JPS59198741A - 半導体集積回路用リ−ドフレ−ム材 - Google Patents
半導体集積回路用リ−ドフレ−ム材Info
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- JPS59198741A JPS59198741A JP58072657A JP7265783A JPS59198741A JP S59198741 A JPS59198741 A JP S59198741A JP 58072657 A JP58072657 A JP 58072657A JP 7265783 A JP7265783 A JP 7265783A JP S59198741 A JPS59198741 A JP S59198741A
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- Japan
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- thermal expansion
- chip
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路（ＩＣ）用□リードフレーム
材に関し、このリードフレーム材をＮ１２６〜３０％、
ｃｏ１１〜１６％、Ｍ ｎ ［１１〜０．８％、Ｓ ｉ
０．５％以下、Ｆｅ残部の組成の合金により構成する
ことにより、リードフレームのｉＸ％ Ｉｆｇ張率をＩ
Ｃのシリコンチップの熱膨張率に近づけ、サーマルスト
レスによるシリコンチップの破損を防止するようにした
ものである。
材に関し、このリードフレーム材をＮ１２６〜３０％、
ｃｏ１１〜１６％、Ｍ ｎ ［１１〜０．８％、Ｓ ｉ
０．５％以下、Ｆｅ残部の組成の合金により構成する
ことにより、リードフレームのｉＸ％ Ｉｆｇ張率をＩ
Ｃのシリコンチップの熱膨張率に近づけ、サーマルスト
レスによるシリコンチップの破損を防止するようにした
ものである。
従来、このようなＩＣ用リードフレームに用いられる金
属材料としては、Ｎｉ３０％、Ｃ０１７％、Ｆ ｅ残ｇ
ＡＳよりなるコバールあるいはフエルニコと呼ばれるｐ
ｅ −Ｎ ｉ −Ｃｏ系合金が使用されている。
属材料としては、Ｎｉ３０％、Ｃ０１７％、Ｆ ｅ残ｇ
ＡＳよりなるコバールあるいはフエルニコと呼ばれるｐ
ｅ −Ｎ ｉ −Ｃｏ系合金が使用されている。
しかしながら、このＦｅ−Ｎｔ−Ｃｏ系合金は、元来真
空管等のガラス封着用合金として開発されたもので、そ
の熱膨張率は５０〜５４Ｘ１０″″７九（６０〜４５０
℃）であり、ＩＣのシリコンチップのシリコンの熱膨張
率４２Ｘ１０−’／”Ｃとは大きな差がある。
空管等のガラス封着用合金として開発されたもので、そ
の熱膨張率は５０〜５４Ｘ１０″″７九（６０〜４５０
℃）であり、ＩＣのシリコンチップのシリコンの熱膨張
率４２Ｘ１０−’／”Ｃとは大きな差がある。
特に、近時集積度の高い大規模集ｆ１１回路（Ｉ、ＳＩ
）や超大規模集積回路（超ＬＳＩ）などの開発が盛んと
なって来ているが、このようなＬＳＩや超ＬＳＩではシ
リコンチップが大きくなり、がっ、発熱量も大きくなる
。したがって、シリコンチップとリードフレームとのＨ
に上述のような熱膨張率の大きな差があると、通電発熱
によるリードフレームの膨張、収縮により、シリコンチ
ップがサーマルストレスを受けて、割れたり、亀裂を生
じたりする恐れがある。このため、ＬＳＩや超ＬＳＩ用
のリードフレームにあっては、特にその熱膨張率をシリ
コンチップのそれに十分に近づける必要がある。
）や超大規模集積回路（超ＬＳＩ）などの開発が盛んと
なって来ているが、このようなＬＳＩや超ＬＳＩではシ
リコンチップが大きくなり、がっ、発熱量も大きくなる
。したがって、シリコンチップとリードフレームとのＨ
に上述のような熱膨張率の大きな差があると、通電発熱
によるリードフレームの膨張、収縮により、シリコンチ
ップがサーマルストレスを受けて、割れたり、亀裂を生
じたりする恐れがある。このため、ＬＳＩや超ＬＳＩ用
のリードフレームにあっては、特にその熱膨張率をシリ
コンチップのそれに十分に近づける必要がある。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、シリコン
チップの熱膨張率に十分近い熱膨張率を有し、ＬＳＩ：
やｆｆ１ＬｓＩに用いてもサーマルストレスによって、
シリコンチップを破損することのないＩＣ用リードフレ
ーム材を提供することを目的とするものである。
チップの熱膨張率に十分近い熱膨張率を有し、ＬＳＩ：
やｆｆ１ＬｓＩに用いてもサーマルストレスによって、
シリコンチップを破損することのないＩＣ用リードフレ
ーム材を提供することを目的とするものである。
Ｎ１２６〜３０％
Ｃ０１１〜１６％
Ｍ ｎ ０．１〜０．８ ％
ｐｅ 残 部
の組成または
Ｎ１２６〜３０％
ｃｏ １１〜１６％
Ｍ ｎ ０．１〜０．８ ％
Ｓｉ Ｏ，５％以 下
Ｆｅ残部
の組成を有するＦθ基合金からなるもめであり、プレス
加工等の加工を行ってリードフレームとされる。そして
、上記組成を有し、焼鈍および加工を経て得られたリー
ドフレームの熱膨張率は、３０〜４５０℃の温度範囲で
４０〜４８Ｘ１０−７／”Ｃとなり、ＩＣのシリコンチ
ップの熱膨張率４２×１０−’／’Ｃとの差が非常に微
かとなり、上述のようなサーマルストレスによるシリコ
ンチップの破損が効果的に防止される。
加工等の加工を行ってリードフレームとされる。そして
、上記組成を有し、焼鈍および加工を経て得られたリー
ドフレームの熱膨張率は、３０〜４５０℃の温度範囲で
４０〜４８Ｘ１０−７／”Ｃとなり、ＩＣのシリコンチ
ップの熱膨張率４２×１０−’／’Ｃとの差が非常に微
かとなり、上述のようなサーマルストレスによるシリコ
ンチップの破損が効果的に防止される。
なお、上述のようにリードフレームとしては、焼鈍、加
工を施されたのち使用されるので、これら処理後の熱膨
張率で比較、評価せねばならない。
工を施されたのち使用されるので、これら処理後の熱膨
張率で比較、評価せねばならない。
上記組成のＦｅ基合金中、ＮｉおよびＣＯはこの合金の
熱膨張率を左右するものである。第１図および第２図に
示したグラフはＮ１およびＣＯの含有量による熱膨張率
の変化を示したもので、第１図中ＡＭはＮ１２６％、Ｍ
ｎ ０．２７％、８１０．０９％と一定とし、ＣＯを
１０〜１７％の範囲で変化させたときの熱膨張率の変化
を示し、Ｂ線は、Ｎｉを３０％としたときの熱膨張率の
変化を示す。また、第２図中Ｃ線は００１６％、Ｍｎ０
．２７％、Ｓ ｉ ０．０９％と一定とし、Ｎ１を２５
〜５２％の範囲で変化させたときの熱膨張率の変化を、
Ｄ ｍＧ：ｆ Ｃｏ １１％としたときの熱膨張率の変
化を示す。ここに示した熱膨張率は、９０σＣ×１ｈｒ
の条件で焼鈍後、１１％の加工率で加工した厚み０．１
５ｍｍの板材について測定したものである０ｍ１１：ｊ
！Ｊのグラフから明らかなように、Ｎ１が２６〜３０％
であるときにはＣｏを１１％から１６％にまで変化させ
ると熱膨張率はこの範囲で極小となり、かつ４０〜４８
Ｘ １０”−７／℃の許容範囲内に収まる。また、第
２図のグラフから明らかなように、ｃｏが１１〜１６％
であるときにはＮ１を２６％から６０％まで変化させる
と、ＭｆｆｊＥ張係数は、やはりこの範囲で極小となり
、４０〜４８Ｘ１０−’／’Ｃの許容範囲に収まる。
熱膨張率を左右するものである。第１図および第２図に
示したグラフはＮ１およびＣＯの含有量による熱膨張率
の変化を示したもので、第１図中ＡＭはＮ１２６％、Ｍ
ｎ ０．２７％、８１０．０９％と一定とし、ＣＯを
１０〜１７％の範囲で変化させたときの熱膨張率の変化
を示し、Ｂ線は、Ｎｉを３０％としたときの熱膨張率の
変化を示す。また、第２図中Ｃ線は００１６％、Ｍｎ０
．２７％、Ｓ ｉ ０．０９％と一定とし、Ｎ１を２５
〜５２％の範囲で変化させたときの熱膨張率の変化を、
Ｄ ｍＧ：ｆ Ｃｏ １１％としたときの熱膨張率の変
化を示す。ここに示した熱膨張率は、９０σＣ×１ｈｒ
の条件で焼鈍後、１１％の加工率で加工した厚み０．１
５ｍｍの板材について測定したものである０ｍ１１：ｊ
！Ｊのグラフから明らかなように、Ｎ１が２６〜３０％
であるときにはＣｏを１１％から１６％にまで変化させ
ると熱膨張率はこの範囲で極小となり、かつ４０〜４８
Ｘ １０”−７／℃の許容範囲内に収まる。また、第
２図のグラフから明らかなように、ｃｏが１１〜１６％
であるときにはＮ１を２６％から６０％まで変化させる
と、ＭｆｆｊＥ張係数は、やはりこの範囲で極小となり
、４０〜４８Ｘ１０−’／’Ｃの許容範囲に収まる。
また、Ｓｌは脱酔剤として’＜ｉ ｎ’Ｆ’ Ｌ 、０
．５％をメ代えると合金を脆化させて不都合となる。
．５％をメ代えると合金を脆化させて不都合となる。
さらに、Ｍｎは鍛造性を向上させるとともに脱酸側とし
て働き、０．１％未満では上に己効果が十分に得られず
、０８％を越えると介在物が多く、合金の清浄度が低く
なり折り曲げ性が悪化し不部会を来す。
て働き、０．１％未満では上に己効果が十分に得られず
、０８％を越えると介在物が多く、合金の清浄度が低く
なり折り曲げ性が悪化し不部会を来す。
以下、実施例を示して具体的に説明する。
Ｔ４１表に示す■〜■の配合組成の合金塊がら厚みα１
５，１．の板材を熱間圧％して得、これを９０σＣ１時
ＩＩＩ煉鈍し、さらに１０％の加工率でプレス加工して
リー ドフシームを得た。このリードフレームの熱膨張
率およびプレス加工を行うまえの板材の熱膨張率を３０
〜４５０°Ｃの温度範囲で測定した。結果を第１表に併
せて示した。
５，１．の板材を熱間圧％して得、これを９０σＣ１時
ＩＩＩ煉鈍し、さらに１０％の加工率でプレス加工して
リー ドフシームを得た。このリードフレームの熱膨張
率およびプレス加工を行うまえの板材の熱膨張率を３０
〜４５０°Ｃの温度範囲で測定した。結果を第１表に併
せて示した。
第 １ 表
第１表から明らかなように、５■〜■の合金から得られ
たリードフレームＣま、いずれもシリコンチップの熱膨
張率４２Ｘ１０−’／’Ｃに極めて近い熱 ４゜膨張率
を有していることがわかる。したがって、このようなリ
ードフレームを用いれば、シリコンチップをサーマルス
トレスで破損することは皆無となる。
たリードフレームＣま、いずれもシリコンチップの熱膨
張率４２Ｘ１０−’／’Ｃに極めて近い熱 ４゜膨張率
を有していることがわかる。したがって、このようなリ
ードフレームを用いれば、シリコンチップをサーマルス
トレスで破損することは皆無となる。
以上説明したように、この発明のＩＣ用ＩＪ−ドフシー
ム材は、Ｎ１２６〜３０％、（：’ｏ１１〜１６％、Ｍ
ｎ ０．１−０．８ ％、Ｆｅ残部またはＮ１２６〜
′５０％、Ｃｏ１１−１６％、Ｍ ｎ Ｏ，１−０，８
％、Ｓｉ ０．５％以下、Ｆｅ残部の組成を有するもの
であるので、これより得られるり−Ｖフレシーの熱膨張
率は４０〜４８Ｘ１０／”（となり、ＩＣのシリコンチ
ップの熱膨張率４２ Ｘ １ ａ−７／”ｃ−Ｃ，Ｊｒ
ｆｉめて近いものとなる。したがって、これから得られ
るリードフレームを用いれば、ＩＣのシリコンチップと
リードフレームとのＩＨＪの熱伸（ｆｉｔ 、ｆｔ（の
差カ極めて微少となり、チップ寸法が大きくかつ発熱量
も多く、シリコンチップの破損の可能性の高いＬＳＩや
超ＬＳＩにあっても、シリコンチップが破損することは
皆無となる。
ム材は、Ｎ１２６〜３０％、（：’ｏ１１〜１６％、Ｍ
ｎ ０．１−０．８ ％、Ｆｅ残部またはＮ１２６〜
′５０％、Ｃｏ１１−１６％、Ｍ ｎ Ｏ，１−０，８
％、Ｓｉ ０．５％以下、Ｆｅ残部の組成を有するもの
であるので、これより得られるり−Ｖフレシーの熱膨張
率は４０〜４８Ｘ１０／”（となり、ＩＣのシリコンチ
ップの熱膨張率４２ Ｘ １ ａ−７／”ｃ−Ｃ，Ｊｒ
ｆｉめて近いものとなる。したがって、これから得られ
るリードフレームを用いれば、ＩＣのシリコンチップと
リードフレームとのＩＨＪの熱伸（ｆｉｔ 、ｆｔ（の
差カ極めて微少となり、チップ寸法が大きくかつ発熱量
も多く、シリコンチップの破損の可能性の高いＬＳＩや
超ＬＳＩにあっても、シリコンチップが破損することは
皆無となる。
第１図は、ＣＯ含有ｉｔの変化に伴う熱膨張率の変化を
示すグラフ、 第２１菌は、Ｎ１含有量の変化に伴う熱膨張率の変化を
示すグラフである。 手続補正書岨発） １． 事件の表示 昭和５８ 年特許願第７２６５７号 ２、発明の名称 半導体集積回路用リードフレーム材 ３、 補正をする者 特許出願人 （り０７）日本楽器製造株式会社 ４、代理人 東京都中央区八重洲２丁目１番５号 東京駅前ビル６階
ｆｉ＋ 明細害第乙頁第１ｔｌ〜２０行目の「第１表
に示す■〜■の・・・・・・で測定した。」を「第１表
に示す■〜■の配合組成の合金塊から厚み０１５Ｍの板
材を最終加工率１０％の圧延をして得たーこの板材の川
伝ｎロエ後の熱膨張率およびｑＯθ”ＣＸ／Ｘ／時素水
素中鈍したものの熱膨張率を３０〜ｔｒｔ−ｓ。 °Ｃの温度範囲で測定した。」に訂正でる。 Ｃ２＋ 図面第ｔ（支）を別紙の通り訂正する。
示すグラフ、 第２１菌は、Ｎ１含有量の変化に伴う熱膨張率の変化を
示すグラフである。 手続補正書岨発） １． 事件の表示 昭和５８ 年特許願第７２６５７号 ２、発明の名称 半導体集積回路用リードフレーム材 ３、 補正をする者 特許出願人 （り０７）日本楽器製造株式会社 ４、代理人 東京都中央区八重洲２丁目１番５号 東京駅前ビル６階
ｆｉ＋ 明細害第乙頁第１ｔｌ〜２０行目の「第１表
に示す■〜■の・・・・・・で測定した。」を「第１表
に示す■〜■の配合組成の合金塊から厚み０１５Ｍの板
材を最終加工率１０％の圧延をして得たーこの板材の川
伝ｎロエ後の熱膨張率およびｑＯθ”ＣＸ／Ｘ／時素水
素中鈍したものの熱膨張率を３０〜ｔｒｔ−ｓ。 °Ｃの温度範囲で測定した。」に訂正でる。 Ｃ２＋ 図面第ｔ（支）を別紙の通り訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＜１１ Ｎ１ ２６〜５０％（重量％、以下同じ）ｃ
ｏ １１〜１６％ Ｍｎ０．１〜α８％ Ｆｅ残部 の組成を有する半導体集積回路用リードフレーム材。 （ｓ＋ｌ’Ｎ１２６〜５０％ ００１１〜１６％ Ｍｉｌｌ ０．１〜０．８％ Ｓｉ０．５％以下 Ｆｅ残部 の組成を有する半導体集積回路用リードフレーム材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072657A JPS59198741A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 半導体集積回路用リ−ドフレ−ム材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072657A JPS59198741A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 半導体集積回路用リ−ドフレ−ム材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198741A true JPS59198741A (ja) | 1984-11-10 |
| JPS64817B2 JPS64817B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=13495662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58072657A Granted JPS59198741A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 半導体集積回路用リ−ドフレ−ム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198741A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235535A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-20 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム用合金 |
| JPS6232631A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Hitachi Ltd | 集積回路パッケージ用リード片の製法 |
| US4869758A (en) * | 1987-05-26 | 1989-09-26 | Nippon Steel Corporation | Iron/copper/chromium alloy material for high-strength lead frame or pin grid array |
| US4936925A (en) * | 1985-07-26 | 1990-06-26 | Yamaha Corporation | Method for producing alloy of low thermal expansion |
| US5026435A (en) * | 1989-06-26 | 1991-06-25 | Hitachi Metals, Ltd. | High strength lead frame material and method of producing the same |
| US5147470A (en) * | 1990-12-25 | 1992-09-15 | Hitachi Metals, Ltd. | High strength lead frame material and method of producing the same |
| JPH05139857A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミツクス基板と金属の接合体 |
| JPH09172108A (ja) * | 1996-12-24 | 1997-06-30 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム回路基板 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7519966B2 (ja) | 2021-08-23 | 2024-07-22 | オークマ株式会社 | 工作機械における接触式工具センサの校正方法及び校正プログラム、工作機械 |
| KR102762042B1 (ko) * | 2022-11-11 | 2025-02-04 | 에스케이 주식회사 | Nf3 가스 생산 설비 내 이물질 제거 시스템 및 방법 |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP58072657A patent/JPS59198741A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ASTM STANDARD=1978 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235535A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-20 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム用合金 |
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| US5026435A (en) * | 1989-06-26 | 1991-06-25 | Hitachi Metals, Ltd. | High strength lead frame material and method of producing the same |
| US5147470A (en) * | 1990-12-25 | 1992-09-15 | Hitachi Metals, Ltd. | High strength lead frame material and method of producing the same |
| JPH05139857A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミツクス基板と金属の接合体 |
| JPH09172108A (ja) * | 1996-12-24 | 1997-06-30 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS64817B2 (ja) | 1989-01-09 |
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