JPS6084821A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6084821A
JPS6084821A JP58192749A JP19274983A JPS6084821A JP S6084821 A JPS6084821 A JP S6084821A JP 58192749 A JP58192749 A JP 58192749A JP 19274983 A JP19274983 A JP 19274983A JP S6084821 A JPS6084821 A JP S6084821A
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JP
Japan
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semiconductor device
film
wafer
nitride film
resist film
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JP58192749A
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Inventor
Hideshi Takasu
秀視 高須
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体装置
のウェハの裏面をミラーポリッシュする際に使用する半
導体装置の製造方法に関する。
（ロ）従来技術 例えば圧力センサを製造する場合、半導体装置のウェハ
の裏面に前記圧力センサを形成するための孔あけ加工を
するが、そのため半導体装置のウェハ裏面をまえもって
ミラーポリッシュしておくことがある。
かかるミラーポリッシュの工程では半導体装置を保護す
るため、その表面に保護用の膜を被覆する必要があり、
その膜として従来はワックスやテープに匹敵する高粘度
のレジスト膜が使用されている。
しかし、上記の方法では、レジスト膜の周辺部分が剥離
したり、スクラッチ等により傷が発生ずることがあり、
その鼾通して種々の汚染源が半導体装置の中心部まで浸
透する結果、充分にはウェハの保護が出来ないという欠
点があった。
また、ＣＶＤでもってｐｓｃ股を形成する方法もあるが
、このＰＳＧ膜はドライまたはウェットエツチングする
場合、その条件ぎめが難しく場合によっては下地の酸化
シリコン膜までエツチングしてしまう虞があった。
（ハ）目的 本発明に係る半導体装置の製造方法はミラーポリッシュ
の際にその表面を充分に保護しうる保護膜を提供するこ
とを目的としている。
（ニ）構成 本発明は半導体装置の表面をプラズマＣＶＤでもってシ
リ３コンナイトライド膜を被覆する工程と、前記シリコ
ンナイトライド膜の上にレジスト膜を被覆する工程と、
前記工程の後半導体装置のウェハの裏面をミラーポリッ
シュする工程と、前記ミラーポリッシュの後前記レジス
ト膜とシリ３コンナイトライド膜を除去する工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
（ポ）実施例 第１図はバイポーラトランジスタについて、本発明の製
造方法を通用するときの半導体装置の断面図をしめす。
ｌはポロンをドープしたＰ型のシリコン基板であるウェ
ハ、２は砒素またはアンチモンを熱拡散させて形成した
Ｎ型の埋込層、３はＮ型のエビタキシャｌし層、４はＰ
Ｉｉ！、５はＮ＋１優、６はシリコン酸化膜１輔であり
、７．８．９、はそれぞれアルミニュウム電極でコンタ
クトしたベース、エミッタおよびコレクタである。
そして、１０は前記半導体装置の表面に被膜したシリコ
ンナイトライドの股、１１は前記シリコンナイトライド
膜の上にコートしたレジスト膜である。
つぎに半導体装置の製造の手順について説明する。
■　半導体装置の表面にプラズマＣＶＤでもってシリコ
ンナイトライドの膜１０を形成する。
■　前記シリコンナイトライド膜１０の上に通常の手段
、すなわち高速回転ウェハチャックに■の工程を経た半
導体装置を乗せてレジスト液を適量滴下して上記膜を形
成する。
■　その後、レジスト膜を被覆したウエノ＼をベーキン
グして乾燥する。
■　その後、ウェハ裏面をドライまたはウェットエツチ
ングでもって、ミラーポリッシュを行う。
■　所定の洗浄後、前記レジスト膜およびシリコンナイ
トライド膜をドライエツチングにより除去する。
（へ）効果 本発明の半導体装置の製造方法は従来の方法とは異なり
、レジスト膜のみでなくプラズマＣＶＤで形成したシリ
コンナイトライドの膜が被膜されている。したがって、
かかるシリコンナイトライド膜は大変に高密度でしかも
硬い膜であるから、スクラッチによる傷の付着が充分防
止できる。
また、上記したＰＳＧｌ＊と異なり膜の硬度が高いので
ピンホールやクランクを生じる虞が少ないので、下部に
あるジャンクション部に影響を与えることがない。
【図面の簡単な説明】
第１図はバイポーラトランジスタについて、本発明の製
造方法を適用するときの半導体装置の断面図をしめす。 １０・・・シリコンナイトライド膜、１１・・・レジス
ト膜。 特許出願人　ローム株式会社 代理人　弁理士　大　西　孝　治

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体装置の表面をプラズマＣＶＤでもってシリ
    コンナイトライド膜を被覆する工程と、前記シリコンナ
    イトライド膜の上にレジスト膜を被覆する工程と、前記
    工程の後半導体装置のウェハの裏面をミラーポリッシュ
    する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS621234A (ja) * 1985-05-31 1987-01-07 Sony Tektronix Corp シリコン半導体装置
JPS6230373A (ja) * 1985-05-31 1987-02-09 サイエンティフィック・イメージング・テクノロジーズ・インコーポレイテッド 薄型シリコンウエハ補強形成方法
JPS6251226A (ja) * 1985-08-30 1987-03-05 Toshiba Corp 研磨方法
CN105097431A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆正面的保护方法
CN105643431A (zh) * 2014-12-02 2016-06-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆研磨方法

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JPS5710933A (en) * 1980-06-25 1982-01-20 Mitsubishi Electric Corp Abrasive method for back of substrate of semiconductor device

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