JP3230772B2 - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 18
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 13
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 12
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 11
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 11
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 4,4'-dihydroxybiphenyl glycidyl ether Chemical compound 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N hexabromobenzene Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐半田ストレス性及び
耐湿性に優れた半導体封止用樹脂組成物に関するもので
ある。
耐湿性に優れた半導体封止用樹脂組成物に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂をノボラック型フェノール樹
脂で硬化させるエポキシ樹脂組成物が用いられてきた。
しかし近年の電子機器の小型・軽量化・高性能化の市場
動向において、半導体の高集積化も年々進み、パッケー
ジにおいては小型・薄型の表面実装タイプが主流となり
つつあり、また半導体の高集積化に伴うチップの大型化
から封止樹脂への要求は益々厳しいものとなり、従来の
樹脂組成物では信頼性の確保が困難になってきている。
これは半導体の実装方法が従来のピン挿入型から表面実
装型(VPSリフロー型、IRリフロー型、半田浸漬法
等)に変わることにより、半田浸漬の工程において急激
に200℃以上の高温にさらされることになりパッケー
ジが割れたり、チップと封止樹脂の界面剥離が生じ、耐
湿性が劣化し信頼性が低くなるといった問題が起きる為
であり、小型・薄型パッケージでは一層影響が大きくな
る為である。この様な状況から、半田浸漬等の厳しい条
件においても耐クラック性、耐湿性に優れた高信頼性の
樹脂の開発が急がれている。
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂をノボラック型フェノール樹
脂で硬化させるエポキシ樹脂組成物が用いられてきた。
しかし近年の電子機器の小型・軽量化・高性能化の市場
動向において、半導体の高集積化も年々進み、パッケー
ジにおいては小型・薄型の表面実装タイプが主流となり
つつあり、また半導体の高集積化に伴うチップの大型化
から封止樹脂への要求は益々厳しいものとなり、従来の
樹脂組成物では信頼性の確保が困難になってきている。
これは半導体の実装方法が従来のピン挿入型から表面実
装型(VPSリフロー型、IRリフロー型、半田浸漬法
等)に変わることにより、半田浸漬の工程において急激
に200℃以上の高温にさらされることになりパッケー
ジが割れたり、チップと封止樹脂の界面剥離が生じ、耐
湿性が劣化し信頼性が低くなるといった問題が起きる為
であり、小型・薄型パッケージでは一層影響が大きくな
る為である。この様な状況から、半田浸漬等の厳しい条
件においても耐クラック性、耐湿性に優れた高信頼性の
樹脂の開発が急がれている。
【0003】これらの問題を解決するために半田付け時
の熱衝撃を緩和する目的で、熱可塑性オリゴマーの添加
(特開昭62−115849号公報)や各種シリコーン
化合物の添加(特開昭62−11585号公報、62−
116654号公報、62−128162号公報)、さ
らにはシリコーン変性(特開昭62−136860号公
報)などの手法で対応しているが、いずれも半田浸漬時
にパッケージにクラックが発生し信頼性の優れた半導体
封止用樹脂組成物を得るまでには至らなかった。一方、
半田浸漬時の耐半田クラック性に優れた半導体封止用樹
脂組成物を得るために、硬化剤として式(3)で示され
るフェノールアラルキル樹脂の使用が検討されてきてお
り、
の熱衝撃を緩和する目的で、熱可塑性オリゴマーの添加
(特開昭62−115849号公報)や各種シリコーン
化合物の添加(特開昭62−11585号公報、62−
116654号公報、62−128162号公報)、さ
らにはシリコーン変性(特開昭62−136860号公
報)などの手法で対応しているが、いずれも半田浸漬時
にパッケージにクラックが発生し信頼性の優れた半導体
封止用樹脂組成物を得るまでには至らなかった。一方、
半田浸漬時の耐半田クラック性に優れた半導体封止用樹
脂組成物を得るために、硬化剤として式(3)で示され
るフェノールアラルキル樹脂の使用が検討されてきてお
り、
【0004】
【化3】
【0005】この樹脂の使用によりリードフレームとの
密着性及び低吸水性が向上し、クラック発生が低減する
が、硬化物のガラス転移温度が、従来のフェノールノボ
ラック硬化剤系に比べ著しく低くなり、長期耐熱性が劣
るという欠点がある。
密着性及び低吸水性が向上し、クラック発生が低減する
が、硬化物のガラス転移温度が、従来のフェノールノボ
ラック硬化剤系に比べ著しく低くなり、長期耐熱性が劣
るという欠点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題に対して耐半田クラック性、耐湿性及び耐熱性が著
しく優れた半導体封止用樹脂組成物を提供するものであ
る。
問題に対して耐半田クラック性、耐湿性及び耐熱性が著
しく優れた半導体封止用樹脂組成物を提供するものであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、これらの問
題を解決するために鋭意研究を進め、以下の樹脂組成物
を見いだした。即ち本発明は、(A)式(1)で示され
るビフェニル型エポキシを総エポキシ樹脂量に対して3
0〜100重量%含む樹脂、
題を解決するために鋭意研究を進め、以下の樹脂組成物
を見いだした。即ち本発明は、(A)式(1)で示され
るビフェニル型エポキシを総エポキシ樹脂量に対して3
0〜100重量%含む樹脂、
【0008】
【化4】 (ここでR1、R2、R3、R4は水素またはCH3で、同
一かまたは異なる原子あるいは基)
一かまたは異なる原子あるいは基)
【0009】(B)硬化剤として、式(2)で示される
フェノール樹脂を総硬化剤量に対して50〜100重量
%含む硬化剤および
フェノール樹脂を総硬化剤量に対して50〜100重量
%含む硬化剤および
【0010】
【化5】 (ここでXはパラキシリレン、n=1〜8)
【0011】(C)無機充填材を必須成分とし、(C)
無機充填材が全組成物中70〜90重量%である半導体
封止用樹脂組成物である。
無機充填材が全組成物中70〜90重量%である半導体
封止用樹脂組成物である。
【0012】本発明に用いられる式(1)のビフェニル
型エポキシは、エポキシ自体の溶融粘度が低いために流
動性を損なうことなく、無機充填材を多量に配合でき、
延いては高強度かつ高靭性であり、吸湿量の少ない耐半
田ストレス性に優れた特徴を有する。式(1)の使用量
は、これを調節することにより、その効果を最大限に引
き出すことができる。即ち、その使用量は総エポキシ樹
脂量に対して30〜100重量%、好ましくは50重量
%以上が望ましい。30重量%未満では樹脂の低粘度化
が図れず目的とする無機充填材の多量配合が困難でり、
高強度、高靭性、低吸湿性の特性を発揮できない。更に
式(1)中のR1、R2、R3、R4はCH3が好ましい。
併用する他のエポキシ樹脂としてはビスフェノール型、
フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック
型、トリスフェニルメタン型、ナフタレン骨格含有型等
各種のものが適用可能であり、単独または混合して用い
ても差し支えない。
型エポキシは、エポキシ自体の溶融粘度が低いために流
動性を損なうことなく、無機充填材を多量に配合でき、
延いては高強度かつ高靭性であり、吸湿量の少ない耐半
田ストレス性に優れた特徴を有する。式(1)の使用量
は、これを調節することにより、その効果を最大限に引
き出すことができる。即ち、その使用量は総エポキシ樹
脂量に対して30〜100重量%、好ましくは50重量
%以上が望ましい。30重量%未満では樹脂の低粘度化
が図れず目的とする無機充填材の多量配合が困難でり、
高強度、高靭性、低吸湿性の特性を発揮できない。更に
式(1)中のR1、R2、R3、R4はCH3が好ましい。
併用する他のエポキシ樹脂としてはビスフェノール型、
フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック
型、トリスフェニルメタン型、ナフタレン骨格含有型等
各種のものが適用可能であり、単独または混合して用い
ても差し支えない。
【0013】式(2)で示される構造のフェノール樹脂
硬化剤の特徴としては、以下の2点が挙げられる。第1
の点は分子鎖中のXで示されるバラキシリレンを有して
いることであり、従来のフェノールノボラック樹脂に比
べ、耐湿性に優れ、また熱時可撓性に優れているという
効果がある。この様な可撓構造を有するパラキシリレン
を分子内に取り入れると反応性が低下し、さらに硬化物
の架橋密度が低くなるために、ガラス転移温度が低下す
るという問題がある。そこで、分子側鎖にフェノール性
水酸基を多く取り入れるために、フェノール単核体では
なくビスフェノール類を導入していることが、第2の点
であり、これにより反応性及びガラス転移温度を向上さ
せる効果がある。式(2)のnの値は1〜8であり、8
を越えると流動性が低下し成形性が悪くなる。
硬化剤の特徴としては、以下の2点が挙げられる。第1
の点は分子鎖中のXで示されるバラキシリレンを有して
いることであり、従来のフェノールノボラック樹脂に比
べ、耐湿性に優れ、また熱時可撓性に優れているという
効果がある。この様な可撓構造を有するパラキシリレン
を分子内に取り入れると反応性が低下し、さらに硬化物
の架橋密度が低くなるために、ガラス転移温度が低下す
るという問題がある。そこで、分子側鎖にフェノール性
水酸基を多く取り入れるために、フェノール単核体では
なくビスフェノール類を導入していることが、第2の点
であり、これにより反応性及びガラス転移温度を向上さ
せる効果がある。式(2)のnの値は1〜8であり、8
を越えると流動性が低下し成形性が悪くなる。
【0014】このフェノール樹脂硬化剤の使用量は、こ
れを調節することにより耐半田クラック性を最大限に引
き出すことができる。耐半田クラック性の効果を出すた
めには式(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤を総フ
ェノール樹脂硬化剤量の50重量%以上、好ましくは7
0重量%以上の使用が望ましい。50重量%未満だと、
低吸湿性と熱時可撓性が得られず、耐半田クラック特性
が不充分である。
れを調節することにより耐半田クラック性を最大限に引
き出すことができる。耐半田クラック性の効果を出すた
めには式(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤を総フ
ェノール樹脂硬化剤量の50重量%以上、好ましくは7
0重量%以上の使用が望ましい。50重量%未満だと、
低吸湿性と熱時可撓性が得られず、耐半田クラック特性
が不充分である。
【0015】式(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤
と併用される他のフェノール樹脂系硬化剤としてはフェ
ノール性水酸基を有する化合物全般をいう。例えば、ビ
スフェノールA、ビスフェノールF、フェノールノボラ
ック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラ
ルキル樹脂等が挙げられる。これら併用されるフェノー
ル樹脂は、硬化性の調整、可撓性の付与等の目的で適宜
使用されるが流動性の調整ではビスフェノールFや狭低
分子量フェノールノボラック樹脂等の低分子化合物が好
適である。
と併用される他のフェノール樹脂系硬化剤としてはフェ
ノール性水酸基を有する化合物全般をいう。例えば、ビ
スフェノールA、ビスフェノールF、フェノールノボラ
ック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラ
ルキル樹脂等が挙げられる。これら併用されるフェノー
ル樹脂は、硬化性の調整、可撓性の付与等の目的で適宜
使用されるが流動性の調整ではビスフェノールFや狭低
分子量フェノールノボラック樹脂等の低分子化合物が好
適である。
【0016】本発明に用いる無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ粉末、水和アル
ミナ粉末、窒化珪素粉末、炭酸カルシウム粉末等が挙げ
られ、特に溶融シリカ粉末が好ましい。無機充填材の配
合量は70〜90重量%の範囲が好ましい。70重量%
以下の場合は吸湿量が多くなり、また熱膨張係数も大き
く実装時の熱ストレスに耐えられない。また90重量%
以上になると流動特性が劣化し実用不可となる。
シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ粉末、水和アル
ミナ粉末、窒化珪素粉末、炭酸カルシウム粉末等が挙げ
られ、特に溶融シリカ粉末が好ましい。無機充填材の配
合量は70〜90重量%の範囲が好ましい。70重量%
以下の場合は吸湿量が多くなり、また熱膨張係数も大き
く実装時の熱ストレスに耐えられない。また90重量%
以上になると流動特性が劣化し実用不可となる。
【0017】本発明の半導体封止用樹脂組成物はエポキ
シ樹脂、硬化剤及び無機充填材を必須成分とするが、こ
れ以外に必要に応じて硬化促進剤、シランカップリング
剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサ
ブロムベンゼン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤
およびシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種
々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。又、本発明
の半導体封止用樹脂組成物を成形材料として製造するに
は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、硬化促進剤、
その他の添加剤をミキサー等により十分に均一混合した
後、さらに熱ロールまたはニーダー等で溶融混合し、冷
却後粉砕して成形材料とすることができる。これらの成
形材料は電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁
等に適用することができる。
シ樹脂、硬化剤及び無機充填材を必須成分とするが、こ
れ以外に必要に応じて硬化促進剤、シランカップリング
剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサ
ブロムベンゼン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤
およびシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種
々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。又、本発明
の半導体封止用樹脂組成物を成形材料として製造するに
は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、硬化促進剤、
その他の添加剤をミキサー等により十分に均一混合した
後、さらに熱ロールまたはニーダー等で溶融混合し、冷
却後粉砕して成形材料とすることができる。これらの成
形材料は電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁
等に適用することができる。
【0018】
【実施例】以下に本発明を実施例で示す。配合割合は重
量部とする。 実施例1〜6、比較例1〜4 (A)エポキシ樹脂 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポ
キシ当量200、軟化点65℃) ビフェニル型エポキシ:3,3’,5,5’−テト
ラメチル−4,4’−ジヒドロキシビフェニルグリシジ
ルエーテル(エポキシ当量195) ビスフェノールAジグリシジルエーテル(エポキシ
当量200) (B)フェノール樹脂硬化剤 式(2)で示されるフェノール樹脂(水酸基当量1
75、軟化点80℃) フェノールノボラック樹
脂(水酸基当量105、軟化点80℃) 式(3)で示されるフェノールアラルキル樹脂(水
酸基当量180、軟化点80℃) (C)無機充填材 溶融シリカ粉末(平均粒子径14μm) (D)その他の原料 硬化促進剤:トリフェニルホスフィン 離型剤:カルナバワックス を表1に示したそれぞれの割合でミキサーで常温で混合
し、70〜100℃で2軸ロールにより混練し、冷却後
粉砕し成形材料とし、これをタブレット化して半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を得た。この組成物を低圧トラ
ンスファー成形機(成形条件:175℃、70kg/c
m2、120秒)を用いて成形し、得られた成形品を17
5℃、8時間で後硬化し評価した。評価結果を表1に示
す。
量部とする。 実施例1〜6、比較例1〜4 (A)エポキシ樹脂 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポ
キシ当量200、軟化点65℃) ビフェニル型エポキシ:3,3’,5,5’−テト
ラメチル−4,4’−ジヒドロキシビフェニルグリシジ
ルエーテル(エポキシ当量195) ビスフェノールAジグリシジルエーテル(エポキシ
当量200) (B)フェノール樹脂硬化剤 式(2)で示されるフェノール樹脂(水酸基当量1
75、軟化点80℃) フェノールノボラック樹
脂(水酸基当量105、軟化点80℃) 式(3)で示されるフェノールアラルキル樹脂(水
酸基当量180、軟化点80℃) (C)無機充填材 溶融シリカ粉末(平均粒子径14μm) (D)その他の原料 硬化促進剤:トリフェニルホスフィン 離型剤:カルナバワックス を表1に示したそれぞれの割合でミキサーで常温で混合
し、70〜100℃で2軸ロールにより混練し、冷却後
粉砕し成形材料とし、これをタブレット化して半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を得た。この組成物を低圧トラ
ンスファー成形機(成形条件:175℃、70kg/c
m2、120秒)を用いて成形し、得られた成形品を17
5℃、8時間で後硬化し評価した。評価結果を表1に示
す。
【0021】評価方法 *1 スパイラルフロー EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用い、金型温度175℃、注入圧力70kg/cm2、
硬化時間2分で測定。 *2 硬化性 ショアD硬度計を用い、金型温度175℃、硬化時間2
分で測定。 *3 耐熱性 175℃、2分の条件で成形し、175℃で8時間、後
硬化させた試験片にて熱膨張特性を測定し硬化物のガラ
ス転移温度を求めた。 *4 半田クラック性試験 成形品(チップサイズ6×6mm、52pQFP)を85
℃、85%RHの環境下で48Hr及び72Hr処理
し、その後260℃の半田槽に10秒間浸漬後、顕微鏡
で外部クラックを観察した。 *5 半田耐湿性試験 成形品(チップサイズ3×6mm模擬素子、16pSO
P)を85℃、85%RHの環境下で72Hr処理し、
その後260℃の半田槽に10秒間浸漬後、プレッシャ
ークッカー試験(125℃、100%RH)をおこな
い、回路のオープン不良数を測定した。
型を用い、金型温度175℃、注入圧力70kg/cm2、
硬化時間2分で測定。 *2 硬化性 ショアD硬度計を用い、金型温度175℃、硬化時間2
分で測定。 *3 耐熱性 175℃、2分の条件で成形し、175℃で8時間、後
硬化させた試験片にて熱膨張特性を測定し硬化物のガラ
ス転移温度を求めた。 *4 半田クラック性試験 成形品(チップサイズ6×6mm、52pQFP)を85
℃、85%RHの環境下で48Hr及び72Hr処理
し、その後260℃の半田槽に10秒間浸漬後、顕微鏡
で外部クラックを観察した。 *5 半田耐湿性試験 成形品(チップサイズ3×6mm模擬素子、16pSO
P)を85℃、85%RHの環境下で72Hr処理し、
その後260℃の半田槽に10秒間浸漬後、プレッシャ
ークッカー試験(125℃、100%RH)をおこな
い、回路のオープン不良数を測定した。
【0022】
【表1】
【0023】
【発明の効果】本発明によると従来技術では得ることが
できなかった硬化性、離型性等成形性が良好で、ガラス
転移点が高く、耐半田ストレス性を有するエポキシ樹脂
組成物を得ることができるので、半田付け工程による急
激な温度変化による熱ストレスを受けた時の耐クラック
性に非常に優れ、更に耐湿性が良好なことから電子、電
気部品の封止用、被覆用、絶縁用等に用いた場合、特に
表面実装パッケージに搭載された高集積大型チップIC
において、高度の信頼性を必要とする製品に対して好適
である。
できなかった硬化性、離型性等成形性が良好で、ガラス
転移点が高く、耐半田ストレス性を有するエポキシ樹脂
組成物を得ることができるので、半田付け工程による急
激な温度変化による熱ストレスを受けた時の耐クラック
性に非常に優れ、更に耐湿性が良好なことから電子、電
気部品の封止用、被覆用、絶縁用等に用いた場合、特に
表面実装パッケージに搭載された高集積大型チップIC
において、高度の信頼性を必要とする製品に対して好適
である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 23/31 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 59/62 C08G 59/24 C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29
Claims (1)
- 【請求項1】(A)式(1)で示されるビフェニル型エ
ポキシを総エポキシ樹脂量に対して30〜100重量%
含むエポキシ樹脂、 【化1】 (ここでR1、R2、R3、R4は水素またはCH3で、同
一かまたは異なる原子あるいは基) (B)硬化剤として、式(2)で示されるフェノール樹
脂を総硬化剤量に対して50〜100重量%含む硬化剤
および 【化2】 (ここでXはパラキシリレン、n=1〜8) (C)無機充填材を必須成分とし、(C)無機充填材が
全組成物中70〜90重量%であることを特徴とする半
導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34307492A JP3230772B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34307492A JP3230772B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192390A JPH06192390A (ja) | 1994-07-12 |
| JP3230772B2 true JP3230772B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=18358742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34307492A Expired - Fee Related JP3230772B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3230772B2 (ja) |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34307492A patent/JP3230772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06192390A (ja) | 1994-07-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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