JP3128564B2 - フィールドエミッションディスプレイを排気、封止する方法及びその方法により形成されるパッケージ - Google Patents

フィールドエミッションディスプレイを排気、封止する方法及びその方法により形成されるパッケージ

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JP3128564B2 JP25942596A JP25942596A JP3128564B2 JP 3128564 B2 JP3128564 B2 JP 3128564B2 JP 25942596 A JP25942596 A JP 25942596A JP 25942596 A JP25942596 A JP 25942596A JP 3128564 B2 JP3128564 B2 JP 3128564B2
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  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概括的に言えばフ
ィールドエミッションディスプレイ (field emission d
isplay; 電界放出ディスプレイ) に関し、詳細に言え
ば、フィールドエミッションディスプレイパッケージを
排気し封止するための改良法及びその方法により形成さ
れるパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】コンピュータその他の電
子機器により生成された情報を視覚的に表示するため
に、近年、フラットパネルディスプレイ (flat panel d
isplay) が開発されている。この種のディスプレイは、
従来の陰極線管ディスプレイよりも軽くすることが可能
で、しかも必要とする電力が少ない。フラットパネルデ
ィスプレイの一つのタイプとして、冷陰極フィールドエ
ミッションディスプレイ（ＦＥＤ）が知られている。
【０００３】フィールドエミッションディスプレイは、
電子放出を用いて陰極蛍光ディスプレイスクリーン（本
明細書において「フェイスプレート」という。）を輝か
せ視覚的イメージを作り出すものである。通常、個々の
フィールドエミッションピクセルはベースプレート上に
形成されたエミッタサイトを含んでいる。ベースプレー
トはエミッタサイトからの電子放出を制御する回路と素
子を含んでいる。ゲート電極構造、すなわちグリッドが
エミッタサイトに応じて備えられており、エミッタサイ
トとグリッドは電圧源に電気的に接続している。電圧源
はエミッタサイトとグリッドとの間の電位差を定め、エ
ミッタサイトからの電子放出を制御する。放出された電
子は真空空間を通りディスプレイスクリーンに含まれて
いる蛍光体を叩く。蛍光体はより高いエネルギーレベル
に励起され、光子を放出して画像を形成する。このシス
テムでは、ディスプレイスクリーンが陽極であり、エミ
ッタサイトが陰極である。
【０００４】エミッタサイトとフェイスプレートとは、
わずかな間隔を隔てて配設されている。この間隔は、両
者の間の電位差を維持するとともに、ガス流のためのギ
ャップとなっている。フェイスプレート上で均一な解像
度、フォーカス及び輝度を得るためには、この間隔がフ
ェイスプレートの全面にわたって均一であることが重要
である。さらに、エミッタサイトから電子が放出されて
いるときに信頼性のあるディスプレイ動作を実現するた
めには、真空度が10-6Torr以下である必要がある。この
真空はフィールドエミッションディスプレイ内の封止さ
れた空間に形成されるものである。
【０００５】従来、フィールドエミッションディスプレ
イは、ベースプレートとフェイスプレートとの間の空間
を封止するための封止を有するユニットとして製造され
ており、通常は、フィールドエミッションディスプレイ
パッケージの製造中に当該空間を排気するために、ある
種の管をさらに用意する必要があった。この管は封止さ
れた空間から気体を吸い出して真空を形成する導管とし
て用いられる。真空を形成した後は、ピンチングによ
り、または栓などの封止部材を用いることにより、この
管を封止する必要がある。
【０００６】このタイプの、管を用いたパッケージにお
ける一つの問題点は、管が組立体の恒久的部分となって
しまうことである。また、この管についての封止操作が
別に必要となるし、封止も別に用意する必要がある。し
かも、この管は、フィールドエミッションディスプレイ
パッケージの寿命が尽きる前に壊れる可能性のある代表
的な付加的部品である。さらに、管がディスプレイから
突出しているのは不都合であり、ラップトップコンピュ
ータのようなシステムに組み込む際にはいろいろと工夫
をして調整を行なう必要がある。
【０００７】もし、フィールドエミッションディスプレ
イが、排気管なしに形成されるのであれば有利であろ
う。これにより、パッケージを簡略化することができる
し、故障の潜在的要因を解消することができる。また、
真空形成と同時に、フィールドエミッションディスプレ
イパッケージを封止し、ゲッタを活性化することができ
れば有利であろう。これにより製造工程を簡略化するこ
とができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記に鑑み、本発明
は、フィールドエミッションディスプレイパッケージを
排気し封止するための改良法の提供を目的とする。ま
た、本発明は、排気管を含まない、改良されたフィール
ドエミッションディスプレイパッケージを提供すること
を目的とする。さらに本発明は、低コストで、かつ信頼
性の高い真空封止を与え、なおかつ商業的に行われてい
る製造プロセス上の操作にも適合したフィールドエミッ
ションディスプレイパッケージを排気し封止する改良法
及び改良されたフィールドエミッションディスプレイパ
ッケージを提供することを目的とする。さらに本発明
は、加熱処理（ベイクアウト）、排気及びゲッタの活性
化を一つの操作で行なうことが可能な、フィールドエミ
ッションディスプレイパッケージを封止する改良法を提
供することを目的とする。
【０００９】さらにまた、本発明は、フィールドエミッ
ションディスプレイその他の電子部品のための、金属−
金属封止によらない改良された封止技術を提供すること
を目的とする。また、本発明は、封止に先立ち、バック
プレートとフェイスプレートの位置合わせを大気圧下で
行なうことを可能とする、フィールドエミッションディ
スプレイについての改良された封止技術を提供すること
を目的とする。また、本発明は、従来の熱−真空プロセ
ス容器を用いて遂行し得る改良された封止技術を提供す
ることを目的とする。本発明のその他の目的、利点及び
特長は、以下の説明によってより明らかになるであろ
う。
【００１０】
【課題解決の手段】本発明は、以下のパッケージあるい
は特にフィールドエミッションディスプレイパッケージ
を排気し封止する改良法、及び改良されたパッケージあ
るいは特に改良されたフィールドエミッションディスプ
レイパッケージを提供する。
【００１１】（１） 以下の工程を含む、フィールドエ
ミッションディスプレイパッケージの製造方法：第一プ
レート及び第二プレートを用意する工程；第一プレート
及び第二プレートにフィールドエミッションディスプレ
イ用のコンポーネントを装着する工程；少なくとも一つ
の隆起部分を有するガラスフリットを含む封止リングを
第一プレート上に形成する工程；前記封止リングを前記
隆起部分とともに予備焼成して半結晶状態とする工程；
第一プレート上のコンポーネントを第二プレート上のコ
ンポーネントに位置合わせする工程；前記予備焼成及び
位置合わせ工程の後、第二プレートを前記半結晶状態の
隆起部分上に載置することにより、前記封止リングと第
一及び第二プレートとによりこれらの間に少なくとも部
分的に空間を形成し、前記隆起部分によって該空間への
開口部を形成するように、第一プレートと第二プレート
とを互いに接着する工程；前記接着工程後に第一及び第
二プレートを真空処理チャンバに装入する工程；真空チ
ャンバ内において、前記開口部によってもたらされる流
路を用いて前記空間を排気する工程；及び前記封止リン
グを隆起部分とともに加熱して前記開口部を閉鎖し、前
記空間を封止するように封止を形成する工程。
【００１２】（２） 前記排気及び加熱工程において、
さらに、荷重を用いて第一プレートと第二プレートとを
互いに押し当てる前記１に記載の方法。 （３） 前記装着工程において、さらに、空間内にゲッ
タを配置し、前記加熱工程においてこのゲッタ材料を活
性化する前記１に記載の方法。
【００１３】（４） 下記の工程を含む、フィールドエ
ミッションディスプレイパッケージの製造方法：第一プ
レート及び第二プレートを用意する工程；フィールドエ
ミッションディスプレイ用のコンポーネントを第一及び
第二プレート上に装着する工程；第一プレートまたは第
二プレートにゲッタを装着する工程；ガラスフリット封
止リングを第一プレート上に載置して第一プレートと第
二プレートの間に少なくとも部分的に空間を形成する工
程；封止リングに近接した少なくとも一つのガラスフリ
ット隆起部材を形成する工程；前記封止リングを前記隆
起部材とともに予備焼成して半結晶状態とする工程；予
備焼成工程後、第一プレート上のコンポーネントを第二
プレート上のコンポーネントに位置合わせする工程；位
置合わせ工程後、第二プレートを前記半結晶状態の隆起
部材上に載置することにより、前記隆起部材によって第
二プレートを前記封止リングから隔て、これにより前記
空間内への流路を形成するように第一プレートを第二プ
レートに接着する工程；前記接着工程後に、第一及び第
二プレートを真空処理チャンバ内に装入する工程；真空
チャンバ内において前記流路を用いて前記空間を排気す
る工程；及び真空チャンバ内において、前記封止リン
グ、隆起部材及びゲッタ材料を、ゲッタ材料が活性化し
隆起部材及び封止リングが溶融して前記空間を封止する
連続的な周縁封止を形成するに十分な温度に加熱する工
程。
【００１４】（５） 第一プレートがフェイスプレート
を含み、第二プレートがベースプレートを含む前記４に
記載の方法。 （６） 前記位置合わせ工程が、ほぼ大気圧下・室温の
条件で行なわれる前記４に記載の方法。
【００１５】（７） 以下の工程を含む、フィールドエ
ミッションディスプレイパッケージの製造方法：第一プ
レート及び第二プレートを用意する工程；フィールドエ
ミッションディスプレイのコンポーネントを第一または
第二プレートに装着する工程；第一プレート上に、少な
くともその一部に隆起した部分を形成したガラスフリッ
ト材料を含む封止リングを塗布形成する工程；塗布工程
後、ガラスフリットを予備焼成して半結晶状態にする工
程；予備焼成工程後、第一プレート上のコンポーネント
を第二プレート上のコンポーネントに位置合わせする工
程；第二プレートと前記半結晶状態の隆起部分とを接触
させ、隆起部分によって第二プレートと封止リングとの
間に開口部を形成するように、第一プレートと第二プレ
ートとを互いに接着する工程；載置工程後、第一及び第
二プレートを真空チャンバ内に装入する工程；前記開口
部を通る流路を用いて、これらのプレートと封止リング
の間の領域から真空チャンバー内へ排気する工程；及び
排気工程において、封止リングを加熱し、力を加えて第
一及び第二プレートを互いに押し当てることにより前記
封止リングを圧縮して該領域を封止する工程。
【００１６】（８） さらに、第一プレートまたは第二
プレートにゲッタを装着し、排気工程中にゲッタを活性
化する前記７に記載の方法。 （９） 位置合わせ工程が、ほぼ大気圧下、ほぼ室温の
条件で行なわれる前記７に記載の方法。
【００１７】（１０） 封止リングの圧縮が、荷重式の
位置合わせジグを用いて行なわれる前記７に記載の方
法。
【００１８】（１１） 下記の工程を含む、フィールド
エミッションディスプレイパッケージの製造方法：第一
プレート及び第二プレートを用意する工程；フィールド
エミッションディスプレイのコンポーネントを第一プレ
ートまたは第二プレートに装着する工程；少なくとも一
つの隆起部分を有するガラスフリットを含む封止リング
を第一プレート上に形成する工程；前記封止リングを前
記隆起部分とともに約２００℃〜４００℃の間の温度で
予備焼成する工程；第一プレート上のコンポーネントを
第二プレート上のコンポーネントに位置合わせする工
程；前記予備焼成工程後、第二プレートを前記隆起部分
上に載置することにより、封止リング内に空間を、封止
リングと第二プレートとの間に開口部を形成するように
第一プレートを第二プレートに接着する工程；前記接着
工程後に、第一及び第二プレートを真空処理チャンバ内
に装入する工程；真空チャンバ内で、前記開口部によっ
てもたらされる流路を用いて前記空間を排気する工程；
及び、排気工程において、前記ガラスフリット材料を約
４００℃以上に加熱して前記封止リングを溶融し、前記
空間を封止するように封止を形成する工程。
【００１９】（１２） 前記空間内にゲッタを配置し、
排気工程においてゲッタを活性化する工程をさらに含む
前記１１に記載の方法。
【００２０】（１３） 下記の工程を含む、フィールド
エミッションディスプレイパッケージの製造方法：フィ
ールドエミッションディスプレイのコンポーネントをそ
の上に有する第一プレート及び第二プレートを用意する
工程；第一プレート及び第二プレートにフィールドエミ
ッションディスプレイ用コンポーネントを装着する工
程；第一プレートまたは第二プレートにゲッタを装着す
る工程；少なくとも一つの隆起部分を有する、ガラスフ
リット材料を含む封止リングを第一プレート上に形成す
る工程；前記ガラスフリット材料を半結晶状態にするの
に十分な第一の温度に加熱する工程；第一プレート上の
コンポーネントを第二プレート上のコンポーネントに位
置合わせする工程；第一の温度への加熱工程の後、第二
プレートを前記隆起部分上に載置することにより、封止
リングが空間を形成し、隆起部分が第二プレートを封止
リングの残りの部分から隔てて該空間への流路を形成す
るように、第一プレートを第二プレートに接着する工
程；接着工程の後、第一及び第二のプレートを真空処理
チャンバ内に装入し、前記流路を用いて前記空間を排気
する工程；及び装入工程後、封止リングを溶融しゲッタ
を活性化して連続的な周縁封止を形成するのに十分な第
二の温度に真空処理チャンバを加熱する工程。
【００２１】（１４） 第一のプレートがベースプレー
トを含み、第二のプレートがフェイスプレートを含む前
記１３に記載の方法。
【００２２】（１５） 位置合わせ工程が光学的位置合
わせ装置により行なわれる前記１３に記載の方法。
【００２３】（１６） 位置合わせ工程がジグを用いて
行なわれる前記１３に記載の方法。
【００２４】
【００２５】
【００２６】以下、本発明を詳細に説明する。大まかに
言えば、フィールドエミッションディスプレイパッケー
ジは、バックプレート（第一プレート）、カバープレー
ト（第二プレート）及びゲッタ材料からなるが、本発明
の方法を用いた場合、バックプレートとカバープレート
は、周縁封止によって結合され、パッケージの内部に脱
気された真空空間を形成することになる。この封止され
た空間内にフィールドエミッションディスプレイの各コ
ンポーネントが実装される。
【００２７】封止された空間の排気、及び周縁封止の形
成は、真空の反応室内で実行される。周縁封止を形成す
るためには、まず、ガラスフリットやインジウムのよう
な、流動状態にし得る(flowable)材料を含む封止リング
をバックプレート（またはカバープレート）上に周縁部
に沿ったパターンで塗布する。ガラスフリットからなる
封止リングについては、予備焼成して半結晶状態にする
必要もある。
【００２８】封止リングに加え、加熱・排気プロセスに
先立ち、圧縮可能な突起をバックプレートとカバープレ
ートの間に形成する。圧縮可能な突起は封止リングの一
部として形成してもよいし、別のコンポーネントとして
形成してもよい。排気・封止過程では、封止リングと圧
縮可能な突起を圧縮して周縁封止を形成し、この間にパ
ッケージ内部を排気する。
【００２９】圧縮可能な突起は、第一に、カバープレー
トをバックプレートから隔てて、排気孔、すなわちパッ
ケージ内部を排気するための流路を形成する機能を有す
る。同様にして、圧縮可能な突起は、パッケージ内のガ
ス雰囲気組成を調整するための逆方向の流路ともなる。
例えば、水素等をバックグラウンドガスとして封止空間
内に装入する場合があるが、ガスの再充填またはガスを
細流としてパージする手法（ガストリックルパージ (ga
s trickle purge)）を用いて行なうことができる。
【００３０】バックプレートとカバープレートとの間に
周縁封止を形成するのと同時に、高温によりパッケージ
内のゲッタを活性化することもできる。このように、パ
ッケージの排気、ゲッタの活性化、封止の形成を同一過
程で、単一の熱源により、さらに排気管を使用すること
なく実行できる。パッケージが封止された後は、ゲッタ
の機能により、封止されたパッケージ内をさらに減圧で
きる。
【００３１】排気・封止過程に先立ち、ディスプレイパ
ッケージのバックプレート及びカバープレートをフィー
ルドエミッションディスプレイ用のフェイスプレート−
ベースプレートペアと予備組立する。さらに、封止リン
グ及び圧縮可能な突起をバックプレートとカバープレー
トの間に形成する。次いで、この組立体を排気・加熱さ
れた反応室内に装入し、ディスプレイパッケージを排気
してガスを除き、ゲッタを活性化し、ディスプレイパッ
ケージを封止する。
【００３２】反応室としては、石英管炉またはステンレ
ス鋼の容器が利用できる。排気・封止過程の間、重みを
付けた位置合わせジグにより各プレートを位置合わせ
し、カバープレートを封止リングに押し当てる。あるい
は、封止すべき２面を位置合わせして互いにくっつけた
後、封止リングを実質的に圧縮するのに必要な荷重や締
付力を加えてもよい。また、この工程は、光学的または
機械的な位置合わせ技術を用いて室温大気圧下で行なう
バックプレートとカバープレートの位置合わせ操作を含
むものでも良い。
【００３３】ガラスフリットにより封止リングを形成す
るためには、排気・封止過程を数時間掛けて段階的に行
なうことが好ましい。はじめにパッケージを反応室に装
入し、真空ポンプを用いて反応室内に高真空状態（例え
ば、4.7 ×10-7Torr）を作り出す。と同時に、反応室内
は、はじめは比較的低い温度、具体的には、ガラスフリ
ットの流動点（例えば、１００〜１５０℃）よりも十分
に低い温度に保たれる。平衡に達し、圧縮可能な突起に
よってもたらされる流路を通してガスその他の含有物が
石英管及びパッケージから追い出されるのに十分な時間
（例えば１〜２時間）、パッケージはこの温度及び圧力
条件の下に置かれる。次いで、温度を（例えば、２１０
〜３１０℃に）上げ、温度を均一化し含有物の揮発除去
し、さらにパッケージの内部空間及び炉が真空を回復す
るまでの比較的長い時間保持する。この段階でもまだ、
温度はガラスフリットの流動点（フリット封止リングの
形成のため）よりも十分に低いが、ゲッタは活性化され
始める。
【００３４】次いで、ガラスフリットを粘稠ペーストと
するために添加した混合剤がフリットから揮発除去され
る温度（例えば、３２５〜４００℃）まで昇度する。こ
の温度でパッケージを数時間維持すると、ゲッタの活性
化はさらに進む。次いで温度をフリット材料の流動点以
上（例えば、４００℃以上）に高める。この温度では、
圧縮可能な突起及びフリット封止リングは位置合わせジ
グの重みによって流れ、連続的な周縁封止を形成する。
さらにこの時点では、ゲッタはより一層活性化され、既
に封止されたパッケージ内部の領域を排気する。次い
で、数時間かけて温度を下げる。この間、封止されたパ
ッケージ内の圧力はさらに減少する。パッケージ内の最
終圧力は4.0 ×10-7Torr程度とすることができる。
【００３５】好適な態様では、圧縮可能な突起は封止リ
ングと同じ材料でつくり封止リングの上に直に置く。こ
のような構成を採ることにより製造プロセスを簡略化す
ることができる。しかし、圧縮可能な突起を、封止リン
グの脇に向け、あるいはこれに隣り合うように形成して
もよい。さらに、熱化学的に圧縮可能である限り、圧縮
可能な突起を封止リングとは異なる組成としてもよい。
【００３６】別の態様では、フリット封止リングと圧縮
可能な突起は、フィールドエミッションディスプレイの
フェイスプレートとパッケージのバックプレートの間の
直接封止を形成するために用いられる。さらにまた別の
態様では、フィールドエミッションディスプレイのフェ
イスプレートとベースプレートによってパッケージが形
成される。この場合、圧縮可能な突起と封止リングは、
フェイスプレートからベースプレートへの直接封止を形
成するために用いられ、カバープレートやバックプレー
トは使用しない。
【００３７】
【発明の実施の態様】以下に本発明の好ましい態様につ
いて具体的に説明する。図１に、フィールドエミッショ
ンディスプレイパッケージ１０の製造における本発明の
方法を図解して示す。図１は製造過程におけるフィール
ドエミッションディスプレイパッケージ１０を示したも
のである。フィールドエミッションディスプレイパッケ
ージ１０は、透明なカバープレート１２、バックプレー
ト１４，バックプレート上に装着されたフェイスプレー
ト−ベースプレート対１６を含む。フェイスプレート−
ベースプレート対１６は、パッケージ１０の内部に形成
された、排気された封止空間１８内に装着されている。
このフィールドエミッションディスプレイ用のフェイス
プレート−ベースプレート対１６にはベースプレート２
２とディスプレイスクリーン２６が含まれる。
【００３８】図２に、フェイスプレート−ベースプレー
ト対１６のディスプレイセグメント２０の拡大図を示
す。各ディスプレイセグメント２０は、画像１ピクセル
（またはピクセルの一部）を表示する能力を有してい
る。ベースプレート２２は基板３２を含んでおり、これ
は、例えば単結晶シリコンのような材料で形成される
か、あるいは、ガラス基板上にアモルファスシリコンを
堆積させることにより形成される。基板３２の上には複
数のフィールドエミッタサイトが形成されている。グリ
ッド２４がエミッタサイト２８を取り囲んでいるが、こ
のグリッドは、絶縁層３０によって基板３２から絶縁・
分離されている。
【００３９】電源３４がエミッタサイト２８，グリッド
２４及びディスプレイスクリーン２６に接続されてい
る。ディスプレイスクリーン２６はスペーサ４０により
ベースプレート２２から分離されている（図１）。電源
３４により電位差が加えられると、電子流３６がエミッ
タサイト２８からディスプレイスクリーン２６に向けて
放出される。このシステムでは、ディスプレイスクリー
ン２６が陽極であり、エミッタサイト２８が陰極であ
る。エミッタサイト２８から放出された電子３６はディ
スプレイスクリーン２６の蛍光体３８を叩く。これによ
り蛍光体３８がより高いエネルギー準位に励起される。
蛍光体３８がその本来のエネルギー準位に戻る際に光子
が放出される。
【００４０】ロウ(Roe) らに付与された米国特許第5,30
2,238 号、キャスパー(Casper)らに付与された米国特許
第5,210,472 号、キャセイ(Cathey)らに付与された米国
特許第5,232,549 号、ローリー(Lowrey)らに付与された
米国特許第5,205,770 号、ドーン(Doan)らに付与された
米国特許第5,186,670 号、ドーン(Doan)らに付与された
米国特許第5,229,331 号にはフィールドエミッションデ
ィスプレイを製造する方法が開示されている。
【００４１】図１に戻ると、バックプレート１４は空洞
４２を含んでいる。ここには、フェイスプレート−ベー
スプレート対１６のベースプレート２２が装着される。
ベースプレート２２は、フェイスプレート−ベースプレ
ート対１６の動作を制御するための種々の電子素子及び
回路を含んでいる。ベースプレート２２は空洞４２内に
おいて、セラミックまたは石英材料で形成されたスペー
サロッド５４上に装着される。スペーサロッド５４は、
最終的にはベースプレート２２の両面に真空が形成され
るように、ベースプレート２２をバックプレート１４か
ら隔てている。ベースプレート２２をカバープレート１
２とバックプレート１４の間に装着することにより、シ
リコン製のベースプレートを用いた場合にシリコンをガ
ラスに封止する必要がなくなる。さらに、このような構
成を採ることにより、ベースプレート２２は気圧差にさ
らされることがない。また、大気圧による負荷に起因す
るたわみに抗し得る堅固な構造が得られる。また、バッ
クプレート１４はボンド棚４４を含んでおり、この上に
はボンディングパッド４６が配設される。ボンド棚４４
はバックプレート１４内に形成された溝５２内に形成さ
れており、ボンディングパッド４６は、バックプレート
１４の外側に形成された外部コネクタ５０に電気的に結
合される。外部コネクタ５０はピングリッドアレイ（Ｐ
ＧＡ）として形成され、パッケージ１０が最終的に装着
される専用のソケット組立体（図示していない。）に電
気的に接続するように設計されている。
【００４２】ボンディングパッド４６とこれらに対応す
るベースプレート２２上の接続点（図示していない。）
には導線４８がワイヤボンドされる。これによって、外
界から外部コネクタ５０、ボンディングパッド４６、導
線４８を通りベースプレート２２上に形成された電子回
路に至る回路パスが確立されることになる。また、ディ
スプレイスクリーン２６と導電パッド（これは封止され
た空間１８の外側に位置するバックプレート１４の側壁
を通じて供電する。）との間に高電圧接続（図示してい
ない。）がつくられる。
【００４３】好ましくは、ベースプレート２２に対する
外部の電気的接続は、すべて、バックプレート１４中に
形成される外部コネクタ５０を介したものとする。図示
した態様では、バックプレート１４は、ムライトのよう
なセラミック材料を積層し焼成して形成される多層ブロ
ックである。図１のバックプレート１４のような形状の
シート状ムライトは、京セラから市販されている。
【００４４】バックプレート１４は当該分野においては
既知である高温セラミック積層プロセスにより形成する
ことができる。このようなプロセスでは、まず、未焼成
で屈曲自在の状態にある生のセラミックからなるグリー
ンシートを所望のサイズに裁断する。次いで、ビアホー
ルその他の細部を必要に応じてグリーンシート上にパン
チ開けし、ビアホールを導電性材料（例えば、タングス
テンペースト）で充填あるいは被覆する。これにより、
積層体であるバックプレート１４の異なる層の間のレベ
ル間接続 (interlevel connection)が得られる。次に、
選択したグリーンシート面上にスクリーン印刷プロセス
を用いて導電線（または導電面）のメタライズドパター
ンを印刷する。この場合、導電線により、外部コネクタ
５０とボンディングパッド４６との間の導電パスが得ら
れる。
【００４５】必要に応じて複数枚のグリーンシートを形
成し、所定の順に重ね互いに結合する。これらのグリー
ンシートは、次いで、減圧下、高温（1500〜1600℃）で
焼成される。この後、メッキにより適当な金属からボン
ディングパッド４６その他の導電トレースを形成する。
メッキプロセスでは、電解または無電解の堆積の後に、
レジストコーティング、露光、現像、及び選択的な湿式
のケミカルエッチングを行なってもよい。次いで、切断
またはパンチング処理を行ない、バックプレート１４の
周縁寸法 (peripheral dimensions)を確定する。
【００４６】パッケージ１０のバックプレート１４は、
上から見れば、その外周が概ね矩形の形状をしている。
カバープレート１２はこれに見合う形状で、Corning 70
59のような透明ガラス材料で形成される。
【００４７】排気・封止プロセスに先立ち、バックプレ
ート１４とフェイスプレート−ベースプレート対１６を
組み立て部分組立体 (subassembly)としてワイヤボンド
する。さらにカバープレート１２とバックプレート１４
との間の空間１８内にゲッタ材料５６を配設する。ゲッ
タ材料５６はアルミニウムや鉄のような金属箔のストリ
ップ（小板）にゲッタ化合物をコートして形成すること
ができる。ゲッタ化合物の例としてはチタンベースの合
金が挙げられる。これはガス分子をトラップして反応す
る。金属箔上に堆積して、加熱時に活性化することので
きる金属粒子は市販されている。適当な製品の一例とし
ては、サエス（SAES）社からST-707として販売されてい
るゲッタストリップがある。ゲッタ材料５６は、封止・
排気プロセスにおいて、また、ディスプレイパッケージ
１０の寿命が続く間、封止された空間１８内の圧力を減
じるように機能する。
【００４８】ゲッタ材料５６は湾曲したバネ部材として
成形されており、フェイスプレート−ベースプレート対
１６をバックプレート１４の空洞４２内に保持するとい
う第二の機能も有している。このため、ゲッタ材料５６
は、バックプレート１４中に形成されたリップ（図示し
ていない。）に対して取り付けられ、フィールドエミッ
ションディスプレイのディスプレイスクリーン２６に圧
力を加えるように設計される。ゲッタ材料５６は当該材
料からなる２枚の比較的薄い（例えば、1/8 インチ（
0.32cm ））ストリップとして形成し、ディスプレイス
クリーン２６の外端部に沿って取り付けてもよい。図示
した態様では、ディスプレイスクリーン２６への高圧接
続をゲッタ材料５６と同様の形状のバネ部材により形成
することもできる。
【００４９】排気・封止プロセスにおいては、周縁封止
５８（図３（Ｃ））がカバープレート１２の内表面とバ
ックプレート１４の内表面上に形成される。封止された
空間１８が形成され排気されるのと同時にゲッタ材料５
６が活性化される。カバープレート１２、バックプレー
ト１４及び周縁封止５８により封止空間１８が形成され
る。周縁封止５８は上から見れば概ね矩形の周縁形状を
有している。
【００５０】図示した態様では、周縁封止５８はフリッ
トペーストをバックプレート１４の内表面に塗布し、次
いでペーストを予備焼成してフリット封止リング６０を
形成することにより形成される。例えば、粘稠なフリッ
トペーストを塗布して２００℃〜４００℃の温度まで予
備焼成する。予備焼成工程の目的は、フリット封止リン
グ６０をフリット材料が半結晶状態すなわち部分的に固
い状態になる温度まで加熱することにある。一般的に
は、この温度は、フリットの前核化(prenucleation) が
起こり始めるよりも十分に低い温度である。
【００５１】フリット封止リングは、日本電気硝子米国
社(Nippon Electric Glass America, Inc.) からLS-010
4 として市販されているガラスフリット材料で形成する
ことができる。ガラスフリット材料はガラス質フリット
でも失透性(devitrifying)フリットのいずれでもよい。
なお、ここでいう、ガラス化する(vitrify) 、ガラス化
(vitrification) 及び焼成(firing)という用語は、ケイ
酸質材料を溶融し次いで冷却することによりアモルファ
スなガラス状態にすることを意味している。フリット封
止リング６０用のガラスフリット材料は、カバープレー
ト１２及びバックプレート１４の熱膨張係数と近い値を
有することが好ましい。フリット封止リング６０は、適
当なステンシル（図示していない。）を用いて粘稠ペー
ストして塗布するか、分散ノズルからビーズとして塗布
される。ペーストはガラスフリット材料を松油(pine oi
l)のような溶剤と組み合わせることにより形成できる。
【００５２】フリット封止リング６０はまた、本明細書
で圧縮可能な突起６２と呼んでいる突起を含む。圧縮可
能な突起６２は概ね矩形状のフリット封止リング６０の
周縁の角に形成される。圧縮可能な突起６２部分では高
さが、つまり厚みが大きくなっており、好ましくは、ほ
かのフリット封止リング６０部分と同じ材質で形成す
る。圧縮可能な突起６２ははじめはカバープレート１２
をフリット封止リング６０から分離し、排気・封止プロ
セスにおいて流路を作り出すものである。
【００５３】フリット封止リング６０について、排気・
封止プロセスは、加熱した反応室６４内において真空雰
囲気で行なわれる。例えば、反応室６４として、半導体
製造に用いられる拡散炉のように石英内張りした管を用
いることができる。一般的に、拡散炉は、ドーパントを
高温減圧下、半導体基板中に拡散させるのに用いる。低
圧CVD(LPCVD)炉も用いることができる。LPCVD 炉もまた
半導体製造において、様々な材料を高温減圧下に堆積さ
せるのに用いられる。これらのタイプの炉は、ガラスフ
リット材料を流動化するのに必要な温度（例えば１００
℃〜６００℃）以上の温度に加熱することができる。さ
らにこれらのタイプの炉は、適当なポンプを用いれば10
-7Torr未満まで排気することが可能である。反応炉６４
はまたステンレス鋼容器で形成してもよい。
【００５４】図１に示すように、反応室６４はバルブを
有する導管７４及び真空ポンプ７２と流体が導通可能な
ように接続されている。バルブを有するパージライン７
６により様々なガスを反応室６４からパージすることが
できる。圧力計７８は反応室６４内の圧力を計測する。
さらに熱源８０が操作可能に反応室６４に結合されてお
り、これにより反応室内を高温に加熱する。石英製の作
業ホルダー７０を用いてパッケージ１０を反応室６４内
に支持する。さらに、重みを有する位置合わせジグ６６
をカバープレート１２上に載置して周縁封止５８を形成
するのに必要な機械的力（Ｆ）を作用させるようにして
もよい。位置合わせジグ６６はさらに、カバープレート
１２をバックプレート１４に対して合わせた位置を維持
できるように構成する。あるいは、フリット封止リング
６０と圧縮可能な突起６２を圧縮するのに必要な力を加
える前に、カバープレート１２とバックプレート１４を
互いに位置合わせしてもよい。
【００５５】排気・封止プロセスは図３（Ａ〜Ｃ）に模
式的に図解されている。図３（Ａ）に示すように、はじ
めに、フリット封止リング６０と圧縮可能な突起６２を
半結晶状態、あるいは部分的に固くした状態とする。プ
ロセスのこの段階では、圧縮可能な突起６２はカバープ
レート１２を、その間に排気開口部６８が形成されるよ
うに支持している。排気開口部６８は矩形状フリット封
止リング６０の長さ及び幅にわたって延びている。さら
に、排気開口部６８は、圧縮可能な突起６２の高さによ
って決まる高さＨを有している。例えば、圧縮可能な突
起６２は約0.01インチ（0.0025ｃｍ）のオーダーの高さ
である。もっとも、この値に限定されるものではない。
圧縮可能な突起６２間の隔たりはフィールドエミッショ
ンディスプレイ１０全体の大きさによる。例えば、およ
そ１インチ（2.54ｃｍ）のオーダーであるが、この値に
限定されるものではない。
【００５６】はじめに、フリット封止リング６０を図３
（Ａ）の位置に設けて排気開口部６８と排気用流路を形
成した状態で、排気開口部６８カバープレート１２とバ
ックプレート１４を炉の反応室６４内に置く。次いで、
排気・封止プロセスを開始し、パッケージ１０を排気
し、フリット封止リング６０及び圧縮可能な突起６２を
加熱して周縁封止５８を形成する。
【００５７】カバープレート１２とバックプレート１４
を反応室６４内に置いたら、反応室６４を排気して大気
圧から負圧、具体的には10-7のオーダー以下まで減じ
る。一方、反応室６４内の温度は、室温から、フリット
封止リング６０と圧縮可能な突起６２が流動化して周縁
封止５８を形成するに十分な温度まで高める。
【００５８】排気・封止プロセスは好ましくは段階的
に、具体的には、はじめに反応室６４をポンプで引いて
負圧とし、次いで次第に温度を上げて所定値に至るよう
に行なう。炉の制御は、反応室６４内で所定の温度及び
圧力を実現できるように設定する。
【００５９】はじめに、圧縮可能な突起６２によって排
気開口部６８を形成し、フィールドエミッションディス
プレイパッケージ１０の内部を排気するための流路を確
保する。図３（Ｂ）に示すように、排気・封止プロセス
が進行するにつれ、フリット封止リング６０と圧縮可能
な突起６２が軟化して互いに接近してくるため、排気開
口部６８は閉じ始める。
【００６０】図３（Ｃ）に示すように、排気・封止プロ
セスの完了時には、フリット封止リング６０と圧縮可能
な突起６２は溶融して互いに混ざり合い周縁封止５８を
形成している。この時点では排気開口部６８は完全に封
止されている。また、高温によりゲッタ材料５６は活性
化され、封止空間１８からガス及び蒸気を引き抜き続け
ていく。
【００６１】あるいは、フリット材料で封止リングを形
成する代わりに、これと実質的に同等な封止リングをイ
ンジウムで形成してもよい。この態様では、インジウム
は、インジウム線を閉じたループのような所定のかたち
として用いればよい。あるいは、はんだ付けにより、ま
たは、スパチュラその他の道具を用いた手法によりイン
ジウムの封止リングを形成してもよい。なお、インジウ
ムで形成された封止リングは、形成後の加熱を必要とせ
ず、圧縮のみで封止を形成することができる。もっと
も、この態様でも、ゲッタを活性化するために、形成後
の加熱工程は必要であろう。
【００６２】［実施例］以下の例は封止リングと圧縮可
能な突起をフリット材料で形成する場合に関するもので
ある。排気・封止プロセスは、好ましくは、温度を上げ
て数時間保持する複数の段階を経て行なう。図４にこの
ような温度制御プロセスを示す。また、表１には、図示
したプロセスについて、処理開始からの時間（プロセス
タイム）、各工程に要する時間、工程のタイプ、温度及
び圧力といったパラメータをまとめて示した。
【００６３】
【００６４】このプロセスを簡単に要約すると以下の通
りである。はじめに反応室６４を１２５℃の温度に放置
する。反応室６４は真空状態から通気して大気雰囲気下
に開放する。パッケージ１０を反応室６４内に置き、反
応室を4.7 ×１０-7Torr程度に排気する。パッケージ１
０は１２５℃の温度で２時間保つ。この間にパッケージ
１０と反応室６４からはガスが除かれ平衡に達する。こ
の段階でガスとして除かれる主要成分は水である。
【００６５】次いで半時間で温度を３７５℃まで上げ、
３時間保つ。これにより、フリット封止リング６０や圧
縮可能な突起６２を粘稠ペーストとするために添加され
た松油のような混合剤が完全に揮発除去される。さら
に、パッケージ１０と反応室６４をこの温度と平衡にし
てパッケージ内部領域及び反応室が真空を回復するよう
にする。この時点で、ゲッタの活性化も始まっている。
次いで温度を４２５℃まで上昇させ、１時間保つ。これ
は、圧縮可能な突起６２とフリット封止リング６０が軟
化し流動する温度である。さらに、重みを付けた位置合
わせジグ６６により力（Ｆ）が加えられているため、圧
縮可能な突起６２とフリット封止リング６０は、押し出
される、つまり流動する。この高温でゲッタ５６はさら
に完全に活性化され封止空間１８が形成されるにつれパ
ッケージ内の脱気を続ける。
【００６６】次いで温度を３９５℃に下げ、この状態で
２時間保つ。これによりゲッタ材料が封止空間１８から
効率的にガス及び蒸気を除去する。次いで温度を１２５
℃に下げ約２時間保つ。反応室６４に通気して大気圧と
しパッケージ１０を反応室６４から除く。図５と図６
に、本発明の別の態様を示す。図５では、フィールドエ
ミッションディスプレイパッケージ１０Ａは、上に述べ
た各コンポーネントと同様なベースプレート２２Ａとデ
ィスプレイスクリーン２６Ａを含んでいる。しかし、こ
の態様では、カバープレート１２とバックプレート１４
がなく、フリット封止リング６０Ａと圧縮可能な突起６
２Ａを用いることにより、ベースプレート２２Ａとディ
スプレイスクリーン２６Ａとの間に、実質的に上記と同
様な直接封止が形成される。
【００６７】図６では、フィールドエミッションパッケ
ージ１０Ｂには、前述のバックプレートと同等なバック
プレート１４Ｂは含まれているが、カバープレートがな
く、フリット封止リング６０Ｂと圧縮可能な突起６２Ｂ
を用いることにより、バックプレート１４Ｂとディスプ
レイスクリーン２６Ｂとの間に、実質的に上記と同様な
直接封止が形成される。以上、ある種の好適態様につい
て本発明を説明したが、当業者には明らかなように、特
許請求の範囲により規定される本発明の範囲内におい
て、このほかの変化や修正を施すことも可能である。
【００６８】
【発明の効果】本発明の方法によれば、排気と封止形成
が実質的に同時に進行するため、排気管を用いることな
くフィールドエミッションディスプレイを形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の方法にしたがい製造したフィールド
エミッションディスプレイパッケージの模式的断面図。
【図２】 図１のフィールドエミッションディスプレイ
パッケージのフィールドエミッションディスプレイセグ
メントを拡大して示す模式的断面図。
【図３】 本発明の排気・封止プロセスにおける封止形
成過程を一部の部品を除いた状態で示す模式的側面図。
【図４】 本発明に従い、排気、封止及びゲッタ活性化
を行なう際の反応室内の圧力(Torr)と温度（℃）の時間
変化を示すグラフ。
【図５】 カバープレートを用いず、フェイスプレート
とバックプレートとの間に直接封止を形成する、本発明
の別な態様によるフィールドエミッションディスプレイ
パッケージの模式的断面図。
【図６】 カバープレートまたはバックプレートを用い
ず、フェイスプレートとベースプレートとの間に直接封
止を形成する、本発明の別な態様によるフィールドエミ
ッションディスプレイパッケージの模式的断面図。
【符号の説明】
１０ フィ−ルドエミッションディスプレイパッケ−ジ １０Ａ フィ−ルドエミッションディスプレイパッケ−
ジ １０Ｂ フィ−ルドエミッションディスプレイパッケ−
ジ １２ カバープレート １４ バックプレート １４Ｂ バックプレート １６ フェイスプレート−ベースプレート対 １８ 封止空間 ２０ ディスプレイセグメント ２２ ベースプレート ２２Ａ ベースプレート ２４ グリッド ２６ ディスプレイスクリーン ２６Ａ ディスプレイスクリーン ２６Ｂ ディスプレイスクリーン ２８ エミッタサイト ３２ 基板 ３６ 電子 ３８ 蛍光体 ４０ スペーサ ４２ 空洞 ４４ ボンド棚 ４６ ボンディングパッド ４８ 導線 ５０ 外部コネクタ ５６ ゲッタ材料 ５８ 周縁封止 ６０ フリット封止リング ６０Ａ フリット封止リング ６０Ｂ フリット封止リング ６２ 圧縮可能な突起 ６２Ａ 圧縮可能な突起 ６２Ｂ 圧縮可能な突起 ６４ 反応室 ６６ 位置合わせジグ ６８ 排気開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 596145983 8000 Ｓｏｕｔｈ Ｆｅｄｅｒａｌ Ｗ ａｙ Ｂｏｉｓｅ，Ｉｄａｈｏ 83707 −0006 Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 デイビッド・エイ・キャセイ・ジュニア アメリカ合衆国，83703，アイダホ，ボ イジ，ノース・ウォーターズ・エッジ 5193 (72)発明者 ラリー・キンズマン アメリカ合衆国，83706，アイダホ，ボ イジ，エイチシー33ボックス2461 (56)参考文献 特開 平５−121013（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−111735（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−295689（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−42837（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−216732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−218055（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−118948（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−94034（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 9/385 H01J 9/40 H01J 31/12

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 以下の工程を含む、フィールドエミッシ
    ョンディスプレイパッケージの製造方法： 第一プレート及び第二プレートを用意する工程； 第一プレート及び第二プレートにフィールドエミッショ
    ンディスプレイ用のコンポーネントを装着する工程； 少なくとも一つの隆起部分を有するガラスフリットを含
    む封止リングを第一プレート上に形成する工程； 前記封止リングを前記隆起部分とともに予備焼成して半
    結晶状態とする工程； 第一プレート上のコンポ−ネントを第二プレート上のコ
    ンポーネントに位置合わせする工程； 前記予備焼成及び位置合わせ工程の後、第二プレートを
    前記半結晶状態の隆起部分上に載置することにより、前
    記封止リングと第一及び第二プレートとによりこれらの
    間に少なくとも部分的に空間を形成し、前記隆起部分に
    よって該空間への開口部を形成するように、第一プレー
    トと第二プレートとを互いに接着する工程； 前記接着工程後に第一及び第二プレートを真空処理チャ
    ンバに装入する工程； 真空チャンバ内において、前記開口部によってもたらさ
    れる流路を用いて前記空間を排気する工程；及び前記封
    止リングを隆起部分とともに加熱して前記開口部を閉鎖
    し、前記空間を封止するように封止を形成する工程。
  2. 【請求項２】 前記排気及び加熱工程において、さら
    に、荷重を用いて第一プレートと第二プレートとを互い
    に押し当てる請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記装着工程において、さらに、空間内
    にゲッタを配置し、前記加熱工程においてこのゲッタ材
    料を活性化する請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 下記の工程を含む、フィールドエミッシ
    ョンディスプレイパッケージの製造方法： 第一プレート及び第二プレートを用意する工程； フィールドエミッションディスプレイ用のコンポーネン
    トを第一及び第二プレート上に装着する工程； 第一プレートまたは第二プレートにゲッタを装着する工
    程； ガラスフリット封止リングを第一プレート上に載置して
    第一プレートと第二プレートの間に少なくとも部分的に
    空間を形成する工程； 封止リングに近接した少なくとも一つのガラスフリット
    隆起部材を形成する工程； 前記封止リングを前記隆起部材とともに予備焼成して半
    結晶状態とする工程； 予備焼成工程後、第一プレート上のコンポ−ネントを第
    二プレート上のコンポーネントに位置合わせする工程； 位置合わせ工程後、第二プレートを前記半結晶状態の隆
    起部材上に載置することにより、前記隆起部材によって
    第二プレートを前記封止リングから隔て、これにより前
    記空間内への流路を形成するように第一プレートを第二
    プレートに接着する工程； 前記接着工程後に、第一及び第二プレートを真空処理チ
    ャンバ内に装入する工程； 真空チャンバ内において前記流路を用いて前記空間を排
    気する工程；及び真空チャンバ内において、前記封止リ
    ング、隆起部材及びゲッタ材料を、ゲッタ材料が活性化
    し隆起部材及び封止リングが溶融して前記空間を封止す
    る連続的な周縁封止を形成するに十分な温度に加熱する
    工程。
  5. 【請求項５】 第一プレートがフェイスプレートを含
    み、第二プレートがベースプレートを含む請求項４に記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 前記位置合わせ工程が、ほぼ大気圧下・
    室温の条件で行なわれる請求項４に記載の方法。
  7. 【請求項７】 以下の工程を含む、フィールドエミッシ
    ョンディスプレイパッケージの製造方法： 第一プレート及び第二プレートを用意する工程； フィールドエミッションディスプレイのコンポーネント
    を第一または第二プレートに装着する工程； 第一プレート上に、少なくともその一部に隆起した部分
    を形成したガラスフリット材料を含む封止リングを塗布
    形成する工程； 塗布工程後、ガラスフリットを予備焼成して半結晶状態
    にする工程； 予備焼成工程後、第一プレート上のコンポーネントを第
    二プレート上のコンポーネントに位置合わせする工程； 第二プレートと前記半結晶状態の隆起部分とを接触さ
    せ、隆起部分によって第二プレートと封止リングとの間
    に開口部を形成するように、第一プレートと第二プレー
    トとを互いに接着する工程； 載置工程後、第一及び第二プレートを真空チャンバ内に
    装入する工程； 前記開口部を通る流路を用いて、これらのプレートと封
    止リングの間の領域から真空チャンバー内へ排気する工
    程；及び排気工程において、封止リングを加熱し、力を
    加えて第一及び第二プレートを互いに押し当てることに
    より前記封止リングを圧縮して該領域を封止する工程。
  8. 【請求項８】 さらに、第一プレートまたは第二プレー
    トにゲッタを装着し、排気工程中にゲッタを活性化する
    請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 位置合わせ工程が、ほぼ大気圧下、ほぼ
    室温の条件で行なわれる請求項７に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 封止リングの圧縮が、荷重式の位置合
    わせジグを用いて行なわれる請求項７に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 下記の工程を含む、フィールドエミッ
    ションディスプレイパッケージの製造方法： 第一プレート及び第二プレートを用意する工程； フィールドエミッションディスプレイのコンポーネント
    を第一プレートまたは第二プレートに装着する工程； 少なくとも一つの隆起部分を有するガラスフリットを含
    む封止リングを第一プレート上に形成する工程； 前記封止リングを前記隆起部分とともに約２００℃〜４
    ００℃の間の温度で予備焼成する工程； 第一プレート上のコンポ−ネントを第二プレート上のコ
    ンポーネントに位置合わせする工程； 前記予備焼成工程後、第二プレートを前記隆起部分上に
    載置することにより、封止リング内に空間を、封止リン
    グと第二プレートとの間に開口部を形成するように第一
    プレートを第二プレートに接着する工程； 前記接着工程後に、第一及び第二プレートを真空処理チ
    ャンバ内に装入する工程； 真空チャンバ内で、前記開口部によってもたらされる流
    路を用いて前記空間を排気する工程；及び、 排気工程において、前記ガラスフリット材料を約４００
    ℃以上に加熱して前記封止リングを溶融し、前記空間を
    封止するように封止を形成する工程。
  12. 【請求項１２】 前記空間内にゲッタを配置し、排気工
    程においてゲッタを活性化する工程をさらに含む請求項
    １１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 下記の工程を含む、フィールドエミッ
    ションディスプレイパッケージの製造方法： フィールドエミッションディスプレイのコンポーネント
    をその上に有する第一プレート及び第二プレートを用意
    する工程； 第一プレート及び第二プレートにフィールドエミッショ
    ンディスプレイ用コンポーネントを装着する工程； 第一プレートまたは第二プレートにゲッタを装着する工
    程； 少なくとも一つの隆起部分を有する、ガラスフリット材
    料を含む封止リングを第一プレート上に形成する工程； 前記ガラスフリット材料を半結晶状態にするのに十分な
    第一の温度に加熱する工程； 第一プレート上のコンポーネントを第二プレート上のコ
    ンポーネントに位置合わせする工程； 第一の温度への加熱工程の後、第二プレートを前記隆起
    部分上に載置することにより、封止リングが空間を形成
    し、隆起部分が第二プレートを封止リングの残りの部分
    から隔てて該空間への流路を形成するように、第一プレ
    ートを第二プレートに接着する工程； 接着工程の後、第一及び第二のプレートを真空処理チャ
    ンバ内に装入し、前記流路を用いて前記空間を排気する
    工程；及び装入工程後、封止リングを溶融しゲッタを活
    性化して連続的な周縁封止を形成するのに十分な第二の
    温度に真空処理チャンバを加熱する工程。
  14. 【請求項１４】 第一のプレートがベースプレートを含
    み、第二のプレートがフェイスプレートを含む請求項１
    ３に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 位置合わせ工程が光学的位置合わせ装
    置により行なわれる請求項１３に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 位置合わせ工程がジグを用いて行なわ
    れる請求項１３に記載の方法。
JP25942596A 1995-09-29 1996-09-30 フィールドエミッションディスプレイを排気、封止する方法及びその方法により形成されるパッケージ Expired - Fee Related JP3128564B2 (ja)

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TW (1) TW367523B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6467807B2 (en) 2000-02-15 2002-10-22 Nsk Ltd. Steering device for car

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5697825A (en) * 1995-09-29 1997-12-16 Micron Display Technology, Inc. Method for evacuating and sealing field emission displays
US5807154A (en) * 1995-12-21 1998-09-15 Micron Display Technology, Inc. Process for aligning and sealing field emission displays
US5827102A (en) * 1996-05-13 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Low temperature method for evacuating and sealing field emission displays
FR2755294A1 (fr) * 1996-10-25 1998-05-01 Pixtech Sa Procede et dispositif d'assemblage d'un ecran plat de visualisation
FR2755295B1 (fr) * 1996-10-28 1998-11-27 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif a emission de champ sous vide et appareils pour la mise en oeuvre de ce procede
US5820435A (en) * 1996-12-12 1998-10-13 Candescent Technologies Corporation Gap jumping to seal structure including tacking of structure
EP1826800B1 (en) * 1996-12-12 2012-03-28 Canon Kabushiki Kaisha Gap jumping to seal structure
US5977706A (en) 1996-12-12 1999-11-02 Candescent Technologies Corporation Multi-compartment getter-containing flat-panel device
US6109994A (en) * 1996-12-12 2000-08-29 Candescent Technologies Corporation Gap jumping to seal structure, typically using combination of vacuum and non-vacuum environments
US6129603A (en) * 1997-06-24 2000-10-10 Candescent Technologies Corporation Low temperature glass frit sealing for thin computer displays
US6254449B1 (en) 1997-08-29 2001-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method of image forming apparatus, manufacturing apparatus of image forming apparatus, image forming apparatus, manufacturing method of panel apparatus, and manufacturing apparatus of panel apparatus
RU2000111546A (ru) * 1997-10-01 2002-08-10 Комплит Дисплей Солушнз Лимитед (Gb) Индикатор изображения
US6319436B1 (en) * 1997-10-27 2001-11-20 Trw Inc. Method for making floor fan seal plug with thermoexpanding seal ring and axial guide members
KR100273139B1 (ko) 1997-11-25 2000-12-01 정선종 전계방출디스플레이의패키징방법
US6897855B1 (en) 1998-02-17 2005-05-24 Sarnoff Corporation Tiled electronic display structure
US6370019B1 (en) 1998-02-17 2002-04-09 Sarnoff Corporation Sealing of large area display structures
JP3896686B2 (ja) * 1998-03-27 2007-03-22 双葉電子工業株式会社 真空外周器の真空方法
KR100270888B1 (ko) * 1998-04-08 2000-12-01 윤종용 노운 굿 다이 제조장치
DE19817478B4 (de) * 1998-04-20 2004-03-18 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flache Entladungslampe und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP3057081B2 (ja) * 1998-05-18 2000-06-26 キヤノン株式会社 気密容器の製造方法および該気密容器を用いる画像形成装置の製造方法
JP3465634B2 (ja) * 1998-06-29 2003-11-10 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
FR2781308A1 (fr) * 1998-07-15 2000-01-21 Thomson Plasma Procede de realisation de moyens d'entretoisement pour panneaux de visualisation
JP3428931B2 (ja) * 1998-09-09 2003-07-22 キヤノン株式会社 フラットパネルディスプレイの解体処理方法
DE19845075A1 (de) * 1998-09-30 2000-04-13 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes und Bauelement
US6396207B1 (en) * 1998-10-20 2002-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus and method for producing the same
KR100706151B1 (ko) * 1999-01-29 2007-04-11 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 가스 방전형 표시 패널 및 그 제조 방법
US6533632B1 (en) 1999-02-18 2003-03-18 Micron Technology, Inc. Method of evacuating and sealing flat panel displays and flat panel displays using same
US6030267A (en) * 1999-02-19 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Alignment method for field emission and plasma displays
US6908354B1 (en) * 1999-03-10 2005-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing flat panel displays
WO2000060634A1 (en) * 1999-03-31 2000-10-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing flat image display and flat image display
US6354899B1 (en) 1999-04-26 2002-03-12 Chad Byron Moore Frit-sealing process used in making displays
FR2793068B1 (fr) * 1999-04-28 2001-05-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif
US6930446B1 (en) 1999-08-31 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Method for improving current stability of field emission displays
AT408157B (de) * 1999-10-15 2001-09-25 Electrovac Verfahren zur herstellung eines feldemissions-displays
KR100352160B1 (ko) * 1999-11-16 2002-09-12 권상직 진공 인라인 방식의 평판 표시소자 제작을 위한 실링용페이스트의 제조 방법 및 상기 실링용 페이스트를 이용한실링 방법
KR100527081B1 (ko) * 1999-12-21 2005-11-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 전계 방출 표시 패널의 제조 방법
JP2001210258A (ja) * 2000-01-24 2001-08-03 Toshiba Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP3754859B2 (ja) * 2000-02-16 2006-03-15 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造法
JP3754883B2 (ja) * 2000-03-23 2006-03-15 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造法
FR2809864A1 (fr) * 2000-05-30 2001-12-07 Pixtech Sa Outillage de pose d'espaceurs dans un ecran plat de visualisation
AU2001260475A1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Complete Substrate Solutions Limited Visual display
US6722937B1 (en) 2000-07-31 2004-04-20 Candescent Technologies Corporation Sealing of flat-panel device
US6507147B1 (en) * 2000-08-31 2003-01-14 Intevac, Inc. Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation
JP3754882B2 (ja) * 2000-09-29 2006-03-15 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造法
US6383924B1 (en) 2000-12-13 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method of forming buried conductor patterns by surface transformation of empty spaces in solid state materials
WO2002054436A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-11 Jae-Hong Park A method for sealing a flat panel display in a vacuum
JP2002245941A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Nec Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2002089169A1 (fr) * 2001-04-23 2002-11-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Afficheur d'images, procede et dispositif de production de l'afficheur d'images
US7081031B2 (en) * 2001-05-08 2006-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing plasma display devices
US7142577B2 (en) 2001-05-16 2006-11-28 Micron Technology, Inc. Method of forming mirrors by surface transformation of empty spaces in solid state materials and structures thereon
US6898362B2 (en) * 2002-01-17 2005-05-24 Micron Technology Inc. Three-dimensional photonic crystal waveguide structure and method
JP2003017259A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法
JP4614588B2 (ja) 2001-06-29 2011-01-19 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2003015552A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd 表示用パネルの製造方法
JP4894987B2 (ja) * 2001-06-29 2012-03-14 三洋電機株式会社 表示用パネルの製造方法
CN1213389C (zh) * 2001-08-31 2005-08-03 佳能株式会社 图像显示装置及其制造方法
US7288171B2 (en) * 2002-01-18 2007-10-30 University Of North Texas Method for using field emitter arrays in chemical and biological hazard mitigation and remediation
US6919678B2 (en) * 2002-09-03 2005-07-19 Bloomberg Lp Bezel-less electric display
EP1563523A4 (en) * 2002-09-03 2006-05-24 Bloomberg Lp DECK RINGLESS ELECTRONIC DISPLAY
US7662701B2 (en) 2003-05-21 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Gettering of silicon on insulator using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers
US7008854B2 (en) 2003-05-21 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Silicon oxycarbide substrates for bonded silicon on insulator
US7273788B2 (en) 2003-05-21 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Ultra-thin semiconductors bonded on glass substrates
US7501329B2 (en) 2003-05-21 2009-03-10 Micron Technology, Inc. Wafer gettering using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers
US6929984B2 (en) 2003-07-21 2005-08-16 Micron Technology Inc. Gettering using voids formed by surface transformation
US6903860B2 (en) * 2003-11-01 2005-06-07 Fusao Ishii Vacuum packaged micromirror arrays and methods of manufacturing the same
US7153753B2 (en) 2003-08-05 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Strained Si/SiGe/SOI islands and processes of making same
US20060283546A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Method for encapsulating electronic devices and a sealing assembly for the electronic devices
US20060284556A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices
US20050238803A1 (en) * 2003-11-12 2005-10-27 Tremel James D Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices
JP5068924B2 (ja) * 2004-02-20 2012-11-07 中外炉工業株式会社 ガラスパネル組立体の連続封着処理炉および封着処理方法
JP2005251474A (ja) * 2004-03-02 2005-09-15 Toshiba Corp 画像表示装置の製造方法、および封着材充填装置
KR100575363B1 (ko) * 2004-04-13 2006-05-03 재단법인서울대학교산학협력재단 미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공실장된 미소기계소자
US20050253283A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-17 Dcamp Jon B Getter deposition for vacuum packaging
US20070001579A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Eun-Suk Jeon Glass-to-glass joining method using laser, vacuum envelope manufactured by the method, electron emission display having the vacuum envelope
US8173995B2 (en) 2005-12-23 2012-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device
US7993977B2 (en) * 2007-07-02 2011-08-09 Micron Technology, Inc. Method of forming molded standoff structures on integrated circuit devices
WO2009025161A1 (ja) * 2007-08-17 2009-02-26 Toppan Printing Co., Ltd. 反応場独立冶具及びそれを用いた反応チップ処理装置
CN101470040B (zh) * 2007-12-28 2011-05-25 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 一种用于危险气体安全测量的低压力规
US20090214726A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Ballman Darryl J Sugar free and sugar reduced aerated confections and methods of preparation

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2882116A (en) * 1956-09-20 1959-04-14 Eitel Mccullough Inc Method of making electron tubes
US3330982A (en) * 1964-08-14 1967-07-11 Sylvania Electric Prod Hermetically encased electroluminescent display device
NL6909119A (ja) * 1969-06-13 1970-12-15
US4005920A (en) * 1975-07-09 1977-02-01 International Telephone And Telegraph Corporation Vacuum-tight metal-to-metal seal
JPS52130274A (en) * 1976-04-24 1977-11-01 Ise Electronics Corp Vacuum part and device for sealing same
US4018374A (en) * 1976-06-01 1977-04-19 Ford Aerospace & Communications Corporation Method for forming a bond between sapphire and glass
IT1160700B (it) * 1977-10-25 1987-03-11 Bfg Glassgroup Pannelli
US4259613A (en) * 1978-01-11 1981-03-31 Wagner Electric Corporation Fluorescent indicator and method of making same
JPS55151742A (en) * 1979-05-16 1980-11-26 Futaba Corp Manufacture of front part of plane type fluorescent display tube case
US4245273A (en) * 1979-06-29 1981-01-13 International Business Machines Corporation Package for mounting and interconnecting a plurality of large scale integrated semiconductor devices
US4417296A (en) * 1979-07-23 1983-11-22 Rca Corp Method of connecting surface mounted packages to a circuit board and the resulting connector
US4407658A (en) * 1981-03-02 1983-10-04 Beckman Instruments, Inc. Gas discharge display device sealing method for reducing gas contamination
FR2567684B1 (fr) * 1984-07-10 1988-11-04 Nec Corp Module ayant un substrat ceramique multicouche et un circuit multicouche sur ce substrat et procede pour sa fabrication
JPS6142837A (ja) * 1984-08-02 1986-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置の製造方法
JPS61118948A (ja) * 1984-11-14 1986-06-06 Matsushita Electronics Corp 撮像管
JPH063714B2 (ja) * 1985-03-25 1994-01-12 松下電器産業株式会社 画像表示装置
JPS62265796A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 株式会社住友金属セラミックス セラミツク多層配線基板およびその製造法
JPH02216732A (ja) * 1989-02-17 1990-08-29 Mitsubishi Electric Corp 発光素子の製造方法
JPH0311524A (ja) * 1989-06-08 1991-01-18 Nec Kagoshima Ltd 蛍光表示管の真空気密封止方法
JP2734760B2 (ja) * 1990-08-10 1998-04-02 松下電器産業株式会社 画像表示装置の製造方法
EP0729171B1 (en) * 1990-12-28 2000-08-23 Sony Corporation A method of manufacturing a flat panel display apparatus
US5519332A (en) * 1991-06-04 1996-05-21 Micron Technology, Inc. Carrier for testing an unpackaged semiconductor die
JPH05121013A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Mitsubishi Electric Corp 平板型陰極線管
JP3493662B2 (ja) * 1992-02-10 2004-02-03 セイコーエプソン株式会社 蛍光表示装置
US5229331A (en) * 1992-02-14 1993-07-20 Micron Technology, Inc. Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology
US5205770A (en) * 1992-03-12 1993-04-27 Micron Technology, Inc. Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology
US5210472A (en) * 1992-04-07 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Flat panel display in which low-voltage row and column address signals control a much pixel activation voltage
US5424605A (en) * 1992-04-10 1995-06-13 Silicon Video Corporation Self supporting flat video display
US5302238A (en) * 1992-05-15 1994-04-12 Micron Technology, Inc. Plasma dry etch to produce atomically sharp asperities useful as cold cathodes
JPH06111735A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Futaba Corp 電界放出形陰極を実装した表示装置及び電界放出形陰極の実装方法
JP2722979B2 (ja) * 1993-01-18 1998-03-09 双葉電子工業株式会社 蛍光表示装置及び蛍光表示装置の製造方法
JP2832510B2 (ja) * 1994-05-10 1998-12-09 双葉電子工業株式会社 表示装置の製造方法
US5587622A (en) * 1994-07-12 1996-12-24 Fallon Luminous Products Low pressure gas discharge lamps with low profile sealing cover plate
US5541466A (en) * 1994-11-18 1996-07-30 Texas Instruments Incorporated Cluster arrangement of field emission microtips on ballast layer
US5766053A (en) * 1995-02-10 1998-06-16 Micron Technology, Inc. Internal plate flat-panel field emission display
US5697825A (en) * 1995-09-29 1997-12-16 Micron Display Technology, Inc. Method for evacuating and sealing field emission displays
US5827102A (en) * 1996-05-13 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Low temperature method for evacuating and sealing field emission displays

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6467807B2 (en) 2000-02-15 2002-10-22 Nsk Ltd. Steering device for car

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Publication number Publication date
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