JP3080965B2 - 平担化可能の誘電体 - Google Patents

平担化可能の誘電体

Info

Publication number
JP3080965B2
JP3080965B2 JP02111597A JP11159790A JP3080965B2 JP 3080965 B2 JP3080965 B2 JP 3080965B2 JP 02111597 A JP02111597 A JP 02111597A JP 11159790 A JP11159790 A JP 11159790A JP 3080965 B2 JP3080965 B2 JP 3080965B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
filler
thermal conductivity
polymer
properties
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP02111597A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH034405A (ja
Inventor
ジークフリート、ビルクレ
アルベルト、ハンマーシユミツト
ヨハン、カンマーマイヤー
ライナー、ロイシユナー
ロルフ、ヴエー、シユルテ
Original Assignee
シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト filed Critical シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト
Publication of JPH034405A publication Critical patent/JPH034405A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3080965B2 publication Critical patent/JP3080965B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
    • H10P14/683—Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/6902—Inorganic materials composed of carbon, e.g. alpha-C, diamond or hydrogen doped carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20—Arrangements for cooling
    • H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/251—Organics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
    • H10W74/473—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6342—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating

Landscapes

  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特に電子デバイス用の平坦化可能の誘電体
に関する。
〔従来の技術〕
電子デバイスにおけるトポグラフィーの平坦化には、
溶液から例えばスピン・コーティング法又は噴霧被覆法
により施される高温安定性の有機誘電体がしばしば使用
される（これに関しては例えばミッタール（K.L.Mitta
l）著「ポリイミズ（Polyimides）」第２巻、第767〜79
3頁、Plenum Press New York在、1984年参照）。この場
合高い実装密度を実現し得るためには良好な平坦化特性
及び絶縁特性の他に、高い開閉速度を可能にする低誘電
率及び高い熱伝導性での低い損失ファクタが要求され
る。更に誘電体の構造化可能性が確保されなければなら
ない。
今日的観点からマイクロエレクトロニクスに使用でき
る平坦化可能の有機誘電体では上記の各要求、特に高い
熱伝導性を満足させることができない。従って高い実装
密度を有する集積回路を開発する場合、平坦化可能の有
機誘電体に関する使用可能性は著しく制限される。例え
ば気相から析出されるSiO2からなる平坦化のために選択
的に使用される無機層又は無機誘電体は高価な技術を必
要とする（これに関してはグリューワル（V.Grewal）そ
の他著「Ｖ−MIC Conf.」1986年６月９〜10号、第107〜
113頁を参照）。更にこの誘電体では高い熱伝導率を得
ることができるが、これは有機誘電体に比べて明らかに
劣った誘電特性を有する。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の課題は、良好な平坦化特性及び絶縁特性並び
に低い誘電率、低い損失ファクタ及び高い熱伝導率を有
し、また更に構造化することのできる平坦化可能の誘電
体を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
この課題を解決するため、本発明による誘電体によれ
ば、高温安定性の有機ポリマーの母材からなり、この母
材中に、酸素プラズマ中でエッチング可能で且つ高い熱
伝導性及び良好な誘電特性を有する個体充填材が微細に
分配された状態で埋封される。
また本発明による誘電体によれば、高温安定性の有機
ポリマーの母材からなり、この母材中に、酸素プラズマ
中でエッチング可能で且つ高い熱伝導性及び良好な誘電
特性を有する個体充填材が微細に分配された状態で埋封
され、個体充填材が無定形の水素含有炭素（ａ−C:H）
からなるようにしてもよい。
本発明によれば、プラスチック母材の誘電性及び平坦
化可能の特性は非導電性、すなわち絶縁性の充填材（比
抵抗＞1010Ωcm）によって殆ど影響されないが、熱伝導
性は決定的に高められる。更に充填材によって酸素プラ
ズマ中での誘電体の腐食可能性が損なわれることはな
い。
本発明による平坦化可能の誘電体では充填材の量は有
利には30容量％までである。充填材は例えばその比電気
抵抗が約1016Ωcmであるダイヤモンドであってよい。し
かし充填材は無定形の水素含有炭素であることが有利で
ある。
無定形の水素含有炭素（略してａ−C:H）は、無定形
の炭素格子が存在する炭素材料であり、その機械的硬さ
によりこの炭素材料はダイヤモンド様炭素ともいわれる
（これに関しては例えば「イーデーエル・インドゥスト
リー・ディアマンテン・ルントシャウ（IDR Industrie
Diamanten Rundschau）」第18巻（1984）、第４巻、第2
49〜253頁参照）。炭素のこの変体は、四面体（sp3−）
と三方体（sp2−）のハイブリッド化が共存することに
よってその特異な性質、例えば光学透明度、微小硬度、
化学抵抗及び電気絶縁性を維持する。すなわち無定形構
造は水素の埋封によって（約10〜40原子％）安定化され
る。無定形の水素含有炭素からなる層は電気的に良好な
絶縁性であり、この材料の比電気抵抗は1013Ωcm以上に
まで調整することができる。
無定形の水素含有炭素は、ガス状の炭化水素を高周波
−低圧・プラズマで析出することによって製造すること
ができる。この場合誘電率及び比電気抵抗のようなａ−
C:Hの特性は比較的広い範囲でのプラズマ条件によって
制御することができる。ａ−C:Hを例えば低圧プラズマ
により無線周波数エネルギー（13.56MHz）の容量結合で
メタンの使用下にガス圧2mバール及びセルフバイアス電
圧≧150Vで析出した場合、光学エネルギーギャップ約2e
V、比電気抵抗＞1012Ωcm、誘電率６及び熱伝導率約100
0W/k.mの透明な材料が得られる。
ａ−C:Hのこの化学構造によってO2プラズマ内におけ
る全系の腐食可能性が損なわれることはなく、またａ−
C:Hの光学特性、すなわち透明度により間接的な光構造
化の他にシリコン含有上層レジストを用いてのリソグラ
フィー法での直接構造化の可能性も生じる。従って本発
明による誘電体の場合充填材としてａ−C:Hのような無
定形構造を有する材料を使用することが特に有利であ
る。それというのも直接構造化に際して腐食作用が全方
向的に生じるからである。更に本発明においては、粉末
状で使用される充填材が粒径＜50nmを有することが有利
である。
本発明による誘電体の場合、プラスチック母材は高温
安定性のいわゆるラダーポリマー又はハーフラダーポリ
マーからなるのが有利である。ラダーポリマー（ladder
polymer）は、その分子が縮合環の鎖からなる高重合体
（high polymer）であり、従ってその構造ははしごの形
に類似している。この種のポリマーは例えばポリイミダ
ゾピロロンである。ハーフラダーポリマーは例えばポリ
イミド、ポリイミダゾール及びポリオキサゾールであ
る。本発明による誘電体の場合合成樹脂母材はポリベン
ゾオキサゾールからなるのが有利である（これに対して
は例えばベール（E.Behr）著「ホッホテンペラトゥール
ベシュテンディゲ・クンストシュトッフェ（Hochtemper
aturbestndige Kunststoffe）」Carl Hanser、Verlag
出版、Ｍnchen在、1969年、第71〜72頁、第99頁及び
第100頁参照）。
〔実施例〕
次に本発明を一実施例に基づき更に詳述する。
合成樹脂母材として、熱伝導率0.19W/k.mを有しまた
誘電率値が2.8であるポリベンゾオキサゾールを使用し
た。ヒドロキシポリアミドの形のポリベンゾオキサゾー
ルの可溶性前駆物質は2,2−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプ
ロパン（50モル％）、3,3′−ジヒドロキシベンジジン
（50モル％）及びイソフタル酸ジクロリド（90モル％）
から製造した（これに関しては「ポリマー・レターズ
（Polym.Letters）」第２巻（1964年）、第655〜659頁
を参照のこと）。
Ｎ−メチルピロリドン中のポリベンゾオキサゾール前
駆物質の約20〜30％溶液に、有利には粒径＜50nmの粉砕
した無定形の水素含有炭素を分散させた。この炭素は比
電気抵抗＞1012Ωcm、誘電率６及び熱伝導率1000W/k.
m）を有する。
先に記載したようにして得た分散物を、アルミニウム
導電路を有するシリコンウェハー上に遠心塗布し、次い
で循環空気炉中で約100℃で予備加熱した（約20分
間）。引続き拡散炉中で不活性ガスとして窒素雰囲気下
に熱処理するが、その際次の温度プログラム、すなわち
170℃までで１時間、250℃までで１時間、400℃までで
１時間、室温までで６時間を設定した。この熱処理過程
でポリマー前駆物質は高温安定性のポリベンゾオキサゾ
ールに変換された。
固体に対して30容量％までの量でａ−C:Hを配合する
ことによって、誘電体の誘電率は2.8から3.5に僅かに上
昇し、これに対して熱伝導率は0.19W/k.mから1.5〜2W/
k.mに上昇した。すなわちａ−C:H充填材によって熱伝導
率は著しく高まるが、誘電体の誘電特性及び平坦化可能
特性は殆ど変化しない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ (72)発明者 ライナー、ロイシユナー ドイツ連邦共和国グローセンゼーバツ ハ、ブーヒエンヴエーク２ (72)発明者 ロルフ、ヴエー、シユルテ ドイツ連邦共和国エルランゲン、ゲオル ククラウスシユトラーセ２ (56)参考文献 特開 平２−178330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−305130（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−72511（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/00 H01B 3/30 C08K 3/04 C08L 79/04 H01G 4/20 H01L 21/312

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】母材がラダーポリマーあるいはハーフラダ
    ーポリマーからなり、この母材中に、無定形の水素含有
    炭素（ａ−C:H）からなる充填材が微細に分配された状
    態で埋封されていることを特徴とする平坦化可能の誘電
    体。
  2. 【請求項２】充填材の量が30容量％以下であることを特
    徴とする請求項１記載の誘電体。
  3. 【請求項３】充填材の粒径が50nmより小さいことを特徴
    とする請求項１または２記載の誘電体。
  4. 【請求項４】ポリマーがポリベンゾオキサゾールである
    ことを特徴とする請求項１記載の誘電体。
JP02111597A 1989-04-27 1990-04-25 平担化可能の誘電体 Expired - Fee Related JP3080965B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3913981 1989-04-27
DE3913981.6 1989-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH034405A JPH034405A (ja) 1991-01-10
JP3080965B2 true JP3080965B2 (ja) 2000-08-28

Family

ID=6379630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02111597A Expired - Fee Related JP3080965B2 (ja) 1989-04-27 1990-04-25 平担化可能の誘電体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5037876A (ja)
EP (1) EP0394767B1 (ja)
JP (1) JP3080965B2 (ja)
KR (1) KR0165113B1 (ja)
DE (1) DE59010613D1 (ja)
FI (1) FI105605B (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5955535A (en) 1993-11-29 1999-09-21 Cornell Research Foundation, Inc. Method for preparing silicate-polymer composite
US5670262A (en) * 1995-05-09 1997-09-23 The Dow Chemical Company Printing wiring board(s) having polyimidebenzoxazole dielectric layer(s) and the manufacture thereof
JPH10330188A (ja) * 1997-05-29 1998-12-15 Kobe Steel Ltd ダイヤモンドの微細加工方法
DE19756887A1 (de) * 1997-12-19 1999-07-01 Siemens Ag Kunststoffverbundkörper
JP2001098160A (ja) * 1999-09-30 2001-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 絶縁材用樹脂組成物及びこれを用いた絶縁材
US7781063B2 (en) 2003-07-11 2010-08-24 Siemens Energy, Inc. High thermal conductivity materials with grafted surface functional groups
US7033670B2 (en) * 2003-07-11 2006-04-25 Siemens Power Generation, Inc. LCT-epoxy polymers with HTC-oligomers and method for making the same
US7553438B2 (en) * 2004-06-15 2009-06-30 Siemens Energy, Inc. Compression of resin impregnated insulating tapes
US7553781B2 (en) * 2004-06-15 2009-06-30 Siemens Energy, Inc. Fabrics with high thermal conductivity coatings
US7776392B2 (en) * 2005-04-15 2010-08-17 Siemens Energy, Inc. Composite insulation tape with loaded HTC materials
US20080050580A1 (en) * 2004-06-15 2008-02-28 Stevens Gary C High Thermal Conductivity Mica Paper Tape
US7592045B2 (en) * 2004-06-15 2009-09-22 Siemens Energy, Inc. Seeding of HTC fillers to form dendritic structures
US20050277721A1 (en) 2004-06-15 2005-12-15 Siemens Westinghouse Power Corporation High thermal conductivity materials aligned within resins
US20050274774A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-15 Smith James D Insulation paper with high thermal conductivity materials
US8030818B2 (en) * 2004-06-15 2011-10-04 Siemens Energy, Inc. Stator coil with improved heat dissipation
US8216672B2 (en) * 2004-06-15 2012-07-10 Siemens Energy, Inc. Structured resin systems with high thermal conductivity fillers
US20060160373A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Processes for planarizing substrates and encapsulating printable electronic features
US7846853B2 (en) * 2005-04-15 2010-12-07 Siemens Energy, Inc. Multi-layered platelet structure
US7651963B2 (en) * 2005-04-15 2010-01-26 Siemens Energy, Inc. Patterning on surface with high thermal conductivity materials
US20070026221A1 (en) * 2005-06-14 2007-02-01 Siemens Power Generation, Inc. Morphological forms of fillers for electrical insulation
US8357433B2 (en) * 2005-06-14 2013-01-22 Siemens Energy, Inc. Polymer brushes
US7851059B2 (en) * 2005-06-14 2010-12-14 Siemens Energy, Inc. Nano and meso shell-core control of physical properties and performance of electrically insulating composites
US7655295B2 (en) 2005-06-14 2010-02-02 Siemens Energy, Inc. Mix of grafted and non-grafted particles in a resin
US7781057B2 (en) * 2005-06-14 2010-08-24 Siemens Energy, Inc. Seeding resins for enhancing the crystallinity of polymeric substructures
US7955661B2 (en) * 2005-06-14 2011-06-07 Siemens Energy, Inc. Treatment of micropores in mica materials
US7547847B2 (en) * 2006-09-19 2009-06-16 Siemens Energy, Inc. High thermal conductivity dielectric tape
US8101231B2 (en) 2007-12-07 2012-01-24 Cabot Corporation Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3700597A (en) * 1967-03-10 1972-10-24 Allied Chem Dielectric compositions
JPS57111034A (en) * 1980-12-10 1982-07-10 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS59145202A (ja) * 1983-02-07 1984-08-20 Dainippon Ink & Chem Inc 輻射線硬化型樹脂組成物
US4738999A (en) * 1986-03-31 1988-04-19 Lord Corporation Fiber reinforced composites
US4888247A (en) * 1986-08-27 1989-12-19 General Electric Company Low-thermal-expansion, heat conducting laminates having layers of metal and reinforced polymer matrix composite
US4845183A (en) * 1987-11-24 1989-07-04 Hoechst Celanese Corporation Heat resistant polyamide and polybenzoxazole from bis-((amino-hydroxyphenyl)hexafluoroisopropyl)diphenyl ethers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0394767B1 (de) 1996-12-27
US5037876A (en) 1991-08-06
EP0394767A3 (de) 1991-07-24
DE59010613D1 (de) 1997-02-06
KR0165113B1 (ko) 1999-02-01
EP0394767A2 (de) 1990-10-31
FI105605B (fi) 2000-09-15
JPH034405A (ja) 1991-01-10
FI901654A0 (fi) 1990-04-02
KR900017123A (ko) 1990-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3080965B2 (ja) 平担化可能の誘電体
Yang et al. Unifying and suppressing conduction losses of polymer dielectrics for superior high‐temperature capacitive energy storage
Zhang et al. Improved high‐temperature energy storage performance of PEI dielectric films by introducing an SiO2 insulating layer
Kato et al. High mobility of pentacene field-effect transistors with polyimide gate dielectric layers
JP2683782B2 (ja) しきい値スイッチング・デバイス
Huang et al. Polyhedral oligosilsesquioxane‐modified boron nitride nanotube based epoxy nanocomposites: an ideal dielectric material with high thermal conductivity
Kim et al. Effect of annealing on the electrical properties and morphology of a conducting polymer used as an anode in organic light‐emitting devices
TW565935B (en) Electronic devices containing organic semiconductor materials
KR20100098380A (ko) 원자 층 증착 공정
JPH0230572B2 (ja)
Nasreen et al. Sn‐Polyester/Polyimide Hybrid Flexible Free‐Standing Film as a Tunable Dielectric Material
Zhang et al. Large‐scale plasma grafts voltage stabilizer on hexagonal boron nitride for improving electrical insulation and thermal conductivity of epoxy composite
US6764718B2 (en) Method for forming thin film from electrically insulating resin composition
Feng et al. Liquid crystal epoxy composites based on functionalized boron nitride: synthesis and thermal properties
Ahmad et al. Significantly Improved Dielectric Performance of All‐Organic Parylene/Polyimide/Parylene Composite Films with Sandwich Structure
Shin et al. An Inverted Layer‐by‐Layer Process to Enable Ultrasmooth MXene–Ag Nanowire Hybrid Electrode for Organic Photovoltaics
Ren et al. Improvement of high‐temperature energy storage properties of polyimide‐based nanocomposites with sandwich structure
TWI246126B (en) Dielectric films from organohydridosiloxane resins
JP3098651B2 (ja) 高分子電気デバイス
EP0794569A2 (en) Amorphous carbon film, formation process thereof, and semiconductor device making use of the film
Ni et al. Coordinating of thermal and dielectric properties for cyanate ester composites filled with silica‐coated sulfonated graphene oxide hybrids
Sun et al. Multilayer Three‐Dimensional Woven Silver Nanowire Networks for Absorption‐Dominated Electromagnetic Interference Shielding
JPS58101439A (ja) 半導体装置の製造方法
KR940010494B1 (ko) 플라즈마법에 의한 스핀-온-글래스의 경화 및 표면 안정화법 및 이러한 방법으로 제조한 제품
Cruz et al. Conductivity of layer and matrix polyaniline–silver–copper composites by plasma

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees