、
□30×2.0 ｍｍのＩＣパッケージを作製した。実施例１
と同様の環境試験を行った後、気密性テストを行った結
果、合格であった。
【００１６】「実施例３」実施例１のセラミック基板と
同一組成の結晶化ガラスからなるセラミック基板（８層
ラミネート）、低熱膨張コバール製ピンを用いて、□36
×3.0 ｔの１３２ピンのピングリッドアレイ・パッケー
ジを作製した。実施例１と同様の環境試験を行った後、
気密性テストを行った結果、合格であった。
同一組成の結晶化ガラスからなるセラミック基板（８層
ラミネート）、低熱膨張コバール製ピンを用いて、□36
×3.0 ｔの１３２ピンのピングリッドアレイ・パッケー
ジを作製した。実施例１と同様の環境試験を行った後、
気密性テストを行った結果、合格であった。
【００１７】〔実施例４〕実施例１の結晶化ガラスに代
えて表３に示す性質の窒化アルミニウム焼結体、炭化ケ
イ素焼結体、ムライト焼結体、窒化ケイ素焼結体または
アルミナ焼結体を方形セラミック基板の材質とした以外
は、実施例１の表２Ｎｏ．１と同一条件で接合テスト用
基板を製造し、前記３つのテストを行った。
えて表３に示す性質の窒化アルミニウム焼結体、炭化ケ
イ素焼結体、ムライト焼結体、窒化ケイ素焼結体または
アルミナ焼結体を方形セラミック基板の材質とした以外
は、実施例１の表２Ｎｏ．１と同一条件で接合テスト用
基板を製造し、前記３つのテストを行った。
【表２】その結果、アルミナ焼結体からなる方形セラミ
ック基板を用いた場合のみ、クラックが発生し、他は良
好な接合状態であった。
ック基板を用いた場合のみ、クラックが発生し、他は良
好な接合状態であった。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の接合体を
採用することにより、ガラス・セラミック等の低熱膨張
基板に金具（入出力ピン、シールリング、リード等）を
接合することが可能となりＩＣパッケージ、多層基板等
に利用することができる。
採用することにより、ガラス・セラミック等の低熱膨張
基板に金具（入出力ピン、シールリング、リード等）を
接合することが可能となりＩＣパッケージ、多層基板等
に利用することができる。
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｂ (56)参考文献 特開 昭63−18648（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−198741（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−27518（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−167833（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−175521（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−109479（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 37/02 B23K 1/19
Claims (5)
- 【請求項１】 ３０〜４００℃における熱膨張係数が
１．５〜５．０×１０−６／℃であるセラミックス基板
の所定部分に、セラミックス基板側より順にスパッタ層
およびメッキ層が積層された多層構造の金属膜を形成
し、この金属膜に同じく熱膨張係数が１．５〜５．０×
１０−６／℃である金属を固相線６５０℃以下の銀系ロ
ー材により接合したことを特徴とするセラミックス基板
と金属の接合体。 - 【請求項２】 前記セラミックス基板は、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｃ、ムライト、Ｓｉ３Ｎ４、コージェライトを主成分と
するセラミックス、ガラス・セラミックスまたは結晶化
ガラスからなる請求項１記載の接合体。 - 【請求項３】 前記金属は、低熱膨張コバールである請
求項１乃至請求項２に記載の接合体。 - 【請求項４】 前記銀系ロー材は、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合
金である請求項１乃至請求項３に記載の接合体。 - 【請求項５】 前記金属膜は、セラミックス基板側より
順にＴｉスパッタ膜、Ｍｏスパッタ膜、Ｃｕスパッタ
膜、ＣｕメッキおよびＮｉメッキが積層された多層構造
をなしている請求項１乃至請求項４に記載の接合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3327126A JP2909856B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | セラミックス基板と金属の接合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3327126A JP2909856B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | セラミックス基板と金属の接合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05139857A JPH05139857A (ja) | 1993-06-08 |
| JP2909856B2 true JP2909856B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=18195603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3327126A Expired - Fee Related JP2909856B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | セラミックス基板と金属の接合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2909856B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI667221B (zh) * | 2018-11-14 | 2019-08-01 | 國家中山科學研究院 | 一種降低雙面銅鍍層與氮化鋁基板之界面應力累積的方法 |
| CN111446212B (zh) * | 2020-04-16 | 2024-12-06 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种陶瓷一体化封装外壳及其制作工艺 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51109479A (en) * | 1975-03-22 | 1976-09-28 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Shinkukaiheikino seizohoho |
| JPS59175521A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | 株式会社東芝 | 真空バルブの製造方法 |
| JPS59198741A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-10 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体集積回路用リ−ドフレ−ム材 |
| JPS6227518A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-05 | Nippon Gakki Seizo Kk | 低膨張合金材の製法 |
| JPH0621322B2 (ja) * | 1986-01-17 | 1994-03-23 | 日本ハイブリツドテクノロジ−ズ株式会社 | セラミツクスろう付用熱膨張調整合金 |
| JPS6318648A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム回路基板 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP3327126A patent/JP2909856B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05139857A (ja) | 1993-06-08 |
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