JP3149548B2 - 変形光源露光用ポジ型レジスト - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特定の１，２−ナフト
キノンジアジド化合物からなる感光成分を含有する変形
光源露光用ポジ型レジストに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ポジ型レジストは、高解像度のレ
ジストパターンが得られるため、集積回路の製造に広く
使用されているが、近年における集積回路の高集積化の
進行に伴って、より解像度の高いレジストパターンを形
成することができるレジストが望まれている。このよう
な要請に応じて、近年、従来のｉ線（波長３６５ｎｍ）
を用いるリソグラフィーをサブハーフミクロンオーダー
以下のレジストパターンの形成に適用するため、種々の
光学的構成面での工夫が試みられている。その１つとし
て位相シフト法があり、それにより解像度が向上するこ
とは良く知られている。しかしながら、位相シフト法
は、適当な位相シフト用マスクを製造することがやや
困難である、マスク中の欠陥を検出し、修正する簡便
な方法がない、従来知られているポジ型レジストが適
用可能なパターンが限られる等の問題点があった。一
方、最近、位相シフト法における前記問題点を解決する
方法として、「変形光源露光法」が注目されている。変
形光源露光法とは、第５２回応用物理学会学術講演会予
稿集（第２分冊）６００〜６０３頁（１９９１）に報告
されているように、光源から照射された光のうち、結像
に寄与する０次あるいは±１次の光の一部をカットする
ことにより、結像性能を向上させる方法である。この変
形光源露光法については別途説明するが（「レジストパ
ターンの形成」、「露光装置」の項参照）、その代表的
な例には、垂直入射光をカットし斜め方向からの光のみ
で露光することにより、解像限界レベルでのコントラス
トを改善する方法がある。変形光源露光法を従来のポジ
型レジストに適用した場合、解像度、フォーカス許容性
等を向上させることができることが明らかとなってい
る。しかしながら、この方法では、光源から照射された
光の一部をカットするため、光源の照度を上げない限
り、単位時間当たりにレジスト膜に到達する光量が減少
することが避けられなかった。これは、結果的に光源の
照度が低下したことと同じことになり、レジストがパタ
ーンを解像するのに要する時間が通常の露光法に比べて
長くなって、感度が低下するという問題があった。この
ような感度の低下は、ひいては、例えば集積回路の生産
性の低下を招くことになり、その解決が強く望まれてい
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、ｉ線を用いる変形光源露光法により、変形光源露光
法本来の解像度、フォーカス許容性等の結像性能を実質
的に損なうことなく、高感度でレジストパターンを形成
することができるポジ型レジストを提供することにあ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、アルカ
リ可溶性ノボラック樹脂および感光成分として１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルを含有
することを特徴とする変形光源露光用ポジ型レジストを
要旨とするものである。本発明において使用される１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル
は、ｉ線の照射により、下記の反応式に示すように、レ
ジストの露光部において、カルボン酸基だけではなくス
ルホン酸基も生じるため、大量の光を照射しなくても、
樹脂成分のアルカリ性水溶液に対する溶解速度を十分促
進することができ、高感度を達成することができるもの
である。

【化１】 したがって、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステルを感光成分として使用することにより、
高感度にパターンを形成することは可能であるが、レジ
ストの感度と解像度との間には、一般に感度が上がると
解像度が下がるというトレード・オフの関係にあるた
め、通常の露光法では、十分な解像度を得ようとすると
高い感度を達成することができなかった。しかしなが
ら、本発明により、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステルをポジ型レジストの感光成分とし
て変形光源露光法に適用した場合には、通常の露光法に
見られる前記トレード・オフ現象は発現されず、サブハ
ーフミクロンオーダー以下の微細パターンを高感度に得
ることができることが明らかとなったのである。

【０００５】以下、本発明を詳細に説明するが、これに
より、本発明の目的、構成および効果が明確となるであ
ろう。アルカリ可溶性ノボラック樹脂 まず、本発明において使用されるアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という。）は、フェノ
ール類とアルデヒド類とを重縮合することにより得られ
る。

【０００６】前記フェノール類としては、例えばフェノ
ール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、
２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４
−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−
トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノ
ール等を挙げることができ、これらのフェノール類は、
単独でまたは２種以上を組み合わせて使用される。前記
フェノール類うち、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、
２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４
−キシレノール、３，５−キシレノールおよび２，３，
５−トリメチルフェノールが好ましい。

【０００７】樹脂（Ａ）において、フェノール類の組み
合わせおよび各フェノールの共縮合モル比としては、下
記のものが好ましい。ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾー
ル：９５〜３５／５〜６５（好ましくは８０〜４０／２
０〜６０）、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール：
９５〜１０／５〜９０（好ましくは８０〜２０／２０〜
８０）、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／３，
４−キシレノール：９０〜１０／５〜８５／５〜６０
（好ましくは８０〜２０／１０〜７０／１０〜５０）、
ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／２，３，５−
トリメチルフェノール：９０〜１０／５〜８５／５〜６
０（好ましくは８０〜２０／１０〜７０／１０〜５
０）、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／２，３−キシ
レノール：９０〜１０／５〜６０／５〜８５（好ましく
は７０〜２０／１０〜５０／１０〜７０）、ｍ−クレゾ
ール／２，５−キシレノール／３，５−キシレノール：
９０〜１０／５〜７０／５〜７０（好ましくは８０〜２
０／１０〜６０／１０〜６０）、ｍ−クレゾール／２，
５−キシレノール／２，３，５−トリメチルフェノー
ル：９０〜１０／５〜７０／５〜６０（好ましくは８０
〜２０／１０〜６０／１０〜５０）、ｍ−クレゾール／
３，４−キシレノール：９５〜５０／５〜５０（好まし
くは９０〜５５／１０〜４５）、ｍ−クレゾール／３，
４−キシレノール／２，３，５−トリメチルフェノー
ル：９０〜２０／５〜５０／５〜６０（好ましくは８０
〜３０／１０〜４０／１０〜５０）、ｍ−クレゾール／
３，５−キシレノール：９５〜３０／５〜７０（好まし
くは９０〜４０／１０〜６０）、ｍ−クレゾール／ｐ−
クレゾール／３，５−キシレノール：９０〜１５／５〜
６０／５〜７０（好ましくは８０〜３０／１０〜４５／
１０〜６０）、ｍ−クレゾール／３，５−キシレノール
／２，３，５−トリメチルフェノール：９０〜１５／５
〜６０／５〜６０（好ましくは８０〜２０／１０〜５０
／１０〜５０）、ｍ−クレゾール／２，３，５−トリメ
チルフェノール：９５〜４０／５〜６０（好ましくは９
０〜５０／１０〜５０）、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾ
ール／２，３，５−トリメチルフェノール：９０〜１０
／５〜６０／５〜６０（好ましくは８０〜２０／１０〜
５０／１０〜５０）。

【０００８】また、前記以外に、フェノール類の好まし
い組み合わせとして、ｏ−クレゾール／ｍ−クレゾール
／ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／
３，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／ｏ−クレゾー
ル／３，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，５−
キシレノール／３，４−キシレノール、ｍ−クレゾール
／ｏ−クレゾール／３，５−キシレノール、ｍ−クレゾ
ール／２，３−キシレノール／３，５−キシレノール、
ｍ−クレゾール／ｏ−クレゾール／２，３，５−トリメ
チルフェノール等を挙げることができる。

【０００９】また、前記フェノール類と重縮合させるア
ルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、アセト
アルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、
フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアル
デヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベン
ズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロ
ロベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ
−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒ
ド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズア
ルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベ
ンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フ
ルフラール等を挙げることができ、これらのアルデヒド
類は、単独でまたは２種以上を組み合わせて使用され
る。アルデヒド類のうち、特にホルムアルデヒドが好ま
しい。

【００１０】アルデヒドとしてホルムアルデヒドを使用
する場合のホルムアルデヒド発生源としては、例えばホ
ルマリン、トリオキサン、パラホルムアルデヒドのほ
か、メチルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プ
ロピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニ
ルヘミホルマール等のヘミホルマール類を挙げることが
できる。これらのうち、ホルマリンおよびブチルヘミホ
ルマールが特に好ましい。

【００１１】前記アルデヒド類の使用量は、フェノール
類１モルに対して、０．７〜３モルが好ましく、さらに
好ましくは０．８〜１．５モルである。

【００１２】前記フェノール類とアルデヒド類との重縮
合には、酸性触媒が使用される。この酸性触媒として
は、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸等
を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量は、
フェノール類１モルに対して、通常１×１０^-5〜５×１
０^-1モルである。

【００１３】フェノール類とアルデヒド類との重縮合に
際しては、通常、水が反応媒質として使用されるが、用
いられるフェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せ
ず、反応初期から不均一系となる場合は、親水性溶媒を
反応媒質として使用することもできる。この親水性溶媒
としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等のアルコール類、およびテトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。
これらの反応媒質の使用量は、反応原料１００重量部当
たり、通常２０〜１，０００重量部である。

【００１４】フェノール類とアルデヒド類との重縮合温
度は、反応原料の反応性等に応じて適宜調節されるが、
通常１０〜２００°Ｃ、好ましくは７０〜１５０°Ｃで
ある。

【００１５】フェノール類とアルデヒド類との重縮合方
法としては、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等
を一括して仕込む方法、酸性触媒の存在下でフェノール
類、アルデヒド類、場合により追加される酸性触媒等を
反応中徐々に添加する方法等を採用することができる。

【００１６】重縮合終了後、反応系内に存在する未反応
原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するために、一般
に、反応系を１３０〜２３０°Ｃに昇温させ、減圧下、
例えば２０〜５０ｍｍＨｇ程度の圧力下、で揮発分を留
去して、生成した樹脂（Ａ）を回収する。

【００１７】本発明において使用する樹脂（Ａ）のポリ
スチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」とい
う。）は、通常３，０００〜２０，０００であり、特に
４，０００〜１５，０００の範囲内にあることが好まし
い。樹脂（Ａ）のＭｗが２０，０００を超えると、ポジ
型レジストを基板上に均一に塗布することが困難となる
場合があり、また現像性および感度が低下する傾向が見
られる。一方、Ｍｗが３，０００未満では、耐熱性が低
下する傾向を示す。高分子量の樹脂（Ａ）が望ましい場
合は、前記重縮合によって得られた樹脂（Ａ）を、エチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジオキ
サン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したの
ち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の貧溶媒を混合
し、次いで樹脂溶液層を分離して、分画された高分子量
の樹脂（Ａ）を回収すればよい。

【００１８】また本発明においては、樹脂（Ａ）を、溶
解促進剤としての低分子量のフェノール化合物（以下、
「化合物（Ｂ）」という。）と組み合わせて使用するこ
ともでき、それにより、樹脂（Ａ）のアルカリ溶解性を
改善することができる。この化合物（Ｂ）としては、特
に限定されないが、ベンゼン環数が２〜６程度のものが
好ましい。化合物（Ｂ）の使用量は、樹脂（Ａ）１００
重量部当たり、通常７０重量部以下であり、好ましくは
１０〜５０重量部である。

【００１９】化合物（Ｂ）としては、例えば下記式
（１）〜（８）で表される化合物を挙げることができ
る。 〔式（１）〜（８）において、ａ、ｂおよびｃは、それ
ぞれ０〜３の整数であり（但し、いずれも０の場合を除
く）、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ０〜３の整数であ
る。〕

【００２０】感光成分 本発明における感光成分である１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステルとしては、例えば下記
式（９）で表される化合物（以下、「化合物（Ｃ）」と
いう。）を挙げることができる。

【化１０】 〔式（９）において、R はアルコール類またはフェノー
ル類の残基、ｎは１以上、好ましくは１〜８の整数であ
る。〕

【００２１】化合物（Ｃ）は、１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルクロリドとアルコール類および
／またはフェノール類、好ましくはフェノール類、とを
塩基性触媒の存在下で反応させることにより得られる。

【００２２】化合物（Ｃ）としては、例えばｐ−クレゾ
ール、レゾルシノール、ピロガロール、フロログルシノ
ール等の（ポリ）ヒドロキシベンゼンの１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル；２，４−ジ
ヒドロキシフェニルプロピルケトン、２，４−ジヒドロ
キシフェニル−ｎ−ヘキシルケトン、２，４−ジヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシフェ
ニル−ｎ−ヘキシルケトン、２，３，４−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２，２′，３，４−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、３′−メトキシ−２，３，４，４′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テト
ラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４，６−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３′，４，
４′，５′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，３′，４，４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフ
ェノン等の（ポリ）ヒドロキシフェニルアルキルケトン
または（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケトンの
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル；ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス
（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン
等のビス〔（ポリ）ヒドロキシフェニル〕アルカンの
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル；４，４′−ジヒドロキシトリフェニルメタン、４，
４′，４″−トリヒドロキシトリフェニルメタン、２，
２′，５，５′−テトラメチル−２″，４，４′−トリ
ヒドロキシトリフェニルメタン、３，３′，５，５′−
テトラメチル−２″，４，４′−トリヒドロキシトリフ
ェニルメタン、４，４′，５，５′−テトラメチル−
２，２′，２″−トリヒドロキシトリフェニルメタン、
２，２′，５，５′−テトラメチル−４，４′，４″−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、１，１，１−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−〔４−
｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチ
ル｝フェニル〕エタン等の（ポリ）ヒドロキシトリフェ
ニルアルカンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル；３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウ
リル、３，５−ジヒドロキシ安息香酸フェニル、３，
４，５−トリヒドロキシ安息香酸ラウリル、３，４，５
−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、３，４，５−トリ
ヒドロキシ安息香酸フェニル等の（ポリ）ヒドロキシ安
息香酸アルキルエステルまたは（ポリ）ヒドロキシ安息
香酸アリールエステルの１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル；ビス（２，５−ジヒドロキ
シベンゾイル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾイル）メタン、ビス（２，４，６−トリヒド
ロキシベンゾイル）メタン、ｐ−ビス（２，５−ジヒド
ロキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，３，４−
トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，
４，６−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス
〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕アルカンまたはビス
〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕ベンゼンの１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル；エチ
レングリコール−ジ（３，５−ジヒドロキシベンゾエー
ト）、ポリエチレングリコール−ジ（３，５−ジヒドロ
キシベンゾエート）、ポリエチレングリコール−ジ
（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート）等の（ポ
リ）エチレングリコール−ジ〔（ポリ）ヒドロキシベン
ゾエート〕の１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル；２，４，４−トリメチル−２′，
４′，７−トリヒドロキシ−２−フェニルフラバン、
２，４，４′−トリメチル−２′，４′，５′，６，７
−ペンタヒドロキシ−２−フェニルフラバン等の（ポ
リ）ヒドロキシフェニルフラバンの１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル；フェノール・ノ
ボラック樹脂、フェノール／ｏ−クレゾール・ノボラッ
ク樹脂、フェノール／ｍ−クレゾール・ノボラック樹
脂、フェノール／ｐ−クレゾール・ノボラック樹脂、フ
ェノール／ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール・ノボラッ
ク樹脂、ｏ−クレゾール・ノボラック樹脂、ｍ−クレゾ
ール・ノボラック樹脂、ｐ−クレゾール・ノボラック樹
脂、ｏ−クレゾール／ｍ−クレゾール・ノボラック樹
脂、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール・ノボラック樹
脂、ｏ−クレゾール／ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール
・ノボラック樹脂、ポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂等
のフェノール性水酸基含有樹脂の１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル等を挙げることがで
きる。また、本出願人の特開平１−１４４４６３号公報
および特開平１−１５６７３８号公報に記載されている
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ルを用いることもできる。

【００２３】本発明のポジ型レジストにおける感光成分
は、前記式（９）で表される単一の化合物のみを意味す
るものではなく、該式で表される２以上の化合物の混合
物であることもできる。例えば、アルコールあるいはフ
ェノールが多価化合物である場合、これらと１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホニルクロリドとの反応
生成物は、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ン酸エステル基の数が異なる２種以上の化合物の混合物
として得られる場合がある。このような混合物も、本発
明における感光成分に包含される。

【００２４】前記化合物（Ｃ）のうち、特に好ましい化
合物は、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、３′−メトキシ−２，３，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、２，２′，５，５′−テ
トラメチル−２″，４，４′−トリヒドロキシトリフェ
ニルメタンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタンの１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１−フェニルエタンの１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−１−〔４−｛１−（４−
ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニル〕
エタンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、２，４，４−トリメチル−２′，４′，７
−トリヒドロキシ−２−フェニルフラバンの１，２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、あるい
はｏ−クレゾール・ノボラック樹脂、ｍ−クレゾール・
ノボラック樹脂、ｐ−クレゾール・ノボラック樹脂、ｏ
−クレゾール／ｍ−クレゾール・ノボラック樹脂、ｍ−
クレゾール／ｐ−クレゾール・ノボラック樹脂、ｏ−ク
レゾール／ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール・ノボラッ
ク樹脂、ポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂等に存在する
フェノール性水酸基の水素原子の２０〜１００モル％を
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基で置
換した１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル（平均エステル化率＝２０〜１００％）であ
る。

【００２５】本発明のポジ型レジストにおける化合物
（Ｃ）の配合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、
通常３〜１００重量部、好ましくは５〜５０重量部であ
る。この場合、ポジ型レジスト中における１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホニル基の合計量は、通常
５〜２５重量％、好ましくは１０〜２０重量％となるよ
うに調節される。

【００２６】添加剤 本発明のポジ型レジストには、必要に応じて、増感剤、
界面活性剤等の各種添加剤を配合することができる。前
記増感剤は、ポジ型レジストの感度を向上させるもので
あり、その例としては、２Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）
−１，４−オキサジン−３（４Ｈ）−オン類、１０Ｈ−
ピリド−（３，２−ｂ）−１，４−ベンゾチアジン類、
ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸類、グ
リシン無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール
類、アロキサン類、マレイミド類等を挙げることができ
る。これらの増感剤の配合量は、樹脂（Ａ）１００重量
部に対して、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量
部以下である。

【００２７】また前記界面活性剤は、ポジ型レジストの
塗布性、現像性等を改良する作用を有し、その例として
は、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチ
ルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポ
リエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界
面活性剤、オルガノポリシロキサンポリマーであるＫＰ
３４１（商品名、信越化学工業製）、アクリル酸系また
はメタクリル酸系の重合体であるポリフローＮｏ．７
５、Ｎｏ．９５（商品名、共栄社油脂化学工業製）のほ
か、フッ素系界面活性剤として、エフトップＥＦ３０
１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（商品名、新秋田化成
製）、メガファックスＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３
（商品名、大日本インキ製）、フロラードＦＣ４３０、
ＦＣ４３１（商品名、住友スリーエム製）、アサヒガー
ドＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、
ＳＣ−１０２、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１
０５、ＳＣ−１０６（商品名、旭硝子製）等が挙げられ
る。これらの界面活性剤の配合量は、ポジ型レジストの
固形分１００重量部に対して、通常２重量部以下であ
る。

【００２８】さらに、本発明のポジ型レジストには、染
顔料や接着助剤を配合することができる。前者は、露光
部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響
を抑えることができ、また後者は、基板に対する接着性
を改善することができる。また必要に応じて、保存安定
剤、消泡剤等を配合することもできる。

【００２９】ポジ型レジスト溶液の調製 本発明のポジ型レジストを使用してレジストパターンを
形成する際には、樹脂（Ａ）、化合物（Ｂ）、化合物
（Ｃ）、および必要に応じて配合される前記各種添加剤
を、例えば固形分濃度が２０〜４０重量％となるように
溶剤に溶解し、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルター
で濾過することにより、溶液として調製される。したが
って、本発明のポジ型レジストは、１つの態様において
は、樹脂（Ａ）、化合物（Ｂ）、化合物（Ｃ）、およ
び必要に応じて配合される前記各種添加剤からなる組成
物を意味し、また他の態様においては、前記の組成
物を溶剤に溶解した溶液を意味するものであることは、
理解されなければならない。

【００３０】この溶液の調製に用いられる溶剤として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケト
ン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノ
ン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エ
チル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−
ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシプロ
ピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３
−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオ
ン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル等を挙げることができる。これら
の溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用され
る。

【００３１】また、前記溶剤は、Ｎ−メチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルム
アニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテ
ル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カ
プリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジ
ルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ
酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクト
ン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコー
ルモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤と併
用することもできる。

【００３２】レジストパターンの形成 溶液として調製された本発明のポジ型レジストは、回転
塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布方法により、例え
ばシリコンウエハー、アルミニウム等で被覆されたウエ
ハー等の基板上に塗布されてレジスト膜を形成し、所定
のマスクパターンを介してｉ線を照射したのち、現像液
で現像することによって、レジストパターンを形成す
る。

【００３３】さて、本発明のポジ型レジストは、変形光
源露光法を使用するレジストパターンの形成に適用され
るものである。本発明における変形光源露光法とは、
『露光装置における光源、フィルターまたは絞りの形
状、フィルターまたは絞りの大きさ、フィルターまたは
絞りの光透過率等を制御することにより、光軸に対して
斜めから入射する光（以下、「斜入射光」という。）の
みをレジスト膜に対する照射光として使用する露光
法。』と定義される。したがって、「斜入射光照射
法」、「輪帯照明法」等と呼ばれている露光法も、この
変形光源露光法の範疇に属するものである。このような
変形光源露光法により、０次光等の光軸に平行な光がカ
ットされることになる。

【００３４】斜入射光を得る方法としては種々のものが
提案されており、例えば図１の（イ）あるいは（ロ）に
示すようなフィルターを使用する方法等が挙げられる
が、露光装置の光学系における光をカットする位置は特
に限定されず、光源からレチクルまでの間の、光源ある
いはレチクルを含めたどの位置で光をカットしてもよ
い。また、斜入射光を得るために光をカットするマスク
を使用する場合は、その形状についても、光軸部におい
てドット型、十字型等、様々のものが提案されており、
特に限定されるものではない。

【００３５】変形光源露光法を利用することにより、ポ
ジ型レジストの解像度、フォーカス許容性等が、通常の
露光法に比べて顕著に改善されるが、その原理について
は、第５２回応用物理学会学術講演会予稿集（第２分
冊）６００〜６０３頁（１９９１）に説明されている。
即ち、通常の露光法では、フィルターおよび絞りの光透
過部が光軸上にあるため、光軸に平行な光と斜入射光と
がレジスト膜上に結像することとなり、隣接する光束間
の角度が小さかった。これに対して、変形光源露光法で
は、光軸に平行な光を全量カットするか弱めることによ
り、結像に寄与する光は斜入射光が主体となっているた
め、各光束間の角度を実質上大きくすることができる。
一般に、レジスト膜上での隣接光束間の角度が大きいほ
ど、光の干渉縞のピッチが小さくなり、解像度を高くす
ることができるので、変形光源露光法の解像度が通常の
露光法より高くなるのである。一方、フォーカス許容性
については、通常の露光法では、レジスト膜が焦点位置
からずれると、光軸に平行な光と斜入射光との光路差が
大きくなるが、変形光源露光法では、各光束間の光路差
を小さくすることが可能であるため、焦点深度が向上し
て、フォーカス許容性が改善されることになる。

【００３６】本発明のポジ型レジストを使用してパター
ンを形成する際には、ポジ型レジストを溶液として基板
上に塗布後、予備焼成および変形光源による露光を行な
ったのち、７０〜１４０°Ｃで加熱処理する操作を行
い、その後、現像液を用いて現像することによって、本
発明の効果をさらに向上させることができる。

【００３７】本発明のポジ型レジストに対する現像液と
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、
アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルア
ミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビ
シクロ−［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジ
アザビシクロ−［４，３，０］−５−ノネン等のアルカ
リ性化合物を、濃度が、通常１〜１０重量％、好ましく
は２〜５重量％となるように溶解したアルカリ性水溶液
が使用される。また、前記現像液には、水溶性有機溶
剤、例えばメタノール、エタノール等のアルコールや界
面活性剤を適量添加することもできる。なお、このよう
なアルカリ性水溶液からなる現像液により現像した場合
は、一般に、現像後、水で洗浄して、乾燥する。

【００３８】

【実施例】以下、実施例および比較例により本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。 〔樹脂（Ａ）の合成〕合成例１ ｍ−クレゾール６０．６ｇ（０．５６モル）、２，３，
５−トリメチルフェノール１９．１ｇ（０．１４モ
ル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液４９．５ｇ
（ホルムアルデヒド：０．６１モル）、シュウ酸２水和
物４．４１ｇ（０．０３５モル）、水５８．５ｇ、およ
びジオキサン２６９ｇをオートクレーブに仕込み、次い
でオートクレーブを油浴中に浸して、反応溶液の温度を
１４０°Ｃに保持しつつ攪拌下で、６時間重縮合を行っ
た。反応後、室温まで冷却して、内容物をビーカーに取
り出した。ビーカー内で２層に分離させたのち、下層
（樹脂溶液層）を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥し
て、樹脂（Ａ）を回収した。この樹脂を樹脂（Ａ１）と
する。

【００３９】合成例２ ｍ−クレゾール４５．４ｇ（０．４２モル）、２，３−
キシレノール２５．７ｇ（０．２１モル）、３，４−キ
シレノール８．５５ｇ（０．０７モル）、３７重量％ホ
ルムアルデヒド水溶液５５．７ｇ（ホルムアルデヒド：
０．６９モル）、シュウ酸２水和物４．４１ｇ（０．０
３５モル）、水５４．５２ｇ、およびジオキサン２６９
ｇをオートクレーブに仕込み、次いでオートクレーブを
油浴中に浸し、反応溶液の温度を１４０°Ｃに保持しつ
つ攪拌下で、１．５時間重縮合を行なった。その後、反
応溶液の温度を１３０°Ｃに下げて、さらに６．５時間
重縮合を行なった。反応後、合成例１と同様にして、樹
脂（Ａ）を回収した。この樹脂を樹脂（Ａ２）とする。

【００４０】合成例３ ｍ−クレゾール４５．４ｇ（０．４２モル）、２，３−
キシレノール２５．７ｇ（０．２１モル）、２，３，５
−トリメチルフェノール９．５４ｇ（０．０７モル）、
３７重量％ホルムアルデヒド水溶液５２．３ｇ（ホルム
アルデヒド：０．６４モル）、シュウ酸２水和物４．４
１ｇ（０．０３５モル）、水５７．８ｇ、およびジオキ
サン２７２ｇをオートクレーブに仕込み、次いでオート
クレーブを油浴中に浸し、反応溶液の温度を１１０°Ｃ
に保持しつつ攪拌下で、１．５時間重縮合を行なった。
その後、反応溶液の温度を１３０°Ｃに上げて、さらに
６．５時間重縮合を行なった。反応後、合成例１と同様
にして、樹脂（Ａ）を回収した。この樹脂を樹脂（Ａ
３）とする。

【００４１】合成例４ ｍ−クレゾール６０．６ｇ（０．５６モル）、２，３−
キシレノール８．５５ｇ（０．０７モル）、３，４−キ
シレノール８．５５ｇ（０．０７モル）、３７重量％ホ
ルムアルデヒド水溶液５１．１ｇ（ホルムアルデヒド：
０．６３モル）、シュウ酸２水和物４．４１ｇ（０．０
３５モル）、水５５．７ｇ、およびジオキサン２６２ｇ
をオートクレーブに仕込み、８時間重縮合を行なった。
その後、合成例１と同様にして、樹脂（Ａ）を回収し
た。この樹脂を樹脂（Ａ４）とする。

【００４２】合成例５ 攪拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコに、ｍ−
クレゾール６０．６ｇ（０．５６モル）、３，４−キシ
レノール７．３３ｇ（０．０６０モル）、３７重量％ホ
ルムアルデヒド水溶液７３．０ｇ（ホルムアルデヒド：
０．９０モル）、およびシュウ酸２水和物１．２６ｇ
（０．０１０モル）、を仕込み、次いでフラスコを油浴
中に浸し、反応溶液の温度を１００°Ｃに保持しつつ攪
拌下で、１時間重縮合を行なった。その後、ｍ−クレゾ
ール１５．１ｇ（０．１４モル）、および３，４−キシ
レノール２９．３ｇ（０．２４モル）を加えて、さらに
２時間重縮合を行なった。反応後、油浴の温度を１８０
°Ｃまで上げ、同時にフラスコ内を３０〜５０ｍｍＨｇ
に減圧して、揮発分を除去した。次いで、溶融した樹脂
（Ａ）を室温に冷却して回収した。この樹脂を樹脂（Ａ
５）とする。

【００４３】合成例６ 樹脂（Ａ５）を３−メトキシプロピオン酸メチルに固形
分が２０重量％となるように溶解し、この樹脂溶液の重
量に対して、０．９倍量のトルエンおよび０．５倍量の
ｎ−ヘキサンを加えて攪拌したのち、放置した。放置に
より２層に分離した下層（樹脂溶液層）を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥して、樹脂（Ａ）を回収した。この
樹脂を樹脂（Ａ６）とする。

【００４４】合成例７ 合成例５と同様のフラスコに、ｍ−クレゾール３２．４
ｇ（０．３０モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶
液７７．１ｇ（ホルムアルデヒド：０．９５モル）、お
よびシュウ酸２水和物１．２６ｇ（０．０１０モル）、
を仕込み、次いでフラスコを油浴中に浸し、反応溶液の
温度を１００°Ｃに保持しつつ攪拌下で、１５分間重縮
合を行なった。その後、ｐ−クレゾール４３．３ｇ
（０．４０モル）、およびｍ−クレゾール３２．４ｇ
（０．３０モル）を加えて、さらに８０分間重縮合を行
なった。反応後、合成例５と同様にして、樹脂（Ａ）を
回収した。この樹脂を樹脂（Ａ７）とする。

【００４５】合成例８ 樹脂（Ａ７）を３−メトキシプロピオン酸メチルに固形
分が３０重量％となるように溶解し、この樹脂溶液の重
量に対して、０．７倍量のトルエンおよび０．３５倍量
のｎ−ヘキサンを加えて攪拌したのち、放置した。その
後、合成例６と同様にして、樹脂（Ａ）を回収した。こ
の樹脂を樹脂（Ａ８）とする。

【００４６】実施例１〜６および比較例１〜２ 表１に示す組成（但し、部は重量部である。）の樹脂
（Ａ）、化合物（Ｂ）、化合物（Ｃ）および溶剤を混合
して、均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブレ
ンフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製した。各
樹脂（Ａ）のＭｗの測定法は、下記の通りである。Ｍ
ｗ：東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ_ｘＬ２
本、Ｇ３０００Ｈ_ｘＬ１本、Ｇ４０００Ｈ_ｘＬ１本）を
用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒ
ドロフラン、カラム温度４０゜Ｃの分析条件で、単分散
ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマ
トグラフ法により測定した。

【００４７】また、表１における化合物（Ｂ）、化合物
（Ｃ）および溶剤は、下記の通りである。化合物（Ｂ） （Ｂ１）：１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン （Ｂ２）：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
γ−フェニルエタン （Ｂ３）：１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン （Ｂ４）：ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）（２−ヒドロキシフェニル）メタン

【００４８】化合物（Ｃ） （Ｃ１）：１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン１モルと１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロリド２．５モルとの縮合物 （Ｃ２）：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−〔４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メ
チルエチル｝フェニル〕エタン１モルと１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホニルクロリド２．３モルと
の縮合物 （Ｃ３）：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−〔４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メ
チルエチル｝フェニル〕エタン１モルと１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホニルクロリド２．７モルと
の縮合物 （Ｃ４）：２，４，４−トリメチル−２′，４′，７−
トリヒドロキシ−２−フェニルフラバン１モルと１，２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド２．
５モルとの縮合物 （Ｃ５）：ｍ−クレゾール・ノボラック樹脂（Ｍｗ＝
２，３００）と１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホニルクロリドとの縮合物（平均エステル化率＝２５
％） （Ｃ６）：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−〔４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メ
チルエチル｝フェニル〕エタン１モルと１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホニルクロリド２．７モルと
の縮合物

【００４９】溶剤 （α） ：エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート （β） ：３−メトキシプロピオン酸メチル （γ） ：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル

【００５０】得られた各レジスト溶液を、シリコン酸化
膜を有するシリコンウエハー上にスピナーを用いて塗布
したのち、９０°Ｃ（但し、実施例５のみ１００°Ｃ）
のホットプレート上で２分間予備焼成して、厚さ１．２
μｍのレジスト膜を形成した。次いで、これらのレジス
ト膜に、下記露光装置を用いてレチクルを介して、波長
３６５ｎｍのｉ線により露光したのち、１１０°Ｃのホ
ットプレート上で１分間露光後焼成を行なった。その
後、現像、洗浄、乾燥してレジストパターンを得た。

【００５１】露光装置 露光装置として（株）ニコン製ＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ
縮小投影露光機（レンズ開口数：０．４５）を用いた。
この際、通常の露光法の場合はそのまま露光したが、変
形光源露光法の場合は、光路のアパーチャー中心部を、
図２に示す形状を有するｂ／ａ＝１／５の横長のマスク
（斜線部分）で遮蔽した。通常の露光法および変形光源
露光法について、マスクの長さ方向に分布する光の進行
状態を示すと、図３のようになる。図３において、１は
アパーチャー部、２はマスク、３はレチクル、４は投影
レンズ、５はウエハー、イ（鎖線）はアパーチャー中心
部を透過する光、ロ（実線）はマスクエッジ部を透過す
る光、ハ（実線）はアパーチャーエッジ部を透過する光
である。通常の露光法では、アパーチャー中心部を直進
する光イも結像に寄与するが、変形光源露光法では、こ
のアパーチャー中心部を直進する光イがカットされ、レ
チクルには斜め方向の光ロ、ハ等のみが入射される。

【００５２】前記レジストパターンに基づいて、各レジ
ストの諸特性を下記の方法により評価した。評価結果を
表２に示す。感度 前記露光装置を用いて、露光時間を変化させて露光を行
った。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
の２．４重量％水溶液を用いて、２５°Ｃで６０秒間現
像し、次いで水で洗浄後、乾燥して、基板上にレジスト
パターンを形成させた。この場合の０．５μｍのライン
・アンド・スペースパターン（以下、「１Ｌ１Ｓパター
ン」という。）を１：１の幅に形成する単位面積当たり
の露光量（以下、「最適露光量」という。）を求めた。
最適露光量が少ないほど、感度が優れていることを示
す。解像度 最適露光量で露光したときに解像される最小のレジスト
パターンの寸法を解像度とした。フォーカス許容性 走査型電子顕微鏡を用いて、０．５μｍの１Ｌ１Ｓパタ
ーンについて、良好なパターンが形成される場合のフォ
ーカスの振れ幅（以下、「フォーカスレンジ」とい
う。）を測定した。フォーカスレンジが大きいほど、フ
ォーカス許容性が優れていることを示す。残膜率 最適露光量で露光したレジストパターンについて、現像
後のパターンの厚さＴ_１と現像前のレジスト膜の厚さＴ
_２との比Ｔ_１／Ｔ_２（単位％）を、残膜率とした。現像性 現像後のレジストパターンのスカムや現像残りの程度に
より、現像性を評価した。パターン形状 走査型電子顕微鏡を用いて、最適露光量で露光したとき
に解像された０．５μｍの１Ｌ１Ｓパターンの方形状断
面の下辺幅Ｗ_１と上辺幅Ｗ_２とを測定し、０．８５≦Ｗ
_２／Ｗ_１≦１の場合を、パターン形状が良好であるとし
た。但し、パターンの下辺部が裾を引いていたり、パタ
ーン形状が逆テーパー状になっているときは、Ｗ_２／Ｗ
_１の如何に関わらず、パターン形状が良好とはしない。耐熱性 レジストパターンを形成した基板をクリーンオーブン中
に入れて昇温し、パターンの形状が崩れ始めたときの温
度により、耐熱性を評価した。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【表２】

【００５５】表２から明らかなように、本発明のポジ型
レジストは、特に変形光源露光法に適用することによ
り、高感度、且つ高解像度で、しかもフォーカス許容性
に優れたパターンを形成することができるとともに、残
膜率、現像性、パターン形状および耐熱性も良好であ
る。これに対して、本発明の感光成分と同様にナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルの１種である１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルを使用
する場合（比較例１）は、変形光源露光法により露光す
ると、特に感度が著しく低下し、前述した変形光源露光
法の問題点を解決することができないばかりか、解像度
およびフォーカス許容性もむしろ低下する。一方、通常
の露光法（比較例２）では、１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステルを感光成分として使用し
ても、サブハーフミクロンオーダー以下のパターンを形
成する場合、解像度およびフォーカス許容性が著しく低
下し、微細なパターン形成が不可能である。したがっ
て、アルカリ可溶性ノボラック樹脂および感光成分とし
て１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テルを含有するポジ型レジストを、特に変形光源露光法
に適用することによる本発明の作用効果は、全く予期で
きないものである。

【００５６】

【発明の効果】本発明の変形光源露光用ポジ型レジスト
は、感度が著しく優れているとともに、変形光源露光法
の本来の利点である解像度、フォーカス許容性等の結像
性能を実質的に損なうことがないため、良好な形状を有
する微細なレジストパターンを高効率に形成することが
できる。したがって、今後さらに高集積化が進むと考え
られる集積回路製造用レジスト等として極めて有用であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 斜入射光を得るためのフィルターの例を示す
断面図である。

【図２】 斜入射光を得るためのマスクの平面図であ
る。

【図３】 変形光源露光法および通常の露光法における
光の進行状態を示す図である。

【符号の説明】

１ アパーチャー部 ２ マスク ３ レチクル ４ 投影レンズ ５ ウエハー イ アパーチャー中心部を透過する光 ロ マスクエッジ部を透過する光 ハ アパーチャーエッジ部を透過する光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−154058（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−249654（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−96755（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−101148（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂および感
   光成分として１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
   ホン酸エステルを含有することを特徴とする変形光源露
   光用ポジ型レジスト。