JP3219964B2 - パワーダウンメモリ制御ユニット - Google Patents

パワーダウンメモリ制御ユニット

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JP3219964B2
JP3219964B2 JP07194095A JP7194095A JP3219964B2 JP 3219964 B2 JP3219964 B2 JP 3219964B2 JP 07194095 A JP07194095 A JP 07194095A JP 7194095 A JP7194095 A JP 7194095A JP 3219964 B2 JP3219964 B2 JP 3219964B2
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JP
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signal
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亨 瀧島
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甲府日本電気株式会社
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

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  • Dram (AREA)
  • Memory System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一定周期で強制リフレ
ッシュを実施するダイナミックランダムアクセスメモリ
を有するメモリモジュールで構成されるパワーダウンメ
モリ制御ユニットに関し、特にアクセスされないランダ
ムアクセスメモリの電力消費を低下させるようにしたパ
ワーダウンメモリ制御ユニットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のパワーダウン制御ユニットにおい
ては、たとえば、特公昭60−263396号公報に記
述されているように、使用不可と設定されたダイナミッ
クランダムアクセスメモリに対しては完全に電源の供給
を停止することにより、消費電力を低減する方法を採っ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパワー
ダウン制御ユニットでは、一度使用不可と設定されたダ
イナミックランダムアクセスメモリを使用可能にするに
は、電源を再供給することになるので、電源の安定まで
に要する時間およびダイナミックランダムアクセスメモ
リを使用可能にするためのダミーのライト(書き込み)
に要する時間がかかりオーバーヘッドが生じるという欠
点がある。
【0004】さらに電源供給の停止により、ダイナミッ
クランダムアクセスメモリ内のデータの消去が生じてし
まうという欠点がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明パワーダウン制
御ユニットは、(a)各々が制御タイミング信号により
データの書き込みおよび読み出しを行い外部クロック信
号から分周クロックを作成しクロック選択信号により前
記外部クロック信号と前記分周クロック信号とのいずれ
かを選択しこの選択されたクロック信号に同期して動作
し前記分周クロックが選択されていると動作を停止し一
定周期で強制リフレッシュを実行する複数のダイナミッ
クランダムアクセスメモリを有する複数のメモリモジュ
ールと、(b)前記各メモリモジュールの各々に前記制
御タイミング信号を供給する制御タイミング信号発生回
路と、(c)前記各メモリモジュールの各々に前記クロ
ック選択信号を供給するクロック選択信号回路と、を備
えている。
【0006】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
【0007】図は本発明実施例を示すブロック図で
ある。図を参照すると、本発明実施例は、制御タイ
ミング発生回路1と、クロック選択信号回路17と、外
部から入力される外部クロック信号から分周クロックを
作成し、外部から入力されるクロック選択信号により前
記外部クロック信号と前記分周クロック信号とのどちら
かを選択して、このクロック信号に同期して動作するシ
ンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリからな
るメモリモジュール18から21とから構成されてい
る。
【0008】次に動作について図および図を参照し
て詳細に説明する。
【0009】メモリモジュール20がアクセスされ、メ
モリモジュール18から19、21がアクセスされてい
ない場合について説明する。
【0010】この場合、制御タイミング発生回路1から
信号線1Cに制御タイミング信号が発生し、信号線1A
から1B、1Dには制御タイミングは発生しない。
【0011】また、制御タイミング発生回路1からの選
択信号1Eによってクロック選択信号回路17が制御さ
れ、ここからの出力であるクロック選択信号17A、1
7B、17C、17Dは、それぞれ‘0’、‘0’、
‘1’、‘0’となる。
【0012】したがって、メモリモジュール20内のす
べてのシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモ
リでは、通常クロックが選択され通常動作を行うが、メ
モリモジュール18から19、21内のシンクロナスダ
イナミックランダムアクセスメモリでは、分周クロック
が選択され、これらの全てのシンクロナスダイナミック
ランダムアクセスメモリは動作を停止する。動作が停止
したことにより電力の消費が抑えられる。また、動作を
停止したシンクロナスダイナミックランダムアクセスメ
モリでは、一定周期で強制リフレッシュが実行されデー
タの保全がなされる。
【0013】シンクロナスダイナミックランダムアクセ
スメモリ内では図に示すように、外部クロック信号が
クロック供給線45から供給され、クロック分周回路4
2で分周される。クロック信号線45からの外部クロッ
クとクロック分周回路46からクロック信号46のいず
れかをクロック選択信号44にしたがってセレクタ41
で選択し内部で使用する。
【0014】上述実施例では、メモリモジュール20
のみがアクセスされている場合を説明したが、その他の
モジュールがアクセスされている場合でも同様にアクセ
スされているモジュールのみが動作し、他のモジュール
は動作を停止し、電力の消費が抑えられる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパワーダ
ウンメモリ制御ユニットは使用不可と設定されるメモリ
モジュールのダイナミックランダムアクセスメモリのク
ロック供給抑止クロックの分周とにより電力消費の抑
止を達成できるという効果がある。さらに、電源を供給
し続け、かつ強制リフレッシュを実行することにより、
モジュールを再び使用可に設定した時に、電源の安定ま
でに要する時間およびダイナミックランダムアクセスメ
モリを使用可能にするためのダミーのライトに要する時
間が除去されオーバーヘッドが生じないという効果があ
る。また、ダイナミックランダムアクセスメモリ内のデ
ータが消去されず保全されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例のブロック図である。
【図2】本発明実施例に用いるシンクロナスダイナミ
ックランダムアクセスメモリのブロック図である。
【符号の説明】
1 制御タイミング発生回路18、19、20、21 メモリモジュール 11、45 クロック信号 17 クロック選択信号回路41 セレクタ 40 シンクロナスダイナミックランダムアクセスメ
モリ 42 クロック分周回路 1A、1B、1C、1D 制御タイミング信号 1E 選択信号 17A、17B、17C、17D クロック選択信号43 制御タイミング発生回路 47 分周クロック信号

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)各々が制御タイミング信号により
    データの書き込みおよび読み出しを行い外部クロック信
    号から分周クロックを作成しクロック選択信号により前
    記外部クロック信号と前記分周クロック信号とのいずれ
    かを選択しこの選択されたクロック信号に同期して動作
    し前記分周クロックが選択されていると動作を停止し一
    定周期で強制リフレッシュを実行する複数のダイナミッ
    クランダムアクセスメモリを有する複数のメモリモジュ
    ールと、 (b)前記各メモリモジュールの各々に前記制御タイミ
    ング信号を供給する制御タイミング信号発生回路と、 (c)前記制御タイミング信号発生回路からの選択信号
    を基に前記各メモリモジュールの各々に前記クロック選
    択信号を供給するクロック選択信号回路と、を備えたこ
    とを特徴とするパワーダウンメモリ制御ユニット。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP3420120B2 (ja) 1999-06-29 2003-06-23 日本電気株式会社 同期型半導体メモリシステム
JP4561783B2 (ja) 2007-06-21 2010-10-13 ソニー株式会社 半導体メモリ装置、半導体メモリ装置の動作方法

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