JP3048287B2 - 磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録再生特性に
優れた磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造装置
に関する。
優れた磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は小型化、高密
度化の傾向にあり、従来の塗布型媒体の高密度化の限界
を越えるものとして金属薄膜型媒体が注目されている。
これに関しては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏから成る金属薄膜型媒
体がＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されている。薄
膜型磁性層の製造方法としては斜方蒸着法が知られてい
る。
度化の傾向にあり、従来の塗布型媒体の高密度化の限界
を越えるものとして金属薄膜型媒体が注目されている。
これに関しては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏから成る金属薄膜型媒
体がＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されている。薄
膜型磁性層の製造方法としては斜方蒸着法が知られてい
る。
【０００３】以下、図面を参照しながら従来の斜方蒸着
法の一例について説明する。図５に従来の斜方蒸着を行
なう連続真空蒸着装置の蒸着部の概略図を示す。図５に
おいて、10は高分子フィルム基板、11は円筒状キャン、
12は初期入射角を規定する遮蔽板、13は終期入射角を規
定する遮蔽板、14はガスを導入するノズル、15は蒸発
源、16はフリーローラである。蒸発源15からの蒸発原子
は遮蔽板12及び遮蔽板13の間の開口部を通過して、円筒
状キャンに沿って走行しつつある高分子フィルム基板10
上に堆積される。入射角は、蒸発原子と基板の法線との
成す角度で定義され、遮蔽板12によって初期入射角φｉ
が、また遮蔽板13によって終期入射角φｆが制御され規
定される。磁性層の磁気特性は、入射角の範囲やガスの
導入により制御される。
法の一例について説明する。図５に従来の斜方蒸着を行
なう連続真空蒸着装置の蒸着部の概略図を示す。図５に
おいて、10は高分子フィルム基板、11は円筒状キャン、
12は初期入射角を規定する遮蔽板、13は終期入射角を規
定する遮蔽板、14はガスを導入するノズル、15は蒸発
源、16はフリーローラである。蒸発源15からの蒸発原子
は遮蔽板12及び遮蔽板13の間の開口部を通過して、円筒
状キャンに沿って走行しつつある高分子フィルム基板10
上に堆積される。入射角は、蒸発原子と基板の法線との
成す角度で定義され、遮蔽板12によって初期入射角φｉ
が、また遮蔽板13によって終期入射角φｆが制御され規
定される。磁性層の磁気特性は、入射角の範囲やガスの
導入により制御される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の装置では、蒸発レートを高くしたり、長時間蒸着
を行なうと、初期入射側の遮蔽板12においては円筒状キ
ャン11との隙間に結晶粒が形成され、高分子フィルム基
板10に傷が入ることがあった。そのため、遮蔽板12を円
筒状キャン11から離して、傷が入らないように対策を取
っているが、保磁力や角形比が低くなり、磁気記録媒体
として充分な特性が得られないという問題があった。
従来の装置では、蒸発レートを高くしたり、長時間蒸着
を行なうと、初期入射側の遮蔽板12においては円筒状キ
ャン11との隙間に結晶粒が形成され、高分子フィルム基
板10に傷が入ることがあった。そのため、遮蔽板12を円
筒状キャン11から離して、傷が入らないように対策を取
っているが、保磁力や角形比が低くなり、磁気記録媒体
として充分な特性が得られないという問題があった。
【０００５】本発明は前記問題を解決し、充分な磁気特
性を確保しながら、大量生産に耐え得る磁気記録媒体の
製造装置を提供することを目的とする。
性を確保しながら、大量生産に耐え得る磁気記録媒体の
製造装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的達成の
ために、第１発明として、円筒状キャンの周面に沿って
走行する高分子フィルム基板上に、連続真空蒸着装置を
用いて斜方蒸着法により磁性層を設ける磁気記録媒体の
製造装置において、前記高分子フィルム基板に対する蒸
発原子の初期入射角を規定する第１遮蔽板と、前記高分
子フィルム基板の走行上流側に位置し、前記第１遮蔽板
により規定される初期入射角を変更することなく前記円
筒状キャンの周面の初期入射部に近接させた第２遮蔽板
とを配設した磁気記録媒体の製造装置とした。
ために、第１発明として、円筒状キャンの周面に沿って
走行する高分子フィルム基板上に、連続真空蒸着装置を
用いて斜方蒸着法により磁性層を設ける磁気記録媒体の
製造装置において、前記高分子フィルム基板に対する蒸
発原子の初期入射角を規定する第１遮蔽板と、前記高分
子フィルム基板の走行上流側に位置し、前記第１遮蔽板
により規定される初期入射角を変更することなく前記円
筒状キャンの周面の初期入射部に近接させた第２遮蔽板
とを配設した磁気記録媒体の製造装置とした。
【０００７】また、第２発明として、第２遮蔽板を複数
配設した磁気記録媒体の製造装置とした。さらに、第３
発明として、第１遮蔽板と蒸発源との間に位置し、前記
第１遮蔽板により規定される初期入射角を変更すること
なく前記第１遮蔽板への蒸発原子の付着を抑制する第３
遮蔽板を配設した磁気記録媒体の製造装置とした。
配設した磁気記録媒体の製造装置とした。さらに、第３
発明として、第１遮蔽板と蒸発源との間に位置し、前記
第１遮蔽板により規定される初期入射角を変更すること
なく前記第１遮蔽板への蒸発原子の付着を抑制する第３
遮蔽板を配設した磁気記録媒体の製造装置とした。
【０００８】
【作用】第１発明では、第１遮蔽板に規定されている蒸
発原子の初期入射角を変更することなく、初期入射部に
近接して設けた第２遮蔽板により、蒸発原子のうち散乱
された原子が高分子フィルム基板へ付着するのを抑制す
ることができる。また、第２発明では、複数の第２遮蔽
板を設けることにより、高分子フィルム基板への散乱蒸
発原子の付着を充分に抑制できる。
発原子の初期入射角を変更することなく、初期入射部に
近接して設けた第２遮蔽板により、蒸発原子のうち散乱
された原子が高分子フィルム基板へ付着するのを抑制す
ることができる。また、第２発明では、複数の第２遮蔽
板を設けることにより、高分子フィルム基板への散乱蒸
発原子の付着を充分に抑制できる。
【０００９】さらに、第３発明では、第３遮蔽板を第１
遮蔽板と蒸発源との間に設けたので、第１遮蔽板への蒸
発原子の付着を防止すると共に散乱蒸発原子が高分子フ
ィルム基板へ付着するのを抑制できる。
遮蔽板と蒸発源との間に設けたので、第１遮蔽板への蒸
発原子の付着を防止すると共に散乱蒸発原子が高分子フ
ィルム基板へ付着するのを抑制できる。
【００１０】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて説明す
る。図１は第１発明の磁気記録媒体の製造装置の要部を
示すもので、斜方蒸着法によって磁性層を高分子フィル
ム基板上に形成する。図１において、１は高分子フィル
ム基板、２は円筒状キャン、３は蒸発源で、蒸発原子を
発する。４は第１遮蔽板で、蒸発源３から発した蒸発原
子の初期入射角を規定して高分子フィルム基板１上への
蒸発原子の付着を制御する。
る。図１は第１発明の磁気記録媒体の製造装置の要部を
示すもので、斜方蒸着法によって磁性層を高分子フィル
ム基板上に形成する。図１において、１は高分子フィル
ム基板、２は円筒状キャン、３は蒸発源で、蒸発原子を
発する。４は第１遮蔽板で、蒸発源３から発した蒸発原
子の初期入射角を規定して高分子フィルム基板１上への
蒸発原子の付着を制御する。
【００１１】５は第２遮蔽板で、第１遮蔽板４に対し前
記高分子フィルム基板１の走行上流側に位置し、第１遮
蔽板４により規定される初期入射角を変更することなく
円筒状キャン２の周面の初期入射部に近接した位置に設
けた。６は遮蔽板で、蒸発源３から発した蒸発原子の終
期入射角を規定する。７はノズルで、ガスを導入する。
８はフリーローラで、高分子フィルム基板１を円筒状キ
ャン２に案内する役割をもつ。
記高分子フィルム基板１の走行上流側に位置し、第１遮
蔽板４により規定される初期入射角を変更することなく
円筒状キャン２の周面の初期入射部に近接した位置に設
けた。６は遮蔽板で、蒸発源３から発した蒸発原子の終
期入射角を規定する。７はノズルで、ガスを導入する。
８はフリーローラで、高分子フィルム基板１を円筒状キ
ャン２に案内する役割をもつ。
【００１２】この第１遮蔽板４を用いて、従来技術の問
題点について検討した。すなわち、遮蔽板と円筒状キャ
ンとの距離と膜の磁気特性との関連を調べた。第１遮蔽
板４及び第２遮蔽板５の役割について図２に示した初期
入射部の拡大図で説明する。第１遮蔽板４と円筒状キャ
ン２との距離を図２に示すようにｄで定義した。初期入
射角φｉが一定となるように第１遮蔽板４を平行移動さ
せて距離ｄを変化させた。保磁力および角形比の距離ｄ
に対する依存性の一例を図３に示す。
題点について検討した。すなわち、遮蔽板と円筒状キャ
ンとの距離と膜の磁気特性との関連を調べた。第１遮蔽
板４及び第２遮蔽板５の役割について図２に示した初期
入射部の拡大図で説明する。第１遮蔽板４と円筒状キャ
ン２との距離を図２に示すようにｄで定義した。初期入
射角φｉが一定となるように第１遮蔽板４を平行移動さ
せて距離ｄを変化させた。保磁力および角形比の距離ｄ
に対する依存性の一例を図３に示す。
【００１３】図３において、○印は保磁力、□印は角形
比をあらわす。初期入射角φｉを７０゜、終期入射角φ
ｆを５０゜として作製したＣｏ−Ｏ膜についての例であ
る。図３からわかるように、距離ｄが大きいほど保磁力
および角形比が低下する。この原因として、蒸発原子の
散乱が考えられる。すなわち、第１遮蔽板４によって規
制された蒸発原子のうち散乱されている原子は、初期入
射角φｉが定義される円筒状キャン２の位置よりも更に
高入射角側に侵入し、高分子フィルム基板１に付着する
ものと考えられる。散乱で高分子フィルム基板１に付着
する原子は、入射角によって制御しようとする結晶の成
長を阻害するものであり、磁気異方性分散の増大につな
がるものと考えられるからである。
比をあらわす。初期入射角φｉを７０゜、終期入射角φ
ｆを５０゜として作製したＣｏ−Ｏ膜についての例であ
る。図３からわかるように、距離ｄが大きいほど保磁力
および角形比が低下する。この原因として、蒸発原子の
散乱が考えられる。すなわち、第１遮蔽板４によって規
制された蒸発原子のうち散乱されている原子は、初期入
射角φｉが定義される円筒状キャン２の位置よりも更に
高入射角側に侵入し、高分子フィルム基板１に付着する
ものと考えられる。散乱で高分子フィルム基板１に付着
する原子は、入射角によって制御しようとする結晶の成
長を阻害するものであり、磁気異方性分散の増大につな
がるものと考えられるからである。
【００１４】次に、第２遮蔽板５の役割について説明す
る。第２遮蔽板５は、上述の散乱原子の高分子フィルム
基板１への付着を抑制するものである。図４は初期入射
部の拡大図である。図４において、第２遮蔽板５は、初
期入射角φｉが定義される位置よりも基板走行上流側に
配設されており、かつ円筒状キャン２に近接している。
この様な位置に第２遮蔽板５を固定して、保磁力および
角形比の距離ｄに対する依存性を図３と同様に調べる
と、保磁力および角形比はほぼ一定となった。そして、
その値は、図３において確認された最小距離で得られた
値にほぼ等しくなった。この結果は、散乱原子の磁気特
性への影響を裏付けるものである。しかし、距離ｄが大
きくなると、第２遮蔽板５に付着する原子が急激に増加
し、高分子フィルム基板１に傷をつける結果となる。そ
こで、第２発明として、図４における第１遮蔽板４と第
２遮蔽板５との間に更に遮蔽板を配設することとした。
ここで増配設される遮蔽板も、散乱蒸発原子流を遮蔽す
ると言う意味で、第２遮蔽板に分類される。
る。第２遮蔽板５は、上述の散乱原子の高分子フィルム
基板１への付着を抑制するものである。図４は初期入射
部の拡大図である。図４において、第２遮蔽板５は、初
期入射角φｉが定義される位置よりも基板走行上流側に
配設されており、かつ円筒状キャン２に近接している。
この様な位置に第２遮蔽板５を固定して、保磁力および
角形比の距離ｄに対する依存性を図３と同様に調べる
と、保磁力および角形比はほぼ一定となった。そして、
その値は、図３において確認された最小距離で得られた
値にほぼ等しくなった。この結果は、散乱原子の磁気特
性への影響を裏付けるものである。しかし、距離ｄが大
きくなると、第２遮蔽板５に付着する原子が急激に増加
し、高分子フィルム基板１に傷をつける結果となる。そ
こで、第２発明として、図４における第１遮蔽板４と第
２遮蔽板５との間に更に遮蔽板を配設することとした。
ここで増配設される遮蔽板も、散乱蒸発原子流を遮蔽す
ると言う意味で、第２遮蔽板に分類される。
【００１５】次に、第３発明を説明する。図１中の９は
第３遮蔽板で、第１遮蔽板４と蒸発源３との間に位置
し、第１遮蔽板４により規定される初期入射角を変更す
ることなく第１遮蔽板４への蒸発原子の付着を抑制する
役割をもつ。第３遮蔽板９は、蒸発原子が第１遮蔽板４
に付着するのを抑制するものである。第３遮蔽板９は、
蒸発源に最も近いので、輻射熱の影響が大きくかつ堆積
量も多量となる。従って、強固な部材で構成し、水冷等
の対策が必要である。さらに、蒸着中に、堆積量の増加
により初期入射角が変化しないように、後退機構を付加
することが望ましい。
第３遮蔽板で、第１遮蔽板４と蒸発源３との間に位置
し、第１遮蔽板４により規定される初期入射角を変更す
ることなく第１遮蔽板４への蒸発原子の付着を抑制する
役割をもつ。第３遮蔽板９は、蒸発原子が第１遮蔽板４
に付着するのを抑制するものである。第３遮蔽板９は、
蒸発源に最も近いので、輻射熱の影響が大きくかつ堆積
量も多量となる。従って、強固な部材で構成し、水冷等
の対策が必要である。さらに、蒸着中に、堆積量の増加
により初期入射角が変化しないように、後退機構を付加
することが望ましい。
【００１６】さらに、第１発明、第２発明及び第３発明
において述べた３種の遮蔽板を併用することで優れた磁
気特性を有する磁気記録媒体を量産することが可能とな
る。図１に示した本発明の一実施例としての磁気記録媒
体の製造装置を用いて、入射角の範囲を７０゜〜５０゜
とし、Ｃｏ−Ｏ膜を磁性層として成膜した。円筒状キャ
ン２の直径は１ｍであり、蒸発源３にＣｏを仕込み７０
ｋＷの電子ビームによって溶解した。ガス導入ノズル７
から毎分１．２リットルの酸素を導入した。高分子フィ
ルム基板１の走行速度は６０ｍ／分である。第１遮蔽板
４を、図２における距離ｄが１０ｍｍとなる位置に設
け、第２遮蔽板５を２枚用いた。１枚は図５における第
２遮蔽板５の位置で円筒状キャン２との隙間は１．５ｍ
ｍとした。もう１枚の第２遮蔽板は、図２における距離
ｄが４ｍｍとした。第３遮蔽板９は、第１遮蔽板４の下
方約２ｃｍに配置した。この状態で約３時間の蒸着を行
なった。その結果、長尺にわたってほぼ均一な磁気特性
の膜が傷無しに得られた。
において述べた３種の遮蔽板を併用することで優れた磁
気特性を有する磁気記録媒体を量産することが可能とな
る。図１に示した本発明の一実施例としての磁気記録媒
体の製造装置を用いて、入射角の範囲を７０゜〜５０゜
とし、Ｃｏ−Ｏ膜を磁性層として成膜した。円筒状キャ
ン２の直径は１ｍであり、蒸発源３にＣｏを仕込み７０
ｋＷの電子ビームによって溶解した。ガス導入ノズル７
から毎分１．２リットルの酸素を導入した。高分子フィ
ルム基板１の走行速度は６０ｍ／分である。第１遮蔽板
４を、図２における距離ｄが１０ｍｍとなる位置に設
け、第２遮蔽板５を２枚用いた。１枚は図５における第
２遮蔽板５の位置で円筒状キャン２との隙間は１．５ｍ
ｍとした。もう１枚の第２遮蔽板は、図２における距離
ｄが４ｍｍとした。第３遮蔽板９は、第１遮蔽板４の下
方約２ｃｍに配置した。この状態で約３時間の蒸着を行
なった。その結果、長尺にわたってほぼ均一な磁気特性
の膜が傷無しに得られた。
【００１７】上記においてはＣｏ−Ｏ膜について述べた
が、その他の磁性層についても斜方蒸着を行なう場合に
は、本発明が有効である。また、初期入射角が大きいほ
ど本発明が有効に働く。
が、その他の磁性層についても斜方蒸着を行なう場合に
は、本発明が有効である。また、初期入射角が大きいほ
ど本発明が有効に働く。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、上記のように斜方蒸着
法において、初期入射角が確実に保持され、蒸発原子の
散乱を防止して、高密度記録再生に適した優れた磁気特
性を有する磁性層が得られ長尺の磁気記録テープ媒体の
量産を容易にすることが可能となった。
法において、初期入射角が確実に保持され、蒸発原子の
散乱を防止して、高密度記録再生に適した優れた磁気特
性を有する磁性層が得られ長尺の磁気記録テープ媒体の
量産を容易にすることが可能となった。
【図１】本発明の実施例として示した磁気記録媒体の製
造装置の要部説明図
造装置の要部説明図
【図２】本発明の初期入射部分の拡大説明図
【図３】距離ｄと保磁力および角形比との関係を示す図
【図４】本発明の磁気記録媒体の製造装置の初期入射部
分の拡大図
分の拡大図
【図５】従来の磁気記録媒体の製造装置の一例を示す要
部説明図
部説明図
１ 高分子フィルム基板 ２ 円筒状キャン ３ 蒸発源 ４ 第１遮蔽板 ５ 第２遮蔽板 ６ 遮蔽板 ９ 第３遮蔽板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/85 C23C 14/24
Claims (3)
- 【請求項１】 円筒状キャンの周面に沿って走行する高
分子フィルム基板上に、連続真空蒸着装置を用いて斜方
蒸着法により磁性層を設ける磁気記録媒体の製造装置に
おいて、前記高分子フィルム基板に対する蒸発原子の初
期入射角を規定する第１遮蔽板と、前記高分子フィルム
基板の走行上流側に位置し、前記第１遮蔽板により規定
される初期入射角を変更することなく前記円筒状キャン
の周面の初期入射部に近接させた第２遮蔽板とを配設し
たことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項２】 第２遮蔽板を複数配設したことを特徴と
する請求項１記載の磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項３】 第１遮蔽板と蒸発源との間に位置し、前
記第１遮蔽板により規定される初期入射角を変更するこ
となく前記第１遮蔽板への蒸発原子の付着を抑制する第
３遮蔽板を配設したことを特徴とする磁気記録媒体の製
造装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5061585A JP3048287B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 磁気記録媒体の製造装置 |
| EP94104380A EP0617414B1 (en) | 1993-03-22 | 1994-03-19 | Method and apparatus for producing magnetic recording medium |
| DE69419054T DE69419054T2 (de) | 1993-03-22 | 1994-03-19 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers |
| KR1019940005589A KR100223454B1 (ko) | 1993-03-22 | 1994-03-21 | 자기기록매체의 제조방법 및 제조장치 |
| US08/367,998 US5472506A (en) | 1993-03-22 | 1995-01-03 | Method and apparatus for producing magnetic recording medium |
| US08/367,996 US5458914A (en) | 1993-03-22 | 1995-01-03 | Method for producing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5061585A JP3048287B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06274877A JPH06274877A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3048287B2 true JP3048287B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=13175373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5061585A Expired - Fee Related JP3048287B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3048287B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-22 JP JP5061585A patent/JP3048287B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06274877A (ja) | 1994-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |