JP3148312B2 - サンドブラスト用マスキングシート及びその製造方法 - Google Patents
サンドブラスト用マスキングシート及びその製造方法Info
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- JP3148312B2 JP3148312B2 JP32690791A JP32690791A JP3148312B2 JP 3148312 B2 JP3148312 B2 JP 3148312B2 JP 32690791 A JP32690791 A JP 32690791A JP 32690791 A JP32690791 A JP 32690791A JP 3148312 B2 JP3148312 B2 JP 3148312B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サンドブラストにより
基材表面に図柄を形成する際に用いるサンドブラスト用
マスキングシートに関する。
基材表面に図柄を形成する際に用いるサンドブラスト用
マスキングシートに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、石材をはじめ、ガラス、陶磁器、
木材、プラスチックなどにサンドブラストにより文字や
絵柄を蝕刻する際のマスク材としては、紙やゴム等を基
材に貼りつけカッターナイフ等で切り抜き、これをマス
ク材としてサンドブラストする方法が知られている。し
かしながらかかる方法は通常人手により作業が行われて
おり、模様が複雑で細かい場合はマスク材の形成に多大
の時間と労力を必要とする。そこで、これらの問題を解
決する手段として感光性樹脂をサンドブラスト用のマス
ク材として用いる方法が種々提案され、例えば特開昭5
5−103554号では、ポリビニルアルコール、エチ
レン性不飽和結合を分子内に1個以上有する化合物及び
光重合開始剤とを必須成分とする感光性樹脂組成物から
なるサンドブラスト用のマスク材が示されている。
木材、プラスチックなどにサンドブラストにより文字や
絵柄を蝕刻する際のマスク材としては、紙やゴム等を基
材に貼りつけカッターナイフ等で切り抜き、これをマス
ク材としてサンドブラストする方法が知られている。し
かしながらかかる方法は通常人手により作業が行われて
おり、模様が複雑で細かい場合はマスク材の形成に多大
の時間と労力を必要とする。そこで、これらの問題を解
決する手段として感光性樹脂をサンドブラスト用のマス
ク材として用いる方法が種々提案され、例えば特開昭5
5−103554号では、ポリビニルアルコール、エチ
レン性不飽和結合を分子内に1個以上有する化合物及び
光重合開始剤とを必須成分とする感光性樹脂組成物から
なるサンドブラスト用のマスク材が示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
方法においてはサンドブラストに対する耐久性が不十分
であり、特に模様の深彫りが必要である場合、パターン
の輪郭部がつぶれ易く精密な模様を得ることが困難であ
る。更に深彫りを行う場合は感光性樹脂を厚く塗る必要
があるのだが、該感光性樹脂の厚塗りにおいては技術的
な限界があり、又レジンが高価である等の欠点も加わ
り、かかる感光性樹脂は深彫りには不向きであると言え
る。故にサンドブラストに対する耐久性に優れ、深彫り
を容易に行うことができるサンドブラスト用のマスク材
の出現が強く望まれている。
方法においてはサンドブラストに対する耐久性が不十分
であり、特に模様の深彫りが必要である場合、パターン
の輪郭部がつぶれ易く精密な模様を得ることが困難であ
る。更に深彫りを行う場合は感光性樹脂を厚く塗る必要
があるのだが、該感光性樹脂の厚塗りにおいては技術的
な限界があり、又レジンが高価である等の欠点も加わ
り、かかる感光性樹脂は深彫りには不向きであると言え
る。故にサンドブラストに対する耐久性に優れ、深彫り
を容易に行うことができるサンドブラスト用のマスク材
の出現が強く望まれている。
【0004】
【課題を解決するための手段】しかるに本発明者はかか
る課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果「耐水性基材
上に平均ケン化度50〜100モル%、平均重合度10
0〜800のオキシアルキレン基含有変性ポリビニルア
ルコール層を設け、該ポリビニルアルコール層上に水不
溶性のパターンを形成させ、パターンにより覆われてい
ないポリビニルアルコール部分を溶解除去する」ことに
より得られるマスキングシートがかかる目的に合致する
ことを見出し本発明を完成するに至った。
る課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果「耐水性基材
上に平均ケン化度50〜100モル%、平均重合度10
0〜800のオキシアルキレン基含有変性ポリビニルア
ルコール層を設け、該ポリビニルアルコール層上に水不
溶性のパターンを形成させ、パターンにより覆われてい
ないポリビニルアルコール部分を溶解除去する」ことに
より得られるマスキングシートがかかる目的に合致する
ことを見出し本発明を完成するに至った。
【0005】即ち、石材、ガラス、陶磁器、木材、プラ
スチックなど模様を彫刻され得る基材(以下、被ブラス
ト物体という)とパターン層との間にゴム状弾性を持ち
所要厚みを持った特定のポリビニルアルコールのシート
を介することによりサンドブラストに対する耐久性が著
しく向上し、深彫りを行うにおいては、光硬化性樹脂組
成物を厚塗りする必要もなく容易にサンドブラストを行
うことができるのである。又一般にパターン層が厚くな
る程得られる解像力が低下するため、パターン層を厚く
する場合いかに解像力を向上させるかが大きな課題であ
るのだが、かかるマスキングシートを用いた場合は比較
的厚みを有したシートであるにもかかわらず、解像力の
点においても非常に優れ、精密な模様を彫刻できること
が判明した。以下、本発明について詳述する。
スチックなど模様を彫刻され得る基材(以下、被ブラス
ト物体という)とパターン層との間にゴム状弾性を持ち
所要厚みを持った特定のポリビニルアルコールのシート
を介することによりサンドブラストに対する耐久性が著
しく向上し、深彫りを行うにおいては、光硬化性樹脂組
成物を厚塗りする必要もなく容易にサンドブラストを行
うことができるのである。又一般にパターン層が厚くな
る程得られる解像力が低下するため、パターン層を厚く
する場合いかに解像力を向上させるかが大きな課題であ
るのだが、かかるマスキングシートを用いた場合は比較
的厚みを有したシートであるにもかかわらず、解像力の
点においても非常に優れ、精密な模様を彫刻できること
が判明した。以下、本発明について詳述する。
【0006】本発明における耐水性基材とは、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリブチレン、アクリロニトリ
ル・スチレン共重合樹脂、アクリロニトリル・ブタジエ
ン・スチレン樹脂、メタクリル酸メチル・スチレン共重
合樹脂等のスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリエチレンテレフタレート等が挙げられ、ポリビ
ニルアルコール樹脂と密着性に優れたポリエチレンテレ
フタレート等が実用的である。かかる樹脂はシートとし
て用いられその厚さは10〜100μm、好ましくは1
5〜80μmが適当である。
レン、ポリプロピレン、ポリブチレン、アクリロニトリ
ル・スチレン共重合樹脂、アクリロニトリル・ブタジエ
ン・スチレン樹脂、メタクリル酸メチル・スチレン共重
合樹脂等のスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリエチレンテレフタレート等が挙げられ、ポリビ
ニルアルコール樹脂と密着性に優れたポリエチレンテレ
フタレート等が実用的である。かかる樹脂はシートとし
て用いられその厚さは10〜100μm、好ましくは1
5〜80μmが適当である。
【0007】本発明において用いられるポリビニルアル
コール(以下、PVAと略記する)は平均ケン化度50
〜100モル%、好ましくは80〜100モル%、平均
重合度100〜800、好ましくは200〜700の範
囲のものである。かかるPVAは上記の範囲内であれば
変性PVAも含む。変性PVAとは、酢酸ビニルを主成
分とし、これと少量の共重合可能なモノマー、例えばア
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、マ
レイン酸モノアルキルなどの不飽和カルボン酸或いはこ
れら不飽和酸のアルキルエステル、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミ
ドなどのニトリル又はアミド、エチレンスルホン酸、ア
リルスルホン酸、メタアリルスルホン酸などのオレフィ
ンスルホン酸或いはこれらの塩、酢酸ビニル以外のビニ
ルエステル、飽和分岐脂肪酸ビニル、ビニルエーテル、
ビニルケトン、α−オレフィン、ハロゲン化ビニル、ハ
ロゲン化ビニリデン等との共重合体ケン化物を含む。た
だし変性量は0.1〜20モル%以下が望ましい。
コール(以下、PVAと略記する)は平均ケン化度50
〜100モル%、好ましくは80〜100モル%、平均
重合度100〜800、好ましくは200〜700の範
囲のものである。かかるPVAは上記の範囲内であれば
変性PVAも含む。変性PVAとは、酢酸ビニルを主成
分とし、これと少量の共重合可能なモノマー、例えばア
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、マ
レイン酸モノアルキルなどの不飽和カルボン酸或いはこ
れら不飽和酸のアルキルエステル、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミ
ドなどのニトリル又はアミド、エチレンスルホン酸、ア
リルスルホン酸、メタアリルスルホン酸などのオレフィ
ンスルホン酸或いはこれらの塩、酢酸ビニル以外のビニ
ルエステル、飽和分岐脂肪酸ビニル、ビニルエーテル、
ビニルケトン、α−オレフィン、ハロゲン化ビニル、ハ
ロゲン化ビニリデン等との共重合体ケン化物を含む。た
だし変性量は0.1〜20モル%以下が望ましい。
【0008】特に本発明では、オキシアルキレン基含有
変性ポリビニルアルコール(以下、EO−PVAと略す
る)を用いることが必要で、かかるEO−PVAは著し
く水溶性に優れている為、マスキングシートを製造する
に当たり、パターンにより覆われていないPVA部分の
溶解除去操作を容易に行うことができる。更にEO−P
VAを使用した際には、被ブラスト物体が複雑な形態を
有している場合においても、上述した如き耐水性基材か
ら熱可塑性樹脂を適宜選択することにより、耐水性基材
及びEO−PVAから成る二層上のシートの段階でプレ
ス成型、真空成型、押出成型、圧延成型、中空(吹込
み)成型等が可能となるため、比較的自由な形態のマス
キングシートが製造可能となり非常に有利である。
変性ポリビニルアルコール(以下、EO−PVAと略す
る)を用いることが必要で、かかるEO−PVAは著し
く水溶性に優れている為、マスキングシートを製造する
に当たり、パターンにより覆われていないPVA部分の
溶解除去操作を容易に行うことができる。更にEO−P
VAを使用した際には、被ブラスト物体が複雑な形態を
有している場合においても、上述した如き耐水性基材か
ら熱可塑性樹脂を適宜選択することにより、耐水性基材
及びEO−PVAから成る二層上のシートの段階でプレ
ス成型、真空成型、押出成型、圧延成型、中空(吹込
み)成型等が可能となるため、比較的自由な形態のマス
キングシートが製造可能となり非常に有利である。
【0009】本発明でいうオキシアルキレン基とは化1
で表される構造を有するものである。Xは通常は水素で
ある。nの数が有利には1〜50、好ましくは3〜50
程度のオキシアルキレン基が実用的であり、ポリオキシ
エチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチ
レン基等が効果的である。
で表される構造を有するものである。Xは通常は水素で
ある。nの数が有利には1〜50、好ましくは3〜50
程度のオキシアルキレン基が実用的であり、ポリオキシ
エチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチ
レン基等が効果的である。
【0010】
【化1】
【0011】〔但しR1、R2は水素又はアルキル基、X
は水素、アルキル基、アルキルエステル基、アルキルア
ミド基、スルホン酸塩基等の有機残基、nは1〜100
の整数を示す〕オキシアルキレン基を含有する不飽和単
量体のポリマー中の割合は通常0.01〜50モル%が
望ましい。本発明において使用するに適した上記EO−
PVAの形態はシートが好ましく、その厚みは被ブラス
ト物体の種類、サンドブラストで彫刻する深さにより異
なるが、通常100〜1000μm、好ましくは200
〜800μmが適当である。
は水素、アルキル基、アルキルエステル基、アルキルア
ミド基、スルホン酸塩基等の有機残基、nは1〜100
の整数を示す〕オキシアルキレン基を含有する不飽和単
量体のポリマー中の割合は通常0.01〜50モル%が
望ましい。本発明において使用するに適した上記EO−
PVAの形態はシートが好ましく、その厚みは被ブラス
ト物体の種類、サンドブラストで彫刻する深さにより異
なるが、通常100〜1000μm、好ましくは200
〜800μmが適当である。
【0012】本発明におけるマスキングシートの製造方
法としては、耐水性基材上にEO−PVA層を形成させ
た後、かかるEO−PVA層上に水不溶性のパターンを
形成させ、パターンにより覆われていないEO−PVA
部分を溶解除去することにより、サンドブラストされる
部分は基材部分が露出した状態となった厚膜のマスキン
グシートを得る。水不溶性のパターンを形成させる方法
としてはポジ型、ネガ型いずれでも良く、その手段は種
々考えられるが、例えば光硬化性樹脂を用いた写真的手
法及びスクリーン印刷法等が挙げられる。
法としては、耐水性基材上にEO−PVA層を形成させ
た後、かかるEO−PVA層上に水不溶性のパターンを
形成させ、パターンにより覆われていないEO−PVA
部分を溶解除去することにより、サンドブラストされる
部分は基材部分が露出した状態となった厚膜のマスキン
グシートを得る。水不溶性のパターンを形成させる方法
としてはポジ型、ネガ型いずれでも良く、その手段は種
々考えられるが、例えば光硬化性樹脂を用いた写真的手
法及びスクリーン印刷法等が挙げられる。
【0013】写真的手法とは該EO−PVA層上に直接
光硬化性樹脂層を形成させ、かかる樹脂層上に図柄を有
するパターンマスクを通して活性光線を露光し、未露光
部分を水、アルカリ水溶液などの液体を用いて溶解除去
することによりレジスト画像を設ける方法である。パタ
ーンを作成する場合EO−PVAシート上に光硬化性樹
脂層を塗布し、必要に応じて保護膜を設け、その上から
パターンマスクを重ねるという段階的な手法でパターン
を形成させてもよいが、EO−PVAシート上に光硬化
性樹脂層を形成させ、保護膜としてポリスチレンフイル
ム等を更に積層したいわゆるドライフイルムレジスト型
の積層シートを予め作成しておきパターン形成時にはこ
の積層シートを耐水性基材上にラミネートしてパターン
を形成させてもよい。
光硬化性樹脂層を形成させ、かかる樹脂層上に図柄を有
するパターンマスクを通して活性光線を露光し、未露光
部分を水、アルカリ水溶液などの液体を用いて溶解除去
することによりレジスト画像を設ける方法である。パタ
ーンを作成する場合EO−PVAシート上に光硬化性樹
脂層を塗布し、必要に応じて保護膜を設け、その上から
パターンマスクを重ねるという段階的な手法でパターン
を形成させてもよいが、EO−PVAシート上に光硬化
性樹脂層を形成させ、保護膜としてポリスチレンフイル
ム等を更に積層したいわゆるドライフイルムレジスト型
の積層シートを予め作成しておきパターン形成時にはこ
の積層シートを耐水性基材上にラミネートしてパターン
を形成させてもよい。
【0014】活性光線とは光増感剤の存在下で、これを
励起することによって光重合反応を進めうるエネルギー
をもつ線であって、通常300〜600mμの波長を有
する線が用いられる。線源としては、紫外線ケイ光灯、
高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ
等が挙げられる。本発明において使用するに適した光硬
化性樹脂とはベースポリマー(A)、エチレン性不飽和化
合物(B)、光重合開始剤(C)から成る組成物である。
励起することによって光重合反応を進めうるエネルギー
をもつ線であって、通常300〜600mμの波長を有
する線が用いられる。線源としては、紫外線ケイ光灯、
高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ
等が挙げられる。本発明において使用するに適した光硬
化性樹脂とはベースポリマー(A)、エチレン性不飽和化
合物(B)、光重合開始剤(C)から成る組成物である。
【0015】ベースポリマー(A)としては、アクリル系
樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウ
レタン系樹脂、エポキシ系樹脂などが用いられる。これ
らの中では、アクリル酸エステルまたは/およびメタク
リル酸エステルを主成分とし、必要に応じエチレン性不
飽和カルボン酸や他の共重合可能なモノマーを共重合し
たアクリル系樹脂が重要である。アセトアセチル基含有
アクリル系樹脂を用いることもできる。
樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウ
レタン系樹脂、エポキシ系樹脂などが用いられる。これ
らの中では、アクリル酸エステルまたは/およびメタク
リル酸エステルを主成分とし、必要に応じエチレン性不
飽和カルボン酸や他の共重合可能なモノマーを共重合し
たアクリル系樹脂が重要である。アセトアセチル基含有
アクリル系樹脂を用いることもできる。
【0016】ここでアクリル酸エステルとしては、メチ
ルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリ
レート、ブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、
2−エチルヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアク
リレート、ベンジルアクリレート、ジメチルアミノエチ
ルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒド
ロキシプロピルアクリレート、グリシジルアクリレート
などが例示され、メタクリル酸エステルとしては、メチ
ルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメ
タクリレート、ブチルメタクリレート、ヘキシルメタク
リレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、シクロ
ヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ジ
メチルアミノエチルメタクリレート、ヒドロキシエチル
メタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、
グリシジルメタクリレートなどが例示される。
ルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリ
レート、ブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、
2−エチルヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアク
リレート、ベンジルアクリレート、ジメチルアミノエチ
ルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒド
ロキシプロピルアクリレート、グリシジルアクリレート
などが例示され、メタクリル酸エステルとしては、メチ
ルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメ
タクリレート、ブチルメタクリレート、ヘキシルメタク
リレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、シクロ
ヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ジ
メチルアミノエチルメタクリレート、ヒドロキシエチル
メタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、
グリシジルメタクリレートなどが例示される。
【0017】エチレン性不飽和カルボン酸としては、ア
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボ
ン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、フマー
ル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、あるいはそれら
の無水物やハーフエステルも用いることができる。これ
らの中では、アクリル酸とメタクリル酸が好ましい。他
の共重合可能モノマーとしてはアクリルアミド、メタク
リルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、
スチレン、α−メチルスチレン、酢酸ビニル、アルキル
ビニルエーテルなどが例示できる。
クリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボ
ン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、フマー
ル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、あるいはそれら
の無水物やハーフエステルも用いることができる。これ
らの中では、アクリル酸とメタクリル酸が好ましい。他
の共重合可能モノマーとしてはアクリルアミド、メタク
リルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、
スチレン、α−メチルスチレン、酢酸ビニル、アルキル
ビニルエーテルなどが例示できる。
【0018】エチレン性不飽和化合物(B)としては、エ
チレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリ
レート、ポリエチレングリコールジアクリレート、プロ
ピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリ
コールジアクリレート、ブチレングリコールジアクリレ
ート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、1,6
−ヘキサングリコールジアクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート、グリセリンジアクリレー
ト、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタアクリレート、2,2−ビス(4−アクリロキシ
ジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ア
クリロキシポリエトキシフェニル)プロパン、2−ヒド
ロキシ−3−アクリロイルオキシプロピルアクリレー
ト、エチレングリコールジグリシジルエーテルジアクリ
レート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ
アクリレート、1,6−ヘキサメチルジグリシジルエー
テルジアクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ
アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ
アクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート、プロピレングリコール
ジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタク
リレート、ブチレングリコールジメタクリレート、ネオ
ペンチルグリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサ
ングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパ
ントリメタクリレート、グリセリンジメタクリレート、
ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリス
リトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタメタクリレート、2,2−ビス(4−メタクリロ
キシジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−メタクリロキシポリエトキシフェニル)プロパン、2
−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキジプロピルメタ
クリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテル
ジメタクリレート、ジエチレングリコールジグリシジル
エーテルジメタクリレート、1,6−ヘキサメチルジグ
リシジルエーテルジメタクリレート、フタル酸ジグリシ
ジルエステルジメタクリレート、グリセリンポリグリシ
ジルエーテルポリメタクリレートなどの多官能モノマー
が挙げられる。これらの多官能モノマーと共に、単官能
モノマーを適当量併用することもできる。
チレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリ
レート、ポリエチレングリコールジアクリレート、プロ
ピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリ
コールジアクリレート、ブチレングリコールジアクリレ
ート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、1,6
−ヘキサングリコールジアクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート、グリセリンジアクリレー
ト、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタアクリレート、2,2−ビス(4−アクリロキシ
ジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ア
クリロキシポリエトキシフェニル)プロパン、2−ヒド
ロキシ−3−アクリロイルオキシプロピルアクリレー
ト、エチレングリコールジグリシジルエーテルジアクリ
レート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ
アクリレート、1,6−ヘキサメチルジグリシジルエー
テルジアクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ
アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ
アクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート、プロピレングリコール
ジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタク
リレート、ブチレングリコールジメタクリレート、ネオ
ペンチルグリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサ
ングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパ
ントリメタクリレート、グリセリンジメタクリレート、
ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリス
リトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタメタクリレート、2,2−ビス(4−メタクリロ
キシジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−メタクリロキシポリエトキシフェニル)プロパン、2
−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキジプロピルメタ
クリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテル
ジメタクリレート、ジエチレングリコールジグリシジル
エーテルジメタクリレート、1,6−ヘキサメチルジグ
リシジルエーテルジメタクリレート、フタル酸ジグリシ
ジルエステルジメタクリレート、グリセリンポリグリシ
ジルエーテルポリメタクリレートなどの多官能モノマー
が挙げられる。これらの多官能モノマーと共に、単官能
モノマーを適当量併用することもできる。
【0019】単官能モノマーの例としては、2−ヒドロ
キシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアク
リレート、2−ヒドロキシブチルアクリレート、2−フ
ェノキシ−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−
アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロピルフタレー
ト、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、グリセリンモノアクリレート、2−アクリロイルオ
キシエチルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハ
ーフアクリレート、N−メチロールアクリルアミドや、
2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、2−ヒドロキシブチルメタク
リレート、2−フェノキシ−2−ヒドロキシプロピルメ
タクリレート、2−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロ
キシプロピルフタレート、3−クロロ−2−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、グリセリンモノメタクリレー
ト、2−メタクリロイルオキシエチルアシッドホスフェ
ート、フタル酸誘導体のハーフメタクリレート、N−メ
チロールメタクリルアミドなどが挙げられる。
キシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアク
リレート、2−ヒドロキシブチルアクリレート、2−フ
ェノキシ−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−
アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロピルフタレー
ト、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、グリセリンモノアクリレート、2−アクリロイルオ
キシエチルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハ
ーフアクリレート、N−メチロールアクリルアミドや、
2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、2−ヒドロキシブチルメタク
リレート、2−フェノキシ−2−ヒドロキシプロピルメ
タクリレート、2−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロ
キシプロピルフタレート、3−クロロ−2−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、グリセリンモノメタクリレー
ト、2−メタクリロイルオキシエチルアシッドホスフェ
ート、フタル酸誘導体のハーフメタクリレート、N−メ
チロールメタクリルアミドなどが挙げられる。
【0020】ベースポリマー(A)100重量部に対する
エチレン性不飽和化合物(B)の割合は、10〜200重
量部、特に40〜100重量部の範囲から選ぶことが望
ましい。光重合開始剤(C)としては、例えば、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインn
−ブチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベン
ジルジフェニルジスルフィド、ジベンジル、ジアセチ
ル、アントラキノン、ナフトキノン、メトキノン、ミヒ
ラーズケトン、3,3'−ジメチル−4−メトキシベンゾ
フェノン、ベンゾフェノン、P,P'−ビス(ジメチルア
ミノ)ベンゾフェノン、4,4'−ビス(ジエチルアミ
ノ)ベンゾフェノン、ピバロインエチルエーテン、ベン
ジルジメチルケタール、1,1−ジクロロアセトフェノ
ン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、2−クロ
ロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2,4
−ジエチルチオキサントン、2,2−ジエトキシアセト
フェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン、2,2−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェ
ノン、フェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシイソ
ブチルフェノン、ジベゾスパロン、1−(4−イソプロ
ピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プ
ロパノン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニ
ル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、トリブロモ
フェニルスルホン、トリブロモメチルフェニルスルホン
などが挙げられ、これらを適当に組合わせて用いること
ができる。
エチレン性不飽和化合物(B)の割合は、10〜200重
量部、特に40〜100重量部の範囲から選ぶことが望
ましい。光重合開始剤(C)としては、例えば、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインn
−ブチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベン
ジルジフェニルジスルフィド、ジベンジル、ジアセチ
ル、アントラキノン、ナフトキノン、メトキノン、ミヒ
ラーズケトン、3,3'−ジメチル−4−メトキシベンゾ
フェノン、ベンゾフェノン、P,P'−ビス(ジメチルア
ミノ)ベンゾフェノン、4,4'−ビス(ジエチルアミ
ノ)ベンゾフェノン、ピバロインエチルエーテン、ベン
ジルジメチルケタール、1,1−ジクロロアセトフェノ
ン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、2−クロ
ロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2,4
−ジエチルチオキサントン、2,2−ジエトキシアセト
フェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン、2,2−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェ
ノン、フェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシイソ
ブチルフェノン、ジベゾスパロン、1−(4−イソプロ
ピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プ
ロパノン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニ
ル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、トリブロモ
フェニルスルホン、トリブロモメチルフェニルスルホン
などが挙げられ、これらを適当に組合わせて用いること
ができる。
【0021】光重合開始剤(C)の配合割合は、ベースポ
リマー(A)とエチレン性不飽和化合物(B)との合計量に
対し0.5〜20重量%程度とするのが適当である。か
かる樹脂は上記の如く三種類を必須成分とするがその他
にも密着付与剤、重合禁止剤、溶剤、可塑剤、着色剤、
表面張力改質剤、安定剤、連鎖移動剤、消泡剤、難燃剤
などの公知の添加剤を適宜配合することができる。上記
光硬化性樹脂組成物層の厚みは通常10〜100μmぐ
らいである。一方、スクリーン印刷法とは該PVA層上
に液状の光硬化性樹脂組成物によりスクリーン印刷して
直接模様を形成させ、この模様部分を硬化させてレジス
ト画像を形成させる方法である。
リマー(A)とエチレン性不飽和化合物(B)との合計量に
対し0.5〜20重量%程度とするのが適当である。か
かる樹脂は上記の如く三種類を必須成分とするがその他
にも密着付与剤、重合禁止剤、溶剤、可塑剤、着色剤、
表面張力改質剤、安定剤、連鎖移動剤、消泡剤、難燃剤
などの公知の添加剤を適宜配合することができる。上記
光硬化性樹脂組成物層の厚みは通常10〜100μmぐ
らいである。一方、スクリーン印刷法とは該PVA層上
に液状の光硬化性樹脂組成物によりスクリーン印刷して
直接模様を形成させ、この模様部分を硬化させてレジス
ト画像を形成させる方法である。
【0022】液状光硬化性樹脂組成物とは、上述した如
き光硬化性樹脂組成物のそのままあるいは溶媒等の希釈
剤を混合した液状物であり、スクリーン印刷後、活性光
線の照射により硬化画像が形成される。この他にも液状
型樹脂として蒸発乾燥型樹脂、酸化重合型樹脂及び二液
反応樹脂等を用いてスクリーン印刷法によりレジスト画
像を形成させることも可能である。
き光硬化性樹脂組成物のそのままあるいは溶媒等の希釈
剤を混合した液状物であり、スクリーン印刷後、活性光
線の照射により硬化画像が形成される。この他にも液状
型樹脂として蒸発乾燥型樹脂、酸化重合型樹脂及び二液
反応樹脂等を用いてスクリーン印刷法によりレジスト画
像を形成させることも可能である。
【0023】かくして得られたマスキングシートを被ブ
ラスト表面に耐水性基材部分を貼りつけた後サンドブラ
スト工程が行われる。サンドブラストに用いられる研磨
材及び研磨条件は、被ブラスト物体の材質や彫刻する深
さにより異なるがカーボランダム、コランダム、スチー
ルショット、金剛砂などから選ばれた30〜500メッ
シュの研磨材を1〜15kg/cm2の圧力で吹き付けるの
が一般的である。サンドブラスト施行後マスキングシー
トは被ブラスト物体から除去される。除去法としては例
えば、水に浸漬することにより被ブラスト物体から容易
に剥離することができる。
ラスト表面に耐水性基材部分を貼りつけた後サンドブラ
スト工程が行われる。サンドブラストに用いられる研磨
材及び研磨条件は、被ブラスト物体の材質や彫刻する深
さにより異なるがカーボランダム、コランダム、スチー
ルショット、金剛砂などから選ばれた30〜500メッ
シュの研磨材を1〜15kg/cm2の圧力で吹き付けるの
が一般的である。サンドブラスト施行後マスキングシー
トは被ブラスト物体から除去される。除去法としては例
えば、水に浸漬することにより被ブラスト物体から容易
に剥離することができる。
【0024】
【作用】本発明におけるマスキングシートはサンドブラ
スト時の耐久性に非常に優れ、深彫りを行うにあたり極
めて容易にしかも精密さを有する模様を現出せしめるこ
とができ、工業的に有用である。
スト時の耐久性に非常に優れ、深彫りを行うにあたり極
めて容易にしかも精密さを有する模様を現出せしめるこ
とができ、工業的に有用である。
【0025】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説
明する。 実施例1〜4 〈光硬化性樹脂組成物シートの調製〉 ベースポリマーA 平均分子量10万のメチルメタクリレート/n−ブチル
メタクリレート/メタクリル酸(重量比70/10/2
0)共重合体のメチルエチルケトン/トルエン/メチル
セロソルブ(重量比70/10/20)混合溶剤による
35%溶液 エチレン性不飽和化合物B トリメチロールプロパントリアクリレートとポリエチレ
ングリコールジアクリレートとの重量比で2:1の混合
物
明する。 実施例1〜4 〈光硬化性樹脂組成物シートの調製〉 ベースポリマーA 平均分子量10万のメチルメタクリレート/n−ブチル
メタクリレート/メタクリル酸(重量比70/10/2
0)共重合体のメチルエチルケトン/トルエン/メチル
セロソルブ(重量比70/10/20)混合溶剤による
35%溶液 エチレン性不飽和化合物B トリメチロールプロパントリアクリレートとポリエチレ
ングリコールジアクリレートとの重量比で2:1の混合
物
【0026】光重合開始剤C ベンゾフェノン 9重量部 ミヒラーズケトン 0.5重量部 メトキノン 0.5重量部 の混合物 Aの35%溶液が60重量部、Bが30重量部、Cが1
0重量部からなる組成物を均一に溶解後25μm厚さの
ポリエステルフイルム上にアプリケーターを用いて塗布
し95℃で10分熱分乾燥にて乾燥後その上から30μ
mのポリエチレンフイルムを積層した。乾燥後の光硬化
性樹脂組成物層の厚みは50μmであった。
0重量部からなる組成物を均一に溶解後25μm厚さの
ポリエステルフイルム上にアプリケーターを用いて塗布
し95℃で10分熱分乾燥にて乾燥後その上から30μ
mのポリエチレンフイルムを積層した。乾燥後の光硬化
性樹脂組成物層の厚みは50μmであった。
【0027】〈サンドブラスト用マスキングシートの作
成〉 下層としてシリコン処理を施しポリエチレンテレフタレ
ート、中層として接着剤及び上層としてポリエチレンテ
レフタレートの3層からなる耐水性基材上の上層部に、
表1で示すオキシアルキレン基含有変性ポリビニルアル
コールからなる厚さ600μmのシートを貼り合わせ
た。つぎにかかるポリビニルアルコールのシート上に上
記で製造した光硬化性樹脂組成物シートをポリエチレン
フイルムを剥離しながらラミネートし、この上に図柄を
有するパターンマスクを載置した。次に3kW超高圧水
銀灯を光源とする露光機を用いて、70cmの距離からコ
ンベア速度3m/分で50秒間、パターンマスクを介し
て露光を行った。ついで、ポリエステルフイルムを剥離
した後、感光層部に3%の炭酸ナトリウム水溶液を0.
8kg/cm2の圧力で400秒間吹き付け、未露光部分の
光硬化性樹脂及びポリビニルアルコールを同時に洗い出
し乾燥してマスキングシートを作成した。
成〉 下層としてシリコン処理を施しポリエチレンテレフタレ
ート、中層として接着剤及び上層としてポリエチレンテ
レフタレートの3層からなる耐水性基材上の上層部に、
表1で示すオキシアルキレン基含有変性ポリビニルアル
コールからなる厚さ600μmのシートを貼り合わせ
た。つぎにかかるポリビニルアルコールのシート上に上
記で製造した光硬化性樹脂組成物シートをポリエチレン
フイルムを剥離しながらラミネートし、この上に図柄を
有するパターンマスクを載置した。次に3kW超高圧水
銀灯を光源とする露光機を用いて、70cmの距離からコ
ンベア速度3m/分で50秒間、パターンマスクを介し
て露光を行った。ついで、ポリエステルフイルムを剥離
した後、感光層部に3%の炭酸ナトリウム水溶液を0.
8kg/cm2の圧力で400秒間吹き付け、未露光部分の
光硬化性樹脂及びポリビニルアルコールを同時に洗い出
し乾燥してマスキングシートを作成した。
【0028】〈サンドブラスト工程〉 厚さ7mmのガラス板に上記で作成したマスキングシート
をシリコン処理を施したポリエチレンテレフタレート層
を剥離しながら貼着し、200メッシュのアランダムを
3kg/cm2の空気圧で全面に30秒間ブラストしたとこ
ろ、マスキングシートは剥がれず、形を崩さなかった。
このマスキングシートを水に浸漬して剥離したところ、
ガラス板上にはパターンに忠実である繊細な模様を彫刻
することができた。更に、かかるマスキングシートのサ
ンドブラストに対する耐久強度を測定するために別途上
記マスキングシートと同条件下で作成したマスキングシ
ートを用い、3kg/cm2の空気圧で200メッシュのア
ランダムを吹き付けマスキングシートの破壊時間を測定
した。結果をまとめて表1に示す。
をシリコン処理を施したポリエチレンテレフタレート層
を剥離しながら貼着し、200メッシュのアランダムを
3kg/cm2の空気圧で全面に30秒間ブラストしたとこ
ろ、マスキングシートは剥がれず、形を崩さなかった。
このマスキングシートを水に浸漬して剥離したところ、
ガラス板上にはパターンに忠実である繊細な模様を彫刻
することができた。更に、かかるマスキングシートのサ
ンドブラストに対する耐久強度を測定するために別途上
記マスキングシートと同条件下で作成したマスキングシ
ートを用い、3kg/cm2の空気圧で200メッシュのア
ランダムを吹き付けマスキングシートの破壊時間を測定
した。結果をまとめて表1に示す。
【0029】
【表1】
【0030】比較例1 実施例1に示した光硬化性樹脂10重量部(固形分換
算)に対してケン化度88、重合度1700のポリビニ
ルアルコール90重量部を均一に溶解後25μm厚さの
ポリエステルフイルム上にアプリケーターを用いて95
℃で10分熱分乾燥にて乾燥後その上から30μmのポ
リエチレンフイルムを積層した。乾燥後の光硬化性樹脂
組成物層の厚みは50μmであった。かかる光硬化性樹
脂シートをポリエチレンフイルムを剥離しながら厚さ7
μmのガラス板上にラミネートした。次に3KW超高圧
水銀灯を光源とする露光機を用いて70cmの距離からコ
ンベア速度3m/分で30秒間、図柄を有するパターン
マスクを介して露光を行った。次いでこれにポリエステ
ルフイルムを剥離した後3%の炭酸ナトリウム水溶液を
0.8kg/cm2の圧力で400秒間吹きつけ、未露光部分
の光硬化性樹脂を洗い出し、乾燥を行いマスキングシー
トを作成した。
算)に対してケン化度88、重合度1700のポリビニ
ルアルコール90重量部を均一に溶解後25μm厚さの
ポリエステルフイルム上にアプリケーターを用いて95
℃で10分熱分乾燥にて乾燥後その上から30μmのポ
リエチレンフイルムを積層した。乾燥後の光硬化性樹脂
組成物層の厚みは50μmであった。かかる光硬化性樹
脂シートをポリエチレンフイルムを剥離しながら厚さ7
μmのガラス板上にラミネートした。次に3KW超高圧
水銀灯を光源とする露光機を用いて70cmの距離からコ
ンベア速度3m/分で30秒間、図柄を有するパターン
マスクを介して露光を行った。次いでこれにポリエステ
ルフイルムを剥離した後3%の炭酸ナトリウム水溶液を
0.8kg/cm2の圧力で400秒間吹きつけ、未露光部分
の光硬化性樹脂を洗い出し、乾燥を行いマスキングシー
トを作成した。
【0031】続いてこれに200メッシュのアランダム
を3kg/cm2の空気圧で全面に30秒間ブラストしたと
ころ、マスキングシートの輪郭部がつぶれてパターンに
忠実な模様は得られなかった。又、サンドブラスト後の
マスキングシートの膜圧減少は65μm(膜厚減少率1
1%)と極めて大きく、更に実施例1に従いマスキング
シートの破壊時間を測定したところ12秒と非常に短時
間であった。
を3kg/cm2の空気圧で全面に30秒間ブラストしたと
ころ、マスキングシートの輪郭部がつぶれてパターンに
忠実な模様は得られなかった。又、サンドブラスト後の
マスキングシートの膜圧減少は65μm(膜厚減少率1
1%)と極めて大きく、更に実施例1に従いマスキング
シートの破壊時間を測定したところ12秒と非常に短時
間であった。
【0032】
【効 果】本発明におけるマスキングシートはサンドブ
ラスト時の耐久性に非常に優れるため、深彫りを行うに
あたり、極めて容易にしかも精密さを有する模様を現出
せしめることができる。
ラスト時の耐久性に非常に優れるため、深彫りを行うに
あたり、極めて容易にしかも精密さを有する模様を現出
せしめることができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 耐水性基材上に平均ケン化度50〜10
0モル%、平均重合度100〜800のオキシアルキレ
ン基含有変性ポリビニルアルコール層を設け、該ポリビ
ニルアルコール層上に水不溶性のパターンを形成させ、
パターンにより覆われていないポリビニルアルコール部
分を溶解除去することを特徴とするサンドブラスト用マ
スキングシートの製造方法。 - 【請求項2】 耐水性基材上に水不溶性のパターンが平
均ケン化度50〜100モル%、平均重合度100〜8
00のオキシアルキレン基含有変性ポリビニルアルコー
ル層を介して接合されてなるサンドブラスト用マスキン
グシート。 - 【請求項3】 パターンが光硬化性樹脂組成物から形成
されてなる請求項1記載のサンドブラスト用マスキング
シートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32690791A JP3148312B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | サンドブラスト用マスキングシート及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32690791A JP3148312B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | サンドブラスト用マスキングシート及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05177543A JPH05177543A (ja) | 1993-07-20 |
| JP3148312B2 true JP3148312B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=18193088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32690791A Expired - Fee Related JP3148312B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | サンドブラスト用マスキングシート及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3148312B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP32690791A patent/JP3148312B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05177543A (ja) | 1993-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |