JP3076187B2 - 外観検査装置および外観検査方法 - Google Patents
外観検査装置および外観検査方法Info
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 claims description 28
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 206010047531 Visual acuity reduced Diseases 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外観検査装置および外
観検査方法に関し、特に半導体集積回路の製造プロセス
に起因して生じたウェーハ上の不良の有無をチップ単位
で自動判定する外観検査装置および外観検査方法に関す
る。
観検査方法に関し、特に半導体集積回路の製造プロセス
に起因して生じたウェーハ上の不良の有無をチップ単位
で自動判定する外観検査装置および外観検査方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路が形成されたウェーハの外観検
査においては各種の不良の検査が行われる。検査内容
は、パターンの誤った切断、結合や寸法異常、形状不
良、未露光といった露光不良に起因する不具合、フォト
レジストの膜厚異常、塗布むら、レジスト未塗布等の塗
布不良、オーバー現像、アンダー現像、部分的未現像等
の現像不良、ウェーハ表面のキズ、ゴミの付着等のよう
に多種にわたっている。
査においては各種の不良の検査が行われる。検査内容
は、パターンの誤った切断、結合や寸法異常、形状不
良、未露光といった露光不良に起因する不具合、フォト
レジストの膜厚異常、塗布むら、レジスト未塗布等の塗
布不良、オーバー現像、アンダー現像、部分的未現像等
の現像不良、ウェーハ表面のキズ、ゴミの付着等のよう
に多種にわたっている。
【０００３】上述した検査項目のうち、パターンの誤っ
た切断、結合や寸法異常といった項目については通常パ
ターンマッチングという手法を用いなければ検査できな
いが、これ以外の項目についてはウェーハ表面にスポッ
トライト光を照射し、これにより発生する散乱光を用い
た目視検査による良否判定が可能である。そこで、ウェ
ーハの外観検査工程においては、従来よりパターンマッ
チングを用いた自動外観検査と目視検査とが併用されて
いる。目視による外観検査では、官能検査に伴う判断ミ
スや同じ作業者が長時間検査を続けることによる視力低
下等の問題が生じることがあり、半導体装置製造工程に
おける製品の品質の安定化と作業者の職場環境の改善を
図る意味から、目視検査工程の自動化は非常に重要な課
題の一つであった。
た切断、結合や寸法異常といった項目については通常パ
ターンマッチングという手法を用いなければ検査できな
いが、これ以外の項目についてはウェーハ表面にスポッ
トライト光を照射し、これにより発生する散乱光を用い
た目視検査による良否判定が可能である。そこで、ウェ
ーハの外観検査工程においては、従来よりパターンマッ
チングを用いた自動外観検査と目視検査とが併用されて
いる。目視による外観検査では、官能検査に伴う判断ミ
スや同じ作業者が長時間検査を続けることによる視力低
下等の問題が生じることがあり、半導体装置製造工程に
おける製品の品質の安定化と作業者の職場環境の改善を
図る意味から、目視検査工程の自動化は非常に重要な課
題の一つであった。
【０００４】そこで、ウェーハ上のゴミ、キズ等を自動
検査する装置として、様々な外観検査装置が案出され
た。例えば、特開平４−１６５６４１号公報に係る外観
検査装置は図４に示すように、可視光源１３および紫外
光源９と、これらの光源のうちのいずれかを選択するた
めのシャッタ１０ａおよび１０ｂと、光源から発せられ
た光をウェーハ１に照射するハーフミラー１１ａ、１１
ｂと、対物レンズ１４と、ウェーハ１において反射した
光を撮像する撮像カメラ１５と、撮像した画像を処理す
るイメージプロセッサ１６およびコンピュータ８と、処
理結果等を表示するディスプレイ１２とを備えて構成さ
れていた。このように構成された外観検査装置におい
て、光源９、１３からの光を対物レンズ１４を通しウェ
ーハ１表面に照射し、この正反射光を同一の対物レンズ
１４を通し撮像カメラ１５で取り込む。そして、コンピ
ュータ８は、撮像した画像をパターンマッチングにより
ウェーハ上の異なるチップの同一箇所の画像と比較して
異常の有無を判定していた。
検査する装置として、様々な外観検査装置が案出され
た。例えば、特開平４−１６５６４１号公報に係る外観
検査装置は図４に示すように、可視光源１３および紫外
光源９と、これらの光源のうちのいずれかを選択するた
めのシャッタ１０ａおよび１０ｂと、光源から発せられ
た光をウェーハ１に照射するハーフミラー１１ａ、１１
ｂと、対物レンズ１４と、ウェーハ１において反射した
光を撮像する撮像カメラ１５と、撮像した画像を処理す
るイメージプロセッサ１６およびコンピュータ８と、処
理結果等を表示するディスプレイ１２とを備えて構成さ
れていた。このように構成された外観検査装置におい
て、光源９、１３からの光を対物レンズ１４を通しウェ
ーハ１表面に照射し、この正反射光を同一の対物レンズ
１４を通し撮像カメラ１５で取り込む。そして、コンピ
ュータ８は、撮像した画像をパターンマッチングにより
ウェーハ上の異なるチップの同一箇所の画像と比較して
異常の有無を判定していた。
【０００５】また、特開平４−３１７３５１号公報に係
る外観検査装置は、検査光源２０と、ハーフミラー１１
と、光をウェーハ１に照射する対物レンズ１４と、暗視
野レンズ１９と、暗視野レンズ１９を切り換える切り換
え制御部１７と、ウェーハ１からの反射光を撮像する撮
像カメラ１５と、撮像した画像を処理するイメージプロ
セッサ１６およびコンピュータ８と、処理結果を表示す
るディスプレイ１２とを備えて構成されていた。この外
観検査装置もまた、撮像されたチップの画像と正常なチ
ップの画像とをパターンマッチングにより比較すること
により、チップ上に異物等があるか否かを検査するもの
である。
る外観検査装置は、検査光源２０と、ハーフミラー１１
と、光をウェーハ１に照射する対物レンズ１４と、暗視
野レンズ１９と、暗視野レンズ１９を切り換える切り換
え制御部１７と、ウェーハ１からの反射光を撮像する撮
像カメラ１５と、撮像した画像を処理するイメージプロ
セッサ１６およびコンピュータ８と、処理結果を表示す
るディスプレイ１２とを備えて構成されていた。この外
観検査装置もまた、撮像されたチップの画像と正常なチ
ップの画像とをパターンマッチングにより比較すること
により、チップ上に異物等があるか否かを検査するもの
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来の外観検
査装置は、いずれも二次元画像のパターンマッチングを
用いて異常を比較判定していたため、チップ内のパター
ンを全て撮像しなければならない。現在の半導体集積回
路の微細化に伴い、チップ内のパターンの最小線幅は
０．５μｍ前後とハーフミクロンの領域に達しているこ
とから、サブミクロンのパターンを解像させるためには
高倍率の対物レンズを備えた光学系を用いなければなら
ない。このため、一度に比較検査できる領域は光学系の
視野の大きさに限定されて非常に小さい範囲となってし
まう。したがって、上述した従来の外観検査装置にあっ
ては、ウェーハ全面を検査するのに長時間（１〜２時
間）を要するという問題が生じていた。また、従来の外
観検査装置は、パターンマッチング等を行うために複雑
なコンピュータシステムを必要とするため、装置構成が
複雑化するという問題が生じていた。
査装置は、いずれも二次元画像のパターンマッチングを
用いて異常を比較判定していたため、チップ内のパター
ンを全て撮像しなければならない。現在の半導体集積回
路の微細化に伴い、チップ内のパターンの最小線幅は
０．５μｍ前後とハーフミクロンの領域に達しているこ
とから、サブミクロンのパターンを解像させるためには
高倍率の対物レンズを備えた光学系を用いなければなら
ない。このため、一度に比較検査できる領域は光学系の
視野の大きさに限定されて非常に小さい範囲となってし
まう。したがって、上述した従来の外観検査装置にあっ
ては、ウェーハ全面を検査するのに長時間（１〜２時
間）を要するという問題が生じていた。また、従来の外
観検査装置は、パターンマッチング等を行うために複雑
なコンピュータシステムを必要とするため、装置構成が
複雑化するという問題が生じていた。
【０００７】そこで、本発明は、簡易な構成でチップの
良否を検査可能な外観検査装置および外観検査方法を提
供することを目的としている。
良否を検査可能な外観検査装置および外観検査方法を提
供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の要
旨は、パタ−ンが形成されたチップを有するウェーハに
スポット光を照射する光照射手段と、上記ウェーハ上の
チップを単位として反射光の平均強度を検出する光強度
検出手段と、検出された前記平均強度と予め定められた
基準平均強度とを比較することにより上記チップの良否
を判断する判断手段とを備えたことである。
旨は、パタ−ンが形成されたチップを有するウェーハに
スポット光を照射する光照射手段と、上記ウェーハ上の
チップを単位として反射光の平均強度を検出する光強度
検出手段と、検出された前記平均強度と予め定められた
基準平均強度とを比較することにより上記チップの良否
を判断する判断手段とを備えたことである。
【０００９】請求項２記載の発明の要旨は、請求項１記
載の外観検査装置において、上記ウェーハを移動させる
移動手段を備えるとともに、上記光強度検出手段はウェ
ーハ上の各チップの反射光の平均強度を順に検出するこ
とである。
載の外観検査装置において、上記ウェーハを移動させる
移動手段を備えるとともに、上記光強度検出手段はウェ
ーハ上の各チップの反射光の平均強度を順に検出するこ
とである。
【００１０】請求項３記載の発明の要旨は、請求項１ま
たは２に記載の外観検査装置において、上記光強度検出
手段は、ウェーハ上の任意のチップの反射光のみを通過
させる絞り機構を備えたことである。
たは２に記載の外観検査装置において、上記光強度検出
手段は、ウェーハ上の任意のチップの反射光のみを通過
させる絞り機構を備えたことである。
【００１１】請求項４記載の発明は、上記光照射手段
は、ウェーハ表面に対して任意の角度で光を照射可能で
あることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに
記載の外観検査装置である。
は、ウェーハ表面に対して任意の角度で光を照射可能で
あることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに
記載の外観検査装置である。
【００１２】請求項５記載の発明の要旨は、パタ−ンが
形成されたチップを有するウェーハにスポット光を照射
し、上記ウェーハ上のチップを単位として反射光の平均
強度を検出し、検出された上記平均強度と予め定められ
た基準平均強度とを比較することにより上記チップの良
否を判断することである。
形成されたチップを有するウェーハにスポット光を照射
し、上記ウェーハ上のチップを単位として反射光の平均
強度を検出し、検出された上記平均強度と予め定められ
た基準平均強度とを比較することにより上記チップの良
否を判断することである。
【００１３】請求項６記載の発明の要旨は、ウェーハ上
の各チップに対して請求項５記載の外観検査方法を順に
行うことである。
の各チップに対して請求項５記載の外観検査方法を順に
行うことである。
【００１４】
【作用】請求項１記載の発明において、光照射手段から
発せられた光はウェーハにおいて反射（散乱）する。そ
して、光強度検出手段は、ウェーハ上の所定領域（チッ
プ）の反射光の平均強度を検出する。判断手段は、検出
された平均強度と基準平均強度とを比較することによ
り、ウェーハの上記領域の良否を判断する。例えば、ウ
ェーハ上の領域に欠陥がない場合における反射光の平均
強度を予め測定し、この値を基準平均強度とする。検査
対象となる領域中にパターン欠陥、ゴミ等が存在する場
合には、欠陥がない場合に比べて光の散乱の様子が異な
る。このため、光強度検出手段により検出された反射光
の平均強度は基準平均強度とは異なったものとなってし
まう。したがって、反射光の平均強度と基準平均強度と
を比較することにより、パターン欠陥の有無等を自動的
に検出することが可能となる。
発せられた光はウェーハにおいて反射（散乱）する。そ
して、光強度検出手段は、ウェーハ上の所定領域（チッ
プ）の反射光の平均強度を検出する。判断手段は、検出
された平均強度と基準平均強度とを比較することによ
り、ウェーハの上記領域の良否を判断する。例えば、ウ
ェーハ上の領域に欠陥がない場合における反射光の平均
強度を予め測定し、この値を基準平均強度とする。検査
対象となる領域中にパターン欠陥、ゴミ等が存在する場
合には、欠陥がない場合に比べて光の散乱の様子が異な
る。このため、光強度検出手段により検出された反射光
の平均強度は基準平均強度とは異なったものとなってし
まう。したがって、反射光の平均強度と基準平均強度と
を比較することにより、パターン欠陥の有無等を自動的
に検出することが可能となる。
【００１５】本発明によれば、従来のように二次元画像
のパターンマッチングを行う必要がなく、反射光の平均
強度と基準平均強度との比較を行えば足りため、装置構
成を簡略化することが可能となる。また、従来は、ウェ
ーハ上のパターン等を撮像していたため、このパターン
を等をレンズ等により高倍率で拡大しなければならず、
一度に検査可能な領域は極めて狭かった。これに対し
て、本発明にあっては、パターンを拡大する必要がない
ため、ウェーハ上の比較的に広い領域を同時に検査する
ことができ、検査時間を大幅に短縮することが可能とな
る。
のパターンマッチングを行う必要がなく、反射光の平均
強度と基準平均強度との比較を行えば足りため、装置構
成を簡略化することが可能となる。また、従来は、ウェ
ーハ上のパターン等を撮像していたため、このパターン
を等をレンズ等により高倍率で拡大しなければならず、
一度に検査可能な領域は極めて狭かった。これに対し
て、本発明にあっては、パターンを拡大する必要がない
ため、ウェーハ上の比較的に広い領域を同時に検査する
ことができ、検査時間を大幅に短縮することが可能とな
る。
【００１６】請求項２記載の発明にあっては、移動手段
を用いてウェーハを移動させることにより、ウェーハ上
の各領域を順に検査することが可能となる。すなわち、
本発明によれば、自動的にウェーハ全体について検査す
ることができる。
を用いてウェーハを移動させることにより、ウェーハ上
の各領域を順に検査することが可能となる。すなわち、
本発明によれば、自動的にウェーハ全体について検査す
ることができる。
【００１７】請求項３記載の発明にあっては、光強度検
出手段は、ウェーハの所定領域の反射光のみを通過させ
る絞り機構を備えている。これにより、ウェーハ上の所
望の領域を検査することが可能となる。
出手段は、ウェーハの所定領域の反射光のみを通過させ
る絞り機構を備えている。これにより、ウェーハ上の所
望の領域を検査することが可能となる。
【００１８】請求項４記載の発明にあっては、光照射手
段は、ウェーハ表面に対して任意の角度で光を照射可能
である。一般に、検査対象となるチップのパターンの集
積度等により、反射光の散乱する方向が変化する。そこ
で、ウェーハに対する光の照射角度を最適に設定するこ
とにより、高精度の検査が可能となる。
段は、ウェーハ表面に対して任意の角度で光を照射可能
である。一般に、検査対象となるチップのパターンの集
積度等により、反射光の散乱する方向が変化する。そこ
で、ウェーハに対する光の照射角度を最適に設定するこ
とにより、高精度の検査が可能となる。
【００１９】請求項５記載の発明にあっては、ウェーハ
に光を照射し、ウェーハの所定領域の反射光の平均強度
を検出する。そして、検出された平均強度と予め定めら
れた基準平均強度とを比較することにより、ウェーハの
上記領域の良否を判断する。このようにして、ウェーハ
上の所定領域における反射光の平均強度に基づき、パタ
ーン欠陥の有無等を自動的に検出することが可能とな
る。
に光を照射し、ウェーハの所定領域の反射光の平均強度
を検出する。そして、検出された平均強度と予め定めら
れた基準平均強度とを比較することにより、ウェーハの
上記領域の良否を判断する。このようにして、ウェーハ
上の所定領域における反射光の平均強度に基づき、パタ
ーン欠陥の有無等を自動的に検出することが可能とな
る。
【００２０】請求項６記載の発明にあっては、ウェーハ
の各領域に対して請求項５記載の外観検査方法を順に行
う。したがって、本発明によれば、自動的にウェーハ全
体について検査することが可能となる。
の各領域に対して請求項５記載の外観検査方法を順に行
う。したがって、本発明によれば、自動的にウェーハ全
体について検査することが可能となる。
【００２１】
【実施例】次に本発明の実施例を、図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の第１実施例に係る外観検査装
置の構成を表す図である。ウェーハ１には、集積回路が
形成された複数のチップに画成されている。ウェーハ１
が載置されたＸＹステージ２は、同図に示すＸ軸および
Ｙ軸のそれぞれの方向に任意に移動可能である。このＸ
Ｙステージ２は、制御用コントローラ３の指示により、
チップの寸法に合わせていわゆるステップ送りを行うこ
とができるものである。
説明する。図１は本発明の第１実施例に係る外観検査装
置の構成を表す図である。ウェーハ１には、集積回路が
形成された複数のチップに画成されている。ウェーハ１
が載置されたＸＹステージ２は、同図に示すＸ軸および
Ｙ軸のそれぞれの方向に任意に移動可能である。このＸ
Ｙステージ２は、制御用コントローラ３の指示により、
チップの寸法に合わせていわゆるステップ送りを行うこ
とができるものである。
【００２２】ＸＹステージ２の上方には、ウェーハ１の
反射光をレンズ６１を介して検出する光強度検出センサ
４が配設されている。光強度検出センサ４の光学系に
は、絞り機構である自動可変ブラインド５が設けられて
いる。この自動可変ブラインド５のブラインド幅（絞
り）は、制御用コントローラ３により制御可能である。
ブラインド幅は、ウェーハ１のチップ全体を撮像できる
ように設定されている。また、ウェーハ１の斜め上方の
位置にはスポットライト６が配設され、スポットライト
６からの光はウェーハ１に対して斜めに照射される。
反射光をレンズ６１を介して検出する光強度検出センサ
４が配設されている。光強度検出センサ４の光学系に
は、絞り機構である自動可変ブラインド５が設けられて
いる。この自動可変ブラインド５のブラインド幅（絞
り）は、制御用コントローラ３により制御可能である。
ブラインド幅は、ウェーハ１のチップ全体を撮像できる
ように設定されている。また、ウェーハ１の斜め上方の
位置にはスポットライト６が配設され、スポットライト
６からの光はウェーハ１に対して斜めに照射される。
【００２３】ウェーハ１のそれぞれのチップに形成され
た半導体集積回路には、種々の材質、形状、寸法のパタ
ーンや膜が形成されているため、チップ表面に光が照射
された場合、構成パターンの形状に応じた散乱光が発せ
られる。プロセス上の原因やゴミ、キズ等によりこのパ
ターンの形状に不良が発生した場合には、正常なパター
ンと比べて散乱光の強度が変化するため、この性質を利
用してパターン欠陥の有無を比較判定することができ
る。かかる比較判定は、判断手段６２により行われる。
この判断手段６２は、コンピュータシステム等により構
成されている。
た半導体集積回路には、種々の材質、形状、寸法のパタ
ーンや膜が形成されているため、チップ表面に光が照射
された場合、構成パターンの形状に応じた散乱光が発せ
られる。プロセス上の原因やゴミ、キズ等によりこのパ
ターンの形状に不良が発生した場合には、正常なパター
ンと比べて散乱光の強度が変化するため、この性質を利
用してパターン欠陥の有無を比較判定することができ
る。かかる比較判定は、判断手段６２により行われる。
この判断手段６２は、コンピュータシステム等により構
成されている。
【００２４】このように構成された外観検査装置の作用
を説明する。先ず、制御用コントローラ３は、ウェーハ
１上の検査対象となるチップが光強度センサ４の下方に
位置するよう、ＸＹステージ２を移動させる。そして、
スポットライト６を点灯させると、スポットライト６か
ら発せられた光はウェーハ１において反射し、レンズ６
１、自動可変ブラインド５を介して光強度検出センサ４
の受光部に到達する。このとき、検査対象外のチップの
反射光は自動可変ブラインド５により遮断され、検査対
象となるチップの反射光のみが自動可変ブラインド５の
開口部を通過する。検査対象となるチップの反射光は光
強度検出センサ４により検出される。そして、判断手段
６２は、予め測定された基準の光強度と検出された光の
強度とを比較し、チップの良否を判断する。例えば、両
者の強度が相違する場合には、チップ上にゴミ、キズ等
が存在することが考えられる。これにより、チップ上に
形成されたパターン欠陥等を検査することが可能とな
る。判断結果は、図示されていないディスプレイ等に表
示される。
を説明する。先ず、制御用コントローラ３は、ウェーハ
１上の検査対象となるチップが光強度センサ４の下方に
位置するよう、ＸＹステージ２を移動させる。そして、
スポットライト６を点灯させると、スポットライト６か
ら発せられた光はウェーハ１において反射し、レンズ６
１、自動可変ブラインド５を介して光強度検出センサ４
の受光部に到達する。このとき、検査対象外のチップの
反射光は自動可変ブラインド５により遮断され、検査対
象となるチップの反射光のみが自動可変ブラインド５の
開口部を通過する。検査対象となるチップの反射光は光
強度検出センサ４により検出される。そして、判断手段
６２は、予め測定された基準の光強度と検出された光の
強度とを比較し、チップの良否を判断する。例えば、両
者の強度が相違する場合には、チップ上にゴミ、キズ等
が存在することが考えられる。これにより、チップ上に
形成されたパターン欠陥等を検査することが可能とな
る。判断結果は、図示されていないディスプレイ等に表
示される。
【００２５】さらに、制御用コントローラ３はＸＹステ
ージ２をステップ送りさせ、他のチップの良否の検査が
行われる。このようにしてウェーハ１の全有効チップに
対して行った検査結果を図２に示す。この図において、
横軸はチップの番号を示し、縦軸は各チップの反射光
（散乱光）の強度を表している。欠陥のない正常なチッ
プの反射光の強度範囲（基準平均強度）が、同図の下限
〜上限の範囲であったとする。すなわち、予め測定した
チップ内に不良が存在した場合には、この部分の表面状
態の違いにより、正常なチップとは散乱光の強度が変化
する性質を利用して、予め正常チップの散乱光強度の変
動の範囲を調べておく。そして、検査対象となるチップ
の反射光の強度が、この範囲を越えたか否かを調べるこ
とにより、チップの良否を自動判定することが可能とな
る。
ージ２をステップ送りさせ、他のチップの良否の検査が
行われる。このようにしてウェーハ１の全有効チップに
対して行った検査結果を図２に示す。この図において、
横軸はチップの番号を示し、縦軸は各チップの反射光
（散乱光）の強度を表している。欠陥のない正常なチッ
プの反射光の強度範囲（基準平均強度）が、同図の下限
〜上限の範囲であったとする。すなわち、予め測定した
チップ内に不良が存在した場合には、この部分の表面状
態の違いにより、正常なチップとは散乱光の強度が変化
する性質を利用して、予め正常チップの散乱光強度の変
動の範囲を調べておく。そして、検査対象となるチップ
の反射光の強度が、この範囲を越えたか否かを調べるこ
とにより、チップの良否を自動判定することが可能とな
る。
【００２６】図３は本発明の第２実施例に係る外観検査
装置の構成を表す図である。本実施例に係る外観検査装
置は、ウェーハ１に対するスポットライト６の照射角度
が自動的に可変するスポットライト角度可変機構７を備
えている点において第１実施例と異なっている。被検査
チップの種類によりパターンの集積度が異なるために、
散乱光の発生強度の空間的分布に違いを生じる。このた
め、被検査ウェーハの状態に応じて光強度検出センサ４
が受光する光強度が不良発生により最も変動するように
スポットライト照射角度を設定することにより、高精度
な自動外観検査を行うことができる。
装置の構成を表す図である。本実施例に係る外観検査装
置は、ウェーハ１に対するスポットライト６の照射角度
が自動的に可変するスポットライト角度可変機構７を備
えている点において第１実施例と異なっている。被検査
チップの種類によりパターンの集積度が異なるために、
散乱光の発生強度の空間的分布に違いを生じる。このた
め、被検査ウェーハの状態に応じて光強度検出センサ４
が受光する光強度が不良発生により最も変動するように
スポットライト照射角度を設定することにより、高精度
な自動外観検査を行うことができる。
【００２７】以上述べたように、これらの実施例によれ
ば、目視により行われてきたウェーハ外観検査工程の自
動化が可能となる。また、実際には外観検査工程では作
業者として１ラインで数人〜１０数人を必要としていた
が、これを完全自動化することができることから、品質
の安定化、目視検査に伴う作業者の視力低下防止が可能
となる。
ば、目視により行われてきたウェーハ外観検査工程の自
動化が可能となる。また、実際には外観検査工程では作
業者として１ラインで数人〜１０数人を必要としていた
が、これを完全自動化することができることから、品質
の安定化、目視検査に伴う作業者の視力低下防止が可能
となる。
【００２８】また、従来は、微視的な画像情報をパター
ンマッチングという手法を用いて欠陥を識別するために
高倍率、高精度の光学系を要し、非常に高価な装置とな
っていた。これに対して、本実施例にあっては、二次元
画像のパターンマッチングを行う必要がないため、装置
を簡略化することができる。また、チップのパターンを
拡大することなく、チップ毎の散乱光強度という巨視的
な画像情報をとらえてチップの良否を判定することによ
り、フォトリソグラフィープロセスでの露光不良、フォ
トレジストの塗布不良、現像不良、ゴミ・キズ等を短時
間に検査することが可能となる。
ンマッチングという手法を用いて欠陥を識別するために
高倍率、高精度の光学系を要し、非常に高価な装置とな
っていた。これに対して、本実施例にあっては、二次元
画像のパターンマッチングを行う必要がないため、装置
を簡略化することができる。また、チップのパターンを
拡大することなく、チップ毎の散乱光強度という巨視的
な画像情報をとらえてチップの良否を判定することによ
り、フォトリソグラフィープロセスでの露光不良、フォ
トレジストの塗布不良、現像不良、ゴミ・キズ等を短時
間に検査することが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、従
来のように二次元画像のパターンマッチングを行う必要
がなく、反射光の平均強度と基準平均強度との比較を行
っているため、装置構成を簡略化することが可能とな
る。また、チップのパターン等を高倍率に拡大する必要
がなく、チップ全体を検査できるため、検査時間を大幅
に短縮することが可能となる。
来のように二次元画像のパターンマッチングを行う必要
がなく、反射光の平均強度と基準平均強度との比較を行
っているため、装置構成を簡略化することが可能とな
る。また、チップのパターン等を高倍率に拡大する必要
がなく、チップ全体を検査できるため、検査時間を大幅
に短縮することが可能となる。
【図１】本発明の第１実施例に係る構成を表す図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１実施例に係る各チップ毎の散乱光
強度を表す図である。
強度を表す図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る構成を表す図であ
る。
る。
【図４】従来の外観検査装置を表す図である。
【図５】従来の外観検査装置を表す図である。
１ ウェーハ ２ ＸＹステージ（移動手段） ３ 制御用コントローラ ４ 光強度検出センサ（光強度検出手段） ５ 自動可変ブラインド（絞り機構） ６ スポットライト（光照射手段） ７ スポットライト角度可変機構 ６２ 判断手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−21563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−103952（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−128284（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】 パタ−ンが形成されたチップを有するウ
ェーハにスポット光を照射する光照射手段と、上記ウェ
ーハ上のチップを単位として反射光の平均強度を検出す
る光強度検出手段と、検出された前記平均強度と予め定
められた基準平均強度とを比較することにより上記チッ
プの良否を判断する判断手段とを備えたことを特徴とす
る外観検査装置。 - 【請求項２】 上記ウェーハを移動させる移動手段を備
えるとともに、上記光強度検出手段はウェーハ上の各チ
ップの反射光の平均強度を順に検出することを特徴とす
る請求項１記載の外観検査装置。 - 【請求項３】 上記光強度検出手段は、ウェーハ上の任
意のチップの反射光のみを通過させる絞り機構を備えた
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の外観
検査装置。 - 【請求項４】 上記光照射手段は、ウェーハ表面に対し
て任意の角度で光を照射可能であることを特徴とする請
求項１〜請求項３のいずれかに記載の外観検査装置。 - 【請求項５】 パタ−ンが形成されたチップを有するウ
ェーハにスポット光を照射し、上記ウェーハ上のチップ
を単位として反射光の平均強度を検出し、検出された上
記平均強度と予め定められた基準平均強度とを比較する
ことにより上記チップの良否を判断することを特徴とす
る外観検査方法。 - 【請求項６】 ウェーハ上の各チップに対して請求項５
記載の外観検査方法を順に行うことを特徴とした外観検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06023245A JP3076187B2 (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | 外観検査装置および外観検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06023245A JP3076187B2 (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | 外観検査装置および外観検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07209203A JPH07209203A (ja) | 1995-08-11 |
| JP3076187B2 true JP3076187B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=12105220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06023245A Expired - Fee Related JP3076187B2 (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | 外観検査装置および外観検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076187B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791814B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-09-14 | Nihon Pachinko Parts Co., Ltd. | Ion generating apparatus |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002014057A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
| JP4021235B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2007-12-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにフォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP4408298B2 (ja) | 2007-03-28 | 2010-02-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置及び検査方法 |
| JP2009283977A (ja) * | 2009-08-21 | 2009-12-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
| CN116184174B (zh) * | 2023-03-10 | 2023-08-18 | 深圳市创达电子有限公司 | 一种芯片测试系统及芯片测试装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63103952A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Kobe Steel Ltd | 表面欠陥検出方法 |
| JPH02128284A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-16 | Toshiba Corp | 欠陥検査における画像処理方法 |
| JPH04104043A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-06 | Toshiba Corp | 欠陥判別装置 |
| JPH0521563A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | プロセス集積化装置および電極配線の製造方法 |
-
1994
- 1994-01-25 JP JP06023245A patent/JP3076187B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791814B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-09-14 | Nihon Pachinko Parts Co., Ltd. | Ion generating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07209203A (ja) | 1995-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |