JP3225730B2 - 正負静電気簡易検出回路 - Google Patents
正負静電気簡易検出回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は静電気の帯電レベルを簡
易的に知るための検出回路に関する。
易的に知るための検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から電気信号出力を持たない液晶表
示による両極性静電気簡易検出器具は知られていた。ま
た、電気信号出力を持つ簡易型静電気検出回路として
は、従来は正又は負の単一極性の検出回路が知られてい
た。
示による両極性静電気簡易検出器具は知られていた。ま
た、電気信号出力を持つ簡易型静電気検出回路として
は、従来は正又は負の単一極性の検出回路が知られてい
た。
【０００３】図７は従来の静電気簡易検出回路である。
金属片または金属環からなる第２の静電気センサー導体
１が図示しない静電気の帯電体に近付き接触すると、帯
電体と同じ静電気の高電圧が第２の静電気センサー導体
１に伝わり、分圧抵抗３及び４を介し極細線導体の塊か
らなる第１の静電気センサー導体２へも高電圧の静電気
が伝わる。この第１の静電気センサー導体２は一条の線
ではなく、複数の線条、或は長い線条を先端を突出させ
て折曲して多数の線端を有するので、各線端部特に突出
した線端部の周囲空間は非常に大きな電位勾配となり空
気の絶縁耐圧を局所的に越え、そこから電荷が放電放出
されるようになされていた。
金属片または金属環からなる第２の静電気センサー導体
１が図示しない静電気の帯電体に近付き接触すると、帯
電体と同じ静電気の高電圧が第２の静電気センサー導体
１に伝わり、分圧抵抗３及び４を介し極細線導体の塊か
らなる第１の静電気センサー導体２へも高電圧の静電気
が伝わる。この第１の静電気センサー導体２は一条の線
ではなく、複数の線条、或は長い線条を先端を突出させ
て折曲して多数の線端を有するので、各線端部特に突出
した線端部の周囲空間は非常に大きな電位勾配となり空
気の絶縁耐圧を局所的に越え、そこから電荷が放電放出
されるようになされていた。
【０００４】このようにして分圧抵抗３及び４を介して
放電電流が少しずつ流れる。このとき分圧抵抗４の両端
間には電位差が生じ、電圧レベル弁別部５がこの電位差
を検出していた。電圧レベル弁別部５は正又は負のどち
らかのスレッショルド値を持つため単極性の静電気にの
み反応し、異極性の静電気には反応しなかった。
放電電流が少しずつ流れる。このとき分圧抵抗４の両端
間には電位差が生じ、電圧レベル弁別部５がこの電位差
を検出していた。電圧レベル弁別部５は正又は負のどち
らかのスレッショルド値を持つため単極性の静電気にの
み反応し、異極性の静電気には反応しなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の正または負静電
気簡易検出回路は正負両極性の何れかしか反応しなかっ
たので、正及び負の両極性の静電気の一定、またはそれ
以上のレベルに反応する検出回路が要望されていた。
気簡易検出回路は正負両極性の何れかしか反応しなかっ
たので、正及び負の両極性の静電気の一定、またはそれ
以上のレベルに反応する検出回路が要望されていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した従来の
問題点に鑑みなされたもので、電荷を放電放出する第１
の静電気センサー導体と、静電気帯電体に近接する第２
の静電気センサー導体間に、直列接続された第１乃至第
４の抵抗を有し、該第１乃至第４の抵抗の中第２と第３
の抵抗の接続点を二入力論理和回路の基準電圧点とし、
前記第１乃至第４の抵抗の中第１と第２の抵抗の接続点
を前記二入力論理和回路の第１の入力端子へ接続し、前
記第１乃至第４の抵抗の中第３と第４の抵抗の接続点を
前記二入力論理和回路の第２の入力端子へ接続した正負
静電気簡易検出回路を提案するものである。
問題点に鑑みなされたもので、電荷を放電放出する第１
の静電気センサー導体と、静電気帯電体に近接する第２
の静電気センサー導体間に、直列接続された第１乃至第
４の抵抗を有し、該第１乃至第４の抵抗の中第２と第３
の抵抗の接続点を二入力論理和回路の基準電圧点とし、
前記第１乃至第４の抵抗の中第１と第２の抵抗の接続点
を前記二入力論理和回路の第１の入力端子へ接続し、前
記第１乃至第４の抵抗の中第３と第４の抵抗の接続点を
前記二入力論理和回路の第２の入力端子へ接続した正負
静電気簡易検出回路を提案するものである。
【０００７】
【作用】電圧デバイダ抵抗の中間点から見ると、電圧デ
バイダを電流が正または負のどちらの方向に流れても、
両側抵抗のどちらかの端は必ず正の電圧となり、また逆
にどちらかの端は必ず負の電圧となるが、論理和回路に
よりこの両端電圧のどちらかの電圧を弁別することによ
り極性依存性がなくなる。
バイダを電流が正または負のどちらの方向に流れても、
両側抵抗のどちらかの端は必ず正の電圧となり、また逆
にどちらかの端は必ず負の電圧となるが、論理和回路に
よりこの両端電圧のどちらかの電圧を弁別することによ
り極性依存性がなくなる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の詳細を添付図面を参照して説明
する。尚、従来例と同じものは同じ参照符号を付した。
両極性の静電気に対しレベル弁別できる第１の実施例を
図１に示す。金属片または金属環からなる第２の静電気
センサー導体１及び極細線導体の塊からなる第１の静電
気センサー導体２は図７のものと同じなのでここでの説
明は省略する。デバイダ抵抗６（例えば１０ＭΩ）、７
（例えば１００ｋΩ）、８（例えば１００ｋΩ）、９
（例えば１０ＭΩ）の中間点Ａが正電圧レベル弁別部１
４の基準電圧点に接続されている。今、第２の静電気セ
ンサー導体１が正の帯電体（図示せず）に接触している
場合、ダイオード１０を通して正の電圧が正電圧レベル
弁別部１４へ印加される。また逆に第２の静電気センサ
ー導体１が負の帯電体（図示せず）に接触している場
合、デバイダ抵抗９からデバイダ抵抗６に向かって放電
電流が流れ、デバイダ抵抗８の両端の電位差によりダイ
オード１１を通して、正の電圧を正電圧レベル弁別部１
４の入力端子Ｂへ印加する。従って帯電体が正でも負で
も正電圧レベル弁別部１４は反応することができる。尚
コンデンサ１２及び抵抗１３は、帯電体が急速に、デバ
イダ抵抗６、７、８、９及び第１の静電気センサー導体
２を通して放電し、帯電量が急減した場合でも一定時間
レベル弁別動作ができる様にする役目を持つものであ
る。
する。尚、従来例と同じものは同じ参照符号を付した。
両極性の静電気に対しレベル弁別できる第１の実施例を
図１に示す。金属片または金属環からなる第２の静電気
センサー導体１及び極細線導体の塊からなる第１の静電
気センサー導体２は図７のものと同じなのでここでの説
明は省略する。デバイダ抵抗６（例えば１０ＭΩ）、７
（例えば１００ｋΩ）、８（例えば１００ｋΩ）、９
（例えば１０ＭΩ）の中間点Ａが正電圧レベル弁別部１
４の基準電圧点に接続されている。今、第２の静電気セ
ンサー導体１が正の帯電体（図示せず）に接触している
場合、ダイオード１０を通して正の電圧が正電圧レベル
弁別部１４へ印加される。また逆に第２の静電気センサ
ー導体１が負の帯電体（図示せず）に接触している場
合、デバイダ抵抗９からデバイダ抵抗６に向かって放電
電流が流れ、デバイダ抵抗８の両端の電位差によりダイ
オード１１を通して、正の電圧を正電圧レベル弁別部１
４の入力端子Ｂへ印加する。従って帯電体が正でも負で
も正電圧レベル弁別部１４は反応することができる。尚
コンデンサ１２及び抵抗１３は、帯電体が急速に、デバ
イダ抵抗６、７、８、９及び第１の静電気センサー導体
２を通して放電し、帯電量が急減した場合でも一定時間
レベル弁別動作ができる様にする役目を持つものであ
る。
【０００９】次に第２の実施例を図２に示す。これは負
電圧レベル弁別部１７を使用した例である。ダイオード
の向きが図１の第１の実施例のものと逆であること以外
は同じである。第２の静電気センサー導体１が負の帯電
体（図示せず）に接触している場合、ダイオード１５を
通して負の電圧が負電圧レベル弁別部１７へ印加され
る。また逆に第２の静電気センサー導体１が正の帯電体
に接触している場合、デバイダ抵抗６からデバイダ抵抗
９に向かって放電電流が流れ、デバイダ抵抗８の両端の
電位差によりダイオード１６を通して、負の電圧を負電
圧レベル弁別部１７の入力端子へ印加する。従って帯電
体が正でも負でも負電圧レベル弁別部１７は反応するこ
とができる。
電圧レベル弁別部１７を使用した例である。ダイオード
の向きが図１の第１の実施例のものと逆であること以外
は同じである。第２の静電気センサー導体１が負の帯電
体（図示せず）に接触している場合、ダイオード１５を
通して負の電圧が負電圧レベル弁別部１７へ印加され
る。また逆に第２の静電気センサー導体１が正の帯電体
に接触している場合、デバイダ抵抗６からデバイダ抵抗
９に向かって放電電流が流れ、デバイダ抵抗８の両端の
電位差によりダイオード１６を通して、負の電圧を負電
圧レベル弁別部１７の入力端子へ印加する。従って帯電
体が正でも負でも負電圧レベル弁別部１７は反応するこ
とができる。
【００１０】図１の第１の実施例の場合はダイオード１
０及び１１により、デバイダ抵抗の二点の正の論理和を
とっている事になり、また図２の第２の実施例の場合は
ダイオード１５及び１６により、デバイダ抵抗の二点の
負の論理和をとっている事になる。尚、図１及び図２に
おいてはダイオードを使用しているが、このダイオード
の代わりにツェナーダイオードに置き換えて過大入力電
圧に対する保護をも兼ねる事も可能である。
０及び１１により、デバイダ抵抗の二点の正の論理和を
とっている事になり、また図２の第２の実施例の場合は
ダイオード１５及び１６により、デバイダ抵抗の二点の
負の論理和をとっている事になる。尚、図１及び図２に
おいてはダイオードを使用しているが、このダイオード
の代わりにツェナーダイオードに置き換えて過大入力電
圧に対する保護をも兼ねる事も可能である。
【００１１】第３の実施例について図３を参照して説明
する。ここではＣＭＯＳディジタルロジックを使用し論
理和を作成している。電池２３の電圧が例えば３Ｖであ
るとき、この電池２３の負電源端子を論理和の基準電圧
点としている。前述の説明のようにこの回路もまた正負
いずれの帯電体でも反応でき、一定レベル以上の入力電
圧のとき本検出回路は正（ハイ）レベル弁別出力とな
る。標準的論理和用ＣＭＯＳロジックＩＣである７４Ｈ
Ｃ３２の場合入力インピーダンスが非常に大きく、帯電
体への影響も少なくでき、更にＩＣ内部で各入力が静電
気保護対策がなされており大変に都合が良いものであ
る。
する。ここではＣＭＯＳディジタルロジックを使用し論
理和を作成している。電池２３の電圧が例えば３Ｖであ
るとき、この電池２３の負電源端子を論理和の基準電圧
点としている。前述の説明のようにこの回路もまた正負
いずれの帯電体でも反応でき、一定レベル以上の入力電
圧のとき本検出回路は正（ハイ）レベル弁別出力とな
る。標準的論理和用ＣＭＯＳロジックＩＣである７４Ｈ
Ｃ３２の場合入力インピーダンスが非常に大きく、帯電
体への影響も少なくでき、更にＩＣ内部で各入力が静電
気保護対策がなされており大変に都合が良いものであ
る。
【００１２】第４の実施例について図４を用いて説明す
る。ここでもＣＭＯＳディジタルロジックを使用してい
るが負の論理和を作成している。ＡＮＤゲート３０（例
えばＣＭＯＳ標準ロジックＩＣの７４ＨＣ０８）を使用
しているので一見論理和には見えないが、詳細動作を説
明する。今、第２の静電気センサー導体１が正の帯電体
に接触している場合、電池３１（例えば３Ｖ）の正電源
端子を基準電圧点としているので、ＡＮＤゲート３０の
図４のＣ点で示す入力は正側クランプレベルいっぱいの
正（ハイ）レベルとなり、放電電流がデバイダ抵抗２５
からデバイダ抵抗２６に向かって流れるため図４のＤ点
は基準電圧点よりもローレベルとなり、帯電体が充分大
きな帯電量であるとき、Ｄ点電圧はＡＮＤゲート３０の
入力スレッショルド電圧よりも低くなる。従ってＡＮＤ
ゲート３０の出力は負（ロー）レベルの弁別出力とな
る。
る。ここでもＣＭＯＳディジタルロジックを使用してい
るが負の論理和を作成している。ＡＮＤゲート３０（例
えばＣＭＯＳ標準ロジックＩＣの７４ＨＣ０８）を使用
しているので一見論理和には見えないが、詳細動作を説
明する。今、第２の静電気センサー導体１が正の帯電体
に接触している場合、電池３１（例えば３Ｖ）の正電源
端子を基準電圧点としているので、ＡＮＤゲート３０の
図４のＣ点で示す入力は正側クランプレベルいっぱいの
正（ハイ）レベルとなり、放電電流がデバイダ抵抗２５
からデバイダ抵抗２６に向かって流れるため図４のＤ点
は基準電圧点よりもローレベルとなり、帯電体が充分大
きな帯電量であるとき、Ｄ点電圧はＡＮＤゲート３０の
入力スレッショルド電圧よりも低くなる。従ってＡＮＤ
ゲート３０の出力は負（ロー）レベルの弁別出力とな
る。
【００１３】また逆に第２の静電気センサー導体１が負
の帯電体に接触している場合、Ｄ点は基準電圧点よりも
正側クランプレベルいっぱいの電圧となり、Ｃ点がゲー
ト３０のスレッショルド電圧よりも低下し、ＡＮＤゲー
ト３０の出力はやはり負（ロー）レベル弁別出力とな
る。以上の説明から図４のＡＮＤゲート３０は動作上の
負の論理和回路である。図４のＡＮＤゲート３０は図５
に示す負の論理和ゲート３０と全く等価である事からも
上記説明は理解できる。帯電体の帯電量が小さいとき、
または零であるときは、ＡＮＤゲート３０の出力は正
（ハイ）レベルの弁別出力となる。コンデンサ２８及び
２９（例えば０．０１μＦ）は図１及び図２のコンデン
サ１２の役目と同じなので説明を省略するが、デバイダ
抵抗の値を少し変える必要があり、例えば抵抗２４は１
ＭΩ、抵抗２５は１０ＭΩ、抵抗２６は１０ＭΩ、抵抗
２７は１ＭΩ等とした方が検出感度の点でより良くな
る。
の帯電体に接触している場合、Ｄ点は基準電圧点よりも
正側クランプレベルいっぱいの電圧となり、Ｃ点がゲー
ト３０のスレッショルド電圧よりも低下し、ＡＮＤゲー
ト３０の出力はやはり負（ロー）レベル弁別出力とな
る。以上の説明から図４のＡＮＤゲート３０は動作上の
負の論理和回路である。図４のＡＮＤゲート３０は図５
に示す負の論理和ゲート３０と全く等価である事からも
上記説明は理解できる。帯電体の帯電量が小さいとき、
または零であるときは、ＡＮＤゲート３０の出力は正
（ハイ）レベルの弁別出力となる。コンデンサ２８及び
２９（例えば０．０１μＦ）は図１及び図２のコンデン
サ１２の役目と同じなので説明を省略するが、デバイダ
抵抗の値を少し変える必要があり、例えば抵抗２４は１
ＭΩ、抵抗２５は１０ＭΩ、抵抗２６は１０ＭΩ、抵抗
２７は１ＭΩ等とした方が検出感度の点でより良くな
る。
【００１４】第５の実施例を図６により説明する。この
回路はマルチ（この例では正負４段階）弁別レベルとし
たもので、図４の回路を４組まとめたものを基本として
いる。実質的論理和ゲート５０はＣＭＯＳ標準ロジック
ＩＣの７４ＨＣ００であり出力は図４のものとは反転出
力となり正（ハイ）弁別出力となる。４段階の弁別レベ
ル差はデバイダ抵抗の値を変えて例えば対数等分として
いる。代表的抵抗値としては、参照符号３３のデバイダ
抵抗が４．７ＭΩ、デバイダ抵抗３４は１００ｋΩ、デ
バイダ抵抗３５は１００ｋΩ、デバイダ抵抗３６は４．
７ＭΩ、デバイダ抵抗３７は４．７ＭΩ、デバイダ抵抗
３８は３３０ｋΩ、デバイダ抵抗３９は３３０ｋΩ、デ
バイダ抵抗４０は４．７ＭΩ、デバイダ抵抗４１は４．
７ＭΩ、デバイダ抵抗４２は１ＭΩ、デバイダ抵抗４３
は１ＭΩ、デバイダ抵抗４４は４．７ＭΩ、デバイダ抵
抗４５は４．７ＭΩ、デバイダ抵抗４６は３．３ＭΩ、
デバイダ抵抗４７は３．３ＭΩ、デバイダ抵抗４８は
４．７ＭΩが適切な値である。デバイダ抵抗が４組並列
に接続されるのでその合成抵抗値は低下するので、４組
をまとめてインピーダンス増加抵抗３２（１０ＭΩ）及
び４９（１０ＭΩ）を直列に加えた。
回路はマルチ（この例では正負４段階）弁別レベルとし
たもので、図４の回路を４組まとめたものを基本として
いる。実質的論理和ゲート５０はＣＭＯＳ標準ロジック
ＩＣの７４ＨＣ００であり出力は図４のものとは反転出
力となり正（ハイ）弁別出力となる。４段階の弁別レベ
ル差はデバイダ抵抗の値を変えて例えば対数等分として
いる。代表的抵抗値としては、参照符号３３のデバイダ
抵抗が４．７ＭΩ、デバイダ抵抗３４は１００ｋΩ、デ
バイダ抵抗３５は１００ｋΩ、デバイダ抵抗３６は４．
７ＭΩ、デバイダ抵抗３７は４．７ＭΩ、デバイダ抵抗
３８は３３０ｋΩ、デバイダ抵抗３９は３３０ｋΩ、デ
バイダ抵抗４０は４．７ＭΩ、デバイダ抵抗４１は４．
７ＭΩ、デバイダ抵抗４２は１ＭΩ、デバイダ抵抗４３
は１ＭΩ、デバイダ抵抗４４は４．７ＭΩ、デバイダ抵
抗４５は４．７ＭΩ、デバイダ抵抗４６は３．３ＭΩ、
デバイダ抵抗４７は３．３ＭΩ、デバイダ抵抗４８は
４．７ＭΩが適切な値である。デバイダ抵抗が４組並列
に接続されるのでその合成抵抗値は低下するので、４組
をまとめてインピーダンス増加抵抗３２（１０ＭΩ）及
び４９（１０ＭΩ）を直列に加えた。
【００１５】以上に述べた図１乃至図６の両極性の検出
回路において、正負同レベルでの弁別としたが、各デバ
イダ抵抗値を変えて（バランスをとらないで）正電荷と
負電荷に対して異なる弁別レベルとすることも可能であ
る。また強力に帯電した帯電体に対しては、第２の静電
気センサー導体１を近づけただけでも検出できる。更に
第１の静電気センサー導体を極細線導体の塊で説明した
が、接地導体または大面積の等価的放電導体等でも全く
同じ回路動作となる。
回路において、正負同レベルでの弁別としたが、各デバ
イダ抵抗値を変えて（バランスをとらないで）正電荷と
負電荷に対して異なる弁別レベルとすることも可能であ
る。また強力に帯電した帯電体に対しては、第２の静電
気センサー導体１を近づけただけでも検出できる。更に
第１の静電気センサー導体を極細線導体の塊で説明した
が、接地導体または大面積の等価的放電導体等でも全く
同じ回路動作となる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は如上のような構成となしたの
で、簡単な回路で且つ極めて少ない消費電力で、正負両
極性の静電気の簡易検出が可能となった。
で、簡単な回路で且つ極めて少ない消費電力で、正負両
極性の静電気の簡易検出が可能となった。
【図１】 正電圧レベル弁別器を使用したダイオードに
よる両極性静電気簡易検出回路
よる両極性静電気簡易検出回路
【図２】 負電圧レベル弁別器を使用したダイオードに
よる両極性静電気簡易検出回路
よる両極性静電気簡易検出回路
【図３】 ＯＲゲートを使用したＣＭＯＳディジタルロ
ジックによる両極性静電気簡易検出回路
ジックによる両極性静電気簡易検出回路
【図４】 ＡＮＤゲートを使用したＣＭＯＳディジタル
ロジックによる両極性静電気簡易検出回路
ロジックによる両極性静電気簡易検出回路
【図５】 負の論理和ゲート
【図６】 ＣＭＯＳロジックを使用した両極性マルチレ
ベル静電気簡易検出回路
ベル静電気簡易検出回路
【図７】 従来の静電気簡易検出回路
１ 第２の静電気センサー導体 ２ 第１の静電気センサー導体 ３ 分圧抵抗 ４ 分圧抵抗 ５ 電圧レベル弁別部 ６ デバイダ抵抗 ７ デバイダ抵抗 ８ デバイダ抵抗 ９ デバイダ抵抗 １０ ダイオード １１ ダイオード １２ コンデンサ １３ 抵抗 １４ 正電圧レベル弁別部 １５ ダイオード １６ ダイオード １７ 負電圧レベル弁別部 １８ デバイダ抵抗 １９ デバイダ抵抗 ２０ デバイダ抵抗 ２１ デバイダ抵抗 ２２ ＯＲゲート ２３ 電池 ２４ デバイダ抵抗 ２５ デバイダ抵抗 ２６ デバイダ抵抗 ２７ デバイダ抵抗 ２８ コンデンサ ２９ コンデンサ ３０ ＡＮＤゲート（負の論理和ゲート） ３１ 電池 ３２ インピーダンス増加抵抗 ３３ デバイダ抵抗 ３４ デバイダ抵抗 ３５ デバイダ抵抗 ３６ デバイダ抵抗 ３７ デバイダ抵抗 ３８ デバイダ抵抗 ３９ デバイダ抵抗 ４０ デバイダ抵抗 ４１ デバイダ抵抗 ４２ デバイダ抵抗 ４３ デバイダ抵抗 ４４ デバイダ抵抗 ４５ デバイダ抵抗 ４６ デバイダ抵抗 ４７ デバイダ抵抗 ４８ デバイダ抵抗 ４９ インピーダンス増加抵抗 ５０ ＮＡＮＤゲートＩＣ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−203688（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−62484（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−79282（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−233479（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−150578（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−18070（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−184865（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−140366（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−82875（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−62700（ＪＰ，Ｕ) 実開 平５−70655（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−139873（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 29/24
Claims (4)
- 【請求項１】 電荷を放電放出する第１の静電気センサ
ー導体と、静電気帯電体に近接する第２の静電気センサ
ー導体間に、直列接続された第１乃至第４の抵抗を有
し、該第１乃至第４の抵抗の中第２と第３の抵抗の接続
点を二入力論理和回路の基準電圧点に接続し、前記第１
乃至第４の抵抗の中第１と第２の抵抗の接続点を前記二
入力論理和回路の第１の入力端子へ接続し、前記第１乃
至第４の抵抗の中第３と第４の抵抗の接続点を前記二入
力論理和回路の第２の入力端子へ接続したことを特徴と
する正負静電気簡易検出回路。 - 【請求項２】 前記二入力論理和回路として、ダイオー
ド２個と電圧レベル弁別部とを使用したことを特徴とす
る請求項１記載の正負静電気簡易検出回路。 - 【請求項３】 前記二入力論理和回路として、ＣＭＯＳ
デジタルロジックを使用したことを特徴とする請求項１
記載の正負静電気簡易検出回路。 - 【請求項４】 前記二入力論理和回路として、複数の段
階を有するＮＡＮＤゲートＩＣを使用したことを特徴と
する請求項１記載の正負静電気簡易検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08774194A JP3225730B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 正負静電気簡易検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08774194A JP3225730B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 正負静電気簡易検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270463A JPH07270463A (ja) | 1995-10-20 |
| JP3225730B2 true JP3225730B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=13923363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08774194A Expired - Fee Related JP3225730B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 正負静電気簡易検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225730B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ309271B6 (cs) * | 2019-12-18 | 2022-07-06 | OZM Research s.r.o | Vysokonapěťová diferenciální sonda a zařízení pro měření a vyhodnocování energie elektrického výboje |
| CN114371327A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 深圳长城开发科技股份有限公司 | 一种电子产品表面静电检测电路以及方法 |
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1994
- 1994-03-31 JP JP08774194A patent/JP3225730B2/ja not_active Expired - Fee Related
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