JP3045114B2 - 荷電粒子線描画用データ作成方法並びに描画用パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
荷電粒子線描画用データ作成方法並びに描画用パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. program control
- H01J37/3023—Program control
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線によって
微細パターンを形成する荷電粒子線描画装置に用いるパ
ターンデータ作成方法に係り、特により信頼性の高いパ
ターンデータを得るためのパターンデータ作成方法に関
する。
微細パターンを形成する荷電粒子線描画装置に用いるパ
ターンデータ作成方法に係り、特により信頼性の高いパ
ターンデータを得るためのパターンデータ作成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。荷電
粒子線を用いた荷電粒子線描画方式は今後必要となる
０．２５μｍ以下のパターンを形成できる有効な方法で
ある。荷電粒子線描画装置としては、図９に示すような
可変成形型電子線描画装置が用いられている。これは第
１アパーチャー３と第２アパーチャー６とで電子ビーム
を矩形に成形し、レジストを塗布した半導体ウエハ１１
上に電子ビーム５０Ｂを照射して微細パターンを形成す
る装置である。
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。荷電
粒子線を用いた荷電粒子線描画方式は今後必要となる
０．２５μｍ以下のパターンを形成できる有効な方法で
ある。荷電粒子線描画装置としては、図９に示すような
可変成形型電子線描画装置が用いられている。これは第
１アパーチャー３と第２アパーチャー６とで電子ビーム
を矩形に成形し、レジストを塗布した半導体ウエハ１１
上に電子ビーム５０Ｂを照射して微細パターンを形成す
る装置である。
【０００３】図９において、電子銃１を発した電子ビー
ム５０がブランキング電極２、第１アパーチャー３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャー６、縮小
レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を
通って試料台上の半導体ウエハ１１に照射される。第１
アパーチャー３には四角の開口３Ａが形成されており、
矩形ビーム５０Ａが形成される。これが第２アパーチャ
ー６の開口６Ａを通過することにより小四角形のビーム
サイズとなり、この小サイズの電子ビーム５０Ｂでショ
ット（１露光動作）を繰り返してーつの潜像パターンを
半導体ウエハ１１上のレジストに形成する。
ム５０がブランキング電極２、第１アパーチャー３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャー６、縮小
レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を
通って試料台上の半導体ウエハ１１に照射される。第１
アパーチャー３には四角の開口３Ａが形成されており、
矩形ビーム５０Ａが形成される。これが第２アパーチャ
ー６の開口６Ａを通過することにより小四角形のビーム
サイズとなり、この小サイズの電子ビーム５０Ｂでショ
ット（１露光動作）を繰り返してーつの潜像パターンを
半導体ウエハ１１上のレジストに形成する。
【０００４】記憶装置１５には図形データが保存されて
おり、計算機１４によって読み出されて図形データ用メ
モリ１７に一時保存される。描画装置は必要に応じてこ
の図形データを読み出し、制御装置１６にて制御信号に
変換した後、ブランキング電極２、成形偏向器５、主偏
向器８、及び副偏向器９を制御し、描画動作を行う。こ
の図形データは専用ソフトウエアにより、ＣＡＤデータ
に重なり除去、近接効果補正等の処理を施し、描画装置
用の特殊フォーマットに変換することにより得られる。
ここで特開平７−２８８２２４にはセルの階層構造を保
持したまま、拡大、縮小処理を行う際にセル境界でバタ
ーンの変形が発生するのを防止するために層間演算を用
いる方法について迷べている。また、特開平４−３７２
１５５ではＬＳＩのレイアウトパターンを比較検証し
て、相違点の座標を出力し、エディタを用いてレイアウ
トパターンを修正する方法を述べている。
おり、計算機１４によって読み出されて図形データ用メ
モリ１７に一時保存される。描画装置は必要に応じてこ
の図形データを読み出し、制御装置１６にて制御信号に
変換した後、ブランキング電極２、成形偏向器５、主偏
向器８、及び副偏向器９を制御し、描画動作を行う。こ
の図形データは専用ソフトウエアにより、ＣＡＤデータ
に重なり除去、近接効果補正等の処理を施し、描画装置
用の特殊フォーマットに変換することにより得られる。
ここで特開平７−２８８２２４にはセルの階層構造を保
持したまま、拡大、縮小処理を行う際にセル境界でバタ
ーンの変形が発生するのを防止するために層間演算を用
いる方法について迷べている。また、特開平４−３７２
１５５ではＬＳＩのレイアウトパターンを比較検証し
て、相違点の座標を出力し、エディタを用いてレイアウ
トパターンを修正する方法を述べている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら近年、描
画対象となる半導体デバイスの集積度が向上するにつれ
て、描画すべきパターンの数が膨大なものとなり、変換
ソフトウエアが扱うデータ量も多大なものとなってい
る。このため、半導体チップを分割してその一領域毎に
変換処理を行い、全領域の処理が終了したところでこれ
らのデータを統合して、１チップのデータとする分割処
理が広く行われている。ところがこのような分割処理を
行った場合、境界に跨るパターンの扱いが困難であり、
変換後のデータにパターン抜け、余剰パターンの発生、
あるいは位置のシフト等が発生する場合がある。これら
の不良データをそのまま描画に用いると、配線の断線、
ショート等を引き起こし、デバイスの歩留まり低下を招
いてしまうため、変換後のデータがＣＡＤデータと相違
なく変換されているかどうかを検証することは重要な課
題である。上記特開平７−２８８２２４ではこれらパタ
ーンデータの不良を検証する手段を持たない。また、上
記特開平４−３７２１５５では相違点の座標を参考に直
接レイアウトエディタで修正し、修正後のデータをもう
一度描画用データに変換するため、正常な描画データを
得るまでに多大な処理時聞がかかるという欠点がある。
さらに修正は作業者が手作業で行うため、修正時に新た
な不良箇所を生成してしまうという問題もある。
画対象となる半導体デバイスの集積度が向上するにつれ
て、描画すべきパターンの数が膨大なものとなり、変換
ソフトウエアが扱うデータ量も多大なものとなってい
る。このため、半導体チップを分割してその一領域毎に
変換処理を行い、全領域の処理が終了したところでこれ
らのデータを統合して、１チップのデータとする分割処
理が広く行われている。ところがこのような分割処理を
行った場合、境界に跨るパターンの扱いが困難であり、
変換後のデータにパターン抜け、余剰パターンの発生、
あるいは位置のシフト等が発生する場合がある。これら
の不良データをそのまま描画に用いると、配線の断線、
ショート等を引き起こし、デバイスの歩留まり低下を招
いてしまうため、変換後のデータがＣＡＤデータと相違
なく変換されているかどうかを検証することは重要な課
題である。上記特開平７−２８８２２４ではこれらパタ
ーンデータの不良を検証する手段を持たない。また、上
記特開平４−３７２１５５では相違点の座標を参考に直
接レイアウトエディタで修正し、修正後のデータをもう
一度描画用データに変換するため、正常な描画データを
得るまでに多大な処理時聞がかかるという欠点がある。
さらに修正は作業者が手作業で行うため、修正時に新た
な不良箇所を生成してしまうという問題もある。
【０００６】そこで本発明は上記のような課題を解決す
るためになされたもので、新たに不良箇所を生成するこ
となく、ＣＡＤデータをパターンデータに変換する際に
発生する演算エラーを迅速に修正することができる荷電
粒子線描画用データ作成方法及び荷電粒子線描画用デー
タ作成プログラムを記録した記録媒体を提供することを
目的としている。
るためになされたもので、新たに不良箇所を生成するこ
となく、ＣＡＤデータをパターンデータに変換する際に
発生する演算エラーを迅速に修正することができる荷電
粒子線描画用データ作成方法及び荷電粒子線描画用デー
タ作成プログラムを記録した記録媒体を提供することを
目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の荷電
粒子線描画用データ作成方法は、ＣＡＤデータを変換す
ることにより、荷電粒子を用いて微細パターンを形成す
る荷電粒子線描画装置に用いる描画用パターンデータを
作成する荷電粒子線描画用データ作成方法にあって、前
記ＣＡＤデータと前記描画用パターンデータとの間に相
違があるかどうかを層間演算を用いて検証する検証過程
と、この検証手段により前記ＣＡＤデータと描画装置用
パターンデータに相違があると検証された場合、前記相
違を補償する描画パターンデータを層間演算を用いて発
生する補償過程とを有する。
粒子線描画用データ作成方法は、ＣＡＤデータを変換す
ることにより、荷電粒子を用いて微細パターンを形成す
る荷電粒子線描画装置に用いる描画用パターンデータを
作成する荷電粒子線描画用データ作成方法にあって、前
記ＣＡＤデータと前記描画用パターンデータとの間に相
違があるかどうかを層間演算を用いて検証する検証過程
と、この検証手段により前記ＣＡＤデータと描画装置用
パターンデータに相違があると検証された場合、前記相
違を補償する描画パターンデータを層間演算を用いて発
生する補償過程とを有する。
【０００８】本発明に係る第２の荷電粒子線描画用デー
タ作成方法は、荷電粒子を用いて微細パターンを形成す
る荷電粒子線描画装置に用いるパターンデータの作成方
法であって、元のＣＡＤデータと描画装置用パターンデ
ータに相違があった場合に、層間演算を用いてこれを補
償するパターンデータを発生させる。
タ作成方法は、荷電粒子を用いて微細パターンを形成す
る荷電粒子線描画装置に用いるパターンデータの作成方
法であって、元のＣＡＤデータと描画装置用パターンデ
ータに相違があった場合に、層間演算を用いてこれを補
償するパターンデータを発生させる。
【０００９】本発明に係る第３の荷電粒子線描画用デー
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターン抜けを持つ描画装置用パターンデ
ータ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程と、パ
ターン抜けを持った描画装置用パターンデータと上記排
他的論理和演算の結果得られたパターンデータの両者を
描画用パターンデータとして出力する工程を含む。
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターン抜けを持つ描画装置用パターンデ
ータ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程と、パ
ターン抜けを持った描画装置用パターンデータと上記排
他的論理和演算の結果得られたパターンデータの両者を
描画用パターンデータとして出力する工程を含む。
【００１０】本発明に係る第４の荷電粒子線描画用デー
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターンシフトを持つ描画装置用パターン
データ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程と、
元のＣＡＤデータと上記排他的論理和演算の結果得られ
たパターンデータ間で論理積演算（ａｎｄ）を行う工程
と、パターンシフトを持つ描画装置用パターンデータと
上記排他的論理和演算の結果得られたパターンデータ間
で論理差演算（ｓｕｂ）を行う工程と、上記論理差演算
の結果得られたパターンデータと上記論理積演算の結果
得られたパターンデータの両者を描画用パターンデータ
として出力する工程を含む。
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターンシフトを持つ描画装置用パターン
データ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程と、
元のＣＡＤデータと上記排他的論理和演算の結果得られ
たパターンデータ間で論理積演算（ａｎｄ）を行う工程
と、パターンシフトを持つ描画装置用パターンデータと
上記排他的論理和演算の結果得られたパターンデータ間
で論理差演算（ｓｕｂ）を行う工程と、上記論理差演算
の結果得られたパターンデータと上記論理積演算の結果
得られたパターンデータの両者を描画用パターンデータ
として出力する工程を含む。
【００１１】本発明に係る第５の荷電粒子線描画用デー
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータと余剰発生パターンを持つ描画装置用パター
ンデータ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程
と、上記余剰発生パターンデータと上記排他的論理和演
算の結果得られたパターンデータ間で論理差演算（ｓｕ
ｂ）を行う工程と、上記論理差演算の結果得られたパタ
ーンデータを描画用パターンデータとして出力する。
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータと余剰発生パターンを持つ描画装置用パター
ンデータ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程
と、上記余剰発生パターンデータと上記排他的論理和演
算の結果得られたパターンデータ間で論理差演算（ｓｕ
ｂ）を行う工程と、上記論理差演算の結果得られたパタ
ーンデータを描画用パターンデータとして出力する。
【００１２】本発明に係る第６の荷電粒子線描画用デー
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターン抜け、パターンシフト、余剰発生
パターンを持つ描画装置用パターンデータ間で排他的論
理演算（ｅｏｒ）を行う工程と、元のＣＡＤデータと上
記排他的論理和演算の結果得られたパターンーンデータ
間で論理積演算（ａｎｄ）を行う工程と、上記パターン
抜け、パターンシフト、余剰発生パターンを持つ描画装
置用パターンデータと上記排他的論理和演算の結果得ら
れたパターンデータ間で論理差演算（ＳＵｂ）を行う工
程と、上記論理積演算の結果得られたパターンデータの
図形数が０かどうかを判断する工程とを含み、上記論理
積演算の結果得られたパターンデータの図形数が０であ
れば、上記論理差演算の結果得られたパターンデータを
描画データとして出力し、上記論理積演算の結果得られ
たパターンデータの図形数が０でなければ、上記論理差
演算の結果得られたパターンデータと上記論理積演算の
結果得られたパターンデータの両者を描画データとして
出力する。
タ作成方法は、上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターン抜け、パターンシフト、余剰発生
パターンを持つ描画装置用パターンデータ間で排他的論
理演算（ｅｏｒ）を行う工程と、元のＣＡＤデータと上
記排他的論理和演算の結果得られたパターンーンデータ
間で論理積演算（ａｎｄ）を行う工程と、上記パターン
抜け、パターンシフト、余剰発生パターンを持つ描画装
置用パターンデータと上記排他的論理和演算の結果得ら
れたパターンデータ間で論理差演算（ＳＵｂ）を行う工
程と、上記論理積演算の結果得られたパターンデータの
図形数が０かどうかを判断する工程とを含み、上記論理
積演算の結果得られたパターンデータの図形数が０であ
れば、上記論理差演算の結果得られたパターンデータを
描画データとして出力し、上記論理積演算の結果得られ
たパターンデータの図形数が０でなければ、上記論理差
演算の結果得られたパターンデータと上記論理積演算の
結果得られたパターンデータの両者を描画データとして
出力する。
【００１３】本発明に係る第７の記録媒体は、コンピュ
ータによってＣＡＤデータを変換することにより、荷電
粒子を用いて微細パターンを形成する荷電粒子線描画装
置に用いる描画用パターンデータを作成する荷電粒子線
描画用データ作成プログラムを記録した記録媒体にあっ
て、前記ＣＡＤデータと前記描画用データとの間に相違
があるかどうかを層間演算を用いて検証する検証過程
と、この検証手段により前記ＣＡＤデータと前記描画用
データに相違があると検証された場合、前記相違を補償
する前記描画用パターンデータを層間演算を用いて発生
する補償過程とをコンピュータに実行させるためのプロ
グラムを機械読み取り可能に記録している。
ータによってＣＡＤデータを変換することにより、荷電
粒子を用いて微細パターンを形成する荷電粒子線描画装
置に用いる描画用パターンデータを作成する荷電粒子線
描画用データ作成プログラムを記録した記録媒体にあっ
て、前記ＣＡＤデータと前記描画用データとの間に相違
があるかどうかを層間演算を用いて検証する検証過程
と、この検証手段により前記ＣＡＤデータと前記描画用
データに相違があると検証された場合、前記相違を補償
する前記描画用パターンデータを層間演算を用いて発生
する補償過程とをコンピュータに実行させるためのプロ
グラムを機械読み取り可能に記録している。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従って説明する。図１は本発明の荷電粒子線描画用デ
ータ作成方法の第１の実施の形態を示したフローチャー
トで、描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違
ないかどうかを検証し、異常があった場合は補償するデ
ータを発生させる過程を示したフローチャートである。
但し、本発明の荷電粒子線描画用データ作成方法を適用
する荷電粒子線描画装置の構成は図９に示した従来例と
同一であるため、以下の全ての実施の形態において図示
は省略する。尚、本発明に関わる荷電粒子線描画用デー
タ作成方法は図９の計算機（コンピュータ）１４にて実
行されることになる。
に従って説明する。図１は本発明の荷電粒子線描画用デ
ータ作成方法の第１の実施の形態を示したフローチャー
トで、描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違
ないかどうかを検証し、異常があった場合は補償するデ
ータを発生させる過程を示したフローチャートである。
但し、本発明の荷電粒子線描画用データ作成方法を適用
する荷電粒子線描画装置の構成は図９に示した従来例と
同一であるため、以下の全ての実施の形態において図示
は省略する。尚、本発明に関わる荷電粒子線描画用デー
タ作成方法は図９の計算機（コンピュータ）１４にて実
行されることになる。
【００１５】ここではＣＡＤデータ００を変換して得ら
れる描画用パターンデータをＥＢデータ０と称する。ま
ず、ＣＡＤデータ００とＥＢデータ０の間で排他的論理
和（ｅｏｒ）をとり、ｅｏｒデータ（フロー１９）を得
る。次にｅｏｒデータの図形数が０かどうかを判断し
（フロー２１）、もし、図形数が０であればＥＢデータ
０が正常であると判断し、ＥＢデータ０を描画用データ
として出力する（フロー２１）。
れる描画用パターンデータをＥＢデータ０と称する。ま
ず、ＣＡＤデータ００とＥＢデータ０の間で排他的論理
和（ｅｏｒ）をとり、ｅｏｒデータ（フロー１９）を得
る。次にｅｏｒデータの図形数が０かどうかを判断し
（フロー２１）、もし、図形数が０であればＥＢデータ
０が正常であると判断し、ＥＢデータ０を描画用データ
として出力する（フロー２１）。
【００１６】もし、フロー１９で図形数が０でなけれ
ば、ＥＢデータ０に異常があると判断して補償データの
発生フローに移行し、ＥＢデータ０にｅｏｒデータを加
算して、補償データ（描画用データ）を発生して（フロ
ー２２）、処理を終了する。
ば、ＥＢデータ０に異常があると判断して補償データの
発生フローに移行し、ＥＢデータ０にｅｏｒデータを加
算して、補償データ（描画用データ）を発生して（フロ
ー２２）、処理を終了する。
【００１７】図２はＣＡＤデータから描画用パターンデ
ータに変換する場合にパターン抜けが発生した場合を説
明する図である。このような場合に上記した荷電粒子線
描画用データ作成方法を適用して、ＣＡＤデータ１８を
描画データに変換すると、ＥＢデータ１９ａ（ＥＢデー
タ０）が発生する。上記フロー１９で、ＣＡＤデータ１
８とＥＢデータ１９ａの排他的論理和をとると、この排
他的論理和演算の結果、ｅｏｒデータとしてパターン抜
けが発生した箇所の図形２０ａが抽出される。次にフロ
ー２２でＥＢデータ１９ａとｅｏｒデータ２０ａの両者
を描画用データとして出力することにより、ＣＡＤデー
タ１８と相違ない描画用データ２５ａが得られ、パター
ン抜けの不良を補償することができる。
ータに変換する場合にパターン抜けが発生した場合を説
明する図である。このような場合に上記した荷電粒子線
描画用データ作成方法を適用して、ＣＡＤデータ１８を
描画データに変換すると、ＥＢデータ１９ａ（ＥＢデー
タ０）が発生する。上記フロー１９で、ＣＡＤデータ１
８とＥＢデータ１９ａの排他的論理和をとると、この排
他的論理和演算の結果、ｅｏｒデータとしてパターン抜
けが発生した箇所の図形２０ａが抽出される。次にフロ
ー２２でＥＢデータ１９ａとｅｏｒデータ２０ａの両者
を描画用データとして出力することにより、ＣＡＤデー
タ１８と相違ない描画用データ２５ａが得られ、パター
ン抜けの不良を補償することができる。
【００１８】図３は本発明の荷電粒子線描画用データ作
成方法の第２の実施の形態を示したフローチャートで、
描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違ないか
どうかを検証し、異常があった場合は補償するデータを
発生させる過程を示したフローチャートである。ここで
は、ＣＡＤデータ００を変換して得られる描画用パター
ンデータをＥＢデータ０と称する。まず、ＣＡＤデータ
００とＥＢデータ０の間で排他的論理和（ｅｏｒ）をと
って、ｅｏｒデータを得る（フロー１９）。次にｅｏｒ
データの図形数が０かどうかを判断し（フロー２０）、
もし図形数が０であればＥＢデータ０が正常であると判
断し、ＥＢデータ０を描画用データとして出力する（フ
ロー２１）。もし図形数が０でなければ、ＥＢデータ０
に異常があると判断し、補償データの発生フロー２２に
入る。
成方法の第２の実施の形態を示したフローチャートで、
描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違ないか
どうかを検証し、異常があった場合は補償するデータを
発生させる過程を示したフローチャートである。ここで
は、ＣＡＤデータ００を変換して得られる描画用パター
ンデータをＥＢデータ０と称する。まず、ＣＡＤデータ
００とＥＢデータ０の間で排他的論理和（ｅｏｒ）をと
って、ｅｏｒデータを得る（フロー１９）。次にｅｏｒ
データの図形数が０かどうかを判断し（フロー２０）、
もし図形数が０であればＥＢデータ０が正常であると判
断し、ＥＢデータ０を描画用データとして出力する（フ
ロー２１）。もし図形数が０でなければ、ＥＢデータ０
に異常があると判断し、補償データの発生フロー２２に
入る。
【００１９】フロー２２で、ＣＡＤデータとｅｏｒデー
タの論理積演算（ａｎｄ）をとることにより、存在すべ
きパターンのみで構成されるパッチデータが抽出され
る。次にＥＢデータ０とｅｏｒデータ間で論理差演算
（ｓｕｂ）をとることにより、ＥＢデータ１を発生させ
る（フロー２３）。このＥＢデータ１に上記したパッチ
データを加算したデータを作成し、これを描画用データ
として出力することにより（フロー２４）、処理を終了
する。
タの論理積演算（ａｎｄ）をとることにより、存在すべ
きパターンのみで構成されるパッチデータが抽出され
る。次にＥＢデータ０とｅｏｒデータ間で論理差演算
（ｓｕｂ）をとることにより、ＥＢデータ１を発生させ
る（フロー２３）。このＥＢデータ１に上記したパッチ
データを加算したデータを作成し、これを描画用データ
として出力することにより（フロー２４）、処理を終了
する。
【００２０】図４はＣＡＤデータから描画用パターンデ
ータに変換する場合に位置のシフトが発生した場合を説
明する図である。このような場合に、上記した荷電粒子
線描画用データ作成方法を適用して、ＣＡＤデータ１８
を描画データに変換すると、ＥＢデータ１９ｂ（ＥＢデ
ータ０）が発生する。上記フロー１９で、ＣＡＤデータ
１８とＥＢデータ１９ｂの排他的論理和をとると、排他
的論理和演算の結果、ｅｏｒデータとして、本来存在す
るべきパターン２０ｂと、存在してはいけないパターン
２０ｄが抽出される。
ータに変換する場合に位置のシフトが発生した場合を説
明する図である。このような場合に、上記した荷電粒子
線描画用データ作成方法を適用して、ＣＡＤデータ１８
を描画データに変換すると、ＥＢデータ１９ｂ（ＥＢデ
ータ０）が発生する。上記フロー１９で、ＣＡＤデータ
１８とＥＢデータ１９ｂの排他的論理和をとると、排他
的論理和演算の結果、ｅｏｒデータとして、本来存在す
るべきパターン２０ｂと、存在してはいけないパターン
２０ｄが抽出される。
【００２１】さらにＣＡＤデータとｅｏｒデータの論理
積演算（ａｎｄ）をとる（フロー２２）ことにより、存
在すべきパターン２０ｂ（パッチデータ）のみが抽出さ
れる。次にＥＢデータ１９ｂとｅｏｒデータ２０ｂ，２
０ｄ間で論理差演算（ｓｕｂ）をとり、ＥＢデータ２３
ｂを発生させる（フロー２３）。このＥＢデータ２３ｂ
とパッチデータ２０ｂの両者を加算したデータを描画用
データとして出力することにより、ＣＡＤデータと相違
ない描画用データ２５ｂが得られ（フロー２４）、ＣＡ
Ｄデータと相違ない描画用データが得られ、位置シフト
の不良を補償することができる。
積演算（ａｎｄ）をとる（フロー２２）ことにより、存
在すべきパターン２０ｂ（パッチデータ）のみが抽出さ
れる。次にＥＢデータ１９ｂとｅｏｒデータ２０ｂ，２
０ｄ間で論理差演算（ｓｕｂ）をとり、ＥＢデータ２３
ｂを発生させる（フロー２３）。このＥＢデータ２３ｂ
とパッチデータ２０ｂの両者を加算したデータを描画用
データとして出力することにより、ＣＡＤデータと相違
ない描画用データ２５ｂが得られ（フロー２４）、ＣＡ
Ｄデータと相違ない描画用データが得られ、位置シフト
の不良を補償することができる。
【００２２】図５は本発明の荷電粒子線描画用データ作
成方法の第３の実施の形態を示したフローチャートで、
描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違ないか
どうかを検証し、異常があった場合は補償するデータを
発生させる過程を示したフローチャートである。ここで
は、ＣＡＤデータ００を変換して得られる描画用パター
ンデータをＥＢデータ０と称する。
成方法の第３の実施の形態を示したフローチャートで、
描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違ないか
どうかを検証し、異常があった場合は補償するデータを
発生させる過程を示したフローチャートである。ここで
は、ＣＡＤデータ００を変換して得られる描画用パター
ンデータをＥＢデータ０と称する。
【００２３】まず、ＣＡＤデータ００とＥＢデータ０の
間で排他的論理和（ｅｏｒ）をとって、ｅｏｒデータを
得る（フロー１９）。次にｅｏｒデータの図形数が０か
どうかを判断し（フロー２０）、もし図形数が０であれ
ばＥＢデータ０が正常であると判断し、ＥＢデータ０を
描画用データとして出力するして（フロー２１）、処理
を終了する。もし図形数が０でなければ、ＥＢデータ０
に異常があると判断し、補償データの発生フロー２２に
入る。フロー２２では、ＥＢデータ０とｅｏｒデータの
論理差演算を行い、ＥＢデータ１を発生し、このＥＢデ
ータ１を描画用データとして出力して（フロー２３）、
処理を終了する。
間で排他的論理和（ｅｏｒ）をとって、ｅｏｒデータを
得る（フロー１９）。次にｅｏｒデータの図形数が０か
どうかを判断し（フロー２０）、もし図形数が０であれ
ばＥＢデータ０が正常であると判断し、ＥＢデータ０を
描画用データとして出力するして（フロー２１）、処理
を終了する。もし図形数が０でなければ、ＥＢデータ０
に異常があると判断し、補償データの発生フロー２２に
入る。フロー２２では、ＥＢデータ０とｅｏｒデータの
論理差演算を行い、ＥＢデータ１を発生し、このＥＢデ
ータ１を描画用データとして出力して（フロー２３）、
処理を終了する。
【００２４】図６はＣＡＤデータから描画用データに変
換する場合に余剰パターンの発生があった場合を説明す
る図である。このような場合に上記した荷電粒子線描画
用データ作成方法を適用して、ＣＡＤデータ１８を描画
データに変換すると、ＥＢデータ１９ｃ（ＥＢデータ
０）が発生する。上記フロー１９で、ＣＡＤデータ１８
とＥＢデータ１９ｃの排他的論理和をとると、排他的論
理和演算の結果、ｅｏｒデータとして、異常発生したパ
ターン２０ｃが抽出される。次にＥＢデータ１９ｃとｅ
ｏｒデータ２０ｃ間で論理差演算（ｓｕｂ）をとり（フ
ロー２２）、ＥＢデータ２３ｃを発生させる。ＥＢデー
タ２３ｃはＣＡＤパターンと相違ないパターンであり、
これをそのまま描画用データとして出力することにより
（フロー２３）、余剰パターン発生の不良を補償するこ
とができる。
換する場合に余剰パターンの発生があった場合を説明す
る図である。このような場合に上記した荷電粒子線描画
用データ作成方法を適用して、ＣＡＤデータ１８を描画
データに変換すると、ＥＢデータ１９ｃ（ＥＢデータ
０）が発生する。上記フロー１９で、ＣＡＤデータ１８
とＥＢデータ１９ｃの排他的論理和をとると、排他的論
理和演算の結果、ｅｏｒデータとして、異常発生したパ
ターン２０ｃが抽出される。次にＥＢデータ１９ｃとｅ
ｏｒデータ２０ｃ間で論理差演算（ｓｕｂ）をとり（フ
ロー２２）、ＥＢデータ２３ｃを発生させる。ＥＢデー
タ２３ｃはＣＡＤパターンと相違ないパターンであり、
これをそのまま描画用データとして出力することにより
（フロー２３）、余剰パターン発生の不良を補償するこ
とができる。
【００２５】図７は本発明の荷電粒子線描画用データ作
成方法の第４の実施の形態を示したフローチャートで、
描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違ないか
どうかを検証し、異常があった場合は補償するデータを
発生させる過程を示したフローチャートである。ここで
は、ＣＡＤデータ００を変換して得られる描画用パター
ンデータをＥＢデータ０と称する。
成方法の第４の実施の形態を示したフローチャートで、
描画用パターンデータが元のＣＡＤデータと相違ないか
どうかを検証し、異常があった場合は補償するデータを
発生させる過程を示したフローチャートである。ここで
は、ＣＡＤデータ００を変換して得られる描画用パター
ンデータをＥＢデータ０と称する。
【００２６】まず、ＣＡＤデータ００とＥＢデータ０の
間で排他的論理和（ｅｏｒ）をとって、ｅｏｒデータを
得る（フロー１９）。次にｅｏｒデータの図形数が０か
どうかを判断し（フロー２０）、もし図形数が０であれ
ばＥＢデータ０が正常であると判断し、ＥＢデータ０を
描画用データとして出力して（フロー２１）、処理を終
了する。もし図形数が０でなければ、ＥＢデータ０に異
常があると判断し、補償データの発生フロー２２に入
る。
間で排他的論理和（ｅｏｒ）をとって、ｅｏｒデータを
得る（フロー１９）。次にｅｏｒデータの図形数が０か
どうかを判断し（フロー２０）、もし図形数が０であれ
ばＥＢデータ０が正常であると判断し、ＥＢデータ０を
描画用データとして出力して（フロー２１）、処理を終
了する。もし図形数が０でなければ、ＥＢデータ０に異
常があると判断し、補償データの発生フロー２２に入
る。
【００２７】ＣＡＤデータ００とｅｏｒデータの間で論
理積演算（ａｎｄ）をとると、その結果、パッチデータ
が発生する（フロー２２）。次にＥＢデータ０とｅｏｒ
データ間で論理差演算（ｓｕｂ）をとり、ＥＢデータ１
を発生する（フロー２３）。さらに各不良モードを識別
するために、パッチデータの図形数が０かどうかを判断
する（フロー２４）。もし、パッチデータの図形数が０
であれば、ｍｏｄｅ３の（余剰パターンの発生）と判断
し、ＥＢデータ１を描画データとして採用する（フロー
２５）。もし、パッチデータの図形数が０でなければｍ
ｏｄｅ１の（パターン抜け）、或いはｍｏｄｅ２の（位
置シフト）と判断し、ＥＢデータ１とパッチデータの両
者を加算したデータを描画データとして出力する（フロ
ー２６）。
理積演算（ａｎｄ）をとると、その結果、パッチデータ
が発生する（フロー２２）。次にＥＢデータ０とｅｏｒ
データ間で論理差演算（ｓｕｂ）をとり、ＥＢデータ１
を発生する（フロー２３）。さらに各不良モードを識別
するために、パッチデータの図形数が０かどうかを判断
する（フロー２４）。もし、パッチデータの図形数が０
であれば、ｍｏｄｅ３の（余剰パターンの発生）と判断
し、ＥＢデータ１を描画データとして採用する（フロー
２５）。もし、パッチデータの図形数が０でなければｍ
ｏｄｅ１の（パターン抜け）、或いはｍｏｄｅ２の（位
置シフト）と判断し、ＥＢデータ１とパッチデータの両
者を加算したデータを描画データとして出力する（フロ
ー２６）。
【００２８】図８は上記した実施の形態１〜実施の形態
３で述べた不良がＥＢデータ０にすべて含まれている場
合を説明する図である。即ちパターン抜け、位置シフ
ト、及び余剰パターンの発生があった場合である。この
ような場合に上記した荷電粒子線描画用データ作成方法
を適用して、ＣＡＤデータ１８を描画データに変換する
と、ＥＢデータ１９ｃ（ＥＢデータ０）が発生する。上
記フロー１９で、ＣＡＤデータ１８とＥＢデータ１９ｃ
の排他的論理和をとると、排他的論理和演算の結果、ｅ
ｏｒデータとして、パターン抜け、位置シフト及び余剰
パターンの発生のいずれかひとつ以上が発生する。即
ち、パターン抜けの場合はｅｏｒデータ２０ａが、位置
シフトの場合はｅｏｒデータ２０ｂ、２０ｄが及び余剰
パターンの発生の場合はｅｏｒデータ２０ｃが発生す
る。
３で述べた不良がＥＢデータ０にすべて含まれている場
合を説明する図である。即ちパターン抜け、位置シフ
ト、及び余剰パターンの発生があった場合である。この
ような場合に上記した荷電粒子線描画用データ作成方法
を適用して、ＣＡＤデータ１８を描画データに変換する
と、ＥＢデータ１９ｃ（ＥＢデータ０）が発生する。上
記フロー１９で、ＣＡＤデータ１８とＥＢデータ１９ｃ
の排他的論理和をとると、排他的論理和演算の結果、ｅ
ｏｒデータとして、パターン抜け、位置シフト及び余剰
パターンの発生のいずれかひとつ以上が発生する。即
ち、パターン抜けの場合はｅｏｒデータ２０ａが、位置
シフトの場合はｅｏｒデータ２０ｂ、２０ｄが及び余剰
パターンの発生の場合はｅｏｒデータ２０ｃが発生す
る。
【００２９】その後、ＣＡＤデータ１８とｅｏｒデータ
（２０ａ〜２０ｃ）の間で論理積演算（ａｎｄ）をとる
（フロー２２）。その結果、ｍｏｄｅ１（抜け）の不良
を持ったパターンに対してはｅｏｒデータと同様のパッ
チデータ２２ａが発生する。ｍｏｄｅ２（シフト）の不
良を持ったパターンに対しては、本来存在すべきパター
ン２０ｂが抽出される。ｍｏｄｅ３（発生）の不良を持
ったパターンに対しては、ＣＡＤデータ１８とｅｏｒデ
ータ２０ｃ間に共通の部分が存在しないので何も残らな
い．次にＥＢデータ０（１９ａ〜１９ｃ）とｅｏｒデー
タ（２０ａ〜２０ｄ）間で論理差演算（ＳＵｂ）をとる
（フロー２３）。その結果、ｍｏｄｅ１（抜け）の不良
を持ったパターンに対してはＥＢデータ０（１９ａ）と
同じパターン（２３ａ）が発生する。ｍｏｄｅ２（シフ
ト）の不良を持ったパターンに対しては、ＣＡＤデータ
１８から本来存在すべきパターン２０ｂを差し引いたパ
ターン２３ｂが発生する。ｍｏｄｅ３（発生）の不良を
持ったパターンに対しては、ＣＡＤデータと相違ないパ
ターン２３ｃが発生する。さらに各不良モードを識別す
るために、パッチデータの図形数が０かどうかを判断す
る（フロー２４）。
（２０ａ〜２０ｃ）の間で論理積演算（ａｎｄ）をとる
（フロー２２）。その結果、ｍｏｄｅ１（抜け）の不良
を持ったパターンに対してはｅｏｒデータと同様のパッ
チデータ２２ａが発生する。ｍｏｄｅ２（シフト）の不
良を持ったパターンに対しては、本来存在すべきパター
ン２０ｂが抽出される。ｍｏｄｅ３（発生）の不良を持
ったパターンに対しては、ＣＡＤデータ１８とｅｏｒデ
ータ２０ｃ間に共通の部分が存在しないので何も残らな
い．次にＥＢデータ０（１９ａ〜１９ｃ）とｅｏｒデー
タ（２０ａ〜２０ｄ）間で論理差演算（ＳＵｂ）をとる
（フロー２３）。その結果、ｍｏｄｅ１（抜け）の不良
を持ったパターンに対してはＥＢデータ０（１９ａ）と
同じパターン（２３ａ）が発生する。ｍｏｄｅ２（シフ
ト）の不良を持ったパターンに対しては、ＣＡＤデータ
１８から本来存在すべきパターン２０ｂを差し引いたパ
ターン２３ｂが発生する。ｍｏｄｅ３（発生）の不良を
持ったパターンに対しては、ＣＡＤデータと相違ないパ
ターン２３ｃが発生する。さらに各不良モードを識別す
るために、パッチデータの図形数が０かどうかを判断す
る（フロー２４）。
【００３０】もし、パッチデータの図形数が０であれ
ば、ｍｏｄｅ３（発生）と判断し、ＥＢデータ２３ｃを
描画データとして採用する。もし、パッチデータの図形
数が０でなければｍｏｄｅ１あるいはｍｏｄｅ２と判断
し、ＥＢデータ２３ａ、２３ｂとパッチデータ２２ａ、
２０ｂの両者を加算したデータ２５ａ或いは２５ｂを描
画データとして採用する（フロー２６）。
ば、ｍｏｄｅ３（発生）と判断し、ＥＢデータ２３ｃを
描画データとして採用する。もし、パッチデータの図形
数が０でなければｍｏｄｅ１あるいはｍｏｄｅ２と判断
し、ＥＢデータ２３ａ、２３ｂとパッチデータ２２ａ、
２０ｂの両者を加算したデータ２５ａ或いは２５ｂを描
画データとして採用する（フロー２６）。
【００３１】以上のフローにより、ｍｏｄｅ１〜ｍｏｄ
ｅ３の不良を持ったＥＢデータに対して、これらの不良
を補償するパターンデータを発生することが可能とな
り、データ変換時に発生するデータエラーに起因する歩
留まり低下を防止することが出来る。
ｅ３の不良を持ったＥＢデータに対して、これらの不良
を補償するパターンデータを発生することが可能とな
り、データ変換時に発生するデータエラーに起因する歩
留まり低下を防止することが出来る。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＡＤデータを描画装
置用パターンデータに変換する際に、演算エラーが発生
しても、これを補償するバターンデータを層間演算を用
いて自動的に発生させることができるので、迅速にエラ
ー修正が可能である．また、元のＣＡＤデータを操作し
ないので、新たな不良箇所を生成する可能性もない。以
上のことから半導体デバイスの断線、ショートを防止で
き、歩留まりの向上をもたらす。
置用パターンデータに変換する際に、演算エラーが発生
しても、これを補償するバターンデータを層間演算を用
いて自動的に発生させることができるので、迅速にエラ
ー修正が可能である．また、元のＣＡＤデータを操作し
ないので、新たな不良箇所を生成する可能性もない。以
上のことから半導体デバイスの断線、ショートを防止で
き、歩留まりの向上をもたらす。
【００３３】なお、ここでは電子線直描装置を例にして
説明したが、光露光用レチクル描画装置、いわゆるマス
ク描画装置に関しても本発明が適用できることはいうま
でもない．さらに荷電粒子線として電子線に限らずイオ
ンビームを用いた描画装置に関しても本発明が適用でき
ることはいうまでもない。
説明したが、光露光用レチクル描画装置、いわゆるマス
ク描画装置に関しても本発明が適用できることはいうま
でもない．さらに荷電粒子線として電子線に限らずイオ
ンビームを用いた描画装置に関しても本発明が適用でき
ることはいうまでもない。
【図１】本発明の荷電粒子線描画用データ作成方法の第
１の実施の形態を示したフローチャートである。
１の実施の形態を示したフローチャートである。
【図２】図１に示した第１の実施の形態の前記データ作
成方法を説明する説明図。
成方法を説明する説明図。
【図３】本発明の荷電粒子線描画用データ作成方法の第
２の実施の形態を示したフローチャートである。
２の実施の形態を示したフローチャートである。
【図４】図３に示した第２の実施の形態の前記データ作
成方法を説明する説明図。
成方法を説明する説明図。
【図５】本発明の荷電粒子線描画用データ作成方法の第
３の実施の形態を示したフローチャートである。
３の実施の形態を示したフローチャートである。
【図６】図５に示した第３の実施の形態の前記データ作
成方法を説明する説明図。
成方法を説明する説明図。
【図７】本発明の荷電粒子線描画用データ作成方法の第
４の実施の形態を示したフローチャートである。
４の実施の形態を示したフローチャートである。
【図８】図７に示した第４の実施の形態の前記データ作
成方法を説明する説明図。
成方法を説明する説明図。
【図９】従来の荷電粒子線描画装置の構成例を示す説明
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 電子銃 ２ ブランキング電極 ３ 第１アパーチャー ３Ａ 第１アパーチャー開口部 ４ 成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２アパーチャー ６Ａ、６Ｂ 第２アパーチャー開口部 ７ 縮小レンズ ８ 主偏向器 ９ 副偏向器 １０ 投影レンズ １１ 半導体ウエハ １１Ａ、１１Ｂ レジスト内の潜像 １２ 試料台 １３ 図形データ用メモリ １４ 計算機 １５ 記憶装置 １６ 制御装置 １７ 図形データ用メモリ １８ ＣＭＤデー夕 １９ 描画装置用パターンデータ １９ａ、１９ｂ、１９ｃ 異常描画装置用パターンデー
夕 ２０ 排他的論理和演算工程 ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ 抽出された異常部 ２１ 排他的論理和演算後の図形数判断工程 ２２ 論理積演算工程 ２２ａ 論理積演算工程後の抽出図形 ２３ 論理差演算工程 ２３ａ、２３ｂ 論理差演算工程後の抽出図形 ２４ 論理差演算後の図形数判断工程 ２３ｃ、２５ａ、２５ｂ 描画用パターンデータ ５０Ａ 矩形ビーム ５０Ｂ 可変成形ビーム
夕 ２０ 排他的論理和演算工程 ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ 抽出された異常部 ２１ 排他的論理和演算後の図形数判断工程 ２２ 論理積演算工程 ２２ａ 論理積演算工程後の抽出図形 ２３ 論理差演算工程 ２３ａ、２３ｂ 論理差演算工程後の抽出図形 ２４ 論理差演算後の図形数判断工程 ２３ｃ、２５ａ、２５ｂ 描画用パターンデータ ５０Ａ 矩形ビーム ５０Ｂ 可変成形ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (7)
- 【請求項１】 ＣＡＤデータを変換することにより、荷
電粒子を用いて微細パターンを形成する荷電粒子線描画
装置に用いる描画用パターンデータを作成する荷電粒子
線描画用データ作成方法にあって、 前記ＣＡＤデータと前記描画用パターンデータとの間に
相違があるかどうかを層間演算を用いて検証する検証過
程と、 この検証手段により前記ＣＡＤデータと描画装置用パタ
ーンデータに相違があると検証された場合、前記相違を
補償する描画パターンデータを層間演算を用いて発生す
る補償過程とを有することを特徴とする荷電粒子線描画
用データ作成方法。 - 【請求項２】 荷電粒子を用いて微細パターンを形成す
る荷電粒子線描画装置に用いるパターンデータの作成方
法であって、 元のＣＡＤデータと描画装置用パターンデータに相違が
あった場合に、層間演算を用いてこれを補償するパター
ンデータを発生させることを特徴とする荷電粒子線描画
用データ作成方法。 - 【請求項３】 上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターン抜けを持つ描画装置用パターンデ
ータ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程と、 パターン抜けを持った描画装置用パターンデータと上記
排他的論理和演算の結果得られたパターンデータの両者
を描画用パターンデータとして出力する工程を含むこと
を特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線描画用データ
作成方法。 - 【請求項４】 上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターンシフトを持つ描画装置用パターン
データ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程と、 元のＣＡＤデータと上記排他的論理和演算の結果得られ
たパターンデータ間で論理積演算（ａｎｄ）を行う工程
と、 パターンシフトを持つ描画装置用パターンデータと上記
排他的論理和演算の結果得られたパターンデータ間で論
理差演算（ｓｕｂ）を行う工程と、 上記論理差演算の結果得られたパターンデータと上記論
理積演算の結果得られたパターンデータの両者を描画用
パターンデータとして出力する工程を含むことを特徴と
する請求項２に記載の荷電粒子線描画用データ作成方
法。 - 【請求項５】 上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータと余剰発生パターンを持つ描画装置用パター
ンデータ間で排他的論理和演算（ｅｏｒ）を行う工程
と、 上記余剰発生パターンデータと上記排他的論理和演算の
結果得られたパターンデータ間で論理差演算（ｓｕｂ）
を行う工程と、 上記論理差演算の結果得られたパターンデータを描画用
パターンデータとして出力することを特徴とする請求項
２に記載の荷電粒子線描画用データ作成方法。 - 【請求項６】 上記補償データ発生手段として、元のＣ
ＡＤデータとパターン抜け、パターンシフト、余剰発生
パターンを持つ描画装置用パターンデータ間で排他的論
理演算（ｅｏｒ）を行う工程と、 元のＣＡＤデータと上記排他的論理和演算の結果得られ
たパターンーンデータ間で論理積演算（ａｎｄ）を行う
工程と、上記パターン抜け、パターンシフト、余剰発生
パターンを持つ描画装置用パターンデータと上記排他的
論理和演算の結果得られたパターンデータ間で論理差演
算（ＳＵｂ）を行う工程と、 上記論理積演算の結果得られたパターンデータの図形数
が０かどうかを判断する工程とを含み、 上記論理積演算の結果得られたパターンデータの図形数
が０であれば、上記論理差演算の結果得られたパターン
データを描画データとして出力し、上記論理積演算の結
果得られたパターンデータの図形数が０でなければ、上
記論理差演算の結果得られたパターンデータと上記論理
積演算の結果得られたパターンデータの両者を描画デー
タとして出力することを特徴とする上記請求項２に記載
の荷電粒子線描画用データ作成方法。 - 【請求項７】 コンピュータによってＣＡＤデータを変
換することにより、荷電粒子を用いて微細パターンを形
成する荷電粒子線描画装置に用いる荷電粒子線描画用デ
ータ作成プログラムを記録した記録媒体にあって、前記
ＣＡＤデータと前記描画用データとの間に相違があるか
どうかを層間演算を用いて検証する検証過程と、 この検証手段により前記ＣＡＤデータと前記描画用デー
タに相違があると検証された場合、前記相違を補償する
前記描画用データを層間演算を用いて発生する補償過程
とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録
した機械読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22209497A JP3045114B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 荷電粒子線描画用データ作成方法並びに描画用パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体 |
| TW087113652A TW398026B (en) | 1997-08-19 | 1998-08-19 | Method of preparing charged particle beam drawing data and recording medium on which program thereof is recorded |
| KR1019980033556A KR100302940B1 (ko) | 1997-08-19 | 1998-08-19 | 하전 입자 빔 드로잉 데이터 작성 방법 및 그 작성 프로그램을기록한 기록 매체 |
| CNB981173527A CN1185684C (zh) | 1997-08-19 | 1998-08-19 | 预备带电粒子束绘图数据的方法 |
| US09/136,357 US6317866B1 (en) | 1997-08-19 | 1998-08-19 | Method of preparing charged particle beam drawing data and recording medium on which program thereof is recorded |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22209497A JP3045114B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 荷電粒子線描画用データ作成方法並びに描画用パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167634A JPH1167634A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3045114B2 true JP3045114B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=16777047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22209497A Expired - Fee Related JP3045114B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 荷電粒子線描画用データ作成方法並びに描画用パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6317866B1 (ja) |
| JP (1) | JP3045114B2 (ja) |
| KR (1) | KR100302940B1 (ja) |
| CN (1) | CN1185684C (ja) |
| TW (1) | TW398026B (ja) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001015421A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Canon Inc | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP4146059B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | キャラクタ抽出方法およびコンピュータ読取り可能な記録媒体 |
| JP4190739B2 (ja) | 2001-02-19 | 2008-12-03 | 日本電気株式会社 | 画像特徴量生成装置および方法、ならびに画像特徴量生成プログラムを記録した記憶媒体 |
| JP4647824B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-03-09 | 大日本印刷株式会社 | 描画図形データ作成装置 |
| US7448012B1 (en) | 2004-04-21 | 2008-11-04 | Qi-De Qian | Methods and system for improving integrated circuit layout |
| GB2415291B (en) * | 2004-06-15 | 2008-08-13 | Nanobeam Ltd | Charged particle beam system |
| JP4733065B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2011-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 描画データ検査方法および描画データ検査装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6229135A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Advantest Corp | 荷電粒子ビ−ム露光方法及びこの方法を用いた荷電粒子ビ−ム露光装置 |
| EP0433467B1 (en) * | 1989-12-18 | 1995-08-16 | International Business Machines Corporation | Fabrication of complementary patterns for exposing semiconductor chips with self-supporting masks |
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