JPH08262712A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH08262712A JPH08262712A JP7094469A JP9446995A JPH08262712A JP H08262712 A JPH08262712 A JP H08262712A JP 7094469 A JP7094469 A JP 7094469A JP 9446995 A JP9446995 A JP 9446995A JP H08262712 A JPH08262712 A JP H08262712A
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- Japan
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- resin
- compound
- radiation
- resin composition
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】アルカリ可溶性樹脂および、例えば下記式
(1) 【化1】 で表される化合物の1,2−キノンジアジドスルホン酸
エステル化合物を含有することを特徴とする感放射線性
樹脂組成物。 【効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、スカムの発
生が有効に抑制され、現像性に優れているとともに高解
像度で耐熱性に優れ、特に、良好なフォーカス許容性を
備えたポジ型レジストとして好適である。そのため本発
明の感放射線性樹脂組成物は高集積度の集積回路作成用
レジストとして好適に使用できる。
(1) 【化1】 で表される化合物の1,2−キノンジアジドスルホン酸
エステル化合物を含有することを特徴とする感放射線性
樹脂組成物。 【効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、スカムの発
生が有効に抑制され、現像性に優れているとともに高解
像度で耐熱性に優れ、特に、良好なフォーカス許容性を
備えたポジ型レジストとして好適である。そのため本発
明の感放射線性樹脂組成物は高集積度の集積回路作成用
レジストとして好適に使用できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アルカリ可溶性樹脂を
含有する感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳しく
はg線、i線等の紫外線、KrFエキシマレーザー等の
遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の
荷電粒子線の如き各種放射線、特に紫外線、遠紫外線に
感応する高集積回路作製用レジストとして好適な感放射
線性樹脂組成物に関する。
含有する感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳しく
はg線、i線等の紫外線、KrFエキシマレーザー等の
遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の
荷電粒子線の如き各種放射線、特に紫外線、遠紫外線に
感応する高集積回路作製用レジストとして好適な感放射
線性樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】ポジ型レジストは、集積回路の製造にお
いて多く用いられているが、近年における集積回路の高
集積化に伴って、より解像度の向上したレジストパター
ンを形成できるポジ型レジストが望まれている。一般に
ポジ型レジストの解像度を向上させるための、レジスト
材料の改良には、例えばレジストに用いられるアルカリ
可溶性樹脂の分子量を低下させる方法があるが、この場
合にはレジストの耐熱性が低下するといった問題が生じ
る。他方、プロセス改良による解像度の向上としてステ
ッパーの開口係数(NA)を大きくする方法があるが、
この場合には焦点深度(フォーカス許容性)が狭くなる
問題が生じるため、同時にレジスト材料の改良が必要で
あり、例えばフォーカス許容性を向上させるために、キ
ノンジアジド化合物の添加量を増やすことがその一つの
対応方法である。しかしながら、キノンジアジド化合物
の添加量を増やすと現像性は悪化することになる。この
ようにポジ型レジストは、ある性能を向上させると別の
性能が低下するので、高解像度、良好なフォーカス許容
性および微細なパターンでの良好な現像性を同時に備え
たポジ型レジストが望まれている。
いて多く用いられているが、近年における集積回路の高
集積化に伴って、より解像度の向上したレジストパター
ンを形成できるポジ型レジストが望まれている。一般に
ポジ型レジストの解像度を向上させるための、レジスト
材料の改良には、例えばレジストに用いられるアルカリ
可溶性樹脂の分子量を低下させる方法があるが、この場
合にはレジストの耐熱性が低下するといった問題が生じ
る。他方、プロセス改良による解像度の向上としてステ
ッパーの開口係数(NA)を大きくする方法があるが、
この場合には焦点深度(フォーカス許容性)が狭くなる
問題が生じるため、同時にレジスト材料の改良が必要で
あり、例えばフォーカス許容性を向上させるために、キ
ノンジアジド化合物の添加量を増やすことがその一つの
対応方法である。しかしながら、キノンジアジド化合物
の添加量を増やすと現像性は悪化することになる。この
ようにポジ型レジストは、ある性能を向上させると別の
性能が低下するので、高解像度、良好なフォーカス許容
性および微細なパターンでの良好な現像性を同時に備え
たポジ型レジストが望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明
の他の目的は、スカムの発生が有効に抑制され、現像性
に優れているとともに高解像度で耐熱性に優れ、特に、
良好なフォーカス許容性を備えたポジ型レジストとして
好適な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明
の他の目的は、スカムの発生が有効に抑制され、現像性
に優れているとともに高解像度で耐熱性に優れ、特に、
良好なフォーカス許容性を備えたポジ型レジストとして
好適な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の前記目的は、アルカリ可溶性樹脂および下記式(1)
の前記目的は、アルカリ可溶性樹脂および下記式(1)
【0005】
【化2】
【0006】〔式(1)中、X1〜X24およびY1〜Y4
は、それぞれ相互に同一または異なり、水素原子、アル
キル基、アルコキシル基または−ODで示される基(但
し、Dは水素原子または1,2−キノンジアジド基を含
有する有機基である。)であり、Aは、メチレン基、
1,1−ジメチルメチレン基、1,1−ビス(トリフル
オロメチル)メチレン基、カルボニル基、スルホン基、
エーテル基、チオエーテル基または単結合であり、X1
〜X5の少なくとも1つ、X6〜X10の少なくとも1つ、
X11〜X15の少なくとも1つ、X16〜X20の少なくとも
1つ、Y1〜Y2の少なくとも1つおよびY3〜Y4の少な
くとも1つは−ODで示される基であり、これら−OD
で示される複数個のDの少なくとも1つは、1,2−キ
ノンジアジド基を含有する有機基である。〕で表される
1,2−キノンジアジド化合物(以下、「化合物
(b)」という。)を含有する感放射線性樹脂組成物に
よって達成される。以下、本発明を具体的に説明する
が、これにより、本発明の目的、構成および効果が明確
になるであろう。
は、それぞれ相互に同一または異なり、水素原子、アル
キル基、アルコキシル基または−ODで示される基(但
し、Dは水素原子または1,2−キノンジアジド基を含
有する有機基である。)であり、Aは、メチレン基、
1,1−ジメチルメチレン基、1,1−ビス(トリフル
オロメチル)メチレン基、カルボニル基、スルホン基、
エーテル基、チオエーテル基または単結合であり、X1
〜X5の少なくとも1つ、X6〜X10の少なくとも1つ、
X11〜X15の少なくとも1つ、X16〜X20の少なくとも
1つ、Y1〜Y2の少なくとも1つおよびY3〜Y4の少な
くとも1つは−ODで示される基であり、これら−OD
で示される複数個のDの少なくとも1つは、1,2−キ
ノンジアジド基を含有する有機基である。〕で表される
1,2−キノンジアジド化合物(以下、「化合物
(b)」という。)を含有する感放射線性樹脂組成物に
よって達成される。以下、本発明を具体的に説明する
が、これにより、本発明の目的、構成および効果が明確
になるであろう。
【0007】アルカリ可溶性樹脂 本発明において用いられるアルカリ可溶性樹脂(以下、
「樹脂(A)」という。)としては、例えばノボラック
樹脂、ポリビニルフェノールまたはその誘導体、スチレ
ン−無水マレイン酸共重合体またはその誘導体、ポリビ
ニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル基含有メタ
アクリル酸系樹脂等を挙げることができる。樹脂(A)
は、前記例示に代表される樹脂を単独でまたは2種以上
組み合わせて用いることができる。好ましい樹脂(A)
としては、ノボラック樹脂を挙げることができる。この
ようなノボラック樹脂は、下記式(2)
「樹脂(A)」という。)としては、例えばノボラック
樹脂、ポリビニルフェノールまたはその誘導体、スチレ
ン−無水マレイン酸共重合体またはその誘導体、ポリビ
ニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル基含有メタ
アクリル酸系樹脂等を挙げることができる。樹脂(A)
は、前記例示に代表される樹脂を単独でまたは2種以上
組み合わせて用いることができる。好ましい樹脂(A)
としては、ノボラック樹脂を挙げることができる。この
ようなノボラック樹脂は、下記式(2)
【0008】
【化3】
【0009】〔式(2)中、nは0〜3の整数であ
る。〕で表されるフェノール類とアルデヒド類とを重縮
合することによって得られる。前記フェノール類として
は、例えばフェノール、o−クレゾール、m−クレゾー
ル、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,5−
キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレ
ノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,
5−トリメチルフェノール等を挙げることができる。特
にm−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノ
ール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、
3,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチルフ
ェノールが好ましい。これらのフェノール類は、単独で
または2種以上組み合わせて用いられる。フェノール類
を2種以上組み合わせて用いる場合は、例えばm−クレ
ゾール/2,3−キシレノール/3,4−キシレノール
=20〜95/5〜80/0〜75(重量比)、および
m−クレゾール/2,3,5−トリメチルフェノール/
2,3−キシレノール=20〜95/5〜80/0〜7
5(重量部)の組み合わせが特に好ましい。
る。〕で表されるフェノール類とアルデヒド類とを重縮
合することによって得られる。前記フェノール類として
は、例えばフェノール、o−クレゾール、m−クレゾー
ル、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,5−
キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレ
ノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,
5−トリメチルフェノール等を挙げることができる。特
にm−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノ
ール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、
3,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチルフ
ェノールが好ましい。これらのフェノール類は、単独で
または2種以上組み合わせて用いられる。フェノール類
を2種以上組み合わせて用いる場合は、例えばm−クレ
ゾール/2,3−キシレノール/3,4−キシレノール
=20〜95/5〜80/0〜75(重量比)、および
m−クレゾール/2,3,5−トリメチルフェノール/
2,3−キシレノール=20〜95/5〜80/0〜7
5(重量部)の組み合わせが特に好ましい。
【0010】また、前記フェノール類と重縮合させるア
ルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオ
キサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール等
を挙げることができる。これらのうち、ホルムアルデヒ
ドを特に好適に用いることができる。さらに、前記アル
デヒド類としては、グリオキサール、グルタルアルデヒ
ド、テレフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド等の
ビスアルデヒド類を用いることもできる。なお、前記ア
ルデヒド類としては、例えばホルマリン、トリオキサ
ン、パラホルムアルデヒド等のホルムアルデヒド類また
はメチルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プロ
ピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニル
ヘミホルマール等のヘミホルマール類をその原料として
使用することができる。これらのうち、ホルマリンとブ
チルヘミホルマールが特に好適に用いられる。これらの
アルデヒド類も単独でまたは2種以上を組み合わせて用
いることができる。このアルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対し、0.7〜3モルが好ましく、よ
り好ましくは0.8〜1.5モルである。
ルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオ
キサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール等
を挙げることができる。これらのうち、ホルムアルデヒ
ドを特に好適に用いることができる。さらに、前記アル
デヒド類としては、グリオキサール、グルタルアルデヒ
ド、テレフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド等の
ビスアルデヒド類を用いることもできる。なお、前記ア
ルデヒド類としては、例えばホルマリン、トリオキサ
ン、パラホルムアルデヒド等のホルムアルデヒド類また
はメチルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プロ
ピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニル
ヘミホルマール等のヘミホルマール類をその原料として
使用することができる。これらのうち、ホルマリンとブ
チルヘミホルマールが特に好適に用いられる。これらの
アルデヒド類も単独でまたは2種以上を組み合わせて用
いることができる。このアルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対し、0.7〜3モルが好ましく、よ
り好ましくは0.8〜1.5モルである。
【0011】フェノール類とアルデヒド類との重縮合の
反応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒
としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、
酢酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用
量は、通常、フェノール類1モルに対し、1×10-5〜
5×10-1モルである。重縮合の反応において、通常、
反応媒質として水が使用されるが、反応に用いられるフ
ェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初
期から不均一系になる場合は、反応媒質として親水性溶
媒を使用することもできる。これらの親水性溶媒として
は、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等の環状エーテル類等が挙げられる。これらの反
応媒質の使用量は、通常、反応原料100重量部当た
り、20〜1,000重量部である。重縮合の反応温度
は、原料の反応性に応じて適宜調整することができる
が、通常10〜200℃である。重縮合の反応方法とし
ては、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括
して仕込む方法および酸性触媒の存在下にフェノール
類、アルデヒド類等を反応の進行とともに加えていく方
法等を適宜採用することができる。重縮合の反応終了
後、系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等
を除去するために、一般的には、反応温度を130〜2
30℃に上昇させ、減圧下で揮発分を留去し、ノボラッ
ク樹脂を回収する。
反応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒
としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、
酢酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用
量は、通常、フェノール類1モルに対し、1×10-5〜
5×10-1モルである。重縮合の反応において、通常、
反応媒質として水が使用されるが、反応に用いられるフ
ェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初
期から不均一系になる場合は、反応媒質として親水性溶
媒を使用することもできる。これらの親水性溶媒として
は、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等の環状エーテル類等が挙げられる。これらの反
応媒質の使用量は、通常、反応原料100重量部当た
り、20〜1,000重量部である。重縮合の反応温度
は、原料の反応性に応じて適宜調整することができる
が、通常10〜200℃である。重縮合の反応方法とし
ては、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括
して仕込む方法および酸性触媒の存在下にフェノール
類、アルデヒド類等を反応の進行とともに加えていく方
法等を適宜採用することができる。重縮合の反応終了
後、系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等
を除去するために、一般的には、反応温度を130〜2
30℃に上昇させ、減圧下で揮発分を留去し、ノボラッ
ク樹脂を回収する。
【0012】また本発明において使用するノボラック樹
脂のポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」
という。)は、本発明の組成物を基材へ塗布する際の作
業性、レジストとして使用する際の現像性、感度および
耐熱性の点から、2,000〜20,000であること
が好ましく、特に3,000〜15,000であること
が特に好ましい。なお、特にMwの高いノボラック樹脂
を得るためには、前記の方法等により得られたノボラッ
ク樹脂を、エチレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、3−メトキシプロピオン酸メチル、ジオキサ
ン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したの
ち、水、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の貧溶媒を混合
し、次いで析出する樹脂溶液層を分離し、高分子量のノ
ボラック樹脂を回収すればよい。
脂のポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」
という。)は、本発明の組成物を基材へ塗布する際の作
業性、レジストとして使用する際の現像性、感度および
耐熱性の点から、2,000〜20,000であること
が好ましく、特に3,000〜15,000であること
が特に好ましい。なお、特にMwの高いノボラック樹脂
を得るためには、前記の方法等により得られたノボラッ
ク樹脂を、エチレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、3−メトキシプロピオン酸メチル、ジオキサ
ン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したの
ち、水、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の貧溶媒を混合
し、次いで析出する樹脂溶液層を分離し、高分子量のノ
ボラック樹脂を回収すればよい。
【0013】溶解促進剤 本発明において、前記樹脂(A)のアルカリ溶解性を促
進する目的で、低分子量のフェノール化合物(以下、
「溶解促進剤」という。)を添加することができる。こ
の溶解促進剤としては、ベンゼン環数が2〜6のフェノ
ール化合物が好適であり、例えば下記式(3−1)〜
(3−8)で表される化合物を例示することができる。
進する目的で、低分子量のフェノール化合物(以下、
「溶解促進剤」という。)を添加することができる。こ
の溶解促進剤としては、ベンゼン環数が2〜6のフェノ
ール化合物が好適であり、例えば下記式(3−1)〜
(3−8)で表される化合物を例示することができる。
【0014】
【化4】
【0015】
【化5】
【0016】〔式(3−1)〜(3−8)中、a、bお
よびcは、それぞれ0〜3の数であり(但し、いずれも
が0の場合を除く。)、x、yおよびzはそれぞれ0〜
3の数であり、そしてa+b≦5、b+y≦5(但し、
式(3−3)および(3−4)についてはb+y≦4お
よびc+z≦5である。)である。〕 かかる溶解促進剤の配合量は、通常、樹脂(A)100
重量部当たり50重量部以下、好ましくは10〜40重
量部である。
よびcは、それぞれ0〜3の数であり(但し、いずれも
が0の場合を除く。)、x、yおよびzはそれぞれ0〜
3の数であり、そしてa+b≦5、b+y≦5(但し、
式(3−3)および(3−4)についてはb+y≦4お
よびc+z≦5である。)である。〕 かかる溶解促進剤の配合量は、通常、樹脂(A)100
重量部当たり50重量部以下、好ましくは10〜40重
量部である。
【0017】その他のアルカリ可溶性樹脂 本発明において、樹脂(A)のアルカリ可溶性を促進す
る目的で、樹脂(A)の一部を低分子量のアルカリ可溶
性樹脂(以下、「樹脂(B)」という。)でおきかえる
ことができる。ここで樹脂(B)としては、例えばアル
カリ可溶性ノボラック樹脂またはアルカリ可溶性レゾー
ル樹脂を挙げることができ、これらは前記フェノール類
とアルデヒド類との重縮合の反応によって得られる。フ
ェノール類としては、前記ノボラック樹脂の合成に用い
られるフェノール類として例示したもの以外に、1−ナ
フトール、2−ナフトール等を使用することができる。
またアルデヒド類としては、前記ノボラック樹脂の合成
に用いられるものを使用することができる。この場合の
アルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対し
て、通常、0.2〜0.8モルである。またこの重縮合
の反応において、ノボラック樹脂の製造に用いる酸性触
媒以外に、レゾール樹脂を製造する際には、例えばピリ
ジン、トリエチルアミン等のアルカリ性触媒を用いるこ
とができる。樹脂(B)のMwは、200〜2,000
未満であることが好ましく、300〜1,000である
ことが特に好ましい。このような樹脂(B)としては、
フェノール/ホルムアルデヒド縮合樹脂、o−クレゾー
ル/ホルムアルデヒド縮合樹脂、m−クレゾール/ホル
ムアルデヒド縮合樹脂、p−クレゾール/ホルムアルデ
ヒド縮合樹脂、m−クレゾール/p−クレゾール/ホル
ムアルデヒド縮合樹脂等を挙げることができる。かかる
樹脂(B)の配合量は、一般に、樹脂(A)と樹脂
(B)の合計100重量部中に、50重量部以下であ
る。
る目的で、樹脂(A)の一部を低分子量のアルカリ可溶
性樹脂(以下、「樹脂(B)」という。)でおきかえる
ことができる。ここで樹脂(B)としては、例えばアル
カリ可溶性ノボラック樹脂またはアルカリ可溶性レゾー
ル樹脂を挙げることができ、これらは前記フェノール類
とアルデヒド類との重縮合の反応によって得られる。フ
ェノール類としては、前記ノボラック樹脂の合成に用い
られるフェノール類として例示したもの以外に、1−ナ
フトール、2−ナフトール等を使用することができる。
またアルデヒド類としては、前記ノボラック樹脂の合成
に用いられるものを使用することができる。この場合の
アルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対し
て、通常、0.2〜0.8モルである。またこの重縮合
の反応において、ノボラック樹脂の製造に用いる酸性触
媒以外に、レゾール樹脂を製造する際には、例えばピリ
ジン、トリエチルアミン等のアルカリ性触媒を用いるこ
とができる。樹脂(B)のMwは、200〜2,000
未満であることが好ましく、300〜1,000である
ことが特に好ましい。このような樹脂(B)としては、
フェノール/ホルムアルデヒド縮合樹脂、o−クレゾー
ル/ホルムアルデヒド縮合樹脂、m−クレゾール/ホル
ムアルデヒド縮合樹脂、p−クレゾール/ホルムアルデ
ヒド縮合樹脂、m−クレゾール/p−クレゾール/ホル
ムアルデヒド縮合樹脂等を挙げることができる。かかる
樹脂(B)の配合量は、一般に、樹脂(A)と樹脂
(B)の合計100重量部中に、50重量部以下であ
る。
【0018】1,2−キノンジアジド化合物 本発明の組成物は、1,2−キノンジアジド化合物とし
て、化合物(b)(前記式(1)で表される1,2−キ
ノンジアジド化合物)を含有する。式(1)中、X1〜
X24およびY1〜Y4は、それぞれ相互に同一または異な
り、水素原子、アルキル基、アルコキシル基または−O
Dで示される基(但し、Dは水素原子または1,2−キ
ノンジアジド基を含有する有機基である。;以下、「O
D基」という。)であり、Aは、メチレン基、1,1−
ジメチルメチレン基、1,1−ビス(トリフルオロメチ
ル)メチレン基、カルボニル基、スルホン基、エーテル
基、チオエーテル基または単結合である。ここで、アル
キル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好適であ
り、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、
イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等を例示
することができる。またアルコキシル基としては、炭素
数1〜4のアルコキシル基が好適であり、具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を
例示することができる。
て、化合物(b)(前記式(1)で表される1,2−キ
ノンジアジド化合物)を含有する。式(1)中、X1〜
X24およびY1〜Y4は、それぞれ相互に同一または異な
り、水素原子、アルキル基、アルコキシル基または−O
Dで示される基(但し、Dは水素原子または1,2−キ
ノンジアジド基を含有する有機基である。;以下、「O
D基」という。)であり、Aは、メチレン基、1,1−
ジメチルメチレン基、1,1−ビス(トリフルオロメチ
ル)メチレン基、カルボニル基、スルホン基、エーテル
基、チオエーテル基または単結合である。ここで、アル
キル基としては、炭素数1〜4のアルキル基が好適であ
り、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、
イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等を例示
することができる。またアルコキシル基としては、炭素
数1〜4のアルコキシル基が好適であり、具体的にはメ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を
例示することができる。
【0019】前記Dにおける1,2−キノンジアジド基
を含有する有機基としては、例えば1,2−ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジア
ジド−6−スルホニル基等の1,2−キノンジアジドス
ルホニル基を好ましいものとして挙げることができる。
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基およ
び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基が
特に好適である。なお、X1〜X5の少なくとも1つ、X
6〜X10の少なくとも1つ、X11〜X15の少なくとも1
つ、X16〜X20の少なくとも1つ、Y1〜Y2の少なくと
も1つおよびY3〜Y4の少なくとも1つはOD基であ
り、これら複数のOD基の少なくとも1つは、Dが1,
2−キノンジアジド基を含有する有機基である。式
(1)においてOD基のDがすべて水素原子である場合
に相当する化合物(b)、すなわち前記OD基が水酸基
である場合に相当する化合物(b)は、式(1)で表さ
れる化合物(b)の前駆体である(以下、この前駆体を
「化合物(a)」という。)。化合物(a)の具体例と
しては、下記式(4−1)〜(4−30)で表される化
合物を挙げることができる。
を含有する有機基としては、例えば1,2−ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジア
ジド−6−スルホニル基等の1,2−キノンジアジドス
ルホニル基を好ましいものとして挙げることができる。
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基およ
び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基が
特に好適である。なお、X1〜X5の少なくとも1つ、X
6〜X10の少なくとも1つ、X11〜X15の少なくとも1
つ、X16〜X20の少なくとも1つ、Y1〜Y2の少なくと
も1つおよびY3〜Y4の少なくとも1つはOD基であ
り、これら複数のOD基の少なくとも1つは、Dが1,
2−キノンジアジド基を含有する有機基である。式
(1)においてOD基のDがすべて水素原子である場合
に相当する化合物(b)、すなわち前記OD基が水酸基
である場合に相当する化合物(b)は、式(1)で表さ
れる化合物(b)の前駆体である(以下、この前駆体を
「化合物(a)」という。)。化合物(a)の具体例と
しては、下記式(4−1)〜(4−30)で表される化
合物を挙げることができる。
【0020】
【化6】
【0021】
【化7】
【0022】
【化8】
【0023】
【化9】
【0024】
【化10】
【0025】
【化11】
【0026】
【化12】
【0027】
【化13】
【0028】
【化14】
【0029】
【化15】
【0030】
【化16】
【0031】
【化17】
【0032】
【化18】
【0033】
【化19】
【0034】
【化20】
【0035】また、化合物(b)の具体例としては、
(4−1)〜(4−30)で表される化合物(a)の
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スル
ホン酸エステル等を挙げることができる。特に1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよび
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルが好ましい。化合物(b)は、例えば化合物(a)と
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリ
ド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド等の1,2−キノンジアジドスルホニルハライド
とのエステル化反応により得られる。エステル化反応に
おいて、化合物(a)と1,2−キノンジアジドスルホ
ニルハライドとの反応割合は、化合物(a)のフェノー
ル性水酸基1等量に対し、1,2−キノンジアジドスル
ホニルハライドが、好ましくは0.25〜1等量、特に
好ましくは0.4〜1等量である。これらをトリエチル
アミンやピリジンの如き塩基性触媒の0.3〜1.3等
量の存在下に反応させることにより所望の化合物(b)
が得られる。本発明の組成物において、化合物(b)
は、樹脂(A)100重量部当たり、5〜50重量部、
特に10〜40重量部の割合で使用することが好まし
い。また化合物(b)は単独であるいは2種以上を組み
合わせて使用することができる。
(4−1)〜(4−30)で表される化合物(a)の
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スル
ホン酸エステル等を挙げることができる。特に1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよび
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルが好ましい。化合物(b)は、例えば化合物(a)と
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリ
ド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド等の1,2−キノンジアジドスルホニルハライド
とのエステル化反応により得られる。エステル化反応に
おいて、化合物(a)と1,2−キノンジアジドスルホ
ニルハライドとの反応割合は、化合物(a)のフェノー
ル性水酸基1等量に対し、1,2−キノンジアジドスル
ホニルハライドが、好ましくは0.25〜1等量、特に
好ましくは0.4〜1等量である。これらをトリエチル
アミンやピリジンの如き塩基性触媒の0.3〜1.3等
量の存在下に反応させることにより所望の化合物(b)
が得られる。本発明の組成物において、化合物(b)
は、樹脂(A)100重量部当たり、5〜50重量部、
特に10〜40重量部の割合で使用することが好まし
い。また化合物(b)は単独であるいは2種以上を組み
合わせて使用することができる。
【0036】その他のキノンジアジド化合物 本発明において、化合物(b)と併用して、化合物
(b)以外の1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル等の1,2−キノンジアジド化
合物(以下、「その他のキノンジアジド化合物」とい
う。)を配合することができる。このようなその他のキ
ノンジアジド化合物としては、例えば2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、トリス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,3,5−トリス(4−ヒド
ロキシ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−
(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェ
ニル]エタン、2−(3,4−ジヒドロキシフェニル)
−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,4,
4−トリメチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニ
ル)−7−ヒドロキシクロマン等の1,2−キノンジア
ジドスルホン酸エステルを挙げることができる。これら
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルとして
は、特に1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステルが好ましい。本発明の組成物におい
て、その他のキノンジアジド化合物の配合量は、樹脂
(A)100重量部に対して、好ましくは100重量部
以下である。また、本発明の組成物中に占める1,2−
キノンジアジド残基の総重量は、組成物中の全固形分に
対する割合として、好ましくは5〜50重量%、特に好
ましくは10〜30重量%となるように調節される。
(b)以外の1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル等の1,2−キノンジアジド化
合物(以下、「その他のキノンジアジド化合物」とい
う。)を配合することができる。このようなその他のキ
ノンジアジド化合物としては、例えば2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、トリス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,3,5−トリス(4−ヒド
ロキシ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−
(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェ
ニル]エタン、2−(3,4−ジヒドロキシフェニル)
−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,4,
4−トリメチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニ
ル)−7−ヒドロキシクロマン等の1,2−キノンジア
ジドスルホン酸エステルを挙げることができる。これら
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルとして
は、特に1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステルが好ましい。本発明の組成物におい
て、その他のキノンジアジド化合物の配合量は、樹脂
(A)100重量部に対して、好ましくは100重量部
以下である。また、本発明の組成物中に占める1,2−
キノンジアジド残基の総重量は、組成物中の全固形分に
対する割合として、好ましくは5〜50重量%、特に好
ましくは10〜30重量%となるように調節される。
【0037】各種配合剤 本発明の組成物には、必要に応じ、増感剤、界面活性剤
等の各種配合剤を配合することができる。前記増感剤
は、レジストの感度を向上させるために配合されるもの
である。このような増感剤としては、例えば2H−ピリ
ド−[3,2−b]−1,4−オキサジン−3(4H)
−オン類、10H−ピリド−[3,2−b]−(1,
4’)−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイ
ン類、パルピツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒド
ロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミ
ド類等を挙げることができる。これらの増感剤の配合量
は、樹脂(A)100重量部に対し、好ましくは50重
量部以下である。
等の各種配合剤を配合することができる。前記増感剤
は、レジストの感度を向上させるために配合されるもの
である。このような増感剤としては、例えば2H−ピリ
ド−[3,2−b]−1,4−オキサジン−3(4H)
−オン類、10H−ピリド−[3,2−b]−(1,
4’)−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイ
ン類、パルピツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒド
ロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミ
ド類等を挙げることができる。これらの増感剤の配合量
は、樹脂(A)100重量部に対し、好ましくは50重
量部以下である。
【0038】また、前記界面活性剤は、組成物の塗布性
や現像性を改良するために配合されるものである。この
ような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキ
シエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチ
レンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコール
ジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレー
ト、メガファックスF171、F172、F173(商
品名、大日本インキ化学工業社製)、フロラードFC4
30、FC431(商品名、住友スリーエム社製)、ア
サヒガードAG710、サーフロンS−382、SC−
101、SC−102、SC−103、SC−104、
SC−105、SC−106(商品名、旭硝子社製)、
KP341(商品名、信越化学工業社製)、ポリフロー
No.75、No.95(商品名、共栄社油脂化学工業
社製)、エフトップEF301、EF303、EF35
2(商品名、トーケムプロダクツ社製)等を挙げること
ができる。また、これらの界面活性剤は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。これらの界
面活性剤の配合量は、各種配合剤を除いた組成物の固形
分100重量部当たり、好ましくは界面活性剤の有効成
分が2重量部以下である。さらに本発明の組成物には、
レジストの放射線照射部の潜像を可視化させ、放射線照
射時のハレーションの影響を少なくするために、染料や
顔料を配合することができ、また接着性を改善するため
に、接着助剤を配合することもできる。さらに必要に応
じて保存安定剤、消泡剤等を配合することもできる。
や現像性を改良するために配合されるものである。この
ような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキ
シエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチ
レンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコール
ジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレー
ト、メガファックスF171、F172、F173(商
品名、大日本インキ化学工業社製)、フロラードFC4
30、FC431(商品名、住友スリーエム社製)、ア
サヒガードAG710、サーフロンS−382、SC−
101、SC−102、SC−103、SC−104、
SC−105、SC−106(商品名、旭硝子社製)、
KP341(商品名、信越化学工業社製)、ポリフロー
No.75、No.95(商品名、共栄社油脂化学工業
社製)、エフトップEF301、EF303、EF35
2(商品名、トーケムプロダクツ社製)等を挙げること
ができる。また、これらの界面活性剤は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。これらの界
面活性剤の配合量は、各種配合剤を除いた組成物の固形
分100重量部当たり、好ましくは界面活性剤の有効成
分が2重量部以下である。さらに本発明の組成物には、
レジストの放射線照射部の潜像を可視化させ、放射線照
射時のハレーションの影響を少なくするために、染料や
顔料を配合することができ、また接着性を改善するため
に、接着助剤を配合することもできる。さらに必要に応
じて保存安定剤、消泡剤等を配合することもできる。
【0039】溶剤 本発明の組成物は、前述した樹脂(A)および化合物
(b)並びに必要に応じて用いられる溶解促進剤、樹脂
(B)、その他のキノンジアジド化合物、各種配合剤等
を、例えば固形分濃度が20〜40重量%となるように
溶剤に溶解し、孔径0.2μm程度のフィルターでろ過
することによって調製される。前記溶剤としては、例え
ばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレング
リコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、ト
ルエン、キシレン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノ
ン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノ
ン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキ
シ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−メトキシ−2
−メチルプロピオン酸メチル、エトキシ酢酸エチル、ヒ
ドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタ
ン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エ
トキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸
エチル、3−メトキシ−2−メチルプロピオン酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル等を挙げることができる。さらに、N−メ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N
−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、
ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等
の高沸点溶剤を添加することもできる。これらの溶剤
は、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用される。
(b)並びに必要に応じて用いられる溶解促進剤、樹脂
(B)、その他のキノンジアジド化合物、各種配合剤等
を、例えば固形分濃度が20〜40重量%となるように
溶剤に溶解し、孔径0.2μm程度のフィルターでろ過
することによって調製される。前記溶剤としては、例え
ばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレング
リコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、ト
ルエン、キシレン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノ
ン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノ
ン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキ
シ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−メトキシ−2
−メチルプロピオン酸メチル、エトキシ酢酸エチル、ヒ
ドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタ
ン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エ
トキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸
エチル、3−メトキシ−2−メチルプロピオン酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル等を挙げることができる。さらに、N−メ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N
−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、
ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等
の高沸点溶剤を添加することもできる。これらの溶剤
は、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用される。
【0040】レジスト被膜の形成 溶液として調製された本発明の組成物は、これを回転塗
布、流延塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコン
ウェハーまたはアルミニウム等が被覆されたウェハー等
の基板に塗布される。次いでこれをプレベークすること
によりレジスト被膜を形成し、所望のレジストパターン
を形成するようにレジスト被膜に放射線を照射(以下、
「露光」という。)し、現像液で現像することによりパ
ターンの形成が行われる。この際用いられる放射線とし
ては、g線、i線等の紫外線が好ましいが、エキシマレ
ーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、
電子線等の荷電粒子線の如き各種放射線を用いることも
できる。また本発明の組成物は、レジスト被膜を形成
し、プレベークおよび露光を行った後、70〜140℃
で加熱する操作(以下、「露光後ベーク」という。)を
行い、次いで現像することによって、本発明の効果をさ
らに向上させることもできる。
布、流延塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコン
ウェハーまたはアルミニウム等が被覆されたウェハー等
の基板に塗布される。次いでこれをプレベークすること
によりレジスト被膜を形成し、所望のレジストパターン
を形成するようにレジスト被膜に放射線を照射(以下、
「露光」という。)し、現像液で現像することによりパ
ターンの形成が行われる。この際用いられる放射線とし
ては、g線、i線等の紫外線が好ましいが、エキシマレ
ーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、
電子線等の荷電粒子線の如き各種放射線を用いることも
できる。また本発明の組成物は、レジスト被膜を形成
し、プレベークおよび露光を行った後、70〜140℃
で加熱する操作(以下、「露光後ベーク」という。)を
行い、次いで現像することによって、本発明の効果をさ
らに向上させることもできる。
【0041】前記レジスト被膜に対し使用する現像液と
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、
アンモニア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエ
チルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビ
シクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジア
ザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性
化合物を、例えば1〜10重量%の濃度に溶解してなる
アルカリ性水溶液が使用される。また、前記現像液に
は、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノール等
のアルコール類や界面活性剤を適量添加して使用するこ
ともできる。なお、このようなアルカリ性水溶液からな
る現像液を使用した場合は、一般的には、現像後、水で
洗浄する。
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、
アンモニア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエ
チルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビ
シクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジア
ザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性
化合物を、例えば1〜10重量%の濃度に溶解してなる
アルカリ性水溶液が使用される。また、前記現像液に
は、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノール等
のアルコール類や界面活性剤を適量添加して使用するこ
ともできる。なお、このようなアルカリ性水溶液からな
る現像液を使用した場合は、一般的には、現像後、水で
洗浄する。
【0042】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 <測定、評価>実施例中のMwの測定およびレジストの
評価は、以下の方法により行った。 Mw:東ソー社製GPCカラム(G2000HXL:2
本、G3000HXL:1本、G4000HXL:1本)を
用い、流量:1.0ml/分、溶出溶媒:テトラヒドロ
フラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミェーションクロマトグ
ラフ法により測定した。 耐熱性:クリーンオーブン中にレジストパターンを形成
したウェハーを入れ、パターンが崩れ始めたときの温度
を測定した。 フォーカスレンジ(フォーカス許容性):走査型電子顕
微鏡を用い、0.4μmのライン・アンド・スペースパ
ターンにおいて、解像されるパターン寸法が、マスクの
設計寸法の±10%以内となる場合のフォーカスの振れ
幅をフォーカスレンジとし、評価指標とした。フォーカ
スレンジが大きいことは、良好なフォーカス許容性を有
していることを意味する。 現像性:レジストパターン形成後のスカムや現像残りの
程度を走査型電子顕微鏡を用いて調べた。
る。 <測定、評価>実施例中のMwの測定およびレジストの
評価は、以下の方法により行った。 Mw:東ソー社製GPCカラム(G2000HXL:2
本、G3000HXL:1本、G4000HXL:1本)を
用い、流量:1.0ml/分、溶出溶媒:テトラヒドロ
フラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミェーションクロマトグ
ラフ法により測定した。 耐熱性:クリーンオーブン中にレジストパターンを形成
したウェハーを入れ、パターンが崩れ始めたときの温度
を測定した。 フォーカスレンジ(フォーカス許容性):走査型電子顕
微鏡を用い、0.4μmのライン・アンド・スペースパ
ターンにおいて、解像されるパターン寸法が、マスクの
設計寸法の±10%以内となる場合のフォーカスの振れ
幅をフォーカスレンジとし、評価指標とした。フォーカ
スレンジが大きいことは、良好なフォーカス許容性を有
していることを意味する。 現像性:レジストパターン形成後のスカムや現像残りの
程度を走査型電子顕微鏡を用いて調べた。
【0043】<樹脂(A)の合成>合成例1 オートクレーブに、 m−クレゾール 69.2g(0.64モル) 2,3−キシレノール 9.8g(0.98モル) 3,4−キシレノール 9.8g(0.08モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 61.0g(ホルムアルデヒド:0.75モル) シュウ酸2水和物 6.3g(0.05モル) 水 52.6g および ジオキサン 182g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら8時間重縮合を行い、反応
後、室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。
このビーカー中で2層に分離させた後、下層を取り出
し、濃縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収し
た。この樹脂は、Mwが8,600であった。この樹脂
を、樹脂(A1)とする。
℃に保持して攪拌しながら8時間重縮合を行い、反応
後、室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。
このビーカー中で2層に分離させた後、下層を取り出
し、濃縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収し
た。この樹脂は、Mwが8,600であった。この樹脂
を、樹脂(A1)とする。
【0044】合成例2 オートクレーブに、 m−クレゾール 64.9g(0.6モル) 2,3−キシレノール 36.7g(0.3モル) 3,4−キシレノール 12.2g(0.1モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 77.1g(ホルムアルデヒド:0.9モル) シュウ酸2水和物 6.3g(0.05モル) 水 79.4g および ジオキサン 383.9g を仕込み、合成例1と同様の操作を行い、ノボラック樹
脂を回収した。この樹脂は、Mwが7,800であっ
た。この樹脂を、樹脂(A2)とする。
脂を回収した。この樹脂は、Mwが7,800であっ
た。この樹脂を、樹脂(A2)とする。
【0045】<化合物(b)の合成>以下、前記式(4
−5)で表される化合物を(a−5)、前記式(4−
7)で表される化合物を(a−7)、前記式(4−1
5)で表される化合物を(a−15)とする。
−5)で表される化合物を(a−5)、前記式(4−
7)で表される化合物を(a−7)、前記式(4−1
5)で表される化合物を(a−15)とする。
【0046】合成例3 遮光下で、攪拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフ
ラスコに、 化合物(a−5) 6.22g(0.01モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 10.74g(0.04モル) および ジオキサン 88g を仕込み、攪拌しながら溶解させた。次いで、フラスコ
を30℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が3
0℃一定になった時点で、この溶液に トリエチルアミン 5.05g(0.05モル) を内温が35℃を越えないように滴下ロートを用いて加
え、同温度で2時間反応させた。その後、析出したトリ
エチルアミン塩酸塩をろ過により取り除き、ろ液を大量
の希塩酸水溶液中に注ぎ込んで反応生成物を析出させ、
次いで析出物をろ過し、回収し、真空乾燥器中、40℃
で一昼夜乾燥して、化合物(b−5)を得た。
ラスコに、 化合物(a−5) 6.22g(0.01モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 10.74g(0.04モル) および ジオキサン 88g を仕込み、攪拌しながら溶解させた。次いで、フラスコ
を30℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が3
0℃一定になった時点で、この溶液に トリエチルアミン 5.05g(0.05モル) を内温が35℃を越えないように滴下ロートを用いて加
え、同温度で2時間反応させた。その後、析出したトリ
エチルアミン塩酸塩をろ過により取り除き、ろ液を大量
の希塩酸水溶液中に注ぎ込んで反応生成物を析出させ、
次いで析出物をろ過し、回収し、真空乾燥器中、40℃
で一昼夜乾燥して、化合物(b−5)を得た。
【0047】合成例4 化合物(a−7) 7.34g(0.01モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 10.74g(0.04モル) ジオキサン 93g および トリエチルアミン 5.05g(0.05モル) を用いた以外は、合成例3と同様にして、化合物(b−
7)を得た。
7)を得た。
【0048】合成例5 化合物(a−15) 7.62g(0.01モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 10.74g(0.04モル) ジオキサン 94g および トリエチルアミン 5.05g(0.05モル) を用いた他は、合成例3と同様にして、化合物(b−1
5)を得た。
5)を得た。
【0049】<その他のキノンジアジド化合物の合成>合成例6 2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン 24.6g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 80.6g(0.3モル) ジオキサン 552g および トリエチルアミン 33.3g(0.33モル) を用いた以外は、合成例3と同様して、キノンジアジド
化合物(イ)を得た。
化合物(イ)を得た。
【0050】合成例7 トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン 14.6g(0.05モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 40.3g(0.15モル) ジオキサン 222g および トリエチルアミン 18.2g(0.18モル) を用いた以外は、合成例3と同様にして、キノンジアジ
ド化合物(ロ)を得た。
ド化合物(ロ)を得た。
【0051】実施例1〜7、比較例1〜3 表1に示す組成割合(但し、部は重量部を示す。)で、
樹脂(A)、化合物(b)、溶解促進剤、その他のキノ
ンジアジド化合物および溶剤を混合し、均一溶液とした
後、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、
組成物の溶液を調製した。得られた溶液をシリコン酸化
膜を有するシリコンウェハー上にスピンナーを用いて塗
布した後、ホットプレート上で90℃で2分間プレベー
クして厚さ1.1μmのレジスト被膜を形成した。次い
でレチクルを介して、(株)ニコン社製のNSR−17
55i7A縮小投影露光機(レンズ開口数:0.50)
で波長365nm(i線)を用いて露光し、2.38重
量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に
より現像し、超純水でリンスし、乾燥し、レジストパタ
ーンの形成を行った。得られたレジストパターンを調
べ、各実施例の組成物のレジストとしての特性を評価し
た。結果を表2に示す。
樹脂(A)、化合物(b)、溶解促進剤、その他のキノ
ンジアジド化合物および溶剤を混合し、均一溶液とした
後、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、
組成物の溶液を調製した。得られた溶液をシリコン酸化
膜を有するシリコンウェハー上にスピンナーを用いて塗
布した後、ホットプレート上で90℃で2分間プレベー
クして厚さ1.1μmのレジスト被膜を形成した。次い
でレチクルを介して、(株)ニコン社製のNSR−17
55i7A縮小投影露光機(レンズ開口数:0.50)
で波長365nm(i線)を用いて露光し、2.38重
量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に
より現像し、超純水でリンスし、乾燥し、レジストパタ
ーンの形成を行った。得られたレジストパターンを調
べ、各実施例の組成物のレジストとしての特性を評価し
た。結果を表2に示す。
【0052】
【表1】
【0053】表1において、溶解促進剤および溶剤の種
類は次のとおりである。 溶解促進剤 α : 1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン β : 1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−フェニルエタン溶剤 S1 : 2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S2 : 3−エトキシプロピオン酸エチル
類は次のとおりである。 溶解促進剤 α : 1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エタン β : 1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−フェニルエタン溶剤 S1 : 2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S2 : 3−エトキシプロピオン酸エチル
【0054】
【表2】
【0055】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、スカ
ムの発生が有効に抑制され、現像性に優れているととも
に高解像度で耐熱性に優れ、特に、良好なフォーカス許
容性を備えたポジ型レジストとして好適である。そのた
め本発明の感放射線性樹脂組成物は高集積度の集積回路
作成用レジストとして好適に使用できる。
ムの発生が有効に抑制され、現像性に優れているととも
に高解像度で耐熱性に優れ、特に、良好なフォーカス許
容性を備えたポジ型レジストとして好適である。そのた
め本発明の感放射線性樹脂組成物は高集積度の集積回路
作成用レジストとして好適に使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 昭 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 アルカリ可溶性樹脂および下記式(1) 【化1】 〔式(1)中、X1〜X24およびY1〜Y4は、それぞれ
相互に同一または異なり、水素原子、アルキル基、アル
コキシル基または−ODで示される基(但し、Dは水素
原子または1,2−キノンジアジド基を含有する有機基
である。)であり、Aは、メチレン基、1,1−ジメチ
ルメチレン基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)メ
チレン基、カルボニル基、スルホン基、エーテル基、チ
オエーテル基または単結合であり、X1〜X5の少なくと
も1つ、X6〜X10の少なくとも1つ、X11〜X15の少
なくとも1つ、X16〜X20の少なくとも1つ、Y1〜Y2
の少なくとも1つおよびY3〜Y4の少なくとも1つは−
ODで示される基であり、これら−ODで示される複数
個のDの少なくとも1つは、1,2−キノンジアジド基
を含有する有機基である。〕で表される1,2−キノン
ジアジド化合物を含有することを特徴とする感放射線性
樹脂組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094469A JPH08262712A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7094469A JPH08262712A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262712A true JPH08262712A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=14111149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7094469A Pending JPH08262712A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08262712A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124459A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Nagase Chemtex Corporation | 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法 |
| WO2006134814A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2007004566A1 (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US7851129B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-12-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, resist pattern forming method and compound |
| US7897319B2 (en) | 2004-07-28 | 2011-03-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
| US7901865B2 (en) | 2004-09-08 | 2011-03-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and process for formation of resist patterns |
| US7923192B2 (en) | 2004-02-20 | 2011-04-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Base material for pattern-forming material, positive resist composition and method of resist pattern formation |
| WO2011074597A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | 本州化学工業株式会社 | 新規な多核ポリ(フェノール)類 |
| US7981588B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative resist composition and method of forming resist pattern |
| US8206887B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-06-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and resist pattern forming method |
| US20210294214A1 (en) * | 2018-07-31 | 2021-09-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Underlayer film forming composition |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP7094469A patent/JPH08262712A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7923192B2 (en) | 2004-02-20 | 2011-04-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Base material for pattern-forming material, positive resist composition and method of resist pattern formation |
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| US7897319B2 (en) | 2004-07-28 | 2011-03-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
| US7901865B2 (en) | 2004-09-08 | 2011-03-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and process for formation of resist patterns |
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| US7981588B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative resist composition and method of forming resist pattern |
| US8206887B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-06-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and resist pattern forming method |
| US7862981B2 (en) | 2005-06-17 | 2011-01-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound, positive resist composition and method of forming resist pattern |
| JP2006347974A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2006134814A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| KR100941343B1 (ko) * | 2005-07-05 | 2010-02-11 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화합물, 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴형성 방법 |
| JP2007015944A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2007004566A1 (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US8389197B2 (en) | 2005-07-05 | 2013-03-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound, positive resist composition and resist pattern forming method |
| WO2011074597A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | 本州化学工業株式会社 | 新規な多核ポリ(フェノール)類 |
| JPWO2011074597A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-25 | 本州化学工業株式会社 | 新規な多核ポリ(フェノール)類 |
| US20210294214A1 (en) * | 2018-07-31 | 2021-09-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Underlayer film forming composition |
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