JP3141371B2 - Differential pressure measuring device - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ゴミを除去し、センサ
部分の動作異常が防止でき、信頼性が高く、かつ製造コ
ストを低減し得る差圧測定装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a differential pressure measuring device capable of removing dust and preventing abnormal operation of a sensor portion, having high reliability and reducing manufacturing costs.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7は従来より一般に使用されている従
来例の構成説明図で、例えば、特開昭59―56137
号の第1図に示されている。図において、ハウジング1
の両側にフランジ2、フランジ3が嵌合い組み立てられ
溶接等によって固定されており、両フランジ2,3には
測定せんとする圧力PHの高圧流体の導入口5、圧力PL
の低圧流体の導入口4が設けられている。2. Description of the Related Art FIG. 7 is an explanatory view of the structure of a conventional example generally used in the prior art.
This is shown in FIG. In the figure, housing 1
Flanges 2 on both sides, flanges 3 are fixed by the mating assembled welding, inlet 5 of the high-pressure fluid in the pressure P H to be measured cents on both flanges 2 and 3, the pressure P L
Of the low-pressure fluid is provided.
【0003】ハウジング1内に圧力測定室6が形成され
ており、この圧力測定室6内にセンタダイアフラム7と
シリコンダイアフラム8が設けられている。シリコンダ
イアフラム8は、単結晶のシリコン基板81に凹部82
を形成して形成される。[0003] A pressure measuring chamber 6 is formed in the housing 1, and a center diaphragm 7 and a silicon diaphragm 8 are provided in the pressure measuring chamber 6. The silicon diaphragm 8 has a recess 82 formed in a single crystal silicon substrate 81.
Is formed.
【0004】センタダイアフラム7とシリコンダイアフ
ラム8はそれぞれ別個に圧力測定室6の壁に固定されて
おり、センタダイアフラム7とシリコンダイアフラム8
の両者でもって圧力測定室6を2分している。センタダ
イアフラム7と対向する圧力測定室6の壁には、バック
プレ―ト6A,6Bが形成されている。センタダイアフ
ラム7は周縁部をハウジング1に溶接されている。The center diaphragm 7 and the silicon diaphragm 8 are separately fixed to the wall of the pressure measuring chamber 6, respectively.
The pressure measuring chamber 6 is divided into two parts by the two. Back plates 6A and 6B are formed on the wall of the pressure measurement chamber 6 facing the center diaphragm 7. The center diaphragm 7 has its peripheral edge welded to the housing 1.
【0005】シリコン基板81の一方の面にボロン等の
不純物を選択拡散して4っのストレンゲ―ジ91を形成
する。4っのストレインゲ―ジ91は、シリコンダイア
フラム8が差圧ΔPを受けてたわむ時、2つが引張り、
2つが圧縮を受けるようになっており、これらがホイ―
トストン・ブリッジ回路に接続され、抵抗変化が差圧Δ
Pの変化として検出される。An impurity such as boron is selectively diffused on one surface of the silicon substrate 81 to form four strain gauges 91. The four strain gauges 91 pull when the silicon diaphragm 8 bends by receiving the differential pressure ΔP,
Two are subject to compression and these are
Connected to the Toston bridge circuit, the resistance change is differential pressure Δ
It is detected as a change in P.
【0006】92は、ストレインゲ―ジ91に一端が取
付けられたリ―ドである。93は、リ―ド92の他端が
接続されたハ―メチック端子である。支持体9は、ハ―
メチック端子を備えており、支持体9の圧力測定室6側
端面に低融点ガラス接続等の方法でシリコンダイアフラ
ム8が接着固定されている。A lead 92 has one end attached to the strain gauge 91. Reference numeral 93 denotes a hermetic terminal to which the other end of the lead 92 is connected. The support 9 is provided with
A silicon diaphragm 8 is adhered and fixed to an end surface of the support 9 on the pressure measurement chamber 6 side by a method such as low-melting glass connection.
【0007】ハウジング1とフランジ2、およびフラン
ジ3との間に、圧力導入室10,11が形成されてい
る。この圧力導入室10,11内に第1,第2シールダ
イアフラム13,12を設け、このシールダイアフラム
12,13と対向するハウジング1の壁10A,11A
にシールダイアフラム12,13と類似の形状のバック
プレ―トが形成されている。Pressure introducing chambers 10 and 11 are formed between the housing 1 and the flanges 2 and 3. First and second seal diaphragms 13 and 12 are provided in the pressure introduction chambers 10 and 11, and walls 10 A and 11 A of the housing 1 facing the seal diaphragms 12 and 13.
A back plate having a shape similar to that of the seal diaphragms 12 and 13 is formed.
【0008】シールダイアフラム12,13とバックプ
レ―ト10A,11Aとで形成される空間と、圧力測定
室6は、連通孔14,15を介して導通している。そし
て、シールダイアフラム12,13間にシリコンオイル
等の封入液101,102が満たされ、この封入液が連
通孔16,17を介してシリコンダイアフラム8の上下
面にまで至っている、封入液101,102はセンタダ
イアフラム7とシリコンダイアフラム8とによって2分
されているが、その量が、ほぼ均等になるように配慮さ
れている。The space formed by the seal diaphragms 12 and 13 and the back plates 10A and 11A and the pressure measurement chamber 6 are in communication with each other through communication holes 14 and 15. Filled liquids 101 and 102 such as silicon oil are filled between the seal diaphragms 12 and 13, and the filled liquids reach the upper and lower surfaces of the silicon diaphragm 8 through the communication holes 16 and 17. Is divided into two parts by the center diaphragm 7 and the silicon diaphragm 8, but care is taken so that the amounts are substantially equal.
【0009】以上の構成において、高圧側から圧力が作
用した場合、シールダイアフラム13に作用する圧力が
封入液102によってシリコンダイアフラム8に伝達さ
れる。一方、低圧側から圧力が作用した場合、シールダ
イアフラム12に作用する圧力が封入液101によって
シリコンダイアフラム8に伝達される。In the above configuration, when a pressure acts from the high pressure side, the pressure acting on the seal diaphragm 13 is transmitted to the silicon diaphragm 8 by the sealing liquid 102. On the other hand, when pressure acts from the low pressure side, the pressure acting on the seal diaphragm 12 is transmitted to the silicon diaphragm 8 by the sealing liquid 101.
【0010】この結果、高圧側と低圧側との圧力差に応
じてシリコンダイアフラム8が歪み、この歪み量がスト
レインゲ―ジ91に因って電気的に取出され、差圧の測
定が行なわれる。As a result, the silicon diaphragm 8 is distorted in accordance with the pressure difference between the high pressure side and the low pressure side, and the amount of this distortion is electrically taken out by the strain gauge 91 to measure the differential pressure. .
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、シリコンダイアフラム8やストレイ
ンゲージ91は、半導体プロセスにより製造されるの
で、極めて微小にできる。したがって、封入液101,
102が封入される測定室等の隙間も、間隔が極めて狭
い隙間のものになる。However, in such an apparatus, since the silicon diaphragm 8 and the strain gauge 91 are manufactured by a semiconductor process, they can be made extremely small. Therefore, the filling liquid 101,
The gap in the measurement chamber or the like in which the space 102 is sealed is also a gap with an extremely narrow interval.
【0012】一方、こうしたセンサを収納するハウジン
グ1は金属より作られている。而して、ハウジング1に
は、ねじ、穴等複雑な加工をしている事から、極めて微
細な切りくずやバリ等が多数存在する。また、溶接によ
るスパッタ等のゴミも存在する。On the other hand, the housing 1 for housing such a sensor is made of metal. Since the housing 1 is subjected to complicated processing such as screws and holes, there are many extremely fine chips and burrs. In addition, dust such as spatter due to welding also exists.
【0013】こうした情況で、センサを組込み、その中
にシリコンオイル等の封入液101,102を封入す
る。この封入の際に、ハウジング1を十分に洗浄し、か
つ封入液101,102の微小ゴミをフィルターで厳重
に除去しても、ゴミを完全に除去するには経済的でなく
コストがかかりすぎる。特に、ハウジング1の内部に生
じたバリの除去は困難である。また、バリはハウジング
1から剥離させ難く、封入液101,102の移動によ
り、何時剥離するか分からない。In such a situation, a sensor is incorporated, and sealed liquids 101 and 102 such as silicon oil are sealed therein. At this time, even if the housing 1 is sufficiently washed and fine dust in the sealing liquids 101 and 102 is strictly removed by a filter, it is not economical and costly to completely remove the dust. In particular, it is difficult to remove burrs generated inside the housing 1. Further, the burrs are difficult to peel off from the housing 1, and it is not known when the burrs are peeled off due to the movement of the filling liquids 101 and 102.
【0014】そして、封入液101,102の注入によ
って、ハウジング1内のこうしたゴミを移動させ、上記
センサ部分にゴミが移動し、センサ部分の動作異常を発
生させる。本発明は、この問題点を、解決するものであ
る。本発明の目的は、ゴミを除去し、センサ部分の動作
異常が防止でき、信頼性が高く、かつ製造コストを低減
し得る差圧測定装置を提供するにある。The injection of the filling liquids 101 and 102 moves such dust in the housing 1 and moves the dust to the sensor portion, thereby causing an abnormal operation of the sensor portion. The present invention solves this problem. An object of the present invention is to provide a differential pressure measuring device which can remove dust, prevent abnormal operation of a sensor portion, have high reliability, and can reduce manufacturing cost.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、封入液が封入され金属よりなるハウジン
グと、半導体からなる測定ダイアフラムとを具備する差
圧測定装置において、板状のシリコン基板と、該シリコ
ン基板を挟持する第1,第2ガラス基板と、前記シリコ
ン基板の両面に対向してそれぞれ設けられ該シリコン基
板に測定ダイアフラムを構成する第1,第2測定室と、
該第1測定室と外部とを連通する第1連通孔を構成して
前記シリコン基板或いは前記第1ガラス基板に形成され
複数の網の目状エッチング溝により構成された第1フィ
ルター部と、前記第2測定室と外部とを連通する第2連
通孔を構成して前記シリコン基板或いは前記第2ガラス
基板に形成され複数の網の目状エッチング溝により構成
された第2フィルター部とを具備したことを特徴とする
差圧測定装置を構成したものである。In order to achieve this object, the present invention relates to a differential pressure measuring apparatus having a housing made of metal filled with a sealing liquid and a measuring diaphragm made of a semiconductor. A silicon substrate, first and second glass substrates sandwiching the silicon substrate, first and second measurement chambers respectively provided opposite to both surfaces of the silicon substrate and forming a measurement diaphragm on the silicon substrate,
A first filter portion formed in the silicon substrate or the first glass substrate and configured by a plurality of mesh-shaped etching grooves, forming a first communication hole that communicates the first measurement chamber with the outside; A second filter portion formed in the silicon substrate or the second glass substrate and configured with a plurality of mesh-shaped etching grooves, forming a second communication hole communicating the second measurement chamber with the outside; A differential pressure measuring device is characterized in that:
【0016】[0016]
【作用】以上の構成において、高圧側から圧力が作用し
た場合、隔液ダイアフラムに作用する圧力が封入液によ
ってシリコンダイアフラムに伝達される。一方、低圧側
から圧力が作用した場合、隔液ダイアフラムに作用する
圧力が封入液によってシリコンダイアフラムに伝達され
る。In the above construction, when pressure acts from the high pressure side, the pressure acting on the liquid diaphragm is transmitted to the silicon diaphragm by the sealed liquid. On the other hand, when pressure acts from the low pressure side, the pressure acting on the liquid diaphragm is transmitted to the silicon diaphragm by the sealing liquid.
【0017】この結果、高圧側と低圧側との圧力差に応
じてシリコンダイアフラムが歪み、この歪み量がストレ
インゲ―ジに因って電気的に取出され、差圧の測定が行
なわれる。As a result, the silicon diaphragm is distorted according to the pressure difference between the high-pressure side and the low-pressure side, and the amount of this distortion is electrically taken out by the strain gauge, and the differential pressure is measured.
【0018】而して、ハウジング部内に残留する微小ゴ
ミは、シリコンオイル等の封入液をハウジングに流入す
る時、これらのあるものは、この封入液の流れによって
移動し、封入液と共にセンサ部まで流入しようとする。
しかし、第1フィルター部、或いは第2フィルター部に
おいて、これらゴミのセンサ部への流入は、阻止され
る。以下、実施例に基づき詳細に説明する。The fine dust remaining in the housing part is moved by the flow of the sealing liquid when the sealing liquid such as silicone oil flows into the housing. Try to flow in.
However, in the first filter unit or the second filter unit, the inflow of these dusts into the sensor unit is prevented. Hereinafter, a detailed description will be given based on embodiments.
【0019】[0019]
【実施例】図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、
図2は図1のA−A断面図、図3は図1のB−B断面
図、図4,図5は図1の要部詳細説明図である。図にお
いて、図7と同一記号の構成は同一機能を表わす。以
下、図7と相違部分のみ説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG.
2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG. 1, and FIGS. In the drawing, the same reference numerals as those in FIG. 7 indicate the same functions. Hereinafter, only differences from FIG. 7 will be described.
【0020】21は、板状のシリコン基板である。2
2,23は、シリコン基板21を挟持する第1,第2ガ
ラス基板である。この場合は、シリコン基板21と第
1,第2ガラス基板22,23とは、陽極接合される。Reference numeral 21 denotes a plate-like silicon substrate. 2
Reference numerals 2 and 23 denote first and second glass substrates which hold the silicon substrate 21 therebetween. In this case, the silicon substrate 21 and the first and second glass substrates 22 and 23 are anodically bonded.
【0021】24,25は、シリコン基板21の両面に
対向して、それぞれ設けられ、シリコン基板21に測定
ダイアフラム26を構成する第1,第2測定室である。
この場合は、第1,第2測定室24,25は、間隔が極
めて狭い隙間からなり、過大圧が印加された場合には、
測定ダイアフラム26が、第1或いは,第2測定室2
4,25の壁に直接接して、測定ダイアフラム26が保
護される、過大圧保護機構をセンサ部分自身が有する様
に構成されている。Reference numerals 24 and 25 denote first and second measurement chambers provided opposite to both surfaces of the silicon substrate 21 and forming a measurement diaphragm 26 on the silicon substrate 21.
In this case, the first and second measurement chambers 24 and 25 are formed of gaps with extremely narrow intervals, and when an excessive pressure is applied,
The measurement diaphragm 26 is connected to the first or second measurement chamber 2.
The sensor portion itself is configured so as to have an overpressure protection mechanism that directly contacts the walls 4 and 25 and protects the measurement diaphragm 26.
【0022】また、この場合は、図4に示す如く、測定
ダイアフラム26の表面には、第1,第2ガラス基板2
2,23に陽極接合されないように、窒化シリコン膜2
61が1000オングストローム程度の厚さに設けられ
ている。In this case, as shown in FIG. 4, the first and second glass substrates 2 are provided on the surface of the measurement diaphragm 26.
Silicon nitride film 2 so as not to be anodically bonded to
61 are provided with a thickness of about 1000 angstroms.
【0023】27は、図2に示す如く、第1測定室24
と外部とを連通する第1連通孔を構成し、シリコン基板
21に形成され、複数の網の目状エッチング溝により構
成された第1フィルター部である。複数の網の目状エッ
チング溝は、図4に示す如く、測定ダイアフラム26の
中央部より放射状に設けられることが望ましい。図2に
おいては、複数の網の目状エッチング溝は、碁盤の目状
に示されているが、網の目状エッチング溝の分布状態図
を分かり易くするために、簡略に示したためである。Reference numeral 27 denotes a first measuring chamber 24 as shown in FIG.
A first communication hole which communicates with the outside and is formed in the silicon substrate 21 and is a first filter portion formed by a plurality of mesh-like etching grooves. As shown in FIG. 4, it is desirable that the plurality of mesh-like etching grooves be provided radially from the center of the measurement diaphragm 26. In FIG. 2, the mesh-like etching grooves of the plurality of meshes are shown in a grid pattern, but this is because the distribution of the mesh-like etching grooves is simply shown for easy understanding.
【0024】28は、図3に示す如く、第2測定室25
と外部とを連通する第2連通孔を構成し、シリコン基板
21に形成され、複数の網の目状エッチング溝により構
成された第2フィルター部である。Reference numeral 28 denotes a second measuring chamber 25 as shown in FIG.
A second communication hole that communicates with the outside, is formed in the silicon substrate 21, and is a second filter portion formed by a plurality of mesh-like etching grooves.
【0025】以上の構成において、高圧側から圧力が作
用した場合、隔液ダイアフラム12に作用する圧力が封
入液101によってシリコンダイアフラム8に伝達され
る。一方、低圧側から圧力が作用した場合、隔液ダイア
フラム13に作用する圧力が、封入液102によってシ
リコンダイアフラム8に伝達される。In the above configuration, when pressure acts from the high pressure side, the pressure acting on the liquid diaphragm 12 is transmitted to the silicon diaphragm 8 by the filling liquid 101. On the other hand, when pressure acts from the low pressure side, the pressure acting on the liquid diaphragm 13 is transmitted to the silicon diaphragm 8 by the filling liquid 102.
【0026】この結果、高圧側と低圧側との圧力差に応
じてシリコンダイアフラム8が歪み、この歪み量がスト
レインゲ―ジ80に因って電気的に取出され、差圧の測
定が行なわれる。As a result, the silicon diaphragm 8 is distorted in accordance with the pressure difference between the high pressure side and the low pressure side, and the amount of this distortion is electrically taken out by the strain gauge 80, and the differential pressure is measured. .
【0027】而して、ハウジング部1内に残留する微小
ゴミは、シリコンオイル等の封入液101,102をハ
ウジング1に流入する時、これらのあるものは、この封
入液101,102の流れによって移動し、封入液10
1,102と共にセンサ部まで流入しようとする。The fine dust remaining in the housing part 1 is filled with the liquid 101 or 102 such as silicone oil when the liquid flows into the housing 1. Move and fill liquid 10
An attempt is made to flow into the sensor unit together with 1,102.
【0028】しかし、第1フィルター部27、或いは第
2フィルター部28において、これらゴミのセンサ部へ
の流入は、阻止される。However, in the first filter section 27 or the second filter section 28, the inflow of these dusts into the sensor section is prevented.
【0029】また、センサ部分自体にフィルター部2
7,28が設けられたので、金属からなるハウジング1
の洗浄は、通常の洗浄レベルでよくなり、異物管理は、
センサ部の製造プロセスに集約される。センサ部の製造
プロセスは、半導体製造プロセスであり、差圧測定装置
の全体組み立てプロセスよりも、クリーンルームの清浄
度は、例えばクラス1000レベルと、格段に良いの
で、洗浄コストを容易に低減できる。Also, the filter section 2 is provided on the sensor section itself.
7 and 28, the housing 1 made of metal is provided.
Cleaning at normal cleaning level, foreign matter management
It is concentrated on the manufacturing process of the sensor unit. The manufacturing process of the sensor unit is a semiconductor manufacturing process, and the cleanness of the clean room is much better than, for example, a class 1000 level as compared with the whole assembly process of the differential pressure measuring device, so that the cleaning cost can be easily reduced.
【0030】また、前述の実施例の如く、過大圧保護機
構をセンサ部分自身が有する場合には、シリコン基板2
1と第1,第2ガラス基板22,23との隙間、即ち、
第1,第2測定室24,25の隙間の間隔は2〜5μm
と狭く、2〜5μm以上のゴミを除去して、差圧測定装
置全体を組み立てることは、容易ではない。In the case where the sensor portion itself has the overpressure protection mechanism as in the above-described embodiment, the silicon substrate 2
The gap between the first and second glass substrates 22 and 23, that is,
The gap between the first and second measurement chambers 24 and 25 is 2 to 5 μm.
It is not easy to remove the dust of 2 to 5 μm or more and assemble the entire differential pressure measuring device.
【0031】しかしながら、本発明の場合は、センサ部
分自体にフィルター部27,28が設けられたので、組
み立ての際に、注意を要するのは、シリコン基板21と
第1,第2ガラス基板22,23との接合時のみとな
り、封入液101,102の封入や、溶接工程等のゴミ
管理レベルを高くする必要が無くなる。However, in the case of the present invention, since the filter portions 27 and 28 are provided in the sensor portion itself, attention must be paid to the assembling of the silicon substrate 21 and the first and second glass substrates 22 and 22. This is only at the time of joining with the sealing member 23, and there is no need to fill the filling liquids 101 and 102 and to increase the dust management level in the welding process and the like.
【0032】図6は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。本実施例においては、第1,第2測定室3
1,32を第1,第2ガラス基板21,22に設けて、
測定ダイアフラム33を構成する様にしたものである。FIG. 6 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention. In this embodiment, the first and second measurement chambers 3
1 and 32 are provided on the first and second glass substrates 21 and 22,
The measurement diaphragm 33 is configured.
【0033】なお、前述の実施例においては、第1,第
2フイルター部27,28は、シリコン基板21に設け
られていると説明したが、これに限ることはなく、例え
ば、第1,第2ガラス基板22,23にそれぞれ設けら
れても良い。要するに、シリコン基板21と第1,第2
ガラス基板22,23との接合部に、半導体プロセスの
エッチングによる網目状の溝が形成され、第1,第2測
定室31,32と外部とを連通するフィルター部であれ
ばよい。In the above embodiment, the first and second filter portions 27 and 28 have been described as being provided on the silicon substrate 21. However, the present invention is not limited to this. Two glass substrates 22 and 23 may be provided respectively. In short, the silicon substrate 21 and the first and second
The filter may be a filter section in which a mesh-like groove is formed at a joint portion between the glass substrates 22 and 23 by etching in a semiconductor process and communicates the first and second measurement chambers 31 and 32 with the outside.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、封入液
が封入され金属よりなるハウジングと、半導体からなる
測定ダイアフラムとを具備する差圧測定装置において、
板状のシリコン基板と、該シリコン基板を挟持する第
1,第2ガラス基板と、前記シリコン基板の両面に対向
してそれぞれ設けられ該シリコン基板に測定ダイアフラ
ムを構成する第1,第2測定室と、該第1測定室と外部
とを連通する第1連通孔を構成して前記シリコン基板或
いは前記第1ガラス基板に形成され複数の網の目状エッ
チング溝により構成された第1フィルター部と、前記第
2測定室と外部とを連通する第2連通孔を構成して前記
シリコン基板或いは前記第2ガラス基板に形成され複数
の網の目状エッチング溝により構成された第2フィルタ
ー部とを具備したことを特徴とする差圧測定装置を構成
した。As described above, the present invention relates to a differential pressure measuring apparatus having a housing made of metal filled with a filling liquid and a measuring diaphragm made of a semiconductor.
A plate-shaped silicon substrate, first and second glass substrates sandwiching the silicon substrate, and first and second measurement chambers respectively provided on both sides of the silicon substrate so as to constitute a measurement diaphragm on the silicon substrate And a first filter portion that forms a first communication hole that communicates the first measurement chamber with the outside and is formed on the silicon substrate or the first glass substrate and that includes a plurality of mesh-shaped etching grooves. A second communication hole for communicating the second measurement chamber with the outside, and a second filter portion formed on the silicon substrate or the second glass substrate and formed by a plurality of mesh-like etching grooves. A differential pressure measuring device characterized by comprising:
【0035】この結果、高圧側と低圧側との圧力差に応
じてシリコンダイアフラムが歪み、この歪み量がストレ
インゲ―ジに因って電気的に取出され、差圧の測定が行
なわれる。As a result, the silicon diaphragm is distorted according to the pressure difference between the high-pressure side and the low-pressure side, and the amount of this distortion is electrically taken out by the strain gauge, and the differential pressure is measured.
【0036】而して、ハウジング部内に残留する微小ゴ
ミは、シリコンオイル等の封入液をハウジングに流入す
る時、これらのあるものは、この封入液の流れによって
移動し、封入液と共にセンサ部まで流入しようとする。
しかし、第1フィルター部、或いは第2フィルター部に
おいて、これらゴミのセンサ部への流入は、阻止され
る。The small dust remaining in the housing part is moved by the flow of the sealed liquid such as silicone oil when the sealed liquid such as silicone oil flows into the housing. Try to flow in.
However, in the first filter unit or the second filter unit, the inflow of these dusts into the sensor unit is prevented.
【0037】また、センサ部分自体にフィルター部が設
けられたので、金属からなるハウジングの洗浄は、通常
の洗浄レベルでよくなり、異物管理は、センサ部の製造
プロセスに集約される。センサ部の製造プロセスは、半
導体製造プロセスであり、差圧測定装置の全体組み立て
プロセスよりも、クリーンルームの清浄度は、例えばク
ラス1000レベルと、格段に良いので、洗浄コストを
容易に低減できる。Further, since the filter portion is provided in the sensor portion itself, the cleaning of the housing made of metal can be performed at a normal cleaning level, and the control of foreign substances is concentrated in the manufacturing process of the sensor portion. The manufacturing process of the sensor unit is a semiconductor manufacturing process, and the cleanness of the clean room is much better than, for example, a class 1000 level as compared with the whole assembly process of the differential pressure measuring device, so that the cleaning cost can be easily reduced.
【0038】従って、本発明によれば、ゴミを除去し、
センサ部分の動作異常が防止でき、信頼性が高く、かつ
製造コストを低減し得る差圧測定装置を実現することが
出来る。Therefore, according to the present invention, dust is removed,
It is possible to realize a differential pressure measuring device that can prevent abnormal operation of the sensor portion, has high reliability, and can reduce the manufacturing cost.
【図1】本発明の一実施例の要部構成説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a main part configuration of an embodiment of the present invention.
【図2】図1のA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図3】図1のB−B断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 1;
【図4】図1の要部詳細説明図である。FIG. 4 is a detailed explanatory view of a main part of FIG. 1;
【図5】図1の要部詳細説明図である。FIG. 5 is a detailed explanatory view of a main part of FIG. 1;
【図6】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a main part configuration of another embodiment of the present invention.
【図7】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a configuration of a conventional example generally used in the related art.
1…ハウジング 2…高圧側フランジ 3…低圧側フランジ 4…導入口 5…導入口 6…圧力測定室 6A…バックプレ―ト 6B…バックプレ―ト 7…センタダイアフラム 9…支持体 10…圧力導入室 10A…バックプレ―ト 11…圧力導入室 11A…バックプレ―ト 12…隔液ダイアフラム 13…隔液ダイアフラム 14…連通孔 15…連通孔 16…連通孔 21…シリコン基板 22…第1ガラス基板 23…第2ガラス基板 24…第1側定室 25…第2側定室 26…測定ダイアフラム 27…第1フィルター 28…第2フィルター 31…第1側定室 32…第2側定室 33…測定ダイアフラム 91…ストレインゲ―ジ 92…リ―ド 93…ハ―メチック端子 101…封入液 102…封入液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Housing 2 ... High pressure side flange 3 ... Low pressure side flange 4 ... Inlet 5 ... Inlet 6 ... Pressure measurement chamber 6A ... Back plate 6B ... Back plate 7 ... Center diaphragm 9 ... Support body 10 ... Pressure introduction Chamber 10A: Back plate 11: Pressure introduction chamber 11A: Back plate 12: Separating diaphragm 13: Separating diaphragm 14: Communication hole 15: Communication hole 16: Communication hole 21: Silicon substrate 22: First glass substrate 23 ... second glass substrate 24 ... first side constant chamber 25 ... second side constant chamber 26 ... measurement diaphragm 27 ... first filter 28 ... second filter 31 ... first side constant chamber 32 ... second side constant chamber 33 ... Measuring diaphragm 91 ... strain gauge 92 ... lead 93 ... hermetic terminal 101 ... filling liquid 102 ... filling liquid
Claims (1)
と、半導体からなる測定ダイアフラムとを具備する差圧
測定装置において、 板状のシリコン基板と、 該シリコン基板を挟持する第1,第2ガラス基板と、 前記シリコン基板の両面に対向してそれぞれ設けられ該
シリコン基板に測定ダイアフラムを構成する第1,第2
測定室と、 該第1測定室と外部とを連通する第1連通孔を構成して
前記シリコン基板或いは前記第1ガラス基板に形成され
複数の網の目状エッチング溝により構成された第1フィ
ルター部と、 前記第2測定室と外部とを連通する第2連通孔を構成し
て前記シリコン基板或いは前記第2ガラス基板に形成さ
れ複数の網の目状エッチング溝により構成された第2フ
ィルター部とを具備したことを特徴とする差圧測定装
置。1. A differential pressure measuring apparatus comprising: a housing made of a metal filled with a filling liquid and a measuring diaphragm made of a semiconductor; a plate-shaped silicon substrate; and first and second glasses sandwiching the silicon substrate A first substrate and a second substrate provided on both sides of the silicon substrate to form a measurement diaphragm on the silicon substrate;
A measurement chamber; and a first filter formed in the silicon substrate or the first glass substrate by forming a first communication hole that communicates the first measurement chamber with the outside and formed by a plurality of mesh-shaped etching grooves. And a second filter unit that forms a second communication hole that communicates the second measurement chamber with the outside and is formed on the silicon substrate or the second glass substrate and that includes a plurality of mesh-like etching grooves. A differential pressure measuring device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05249081A JP3141371B2 (en) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | Differential pressure measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05249081A JP3141371B2 (en) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | Differential pressure measuring device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07103840A JPH07103840A (en) | 1995-04-21 |
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Family
ID=17187722
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP05249081A Expired - Fee Related JP3141371B2 (en) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | Differential pressure measuring device |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3141371B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-10-05 JP JP05249081A patent/JP3141371B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH07103840A (en) | 1995-04-21 |
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