JP2982202B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程における半導体ウェハの
裏面は、酸化膜，窒化膜，ポリシリコン膜等に覆われて
おり、特に積極的にウェハステージ，搬送ベルト，ウェ
ハキャリア等の接触物と電気的，熱的接触が取れる構造
となっていなかった。
裏面は、酸化膜，窒化膜，ポリシリコン膜等に覆われて
おり、特に積極的にウェハステージ，搬送ベルト，ウェ
ハキャリア等の接触物と電気的，熱的接触が取れる構造
となっていなかった。
上述した従来の半導体ウェハの裏面構造は、ウェハス
テージ、搬送ベルト、ウェハキャリア等の接触物と電気
的，熱的に接触を取る構造となっていないため、ドライ
エッチング時に半導体ウェハの温度が上昇しレジストの
焼けが生じたり、またウェハ搬送時の静電気の発生によ
り半導体ウェハへごみが付着する等の欠点がある。
テージ、搬送ベルト、ウェハキャリア等の接触物と電気
的，熱的に接触を取る構造となっていないため、ドライ
エッチング時に半導体ウェハの温度が上昇しレジストの
焼けが生じたり、またウェハ搬送時の静電気の発生によ
り半導体ウェハへごみが付着する等の欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの裏
面に導電性膜を形成する工程と、前記裏面に形成した導
電性膜を介して前記半導体ウェハを冷却しながら前記半
導体ウェハをドライエッチングする工程とを有する。
面に導電性膜を形成する工程と、前記裏面に形成した導
電性膜を介して前記半導体ウェハを冷却しながら前記半
導体ウェハをドライエッチングする工程とを有する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための塗布装置
の断面図である。
の断面図である。
半導体ウェハ１を表裏逆にしてサセプター４で支持
し、サセプター４を回転させながらノズル３より銀ペー
スト溶液等の導伝性塗布液４を滴下することにより導伝
性膜をウェハの裏面に形成する。
し、サセプター４を回転させながらノズル３より銀ペー
スト溶液等の導伝性塗布液４を滴下することにより導伝
性膜をウェハの裏面に形成する。
なお、導伝性膜の形成はスプレー法によってもよく、
またAl等をスパッター法等で形成してもよい。
またAl等をスパッター法等で形成してもよい。
このように導伝性膜の形成された半導体ウェハを第２
図に示すように、ドライエッチング装置の下部電極６上
にセットしてエッチングする場合、この導伝性膜５によ
り半導体ウェハ１の冷却効果が向上し、フォトレジスト
等のマスク材の耐ドライエッチング性が向上する。
図に示すように、ドライエッチング装置の下部電極６上
にセットしてエッチングする場合、この導伝性膜５によ
り半導体ウェハ１の冷却効果が向上し、フォトレジスト
等のマスク材の耐ドライエッチング性が向上する。
また第３図に示すように、キャリア８に半導体ウェハ
１を入れて搬送する場合に、半導体ウェハ１の裏面に導
電性膜５が形成されているため、半導体ウェハ１のチャ
ージアップが阻止され、ごみ等の付着を防止することが
できる。
１を入れて搬送する場合に、半導体ウェハ１の裏面に導
電性膜５が形成されているため、半導体ウェハ１のチャ
ージアップが阻止され、ごみ等の付着を防止することが
できる。
以上説明したように本発明は、半導体ウェハの裏面に
導電性膜を形成することにより、半導体ウェハとウェハ
ステージ，搬送ベルト，ウェハキャリア等との電気的熱
的接触を向上できる効果がある。
導電性膜を形成することにより、半導体ウェハとウェハ
ステージ，搬送ベルト，ウェハキャリア等との電気的熱
的接触を向上できる効果がある。
半導体ウェハと上述の接触物との熱的、電気的接触を
向上することにより、例えば、ドライエッチングを行う
場合、クランピングや静電チャック等のドライエッチャ
ー側の改造を行なわなくても、半導体ウェハの冷却機能
を向上させることができる。コンベンショナルなRIE装
置の場合、30〜40％フォトレジストの耐ドライエッチン
グ性を向上させることができる。更にウェハ搬送時の静
電気の発生を抑制し、半導体ウェハへのごみの付着を防
止することができる。
向上することにより、例えば、ドライエッチングを行う
場合、クランピングや静電チャック等のドライエッチャ
ー側の改造を行なわなくても、半導体ウェハの冷却機能
を向上させることができる。コンベンショナルなRIE装
置の場合、30〜40％フォトレジストの耐ドライエッチン
グ性を向上させることができる。更にウェハ搬送時の静
電気の発生を抑制し、半導体ウェハへのごみの付着を防
止することができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための塗布装置の
断面図、第２図及び第３図は実施例の効果を説明するた
めのドライエッチング装置及びキャリアの断面図であ
る。 １……半導体ウェハ、２……サセプター、３……ノズ
ル、４……導伝性塗布液、５……導伝性膜、６……下部
電極、７……冷却水、８……キャリア。
断面図、第２図及び第３図は実施例の効果を説明するた
めのドライエッチング装置及びキャリアの断面図であ
る。 １……半導体ウェハ、２……サセプター、３……ノズ
ル、４……導伝性塗布液、５……導伝性膜、６……下部
電極、７……冷却水、８……キャリア。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/302 H01L 21/306 H01L 21/3065 H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/44 - 21/445 H01L 21/768 H01L 29/40 - 29/51
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハの裏面に導電性膜を形成する
工程と、前記裏面に形成した導電性膜を介して前記半導
体ウェハを冷却しながら前記半導体ウェハをドライエッ
チングする工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054103A JP2982202B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054103A JP2982202B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255670A JPH03255670A (ja) | 1991-11-14 |
| JP2982202B2 true JP2982202B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=12961282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2054103A Expired - Fee Related JP2982202B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982202B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4643929B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2011-03-02 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2054103A patent/JP2982202B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03255670A (ja) | 1991-11-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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