JP3069832B2 - テフロン加工装置 - Google Patents
テフロン加工装置Info
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- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 title claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
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- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テフロン加工装置に関
し、特に大面積加工が可能なテフロン加工装置に関す
る。
し、特に大面積加工が可能なテフロン加工装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】テフロン（ポリテトラフルオロエチレ
ン）に、シンクロトロン放射光（ＳＲ光）を照射する
と、アブレーションが生じる。このことを利用して、テ
フロンに様々なパターンを形成する方法が、発明者らに
よって提案されている（特願平６−３２７５４５号）。
その方法は、テフロン前面に金属製のマスクを配置し、
マスクを透過したＳＲ光をテフロンに照射して、テフロ
ンに部分的なアブレーションを引き起こして、パターン
を形成するというものである。なお、テフロンのアブレ
ーションに必要なエネルギーは、光子エネルギーで約１
ｋｅＶ以下である。
ン）に、シンクロトロン放射光（ＳＲ光）を照射する
と、アブレーションが生じる。このことを利用して、テ
フロンに様々なパターンを形成する方法が、発明者らに
よって提案されている（特願平６−３２７５４５号）。
その方法は、テフロン前面に金属製のマスクを配置し、
マスクを透過したＳＲ光をテフロンに照射して、テフロ
ンに部分的なアブレーションを引き起こして、パターン
を形成するというものである。なお、テフロンのアブレ
ーションに必要なエネルギーは、光子エネルギーで約１
ｋｅＶ以下である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】シンクロトロンから放
射されるＳＲ光は、水平方向（シンクロトロンのリング
軌道を含む平面内）に広がりを有し、垂直方向（シンク
ロトロンのリング軌道を含む平面に垂直な平面内）にほ
とんど広がりを持たない。例えば、ＳＲ光の水平方向の
幅が約３０mmとなる位置での、垂直方向の幅は約２〜５
mmである。このように、ＳＲ光は、垂直方向の幅が極め
て狭いため、従来のテフロン加工装置では、大面積にわ
たってテフロンを加工することができない、という問題
点がある。
射されるＳＲ光は、水平方向（シンクロトロンのリング
軌道を含む平面内）に広がりを有し、垂直方向（シンク
ロトロンのリング軌道を含む平面に垂直な平面内）にほ
とんど広がりを持たない。例えば、ＳＲ光の水平方向の
幅が約３０mmとなる位置での、垂直方向の幅は約２〜５
mmである。このように、ＳＲ光は、垂直方向の幅が極め
て狭いため、従来のテフロン加工装置では、大面積にわ
たってテフロンを加工することができない、という問題
点がある。
【０００４】本発明は、大面積のテフロン加工が可能な
テフロン加工装置を提供することを目的とする。
テフロン加工装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、放射光
を発生する放射光発生手段と、前記放射光を反射する反
射鏡と、該反射鏡を真空雰囲気下に置く反射鏡用真空槽
と、該反射鏡用真空槽を真空排気する第１の排気手段
と、前記反射鏡用真空槽に真空ダクトで連結され、被加
工材及びマスクを保持する加工用真空槽と、該加工用真
空槽を真空排気する第２の真空排気手段と、前記真空ダ
クト内に設けられ、前記反射鏡用真空槽と前記加工用真
空槽の間の通気を抑制するとともに、前記放射光を通過
させるオリフィスとを備え、該オリフィスが前記放射光
の光路形状に合わせて形成された開口部形状を有するこ
とを特徴とするテフロン加工装置。
を発生する放射光発生手段と、前記放射光を反射する反
射鏡と、該反射鏡を真空雰囲気下に置く反射鏡用真空槽
と、該反射鏡用真空槽を真空排気する第１の排気手段
と、前記反射鏡用真空槽に真空ダクトで連結され、被加
工材及びマスクを保持する加工用真空槽と、該加工用真
空槽を真空排気する第２の真空排気手段と、前記真空ダ
クト内に設けられ、前記反射鏡用真空槽と前記加工用真
空槽の間の通気を抑制するとともに、前記放射光を通過
させるオリフィスとを備え、該オリフィスが前記放射光
の光路形状に合わせて形成された開口部形状を有するこ
とを特徴とするテフロン加工装置。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１に本発明の第１の実施例を示す。図１
に示すように、本実施例のテフロン加工装置は、シンク
ロトロン放射光（ＳＲ光）を放射する放射光発生装置１
１、ミラー真空槽１２、平面ミラー１３、ミラー駆動機
構１４、真空排気ポンプ１５、真空ダクト１６、オリフ
ィス１７、加工用真空槽１８、及び真空排気ポンプ１９
を備えている。また、加工用真空槽１８の内部には、被
加工材であるテフロン２０とマスク２１とを保持する保
持具（図示せず）を有している。
て説明する。図１に本発明の第１の実施例を示す。図１
に示すように、本実施例のテフロン加工装置は、シンク
ロトロン放射光（ＳＲ光）を放射する放射光発生装置１
１、ミラー真空槽１２、平面ミラー１３、ミラー駆動機
構１４、真空排気ポンプ１５、真空ダクト１６、オリフ
ィス１７、加工用真空槽１８、及び真空排気ポンプ１９
を備えている。また、加工用真空槽１８の内部には、被
加工材であるテフロン２０とマスク２１とを保持する保
持具（図示せず）を有している。
【０００７】放射光発生装置１１のリング軌道は、図１
とは異なり、図の左右方向に平行で紙面に対して垂直な
平面内にあるものとする。したがって、図１の上下方向
が、ＳＲ光の垂直成分を表し、その成分は実質的に平行
光である。
とは異なり、図の左右方向に平行で紙面に対して垂直な
平面内にあるものとする。したがって、図１の上下方向
が、ＳＲ光の垂直成分を表し、その成分は実質的に平行
光である。
【０００８】平面ミラー１３は、例えばＰｔミラーであ
って、入射ＳＲ光が斜入射角αで入射するように傾けら
れている。また、平面ミラー１３は、ミラー駆動機構１
４により、入射ＳＲ光の光路に沿って平行移動し、反射
ＳＲ光の光路を移動させる。ここで、平面ミラーの移動
距離をｌとすると、反射ＳＲ光の光路は、距離ｂ＝ｌsi
n ２α、だけ移動する。
って、入射ＳＲ光が斜入射角αで入射するように傾けら
れている。また、平面ミラー１３は、ミラー駆動機構１
４により、入射ＳＲ光の光路に沿って平行移動し、反射
ＳＲ光の光路を移動させる。ここで、平面ミラーの移動
距離をｌとすると、反射ＳＲ光の光路は、距離ｂ＝ｌsi
n ２α、だけ移動する。
【０００９】加工用真空槽１８では、テフロン２０及び
マスク２１に平面ミラー１３からの反射光が垂直に入射
するように、テフロン２０及びマスク２１は、２αの角
度をもって保持されている。したがって、平面ミラー１
３の移動によって、テフロン２０の表面上に照射される
ＳＲ光は距離ｂだけ移動する。
マスク２１に平面ミラー１３からの反射光が垂直に入射
するように、テフロン２０及びマスク２１は、２αの角
度をもって保持されている。したがって、平面ミラー１
３の移動によって、テフロン２０の表面上に照射される
ＳＲ光は距離ｂだけ移動する。
【００１０】例えば、ＳＲ光の平面ミラー１３への入射
角αを１度（８０％程度の高反射率が得られる角度）、
平面ミラー１３の移動距離ｌを３００mmとすると、反射
ＳＲ光の光路は１０mm移動する。このとき、ＳＲ光の垂
直方向の幅ａを５mmとして、平面ミラー１３がすべての
ＳＲ光を反射するものとすると（長さｍが２８６mm以上
とすると）、ＳＲ光は、テフロン２０の表面上を幅１５
mmの範囲にわたって照射する。つまり、単に放射光発生
装置１１からのＳＲ光をテフロン２０に照射する場合に
比べ、３倍の範囲を照射することができる。
角αを１度（８０％程度の高反射率が得られる角度）、
平面ミラー１３の移動距離ｌを３００mmとすると、反射
ＳＲ光の光路は１０mm移動する。このとき、ＳＲ光の垂
直方向の幅ａを５mmとして、平面ミラー１３がすべての
ＳＲ光を反射するものとすると（長さｍが２８６mm以上
とすると）、ＳＲ光は、テフロン２０の表面上を幅１５
mmの範囲にわたって照射する。つまり、単に放射光発生
装置１１からのＳＲ光をテフロン２０に照射する場合に
比べ、３倍の範囲を照射することができる。
【００１１】本実施例のテフロン加工装置を用いてテフ
ロン加工を行う場合、ミラー真空槽１２と加工用真空槽
１８は、それぞれ真空排気ポンプ１５及び真空排気ポン
プ１９によって、所定の真空度まで真空排気される。と
ころが、加工を開始してアブレーションが生じると、加
工用真空槽１８の真空度は、２〜３桁悪化する。ミラー
真空槽１２と加工用真空槽１８とは、真空ダクト１６で
連結されているため、この真空度の悪化は、平面ミラー
１３の表面の汚染につながる。そこで、本実施例では、
このような汚染を最小限に抑えるために、平面ミラー１
３からの反射ＳＲ光を通過させるための必要最小限の開
口部を有するオリフィス１７を真空ダクト内に設け、ミ
ラー真空槽１２と加工用真空槽１８との間の通気を抑制
している。
ロン加工を行う場合、ミラー真空槽１２と加工用真空槽
１８は、それぞれ真空排気ポンプ１５及び真空排気ポン
プ１９によって、所定の真空度まで真空排気される。と
ころが、加工を開始してアブレーションが生じると、加
工用真空槽１８の真空度は、２〜３桁悪化する。ミラー
真空槽１２と加工用真空槽１８とは、真空ダクト１６で
連結されているため、この真空度の悪化は、平面ミラー
１３の表面の汚染につながる。そこで、本実施例では、
このような汚染を最小限に抑えるために、平面ミラー１
３からの反射ＳＲ光を通過させるための必要最小限の開
口部を有するオリフィス１７を真空ダクト内に設け、ミ
ラー真空槽１２と加工用真空槽１８との間の通気を抑制
している。
【００１２】なお、上記実施例では、入射ＳＲ光の光路
に平行に平面ミラーを移動させる場合について説明した
が、平面ミラーを光路に垂直（図の上下方向）に移動さ
せる用にしてもよい。ただし、この場合は、すべてのＳ
Ｒ光を反射するためには平面ミラーの長さｍを上記実施
例の２倍以上にする必要がある。
に平行に平面ミラーを移動させる場合について説明した
が、平面ミラーを光路に垂直（図の上下方向）に移動さ
せる用にしてもよい。ただし、この場合は、すべてのＳ
Ｒ光を反射するためには平面ミラーの長さｍを上記実施
例の２倍以上にする必要がある。
【００１３】また、上記実施例では、平面ミラーを用い
て、大面積加工を行う場合について説明したが、集光ミ
ラーを用いて、高速加工を行うようにすることもでき
る。
て、大面積加工を行う場合について説明したが、集光ミ
ラーを用いて、高速加工を行うようにすることもでき
る。
【００１４】次に本発明の第２の実施例について図２を
参照して説明する。ここで、第１の実施例と同一のもの
には同一番号を付し、その説明を省略する。
参照して説明する。ここで、第１の実施例と同一のもの
には同一番号を付し、その説明を省略する。
【００１５】本実施例のテフロン加工装置は、凸面鏡２
２を有している。この凸面鏡２２は、入射したＳＲ光を
発散させて、テフロン２０に照射させる。凸面鏡２２へ
の入射ＳＲ光の入射角αは、ＳＲ光の垂直方向にｘ軸を
想定し、下端を０とすれば、ｘの関数として、α（ｘ）
＝cos -1｛（ｒ−ｘ）／ｒ｝、で表わされる。ここで、
ｒは凸面鏡の曲率半径である。
２を有している。この凸面鏡２２は、入射したＳＲ光を
発散させて、テフロン２０に照射させる。凸面鏡２２へ
の入射ＳＲ光の入射角αは、ＳＲ光の垂直方向にｘ軸を
想定し、下端を０とすれば、ｘの関数として、α（ｘ）
＝cos -1｛（ｒ−ｘ）／ｒ｝、で表わされる。ここで、
ｒは凸面鏡の曲率半径である。
【００１６】凸面鏡２２から距離Ｌにあるテフロン２０
の表面上での発散ＳＲ光の幅は、ｃ−ａ、で与えられ、
距離ｃは、ｃ＝Ｌtan ２α、で与えられる。
の表面上での発散ＳＲ光の幅は、ｃ−ａ、で与えられ、
距離ｃは、ｃ＝Ｌtan ２α、で与えられる。
【００１７】ここで、入射ＳＲ光の垂直方向の幅ａを２
mmとし、凸面鏡２２へのＳＲ光の入射角α（２mm）を１
度（８０％程度の高反射率が得られる角度）とすると、
凸面鏡の曲率半径ｒは、１３．１ｍとなる。このとき、
凸面鏡２２の円弧（ＡＢ）の長さは２２８mmとなる。ま
た、距離Ｌを１ｍとすれば、発散ＳＲ光の幅（ｃ−ａ）
は、約３３mmとなる。したがって、本実施例のテフロン
加工装置を用いると、従来の加工装置（ＳＲ光の垂直方
向の幅が５mmの場合）に比べ、６倍以上の範囲にＳＲ光
を照射することができる。
mmとし、凸面鏡２２へのＳＲ光の入射角α（２mm）を１
度（８０％程度の高反射率が得られる角度）とすると、
凸面鏡の曲率半径ｒは、１３．１ｍとなる。このとき、
凸面鏡２２の円弧（ＡＢ）の長さは２２８mmとなる。ま
た、距離Ｌを１ｍとすれば、発散ＳＲ光の幅（ｃ−ａ）
は、約３３mmとなる。したがって、本実施例のテフロン
加工装置を用いると、従来の加工装置（ＳＲ光の垂直方
向の幅が５mmの場合）に比べ、６倍以上の範囲にＳＲ光
を照射することができる。
【００１８】なお、高速加工を必要とする場合には、凸
面鏡２２の曲率半径を大きくしてＳＲ光の発散度を抑え
てやれば良い。また、より広い範囲にＳＲ光を照射した
い場合には凸面鏡２２の曲率半径を小さくしてやれば良
い。
面鏡２２の曲率半径を大きくしてＳＲ光の発散度を抑え
てやれば良い。また、より広い範囲にＳＲ光を照射した
い場合には凸面鏡２２の曲率半径を小さくしてやれば良
い。
【００１９】最後に、本実施例のテフロン加工装置に使
用されるオリフィス１７を図３に示しておく。オリフィ
ス１７は、その厚みが真空ダクト１６の長さｄと等しい
場合、オリフィスの開口部の径を、真空ダクト１６の内
径（ここでは１００mm）の１／１０程度としてやれば、
ミラー真空槽１２と加工用真空槽１８との間に生じた２
桁程度の差圧を維持することができる。また、図３のよ
うに、オリフィスの開口部の形状をＳＲ光の光路形状に
合わせることにより、そのコンダクタンスをより向上さ
せることができる。
用されるオリフィス１７を図３に示しておく。オリフィ
ス１７は、その厚みが真空ダクト１６の長さｄと等しい
場合、オリフィスの開口部の径を、真空ダクト１６の内
径（ここでは１００mm）の１／１０程度としてやれば、
ミラー真空槽１２と加工用真空槽１８との間に生じた２
桁程度の差圧を維持することができる。また、図３のよ
うに、オリフィスの開口部の形状をＳＲ光の光路形状に
合わせることにより、そのコンダクタンスをより向上さ
せることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ミラーを用いてＳＲ光
の光路を変更したり、発散させたりするようにしたこと
で、単純な構成でありながら、テフロン表面の広い範囲
に放射光を照射することができ、テフロンの大面積加工
を実現できる。
の光路を変更したり、発散させたりするようにしたこと
で、単純な構成でありながら、テフロン表面の広い範囲
に放射光を照射することができ、テフロンの大面積加工
を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例の模式図である。
【図２】本発明の第２の実施例の模式図である。
【図３】図２のテフロン加工装置に使用されるオリフィ
スの（ａ）正面図及び（ｂ）縦断面図である。
スの（ａ）正面図及び（ｂ）縦断面図である。
１１ 放射光発生装置 １２ ミラー真空槽 １３ 平面ミラー １４ ミラー駆動機構 １５ 真空排気ポンプ １６ 真空ダクト １７ オリフィス １８ 加工用真空槽 １９ 真空排気ポンプ ２０ テフロン ２１ マスク ２２ 凸面鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 13/04 G21K 5/02
Claims (3)
- 【請求項１】 放射光を発生する放射光発生手段と、前
記放射光を反射する反射鏡と、該反射鏡を真空雰囲気下
に置く反射鏡用真空槽と、該反射鏡用真空槽を真空排気
する第１の排気手段と、前記反射鏡用真空槽に真空ダク
トで連結され、被加工材及びマスクを保持する加工用真
空槽と、該加工用真空槽を真空排気する第２の真空排気
手段と、前記真空ダクト内に設けられ、前記反射鏡用真
空槽と前記加工用真空槽の間の通気を抑制するととも
に、前記放射光を通過させるオリフィスとを備え、該オ
リフィスが前記放射光の光路形状に合わせて形成された
開口部形状を有することを特徴とするテフロン加工装
置。 - 【請求項２】 前記反射鏡が、平面鏡であって、前記放
射光の光路に沿って移動する移動手段に固定されている
ことを特徴とする請求項１のテフロン加工装置。 - 【請求項３】 前記反射鏡が凸面鏡で、前記オリフィス
が当該凸面鏡によって反射された前記放射光の光路形状
に合わせて、前記加工用真空槽側の開口が前記反射鏡用
真空槽側の開口よりも広くなるように形成されてること
を特徴とする請求項１のテフロン加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7091008A JP3069832B2 (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | テフロン加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7091008A JP3069832B2 (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | テフロン加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288099A JPH08288099A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3069832B2 true JP3069832B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=14014500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7091008A Expired - Fee Related JP3069832B2 (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | テフロン加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3069832B2 (ja) |
-
1995
- 1995-04-17 JP JP7091008A patent/JP3069832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08288099A (ja) | 1996-11-01 |
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|---|---|---|---|
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