JP3142923B2 - 反射バンク型一方向性ｓａｗデバイス - Google Patents
反射バンク型一方向性ｓａｗデバイスInfo
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- JP3142923B2 JP3142923B2 JP03304202A JP30420291A JP3142923B2 JP 3142923 B2 JP3142923 B2 JP 3142923B2 JP 03304202 A JP03304202 A JP 03304202A JP 30420291 A JP30420291 A JP 30420291A JP 3142923 B2 JP3142923 B2 JP 3142923B2
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- Japan
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- saw device
- electrode
- bank type
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電極形成が容易な、所謂
反射バンク型一方向性ＳＡＷデバイスに関する。
反射バンク型一方向性ＳＡＷデバイスに関する。
【０００２】
【従来技術】ダブル電極としたＩＤＴの組の間に反射器
を複数本備え、その反射器相互の間隔をＩＤＴと同様に
すると共に、反射器全体の配置を左右何れかのＩＤＴの
側にλ／８ずらすことによって、ＩＤＴが励起したＳＡ
Ｗに一方向性を与えた、所謂反射バンク型一方向性ＳＡ
Ｗデバイスが存在する。このデバイスの一方向性はその
他の一方向性デバイス、例えば三相一方向性又はグルー
プ型一方向性のそれ等と同等であるが、構成が通常のＳ
ＡＷフィルタと同様に一回の蒸着とフォトエッチング加
工で電極形成ができ、又外部に移相器を使用しないため
簡単であるという特色を有する。更に、ＩＤＴをダブル
電極とすることによって、このＩＤＴが通常のシングル
電極ＩＤＴの場合に発生する音響的三回反射波（ＴＴ
Ｅ）によるフィルタの通過帯域内リップルを除去するこ
とができる。この効果はこのタイプの一方向性ＩＤＴを
二個相対面させたフィルタに於いても、双方向性ＩＤＴ
の両側にこのタイプの一方向性ＩＤＴを配置したタイプ
のフィルタに於いても同様である。
を複数本備え、その反射器相互の間隔をＩＤＴと同様に
すると共に、反射器全体の配置を左右何れかのＩＤＴの
側にλ／８ずらすことによって、ＩＤＴが励起したＳＡ
Ｗに一方向性を与えた、所謂反射バンク型一方向性ＳＡ
Ｗデバイスが存在する。このデバイスの一方向性はその
他の一方向性デバイス、例えば三相一方向性又はグルー
プ型一方向性のそれ等と同等であるが、構成が通常のＳ
ＡＷフィルタと同様に一回の蒸着とフォトエッチング加
工で電極形成ができ、又外部に移相器を使用しないため
簡単であるという特色を有する。更に、ＩＤＴをダブル
電極とすることによって、このＩＤＴが通常のシングル
電極ＩＤＴの場合に発生する音響的三回反射波（ＴＴ
Ｅ）によるフィルタの通過帯域内リップルを除去するこ
とができる。この効果はこのタイプの一方向性ＩＤＴを
二個相対面させたフィルタに於いても、双方向性ＩＤＴ
の両側にこのタイプの一方向性ＩＤＴを配置したタイプ
のフィルタに於いても同様である。
【０００３】しかしながら、上述したような正負ＩＤＴ
にダブル電極を用いた反射バンク型一方向性ＩＤＴに於
いては電極構成上、反射器とこれに隣接するダブル電極
の一方との間隔がλ／１６（λは正負電極が励起するＳ
ＡＷの波長）となり、周波数が高くなると製造困難或い
は製造不能となる欠点があった。
にダブル電極を用いた反射バンク型一方向性ＩＤＴに於
いては電極構成上、反射器とこれに隣接するダブル電極
の一方との間隔がλ／１６（λは正負電極が励起するＳ
ＡＷの波長）となり、周波数が高くなると製造困難或い
は製造不能となる欠点があった。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上述した如き従来の反射バンク
型一方向性ＳＡＷデバイスに於いて、反射器とこれに隣
接するダブル電極の一方との間隔が狭くなるために製造
が困難となるという欠点を解決するためになされたもの
であって、高周波領域での電極形成が容易な反射バンク
型一方向性ＳＡＷデバイスを提供することを目的とす
る。
型一方向性ＳＡＷデバイスに於いて、反射器とこれに隣
接するダブル電極の一方との間隔が狭くなるために製造
が困難となるという欠点を解決するためになされたもの
であって、高周波領域での電極形成が容易な反射バンク
型一方向性ＳＡＷデバイスを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【発明の概要】上述の目的を達成するため、本発明に於
いては反射器に隣接するダブル電極の一方を除去したも
のである。
いては反射器に隣接するダブル電極の一方を除去したも
のである。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を図面に示した実施例に基づい
て詳細に説明する。実施例の説明に先立って、本発明の
理解を助けるため、従来の反射バンク型一方向性ＳＡＷ
デバイスの電極構成について簡単に説明する。図２は反
射バンク型一方向性ＳＡＷデバイスの基本的電極構成を
示す図であって、所謂正規型のＩＤＴ配列区間（三本の
ＩＤＴ１、２、３を一セットとする）の間にλ／２間隔
の複数の反射器４1 、４2 、…、４n を挿入し、この反
射器４1 、４2 、…、４n の組を全体としてλ／８だけ
左右何れかの正規型ＩＤＴに寄せたものである。この結
果、前記ＩＤＴ３（必ずアース電極である。）と反射器
４1 とのエッジ間隔がλ／８となることは言うまでもな
い。しかしながら、このタイプのデバイスはこれをフィ
ルタに用いた場合、通過帯域にリップルが発生するた
め、図３に示すようにＩＤＴ１、２、３を夫々ダブル電
極１1 乃至３2 としリップルを抑圧することが行われて
いる。しかしながら、このような電極構成をとると反射
器４1 とアース電極であるダブル電極の一方３2 とのエ
ッジ間隔はλ／１６となり、高周波領域に於いては製造
不能となること前述の通りである。
て詳細に説明する。実施例の説明に先立って、本発明の
理解を助けるため、従来の反射バンク型一方向性ＳＡＷ
デバイスの電極構成について簡単に説明する。図２は反
射バンク型一方向性ＳＡＷデバイスの基本的電極構成を
示す図であって、所謂正規型のＩＤＴ配列区間（三本の
ＩＤＴ１、２、３を一セットとする）の間にλ／２間隔
の複数の反射器４1 、４2 、…、４n を挿入し、この反
射器４1 、４2 、…、４n の組を全体としてλ／８だけ
左右何れかの正規型ＩＤＴに寄せたものである。この結
果、前記ＩＤＴ３（必ずアース電極である。）と反射器
４1 とのエッジ間隔がλ／８となることは言うまでもな
い。しかしながら、このタイプのデバイスはこれをフィ
ルタに用いた場合、通過帯域にリップルが発生するた
め、図３に示すようにＩＤＴ１、２、３を夫々ダブル電
極１1 乃至３2 としリップルを抑圧することが行われて
いる。しかしながら、このような電極構成をとると反射
器４1 とアース電極であるダブル電極の一方３2 とのエ
ッジ間隔はλ／１６となり、高周波領域に於いては製造
不能となること前述の通りである。
【０００７】この問題を解決するため、本発明の反射バ
ンク型ＳＡＷデバイスは反射器４1と隣接するダブル電
極３2 を除去したものである。ここで、ダブル電極２
1 、２2 を正電極とし、１1 、３1 を負電極とするか
ら、正電極２1 の左及び正電極２2 の右には夫々負電極
１2 及び３1 が存在するためＳＡＷを励起する効率は低
下しないと考えて良い。これを実験によって確認するた
め、上述のデバイス二個を夫々の励起するＳＡＷが強調
される方向を相対面させたフィルタを試作し、その特性
を調べたところ図４に示すような結果を得た。これはデ
ジタル自動車電話用ＩＦフィルタのスペックを満足する
ものであって、上述した電極構成法の正当性が実証され
た。
ンク型ＳＡＷデバイスは反射器４1と隣接するダブル電
極３2 を除去したものである。ここで、ダブル電極２
1 、２2 を正電極とし、１1 、３1 を負電極とするか
ら、正電極２1 の左及び正電極２2 の右には夫々負電極
１2 及び３1 が存在するためＳＡＷを励起する効率は低
下しないと考えて良い。これを実験によって確認するた
め、上述のデバイス二個を夫々の励起するＳＡＷが強調
される方向を相対面させたフィルタを試作し、その特性
を調べたところ図４に示すような結果を得た。これはデ
ジタル自動車電話用ＩＦフィルタのスペックを満足する
ものであって、上述した電極構成法の正当性が実証され
た。
【０００８】
【発明の効果】本発明の反射バンク型一方向性ＳＡＷデ
バイスは以上説明したように構成するものであるから、
従来一般の正負ＩＤＴをダブル電極としたものと同等の
特性を有し、しかも電極の形成が容易であるゆえ、高周
波化の著しい昨今の通信機器用各種フィルタに適用する
上で極めて効果的である。
バイスは以上説明したように構成するものであるから、
従来一般の正負ＩＤＴをダブル電極としたものと同等の
特性を有し、しかも電極の形成が容易であるゆえ、高周
波化の著しい昨今の通信機器用各種フィルタに適用する
上で極めて効果的である。
【０００９】
【図１】本発明の反射バンク型一方向性ＳＡＷデバイス
の電極構成を示す平面図。
の電極構成を示す平面図。
【図２】従来の反射バンク型一方向性ＳＡＷデバイスの
基本的な電極構成を示す平面図。
基本的な電極構成を示す平面図。
【図３】従来の反射バンク型一方向性ＳＡＷデバイスの
他の電極構成を示す平面図。
他の電極構成を示す平面図。
【図４】本発明の反射バンク型一方向性ＳＡＷデバイス
を用いて構成したフィルタの特性を示す実験結果の図。
を用いて構成したフィルタの特性を示す実験結果の図。
１1 乃至３2 ダブル電極としたＩＤＴ ４1 乃至４3 反射器
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−309005（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−123123（ＪＰ，Ａ) 米国特許4642506（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145
Claims (1)
- 【請求項１】 ダブル電極としたＩＤＴの組の間に反射
器を複数本備えその反射器相互の間隔をＩＤＴと同様に
すると共に、反射器全体の配置を左右何れかのＩＤＴの
側にλ／８ずらすことによってＩＤＴが励起したＳＡＷ
に一方向性を与えたＳＡＷデバイスに於いて、反射器に
隣接するダブル電極の一方を除去したことを特徴とする
反射バンク型一方向性ＳＡＷデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03304202A JP3142923B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 反射バンク型一方向性ｓａｗデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03304202A JP3142923B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 反射バンク型一方向性ｓａｗデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121991A JPH05121991A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3142923B2 true JP3142923B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17930248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03304202A Expired - Fee Related JP3142923B2 (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 反射バンク型一方向性ｓａｗデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3142923B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521565A (en) * | 1988-09-28 | 1996-05-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Surface wave interdigital transducer and surface wave filter with symmetric or predeterminable asymmetric transfer characteristic between input and output |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4642506A (en) | 1983-10-14 | 1987-02-10 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Surface acoustic wave device with reflectors in inter-electrode location |
-
1991
- 1991-10-23 JP JP03304202A patent/JP3142923B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4642506A (en) | 1983-10-14 | 1987-02-10 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Surface acoustic wave device with reflectors in inter-electrode location |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121991A (ja) | 1993-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |