JPH0420179B2 - - Google Patents

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JPH0420179B2
JPH0420179B2 JP21347383A JP21347383A JPH0420179B2 JP H0420179 B2 JPH0420179 B2 JP H0420179B2 JP 21347383 A JP21347383 A JP 21347383A JP 21347383 A JP21347383 A JP 21347383A JP H0420179 B2 JPH0420179 B2 JP H0420179B2
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film
sandblasting
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pattern layer
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Shohei Nakamura
Yoshimasa Tsuji
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0420179B2 publication Critical patent/JPH0420179B2/ja
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/04Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0079Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask

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Description

【発明の詳細な説明】
本発明はサンドブラスト用マスク転写材、さら
に詳しくいえば、被加工基材への転写が可能であ
つて、十分なサンドブラスト耐性を有し、かつそ
の表面が粘着性を有しているために、接着剤を用
いることなく被加工基材へ貼着することが可能
な、繊細な図柄をもつサンドブラスト用マスクパ
ターン層を有したサンドブラスト用マスク転写材
に関するものである。 ガラス、石材、陶磁器、木材、合成樹脂、金
属、皮革などの表面にサンドブラストにより彫刻
などを施す際に、通常非彫刻面を保護するための
マスクが用いられる。 従来、このサンドブラスト用マスクを用いる場
合、手加工によりゴムや紙などからパターンを有
するマスクを作り、これを被加工基材に接着剤を
用いて貼着していたが、この方法では手間がかか
る上に繊細な図柄を有するマスクを得ることがで
きなかつた。 したがつて、このような欠点を改善するため
に、最近感光性樹脂を用いたサンドブラスト用マ
スクを使用する方法が各種提案されている。例え
ば被加工基材上に直接感光性樹脂層を設け、画像
露光、現像を行つてパターンを有するマスクを作
成する方法(特公昭46−35681号公報)が提案さ
れている。しかしながら、この方法においては、
曲面加工が困難である上に、被加工基材が大きい
場合には、多大の労力を必要とするなどの欠点が
ある。 また、支持体フイルム上に感光性樹脂によるマ
スクパターン層を形成させて成るマスク転写材を
被加工基材に貼着して転写する方法(特開昭53−
99258号公報)が提案されている。しかしながら、
この方法においては、前記の方法における欠点が
ある程度改善されるものの、該支持体フイルム上
に接着剤層が設けられていないために、マスクパ
ターン層作成における現像工程などで点や線など
の細かい硬化した樹脂層が該支持体フイルムから
脱落してしまうという問題があり、その上被加工
基材に該転写材を貼着したのち、その支持体フイ
ルムを剥離する際に、該支持体フイルムと硬化物
との貼着力のために、細かい図柄のマスクパター
ン層が被加工基材から脱離し、繊細な図柄の加工
には使用することができないという問題がある。
また、この提案においては、使用しうる感光性樹
脂組成物として、不飽和ポリエステルをポリマー
成分として含むものが例示され、このものは光硬
化量の調節により硬化状態で表面に粘着性をもた
せうるので、接着剤なしで被加工基材に貼着する
ことができると説明されている。しかしながら、
前記したように、この粘着性のために、支持体フ
イルムを剥離する際に、繊細な図柄のマスクパタ
ーン層の脱離が生じ、また、この粘着性のレベル
では、被加工基材に対して十分な接着効果を得る
ことができないために、サンドブラスト中にマス
クの剥離が起り、実際的には接着剤を用いて被加
工基材に貼着しなければならないという問題があ
る。 また、接着剤層を有する支持体上に感光性樹脂
によるマスクパターン層を形成したのち、該支持
体側を接着剤を用いて被加工基材に貼着する方法
(特開昭55−96270号公報)が提案されている。し
かしながら、この方法においては、該支持体をサ
ンドブラストで破壊除去するのに長時間を要する
上に、接着剤を用いて被加工基材へ貼着するため
に手間がかかるという欠点がある。 さらに、支持体フイルム上に感光性樹脂で形成
されたマスクパターン層を有するマスク転写材に
おいて、該支持体フイルムとマスクパターン層と
の間に、該フイルムとは剥離可能で、押圧により
被加工基材と密着し、かつサンドブラストにより
破壊される性質を有する中間被膜を設ける方法
(実開昭55−89555号公報)が提案されている。し
かしながら、この方法においては、該中間被膜の
粘着性が強いと、支持体フイルムとの剥離抵抗が
大きくなつて、該転写材を被加工基材に貼着した
のち、該支持体フイルムを剥離する際に、マスク
パターン層の一部が剥落するという問題が生じ、
また、該中間被膜を押圧によつて被加工基材に密
着させて転写材を貼着するので、図柄によつてマ
スクパターン層中の透孔部分が狭く、このような
貼り付けは困難であるし、その上サンドブラスト
により、最初に該中間被膜が破壊されて貼着の効
果がなくなり、次いでマスクが剥離するという問
題がある。 本発明者らは、このような問題を解決し、接着
剤を用いずに被加工基材へ貼着するこができ、そ
の上繊細な図柄でも該被加工基材に極めて正確に
加工しうるサンドブラスト用マスク転写材を提供
すべく鋭意研究を重ねた結果、支持体の上に特定
の性質を有する保持層を設け、該保持層の上に、
特定の組成を有する感光性樹脂組成物から得ら
れ、かつ所定のサンドブラスト耐性及び被加工基
材との接着性を有する硬化物から成るサンドブラ
スト用マスクパターン層を設けたものによりその
目的を達成しうることを見出し、この知見に基づ
いて本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、(A)(イ)一般式 B(XA)oXB′ ……(I) 〔式中のXはウレタン残基、Aはポリエーテル、
ポリエステル、ポリエーテルポリエステルブロツ
クコポリマー、ポリジエン、ポリエン又はこれら
の混合物、Bは一般式
【式】(た だし、Zは水素原子又はメチル基、Yは(−CH2)−
n1O−、
【式】又は(−CH2CH2O)−n 3 、m1は1〜6、m2及びm3はそれぞれ1〜15で
ある)で示される化合物、B′は一般式
【式】(ただし、Z、Yは前記と 同じ意味をもつ)、RO又はROY(ただしRは炭素
数1〜8のアルキル基、Yは前記と同じ意味をも
つ)で示される化合物、nは1〜10である〕 で表わされる不飽和ポリウレタン50〜98重量部、
(ロ)エチレン性不飽和化合物2〜50重量部、及び(ハ)
(イ)成分と(ロ)成分との和に対して0.05〜10重量%の
光重合開始剤を主成分として含有して成る感光性
樹脂組成物から得られ、かつ20℃における被加工
基材に対する剥離抵抗値300g/cm2以上、破断伸
度100%以上、100%モジユラス500Kg/cm2以下を
有する硬化物から成るサンドブラスト用マスクパ
ターン層、(B)該マスクパターン層を保持する支持
体、及び(C)前記のマスクパターン層と支持体との
間に位置し、該マスクパターン層とはよく接着す
るが、該支持体とは剥離可能であり、かつサンド
ブラストにより破壊される性質を有する保持層か
ら成るサンドブラスト用マスク転写材を提供する
ものである。 本発明の転写材におけるサンドブラスト用マス
クパターン層を形成するために用いる感光性樹脂
組成物において、(イ)成分として用いる不飽和ポリ
ウレタンは、次の一般式() B(XA)oXB′ ……(I) 〔式中のX、A、B、B′及びnは前記と同じ意
味をもつ) で表わされる化合物であつて、式中のXとして
は、例えばトルイレンジイソシアネート残基、ヘ
キサメチレンジイソシアネート残基などが挙げら
れ、Aとしては、例えばポリエチレングリコール
残基、ポリプロピレングリコール残基、ポリテト
ラメチレングリコール残基、ポリエチレングリコ
ールポリプロピレングリコール残基、ポリプロピ
レングリコールアジペート残基、ポリブタジエ
ン、水添化ポリブタジエンなどが挙げられる。ま
たBとしては、例えば2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレ
ート、ポリプロピレングリコールメタクリレー
ト、ポリエチレングリコールメタクリレート又は
これらのアクリレート類などが、B′としては、
例えばエタノール残基、プロパノール残基、ヘキ
サノール残基、オクタノール残基、ポリエチレン
グリコールモノエチルエーテル残基、ポリプロピ
レングリコールモノメチルエーテル残基などが挙
げられる。 この不飽和ポリウレタンは、これを含有して成
る組成物の硬化物が十分な表面粘着性を有し、か
つ十分なサンドブラスト耐性を有するためには、
1分子中に二重結合が平均して1.5〜1.9個あるも
のが好ましく、またその数平均分子量が5000〜
50000、特に10000〜30000の範囲内にあるものが、
表面粘着性、耐ブラスト性及び未硬化状態の取り
扱い性などの点で好適である。 本発明に係る感光性樹脂組成物に(ロ)成分として
用いるエチレン性不飽和化合物としては、例えば
アクリル酸、メタクリル酸又はこれらのエステル
類、例えばアルキル、シクロアルキル、テトラヒ
ドロフルフリル、アリル、グリシジル、ヒドロキ
シアルキルアクリレートやそれらのメタクリレー
ト、アルキレングリコール、ポリアルキレングリ
コールのモノ、ジアクリレートやそれらのメタク
リレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレ
ートやそのメタクリレートなど;アクリルアミ
ド、メタクリルアミド又はこれらの誘導体、例え
ばN−メチロールアクリルアミドやそのメタクリ
ルアミド、N,N′−アルキレンビスアクリルア
ミドやそのメタクリルアミド、ジアセトンアクリ
ルアミドやそのメタクリルアミドなど;付加重合
可能な不飽和単量体、例えばスチレン、ビニルト
ルエン、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレー
ト、トリアリルシアヌレート、ビニルアセテー
ト、アクリロニトリルなど;不飽和ポリエステ
ル;アルキツド樹脂;ヒドロキシアルキルアクリ
レートやそのメタクリレートなどの活性水素を有
する付加重合可能な単量体で改質されたポリウレ
タンのような不飽和ポリウレタンなどが挙げられ
る。 本発明においては、前記(イ)成分の不飽和ポリウ
レタンと(ロ)成分のエチレン性不飽和化合物の配合
割合は、前者が50〜98重量部、後者が2〜50重量
部の範囲にあることが必要である。この範囲を外
れると、得られた硬化物は所望の表面粘着性やサ
ンドブラスト耐性が得られない。また、該不飽和
ポリウレタンに対する該エチレン性不飽和化合物
の比率が高くなると、硬化物の表面粘着性が小さ
くなる傾向を示すので、この比率が高いときは、
エチレン性不飽和化合物として単官能の化合物を
多く用いることが好ましい。 また、感光性樹脂組成物に(ハ)成分として用いる
光重合開始剤としては、例えばベンゾイン、ベン
ゾインアルキルエステル、α−メチルベンゾイン
やそのアルキルエーテル、α−フエニルベンゾイ
ン、α−アリルベンゾイン、アンスラキノン、ク
ロロアンスラキノン、メチルアンスラキノン、エ
チルアンスラキノン、ベンジル、ジアセチル、ア
セトフエノン、ω−ブロモアセトフエノン、2,
2−ジメトキシフエニルアセトフエノン、α−ナ
フタレンスルホニルクロリド、ジフエニルジスル
フイド、エオシンやチオニンのような染料などが
挙げられる。 これらの光重合開始剤は、(イ)成分の不飽和ポリ
ウレタンと(ロ)成分のエチレン性不飽和化合物との
和に対して0.05〜10重量%の範囲で用いられる。 本発明においては、前記の不飽和ポリウレタ
ン、エチレン性不飽和化合物及び光重合開始剤を
主成分とする感光性樹脂組成物から得られる硬化
物は、十分なサンドブラスト耐性及び表面粘着性
を有するためには、20℃において被加工基材に対
し300g/cm2以上の剥離抵抗値を有し、また破断
伸度100%以上、100%モジユラス500Kg/cm2以下
を有することが必要である。この剥離抵抗値が
300g/cm2よりも低いとサンドブラストの際に剥
離を生じ、また破断伸度が100%未満、100%モジ
ユラスが500Kg/cm2未満ではパターン層が破壊さ
れ、十分なマスキングがなされない。 本発明の転写材において用いる支持体として
は、例えばポリプロピレン、ポリエステル、ポリ
塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、
ポリエチレンなどの合成樹脂フイルム、スチール
やアルミニウムのような金属シートなどが挙げら
れる。これらの支持体の厚みは50μ〜1mmの範囲
が好適である。この厚みが50μより薄いと支持体
に、いわゆるコシがなくなつて支持体としての働
きができにくくなり、また1mmより厚くなると取
り扱い作業性が悪くなつて好ましくない。 また、本発明の転写材において、支持体と前記
の感光性樹脂組成物の硬化物から成るサンドブラ
スト用マスクパターン層との間に介在させる保持
層は、該マスクパターン層とはよく接着するが、
該支持体とは剥離可能であり、かつサンドブラス
トにより破壊される性質を有することが必要であ
る。 この保持層は、支持体上にマスクパターン層を
形成させる際の未露光感光性樹脂組成物を洗い出
す工程において、細かい点や線の樹脂硬化物が該
支持体から脱離するのを防ぐためと、転写材を被
加工基材に貼り付けたのち、支持体を剥離する際
に、マスクパターン層が被加工基材から脱離しな
いようにする目的で設けられる。この保持層と支
持体との剥離抵抗値は、該支持体を剥離する際の
作業性の点から10g/cm以下であることが望まし
い。 この保持層には、例えばセルロースエーテルや
セルロースエステルなどのセルロース誘導体、ポ
リメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリ
スチレン、石油樹脂などが用いられるが、マスク
パターン層との接着性の点でセルロース誘導体が
特に優れている。また未硬化樹脂組成物の洗い出
し工程において、樹脂硬化物が脱離しないため
に、洗い出し液である水、アルカリ液、界面活性
剤水溶液などに不溶性であることが重要であり、
この観点からセルロース誘導体の中でも、特にエ
チルセルロース、メチルセルロースなどのアルキ
ルセルロース類、セルロースアセテート、セルロ
ースアセテートブチレートなどのセルロースモノ
カルボン酸エステル類が適している。この保持層
は、好ましくは0.5〜20μの厚さで用いられる。こ
の厚さが0.5μ未満では保持層としての機能が劣
り、また20μを超えると、このような保持層を設
けた支持体の製造が困難となつて経済的でない。 次に、本発明の転写材を製造する方法について
その1例を示すと、まず保護フイルムの表面に該
フイルムと剥離しやすく、かつ未露光感光性樹脂
組成物の洗い出し液に可溶な被膜を形成し、この
保護フイルムを該被膜が露出する状態で透明画像
担体上に設ける。該保護フイルムとしては、例え
ばポリプロピレン、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミ
ド、酢酸セルロース、ポリカーボネートなどの透
明な合成樹脂フイルムが挙げられ、その厚みは通
常5〜50μのものが用いられる。これより厚い
と、該フイルム内での光の散乱により画像の再現
性が低下しこれより薄いと取り扱い性が悪くな
る。好ましくは9〜25μの厚さである。また、該
フイルムの酸素透過性が小さいと、形成されるサ
ンドブラスト用マスクパターン層の表面粘着性を
減少させる傾向を示すので、酸素透過量が30×
10-6g/24hr/m2/mm厚/cmHg(21℃)以上であ
るものが好ましい。この点からポリプロピレンフ
イルム、セルロースエステル系フイルム、ポリカ
ーボネートフイルム、ポリエチレンフイルム、ポ
リスチレンフイルムなどが適している。さらに取
扱い性を考慮するとポリプロピレンフイルムが最
も適している。 この保護フイルムの表面に設ける被膜は、該フ
イルムと剥離が容易であつて、未露光感光性樹脂
組成物の洗い出し液に可溶であることが必要であ
り、また、該フイルムとの剥離抵抗値は10g/cm
以下であることが好ましい。したがつて、この被
膜には、例えばヒドロキシル基含有セルロースエ
ーテル又はエステル、カルボキシル基含有セルロ
ースエーテル又はエステルなどのセルロース誘導
体、部分ケン化ポリ酢酸ビニルなどが使用可能で
ある。ヒドロキシル基含有セルロース誘導体とし
ては、例えばヒドロキシエチルセルロース、ヒド
ロキシプロピルセルロース、セルロースヒドロキ
シ酢酸エステルなどが、カルボキシル基含有セル
ロースエーテルとしては、例えばカルボキシメチ
ルセルロース、カルボキシエチルセルロースなど
が挙げられる。また、カルボキシル基含有セルロ
ースエステルとしては、セルロースと、ジ又はト
リカルボン酸などのポリカルボン酸、例えばコハ
ク酸、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、イソ
フタル酸、テレフタル酸、トリメリツト酸などと
の、あるいはこれらの一部を酢酸、プロピオン
酸、酪酸、安息香酸などのモノカルボン酸で置き
換えたものとのエステル化反応物が挙げられる。
また、これらのカルボン酸は塩の状態になつてい
てもよい。 前記以外のものでも洗い出し液に可溶で被膜性
を有するものであれば使用可能である。 また、これらの被膜材の酸素透過性が小さいと
露光過程で表面の硬化がよく進み、形成されるサ
ンドブラスト用マスクパターン層の粘着性が低下
するので好ましくなく、この点から酸素透過性の
高いセルロース誘導体が好ましい。このセルロー
ス誘導体の中でも、吸湿性が小さく、弱アルカリ
水溶液や界面活性剤水溶液に可溶なカルボキシル
基含有セルロース誘導体が好ましく、さらに好ま
しくはセルロースとポリカルボン酸及びモノカル
ボン酸とのエステルであり、特に入手の容易さか
らセルロースアセテートフタレートが最適であ
る。 この被膜の厚さは、通常0.1〜10μの範囲であ
る。これより厚いと画像の再現性が低下し、これ
より薄いと製造上厚みコントロールが難しく、ま
たピンホールなどが発生しやすくなる。好ましい
被膜の厚さは0.2〜5μの範囲である。 次に、前記の保護フイルムの被膜の上に感光性
樹脂組成物層を設け、さらにその上に、保持層を
設けた支持体を、該保持層が感光性樹脂組成物層
に接するようにラミネートする。次いで透明画像
担体を通して活性光線で画像露光を行つたのち、
透明画像担体を外し、さらに保護フイルムを剥離
して、未露光部を洗い出し、乾燥することによ
り、本発明の転写材が得られる。 この際、保護フイルムの被膜上に設ける感光性
樹脂組成物層の厚さは、通常0.05〜3mmの範囲で
ある。これより薄いと十分なサンドブラスト耐性
が得られず、またこれより厚いと解像力が悪くな
つて好ましくない。 また、画像露光に用いる活性光線の光源として
は、例えばアーク灯、水銀灯、キセノン灯、けい
光灯、紫外線発生装置、太陽光などが挙げられ
る。活性光源の波長としては200〜800mμ、好ま
しくは300〜500mμの範囲である。 さらに、未露光部の洗い出し液としては、例え
ば水、又は水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、
酸性炭酸ナトリウム、ホウ酸ナトリウム、リン酸
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、トリエタノール
アミンなどのアルカリ水溶液、あるいはセツケ
ン、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルス
ルホネート、アルキルアミンクロリド、ポリオキ
シアルキレングリコール、ポリオキシアルキレン
グリコールアルキルエーテル、ポリオキシアルキ
レングリコールアルキルエステル、ソルビタン脂
肪酸エステル、ポリオキシアルキレングリコール
ソルビタン脂肪酸エステルなどの界面活性剤水溶
液が挙げられる。また、乾燥は温風又は熱風の吹
きつけや、室温での放置などによつて行われる。 本発明のサンドブラスト用マスク転写材は、接
着剤を用いずに被加工基材に貼り付けることがで
き、その上サンドブラスト用マスクパターン層の
脱離を起さずに支持体を剥離することができ、繊
細な図柄でも極めて正確に被加工基材にサンドブ
ラスト加工ができる。 次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明はこれらの例によつて何ら限定さ
れるものではない。 実施例 1 セルロースアセテートフタレートをメチルエチ
ルケトン/酢酸セロソルブ混合溶媒(重量比6/
1)に溶解させ、これを厚さ22μのポリプロピレ
ンフイルム上にバーコーターを用いてコーテイン
グすることにより、2μ厚さのセルロースアセテ
ートフタレート膜を有するポリプロピレンフイル
ムを得た。これをフイルムAとする。 また、エチルセルロースをメチルエチルケトン
に溶解させ、これを厚さ75μのポリエステルフイ
ルム上にバーコーターを用いてコーテイングし、
8μ厚のエチルセルロース層を有するポリエステ
ルフイルムを得た。これをフイルムBとする。 さらに、ポリプロピレングリコールアジペート
ジオール(数平均分子量2500)39重量部、ポリプ
ロピレングリコール(両末端にエチレンオキシド
合計10重量%付加させたもので、数平均分子量
2500)39重量部及びトルイレンジイソシアネート
6重量部を反応させて、両末端にイソシアネート
基を有するポリウレタンを得た。これに、15重量
部の2−ヒドロキシプロピルメタクリレートを反
応させて、両末端にメタクリレート基を有する不
飽和ポリウレタンを得た。この不飽和ポリウレタ
ンに、ポリプロピレングリコールモノメタクリレ
ート(数平均分子量550)20重量部、ジエチレン
グリコールジメタクリレート3重量部、2,2−
ジメトキシフエニルアセトフエノン1.5重量部、
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール0.1重
量部を添加混合して液状感光性樹脂組成物を得
た。 次に、厚さ10mmのガラス板上にポジフイルムを
置き、その上を前記フイルムAでセルロースアセ
テートフタレート膜がむき出しになるようにして
覆つた。さらに厚さ0.3mmのテフロン製スペーサ
ーを置き、前記のようにして調製した液状感光性
樹脂組成物を注いだ。次いで前記フイルムBをエ
チルセルロース膜が感光性樹脂組成物層と接する
ようにしてラミネートし、その上に10mm厚のガラ
ス板を置いて四端をクリツプで固定することによ
り厚みを制御した。 このようにして得た構成体を2KWの高圧水銀
灯から50cmの位置に置き、ポジフイルムを通して
80秒間露光した。次いでガラス板を外し、ポジフ
イルムに接していたフイルムAを剥離した。この
際の剥離抵抗はほとんどなく、小さな硬化樹脂部
分も脱離することはなかつた。次に2重量%の界
面活性剤(ライオン(株)製、ライポンF)水溶液を
0.8Kg/cm2の圧力で150秒間吹きつけることによ
り、未露光感光性樹脂組成物を洗い出した。この
ときも硬化樹脂が脱離することはなかつた。次い
で60℃で10分間乾燥することにより、サンドブラ
スト用マスク転写材を得た。このものを20℃に冷
却後、幅13mm、直径30mmのアルミニウム円柱の曲
面に両面接着テープで貼着し、ガラス板表面に
500g/cm2の力で4秒間押しつけたのち、30mm/
minのスピードで引き剥がし剥離抵抗値を測定し
たところ、600g/cmであつた。 次に、この転写材を厚さ7mmのガラス板に貼着
し、フイルムBを剥ぎ取つた。このとき剥離抵抗
はほとんどなかつた。次いでサイホン式サンドブ
ラスターを用い、研磨材としてアランダム#180
を3.5Kg/cm2の空気圧で全面に30秒間吹きつけて
彫刻を行つたところ、マスクがガラスより剥離す
ることがなく、目的とするパターンを彫刻するこ
とができた。 実施例 2 末端水酸基型水添化1,2−ポリブタジエン
(数平均分子量3000)86重量部、トルイレンジイ
ソシアネート6重量部とを反応させて、末端にイ
ソシアネート基を有するポリウレタンを得た。こ
れに15重量部の2−ヒドロキシプロピルメタクリ
レートを反応させて、末端にメタクリレート基を
有する不飽和ポリウレタンを得た。 この不飽和ポリウレタンにラウリルメタクリレ
ート20重量部、トリメチロールプロパントリメタ
クリレート2重量部、ジエチレングリコールジメ
タクリレート3重量部、2,2−ジメトキシフエ
ニルアセトフエノン1.5重量部、2,6−ジ−t
−ブチル−p−クレゾール0.1重量部を添加混合
し、液状感光性樹脂組成物を得た。 この感光性樹脂組成物を用い、実施例1と同様
にしてサンドブラスト用マスク転写材を得た。こ
のもののガラス板表面からの剥離抵抗値を実施例
1と同様にして測定したところ、650g/cmであ
つた。 この転写材をかこう岩表面に貼着したのち、フ
イルムBを剥ぎ取り、次いで直圧式サンドブラス
ターを用い、研磨材としてカーボランダム#200
を4Kg/cm2の空気圧で全面に50秒間吹きつけを行
つたところ、マスクが石材より剥離することな
く、目的のパターンを彫刻することができた。 比較例 無水マレイン酸2モル、イソフタル酸1モル、
トリエチレングリコール3モルを脱水縮合反応さ
せて、酸価23の不飽和ポリエステルを得た。この
不飽和ポリエステル70重量部、2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート30重量部、ベンゾインイソブ
チルエーテル1重量部、2,6−ジ−t−ブチル
−p−クレゾール0.1重量部を混合溶解して液状
感光性樹脂組成物を得た。 この感光性樹脂組成物を用いて、現像液を1重
量%ホウ酸ナトリウム水溶液とする以外は、実施
例1と同様にしてサンドブラスト用マスク転写材
を作成した。これについて実施例1と同様にして
ガラス板からの剥離強度を測定したところ、100
g/cmと小さい値であつた。 これを用いて実施例1と同様にしてガラス板の
サンドブラスト加工を試みたが、途中でマスクが
ガラス板から剥離し、彫刻することはできなかつ
た。 参考例 実施例1及び2、比較例の感光性樹脂組成物
を、厚さ2mmのスペーサーを用いて片側を9μの
ポリエステルフイルムで覆つた2枚のガラス板の
間に樹脂とポリエステルフイルムが接するように
して成形し、20Wの紫外線けい光灯10本を並べた
光源の下方10cmの位置におき、片側から10分間露
光し、次いで成型体を反転させて最初とは反対の
側から10分間露光することにより、感光性樹脂硬
化シートを得た。このシートをJIS1号のダンベル
で打ち抜き、500mm/minのスピードで引張を行
い100%伸張時のモジユラスと破断伸度を測定し
た。 次に実施例1及び2、比較例で作成した各サン
ドブラスト用マスクの一点にアランダム#180を
5Kg/cm2の空気圧で吹きつけて破壊されるまでの
時間を測定した。 以上の結果を次表に示す。
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (A)(イ)一般式 B(XA)oXB′ 〔式中のXはウレタン残基、Aはポリエーテル、
    ポリエステル、ポリエーテルポリエステルブロツ
    クコポリマー、ポリジエン、ポリエン又はこれら
    の混合物、Bは一般式【式】(た だし、Zは水素原子又はメチル基、Yは(−CH2)−
    n1O−、【式】又は(−CH2CH2O)−n 3 、m1は1〜6、m2及びm3はそれぞれ1〜15で
    ある)で示される化合物、B′は一般式
    【式】(ただし、Z、Yは前記と 同じ意味をもつ)、RO又はROY(ただしRは炭素
    数1〜8のアルキル基、Yは前記と同じ意味をも
    つ)で示される化合物、nは1〜10である〕 で表わされる不飽和ポリウレタン50〜98重量部、
    (ロ)エチレン性不飽和化合物2〜50重量部、及び(ハ)
    (イ)成分と(ロ)成分との和に対して0.05〜10重量%の
    光重合開始剤を主成分として含有して成る感光性
    樹脂組成物から得られ、かつ20℃における被加工
    基材に対する剥離抵抗値300g/cm2以上、破断伸
    度100%以上、100%モジユラス500Kg/cm2以下を
    有する硬化物から成るサンドブラスト用マスクパ
    ターン層、(B)該マスクパターン層を保持するため
    の支持体、及び(C)前記のマスクパターン層と支持
    体との間に位置し、該マスクパターン層とはよく
    接着するが、該支持体とは剥離可能であり、かつ
    サンドブラストにより破壊される性質を有する保
    持層から成るサンドブラスト用マスク転写材。
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