JP3200924B2 - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
マルチビーム半導体レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マルチビーム半導体レ
ーザ装置、特に各レーザビームを独立に制御する独立駆
動型のマルチビーム半導体レーザ装置に係わる。
ーザ装置、特に各レーザビームを独立に制御する独立駆
動型のマルチビーム半導体レーザ装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの高集積化・高速処理化な
どの要請に対し、１チップ内に独立制御可能な複数のレ
ーザビームを有するマルチビーム半導体レーザが開発さ
れている。このような独立制御のマルチビームレーザに
おいては、単体素子とは異なり、複数の独立した入力端
子を必要とするため、例えばレーザビーム毎に独立した
電極をパターニング形成する等の方法が考えられるが、
１つのチップにレーザ用ボンディングパッドなどを含む
モノリシック型構成の半導体レーザ装置では、レーザ端
面形成のためのエッチングなど製造上の問題、或いは配
線部の熱抵抗による発熱の問題等が生じるため、独立制
御の実用化は難しい。
どの要請に対し、１チップ内に独立制御可能な複数のレ
ーザビームを有するマルチビーム半導体レーザが開発さ
れている。このような独立制御のマルチビームレーザに
おいては、単体素子とは異なり、複数の独立した入力端
子を必要とするため、例えばレーザビーム毎に独立した
電極をパターニング形成する等の方法が考えられるが、
１つのチップにレーザ用ボンディングパッドなどを含む
モノリシック型構成の半導体レーザ装置では、レーザ端
面形成のためのエッチングなど製造上の問題、或いは配
線部の熱抵抗による発熱の問題等が生じるため、独立制
御の実用化は難しい。
【０００３】このため、このような独立駆動型マルチビ
ームレーザでは、レーザチップ側に各レーザビーム毎に
分離電極を設けて、この分離電極と、レーザチップとは
別体の基板上にパターニング形成した電極とを対向さ
せ、はんだ等の融着によりマウントするようにして各レ
ーザビームの端子導出がなされる。この場合レーザ装置
自体の小型化、或いはビーム本数の増加による高密度化
等をはかる上で、各電極の位置合わせ精度の向上が必要
とされている。
ームレーザでは、レーザチップ側に各レーザビーム毎に
分離電極を設けて、この分離電極と、レーザチップとは
別体の基板上にパターニング形成した電極とを対向さ
せ、はんだ等の融着によりマウントするようにして各レ
ーザビームの端子導出がなされる。この場合レーザ装置
自体の小型化、或いはビーム本数の増加による高密度化
等をはかる上で、各電極の位置合わせ精度の向上が必要
とされている。
【０００４】レーザは一般的に発光部がストライプ構造
とされ、このストライプの延長方向の位置合わせは、レ
ーザ光の広がりと熱抵抗を考慮してレーザの発光端面と
配線基板の縁部とを揃えるようにして行われる。一方、
その発光ストライプ方向と直交する方向の位置合わせ精
度は、これをマウントする装置の精度に左右される。
とされ、このストライプの延長方向の位置合わせは、レ
ーザ光の広がりと熱抵抗を考慮してレーザの発光端面と
配線基板の縁部とを揃えるようにして行われる。一方、
その発光ストライプ方向と直交する方向の位置合わせ精
度は、これをマウントする装置の精度に左右される。
【０００５】このようなレーザの基板への貼り合わせに
際し、通常用いられる画像処理を用いたチップマウンタ
の精度は、機械的精度や、接着材料（はんだ等）の厚さ
などを考慮して±５〜１０μｍ程度の誤差が生じる。こ
れに対し、ビーム本数の増加に伴って、半導体レーザ装
置全体の小型化をはかるために、ビーム間隔は益々狭小
化されつつある。ビーム間隔が５０μｍ以下の例えば１
０μｍピッチ程度と非常に狭い間隔とされた高密度のマ
ルチビームレーザでは、このような機械的なチップマウ
ンタを用いて貼り合わせを行うことは難しい。
際し、通常用いられる画像処理を用いたチップマウンタ
の精度は、機械的精度や、接着材料（はんだ等）の厚さ
などを考慮して±５〜１０μｍ程度の誤差が生じる。こ
れに対し、ビーム本数の増加に伴って、半導体レーザ装
置全体の小型化をはかるために、ビーム間隔は益々狭小
化されつつある。ビーム間隔が５０μｍ以下の例えば１
０μｍピッチ程度と非常に狭い間隔とされた高密度のマ
ルチビームレーザでは、このような機械的なチップマウ
ンタを用いて貼り合わせを行うことは難しい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような貼り合わせ
の問題に鑑みて、本出願人は先に特願平２−２１６２２
５号出願において、図４に示すように、レーザ１側の電
極の本数よりも配線基板２上に設ける配線電極の本数を
大として、レーザビームと配線基板との位置合わせに裕
度をもたせる方法を提案した。しかしながらこの場合、
レーザ２の電極のピッチＰl に比して、配線基板２の電
極のピッチＰs がやや大となる場合、またピッチが同一
の場合でも配線本数が異なることから、どの入力端子が
どのレーザと接続しているか、接続後に全数測定の上、
１チップ（１ビーム）ずつ異なる配線を定める必要があ
る。このような方法では、レーザビーム本数が増大化す
るに伴い、量産に不適となる恐れがある。
の問題に鑑みて、本出願人は先に特願平２−２１６２２
５号出願において、図４に示すように、レーザ１側の電
極の本数よりも配線基板２上に設ける配線電極の本数を
大として、レーザビームと配線基板との位置合わせに裕
度をもたせる方法を提案した。しかしながらこの場合、
レーザ２の電極のピッチＰl に比して、配線基板２の電
極のピッチＰs がやや大となる場合、またピッチが同一
の場合でも配線本数が異なることから、どの入力端子が
どのレーザと接続しているか、接続後に全数測定の上、
１チップ（１ビーム）ずつ異なる配線を定める必要があ
る。このような方法では、レーザビーム本数が増大化す
るに伴い、量産に不適となる恐れがある。
【０００７】また、レーザの電極の幅をａ、基板の電極
の幅をｂとすると、各電極のピッチＰs 及びＰl を、 Ｐl ＝Ｐs ＝ａ＋ｂ とすることにより各電極を１：１に対応させることがで
きるが、接触幅ｗは、 ０≦ｗ≦〔ａ，ｂ〕 （但し〔ａ，ｂ〕をａとｂのうち、より小なる値を示
す）の範囲で変動することとなり、接触抵抗にばらつき
が生じてしまい、最悪の場合はオープン不良を発生させ
る恐れがある。更にこのように１：１に対応させる場合
は、図５に示すようにθ方向（回転方向）の位置合わせ
裕度が小さいためにショートし易く、歩留りの低下を招
来する恐れがある。
の幅をｂとすると、各電極のピッチＰs 及びＰl を、 Ｐl ＝Ｐs ＝ａ＋ｂ とすることにより各電極を１：１に対応させることがで
きるが、接触幅ｗは、 ０≦ｗ≦〔ａ，ｂ〕 （但し〔ａ，ｂ〕をａとｂのうち、より小なる値を示
す）の範囲で変動することとなり、接触抵抗にばらつき
が生じてしまい、最悪の場合はオープン不良を発生させ
る恐れがある。更にこのように１：１に対応させる場合
は、図５に示すようにθ方向（回転方向）の位置合わせ
裕度が小さいためにショートし易く、歩留りの低下を招
来する恐れがある。
【０００８】本発明は、上述したような多数本のレーザ
が１０μｍ程度の狭ピッチをもって配されて成るマルチ
ビーム半導体レーザと配線基板との接触面積のばらつき
を抑制すると共に回転方向の合わせ裕度を大として位置
合わせを確実に行い、且つ各レーザビームに接続される
電極を全数測定を行わずに選定できるようにする。
が１０μｍ程度の狭ピッチをもって配されて成るマルチ
ビーム半導体レーザと配線基板との接触面積のばらつき
を抑制すると共に回転方向の合わせ裕度を大として位置
合わせを確実に行い、且つ各レーザビームに接続される
電極を全数測定を行わずに選定できるようにする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるマルチビー
ム半導体レーザ装置は、その一例の略線的構成図を図１
に示すように、独立制御の配線基板２を有するマルチビ
ーム半導体レーザ装置において、レーザ１の電極１ａの
ピッチＰl に対し、配線基板２側の電極２ａのピッチＰ
s を、Ｐs ＝（１／ｎ）Ｐl （ｎは２以上の整数）と
し、レーザ１の電極１ａに対し、配線基板２側の電極２
ａが、一定周期をもって接触する構成とする。
ム半導体レーザ装置は、その一例の略線的構成図を図１
に示すように、独立制御の配線基板２を有するマルチビ
ーム半導体レーザ装置において、レーザ１の電極１ａの
ピッチＰl に対し、配線基板２側の電極２ａのピッチＰ
s を、Ｐs ＝（１／ｎ）Ｐl （ｎは２以上の整数）と
し、レーザ１の電極１ａに対し、配線基板２側の電極２
ａが、一定周期をもって接触する構成とする。
【００１０】
【作用】上述したように、本発明マルチビーム半導体レ
ーザ装置によれば、レーザの電極１ａのピッチＰl に対
し、基板電極２ａのピッチＰs を、Ｐs ＝（１／ｎ）Ｐ
l として構成することから、各電極の幅を適切な値に設
定することにより少なくとも１本以上の配線基板側の電
極２ａがレーザ側の電極１ａと確実に接触するようにな
すことができて、オープン不良を低減化し、接触面積の
ばらつきを抑制することができる。
ーザ装置によれば、レーザの電極１ａのピッチＰl に対
し、基板電極２ａのピッチＰs を、Ｐs ＝（１／ｎ）Ｐ
l として構成することから、各電極の幅を適切な値に設
定することにより少なくとも１本以上の配線基板側の電
極２ａがレーザ側の電極１ａと確実に接触するようにな
すことができて、オープン不良を低減化し、接触面積の
ばらつきを抑制することができる。
【００１１】また、レーザ側の電極１ａに対し２以上の
配線基板側の電極２ａが対応することから、この配線基
板側の電極２ａの一部を不使用電極とすることによっ
て、回転方向のずれに対しても、短絡を生じにくい構成
とすることができる。
配線基板側の電極２ａが対応することから、この配線基
板側の電極２ａの一部を不使用電極とすることによっ
て、回転方向のずれに対しても、短絡を生じにくい構成
とすることができる。
【００１２】更に、レーザの電極２ａに対して基板の電
極１ａは一定の周期で対応し、即ち基板側電極２ａが周
期的に接触することから、レーザビームの本数に係わら
ず、レーザビーム１本に相当する配線側の電極２ａの導
通を少なくとも１ヵ所測定すれば、どの入力端子を選択
すべきかが全体のレーザビームについて定まることとな
る。即ち全数測定を行うことなく、各ビームの配線を選
定することができる。
極１ａは一定の周期で対応し、即ち基板側電極２ａが周
期的に接触することから、レーザビームの本数に係わら
ず、レーザビーム１本に相当する配線側の電極２ａの導
通を少なくとも１ヵ所測定すれば、どの入力端子を選択
すべきかが全体のレーザビームについて定まることとな
る。即ち全数測定を行うことなく、各ビームの配線を選
定することができる。
【００１３】従って、本発明マルチビーム半導体レーザ
装置によれば、１０μピッチ程度の狭小なピッチのビー
ム間隔とする場合において、充分このピッチに比し小さ
い位置合わせ精度を得られない場合においても、その電
極間の接触面積のばらつきを格段に抑制し、オープン不
良及び短絡を抑制して、歩留りの向上をはかることがで
きる。
装置によれば、１０μピッチ程度の狭小なピッチのビー
ム間隔とする場合において、充分このピッチに比し小さ
い位置合わせ精度を得られない場合においても、その電
極間の接触面積のばらつきを格段に抑制し、オープン不
良及び短絡を抑制して、歩留りの向上をはかることがで
きる。
【００１４】
【実施例】以下本発明マルチビーム半導体レーザ装置の
一例を、図面を参照して詳細に説明する。図１におい
て、１は化合物半導体等より成るマルチビーム半導体レ
ーザで、各レーザ発光部（図示せず）毎に素子分離溝３
が設けられて分離されてなる。１ａは、所定のピッチＰ
l 、幅ａ及び間隔ｄを有するそれぞれ独立に分離された
電極で、例えば図１の紙面と直交する方向に延長するス
トライプ状のパターンとして形成される。１ｂは基板の
裏面側に全面的に被着された電極を示す。２は熱伝導性
の良い例えばＳｉ等より成る配線基板を示し、レーザ１
をマウントする側に、所定のピッチＰs 、幅ｂ及び間隔
ｃをもって電極２ａがレーザ１側の電極１ａと同様にス
トライプ状パターンとしてパターニング形成されて成
る。そしてこの基板側の電極２ａのピッチＰs を、レー
ザの電極１ａのピッチＰl の１／ｎ（ｎは２以上の整
数）として形成する。
一例を、図面を参照して詳細に説明する。図１におい
て、１は化合物半導体等より成るマルチビーム半導体レ
ーザで、各レーザ発光部（図示せず）毎に素子分離溝３
が設けられて分離されてなる。１ａは、所定のピッチＰ
l 、幅ａ及び間隔ｄを有するそれぞれ独立に分離された
電極で、例えば図１の紙面と直交する方向に延長するス
トライプ状のパターンとして形成される。１ｂは基板の
裏面側に全面的に被着された電極を示す。２は熱伝導性
の良い例えばＳｉ等より成る配線基板を示し、レーザ１
をマウントする側に、所定のピッチＰs 、幅ｂ及び間隔
ｃをもって電極２ａがレーザ１側の電極１ａと同様にス
トライプ状パターンとしてパターニング形成されて成
る。そしてこの基板側の電極２ａのピッチＰs を、レー
ザの電極１ａのピッチＰl の１／ｎ（ｎは２以上の整
数）として形成する。
【００１５】これらレーザ１及び配線基板２の各平面図
を図２に示す。マルチビーム半導体レーザ１にはその発
光部に沿ってストライプ状の電極１ａが形成される。配
線基板２の表面には、ＳｉＯ2 、ＳｉＮX 等の絶縁層を
介してＡｕ／Ｔｉ等の積層金属による配線パターンが形
成される。例えばその一辺に、レーザ１の電極１ａに対
応して上述したようにピッチを選定してストライプ状の
電極２ａが形成され、各電極２ａと端子用パッド２ｄと
が接続される。図２に示すように、この場合矢印ｙで示
すストライプ状電極１ａ及び２ａの延長方向の位置合わ
せ裕度は比較的大となるが、これとは直交する方向（ｘ
方向）、或いは回転方向（θ方向）の位置合わせ精度が
問題となる。
を図２に示す。マルチビーム半導体レーザ１にはその発
光部に沿ってストライプ状の電極１ａが形成される。配
線基板２の表面には、ＳｉＯ2 、ＳｉＮX 等の絶縁層を
介してＡｕ／Ｔｉ等の積層金属による配線パターンが形
成される。例えばその一辺に、レーザ１の電極１ａに対
応して上述したようにピッチを選定してストライプ状の
電極２ａが形成され、各電極２ａと端子用パッド２ｄと
が接続される。図２に示すように、この場合矢印ｙで示
すストライプ状電極１ａ及び２ａの延長方向の位置合わ
せ裕度は比較的大となるが、これとは直交する方向（ｘ
方向）、或いは回転方向（θ方向）の位置合わせ精度が
問題となる。
【００１６】先ずｘ方向の位置合わせについて説明す
る。この場合、図１において示すレーザ１の電極１ａの
幅ａを、 （ｎ−２）ｂ＋（ｎ−１）ｃ＜ａ＜（ｎ−１）ｂ＋ｎｃ （但しｎは２以上の整数）となるように選定することに
より、各レーザビームの電極１ａを、連続して（ｎ−
１）本またはｎ本の基板２側の電極２ａと導通させるこ
とができる。
る。この場合、図１において示すレーザ１の電極１ａの
幅ａを、 （ｎ−２）ｂ＋（ｎ−１）ｃ＜ａ＜（ｎ−１）ｂ＋ｎｃ （但しｎは２以上の整数）となるように選定することに
より、各レーザビームの電極１ａを、連続して（ｎ−
１）本またはｎ本の基板２側の電極２ａと導通させるこ
とができる。
【００１７】この例においては、例えば、ｎ＝３、Ｐl
＝１２μｍ、Ｐs ＝４μｍ、ｂ＝３μｍ、ｃ＝１μｍと
するとき、 ５μｍ＜ａ＜９μｍ と選定すれば、レーザ１側の電極１ａは、それぞれ２本
または３本の配線基板２側の電極２ａに接触することと
なる。ａ＝７μｍとすると接触幅ｗは、 ５μｍ＜ｗ＜６μｍ となる。Ｐl ：Ｐs ＝１：１とされる従来構成の半導体
レーザ装置においては、前述したように接触幅ｗは０≦
ｗ≦〔ａ，ｂ〕であることから、上述したように電極幅
を設定した場合は、電極の接触幅は０≦ｗ≦３μｍとな
る。従って、本発明半導体レーザ装置によれば、この接
触幅ｗを従来構成に比し大とすることができ、且つその
ばらつきを抑制することができる。
＝１２μｍ、Ｐs ＝４μｍ、ｂ＝３μｍ、ｃ＝１μｍと
するとき、 ５μｍ＜ａ＜９μｍ と選定すれば、レーザ１側の電極１ａは、それぞれ２本
または３本の配線基板２側の電極２ａに接触することと
なる。ａ＝７μｍとすると接触幅ｗは、 ５μｍ＜ｗ＜６μｍ となる。Ｐl ：Ｐs ＝１：１とされる従来構成の半導体
レーザ装置においては、前述したように接触幅ｗは０≦
ｗ≦〔ａ，ｂ〕であることから、上述したように電極幅
を設定した場合は、電極の接触幅は０≦ｗ≦３μｍとな
る。従って、本発明半導体レーザ装置によれば、この接
触幅ｗを従来構成に比し大とすることができ、且つその
ばらつきを抑制することができる。
【００１８】またこのとき、レーザビームの本数と、そ
のｎ倍に相当する基板電極の数を異ならせる構成とする
ことにより、ｘ方向の位置ずれによって、使用可能なレ
ーザビーム数が変動することを回避できる。例えばレー
ザ側の電極１ａの本数に対応する全幅を図２に示すよう
にＷ1 、配線電極２ａの本数に対応する全幅をＷ2 と
し、マウントの最大誤差をΔｘとすると、 Ｗ1 −Ｗ2 ＞Δｘ、（但しＷ1 ＞Ｗ2 ） 又は Ｗ2 −Ｗ1 ＞Δｘ、（但しＷ1 ＜Ｗ2 ） となるように、それぞれＷ1 及びＷ2 を設定して、即ち
レーザビームの本数と、これに対応する基板電極の本数
とを異ならせることによって、ｘ方向の位置ずれによっ
て最終的に得るレーザビームの本数にばらつきが生じる
ことを回避できる。
のｎ倍に相当する基板電極の数を異ならせる構成とする
ことにより、ｘ方向の位置ずれによって、使用可能なレ
ーザビーム数が変動することを回避できる。例えばレー
ザ側の電極１ａの本数に対応する全幅を図２に示すよう
にＷ1 、配線電極２ａの本数に対応する全幅をＷ2 と
し、マウントの最大誤差をΔｘとすると、 Ｗ1 −Ｗ2 ＞Δｘ、（但しＷ1 ＞Ｗ2 ） 又は Ｗ2 −Ｗ1 ＞Δｘ、（但しＷ1 ＜Ｗ2 ） となるように、それぞれＷ1 及びＷ2 を設定して、即ち
レーザビームの本数と、これに対応する基板電極の本数
とを異ならせることによって、ｘ方向の位置ずれによっ
て最終的に得るレーザビームの本数にばらつきが生じる
ことを回避できる。
【００１９】例えばＷ1 ＞Ｗ2 とする場合は、レーザビ
ームの本数を最終的に使用するビームの本数に比し大と
して形成することとなり、配線基板２側の電極２ａの本
数に対応して、これに接続されるレーザ電極１ａの本数
が半導体レーザ装置全体のレーザビームの本数となる。
ームの本数を最終的に使用するビームの本数に比し大と
して形成することとなり、配線基板２側の電極２ａの本
数に対応して、これに接続されるレーザ電極１ａの本数
が半導体レーザ装置全体のレーザビームの本数となる。
【００２０】一方、Ｗ1 ＜Ｗ2 とする場合は、レーザビ
ームの本数に対応して、これと接続される基板側の電極
２ａのみがレーザビームの端子となる。この場合は、レ
ーザチップのビーム数が半導体レーザ装置全体のレーザ
ビームの本数となる。
ームの本数に対応して、これと接続される基板側の電極
２ａのみがレーザビームの端子となる。この場合は、レ
ーザチップのビーム数が半導体レーザ装置全体のレーザ
ビームの本数となる。
【００２１】このようにすることによって、最終的に得
るレーザビームの本数がｘ方向の位置ずれによるばらつ
きを生じることなく選定されることとなり、所定のビー
ム数の半導体レーザ装置を確実に得ることができる。
るレーザビームの本数がｘ方向の位置ずれによるばらつ
きを生じることなく選定されることとなり、所定のビー
ム数の半導体レーザ装置を確実に得ることができる。
【００２２】尚、半導体レーザチップにおいて、レーザ
の本数の増減は多少であれば何ら製造工程の増加を招く
ことなく形成することができる。従って、Ｗ1 ＞Ｗ2 と
して、レーザチップのビーム本数を最終的に得るレーザ
ビームの本数に比し大として構成する場合は、これと配
線基板２とを接続した後の、不用な端子を選定する手間
を省くことができる。即ちこの場合、使用する端子の選
別に要する測定端子数はｎ本となり、測定端子数を最小
とすることができる。
の本数の増減は多少であれば何ら製造工程の増加を招く
ことなく形成することができる。従って、Ｗ1 ＞Ｗ2 と
して、レーザチップのビーム本数を最終的に得るレーザ
ビームの本数に比し大として構成する場合は、これと配
線基板２とを接続した後の、不用な端子を選定する手間
を省くことができる。即ちこの場合、使用する端子の選
別に要する測定端子数はｎ本となり、測定端子数を最小
とすることができる。
【００２３】次に、θ方向の位置ずれについて図３Ａ及
びＢを参照して説明する。先ず、配線基板２側の電極２
ａを全て使用する場合は、図３Ａに示すように、配線電
極２、又はレーザ電極１ａの長さのうち小なる長さ、即
ち実質的に接触する長さをＬとすると、短絡を回避でき
る最大の回転角度θmax は、 θmax ＝ｔａｎ-1（ｃ／Ｌ） と表される。
びＢを参照して説明する。先ず、配線基板２側の電極２
ａを全て使用する場合は、図３Ａに示すように、配線電
極２、又はレーザ電極１ａの長さのうち小なる長さ、即
ち実質的に接触する長さをＬとすると、短絡を回避でき
る最大の回転角度θmax は、 θmax ＝ｔａｎ-1（ｃ／Ｌ） と表される。
【００２４】これに対し、レーザ電極１ａに対応するｎ
本の基板側の電極２ａのうち、１本を不使用とする場合
は、図３Ｂに示すように、その短絡を回避できる最大回
転角度θmax は、 θmax ＝ｔａｎ-1（（ｂ＋２ｃ）／Ｌ） となり、全電極を使用する場合に比してその回転方向の
位置合わせ裕度は大となる。この場合余裕度は広がる
が、不使用電極２ｂを設けることとなるために、全体と
しての電極１ａ及び２ａの接触面積が減少するという点
で不利となる。従って前述したようなマウント装置のθ
方向の精度を考慮して適切な設計を行うことが望まし
い。
本の基板側の電極２ａのうち、１本を不使用とする場合
は、図３Ｂに示すように、その短絡を回避できる最大回
転角度θmax は、 θmax ＝ｔａｎ-1（（ｂ＋２ｃ）／Ｌ） となり、全電極を使用する場合に比してその回転方向の
位置合わせ裕度は大となる。この場合余裕度は広がる
が、不使用電極２ｂを設けることとなるために、全体と
しての電極１ａ及び２ａの接触面積が減少するという点
で不利となる。従って前述したようなマウント装置のθ
方向の精度を考慮して適切な設計を行うことが望まし
い。
【００２５】尚、上述の実施例においては、ｎ＝３とし
た場合を説明したが、このｎは２以上の整数であればよ
い。しかしながら、ｎが極端に大となる場合は、この基
板側の電極２ａの幅及びピッチが小となり、端子数の増
大化による組立て工程の煩雑化等の不都合が生じる恐れ
があり、ｎ＝２〜３程度とすることが望ましい。
た場合を説明したが、このｎは２以上の整数であればよ
い。しかしながら、ｎが極端に大となる場合は、この基
板側の電極２ａの幅及びピッチが小となり、端子数の増
大化による組立て工程の煩雑化等の不都合が生じる恐れ
があり、ｎ＝２〜３程度とすることが望ましい。
【００２６】また本発明マルチビーム半導体レーザ装置
は、上述の実施例に限ることなく、その他種々の変形変
更をなし得ることはいうまでもない。
は、上述の実施例に限ることなく、その他種々の変形変
更をなし得ることはいうまでもない。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、レー
ザの電極１ａのピッチＰl とに対し、基板電極２ａのピ
ッチＰs を、Ｐs ＝（１／ｎ）Ｐl とすることから、狭
いビーム間隔、例えば５０μｍ以下の１０μｍピッチ程
度のビーム間隔のマルチビーム半導体レーザ装置におい
て、このビーム間隔に比し十分小さい位置合わせ精度を
得られない場合においても、容易に電極端子の接続を行
うことができ、マルチビーム半導体レーザ装置の歩留り
の向上をはかることができる。
ザの電極１ａのピッチＰl とに対し、基板電極２ａのピ
ッチＰs を、Ｐs ＝（１／ｎ）Ｐl とすることから、狭
いビーム間隔、例えば５０μｍ以下の１０μｍピッチ程
度のビーム間隔のマルチビーム半導体レーザ装置におい
て、このビーム間隔に比し十分小さい位置合わせ精度を
得られない場合においても、容易に電極端子の接続を行
うことができ、マルチビーム半導体レーザ装置の歩留り
の向上をはかることができる。
【００２８】即ち少なくとも１本以上の配線基板側の電
極２ａがレーザ側の電極１ａと確実に接触することか
ら、電極間の接触面積を大とし、且つそのばらつきを抑
制することができ、オープン不良を低減化することがで
きる。
極２ａがレーザ側の電極１ａと確実に接触することか
ら、電極間の接触面積を大とし、且つそのばらつきを抑
制することができ、オープン不良を低減化することがで
きる。
【００２９】また、レーザ側の電極１ａに対し複数の配
線基板側の電極２ａが対応する場合には、例えばこの配
線基板側の電極２ａの一部を不使用電極とすることによ
って、回転方向のずれに対しても、短絡を生じにくい構
成とすることができる。
線基板側の電極２ａが対応する場合には、例えばこの配
線基板側の電極２ａの一部を不使用電極とすることによ
って、回転方向のずれに対しても、短絡を生じにくい構
成とすることができる。
【００３０】更に、レーザの電極１ａに対して基板の電
極２ａが周期的に対応して接触することから、レーザビ
ームの本数に係わらず、ごく一部の端子を測定すること
により、入力端子の選別を行うことができる。
極２ａが周期的に対応して接触することから、レーザビ
ームの本数に係わらず、ごく一部の端子を測定すること
により、入力端子の選別を行うことができる。
【００３１】更にまた、レーザビームの本数と、これに
対応する基板側の電極の本数とを異ならせることによ
り、最終的に得るレーザビーム本数のばらつきを回避す
ることができ、特に位置ずれによるレーザチップのビー
ム本数を、必要とするビーム本数より大として構成する
ことによって、不良品の発生の増加を抑制し、また入力
端子の選別に要する端子数を最小のｎ本とすることがで
き、組み立て工程の簡易化をはかって生産性の向上をは
かり、量産に適したマルチビーム半導体レーザ装置を得
ることができる。
対応する基板側の電極の本数とを異ならせることによ
り、最終的に得るレーザビーム本数のばらつきを回避す
ることができ、特に位置ずれによるレーザチップのビー
ム本数を、必要とするビーム本数より大として構成する
ことによって、不良品の発生の増加を抑制し、また入力
端子の選別に要する端子数を最小のｎ本とすることがで
き、組み立て工程の簡易化をはかって生産性の向上をは
かり、量産に適したマルチビーム半導体レーザ装置を得
ることができる。
【図１】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の一例の
要部の略線的構成図である。
要部の略線的構成図である。
【図２】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の一例の
要部の略線的平面図である。
要部の略線的平面図である。
【図３】本発明マルチビーム半導体レーザ装置の位置合
わせ裕度の説明図である。
わせ裕度の説明図である。
【図４】従来のマルチビーム半導体レーザ装置の一例の
略線的構成図である。
略線的構成図である。
【図５】マルチビーム半導体レーザ装置の一例の要部の
略線的平面図である。
略線的平面図である。
１ マルチビーム半導体レーザ １ａ 電極 ２ 配線基板 ２ａ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 独立制御の配線基板を有するマルチビー
ム半導体レーザ装置において、 レーザの電極のピッチＰl に対し、配線基板側の電極の
ピッチＰs が Ｐs ＝（１／ｎ）Ｐl （ｎは２以上の整数） とされ、上記レーザの電極に対し、上記配線基板側の電
極が、一定周期をもって接触するようになされたことを
特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04724892A JP3200924B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04724892A JP3200924B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251826A JPH05251826A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3200924B2 true JP3200924B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=12769952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04724892A Expired - Fee Related JP3200924B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200924B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP04724892A patent/JP3200924B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251826A (ja) | 1993-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |