JP3201251B2 - 誘電体素子の製造方法 - Google Patents
誘電体素子の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体素子の製造方
法、特にケミカルエッチングによる誘電体材料の微細加
工に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、不揮発性メモリの開発にともない
強誘電体をはじめ誘電体材料の微細加工技術の重要性が
高まっている。 【０００３】ＰｂＴｉＯ3、ＰＺＴ、ＰＬＺＴをはじめ
とする強誘電体の微細加工方法として、反応性ガスを用
いたリアクティブイオンエッチング法が主として検討さ
れている。しかし、これらの材料の反応性およびエッチ
ングレートは低く、試料温度を数百℃まで加熱した報告
がなされている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
リアクティブイオンエッチングにおいて、強誘電体はエ
ッチングレートが小さく、フォトレジストとのエッチン
グレート比（選択比）も小さい。従って、強誘電体を用
いたデバイス、特に焦電体、圧電体デバイスのように強
誘電体の膜厚が数μｍ必要な場合には、エッチングプロ
セスに１時間以上を要することや、フォトレジストが、
強誘電体のエッチング終了時までに完全にエッチング除
去されてしまうという問題を有していた。その結果、誘
電体膜がダメージを受けた。 【０００５】さらに、上記の方法では、パターン側壁に
エッチング残渣が再付着するといった課題が存在した。 【０００６】一方、ペロブスカイト酸化物である強誘電
体のケミカルエッチングにおいて、従来のエッチャント
のみのプロセスでは、基板や電極上に残渣が発生する課
題があった。さらに、サイドエッチングにより、パター
ン形状の再現性に課題があった。 【０００７】本発明の目的は、誘電体素子の製造方法、
特に簡便で、フォトレジストのダメージが少なく、プロ
セス時間が短く、パターン側壁、成膜基板上あるいは電
極膜上に残渣が発生しない、パターンの再現性に優れ
た、誘電体のケミカルエッチングによる微細加工技術を
供給することである。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下本発明の誘電体素子の製造方
法に関する一実施例について、図面を参照しながら説明
する。 【０００９】（実施例１） 図１に、本発明の一実施例の誘電体素子の断面図を、図
２にその作製プロセスの断面図を示す。基板１０１とし
てＭｇＯ単結晶基板（厚さ５００μｍ）を用いた。基板
１０１の上に、Ｐｔ薄膜を下部金属電極膜１０２として
形成した。この下部金属電極膜１０２は、高周波マグネ
トロンスパッタ法により作製した。 【００１０】スパッタ成膜条件は、基板温度が６００
℃、スパッタガスはＡｒ（９５％）と酸素（５％）の混
合ガスで、ガス圧は０．５Ｐａ、高周波投入パワー密度
は２．５Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨｚ）で、成膜時間
は１時間であった。膜の厚さは０．１５μｍであった。
さらに、前記下部金属電極膜１０２上に、ＰｂＺｒ0.55
Ｔｉ0.45Ｏ3なる組成の誘電体膜１０３を形成した。そ
の成膜方法を以下に述べる。 【００１１】ＰｂＺｒ0.55Ｔｉ0.45Ｏ3の薄膜の成膜に
は、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いた。基板
は、ステンレス製基板ホルダに取り付けて成膜した。タ
ーゲットは、ＰｂＯ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2の粉末を混合
し、銅製皿に入れて用いた。粉末の混合比は、膜組成に
対してＰｂＯを２０ｍｏｌ％過剰に加えた。スパッタの
成膜条件は、基板温度が６５０℃、スパッタガスはＡｒ
（９０％）と酸素（１０％）の混合ガスで、ガス圧は
０．９Ｐａ、高周波投入パワー密度は２．０Ｗ／ｃｍ2
（１３．５６ＭＨｚ）であった。膜の厚さは３μｍであ
った。 【００１２】さらに、前記誘電体膜１０３上に、Ｐｔ薄
膜である上部金属電極膜１０４を形成した。上部金属電
極膜１０４の作成方法、条件、特性は下部金属電極膜１
０２と同様にして行った。 【００１３】この後、上部金属電極膜１０４上に、フォ
トレジスト１０５によりマスクパターンを形成した後
に、上部金属電極膜１０４をスパッタエッチングにより
パターニングした。 【００１４】図３にエッチング装置の断面図を示す。図
３において、３０１はエッチング試料、３０２は反応チ
ャンバー、３０３は高周波印加電極、３０４は対向電
極、３０５は排気系、３０６は高周波電源、３０７はガ
ス供給源である。電極３０３と３０４は平行に配置され
ている。さらに、高周波電極３０３には１３．５６ＭＨ
ｚの高周波が印加されている。また、この高周波印加電
極は裏面より水冷されている。なお、電極３０３の直径
は１０インチである。 【００１５】エッチング試料３０１は高周波印加電極３
０３上に配置されている。エッチングは、真空度０．０
６Ｔｏｒｒ、Ａｒガス流量１０ＳＣＣＭ、プラズマパワ
ー１７０Ｗの条件で、１５分を要した。 【００１６】続いて、パターニングした上部金属電極膜
１０４をマスクとし、誘電体膜１０３を、ケミカルエッ
チングによりパターニングを行なった。エッチャントは
フッ化水素酸水溶液に酸化剤または硫酸または塩酸を添
加したものを用いた。そして、亜硫酸水溶液（３５％）
と酢酸の体積比が１対５である組成の前処理液に０．２
〜３分浸漬した後、塩酸のモル濃度が５ｍｏｌ／ｌの組
成の後処理液に０．２〜３分浸漬して誘電体膜およびエ
ッチング残渣を完全にエッチングした。 【００１７】さらに続いて、下部金属電極膜１０１も同
様にして、スパッタエッチングによりパターニングを行
い、誘電体素子を作製した。 【００１８】 【表１】 【００１９】上記の誘電体のエッチャント中に添加する
酸化剤は、過マンガン酸カリウム、二クロム酸カリウ
ム、二酸化マンガン、硝酸から選択され、このような酸
化剤、および硫酸、塩酸の中から少なくとも１種以上を
選択し、使用することが望ましかった。酸化剤、硫酸、
および塩酸の添加量と誘電体膜のエッチングレートの関
係を（表１）に示した。表１の結果より、酸化剤、硫
酸、または塩酸をエッチャントに添加することにより誘
電体のエッチングレートが大幅に向上している。ここ
で、エッチャントを構成するフッ化水素酸の酸化剤、硫
酸、または塩酸に対するモル比が、０．０５以上２００
０以下で、エッチングレートの向上が見られた。その結
果、エッチングプロセスの短縮化が可能であり、エッチ
ャントによるフォトレジストのダメージの低減が図れる
点で有効である。さらに、サイドエッチング量が減少す
るために、パターンの再現性の向上が図れる点で有効で
ある。 【００２０】また、エッチャント中のフッ化水素酸の最
適量を明確化するために、誘電体膜パターンのテーパー
角度とエッチャント中のフッ化水素酸の含有率の関係を
検討した。酸化剤として二酸化マンガンを、フッ化水素
酸の酸化剤に対するモル比が４の場合の結果を、図５に
示した。ここで、図４に誘電体膜パターンのテーパー角
度の定義を示した。 【００２１】図５より、エッチャントを構成するフッ化
水素酸のモル濃度が、０．１ｍｏｌ／ｌ以上１５ｍｏｌ
／ｌ以下の範囲では、誘電体膜パターンのテーパー角度
が４５度以上となり、素子作製として適切であった。フ
ッ化水素酸のモル濃度が１ｍｏｌ／ｌ以上１０ｍｏｌ／
ｌ以下の範囲において、誘電体膜パターンのテーパー角
度が６５度以上となり、パターン側壁が切り立ち、パタ
ーン再現性の観点から特に好ましかった。 【００２２】なお、表１に示した二酸化マンガン以外の
酸化剤、硫酸および塩酸の場合においても、フッ化水素
酸の濃度範囲は同様であった。 【００２３】さらにエッチャント、前処理液、後処理液
の各工程の時間を減少させて上記の一連の工程を少なく
とも２回以上繰り返すことも可能である。一連の工程を
複数回繰り返した場合には、各薬液に浸透した時間が１
回のみの工程と同じ場合でも、テーパー角度が２〜３度
改善された。特にＺｒを含む誘電体膜には効果が見られ
た。 【００２４】（実施例２） 図６に、本発明の一実施例の誘電体素子の断面図を、図
７にその作製プロセスの断面図を示す。基板６０１とし
てＭｇＯ単結晶基板（厚さ５００μｍ）を用いた。基板
６０１の上に、ＰｂＴｉＯ3なる組成の誘電体膜６０２
を形成した。この誘電体膜６０２は、実施例１と同様に
高周波マグネトロンスパッタ法により作製した。ターゲ
ットは、ＰｂＯ，ＴｉＯ2の粉末を混合し、銅製皿に入
れて用いた。粉末の混合比は、膜組成に対してＰｂＯを
２０ｍｏｌ％過剰に加えた。スパッタの成膜条件は、基
板温度が６００℃、スパッタガスはＡｒ（９０％）と酸
素（１０％）の混合ガスで、ガス圧は０．９Ｐａ、高周
波投入パワー密度は２．０Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨ
ｚ）であった。膜の厚さは３μｍであった。 【００２５】続いて、誘電体膜６０２上にパターニング
したフォトレジスト６０３をマスクとして形成した後
に、誘電体膜６０２をケミカルエッチングによりパター
ニングした。エッチャントはフッ化水素酸水溶液に酸化
剤として二クロム酸カリウムを添加したものを用いた。
フッ化水素酸のモル濃度は５ｍｏｌ／ｌであり、フッ化
水素酸の二クロム酸カリウムに対するモル比は４とし
た。そして、還元剤から構成される前処理液に０．２〜
３分浸漬した。続いて、塩酸のモル濃度が５ｍｏｌ／ｌ
の組成の後処理液に０．２〜３分浸漬して、誘電体膜お
よびエッチング残渣を完全にエッチングした。最後に、
フォトレジストを化学的に除去した。 【００２６】 【表２】 【００２７】ここで、前処理液を構成する還元剤として
は、過酸化水素、シュウ酸、ヨウ化カリウム、亜硫酸、
塩化スズ（ＩＩ）、ホルムアルデヒドの中の少なくとも
１つより構成されることが好ましかった。（表２）に結
果を示した。ここで、前処理液を構成する還元剤の濃度
は、０．０５ｍｏｌ／ｌ以上５ｍｏｌ／ｌ以下の範囲に
おいて、残渣が発生することなく誘電体をパターニング
できた。さらに還元剤のモル濃度が、０．１ｍｏｌ／ｌ
以上１ｍｏｌ／ｌ以下の範囲では、前処理液への浸漬時
間の短縮化が可能であり特に有効であることが明らかと
なった。なお、比較実験として、前処理液に還元剤の代
わりに代表的な酸化剤である過マンガン酸カリウムを添
加したが、誘電体膜のエッチング残渣が基板上に多数存
在し後処理液後においても除去不可能であった。さらに
エッチャント、前処理液、後処理液の各工程の時間を減
少させて上記のー連の工程を少なくとも２回以上繰り返
すことも可能である。一連の工程を複数回繰り返した場
合には、各薬液に浸透した時間が１回のみの工程と同じ
場合でも、テーパ一角度が２〜３度改善された。特にＺ
ｒを含む誘電体膜には効果が見られた。 【００２８】（実施例３） 図８に、本発明の一実施例の誘電体素子の断面図を、図
９にその作製プロセスの断面図を示す。基板８０１とし
てＳｉ単結晶基板（厚さ５００μｍ）を用いた。基板８
０１の上に、Ｔｉ薄膜を密着層８０２として高周波マグ
ネトロンスッパタ法により形成した後、Ｐｔ薄膜を下部
金属電極膜８０３として密着層８０２上に形成した。こ
の下部金属電極膜８０３は、実施例１と同様にして作成
を行った。また、密着層８０２の成膜条件は、基板温度
が６００℃、スパッタガスはＡｒガスで、ガス圧は０．
７Ｐａ、高周波投入パワー密度は５．０Ｗ／ｃｍ2（１
３．５６ＭＨｚ）、成膜時間は５分であった。 【００２９】続いて、前記下部金属電極膜８０３上に、
ＢａＴｉＯ3または、ＳｒＴｉＯ3なる組成の誘電体膜８
０４を形成した。誘電体膜の作成方法を以下に示す。 【００３０】ＢａＴｉＯ3なる組成を有する誘電体膜
は、実施例１と同様に高周波スパッタ法により作成し
た。ターゲットは、ＢａＴｉＯ3の組成を有する焼結体
を用いた。スパッタの成膜条件は、基板温度が７００
℃、スパッタガスはＡｒ（９０％）と酸素（１０％）の
混合ガスで、ガス圧は０．９Ｐａ、高周波投入パワー密
度は２．０Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨｚ）であった。
膜の厚さは３μｍであった。 【００３１】さらに、ＳｒＴｉＯ3なる組成を有する誘
電体膜は、実施例１と同様に高周波スパッタ法により作
成した。ターゲットは、ＳｒＴｉＯ3の組成を有する焼
結体を用いた。スパッタの成膜条件は、基板温度が５０
０℃、スパッタガスはＡｒ（９０％）と酸素（１０％）
の混合ガスで、ガス圧は０．９Ｐａ、高周波投入パワー
密度は２．０Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨｚ）であっ
た。膜の厚さは３μｍであった。 【００３２】そして、誘電体膜８０４上に、フォトレジ
スト８０５によりマスクパターンを形成した後に、誘電
体膜８０４を、ケミカルエッチングによりパターニング
を行なった。エッチャントはフッ化水素酸水溶液に酸化
剤として過マンガン酸カリウムを添加したものを用い
た。フッ化水素酸のモル濃度は５ｍｏｌ／ｌであり、フ
ッ化水素酸の過マンガン酸カリウムに対するモル比は５
とした。続いて、ヨウ化カリウム水溶液（０．１ｍｏｌ
／ｌ）と酢酸の体積比が１対５である組成の前処理液に
０．２〜３分浸漬した後、後処理液に０．２〜３分浸漬
して誘電体膜およびエッチング残渣を完全にエッチング
した。最後に、フォトレジストを化学的に除去した後
に、実施例１と同様の工程により金属電極膜をパターニ
ングして誘電体素子を作製した。 【００３３】 【表３】 【００３４】ここで、後処理液を構成する酸は、塩酸、
酢酸、硫酸または硝酸の中の少なくとも１種より構成さ
れることが適当であった。（表３）に、誘電体膜８０４
の組成がＢａＴｉＯ3の場合について、結果を示した。
ここで、後処理液を構成する酸の濃度が、０．１ｍｏ１
／１以上１２ｍｏｌ／ｌ以下の範囲において、残渣が発
生することなく誘電体をパターニングできた。特に、酸
の濃度が、１．０ｍｏｌ／ｌ以上６．５ｍｏｌ／ｌ以下
の範囲では、後処理液への浸漬時間の短縮化が可能であ
り、パターン再現性の観点から特に有効であることが明
らかとなった。また、誘電体膜８０４がＳｒＴｉ０3の
場合も同様の結果を得た。さらにエッチャント、前処理
液、後処理液の各工程の時間を減少させて上記のー連の
工程を少なくとも２回以上繰り返すことも可能である。
一連の工程を複数回繰り返した場合には、各薬液に浸透
した時間が１回のみの工程と同じ場合でも、テーパー角
度が２〜３度改善された。特にＺｒを含む誘電体膜には
効果が見られた。 【００３５】なお、本実施例１，２および３において、
誘電体として、ＰｂＺｒ0.55Ｔｉ0.45Ｏ3，ＰｂＴｉ
Ｏ3、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3を例とし、その成膜方
法も高周波スパッタ方法であった。しかし、本発明が他
の組成の誘電体、あるいはＣＶＤ法やゾルーゲル法をは
じめとする他の成膜方法による誘電体膜においても有効
であることは明らかである。さらに、誘電体が薄膜以外
の形態においても本発明が有効であることは明らかであ
る。 【００３６】また、本実施例１および３において、金属
電極膜として、Ｐｔについて例示したが、他の金属材料
についても本発明が有効であることは明らかである。 【００３７】さらに、本実施例１，２および３におい
て、基板材料としてＭｇＯ単結晶基板およびＳｉ単結晶
基板を例示した。しかし、本発明が他の単結晶基板や、
ガラス基板、ステンレス金属基板等の非単結晶基板にお
いても有効であることは明らかである。 【００３８】さらにまた、本実施例１，２および３にお
いて、エッチャントに添加する酸化剤として、過マンガ
ン酸カリウム、二クロム酸カリウム、二酸化マンガン、
および硝酸を使用した。しかし、他の酸化剤も同様の効
果が得られることは明らかである。 【００３９】また、本実施例１，２および３において、
前処理液に添加する還元剤として、過酸化水素、シュウ
酸、ヨウ化カリウム、亜硫酸、塩化スズ（ＩＩ）、ホル
ムアルデヒドを使用した。しかし、他の還元剤も同様の
効果が得られることは明らかである。 【００４０】さらに、本実施例１，２および３におい
て、後処理液に添加する酸として、塩酸、酢酸、硫酸ま
たは硝酸を使用した。しかし、他の酸も同様の効果が得
られることは明らかである。 【００４１】 【発明の効果】以上のように本発明の誘電体素子の製造
方法は、誘電体のパターニングを、フッ化水素酸と、酸
化剤、硫酸、塩酸より構成されるエッチャントによりエ
ッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続い
て酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を除
去する工程を備えている。また本発明の誘電体素子の製
造方法は、誘電体のパターニングをフッ化水素酸と、酸
化剤、硫酸、塩酸により構成されるエッチャントにより
エッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続
いて酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を
除去するー連の工程を少なくとも２回以上繰り返すこと
を備えている。 【００４２】また、前記誘電体が、チタン酸鉛系、ジル
コン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウ
ム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸ストロンチ
ウムバリウム系のいずれかの組成を有している。 【００４３】さらに、基板上に金属電極膜を形成する工
程、前記金属電極膜をエッチングしパターニングした電
極を形成する工程、前記パターニングした金属電極膜上
に前記記載の組成を有する誘電体膜を形成する工程、前
記誘電体膜を前記記載のケミカルエッチング法によりパ
ターニングする工程を備えている。 【００４４】さらにまた、基板上に前記記載の組成を有
する誘電体膜を形成する工程、前記誘電体膜を前記記載
のケミカルエッチング法によりパターニングした誘電体
膜を形成する工程を備えている。 【００４５】また、基板上に前記記載の組成を有する誘
電体膜を形成する工程、前記誘電体膜上に金属電極膜を
形成する工程、前記金属電極膜をエッチングしパターニ
ングした金属電極膜を形成する工程、前記誘電体膜を前
記記載のケミカルエッチング法によりパターニングする
工程を備えている。 【００４６】さらに、基板上に金属電極膜を形成する工
程、前記金属電極膜上に前記記載の組成を有する誘電体
膜を形成する工程、前記誘電体膜を前記記載のケミカル
エッチング法によりパターニングする工程、前記金属電
極膜をエッチングしパターニングした金属電極膜形成す
る工程を備えている。 【００４７】さらにまた、基板上に下部金属電極膜を形
成する工程、前記下部金属電極膜上に前記記載の組成を
有する誘電体膜を形成する工程、前記誘電体膜上に上部
金属電極膜を形成する工程、前記上部金属電極膜をエッ
チングしパターニングした上部金属電極膜を形成する工
程、前記誘電体膜を前記記載のケミカルエッチング法に
よりパターニングする工程、最後に下部金属電極膜をエ
ッチングしパターニングした下部金属電極膜を形成する
工程を備えている。 【００４８】本発明は上記構成により、誘電体のエッチ
ャントに、過マンガン酸カリウム、二クロム酸カリウ
ム、二酸化マンガン、塩酸、硫酸、硝酸の中の少なくと
も１種以上を添加することにより、誘電体のエッチング
レートが大幅に向上した。従って、エッチングプロセス
の短縮化が可能である。その結果、エッチャントによる
フォトレジストのダメージの低減が図れる点で有効であ
る。さらに、サイドエッチング量が減少するために、パ
ターンの再現性の向上が図れる点で有効である。 【００４９】また、前処理液を構成する還元剤に、過酸
化水素、シュウ酸、ヨウ化カリウム、亜硫酸、塩化スズ
(II)、ホルムアルデヒドの中の少なくとも１つを使用す
ることにより、残渣が発生することなく誘電体をパター
ニングできた。さらに、後処理液を構成する酸に、塩
酸、酢酸または硝酸の中の少なくとも１種を使用するこ
とにより、残渣が発生することなく誘電体をパターニン
グできた。この結果、誘電体素子のパターンの微細化が
可能である点で有効である。さらに、パターニング形成
後の誘電体膜上に絶縁層や電極膜を形成する場合、断線
やクラックの発生を防止できる点で有効である。
法、特にケミカルエッチングによる誘電体材料の微細加
工に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、不揮発性メモリの開発にともない
強誘電体をはじめ誘電体材料の微細加工技術の重要性が
高まっている。 【０００３】ＰｂＴｉＯ3、ＰＺＴ、ＰＬＺＴをはじめ
とする強誘電体の微細加工方法として、反応性ガスを用
いたリアクティブイオンエッチング法が主として検討さ
れている。しかし、これらの材料の反応性およびエッチ
ングレートは低く、試料温度を数百℃まで加熱した報告
がなされている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
リアクティブイオンエッチングにおいて、強誘電体はエ
ッチングレートが小さく、フォトレジストとのエッチン
グレート比（選択比）も小さい。従って、強誘電体を用
いたデバイス、特に焦電体、圧電体デバイスのように強
誘電体の膜厚が数μｍ必要な場合には、エッチングプロ
セスに１時間以上を要することや、フォトレジストが、
強誘電体のエッチング終了時までに完全にエッチング除
去されてしまうという問題を有していた。その結果、誘
電体膜がダメージを受けた。 【０００５】さらに、上記の方法では、パターン側壁に
エッチング残渣が再付着するといった課題が存在した。 【０００６】一方、ペロブスカイト酸化物である強誘電
体のケミカルエッチングにおいて、従来のエッチャント
のみのプロセスでは、基板や電極上に残渣が発生する課
題があった。さらに、サイドエッチングにより、パター
ン形状の再現性に課題があった。 【０００７】本発明の目的は、誘電体素子の製造方法、
特に簡便で、フォトレジストのダメージが少なく、プロ
セス時間が短く、パターン側壁、成膜基板上あるいは電
極膜上に残渣が発生しない、パターンの再現性に優れ
た、誘電体のケミカルエッチングによる微細加工技術を
供給することである。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下本発明の誘電体素子の製造方
法に関する一実施例について、図面を参照しながら説明
する。 【０００９】（実施例１） 図１に、本発明の一実施例の誘電体素子の断面図を、図
２にその作製プロセスの断面図を示す。基板１０１とし
てＭｇＯ単結晶基板（厚さ５００μｍ）を用いた。基板
１０１の上に、Ｐｔ薄膜を下部金属電極膜１０２として
形成した。この下部金属電極膜１０２は、高周波マグネ
トロンスパッタ法により作製した。 【００１０】スパッタ成膜条件は、基板温度が６００
℃、スパッタガスはＡｒ（９５％）と酸素（５％）の混
合ガスで、ガス圧は０．５Ｐａ、高周波投入パワー密度
は２．５Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨｚ）で、成膜時間
は１時間であった。膜の厚さは０．１５μｍであった。
さらに、前記下部金属電極膜１０２上に、ＰｂＺｒ0.55
Ｔｉ0.45Ｏ3なる組成の誘電体膜１０３を形成した。そ
の成膜方法を以下に述べる。 【００１１】ＰｂＺｒ0.55Ｔｉ0.45Ｏ3の薄膜の成膜に
は、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いた。基板
は、ステンレス製基板ホルダに取り付けて成膜した。タ
ーゲットは、ＰｂＯ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2の粉末を混合
し、銅製皿に入れて用いた。粉末の混合比は、膜組成に
対してＰｂＯを２０ｍｏｌ％過剰に加えた。スパッタの
成膜条件は、基板温度が６５０℃、スパッタガスはＡｒ
（９０％）と酸素（１０％）の混合ガスで、ガス圧は
０．９Ｐａ、高周波投入パワー密度は２．０Ｗ／ｃｍ2
（１３．５６ＭＨｚ）であった。膜の厚さは３μｍであ
った。 【００１２】さらに、前記誘電体膜１０３上に、Ｐｔ薄
膜である上部金属電極膜１０４を形成した。上部金属電
極膜１０４の作成方法、条件、特性は下部金属電極膜１
０２と同様にして行った。 【００１３】この後、上部金属電極膜１０４上に、フォ
トレジスト１０５によりマスクパターンを形成した後
に、上部金属電極膜１０４をスパッタエッチングにより
パターニングした。 【００１４】図３にエッチング装置の断面図を示す。図
３において、３０１はエッチング試料、３０２は反応チ
ャンバー、３０３は高周波印加電極、３０４は対向電
極、３０５は排気系、３０６は高周波電源、３０７はガ
ス供給源である。電極３０３と３０４は平行に配置され
ている。さらに、高周波電極３０３には１３．５６ＭＨ
ｚの高周波が印加されている。また、この高周波印加電
極は裏面より水冷されている。なお、電極３０３の直径
は１０インチである。 【００１５】エッチング試料３０１は高周波印加電極３
０３上に配置されている。エッチングは、真空度０．０
６Ｔｏｒｒ、Ａｒガス流量１０ＳＣＣＭ、プラズマパワ
ー１７０Ｗの条件で、１５分を要した。 【００１６】続いて、パターニングした上部金属電極膜
１０４をマスクとし、誘電体膜１０３を、ケミカルエッ
チングによりパターニングを行なった。エッチャントは
フッ化水素酸水溶液に酸化剤または硫酸または塩酸を添
加したものを用いた。そして、亜硫酸水溶液（３５％）
と酢酸の体積比が１対５である組成の前処理液に０．２
〜３分浸漬した後、塩酸のモル濃度が５ｍｏｌ／ｌの組
成の後処理液に０．２〜３分浸漬して誘電体膜およびエ
ッチング残渣を完全にエッチングした。 【００１７】さらに続いて、下部金属電極膜１０１も同
様にして、スパッタエッチングによりパターニングを行
い、誘電体素子を作製した。 【００１８】 【表１】 【００１９】上記の誘電体のエッチャント中に添加する
酸化剤は、過マンガン酸カリウム、二クロム酸カリウ
ム、二酸化マンガン、硝酸から選択され、このような酸
化剤、および硫酸、塩酸の中から少なくとも１種以上を
選択し、使用することが望ましかった。酸化剤、硫酸、
および塩酸の添加量と誘電体膜のエッチングレートの関
係を（表１）に示した。表１の結果より、酸化剤、硫
酸、または塩酸をエッチャントに添加することにより誘
電体のエッチングレートが大幅に向上している。ここ
で、エッチャントを構成するフッ化水素酸の酸化剤、硫
酸、または塩酸に対するモル比が、０．０５以上２００
０以下で、エッチングレートの向上が見られた。その結
果、エッチングプロセスの短縮化が可能であり、エッチ
ャントによるフォトレジストのダメージの低減が図れる
点で有効である。さらに、サイドエッチング量が減少す
るために、パターンの再現性の向上が図れる点で有効で
ある。 【００２０】また、エッチャント中のフッ化水素酸の最
適量を明確化するために、誘電体膜パターンのテーパー
角度とエッチャント中のフッ化水素酸の含有率の関係を
検討した。酸化剤として二酸化マンガンを、フッ化水素
酸の酸化剤に対するモル比が４の場合の結果を、図５に
示した。ここで、図４に誘電体膜パターンのテーパー角
度の定義を示した。 【００２１】図５より、エッチャントを構成するフッ化
水素酸のモル濃度が、０．１ｍｏｌ／ｌ以上１５ｍｏｌ
／ｌ以下の範囲では、誘電体膜パターンのテーパー角度
が４５度以上となり、素子作製として適切であった。フ
ッ化水素酸のモル濃度が１ｍｏｌ／ｌ以上１０ｍｏｌ／
ｌ以下の範囲において、誘電体膜パターンのテーパー角
度が６５度以上となり、パターン側壁が切り立ち、パタ
ーン再現性の観点から特に好ましかった。 【００２２】なお、表１に示した二酸化マンガン以外の
酸化剤、硫酸および塩酸の場合においても、フッ化水素
酸の濃度範囲は同様であった。 【００２３】さらにエッチャント、前処理液、後処理液
の各工程の時間を減少させて上記の一連の工程を少なく
とも２回以上繰り返すことも可能である。一連の工程を
複数回繰り返した場合には、各薬液に浸透した時間が１
回のみの工程と同じ場合でも、テーパー角度が２〜３度
改善された。特にＺｒを含む誘電体膜には効果が見られ
た。 【００２４】（実施例２） 図６に、本発明の一実施例の誘電体素子の断面図を、図
７にその作製プロセスの断面図を示す。基板６０１とし
てＭｇＯ単結晶基板（厚さ５００μｍ）を用いた。基板
６０１の上に、ＰｂＴｉＯ3なる組成の誘電体膜６０２
を形成した。この誘電体膜６０２は、実施例１と同様に
高周波マグネトロンスパッタ法により作製した。ターゲ
ットは、ＰｂＯ，ＴｉＯ2の粉末を混合し、銅製皿に入
れて用いた。粉末の混合比は、膜組成に対してＰｂＯを
２０ｍｏｌ％過剰に加えた。スパッタの成膜条件は、基
板温度が６００℃、スパッタガスはＡｒ（９０％）と酸
素（１０％）の混合ガスで、ガス圧は０．９Ｐａ、高周
波投入パワー密度は２．０Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨ
ｚ）であった。膜の厚さは３μｍであった。 【００２５】続いて、誘電体膜６０２上にパターニング
したフォトレジスト６０３をマスクとして形成した後
に、誘電体膜６０２をケミカルエッチングによりパター
ニングした。エッチャントはフッ化水素酸水溶液に酸化
剤として二クロム酸カリウムを添加したものを用いた。
フッ化水素酸のモル濃度は５ｍｏｌ／ｌであり、フッ化
水素酸の二クロム酸カリウムに対するモル比は４とし
た。そして、還元剤から構成される前処理液に０．２〜
３分浸漬した。続いて、塩酸のモル濃度が５ｍｏｌ／ｌ
の組成の後処理液に０．２〜３分浸漬して、誘電体膜お
よびエッチング残渣を完全にエッチングした。最後に、
フォトレジストを化学的に除去した。 【００２６】 【表２】 【００２７】ここで、前処理液を構成する還元剤として
は、過酸化水素、シュウ酸、ヨウ化カリウム、亜硫酸、
塩化スズ（ＩＩ）、ホルムアルデヒドの中の少なくとも
１つより構成されることが好ましかった。（表２）に結
果を示した。ここで、前処理液を構成する還元剤の濃度
は、０．０５ｍｏｌ／ｌ以上５ｍｏｌ／ｌ以下の範囲に
おいて、残渣が発生することなく誘電体をパターニング
できた。さらに還元剤のモル濃度が、０．１ｍｏｌ／ｌ
以上１ｍｏｌ／ｌ以下の範囲では、前処理液への浸漬時
間の短縮化が可能であり特に有効であることが明らかと
なった。なお、比較実験として、前処理液に還元剤の代
わりに代表的な酸化剤である過マンガン酸カリウムを添
加したが、誘電体膜のエッチング残渣が基板上に多数存
在し後処理液後においても除去不可能であった。さらに
エッチャント、前処理液、後処理液の各工程の時間を減
少させて上記のー連の工程を少なくとも２回以上繰り返
すことも可能である。一連の工程を複数回繰り返した場
合には、各薬液に浸透した時間が１回のみの工程と同じ
場合でも、テーパ一角度が２〜３度改善された。特にＺ
ｒを含む誘電体膜には効果が見られた。 【００２８】（実施例３） 図８に、本発明の一実施例の誘電体素子の断面図を、図
９にその作製プロセスの断面図を示す。基板８０１とし
てＳｉ単結晶基板（厚さ５００μｍ）を用いた。基板８
０１の上に、Ｔｉ薄膜を密着層８０２として高周波マグ
ネトロンスッパタ法により形成した後、Ｐｔ薄膜を下部
金属電極膜８０３として密着層８０２上に形成した。こ
の下部金属電極膜８０３は、実施例１と同様にして作成
を行った。また、密着層８０２の成膜条件は、基板温度
が６００℃、スパッタガスはＡｒガスで、ガス圧は０．
７Ｐａ、高周波投入パワー密度は５．０Ｗ／ｃｍ2（１
３．５６ＭＨｚ）、成膜時間は５分であった。 【００２９】続いて、前記下部金属電極膜８０３上に、
ＢａＴｉＯ3または、ＳｒＴｉＯ3なる組成の誘電体膜８
０４を形成した。誘電体膜の作成方法を以下に示す。 【００３０】ＢａＴｉＯ3なる組成を有する誘電体膜
は、実施例１と同様に高周波スパッタ法により作成し
た。ターゲットは、ＢａＴｉＯ3の組成を有する焼結体
を用いた。スパッタの成膜条件は、基板温度が７００
℃、スパッタガスはＡｒ（９０％）と酸素（１０％）の
混合ガスで、ガス圧は０．９Ｐａ、高周波投入パワー密
度は２．０Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨｚ）であった。
膜の厚さは３μｍであった。 【００３１】さらに、ＳｒＴｉＯ3なる組成を有する誘
電体膜は、実施例１と同様に高周波スパッタ法により作
成した。ターゲットは、ＳｒＴｉＯ3の組成を有する焼
結体を用いた。スパッタの成膜条件は、基板温度が５０
０℃、スパッタガスはＡｒ（９０％）と酸素（１０％）
の混合ガスで、ガス圧は０．９Ｐａ、高周波投入パワー
密度は２．０Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨｚ）であっ
た。膜の厚さは３μｍであった。 【００３２】そして、誘電体膜８０４上に、フォトレジ
スト８０５によりマスクパターンを形成した後に、誘電
体膜８０４を、ケミカルエッチングによりパターニング
を行なった。エッチャントはフッ化水素酸水溶液に酸化
剤として過マンガン酸カリウムを添加したものを用い
た。フッ化水素酸のモル濃度は５ｍｏｌ／ｌであり、フ
ッ化水素酸の過マンガン酸カリウムに対するモル比は５
とした。続いて、ヨウ化カリウム水溶液（０．１ｍｏｌ
／ｌ）と酢酸の体積比が１対５である組成の前処理液に
０．２〜３分浸漬した後、後処理液に０．２〜３分浸漬
して誘電体膜およびエッチング残渣を完全にエッチング
した。最後に、フォトレジストを化学的に除去した後
に、実施例１と同様の工程により金属電極膜をパターニ
ングして誘電体素子を作製した。 【００３３】 【表３】 【００３４】ここで、後処理液を構成する酸は、塩酸、
酢酸、硫酸または硝酸の中の少なくとも１種より構成さ
れることが適当であった。（表３）に、誘電体膜８０４
の組成がＢａＴｉＯ3の場合について、結果を示した。
ここで、後処理液を構成する酸の濃度が、０．１ｍｏ１
／１以上１２ｍｏｌ／ｌ以下の範囲において、残渣が発
生することなく誘電体をパターニングできた。特に、酸
の濃度が、１．０ｍｏｌ／ｌ以上６．５ｍｏｌ／ｌ以下
の範囲では、後処理液への浸漬時間の短縮化が可能であ
り、パターン再現性の観点から特に有効であることが明
らかとなった。また、誘電体膜８０４がＳｒＴｉ０3の
場合も同様の結果を得た。さらにエッチャント、前処理
液、後処理液の各工程の時間を減少させて上記のー連の
工程を少なくとも２回以上繰り返すことも可能である。
一連の工程を複数回繰り返した場合には、各薬液に浸透
した時間が１回のみの工程と同じ場合でも、テーパー角
度が２〜３度改善された。特にＺｒを含む誘電体膜には
効果が見られた。 【００３５】なお、本実施例１，２および３において、
誘電体として、ＰｂＺｒ0.55Ｔｉ0.45Ｏ3，ＰｂＴｉ
Ｏ3、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3を例とし、その成膜方
法も高周波スパッタ方法であった。しかし、本発明が他
の組成の誘電体、あるいはＣＶＤ法やゾルーゲル法をは
じめとする他の成膜方法による誘電体膜においても有効
であることは明らかである。さらに、誘電体が薄膜以外
の形態においても本発明が有効であることは明らかであ
る。 【００３６】また、本実施例１および３において、金属
電極膜として、Ｐｔについて例示したが、他の金属材料
についても本発明が有効であることは明らかである。 【００３７】さらに、本実施例１，２および３におい
て、基板材料としてＭｇＯ単結晶基板およびＳｉ単結晶
基板を例示した。しかし、本発明が他の単結晶基板や、
ガラス基板、ステンレス金属基板等の非単結晶基板にお
いても有効であることは明らかである。 【００３８】さらにまた、本実施例１，２および３にお
いて、エッチャントに添加する酸化剤として、過マンガ
ン酸カリウム、二クロム酸カリウム、二酸化マンガン、
および硝酸を使用した。しかし、他の酸化剤も同様の効
果が得られることは明らかである。 【００３９】また、本実施例１，２および３において、
前処理液に添加する還元剤として、過酸化水素、シュウ
酸、ヨウ化カリウム、亜硫酸、塩化スズ（ＩＩ）、ホル
ムアルデヒドを使用した。しかし、他の還元剤も同様の
効果が得られることは明らかである。 【００４０】さらに、本実施例１，２および３におい
て、後処理液に添加する酸として、塩酸、酢酸、硫酸ま
たは硝酸を使用した。しかし、他の酸も同様の効果が得
られることは明らかである。 【００４１】 【発明の効果】以上のように本発明の誘電体素子の製造
方法は、誘電体のパターニングを、フッ化水素酸と、酸
化剤、硫酸、塩酸より構成されるエッチャントによりエ
ッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続い
て酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を除
去する工程を備えている。また本発明の誘電体素子の製
造方法は、誘電体のパターニングをフッ化水素酸と、酸
化剤、硫酸、塩酸により構成されるエッチャントにより
エッチングした後、還元剤より構成される前処理液、続
いて酸より構成される後処理液によりエッチング残渣を
除去するー連の工程を少なくとも２回以上繰り返すこと
を備えている。 【００４２】また、前記誘電体が、チタン酸鉛系、ジル
コン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウ
ム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸ストロンチ
ウムバリウム系のいずれかの組成を有している。 【００４３】さらに、基板上に金属電極膜を形成する工
程、前記金属電極膜をエッチングしパターニングした電
極を形成する工程、前記パターニングした金属電極膜上
に前記記載の組成を有する誘電体膜を形成する工程、前
記誘電体膜を前記記載のケミカルエッチング法によりパ
ターニングする工程を備えている。 【００４４】さらにまた、基板上に前記記載の組成を有
する誘電体膜を形成する工程、前記誘電体膜を前記記載
のケミカルエッチング法によりパターニングした誘電体
膜を形成する工程を備えている。 【００４５】また、基板上に前記記載の組成を有する誘
電体膜を形成する工程、前記誘電体膜上に金属電極膜を
形成する工程、前記金属電極膜をエッチングしパターニ
ングした金属電極膜を形成する工程、前記誘電体膜を前
記記載のケミカルエッチング法によりパターニングする
工程を備えている。 【００４６】さらに、基板上に金属電極膜を形成する工
程、前記金属電極膜上に前記記載の組成を有する誘電体
膜を形成する工程、前記誘電体膜を前記記載のケミカル
エッチング法によりパターニングする工程、前記金属電
極膜をエッチングしパターニングした金属電極膜形成す
る工程を備えている。 【００４７】さらにまた、基板上に下部金属電極膜を形
成する工程、前記下部金属電極膜上に前記記載の組成を
有する誘電体膜を形成する工程、前記誘電体膜上に上部
金属電極膜を形成する工程、前記上部金属電極膜をエッ
チングしパターニングした上部金属電極膜を形成する工
程、前記誘電体膜を前記記載のケミカルエッチング法に
よりパターニングする工程、最後に下部金属電極膜をエ
ッチングしパターニングした下部金属電極膜を形成する
工程を備えている。 【００４８】本発明は上記構成により、誘電体のエッチ
ャントに、過マンガン酸カリウム、二クロム酸カリウ
ム、二酸化マンガン、塩酸、硫酸、硝酸の中の少なくと
も１種以上を添加することにより、誘電体のエッチング
レートが大幅に向上した。従って、エッチングプロセス
の短縮化が可能である。その結果、エッチャントによる
フォトレジストのダメージの低減が図れる点で有効であ
る。さらに、サイドエッチング量が減少するために、パ
ターンの再現性の向上が図れる点で有効である。 【００４９】また、前処理液を構成する還元剤に、過酸
化水素、シュウ酸、ヨウ化カリウム、亜硫酸、塩化スズ
(II)、ホルムアルデヒドの中の少なくとも１つを使用す
ることにより、残渣が発生することなく誘電体をパター
ニングできた。さらに、後処理液を構成する酸に、塩
酸、酢酸または硝酸の中の少なくとも１種を使用するこ
とにより、残渣が発生することなく誘電体をパターニン
グできた。この結果、誘電体素子のパターンの微細化が
可能である点で有効である。さらに、パターニング形成
後の誘電体膜上に絶縁層や電極膜を形成する場合、断線
やクラックの発生を防止できる点で有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の誘電体素子の断面図
【図２】実施例１の誘電体素子の製造プロセスの断面図
【図３】実施例１および３に用いたエッチング装置の断
面図 【図４】誘電体膜パターンのテーパー角度を示した断面
図 【図５】実施例１におけるエッチャント中のフッ化水素
酸のモル濃度とパターンのテーパー角度の関係を表した
グラフ 【図６】実施例２の誘電体素子の断面図 【図７】実施例２の誘電体素子の製造プロセスの断面図 【図８】実施例３の誘電体素子の断面図 【図９】実施例３の誘電体素子の製造プロセスの断面図 【符号の説明】 １０１ 基板 １０２ 下部金属電極膜 １０３ 誘電体膜 １０４ 上部金属電極膜 １０５ フォトレジスト ３０１ エッチング試料 ３０２ 反応チャンバー ３０３ 高周波印加電極 ３０４ 対向電極 ３０５ 排気系 ３０６ 高周波電源 ３０７ ガス供給源 ６０１ 基板 ６０２ 誘電体膜 ６０３ フォトレジスト ８０１ 基板 ８０２ 接着層 ８０３ 下部電極 ８０４ 誘電体膜 ８０５ フォトレジスト
面図 【図４】誘電体膜パターンのテーパー角度を示した断面
図 【図５】実施例１におけるエッチャント中のフッ化水素
酸のモル濃度とパターンのテーパー角度の関係を表した
グラフ 【図６】実施例２の誘電体素子の断面図 【図７】実施例２の誘電体素子の製造プロセスの断面図 【図８】実施例３の誘電体素子の断面図 【図９】実施例３の誘電体素子の製造プロセスの断面図 【符号の説明】 １０１ 基板 １０２ 下部金属電極膜 １０３ 誘電体膜 １０４ 上部金属電極膜 １０５ フォトレジスト ３０１ エッチング試料 ３０２ 反応チャンバー ３０３ 高周波印加電極 ３０４ 対向電極 ３０５ 排気系 ３０６ 高周波電源 ３０７ ガス供給源 ６０１ 基板 ６０２ 誘電体膜 ６０３ フォトレジスト ８０１ 基板 ８０２ 接着層 ８０３ 下部電極 ８０４ 誘電体膜 ８０５ フォトレジスト
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フロントページの続き
(72)発明者 友澤 淳
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平４−124078（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−193373（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/306,21/308
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】誘電体のパターニングを、フッ化水素酸と
酸化剤または硫酸または塩酸より構成されるエッチャン
トによりエッチングした後、還元剤より構成される前処
理液、続いて酸より構成される後処理液によりエッチン
グ残渣を除去することを特徴とする誘電体素子の製造方
法。 【請求項２】誘電体のパターニングをフッ化水素酸と酸
化剤または硫酸または塩酸より構成されるエッチャント
によりエッチングした後、還元剤より構成される前処理
液、続いて酸により構成される後処理液によりエッチン
グ残渣を除去するー連の工程を少なくとも２回以上繰り
返すことを特徴とする誘電体素子の製造方法。 【請求項３】誘電体がチタン酸鉛系、ジルコン酸鉛系、
チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウム系、チタン
酸ストロンチウム系、チタン酸ストロンチウムバリウム
系のいずれかの組成を有する誘電体材料であることを特
徴とする請求項１又は２に記載の誘電体素子の製造方
法。 【請求項４】基板上に金属電極膜を形成する工程、前記
金属電極膜をエッチングしパターニングした電極を形成
する工程を具備し、前記パターニングした金属電極膜上
に誘電体膜を形成することを特徴とする請求項１又は２
に記載の誘電体素子の製造方法。 【請求項５】金属電極膜のエッチングを誘電体のエッチ
ングよりも後に行う事を特徴とする請求項４に記載の誘
電体素子の製造方法。 【請求項６】基板上に、チタン酸鉛系、ジルコン酸鉛
系、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウム系、チ
タン酸ストロンチウム系、チタン酸ストロンチウムバリ
ウム系のいずれかの組成を有する誘電体膜を形成する工
程、前記誘電体膜上に金属電極膜を形成する工程、前記
金属電極膜をエッチングしパターニングした金属電極膜
を形成する工程、前記誘電体膜を、フッ化水素酸と酸化
剤または硫酸または塩酸より構成されるエッチャントに
よりエッチングした後、還元剤より構成される前処理
液、続いて酸より構成される後処理液によりエッチング
残渣を除去することによりパターニングする工程を備え
ていることを特徴とする誘電体素子の製造方法。 【請求項７】基板上に、チタン酸鉛系、ジルコン酸鉛
系、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウム系、チ
タン酸ストロンチウム系、チタン酸ストロンチウムバリ
ウム系のいずれかの組成を有する誘電体膜を形成する工
程、前記誘電体膜上に金属電極膜を形成する工程、前記
金属電極膜をエッチングしパターニングした金属電極膜
を形成する工程、前記誘電体膜を、フッ化水素酸と酸化
剤または硫酸または塩酸より構成されるエッチャントに
よりエッチングした後、還元剤より構成される前処理
液、続いて酸より構成される後処理液によりエッチング
残渣を除去するー連の工程を少なくとも２回以上繰り返
すことによりパターニングする工程を備えていることを
特徴とする誘電体素子の製造方法。 【請来項８】基板上に下部金属電極膜を形成する工程、
前記下部金属電極膜上にチタン酸鉛系、ジルコン酸鉛
系、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウム系、チ
タン酸ストロンチウム系、チタン酸ストロンチワムバリ
ウム系のいずれかの組成を有する誘電体膜を形成する工
程、前記誘電体膜上に上部金属電極膜を形成する工程、
前記上部金属電極膜をエッチングしパター二ングした上
部金属電極膜を形成する工程、前記誘電体膜を、フッ化
水素酸と酸化剤または硫酸または塩酸より構成されるエ
ッチャントによりエッチングした後、還元剤より構成さ
れる前処理液、続いて酸より構成される後処理液により
エッチング残渣を除去することによりパターニングする
工程、最後に下部金属電極膜をエッチングしパターニン
グした下部金属電極膜を形成する工程を備えていること
を特徴とする誘電体素子の製造方法。 【請求項９】基板上に下部金属電極膜を形成する工程、
前記下部金属電極膜上にチタン酸鉛系、ジルコン酸鉛
系、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウム系、チ
タン酸ストロンチワム系、チタン酸ストロンチウムバリ
ウム系のいずれかの組成を有する誘電体膜を形成する工
程、前記誘電体膜上に上部金属電極膜を形成する工程、
前記上部金属電極膜をエッチングしパターニングした上
部金属電極膜を形成する工程、前記誘電体膜を、フッ化
水素酸と酸化剤または硫酸または塩酸より構成されるエ
ッチャントによりエッチングした後、還元剤より構成さ
れる前処理液、続いて酸より構成される後処理液により
エッチング残渣を除去するー連の工程を少なくとも２回
以上繰り返すことによりパターニングする工程、最後に
下部金属電極膜をエッチングしパターニングした下部金
属電極膜を形成する工程を備えていることを特徴とする
誘電体素子の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP06051596A JP3201251B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 誘電体素子の製造方法 |
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| JP06051596A JP3201251B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 誘電体素子の製造方法 |
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| JPH09251978A JPH09251978A (ja) | 1997-09-22 |
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|---|---|---|---|
| JP06051596A Expired - Lifetime JP3201251B2 (ja) | 1995-10-06 | 1996-03-18 | 誘電体素子の製造方法 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-03-18 JP JP06051596A patent/JP3201251B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9620704B2 (en) | 2013-04-01 | 2017-04-11 | Fujifilm Corporation | Method for etching piezoelectric film and method for manufacturing piezoelectric element |
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