JP3202959B2 - 導電部材及びこれを用いてなる低抵抗コネクタ - Google Patents
導電部材及びこれを用いてなる低抵抗コネクタInfo
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- Conductive Materials (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、体積抵抗率が小さ
く弾性を有し、例えば、携帯電話機等の押釦スイッチの
可動接点に用いられる導電部材、及び液晶表示体におけ
るガラス基板とプリント基板との接続、電子回路基板間
の接続、ICチップ等の検査装置の電気的接続などに用
いられる、該導電部材を用いてなる低抵抗コネクタに関
する。
く弾性を有し、例えば、携帯電話機等の押釦スイッチの
可動接点に用いられる導電部材、及び液晶表示体におけ
るガラス基板とプリント基板との接続、電子回路基板間
の接続、ICチップ等の検査装置の電気的接続などに用
いられる、該導電部材を用いてなる低抵抗コネクタに関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子機器の接続用コネクタには、
カーボンブラック粉末を含む導電性ゴム層と絶縁性ゴム
層とを交互多重に積層した、いわゆるゼブラ型コネクタ
や、絶縁性ゴム層中に複数の金属細線を厚さ方向に配列
した異方導電性コネクタが使用されている。
カーボンブラック粉末を含む導電性ゴム層と絶縁性ゴム
層とを交互多重に積層した、いわゆるゼブラ型コネクタ
や、絶縁性ゴム層中に複数の金属細線を厚さ方向に配列
した異方導電性コネクタが使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ゼブラ型コネ
クタは、この導電層を形成している導電部材の体積抵抗
率が高いため、カラー液晶用モジュールや白黒16階調
以上の液晶用モジュール等のような低抵抗を必要とする
接続や、端子間の接続抵抗のバラツキをできるだけ小さ
くしたい場合の接続、あるいはプラズマディスプレイ用
モジュール等の高い電流値を必要とする回路基板との接
続で、電流を10mA以上流すと、コネクタが発熱して
温度上昇が起きるため、コネクタとしては不適格であっ
た。
クタは、この導電層を形成している導電部材の体積抵抗
率が高いため、カラー液晶用モジュールや白黒16階調
以上の液晶用モジュール等のような低抵抗を必要とする
接続や、端子間の接続抵抗のバラツキをできるだけ小さ
くしたい場合の接続、あるいはプラズマディスプレイ用
モジュール等の高い電流値を必要とする回路基板との接
続で、電流を10mA以上流すと、コネクタが発熱して
温度上昇が起きるため、コネクタとしては不適格であっ
た。
【0004】また、複数の金属細線を厚さ方向に配列し
た異方導電性コネクタは、金属細線が、接続時の圧縮
力によって座屈しやすいため、繰り返し使用する検査装
置には使用することができない、すべての金属細線を
完全に接続するには、コネクタ全体を高い圧力で圧縮す
る必要があるため、ICチップの端子や検査装置への負
担が増大する、金属細線の接続端面が均一な平滑面で
ないため、点接触となり、接触不良を起こし易い、接
触抵抗をできるだけ小さくするには、金属細線の先端部
分または金属細線そのものを金メッキ処理する必要があ
り、製造コストが高くなる、等の欠点を有している。
た異方導電性コネクタは、金属細線が、接続時の圧縮
力によって座屈しやすいため、繰り返し使用する検査装
置には使用することができない、すべての金属細線を
完全に接続するには、コネクタ全体を高い圧力で圧縮す
る必要があるため、ICチップの端子や検査装置への負
担が増大する、金属細線の接続端面が均一な平滑面で
ないため、点接触となり、接触不良を起こし易い、接
触抵抗をできるだけ小さくするには、金属細線の先端部
分または金属細線そのものを金メッキ処理する必要があ
り、製造コストが高くなる、等の欠点を有している。
【0005】本発明の目的は、体積抵抗率が小さく安定
した抵抗値を示し、多くの電流を流すことのできる導電
部材及びこれを用いて、電極ピツチの小さい基板との低
ピッチ接続が可能な低抵抗コネクタを提供することにあ
る。
した抵抗値を示し、多くの電流を流すことのできる導電
部材及びこれを用いて、電極ピツチの小さい基板との低
ピッチ接続が可能な低抵抗コネクタを提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決してなり、本発明の導電部材は、絶縁性エラスト
マ樹脂原料100重量部に銀粒子150〜500重量部
及びカーボン粒子2〜40重量部を加え、カーボン粒子
の平均粒子間距離Sが1000Å未満となるようにカー
ボン粒子が混合されてなり、該銀粒子は、平均粒径(5
0%粒径)が0.1〜1.0μmの細かい銀粒子と平均
粒径が2〜30μmの粗い銀粒子とを混合比率90/1
0〜70/30の範囲で混合し、120℃以上で10分
以上加熱処理された銀含有量が20重量%以上の粒子か
らなることを特徴としている。
を解決してなり、本発明の導電部材は、絶縁性エラスト
マ樹脂原料100重量部に銀粒子150〜500重量部
及びカーボン粒子2〜40重量部を加え、カーボン粒子
の平均粒子間距離Sが1000Å未満となるようにカー
ボン粒子が混合されてなり、該銀粒子は、平均粒径(5
0%粒径)が0.1〜1.0μmの細かい銀粒子と平均
粒径が2〜30μmの粗い銀粒子とを混合比率90/1
0〜70/30の範囲で混合し、120℃以上で10分
以上加熱処理された銀含有量が20重量%以上の粒子か
らなることを特徴としている。
【0007】本発明の導電部材を用いてなる低抵抗コネ
クタは、上記導電部材からなる導電層と絶縁性エラスト
マ層とを交互に積層してなることを特徴としている。こ
の導電層と絶縁性エラストマ層とを交互に積層し硬化し
てなり、硬度値が50〜80°H(JIS K 630
1)の範囲内とされる。なお、カーボン粒子の平均粒子
間距離Sは、次の式から求められる。 S=dp×[{(π/6)×(100×ρp/L×ρM
+1)}1/3 −1] 式中、dpは平均粒子径、ρpは粒子密度、ρMはマト
リックス密度、Lは粒子重量部である。
クタは、上記導電部材からなる導電層と絶縁性エラスト
マ層とを交互に積層してなることを特徴としている。こ
の導電層と絶縁性エラストマ層とを交互に積層し硬化し
てなり、硬度値が50〜80°H(JIS K 630
1)の範囲内とされる。なお、カーボン粒子の平均粒子
間距離Sは、次の式から求められる。 S=dp×[{(π/6)×(100×ρp/L×ρM
+1)}1/3 −1] 式中、dpは平均粒子径、ρpは粒子密度、ρMはマト
リックス密度、Lは粒子重量部である。
【0008】絶縁性エラストマ層を構成する絶縁性エラ
ストマとしては、ブタジエン−スチレン、ブタジエン−
アクリロニトリル、ブタジエン−イソブチレンの共重合
体及び、クロロプレンの重合体、ポリサルファイドの重
合体、塑性化塩化ビニール及び酢酸ビニルの重合体及び
共重合体、ポリウレタン類及びシリコーンゴム類等が挙
げられる。シリコーンゴム類としては、通常、ジメチ
ル、メチル−フェニル、メチル−ビニル、またはシリカ
のような充填剤を混合して適当なレオロジー特性をあた
えたハロゲン化シロキサン類、あるいはペロチサイド類
または金属塩類でバルカナイズされもしくは硬化された
ハロゲン化シロキサン類等が挙げられるが、なかでも、
その時効特性及び電気絶縁性、耐熱性、圧縮永久歪に優
れ、価格的にも安定したシリコーンゴムが好ましく用い
られる。また、絶縁性エラストマは形状的に安定し、自
重で甚だしく変形したり、硬化後、塑性変形しないもの
でなければならない。
ストマとしては、ブタジエン−スチレン、ブタジエン−
アクリロニトリル、ブタジエン−イソブチレンの共重合
体及び、クロロプレンの重合体、ポリサルファイドの重
合体、塑性化塩化ビニール及び酢酸ビニルの重合体及び
共重合体、ポリウレタン類及びシリコーンゴム類等が挙
げられる。シリコーンゴム類としては、通常、ジメチ
ル、メチル−フェニル、メチル−ビニル、またはシリカ
のような充填剤を混合して適当なレオロジー特性をあた
えたハロゲン化シロキサン類、あるいはペロチサイド類
または金属塩類でバルカナイズされもしくは硬化された
ハロゲン化シロキサン類等が挙げられるが、なかでも、
その時効特性及び電気絶縁性、耐熱性、圧縮永久歪に優
れ、価格的にも安定したシリコーンゴムが好ましく用い
られる。また、絶縁性エラストマは形状的に安定し、自
重で甚だしく変形したり、硬化後、塑性変形しないもの
でなければならない。
【0009】本発明の導電部材は、母材としての絶縁性
エラストマに銀粒子とカーボン粒子を含有する。この母
材としての絶縁性エラストマは、絶縁性エラストマ層用
として上記したもののなかから適宜選択される。銀粒子
としては、核材として熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、カ
ーボン、熱硬化性樹脂の焼成品、金属等に銀メッキ処理
を施した又は混合してなる銀含有率が20重量%以上の
もの、球状またはフレーク状の銀単体からなるもの、も
しくはこれらの混合品が用いられる。銀粒子の銀含有率
が20重量%未満では核材全体を銀で被覆することがで
きず、安定した導通を得ることができなくなる。
エラストマに銀粒子とカーボン粒子を含有する。この母
材としての絶縁性エラストマは、絶縁性エラストマ層用
として上記したもののなかから適宜選択される。銀粒子
としては、核材として熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、カ
ーボン、熱硬化性樹脂の焼成品、金属等に銀メッキ処理
を施した又は混合してなる銀含有率が20重量%以上の
もの、球状またはフレーク状の銀単体からなるもの、も
しくはこれらの混合品が用いられる。銀粒子の銀含有率
が20重量%未満では核材全体を銀で被覆することがで
きず、安定した導通を得ることができなくなる。
【0010】銀粒子の配合量は、絶縁性エラストマ樹脂
原料100重量部に150〜500重量部混合される
が、150重量部未満では銀粒子の配合量が少なく、導
通がとれなくなるかもしくは安定した抵抗値を得ること
ができなくなる。一方、500重量部を超えると物性が
低下して弾性が低くなり、コネクタ材料としては不適と
なる。メッキしてなる銀粒子や銀単体からなる粒子を混
合して用いる場合、平均粒径が0.1〜1.0μmの細
かい銀粒子と平均粒径が2〜30μmの粗い銀粒子と
を、混合比率90/10〜70/30の範囲で混合した
ものが最も低い電気抵抗値を示し、好ましい範囲とされ
る。細かい銀粒子の混合比率を90/10より増すと、
細かい銀粒子の接触抵抗が上昇し、抵抗値が高くなる。
一方、70/30より少なくすると、接触する銀粒子の
量が極端に少なくなって、抵抗値が安定しなくなり好ま
しくない。
原料100重量部に150〜500重量部混合される
が、150重量部未満では銀粒子の配合量が少なく、導
通がとれなくなるかもしくは安定した抵抗値を得ること
ができなくなる。一方、500重量部を超えると物性が
低下して弾性が低くなり、コネクタ材料としては不適と
なる。メッキしてなる銀粒子や銀単体からなる粒子を混
合して用いる場合、平均粒径が0.1〜1.0μmの細
かい銀粒子と平均粒径が2〜30μmの粗い銀粒子と
を、混合比率90/10〜70/30の範囲で混合した
ものが最も低い電気抵抗値を示し、好ましい範囲とされ
る。細かい銀粒子の混合比率を90/10より増すと、
細かい銀粒子の接触抵抗が上昇し、抵抗値が高くなる。
一方、70/30より少なくすると、接触する銀粒子の
量が極端に少なくなって、抵抗値が安定しなくなり好ま
しくない。
【0011】銀粒子は、120℃以上の温度で10分以
上加熱処理するのが好ましい。この加熱処理によって、
メッキ品では、核材中の不純物やメッキ時の不純物を揮
発させ、加硫時のガスの発生を防いだり、加硫時の遅れ
を改善することが可能となり、硬度のばらつきや加硫不
足による品質の低下を防止することができる。
上加熱処理するのが好ましい。この加熱処理によって、
メッキ品では、核材中の不純物やメッキ時の不純物を揮
発させ、加硫時のガスの発生を防いだり、加硫時の遅れ
を改善することが可能となり、硬度のばらつきや加硫不
足による品質の低下を防止することができる。
【0012】また、銀単体を用いる場合、通常、銀単体
粒子の表面には凝集防止等のために脂肪酸がコーティン
グされている。これに使用される脂肪酸は、ラウリン
酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレ
イン酸、アラキン酸、ベヘニン酸等の飽和または不飽和
の高級脂肪酸、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン
酸亜鉛等の金属石鹸、ステアリルアルコール等の高級脂
肪酸アルコール、高級脂肪酸アルコールのエステル、高
級脂肪酸アミド、及びポリエチレンワックスの一種また
はこれら二種以上の混合物からなっている。
粒子の表面には凝集防止等のために脂肪酸がコーティン
グされている。これに使用される脂肪酸は、ラウリン
酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレ
イン酸、アラキン酸、ベヘニン酸等の飽和または不飽和
の高級脂肪酸、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン
酸亜鉛等の金属石鹸、ステアリルアルコール等の高級脂
肪酸アルコール、高級脂肪酸アルコールのエステル、高
級脂肪酸アミド、及びポリエチレンワックスの一種また
はこれら二種以上の混合物からなっている。
【0013】しかし、これらの脂肪酸は、加硫時のガス
発生や加硫遅れの原因にもなり、積層等の工程に影響を
与え、安定した製品を得ることが困難となるため、加熱
処理を行い、これら銀粒子から脂肪酸が除去される。加
熱処理の温度は、120℃以上とされ、未満では十分に
不純物や脂肪酸の揮発が行われず、品質の低下をきた
す。また、120℃以上の温度であっても、加熱処理時
間が10分未満では加硫時のガス発生や加硫遅れを生じ
ることがあり、十分な加熱処理が行われていない。
発生や加硫遅れの原因にもなり、積層等の工程に影響を
与え、安定した製品を得ることが困難となるため、加熱
処理を行い、これら銀粒子から脂肪酸が除去される。加
熱処理の温度は、120℃以上とされ、未満では十分に
不純物や脂肪酸の揮発が行われず、品質の低下をきた
す。また、120℃以上の温度であっても、加熱処理時
間が10分未満では加硫時のガス発生や加硫遅れを生じ
ることがあり、十分な加熱処理が行われていない。
【0014】一方、カーボン粒子は、製法によって分類
され、ファーネスブラック、チャンネルブラック、サー
マルブラック、ランプブラック等があるが、いずれもカ
ーボンブラックとして総称されている。本発明において
は、商業上最も多く使用され、品質が安定し安価なファ
ーネスブラックを使用するのが好ましい。また、これら
カーボンブラックの酸性処理品、黒鉛化品、高ストラク
チャー化による導電性向上品等の改良品も市販されてお
り、これらを使用しても同様の効果が得られる。また、
導電部材に加えられるカーボン粒子の量は、絶縁性エラ
ストマ樹脂原料100重量部に対して2〜40重量部で
あり、2重量部未満では添加による抵抗値の安定効果が
得られず、40重量部を超えるとエラストマとしての弾
性がなくなるほど硬くなる、また強度等の物性も著しく
低下するために好ましくない。
され、ファーネスブラック、チャンネルブラック、サー
マルブラック、ランプブラック等があるが、いずれもカ
ーボンブラックとして総称されている。本発明において
は、商業上最も多く使用され、品質が安定し安価なファ
ーネスブラックを使用するのが好ましい。また、これら
カーボンブラックの酸性処理品、黒鉛化品、高ストラク
チャー化による導電性向上品等の改良品も市販されてお
り、これらを使用しても同様の効果が得られる。また、
導電部材に加えられるカーボン粒子の量は、絶縁性エラ
ストマ樹脂原料100重量部に対して2〜40重量部で
あり、2重量部未満では添加による抵抗値の安定効果が
得られず、40重量部を超えるとエラストマとしての弾
性がなくなるほど硬くなる、また強度等の物性も著しく
低下するために好ましくない。
【0015】導電部材には、母材の絶縁性エラストマ樹
脂原料100重量部に対して、平均粒径が10nm〜5
0nmのカーボン粒子を2〜40重量部配合して、平均
粒子間距離Sが1000Å未満となるように混練され
る。特に好ましくは、平均粒径が15nm〜40nmの
カーボン粒子を5〜20重量部配合して、平均粒子間距
離Sが500Å以下とされる。平均粒子間距離Sが10
00Å以上では、十分な導電性が得られず、安定した抵
抗値を示すことができなくなる。
脂原料100重量部に対して、平均粒径が10nm〜5
0nmのカーボン粒子を2〜40重量部配合して、平均
粒子間距離Sが1000Å未満となるように混練され
る。特に好ましくは、平均粒径が15nm〜40nmの
カーボン粒子を5〜20重量部配合して、平均粒子間距
離Sが500Å以下とされる。平均粒子間距離Sが10
00Å以上では、十分な導電性が得られず、安定した抵
抗値を示すことができなくなる。
【0016】上記導電部材を用いて形成した低抵抗の導
電層と絶縁性エラストマ層とを交互に積層し硬化してな
る低抵抗コネクタの硬度を、50〜80°H、好ましく
は60〜80°Hとすることによって、接続の際、圧縮
率が2〜10%と極めて小さな値でも均一な接続が可能
になり、圧縮による座屈をほとんどなくすことができ、
確実で安定した接続状態が得られ、機器に与える負荷が
小さくなり、IC検査機器等の小型軽量化が達成され
る。
電層と絶縁性エラストマ層とを交互に積層し硬化してな
る低抵抗コネクタの硬度を、50〜80°H、好ましく
は60〜80°Hとすることによって、接続の際、圧縮
率が2〜10%と極めて小さな値でも均一な接続が可能
になり、圧縮による座屈をほとんどなくすことができ、
確実で安定した接続状態が得られ、機器に与える負荷が
小さくなり、IC検査機器等の小型軽量化が達成され
る。
【0017】この低抵抗コネクタは、印刷法やカレンダ
ー法等を用いて製造されるが、安定した生産性を考慮す
ると、カレンダー法により積層するのが好ましい。例え
ば、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に絶縁性エ
ラストマ層をカレンダーで薄膜に製膜して設け、加熱硬
化した後、この絶縁性エラストマ層上に導電性エラスト
マ層をカレンダーで薄膜に製膜し、得られたフィルムか
らポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、こ
れを同順に多数枚積層して積層ブロック体とし、スライ
ス後、裁断してコネクタとされる。なお、本発明の低抵
抗コネクタはこのような製法に限定されるものではな
く、さまざまな製法での製造が可能である。
ー法等を用いて製造されるが、安定した生産性を考慮す
ると、カレンダー法により積層するのが好ましい。例え
ば、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に絶縁性エ
ラストマ層をカレンダーで薄膜に製膜して設け、加熱硬
化した後、この絶縁性エラストマ層上に導電性エラスト
マ層をカレンダーで薄膜に製膜し、得られたフィルムか
らポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、こ
れを同順に多数枚積層して積層ブロック体とし、スライ
ス後、裁断してコネクタとされる。なお、本発明の低抵
抗コネクタはこのような製法に限定されるものではな
く、さまざまな製法での製造が可能である。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の導電部材を用いて
なる低抵抗コネクタを実施例によりさらに詳細に説明す
る。
なる低抵抗コネクタを実施例によりさらに詳細に説明す
る。
【0019】
【実施例】(実施例1)ベースフィルムとしての厚さ
0.5mmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、絶縁性シリコーンゴムコンパウンドKE971U
(信越化学工業社製、商品名)を厚さ0.03mmとな
るようにカレンダーで分出しし、200℃の加熱炉中で
硬化して絶縁性エラストマ層を形成した。一方、同じ絶
縁性シリコーンゴムコンパウンド100重量部に、平均
粒径0.5μmと平均粒径5μmとの配合比率が80/
20である銀粒子を150℃で30分間加熱処理して得
られた銀粒子500重量部と、カーボン粒子として、フ
ァーネスブラック製法で造られたケッチェンブラックE
C(ライオン社製、商品名)10重量部とを加え、カー
ボン粒子の平均粒子間距離Sが250Å程度になるよう
に混合し混練して導電性エラストマコンパウンドを調製
した。この導電性エラストマコンパウンドを先に形成し
た絶縁性エラストマ層上に、厚さ0.03mmとなるよ
うにカレンダーで分出しして導電層を形成した。これか
らベースフィルムを剥離して同順に多数枚積層して積層
ブロック体とし、加硫処理後、スライスし、さらに二次
加硫して硬度を60°H(JIS K−6391にもと
づき測定)とし、規定のサイズに裁断して低抵抗コネク
タを製造した。
0.5mmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、絶縁性シリコーンゴムコンパウンドKE971U
(信越化学工業社製、商品名)を厚さ0.03mmとな
るようにカレンダーで分出しし、200℃の加熱炉中で
硬化して絶縁性エラストマ層を形成した。一方、同じ絶
縁性シリコーンゴムコンパウンド100重量部に、平均
粒径0.5μmと平均粒径5μmとの配合比率が80/
20である銀粒子を150℃で30分間加熱処理して得
られた銀粒子500重量部と、カーボン粒子として、フ
ァーネスブラック製法で造られたケッチェンブラックE
C(ライオン社製、商品名)10重量部とを加え、カー
ボン粒子の平均粒子間距離Sが250Å程度になるよう
に混合し混練して導電性エラストマコンパウンドを調製
した。この導電性エラストマコンパウンドを先に形成し
た絶縁性エラストマ層上に、厚さ0.03mmとなるよ
うにカレンダーで分出しして導電層を形成した。これか
らベースフィルムを剥離して同順に多数枚積層して積層
ブロック体とし、加硫処理後、スライスし、さらに二次
加硫して硬度を60°H(JIS K−6391にもと
づき測定)とし、規定のサイズに裁断して低抵抗コネク
タを製造した。
【0020】(実施例2)銀粒子の加熱処理条件を12
0℃で60分間とした以外は、実施例1と同様にして低
抵抗コネクタを製造した。
0℃で60分間とした以外は、実施例1と同様にして低
抵抗コネクタを製造した。
【0021】(実施例3)銀粒子として、フェノール樹
脂の焼成品を核材とする銀含有量50重量%の銀メッキ
粒子250重量部を用いた以外は、実施例1と同様にし
て低抵抗コネクタを製造した。
脂の焼成品を核材とする銀含有量50重量%の銀メッキ
粒子250重量部を用いた以外は、実施例1と同様にし
て低抵抗コネクタを製造した。
【0022】(比較例1)銀粒子の加熱処理条件を80
℃で30分間とした以外は、実施例1と同様にして低抵
抗コネクタを製造した。 (比較例2)銀粒子の加熱処理条件を200℃で5分間
とした以外は、実施例1と同様にして低抵抗コネクタを
製造した。 (比較例3)銀粒子の配合量を100重量部とした以外
は、実施例1と同様にして低抵抗コネクタを製造した。 (比較例4)銀粒子として、フェノール樹脂の焼成品を
核材とする銀含有量10重量%の銀メッキ粒子250重
量部を用いた以外は、実施例1と同様にして低抵抗コネ
クタを製造した。 (比較例5)導電層を形成するための導電性エラストマ
コンパウンドを調製する際、カーボン粒子を0.5重量
部添加して平均粒子間距離Sを1400Åとした以外
は、実施例1と同様にして低抵抗コネクタを製造した。 (比較例6)高度が40°Hであること以外は、実施例
1と同様にして低抵抗コネクタを製造した。
℃で30分間とした以外は、実施例1と同様にして低抵
抗コネクタを製造した。 (比較例2)銀粒子の加熱処理条件を200℃で5分間
とした以外は、実施例1と同様にして低抵抗コネクタを
製造した。 (比較例3)銀粒子の配合量を100重量部とした以外
は、実施例1と同様にして低抵抗コネクタを製造した。 (比較例4)銀粒子として、フェノール樹脂の焼成品を
核材とする銀含有量10重量%の銀メッキ粒子250重
量部を用いた以外は、実施例1と同様にして低抵抗コネ
クタを製造した。 (比較例5)導電層を形成するための導電性エラストマ
コンパウンドを調製する際、カーボン粒子を0.5重量
部添加して平均粒子間距離Sを1400Åとした以外
は、実施例1と同様にして低抵抗コネクタを製造した。 (比較例6)高度が40°Hであること以外は、実施例
1と同様にして低抵抗コネクタを製造した。
【0023】上記実施例1〜3、比較例1〜6で製造し
た低抵抗コネクタについて、ガス発生、加硫遅れ、体積
抵抗率を測定して総合的に判定し、さらに接続信頼性を
調べ、これらの結果を表1に示した。このように本発明
の実施例1〜3のコネクタはいずれも、ガス発生や加硫
遅れがなく、さらに、コネクタとして高い接続信頼性を
示した。
た低抵抗コネクタについて、ガス発生、加硫遅れ、体積
抵抗率を測定して総合的に判定し、さらに接続信頼性を
調べ、これらの結果を表1に示した。このように本発明
の実施例1〜3のコネクタはいずれも、ガス発生や加硫
遅れがなく、さらに、コネクタとして高い接続信頼性を
示した。
【0024】
【表1】
【0025】なお、表1の各評価項目に対する評価方法
は、下記のとおりである。 .ガス発生;プレス機での200kg/cm2 加圧下
のもとで、165℃で10分間加硫し、この間のガスの
発生を調べ、ガスの発生がない場合は○印で表示し、あ
る場合は×印で表示した。 .加硫遅れ;オシレーティングディスクレオメータA
STM−100型(東洋精機製作所)を用いてASTM
−D−2084に準じて加硫特性を測定した。導電性材
料が添加されていない絶縁性エラストマの加硫時間と比
較して、時間差が20秒未満の場合は○印で表示し、超
える場合は×印で表示した。 .体積抵抗率;電圧電流法によるSRIS−2301
に準じて測定し、10-3 Ω・cmより低いものを良と
し、高いものは不良とした。 .接続信頼性;電極ピッチ0.5mmの基板間に挟
み、コネクタを5%圧縮状態で導通抵抗を測定し、安定
した状態で導通抵抗が250mΩ、電流値を200mA
まで流すことができたものを○印で表示し、安定せずに
導通抵抗がとれなかったものは×印で表示した。
は、下記のとおりである。 .ガス発生;プレス機での200kg/cm2 加圧下
のもとで、165℃で10分間加硫し、この間のガスの
発生を調べ、ガスの発生がない場合は○印で表示し、あ
る場合は×印で表示した。 .加硫遅れ;オシレーティングディスクレオメータA
STM−100型(東洋精機製作所)を用いてASTM
−D−2084に準じて加硫特性を測定した。導電性材
料が添加されていない絶縁性エラストマの加硫時間と比
較して、時間差が20秒未満の場合は○印で表示し、超
える場合は×印で表示した。 .体積抵抗率;電圧電流法によるSRIS−2301
に準じて測定し、10-3 Ω・cmより低いものを良と
し、高いものは不良とした。 .接続信頼性;電極ピッチ0.5mmの基板間に挟
み、コネクタを5%圧縮状態で導通抵抗を測定し、安定
した状態で導通抵抗が250mΩ、電流値を200mA
まで流すことができたものを○印で表示し、安定せずに
導通抵抗がとれなかったものは×印で表示した。
【0026】
【発明の効果】上記構成からなる本発明の導電部材は、
体積抵抗率が小さく安定した抵抗値を示し、多くの電流
を流すことができ、この導電部材を用いてなる本発明の
低抵抗コネクタは、抵抗値のばらつきが小さく、安定し
た接続状態が得られ、微小電流を流せることからカラー
液晶用モジュールやプラズマディスプレイ用モジュール
等との接続に好適に用いることができ、高い電流値を必
要とする回路にも十分安定した状態で使用することがで
きた。また、ICチップ等の検査の接続に用いると、低
い圧縮率で接続することができるため、機器に与える負
荷が小さく、ICチップの端子の変形や内部破壊を起こ
すことなく、より精密な検査を行うことができ、これら
の検査機器等の小型軽量化を図ることができた。さら
に、本発明のコネクタは既存の設備で製造することがで
き、生産性が高く、製造コストを低減することができ
た。
体積抵抗率が小さく安定した抵抗値を示し、多くの電流
を流すことができ、この導電部材を用いてなる本発明の
低抵抗コネクタは、抵抗値のばらつきが小さく、安定し
た接続状態が得られ、微小電流を流せることからカラー
液晶用モジュールやプラズマディスプレイ用モジュール
等との接続に好適に用いることができ、高い電流値を必
要とする回路にも十分安定した状態で使用することがで
きた。また、ICチップ等の検査の接続に用いると、低
い圧縮率で接続することができるため、機器に与える負
荷が小さく、ICチップの端子の変形や内部破壊を起こ
すことなく、より精密な検査を行うことができ、これら
の検査機器等の小型軽量化を図ることができた。さら
に、本発明のコネクタは既存の設備で製造することがで
き、生産性が高く、製造コストを低減することができ
た。
Claims (2)
- 【請求項1】 絶縁性エラストマ樹脂原料100重量部
に銀粒子150〜500重量部及びカーボン粒子2〜4
0重量部を加え、カーボン粒子の平均粒子間距離Sが1
000Å未満となるようにカーボン粒子が混合されてな
り、該銀粒子は、平均粒径が0.1〜1.0μmの細か
い銀粒子と平均粒径が2〜30μmの粗い銀粒子とを混
合比率90/10〜70/30の範囲で混合し、120
℃以上で10分以上加熱処理された銀含有量が20重量
%以上の粒子からなることを特徴とする導電部材。 - 【請求項2】 請求項1に記載の導電部材からなる導電
層と絶縁性エラストマ層とを交互に積層してなることを
特徴とする低抵抗コネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04494898A JP3202959B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 導電部材及びこれを用いてなる低抵抗コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04494898A JP3202959B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 導電部材及びこれを用いてなる低抵抗コネクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250962A JPH11250962A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3202959B2 true JP3202959B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=12705720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04494898A Expired - Fee Related JP3202959B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 導電部材及びこれを用いてなる低抵抗コネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202959B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7305102B2 (ja) * | 2019-02-19 | 2023-07-10 | 太陽ホールディングス株式会社 | 導電性組成物およびそれを用いた導電体並びに積層構造体 |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04494898A patent/JP3202959B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11250962A (ja) | 1999-09-17 |
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