JP2936708B2

JP2936708B2 - 面内磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2936708B2
Application number: JP32411490A
Authority: JP
Inventors: 幸博宮元; 文明横山
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1989-12-27
Filing date: 1990-11-27
Publication date: 1999-08-23
Anticipated expiration: 2014-08-23
Also published as: JPH03224120A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、膜面に対して長手方向の磁化によって情報
記録がなされる面内磁気記録媒体であって、その磁気特
性が著しく向上された磁気記録媒体に関するものであ
る。

［従来の技術］近年、磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置、
磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増
大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用い
られる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向
上が図られつつある。

これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密
度化を達成することが要求されており、そのため磁気記
録層の高保磁力化と共に、面内磁気記録媒体は、ヘッド
の走行方向に磁気記録を行うため、ヘッドの走行方向の
磁気特性が走行方向に直角方向の特性に比べて優れてい
ることが必要とされている。

なお、面内磁気記録媒体の磁性層として、Co−Ni−Pt
系及び非磁性Cr下地層を有するCo−Ni系、Co−Ni−Cr
系、Co−Cr系等が知られているが、高記録密度媒体とし
ては保磁力が十分でなくかつ、記録方向の磁気特性が記
録方向に直角の方向に比べ十分良好になっていず不満足
である。

なお、第11回日本応用磁気学会学術講演概要集、18.1
987にて、非磁性Cr下地層を設けたCo−Ni−Cr磁性層の
保磁力が、基板温度を高くすることにより増加すること
が報告されており、この理由として磁性層のCrの結晶粒
界への偏析促進と推定されている。しかし、これは推論
であり確認されていない。Crの偏析状態は後述するよう
に成膜条件で変化し、どの様な偏析状態に制御すること
が面内磁気記録媒体の磁気特性として好ましいかが重要
な問題であり、かつ、磁性層の結晶配向性をどの様に制
御するかが、また重要な問題である。然るに、前述の報
告では結晶性に変化がないことが報告されており、ま
た、基板温度を290℃程度にまで高くすることは基板の
平面性および基板の磁化等から実用性が限定される。

CoとCrを主成分とした垂直磁気記録媒体に於て、Crの
結晶粒内での析出状態が磁気特性に大きく影響を及ぼす
ことが、Jpn.J.Appl.Phys.24（1985）L951及びIEEE Tra
ns.Mag.MAG−23（1987）2061等で報告されている。即
ち、Crが偏析することにより、結晶粒内で膜面に垂直方
向に強磁性の高Co領域が板状に周期的に形成されること
により、膜面に垂直方向の磁気特性、例えば垂直方向の
保磁力及び垂直磁気異方性定数が著しく向上することが
報告させている。また、特開昭63−255813号には、偏析
領域の平均周期を30〜300Åとすることにより垂直磁気
特性の向上が図れることが記載されている。しかし、こ
の機構は膜面に垂直方向を長手とする板状の偏析構造に
より高クロム濃度領域で囲まれた高コバルト領域のコバ
ルト結晶の（002）面を膜面に垂直方向に強く配向さ
せ、かつ板状の構造による形状磁気異方性の重畳により
垂直磁気異方性を発現させているものである。

この様なCrの偏析構造は垂直磁気記録媒体にとっては
最適であっても、面内磁気記録媒体にとっては磁化方向
が異なり、面内方向の磁気特性が低下するため適当では
ない。

また、特公昭61−53770号はCoとCr、またはCoとCrとN
iを主成分とする垂直磁気記録媒体において、磁性層の
結晶の表面にCrを偏析させて耐食性の向上が図れること
が開示されているが、この場合も垂直磁気特性を維持し
ながらの発明であり、面内磁気記録媒体にとっては不適
な磁気特性である。

また、記録方向の磁気特性を良くするため、例えばデ
ィスク媒体では周方向にテキスチャーを有する基板を用
い成膜して、周方向に良好な磁気異方性を付与する試み
がなされているが、その効果は実用的な表面粗度の範囲
では顕著でない。顕著な磁気異方性を付与するために
は、J.Appl.Phys.55（1984）15の報告の如く、周方向に
テキスチャーを有する基板を用い、基板を回転しながら
斜め入射成膜をする。しかし、この方法は製品を量産す
るのには不向きである。

このように、高保磁力を得るための面内磁気記録媒体
に適したCrの偏析構造はいまだ不明であり、しかも、実
用的に記録方向に磁気特性を向上させる手段は明確にさ
れていなかった。

［課題を解決するための手段］本発明者らは、面内磁気記録媒体としてCo及びCrを主
成分とする合金磁性層を用いる場合、最適な磁気特性を
得るためには、単にCrを偏析させたり、単に結晶を面内
配向させた磁性層では不十分であって高保磁力化のため
にCrの偏析状態を詳細に制御し、更に特定方向に良好な
結晶磁気異方性を付与するために結晶配向度の制御、ま
たそのため磁性層を形成する基板の性状を制御すること
が重要であることの究明に基づき本発明に到達した。

即ち、周方向に中心線平均粗さRaが20Å以上のテキス
チャーを有する非磁性基板上に、コバルト及びクロムを
主成分とする合金磁性層を有する面内磁気記録媒体であ
って、合金磁性層が、（ｉ）hcp結晶構造の配向度を透
過型電子線回折法による電子線回折の回折線強度で表わ
した場合、基板の周方向と半径方向でCo（002）面の電
子線回折線の強度比が３以上であり、かつ、（ii）高ク
ロム濃度領域によって低クロム濃度領域が区画化された
偏析構造を有し、その区画化された低クロム濃度領域の
径が80〜500Åの範囲であり、かつ、区画化された低ク
ロム濃度領域の個数が600〜1500個／μm²であることを
特徴とする面内磁気記録媒体、を要旨とするものであ
り、高保磁力で、かつ、ディスクの周方向に良好な磁気
異方性が得られる。

以下に本発明を更に詳細に説明する。

本発明の面内磁気記録媒体は、周方向に中心線平均粗
さRaが20Å以上のテキスチャーを有する非磁性基板上
に、コバルト及びクロムを主成分とする合金磁性層を有
する面内磁気記録媒体であって、合金磁性層が、（ｉ）
hcp結晶構造の配向度を透過型電子線回折法による電子
線回折の回折線強度で表わした場合、基板の周方向と半
径方向で膜面に垂直なCo（002）面の電子線回折線の強
度比が３以上であり、かつ、（ii）高クロム濃度領域に
よって低クロム濃度領域が区画化された偏析構造を有
し、その区画化された低クロム濃度領域の径が80〜500
Åの範囲であり、かつ、区画化された低クロム濃度領域
の個数が600〜1500個／μm²であることを特徴とする。

ディスクの周方向に良好な磁気異方性を得るために、
本発明者らは、種々の周方向のテキスチャーを設けたデ
ィスク基板を用い、Crを主成分とした非磁性下地層をス
パッタ成膜し、続いてCo−Cr合金磁性膜をスパッタ成膜
し検討したところ、良好な磁気異方性を得るためには、
基板の中心線平均粗さRaが200Å以上の面粗度のテキス
チャーが必要であった。その一方で、基板の中心線平均
粗さRaを大きくするとヘッドとディスクの衝突、ヘッド
クラッシュの危険性が増し、実用的でなくなる。

本発明者らは磁気異方性の発現機構に関して更に検討
した結果、結晶配向性と磁気異方性との間に明確な相関
があることを見出した。

即ち、Co及びCrを主成分とする合金磁性層はhcp結晶
構造を取り、その容易磁化軸は（002）方向であり、透
過型電子線回折の（002）面回折線の周方向と半径方向
の強度比が３以上、好ましくは５以上、更に好ましくは
７以上の大きさにすると、前述のJ.Appl.Phys.55（198
4）15の如く、斜め入射による形状異方性の効果を用い
なくても、周方向に著しく良好な磁気異方性が得られる
ことがわかった。この時、非磁性基板へのテキスチャー
は周方向に中心線平均粗さRaが20Å以上、好ましくは30
〜300Å、更に好ましくは50〜300Åとすることにより良
好な電子線回折強度比を与える。なお、周方向のテキス
チャーとは大部分のテキスチャーが周方向に揃っている
ことである。

Co合金磁性膜の結晶配向性を変化させる方法として、
例えば電子通信学会技報CPM85−108.9（1985）にCo−Cr
合金の垂直磁化膜をスパッタ成膜する際に、基板バイア
ス電圧を印加しながら成膜すると膜面に平行に結晶のCo
（002）面の配向が良くなることが報告されている。し
かし、面内磁気記録媒体としては、逆に結晶のCo（00
2）面を膜面に垂直に配向させること、またそれだけで
は十分な磁気異方性は得られず、記録方向に容易磁化軸
を結晶配向させることが必要なのである。

hcp構造を取るコバルト合金磁性膜の容易磁化軸はＣ
軸であり、磁性膜に平行なＣ軸の配向を測定するには、
透過型の電子線回折法によりCo（002）面の回折リング
の強度を測定することが好ましい。

結晶配向度の比は磁性膜を透過型電子顕微鏡で電子線
回折法により回折パターンを観察し、Co（002）面の回
折リングの周方向（テキスチャー方向）と半径方向とに
ついて、それぞれ光の透過量から黒化度を求めて対比す
ることによって求められる。

本発明においては、特定のCr偏析構造とすることによ
り高保磁力でかつ、ディスクの周方向に良好な磁気異方
性が得られる。

即ち、高クロム濃度領域によって低クロム濃度領域が
区画化された偏析構造であり、その区画化された低クロ
ム濃度領域の径が80〜500Åの範囲であり、かつ、区画
化された低クロム濃度領域の個数が600〜1500個／μm²
の偏析構造とする。

その高クロム濃度領域と区画化された低クロム濃度領
域については、EDX（エネルギー分散型Ｘ線分光器）分
析の組成比から、高Cr濃度領域のCrは30at％以上と推定
され、非磁性状態になっていることが公知文献、例えば
IEEE Trans.Mag.MAG−14（1978）849より推測される。
従って、本願の偏析構造は、磁気的に非磁性領域で強磁
性領域が囲まれた状態になっているものと推定される。
高Cr濃度領域と低Cr濃度領域の組成差に関しては、各領
域の磁気特性差及び分析精度の問題もあり一概に決め難
いが高Cr濃度領域が非磁性、即ち、約30at％以上で低Cr
濃度領域の組成は強磁性な組成、約25at％以下の組成が
好ましい。しかし、高Cr濃度領域が非磁性でなくともCr
量が約5at％程度の差があれば自発磁化の大きさの違い
により磁気異方性エネルギーが増大し保磁力は増加する
と推測される。

高Cr濃度領域の幅は約２〜5nmである。また区画化さ
れた低Cr濃度領域の個数が600個／μm²未満では保磁力
の増加効果がなく、1500個／μm²を越えるとまた保磁力
の増加効果がなくなる。従って、低クロム濃度領域の個
数は600〜1500個／μm²、好ましい範囲としては800〜15
00個／μm²である。低Cr濃度領域の径は夫々およそ80〜
500Åの範囲である。この範囲を外れると保磁力が低下
する傾向がある。

合金磁性層のCrの濃度に関しては特に特定するもので
はないが、Coに対して６原子％以上になると高Cr領域の
形成が明瞭になり、Crの濃度に関しては６〜25原子％の
範囲が好ましい。なお、CoとCrに対して他の添加元素、
例えばTa、Nb、Pt、Pd、Ni、Zr、Ｗ、Mo、Hf等を加えて
も良い。その場合の添加量は、通常Co及びCrに対して10
原子％未満、好ましくは６原子％未満である。

高クロム濃度領域及び低クロム濃度領域の偏析構造を
解析する方法については例えば次のような方法で観察で
きる。

即ち、磁性層を塩酸水溶液等で基板から剥離し、希王
水等に浸漬して低クロム濃度領域を選択的に溶出させた
後、透過型電子顕微鏡にで撮影し、これを、低クロム濃
度領域と高クロム濃度領域とでコントラスト差を明確に
する等の画像処理を適宜行ない、高クロム濃度領域で区
画化させた低クロム濃度領域の個数を測定する。

低クロム濃度領域の径は区画化された低クロム濃度領
域の面積から真円の直径に換算して求められる。

上記した結晶配向性及び性状を有する磁性層をもつ磁
気記録媒体を得る成膜方法としてはこのような磁性層が
形成される限りにおいて特に制限はなく、基板の形状、
磁性層の組成及び成膜条件の設定により制御できる。以
下に成膜方法の一例を述べる。

非磁性基板としては特に制限はなく、通常、無電解メ
ッキ法により形成したニッケル−リン層を設けたAl合金
板が用いられるが、その他、Cu、Ti等の金属基板、ガラ
ス基板、セラミックス基板、樹脂基板等を用いることも
できる。このような非磁性基板上に周方向に中心線平均
粗さ20Å以上のテキスチャーを設けた後Crを主成分とす
る非磁性下地層（以下、「Cr系下地層」と称することが
ある。）を、通常、スパッタ法により膜厚500〜2000Å
程度設け、引き続きCo及びCrを主成分とする合金磁性層
をスパッタ成膜する。

スパッタ方式は直流マグネトロンスパッタ法でも高周
波マグネトロンスパッタ法でもよい。

合金磁性層の成膜にあたっては、基板がプラズマポテ
ンシャルに対して相対的に負となるようにバイアス電位
を印加しながらスパッタ成膜することにより、上記した
結晶配向性及び性状を有する磁性層を好適に形成させる
ことができる。バイアス電位の印加はCr系下地層形成時
から行なってもよい。また、バイアス電位の大きさはス
パッタ装置の構造にもよるが40〜400V、好ましくは50〜
250V程度である。なお、前記したバイアス電位の印加
は、基板電位を接地電位に対して負にする方法、基板を
接地電位のまま、プラズマ電位を接地電位より高くする
方法のいずれを用いてもよい。例えば、ターゲット近傍
のプラズマ領域に中間電極を設け、非磁性基板並びにス
パッタ装置本体の接地部に対して正の電位例えば、40〜
400V、好ましくは50〜250Vの電位を印加した状態でスパ
ッタ法により成膜することが挙げられる。スパッタ成膜
時の圧力は安定したプラズマ状態が得られるように、初
期到達真空度３×10^-6Torr以下、実用的には１×10^-3To
rr〜20×10^-3Torrとする。更に成膜時の基板温度を140
〜270℃、特に200〜270℃とすることが保磁力増大の点
で望ましい。

磁性層の成膜をアルゴン雰囲気で実施した場合、バイ
アス電位を印加した場合には磁性層中にArが混入される
傾向がある。その量は約0.2〜1.5原子％程度と、通常は
バイアス電位を印加しないスパッタ成膜の場合より多
い。

磁性層の膜厚は磁気記録媒体として要求される特性に
より適宜決定すればよく、通常、300〜1500Åが好まし
い。

本発明の磁気記録媒体は実用に際して磁性層の上に10
0〜500Å厚程度の炭素質又は酸化物、例えばSiO₂、ZrO₂
等の保護層を形成し、更に必要に応じてフッ素系あるい
は脂肪族系の液体又は固体の潤滑剤層を５〜50Å厚み程
度で形成し、良好な耐久性及び耐蝕性を付与することが
好ましい。

［実施例］以下に本発明を実施例により詳細に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定される
ものではない。

なお、以下の実施例において、磁性層の電子線回折線
の周方向と半径方向との強度比（結晶配向性）は次の方
法に従って測定した。

磁性膜を透過型電子顕微鏡（日立製作所製、Ｈ−9000
NA、加速電圧300KV）で制限視野電子線回折を行ない検
討した。回折は制限視野絞りを用い、５μｍ径の領域の
回折パターンをカメラ長1.0mでフィルム上に撮影した。
露光時間は、回折リングの黒化度が露光時間と直線関係
にある範囲とし、回折リングの黒化度をミクロフォトメ
ーター（日本電子製、JMD−2C型、スリット500μｍ×10
0μｍ）で500μｍ×100μｍの光状にネガを走査させ、
光の透過量を求め下記〔Ｉ〕式より算出した。

Ｄ＝log（1/T） …………〔Ｉ〕ここで、Ｄは黒化度、Ｔは光の透過量である。

強度比はCo（002）面の回折リングの周方向（テキス
チャー方向）の黒化度と半径方向の黒化度の比の値とし
た。即ち、上記透過型電子線回折による各回折リングと
Co結晶面との位置関係は第６図に示した通りであり、第
６図中のＡ−Ａ′線（周方向）と番号８の回折リングと
の交点の黒化度と、Ｂ−Ｂ′線（半径方向）と番号８の
回折リングとの交点の黒化度の比の値を求めた。

電子線回折のフィルムは富士写真フィルム社製電子顕
微鏡フィルムFG−ORTHOCHROMATICを使用した。露光時間
は0.5〜３秒で黒化度と直線関係が保たれている範囲と
した。

また、磁性層のCrの偏析構造は次の方法に従って観測
した。

単位面積当りの高Cr濃度領域で区画化された低Cr濃度
領域の個数は、磁性膜を35wt％塩酸：水の割合が15ml:1
00mlの水溶液で剥離後、0.75N硝酸と6N塩酸の1:1混合溶
液を1/16に水で希釈した希王水中に30時間浸漬して、低
Cr濃度領域を選択的に溶出させた後、磁性膜を透過型電
子顕微鏡にて、直接倍率10万倍でその形状を撮影し、40
万倍に引き伸ばし、この透過型電子顕微鏡写真を画像処
理することによって求めた。

画像処理法は、高Cr濃度領域（黒）と低Cr濃度領域
（白）のコントラストの差50％をスライスレベルとして
二値画像を作製し、50nm²以下の点状の高Cr濃度領域
は、バックグランドとして除去した後、低Cr濃度領域を
囲む高Cr濃度領域の10nm未満のとぎれ線は補正し高Cr濃
度領域が連続していると見なした。10nmの長さは区画化
された低Cr濃度領域の平均周長の10％以下であった。こ
のようにして高Cr濃度領域により区画化された低Cr濃度
領域の個数を測定した。低Cr濃度領域の径は区画化され
た低Cr濃度領域の面積から真円の直径に換算した。ラン
ダムに観察した0.5μｍ×0.5μｍの面積範囲の低Cr濃度
領域の径の平均値を併せて求めた。

実施例１〜４及び比較例１内径25mm、外径95mmのアルミニウム合金ディスク基板
に無電解メッキ法により非磁性Ni−Ｐ層25μｍ厚さにメ
ッキし、その表面を鏡面研磨した後、周方向にテキスチ
ャリングを行い中心線平均粗さ（JIS B 0601に従って測
定した。以下同様）Ra140Åの溝を周方向に設けた。粗
さは触針式粗さ計（ランクテーラーホブソン社、タリス
テップ（Rank Taylor Hobson Ltd.,112/1037,Talyste
p）、触針形状0.2μｍ×0.2μｍ）で径方向に測定し
た。

この非磁性基板を高周波（13.56MHz）マグネトロンス
パッタ装置に装着し、１×10^-6Torrまで真空に排気した
後、基板温度を210℃に加熱し、アルゴンガスを５×10
^-3Torrまで導入し8.8W/cm²のパワーでCr層を1500Å成膜
し、引き続いてCo₈₄Cr₁₆磁性層を700Å成膜した。この
時、スパッタリング装置の電極配置は第５図に示す構造
のものを用いた。第５図はスパッタリング装置の概略構
成図であり、図中、１はターゲット、２は基板ホルダ
ー、３は基板、４及び４′は中間電極、５はスパッタリ
ング用電源、６は中間電極用電源である。つまり、ター
ゲット１の外周部近傍に中間電極４及び４′を設け、基
板３に対して正の電位に印加しプラズマポテンシャル電
位を高めて、基板３が相対的にプラズマ電位に対して負
になるようにしながらスパッタ成膜をした。実施例１〜
４はこの中間電極４及び４′の電位を第１表に示すよう
に変化させて成膜したものである。比較例１は中間電極
４及び４′の電位を印加しなかった場合である。これら
の磁性膜について前述した方法によって低Cr濃度領域の
個数、径、平均径及び結晶のCo（002）面の周方向と半
径方向の配向比（強度比）を求めた。磁性膜はいずれも
高クロム濃度領域によって低クロム濃度領域が区画化さ
れた偏析構造で、区画化された低クロム濃度領域はその
95％程度以上が、径が80〜500Åであった。また、スパ
ッタ成膜後の各基板につき保磁力（Hc）を、試料振動型
磁力計で印加磁界5Kエルステッド（Oe）で測定した。こ
れらの結果を第１表及び第１図（低Cr濃度領域の個数と
保磁力Hcとの関係）に示した。また、実施例１〜４及び
比較例１の磁性層のCr偏析構造を示す金属組織の透過型
電子顕微鏡写真の一例を各々第７図〜第11図に示した。

なお、希王水エッチング前の磁性膜とエッチング後の
磁性膜の溶け残った部分を前述の透過型電子顕微鏡に連
結したエネルギー分散型Ｘ線分光器（KEVEX社製DELTA−
３型）で実施例２の磁性膜について分析し、CoとCrの特
性Ｘ線強度比を求めた。分析領域はエッチング前は500n
mφで２箇所、エッチング後は10nmφで４箇所、夫々ラ
ンダムに選んだ。分析結果を第２表に示す。

溶け残った部分は明らかに高Cr濃度の偏析領域であ
る。また、第７図〜第11図の電子顕微鏡写真から判るよ
うに高Cr濃度領域によって低Cr濃度領域が区画された構
造になることにより保磁力が向上する。また、第１表及
び第１図から区画された低Cr濃度領域の個数に保磁力値
の最適範囲があることが明らかである。

実施例５〜８及び比較例２〜３ Ni−Ｐ基板表面のテキスチャリング加工条件の制御に
よって周方向の基板表面の中心線平均粗さRaを種々変え
た基板を用い、磁性層の結晶Co（002）面の配向強度比
と保磁力の異方比の関係について検討した。スパッタリ
ング条件は、実施例５〜８は中間電極の電位を＋100V
に、比較例２〜３は中間電極の電位を0Vにした以外は実
施例１と同様である。

保磁力異方比は試料振動型磁力計で試料面内にテキス
チャー方向に平行に磁界を印加して測定した保磁力値
（Hc）とテキスチャー方向に直角に磁界を印加して測
定した保磁力値（Hc⊥）との比を求めた。

結晶配向性（磁性層の電子線回折線の強度比）の測定
は前述の方法によった。

結果を第３表、第２図（中心線平均粗さRaと保磁力異
方比Hc/Hc⊥の関係図）、第３図（中心線平均粗さRa
とCo（002）面電子線回折線強度比との関係図）及び第
４図（CO（002）面電子線回折線強度比と保磁力異方比H
c/Hc⊥の関係図）に示した。また、実施例５〜８及び
比較例３の磁性層の透過型電子顕微鏡写真を各々第12図
〜第16図に示した。

磁性膜はいずれも高クロム濃度領域によって低クロム
濃度領域が区画化された偏析構造で、区画化された低ク
ロム濃度領域はその95％程度以上が径が80〜500Åの範
囲であり、低クロム濃度領域の個数は800〜1000個／μm
²、平均径は190〜200Åであった。

実施例５〜８においてはCo（002）面電子線回折線リ
ングの強度に方向性があり、比較例２及び３は等方的で
あることがわかる。また、第３表、第２図及び第３図よ
り中間電極に電位を印加しながらスパッタ成膜すると中
心線平均粗さRaの増加につれて電子線回折のCo（002）
面の基板周方向と半径方向の回折線強度比が増加し、保
磁力の異方比が増加することがわかる。なお、保磁力だ
けでなく磁気特性の角形比も同様に増加することがわか
った。

第４図によりCo（002）面の電子線回折線強度比と保
磁力の異方比に明瞭な相関関係があることがわかる。

実施例９周方向に中心線平均粗さRaが240Åのテキスチャーを
有した基板を、高周波マグネトロンスパッタ装置に装着
し、１×10^-6Torrまで真空に排気した後基板温度を250
℃に加熱し、アルゴンガスを５×10^-3Torrまで導入し、
8.8W/cm²のパワーでCr層を1600Å成膜し、引き続いてCo
₈₄Cr₁₆原子％の磁性層を600Å成膜した。この磁性膜を
前述した方法により測定し、低Cr濃度領域の個数、径、
平均径及び結晶（002）面の周方向と径方向の電子線回
折強度比を求めた。磁性膜は高Cr濃度領域によって低ク
ロム濃度領域が区画化された偏析構造で、区画化された
低クロム濃度領域はその95％程度以上が径が80〜500Å
の範囲であった。また、前述の方法により磁気特性を測
定した。結果を第４表に示す。

［発明の効果］以上詳述したように、本発明の磁気記録媒体は記録方
向である基板の周方向に良好な磁気特性を持ち、かつ、
高保磁力の面内磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１〜４及び比較例１で得られた区画化さ
れた低Cr濃度領域の個数と保磁力Hcとの関係を示すグラ
フである。第２図は実施例５〜８及び比較例２〜３にお
ける中心線平均粗さRaと磁性層の保磁力異方比〔Hc/H
c⊥〕との関係を示すグラフである。第３図は実施例５
〜８及び比較例２〜３における基板の中心線平均粗さRa
と、磁性層のhcp構造の電子線回折によるCo（002）面電
子線回折線の基板周方向と半径方向の強度比との関係を
示すグラフである。第４図は実施例５〜８及び比較例２
〜３における磁性層のCo（002）面電子線回折線の周方
向と半径方向の強度比と、保磁力異方比〔Hc/Hc⊥〕
の関係を示すグラフである。第５図は本発明の面内磁気
記録媒体を得るのに好適なスパッタリング装置の一例を
示す概略構成図である。 1:ターゲット、2:基板ホルダー、3:基板、４、４′：中
間電極、5:スパッタリング用電源、6:中間電極用電源。第６図は透過型電子線回折による各回折リングとCo結晶
配向面との位置関係を示す説明図である。図中、Ａ−
Ａ′線は基板の周方向（テキスチャー方向）を表わし、
Ｂ−Ｂ′線は基板の半径方向を表わす。 7:（100）面回折線、8:（002）面回折線、9:（101）面
回折線、10:（102）面回折線、11:（110）面回折線、1
2:（103）面回折線。第７図〜第11図は夫々実施例１〜４及び比較例１の磁性
層のCrの偏析構造を示す金属組織の透過型電子顕微鏡写
真の一例である。倍率は40万倍である。第12図は実施例５の磁性層の結晶構造を示す透過型電子
顕微鏡写真の一例である。図中Ｃ−Ｃ′線は基板の周方
向（テキスチャー方向）を表わす。倍率は40万倍であ
る。第13図は実施例６の磁性層の結晶構造を示す透過型電子
顕微鏡写真の一例である。図中、Ｄ−Ｄ′線は基板の周
方向（テキスチャー方向）を表わす。倍率は40万倍であ
る。第14図は実施例７の磁性層の結晶構造を示す透過型電子
顕微鏡写真の一例である。図中、Ｅ−Ｅ′線は基板の周
方向（テキスチャー方向）を表わす。倍率は40万倍であ
る。第15図は実施例８の磁性層の結晶構造を示す透過型電子
顕微鏡写真の一例である。図中、Ｆ−Ｆ′線は基板の周
方向（テキスチャー方向）を表わす。倍率は40万倍であ
る。第16図は実施例３の磁性層の結晶構造を示す透過型電子
顕微鏡写真の一例である。図中、Ｇ−Ｇ′線は基板の周
方向（テキスチャー方向）を表わす。倍率は40万倍であ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/85

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】周方向に中心線平均粗さRaが20Å以上のテ
キスチャーを有する非磁性基板上に、コバルト及びクロ
ムを主成分とする合金磁性層を有する面内磁気記録媒体
であって、合金磁性層が、（ｉ）hcp結晶構造の配向度
を透過型電子線回折法による電子線回折の回折線強度で
表わした場合、基板の周方向と半径方向でCo（002）面
の電子線回折線の強度比が３以上であり、かつ、（ii）
高クロム濃度領域によって低クロム濃度領域が区画化さ
れた偏析構造を有し、その区画化された低クロム濃度領
域の径が80〜500Åの範囲であり、かつ、区画化された
低クロム濃度領域の個数が600〜1500個／μm²であるこ
とを特徴とする面内磁気記録媒体。