JP2920207B2 - 熱プラズマのエネルギー制御法 - Google Patents
熱プラズマのエネルギー制御法Info
- Publication number
- JP2920207B2 JP2920207B2 JP9161831A JP16183197A JP2920207B2 JP 2920207 B2 JP2920207 B2 JP 2920207B2 JP 9161831 A JP9161831 A JP 9161831A JP 16183197 A JP16183197 A JP 16183197A JP 2920207 B2 JP2920207 B2 JP 2920207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- thermal plasma
- max
- temperature
- control method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、熱プラズ
マのエネルギー制御法に関するものである。さらに詳し
くは、この出願の発明は、超微粒子の合成、非平衡物質
の合成、溶射等に有用な熱プラズマのエネルギー制御法
に関するものである。
マのエネルギー制御法に関するものである。さらに詳し
くは、この出願の発明は、超微粒子の合成、非平衡物質
の合成、溶射等に有用な熱プラズマのエネルギー制御法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】数千度から１万５千度の超高
温を有する熱プラズマ中に原料を注入することで、それ
らの原料は分解、電離し、原子、イオン、ラジカル、電
子等の極めて反応性に富む化学種が生成される。また、
プラズマの尾炎部においては、プラズマは１０5 〜１０
7 Ｋ／ｓｅｃという高速度で超急冷される。
温を有する熱プラズマ中に原料を注入することで、それ
らの原料は分解、電離し、原子、イオン、ラジカル、電
子等の極めて反応性に富む化学種が生成される。また、
プラズマの尾炎部においては、プラズマは１０5 〜１０
7 Ｋ／ｓｅｃという高速度で超急冷される。
【０００３】従来より、この熱プラズマを発生する方法
として、無電極型の熱プラズマ発生法である高周波誘導
法が知られており、この方法においてはプラズマガスに
制限はなく、酸化、還元、腐食性のあらゆるガスの使用
が可能である。この超高温、高反応性の化学種、超急冷
を利用して、セラミックス・金属を問わず、超微粒子の
合成、非平衡物質の合成、溶射等に利用することができ
る。
として、無電極型の熱プラズマ発生法である高周波誘導
法が知られており、この方法においてはプラズマガスに
制限はなく、酸化、還元、腐食性のあらゆるガスの使用
が可能である。この超高温、高反応性の化学種、超急冷
を利用して、セラミックス・金属を問わず、超微粒子の
合成、非平衡物質の合成、溶射等に利用することができ
る。
【０００４】しかしながら、従来の高周波熱プラズマを
用いた材料プロセスにおいては、プラズマの有する熱量
が大きすぎるという問題がある。また、溶射、粉末処理
等のパウダープロセッシングにおいては熱損失が問題と
なり、特に処理する粉末の粒径が１μｍ以下のときに
は、表面積が大きく熱移動量も大きくなるので蒸発が多
くなる。このように蒸発量が増加することで、蒸発潜熱
および金属蒸気からの放射による熱損失が大きくなり、
粉末を加熱するためにプラズマの熱量が有効に活用でき
ない。
用いた材料プロセスにおいては、プラズマの有する熱量
が大きすぎるという問題がある。また、溶射、粉末処理
等のパウダープロセッシングにおいては熱損失が問題と
なり、特に処理する粉末の粒径が１μｍ以下のときに
は、表面積が大きく熱移動量も大きくなるので蒸発が多
くなる。このように蒸発量が増加することで、蒸発潜熱
および金属蒸気からの放射による熱損失が大きくなり、
粉末を加熱するためにプラズマの熱量が有効に活用でき
ない。
【０００５】さらに、薄膜合成においては、成膜領域に
おけるプラズマ温度が基板温度よりはるかに高いので、
成長後の熱ストレスが大きくなり、膜の基板に対する密
着性が低くなり、また、プラズマ放射熱による膜の損傷
が大きくなる等の問題が生じる。そこで、これらの問題
点を解決方法として、比較的温度の低いプラズマ尾炎部
を利用する方法が容易に考えられ、粉末をプラズマ尾炎
部に供給したり、膜合成においては基板を尾炎部に配置
する方法が実際に採用されてきた。しかしながら、この
ときのプラズマの熱利用率はかなり低く、また尾炎部に
存在する化学種はプラズマ高温領域に存在する化学種と
は異なるため、目的の生成物が得られない等の問題が生
じている。
おけるプラズマ温度が基板温度よりはるかに高いので、
成長後の熱ストレスが大きくなり、膜の基板に対する密
着性が低くなり、また、プラズマ放射熱による膜の損傷
が大きくなる等の問題が生じる。そこで、これらの問題
点を解決方法として、比較的温度の低いプラズマ尾炎部
を利用する方法が容易に考えられ、粉末をプラズマ尾炎
部に供給したり、膜合成においては基板を尾炎部に配置
する方法が実際に採用されてきた。しかしながら、この
ときのプラズマの熱利用率はかなり低く、また尾炎部に
存在する化学種はプラズマ高温領域に存在する化学種と
は異なるため、目的の生成物が得られない等の問題が生
じている。
【０００６】また、他の解決方法として、プラズマ発生
圧力の低減が考えられ、パウダープロセッシングにおい
ては、プラズマ発生圧力を下げることで扱う粒径範囲が
広がり、化学反応性を利用することが期待される。圧力
を２００Ｔｏｒｒ以下まで下げると、 Knudsen効果によ
ってプラズマ中の化学種の平均自由行程が粉末粒径以上
になり、連続流体に対する扱いができなくなるため、プ
ラズマから粉末粒子への熱移動は減少する。従って、小
粒径粉末にプラズマから適当な熱移動が起こり、プラズ
マによる粉末修飾が可能になる。また、薄膜合成におけ
る基板および膜の損傷も減少する。しかしながら、この
方法においては、プラズマの流体的制御が困難であるた
め、プラズマの外周部が反応管の内壁に近づき、大電力
を供給したときには反応管の内壁が損傷し、管が破壊さ
れる等の問題が生じる。
圧力の低減が考えられ、パウダープロセッシングにおい
ては、プラズマ発生圧力を下げることで扱う粒径範囲が
広がり、化学反応性を利用することが期待される。圧力
を２００Ｔｏｒｒ以下まで下げると、 Knudsen効果によ
ってプラズマ中の化学種の平均自由行程が粉末粒径以上
になり、連続流体に対する扱いができなくなるため、プ
ラズマから粉末粒子への熱移動は減少する。従って、小
粒径粉末にプラズマから適当な熱移動が起こり、プラズ
マによる粉末修飾が可能になる。また、薄膜合成におけ
る基板および膜の損傷も減少する。しかしながら、この
方法においては、プラズマの流体的制御が困難であるた
め、プラズマの外周部が反応管の内壁に近づき、大電力
を供給したときには反応管の内壁が損傷し、管が破壊さ
れる等の問題が生じる。
【０００７】そこで、この発明は、高周波熱プラズマの
欠点を解消すべくなされたものであり、高周波熱プラズ
マのエネルギーを効率的に制御する方法を提供すること
を目的としている。
欠点を解消すべくなされたものであり、高周波熱プラズ
マのエネルギーを効率的に制御する方法を提供すること
を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、周波数５００ＫＨｚ〜４ＭＨｚ
の高周波アーク放電により発生する発生圧力２５０〜７
６０Ｔｏｒｒの熱プラズマに、外部から矩形パルス変調
を加えることを特徴とする熱プラズマのエネルギー制御
法（請求項１）を提供する。
を解決するものとして、周波数５００ＫＨｚ〜４ＭＨｚ
の高周波アーク放電により発生する発生圧力２５０〜７
６０Ｔｏｒｒの熱プラズマに、外部から矩形パルス変調
を加えることを特徴とする熱プラズマのエネルギー制御
法（請求項１）を提供する。
【０００９】さらに、この発明は、高周波電力の最大値
（Ｅmax ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）
が０以上０．８以下であること（請求項２）、最大値の
継続時間（ｔmax 〔ミリ秒〕）と最小値の継続時間（ｔ
min 〔ミリ秒〕）が
（Ｅmax ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）
が０以上０．８以下であること（請求項２）、最大値の
継続時間（ｔmax 〔ミリ秒〕）と最小値の継続時間（ｔ
min 〔ミリ秒〕）が
【００１０】
【数２】 の範囲にあること（請求項３）等の態様をも提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】この出願の発明は、高周波熱プラ
ズマを発生する際に、プラズマにパルス変調した外部磁
界を印加することにより、熱プラズマの特徴をそのまま
にエネルギーを制御することが可能であるという知見に
基づいている。高周波アーク放電により発生する熱プラ
ズマに、外部印加磁界に矩形パルス変調を加えることに
より熱プラズマのエネルギーを制御する方式において、
次のような条件でプラズマを発生させる。
ズマを発生する際に、プラズマにパルス変調した外部磁
界を印加することにより、熱プラズマの特徴をそのまま
にエネルギーを制御することが可能であるという知見に
基づいている。高周波アーク放電により発生する熱プラ
ズマに、外部印加磁界に矩形パルス変調を加えることに
より熱プラズマのエネルギーを制御する方式において、
次のような条件でプラズマを発生させる。
【００１２】添付した図面の図１は、印加時間の変調パ
ルスと制御範囲を示したものである。図中の符号は次の
ものを示している。
ルスと制御範囲を示したものである。図中の符号は次の
ものを示している。
【００１３】
【表１】図１に示したように、プラズマにパルス変調し
た外部磁界を印加したとき、高周波電力の最大値（Ｅ
max ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）が１
に近いと、プラズマ温度はあまり変化せず、従ってプラ
ズマのトータル・エネルギーもほとんど変化しない。連
続発生と比較して、有意な差が生じるためには、最大値
（Ｅmax ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）
は０．８以下にする必要がある。
た外部磁界を印加したとき、高周波電力の最大値（Ｅ
max ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）が１
に近いと、プラズマ温度はあまり変化せず、従ってプラ
ズマのトータル・エネルギーもほとんど変化しない。連
続発生と比較して、有意な差が生じるためには、最大値
（Ｅmax ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）
は０．８以下にする必要がある。
【００１４】外部印加磁界の最大値（Ｈmax ）の継続時
間（ｔmax ）が短いと、プラズマ温度は充分に上がりき
れずに、その最大値は連続発生時もプラズマ温度より低
くなる。この立上り時間は、プラズマ発生圧力が７６０
Ｔｏｒｒのときに約３ミリ秒であり、圧力の低下ととも
に短くなる。一方、外部印加磁界の最小値（Ｈmin ）の
継続時間（ｔmin ）が短いと、プラズマの温度は充分に
下がりきらなかった。この立ち下がり時間は、立上り時
間より少し長くプラズマ発生圧力が７６０Ｔｏｒｒのと
きに約３ミリ秒であり、圧力の低下とともに短くなる。
間（ｔmax ）が短いと、プラズマ温度は充分に上がりき
れずに、その最大値は連続発生時もプラズマ温度より低
くなる。この立上り時間は、プラズマ発生圧力が７６０
Ｔｏｒｒのときに約３ミリ秒であり、圧力の低下ととも
に短くなる。一方、外部印加磁界の最小値（Ｈmin ）の
継続時間（ｔmin ）が短いと、プラズマの温度は充分に
下がりきらなかった。この立ち下がり時間は、立上り時
間より少し長くプラズマ発生圧力が７６０Ｔｏｒｒのと
きに約３ミリ秒であり、圧力の低下とともに短くなる。
【００１５】また、ｔmin を長くしすぎると、プラズマ
温度が低くなりすぎて次のパルスがきてプラズマの立ち
上がりがうまくいかなくなり、プラズマは不安定にな
り、さらに長くするとプラズマ発生ができなくなる。こ
のｔmin の最大はプラズマ発生圧力が７６０Ｔｏｒｒの
ときに約１０ミリ秒であり、圧力の低下とともに長くな
る。
温度が低くなりすぎて次のパルスがきてプラズマの立ち
上がりがうまくいかなくなり、プラズマは不安定にな
り、さらに長くするとプラズマ発生ができなくなる。こ
のｔmin の最大はプラズマ発生圧力が７６０Ｔｏｒｒの
ときに約１０ミリ秒であり、圧力の低下とともに長くな
る。
【００１６】プラズマの安定発生が可能であり、プラズ
マ温度の最高値が連続発生時のプラズマ温度になり、か
つプラズマ温度が有意に低くなる領域を示したのが図１
の下図である。すなわち、外部印加磁界の最大値の継続
時間（ｔmax 〔ミリ秒〕）と最小値の継続時間（ｔmin
〔ミリ秒〕）が前記の
マ温度の最高値が連続発生時のプラズマ温度になり、か
つプラズマ温度が有意に低くなる領域を示したのが図１
の下図である。すなわち、外部印加磁界の最大値の継続
時間（ｔmax 〔ミリ秒〕）と最小値の継続時間（ｔmin
〔ミリ秒〕）が前記の
【００１７】
【数３】 の範囲（図の斜線部分）でパルス変調したプラズマ発生
を行なうことにより、連続発生時の最高温度を維持しな
がら、トータル・エネルギーを減少させることが可能に
なる。この出願の発明は、上記の通りの構成によってこ
れまでにない熱プラズマのエネルギー制御法を提供する
ものであるが、その構成および作用効果の特徴につい
て、さらに詳しく以下の実施例に沿って説明する。もち
ろんこの出願の発明は以下の例によって限定されるもの
ではない。
を行なうことにより、連続発生時の最高温度を維持しな
がら、トータル・エネルギーを減少させることが可能に
なる。この出願の発明は、上記の通りの構成によってこ
れまでにない熱プラズマのエネルギー制御法を提供する
ものであるが、その構成および作用効果の特徴につい
て、さらに詳しく以下の実施例に沿って説明する。もち
ろんこの出願の発明は以下の例によって限定されるもの
ではない。
【００１８】
【実施例】プラズマ発生ガスとして、Ａｒを５０Ｌ／ｍ
ｉｎ、Ｈ2 を６Ｌ／ｍｉｎを供給し、高周波電源から周
波数１ＭＨｚ、電力１８ＫＷの電力を供給し、外部印加
磁界の最大値の継続時間ｔmax が５ミリ秒、最小値の継
続時間ｔmin が１０ミリ秒、高周波電力の最大値（Ｅ
max ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）が
０．３６、発生圧力７６０Ｔｏｒｒでパルス変調プラズ
マを発生した。
ｉｎ、Ｈ2 を６Ｌ／ｍｉｎを供給し、高周波電源から周
波数１ＭＨｚ、電力１８ＫＷの電力を供給し、外部印加
磁界の最大値の継続時間ｔmax が５ミリ秒、最小値の継
続時間ｔmin が１０ミリ秒、高周波電力の最大値（Ｅ
max ）と最小値（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）が
０．３６、発生圧力７６０Ｔｏｒｒでパルス変調プラズ
マを発生した。
【００１９】添付した図面の図２は、このときのプラズ
マからの発光強度の変化を示したものである。図２に示
したように、外部印加磁界の増加とともに発光強度が増
加し、約２ミリ秒後に最大になり、パルス磁界を最小に
切り替えると発光強度は低下し、約３ミリ秒で最小レベ
ルに達するのがわかる。
マからの発光強度の変化を示したものである。図２に示
したように、外部印加磁界の増加とともに発光強度が増
加し、約２ミリ秒後に最大になり、パルス磁界を最小に
切り替えると発光強度は低下し、約３ミリ秒で最小レベ
ルに達するのがわかる。
【００２０】発光強度が最大のときのプラズマ温度は約
１２５００℃で、プラズマを連続発生したときの温度に
等しかった。一方、最小時は約５０００℃で、温度は半
分以下になった。
１２５００℃で、プラズマを連続発生したときの温度に
等しかった。一方、最小時は約５０００℃で、温度は半
分以下になった。
【００２１】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この出願の
発明によって、連続発生時のプラズマ温度を最大値とし
て、プラズマ温度の最小値で約４０％、トータル・エネ
ルギーは半分以下にすることができる。このプラズマ発
生により、高周波熱プラズマのエネルギーを効率的に使
用し、合成物にダメージを与えずに、材料の合成が可能
になる。
発明によって、連続発生時のプラズマ温度を最大値とし
て、プラズマ温度の最小値で約４０％、トータル・エネ
ルギーは半分以下にすることができる。このプラズマ発
生により、高周波熱プラズマのエネルギーを効率的に使
用し、合成物にダメージを与えずに、材料の合成が可能
になる。
【図１】印加時間の変調パルスと制御範囲の関係を示し
たものである。
たものである。
【図２】プラズマ発光強度の時間変化を示したものであ
る。
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 周波数５００ＫＨｚ〜４ＭＨｚの高周波
アーク放電により発生する発生圧力２５０〜７６０Ｔｏ
ｒｒの熱プラズマに、外部から矩形パルス変調を加える
ことを特徴とする熱プラズマのエネルギー制御法。 - 【請求項２】 高周波電力の最大値（Ｅmax ）と最小値
（Ｅmin ）の比（Ｅmin ／Ｅmax ）が０以上０．８以下
である請求項１の熱プラズマのエネルギー制御法。 - 【請求項３】 高周波電力の最大値の継続時間（ｔmax
〔ミリ秒〕）と最小値の継続時間（ｔmin 〔ミリ秒〕）
が 【数１】 の範囲にある請求項１ないし２のいずれかの熱プラズマ
のエネルギー制御法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161831A JP2920207B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 熱プラズマのエネルギー制御法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161831A JP2920207B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 熱プラズマのエネルギー制御法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340795A JPH10340795A (ja) | 1998-12-22 |
| JP2920207B2 true JP2920207B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=15742758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9161831A Expired - Lifetime JP2920207B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 熱プラズマのエネルギー制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920207B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004096949A1 (ja) | 2003-04-30 | 2004-11-11 | National Institute For Materials Science | 酸化亜鉛蛍光体とその製造法及び発光装置 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9161831A patent/JP2920207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004096949A1 (ja) | 2003-04-30 | 2004-11-11 | National Institute For Materials Science | 酸化亜鉛蛍光体とその製造法及び発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10340795A (ja) | 1998-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4844775A (en) | Ion etching and chemical vapour deposition | |
| CN1016972B (zh) | 一种除去沉积在化学气相沉积反应器反应室内的不须要的碳产物的方法 | |
| JP3706027B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2706546B2 (ja) | 内周面円筒状体のコーティング方法 | |
| JPH10261620A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPWO2000017920A1 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2001516947A (ja) | マイクロ波の入射によりプラズマを発生させる方法 | |
| GB2030600A (en) | Ion nitriding process | |
| WO1997008361A1 (fr) | Appareil pour traitement de surface utilisant un jet de gaz | |
| JP2920207B2 (ja) | 熱プラズマのエネルギー制御法 | |
| JP2011514441A (ja) | 表面波開始プラズマ放電源の予備イオン化のためのシステム及び方法 | |
| JP2011515030A (ja) | インピーダンス遷移部との統合マイクロ波導波管 | |
| JP2005002355A (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法 | |
| JP3550466B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPS61149486A (ja) | 表面処理方法 | |
| JP3149326B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2005159049A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
| JPH0225986B2 (ja) | ||
| JP2624103B2 (ja) | マグネトロンｒｉｅドライエッチング方法 | |
| JP2000012529A (ja) | 表面加工装置 | |
| JPS6247472A (ja) | 立方晶チツ化ホウ素膜の形成方法 | |
| JPS611024A (ja) | 半導体回路製造装置 | |
| RU2079568C1 (ru) | Способ обработки поверхности изделий и устройство для его осуществления | |
| JPH11172427A (ja) | 膜形成装置 | |
| JPH01226152A (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |