JP3276963B2 - 誘電体フィルムを基盤上に形成する方法 - Google Patents
誘電体フィルムを基盤上に形成する方法Info
- Publication number
- JP3276963B2 JP3276963B2 JP54573798A JP54573798A JP3276963B2 JP 3276963 B2 JP3276963 B2 JP 3276963B2 JP 54573798 A JP54573798 A JP 54573798A JP 54573798 A JP54573798 A JP 54573798A JP 3276963 B2 JP3276963 B2 JP 3276963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition layer
- electron beam
- layer
- dielectric
- dielectric composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H10P14/6926—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material comprising alkyl silsesquioxane, e.g. MSQ
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/65—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials
- H10P14/6516—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials
- H10P14/6536—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to radiation, e.g. visible light
- H10P14/6539—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to radiation, e.g. visible light by exposure to corpuscular radiation, e.g. exposure to electrons, alpha-particles, protons or ions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H10P14/6925—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material comprising hydrogen silsesquioxane, e.g. HSQ
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/071—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof
- H10W20/093—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof by modifying materials of the dielectric parts
- H10W20/095—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof by modifying materials of the dielectric parts by irradiating with electromagnetic or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6326—Deposition processes
- H10P14/6342—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
- H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
- H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
- H10P14/6684—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H10P14/6686—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 関連出願の相互参照 本出願は、本明細書中に参照引用されている1997年３
月24日に出願された米国特許仮出願60/041,104号（出願
中）の権利を主張するものである。
月24日に出願された米国特許仮出願60/041,104号（出願
中）の権利を主張するものである。
発明の背景 発明の属する技術分野 本発明は集積回路の製造で用いられる基材の調製に関
する。より特定すれば、本発明は低誘電率（低−ｋ）重
合体フィルムを半導体基材の上にスピン−オン（spin−
on）することに関する。本発明は、半導体デバイスのイ
ンターレベル誘電体（ILD）層への低−ｋ重合体フィル
ムの集積に電子ビーム照射を用いることにより、低−ｋ
重合体フィルムをスピン−オンする非−エッチバック
（non−etchback）加工を達成するための、そして半導
体基盤上の金属ライン間の領域における、スピン−オン
重合体フィルムの低い誘電率を維持するための方法を提
供する。
する。より特定すれば、本発明は低誘電率（低−ｋ）重
合体フィルムを半導体基材の上にスピン−オン（spin−
on）することに関する。本発明は、半導体デバイスのイ
ンターレベル誘電体（ILD）層への低−ｋ重合体フィル
ムの集積に電子ビーム照射を用いることにより、低−ｋ
重合体フィルムをスピン−オンする非−エッチバック
（non−etchback）加工を達成するための、そして半導
体基盤上の金属ライン間の領域における、スピン−オン
重合体フィルムの低い誘電率を維持するための方法を提
供する。
従来技術の説明 半導体工業技術分野では、その上により多くの、そし
てより速い回路を有する集積回路（IC）チップを作製す
る傾向が続いている。このような超大規模集積により、
画像サイズは引き続き小さくなり、その結果、多数のデ
バイスが、単一チップで作製できるようになる。チップ
の表面積は限られているので、相互連結密度は、普通、
多重レベル配列で、その基盤の上に広がり、そしてこれ
らデバイスは、これら多重レベルを横断して相互連結さ
れなければならない。この相互連結回路は、接触するよ
うに設計されている場合を除いて、お互いに絶縁されて
いなければならない。通常、電気的絶縁には、例えば、
CVDもしくはスピン−オン法を用いて、表面に誘電性フ
ィルムを堆積させることが必要である。集積回路設計尺
における収縮は、同時に配線ピッチを小さくする。これ
らのことは、相互連結回路中での信号の伝播を、総サイ
クル時間のかなり割合で遅延させる。信号遅延をできる
だけ小さくしようとする動機から、集積回路（IC）の製
造においてインターレベル（interlevel）誘電体として
使用できる低誘電率（低−ｋ）材料を開発する広範囲の
研究が進められてきた。ILD層中で用いられる低−ｋ材
料の大半は、熱的に硬化する、スピン−オン有機もしく
は無機重合体をベースにしている。これらの低−ｋ材料
は望ましい低い誘電率を有しているが、これらのフィル
ムに関連する集積法は複雑で、後で、常用の酸化物化学
蒸着法（CVD）を用いて誘電体層をコートするエッチバ
ック法を必要とすることが多い。さらに、多くの熱硬化
された低−ｋ重合体フィルムの誘電率は、不安定で、金
属蒸着中に遭遇する高温または、フォトレジスト・スト
リッピング（フォトレジストの除去）で用いられる酸素
プラズマのような酸化的雰囲気に曝された場合、増大し
易い。熱硬化されたスピン−オン重合体フィルムに関連
するこれらの欠点は、密度が低いこと、水分を吸収し易
いこと、熱安定性が乏しいことおよび酸素プラズマ誘起
酸化を受け易いことのような、それらの固有の特徴に関
係することが多い。それ故、ILD層への多くの熱硬化ス
ピン−オン低−ｋ重合体の集積は複雑で、エッチバック
およびキャッピング（capping）のような追加の加工工
程を必要とすることが多い。多くの熱硬化低−ｋ重合体
の誘電率は、集積工程中に増加し、そのため、それらの
低−ｋ特性は、最終半導体デバイスの製造が完了した時
点では、部分的にもしくは完全に失われる。IC相互連結
絶縁材として有機高分子誘電体を使用することは、この
技術分野では知られている。このような有機高分子に含
まれるのは、ポリアリーレンエーテル類、フッ素化ポリ
アリーレンエーテル類、シルセスキオキサン類およびシ
ロキサン類である。その他の有機高分子誘電体およびそ
れらから製造される物品が、米国特許第5,145,936;5,10
8,840;5,115,082;5,114,780;5,155,175;5,179,188;5,25
0,667;5,235,044;5,173,542;および5,270,453号明細書
に開示されている。これらの全ての場合で、これらフィ
ルムが、スピン−コーティング法により、半導体基盤の
上に堆積され、次いで十分熱硬化される。
てより速い回路を有する集積回路（IC）チップを作製す
る傾向が続いている。このような超大規模集積により、
画像サイズは引き続き小さくなり、その結果、多数のデ
バイスが、単一チップで作製できるようになる。チップ
の表面積は限られているので、相互連結密度は、普通、
多重レベル配列で、その基盤の上に広がり、そしてこれ
らデバイスは、これら多重レベルを横断して相互連結さ
れなければならない。この相互連結回路は、接触するよ
うに設計されている場合を除いて、お互いに絶縁されて
いなければならない。通常、電気的絶縁には、例えば、
CVDもしくはスピン−オン法を用いて、表面に誘電性フ
ィルムを堆積させることが必要である。集積回路設計尺
における収縮は、同時に配線ピッチを小さくする。これ
らのことは、相互連結回路中での信号の伝播を、総サイ
クル時間のかなり割合で遅延させる。信号遅延をできる
だけ小さくしようとする動機から、集積回路（IC）の製
造においてインターレベル（interlevel）誘電体として
使用できる低誘電率（低−ｋ）材料を開発する広範囲の
研究が進められてきた。ILD層中で用いられる低−ｋ材
料の大半は、熱的に硬化する、スピン−オン有機もしく
は無機重合体をベースにしている。これらの低−ｋ材料
は望ましい低い誘電率を有しているが、これらのフィル
ムに関連する集積法は複雑で、後で、常用の酸化物化学
蒸着法（CVD）を用いて誘電体層をコートするエッチバ
ック法を必要とすることが多い。さらに、多くの熱硬化
された低−ｋ重合体フィルムの誘電率は、不安定で、金
属蒸着中に遭遇する高温または、フォトレジスト・スト
リッピング（フォトレジストの除去）で用いられる酸素
プラズマのような酸化的雰囲気に曝された場合、増大し
易い。熱硬化されたスピン−オン重合体フィルムに関連
するこれらの欠点は、密度が低いこと、水分を吸収し易
いこと、熱安定性が乏しいことおよび酸素プラズマ誘起
酸化を受け易いことのような、それらの固有の特徴に関
係することが多い。それ故、ILD層への多くの熱硬化ス
ピン−オン低−ｋ重合体の集積は複雑で、エッチバック
およびキャッピング（capping）のような追加の加工工
程を必要とすることが多い。多くの熱硬化低−ｋ重合体
の誘電率は、集積工程中に増加し、そのため、それらの
低−ｋ特性は、最終半導体デバイスの製造が完了した時
点では、部分的にもしくは完全に失われる。IC相互連結
絶縁材として有機高分子誘電体を使用することは、この
技術分野では知られている。このような有機高分子に含
まれるのは、ポリアリーレンエーテル類、フッ素化ポリ
アリーレンエーテル類、シルセスキオキサン類およびシ
ロキサン類である。その他の有機高分子誘電体およびそ
れらから製造される物品が、米国特許第5,145,936;5,10
8,840;5,115,082;5,114,780;5,155,175;5,179,188;5,25
0,667;5,235,044;5,173,542;および5,270,453号明細書
に開示されている。これらの全ての場合で、これらフィ
ルムが、スピン−コーティング法により、半導体基盤の
上に堆積され、次いで十分熱硬化される。
本発明の要約 本発明は、高分子誘電体組成物の層を基盤上に塗布し
て乾燥する工程、およびその乾燥された層を、その誘電
体層が部分的に硬化するのに十分な条件下で、電子ビー
ム照射する工程を含んでなり、そしてその場合に、その
照射により、その誘電体層の相対的により硬くされた最
上層の部分と、その誘電体層の相対的にあまり硬くされ
ていない下層部分が形成される、誘電性フィルムを調製
する方法を提供する。
て乾燥する工程、およびその乾燥された層を、その誘電
体層が部分的に硬化するのに十分な条件下で、電子ビー
ム照射する工程を含んでなり、そしてその場合に、その
照射により、その誘電体層の相対的により硬くされた最
上層の部分と、その誘電体層の相対的にあまり硬くされ
ていない下層部分が形成される、誘電性フィルムを調製
する方法を提供する。
本発明はまた、上の方法と同様であって、さらに、電
子ビーム照射の前に、その基盤上で少くとも部分的に固
化した誘電体層上にフォトレジストの層を塗布し、画像
を形成するように露光し、そしてそのフォトレジストの
層を現像して、それにより、フォトレジストの層の一部
を誘電体層から除去し、そしてフォトレジストの層の一
部を、その誘電体層上に残す工程をさらに含んでなる方
法も提供する；この場合、誘電体層上に残ったフォトレ
ジストの部分の下にある誘電体層の部分は、除去された
フォトレジストの層に対応する誘電体層の部分より、電
子ビームにより少なく露光されることになる。
子ビーム照射の前に、その基盤上で少くとも部分的に固
化した誘電体層上にフォトレジストの層を塗布し、画像
を形成するように露光し、そしてそのフォトレジストの
層を現像して、それにより、フォトレジストの層の一部
を誘電体層から除去し、そしてフォトレジストの層の一
部を、その誘電体層上に残す工程をさらに含んでなる方
法も提供する；この場合、誘電体層上に残ったフォトレ
ジストの部分の下にある誘電体層の部分は、除去された
フォトレジストの層に対応する誘電体層の部分より、電
子ビームにより少なく露光されることになる。
さて、IC相互連結加工に用いられる、或る種のスピン
−オン誘電体フィルムの諸性質は、これらのフィルムを
制御された電子ビーム照射処理によって硬化すると、熱
硬化の場合に比べて改善されることが見いだされた。か
くして、例えば、本発明は、制御された電子ビーム照射
法を用いて、スピン−オン低−ｋ誘電体のための非−エ
ッチバック法を達成するための改善された方法を提供す
る。本発明はまた、下層にある誘電体層を、工程環境で
誘起される分解から保護するための、特に、制御された
電子ビーム照射法を用いて、或る種のスピン−オン低−
ｋ重合体フィルムの誘電率の低下を防ぐための、改善さ
れた方法をも提供する。
−オン誘電体フィルムの諸性質は、これらのフィルムを
制御された電子ビーム照射処理によって硬化すると、熱
硬化の場合に比べて改善されることが見いだされた。か
くして、例えば、本発明は、制御された電子ビーム照射
法を用いて、スピン−オン低−ｋ誘電体のための非−エ
ッチバック法を達成するための改善された方法を提供す
る。本発明はまた、下層にある誘電体層を、工程環境で
誘起される分解から保護するための、特に、制御された
電子ビーム照射法を用いて、或る種のスピン−オン低−
ｋ重合体フィルムの誘電率の低下を防ぐための、改善さ
れた方法をも提供する。
本発明はまた、制御された電子ビーム照射法を用い
る、金属ライン間のような領域中のスピン−オン重合体
フィルムのために、その本来の誘電率を保持するための
改善された方法をも提供する。
る、金属ライン間のような領域中のスピン−オン重合体
フィルムのために、その本来の誘電率を保持するための
改善された方法をも提供する。
新しく堆積されたスピン−オン誘電体フィルムが、比
較的低エネルギー条件下で電子ビーム露光され、次い
で、標準ホットプレート処理されると、そのフィルムの
外層（大半は、電子ビームに直接触れた層）として“ス
キン”が生成することが見いだされた。この“スキン”
の厚さは、露光継続時間、およびそのフィルムに送達さ
れる積分（総）電子ビーム量を含む、その電子ビームエ
ネルギーのレベルによって制御することができる。かく
して、このフィルムは、中間層誘電体の厚さに依存し
て、公称500−6000Åの薄いスキンが生成し得るよう
に、極く弱く硬化される。かくして、このフィルムの硬
化の連続の程度を利用して、半導体を有利に加工するこ
とができる。スキンが形成される比較的短時間の硬化
は、同時にそのフィルムの低い誘電率の保持、硬化され
た酸化抵抗性外層をそのフィルム上に形成させること、
およびそのフィルムの全厚みを電子ビームで硬化させる
場合に比べて加工時間を非常に短くできること、が可能
になる。この方法によって、元の均質な誘電体層は、明
瞭に区別できる二つの層に変換される。金属の最上部の
誘電体層は、有意に改質され、かくしてその性質の幾つ
かが有意に変化された。この層は、吸湿性が小さいか或
いは無い、高温および酸素プラズマ雰囲気に曝した時の
分解が小さいか或いは無い、というような素晴らしい性
質を有しており、かくして分解することなしに非−エッ
チバック法が達成され得ることになる。下層にある誘電
体層、特に金属ラインの間の誘電体層は、低い誘電率の
ような、その固有の誘電性を保持する。この改質された
最上層は下層にある誘電体層を保護し、かくして下層に
ある誘電体の性質は、高温と酸素プラズマ暴露により影
響されない。
較的低エネルギー条件下で電子ビーム露光され、次い
で、標準ホットプレート処理されると、そのフィルムの
外層（大半は、電子ビームに直接触れた層）として“ス
キン”が生成することが見いだされた。この“スキン”
の厚さは、露光継続時間、およびそのフィルムに送達さ
れる積分（総）電子ビーム量を含む、その電子ビームエ
ネルギーのレベルによって制御することができる。かく
して、このフィルムは、中間層誘電体の厚さに依存し
て、公称500−6000Åの薄いスキンが生成し得るよう
に、極く弱く硬化される。かくして、このフィルムの硬
化の連続の程度を利用して、半導体を有利に加工するこ
とができる。スキンが形成される比較的短時間の硬化
は、同時にそのフィルムの低い誘電率の保持、硬化され
た酸化抵抗性外層をそのフィルム上に形成させること、
およびそのフィルムの全厚みを電子ビームで硬化させる
場合に比べて加工時間を非常に短くできること、が可能
になる。この方法によって、元の均質な誘電体層は、明
瞭に区別できる二つの層に変換される。金属の最上部の
誘電体層は、有意に改質され、かくしてその性質の幾つ
かが有意に変化された。この層は、吸湿性が小さいか或
いは無い、高温および酸素プラズマ雰囲気に曝した時の
分解が小さいか或いは無い、というような素晴らしい性
質を有しており、かくして分解することなしに非−エッ
チバック法が達成され得ることになる。下層にある誘電
体層、特に金属ラインの間の誘電体層は、低い誘電率の
ような、その固有の誘電性を保持する。この改質された
最上層は下層にある誘電体層を保護し、かくして下層に
ある誘電体の性質は、高温と酸素プラズマ暴露により影
響されない。
本発明のもう一つの態様では、残留水分および誘電体
層を通してのエッチング後のその通路（via）中の炭素
含有残留物に起因するポイズン・バイアス（poison vi
as）を排除した非−エッチバック誘電体法が使用され
る。この方法では、フォトレジストが現像されている領
域、即ち金属ラインの最上部の領域中の誘電体層だけ
が、制御された電子ビーム照射によって選択的に改質さ
れるであろう。この場合、制御された電子ビーム硬化の
深さは、金属ラインの最上部での残留誘電体の厚さに依
存する。この方法により通路被毒（via poisoning）は
本質的に排除され、一方金属ライン間の誘電体とインタ
ーレベル金属ライン中の誘電体は、本来の低い誘電率を
保持する。
層を通してのエッチング後のその通路（via）中の炭素
含有残留物に起因するポイズン・バイアス（poison vi
as）を排除した非−エッチバック誘電体法が使用され
る。この方法では、フォトレジストが現像されている領
域、即ち金属ラインの最上部の領域中の誘電体層だけ
が、制御された電子ビーム照射によって選択的に改質さ
れるであろう。この場合、制御された電子ビーム硬化の
深さは、金属ラインの最上部での残留誘電体の厚さに依
存する。この方法により通路被毒（via poisoning）は
本質的に排除され、一方金属ライン間の誘電体とインタ
ーレベル金属ライン中の誘電体は、本来の低い誘電率を
保持する。
図面の簡単な説明 図１は、制御された電子ビーム硬化を使用するスピン
−オン低−ｋ重合体のための非−エッチバック法を示す
本発明の一つの実施態様を系統的に描写した図である。
−オン低−ｋ重合体のための非−エッチバック法を示す
本発明の一つの実施態様を系統的に描写した図である。
図２は、フォトレジスト層の除去された部分の下の誘
電体の選択的電子ビーム硬化を用いるスピン−オン低−
ｋ重合体のための非−エッチバック法を示す本発明のも
う一つの実施態様を系統的に描写した図である。
電体の選択的電子ビーム硬化を用いるスピン−オン低−
ｋ重合体のための非−エッチバック法を示す本発明のも
う一つの実施態様を系統的に描写した図である。
図3aは、熱的に硬化し、部分的に電子ビームで硬化し
た、および完全に電子ビーム硬化した水素シルセスキオ
キサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示す。
た、および完全に電子ビーム硬化した水素シルセスキオ
キサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示す。
図3bは、異なる電子ビーム照射量で部分的に電子ビー
ムで硬化した水素シルセスキオキサン重合体フィルムの
FTIRスペクトルを示す。
ムで硬化した水素シルセスキオキサン重合体フィルムの
FTIRスペクトルを示す。
図４は、異なる電子ビーム露光条件で照射した水素シ
ルセスキオキサン・フィルムのフィルムの厚さの関数と
してのBOE（50:1）での湿式エッチング速度を示す。
ルセスキオキサン・フィルムのフィルムの厚さの関数と
してのBOE（50:1）での湿式エッチング速度を示す。
図5aは、それぞれ、400℃、450℃、500℃および600
℃、で30分露光後の、熱硬化した水素シルセスキオキサ
ン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示す。
℃、で30分露光後の、熱硬化した水素シルセスキオキサ
ン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示す。
図5bは、それぞれ、400℃、450℃、500℃および600
℃、で30分露光後の、部分的に電子ビーム硬化した水素
シルセスキオキサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを
示す。
℃、で30分露光後の、部分的に電子ビーム硬化した水素
シルセスキオキサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを
示す。
図6aは、酸素プラズマ照射前および後における、熱硬
化水素メチルシルセスキオキサン重合体フィルムのFTIR
スペクトルを示す。
化水素メチルシルセスキオキサン重合体フィルムのFTIR
スペクトルを示す。
図6bは、酸素プラズマ照射前および後における、部分
的に電子ビーム硬化した（部分ｅ−硬化１）メチルシル
セスキオキサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示
す。
的に電子ビーム硬化した（部分ｅ−硬化１）メチルシル
セスキオキサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示
す。
図6cは、酸素プラズマ照射前および後における、部分
的に電子ビーム硬化した（部分ｅ−硬化２）メチルシル
セスキオキサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示
す。
的に電子ビーム硬化した（部分ｅ−硬化２）メチルシル
セスキオキサン重合体フィルムのFTIRスペクトルを示
す。
推奨される実施態様の詳細な説明 本発明の第１の態様は、基盤上に高分子誘電体組成物
を塗布しそして乾燥することによって、基盤上に誘電性
フィルムを形成させる。次いで、この乾燥された層に、
その誘電体層の相対的により硬くされた最上層の部分
が、その層の最上層に生成しそして、その誘電体層の相
対的にあまり硬くされていない部分が、その層の最上層
の下に生成するように、その誘電体層を部分的に硬化す
るのに十分な条件下で、電子ビームを照射する。
を塗布しそして乾燥することによって、基盤上に誘電性
フィルムを形成させる。次いで、この乾燥された層に、
その誘電体層の相対的により硬くされた最上層の部分
が、その層の最上層に生成しそして、その誘電体層の相
対的にあまり硬くされていない部分が、その層の最上層
の下に生成するように、その誘電体層を部分的に硬化す
るのに十分な条件下で、電子ビームを照射する。
標準的には、この誘電体組成物は、ICもしくはマイク
ロ電子デバイスに加工されるウエハ基盤上に塗布され
る。本発明に適したプレナ（planar）基盤に含まれる物
を、非限定適に示すと、ヒ化ガリウム（GaAs）、ケイ素
および結晶性ケイ素、ポリケイ素、無定形ケイ素、エピ
タキシャル・ケイ素および二酸化ケイ素およびそれらの
混合物のようなケイ素を含む組成物であり、その表面に
回路パターンを有していても、有していなくてもよい。
ロ電子デバイスに加工されるウエハ基盤上に塗布され
る。本発明に適したプレナ（planar）基盤に含まれる物
を、非限定適に示すと、ヒ化ガリウム（GaAs）、ケイ素
および結晶性ケイ素、ポリケイ素、無定形ケイ素、エピ
タキシャル・ケイ素および二酸化ケイ素およびそれらの
混合物のようなケイ素を含む組成物であり、その表面に
回路パターンを有していても、有していなくてもよい。
液状誘電体層、望ましくは、適切な溶媒に溶かしたス
ピン−オンガラスが、外部雰囲気条件で基盤上に塗布さ
れる。この誘電体層は、シルセスキオキサン重合体、シ
ロキサン重合体、ポリアリーレンエーテル、フッ素ポリ
アリーレンエーテル、高分子誘電性材料もしくはそれら
の混合物を含んでなる。本発明に有用な高分子誘電性材
料に含まれるのは、式［（HSiO1.5）xOy］ｎを有する水
素シロキサン類、式（HSiO1.5）ｎを有する水素シルセ
スキオキサン類および、式［（HSiO1.5）xOy（RSi
O1.5）２］ｎ、［（HSiO1.5）ｘ（RSiO1.5）ｙ］ｎおよ
び［（HSiO1.5）xOy（RSiO1.5）ｚ］ｎを有する水素オ
ルガノシロキサン類である。これらの高分子の構造式の
各々の中で、ｘ＝約６から約20、ｙ＝約１から約３、ｚ
＝約６から約20、ｎ＝１から約4,000そして各Ｒは、独
立にＨ、C1〜C8アルキルもしくは、C6〜C12アリール基
である。その重量平均分子量は、約1,000から約220,000
の範囲である。望ましい態様では、ｎは約100から約800
の範囲であり、分子量は約5,000から約45,000になる。
より望ましくは、ｎは約250から約650の範囲であり、分
子量は約14,000から約36,000になる。本発明の構成上有
用な重合体を非限定的に示すと、水素シロキサン、水素
シルセスキオキサン、水素メチルシロキサン、水素エチ
ルシロキサン、水素プロピルシロキサン、水素ブチルシ
ロキサン、水素ｔ−ブチルシロキサン、水素フェニルシ
ロキサン、水素メチルシルセスキオキサン、水素エチル
シルセスキオキサン、水素プロピルシルセスキオキサ
ン、水素ブチルシルセスキオキサン、水素ｔ−ブチルシ
ルセスキオキサンおよび水素フェニルシルセスキオキサ
ンおよびそれらの混合物である。水素オルガノシロキサ
ン類、ポリアリーレンエーテル類、フッ素化ポリアリー
レンエーテル類およびそれらの混合物が推奨される。有
用な有機重合体に含まれるのは、ポリイミド類、フッ素
化および非フッ素化重合体、特に、アライドシグナル社
（AlliedSignal Inc.）から、フレアTM（FLARETM）と
いう商品名で入手できる、フッ素化および非フッ素化ポ
リ（アリールエーテル）類およびそれらの共重合体混合
物である。本発明で使用するのに適した推奨されるシロ
キサン材料が、アライドシグナル社から、アクグラスＲ
（AccuglassR）という商品名で市販されている。この重
合体成分は、その組成物の約10％から約30重量％の量存
在するのが望ましい。より望ましい範囲は、約15％から
約30％、そして最も望ましいのは、その組成物の約17％
から約25重量％である。
ピン−オンガラスが、外部雰囲気条件で基盤上に塗布さ
れる。この誘電体層は、シルセスキオキサン重合体、シ
ロキサン重合体、ポリアリーレンエーテル、フッ素ポリ
アリーレンエーテル、高分子誘電性材料もしくはそれら
の混合物を含んでなる。本発明に有用な高分子誘電性材
料に含まれるのは、式［（HSiO1.5）xOy］ｎを有する水
素シロキサン類、式（HSiO1.5）ｎを有する水素シルセ
スキオキサン類および、式［（HSiO1.5）xOy（RSi
O1.5）２］ｎ、［（HSiO1.5）ｘ（RSiO1.5）ｙ］ｎおよ
び［（HSiO1.5）xOy（RSiO1.5）ｚ］ｎを有する水素オ
ルガノシロキサン類である。これらの高分子の構造式の
各々の中で、ｘ＝約６から約20、ｙ＝約１から約３、ｚ
＝約６から約20、ｎ＝１から約4,000そして各Ｒは、独
立にＨ、C1〜C8アルキルもしくは、C6〜C12アリール基
である。その重量平均分子量は、約1,000から約220,000
の範囲である。望ましい態様では、ｎは約100から約800
の範囲であり、分子量は約5,000から約45,000になる。
より望ましくは、ｎは約250から約650の範囲であり、分
子量は約14,000から約36,000になる。本発明の構成上有
用な重合体を非限定的に示すと、水素シロキサン、水素
シルセスキオキサン、水素メチルシロキサン、水素エチ
ルシロキサン、水素プロピルシロキサン、水素ブチルシ
ロキサン、水素ｔ−ブチルシロキサン、水素フェニルシ
ロキサン、水素メチルシルセスキオキサン、水素エチル
シルセスキオキサン、水素プロピルシルセスキオキサ
ン、水素ブチルシルセスキオキサン、水素ｔ−ブチルシ
ルセスキオキサンおよび水素フェニルシルセスキオキサ
ンおよびそれらの混合物である。水素オルガノシロキサ
ン類、ポリアリーレンエーテル類、フッ素化ポリアリー
レンエーテル類およびそれらの混合物が推奨される。有
用な有機重合体に含まれるのは、ポリイミド類、フッ素
化および非フッ素化重合体、特に、アライドシグナル社
（AlliedSignal Inc.）から、フレアTM（FLARETM）と
いう商品名で入手できる、フッ素化および非フッ素化ポ
リ（アリールエーテル）類およびそれらの共重合体混合
物である。本発明で使用するのに適した推奨されるシロ
キサン材料が、アライドシグナル社から、アクグラスＲ
（AccuglassR）という商品名で市販されている。この重
合体成分は、その組成物の約10％から約30重量％の量存
在するのが望ましい。より望ましい範囲は、約15％から
約30％、そして最も望ましいのは、その組成物の約17％
から約25重量％である。
さらにこの組成物は、少くとも一種の溶媒を含んでな
る溶媒成分を含んでいる。適した溶媒を非限定的に示す
と、その誘電性材料の均一な溶液もしくは分散液を調製
するのに十分な量の水および有機溶媒である。有用な線
状構造溶媒を非限定的に示すと、デカメチレンテトラシ
ロキサン、1,3−ジオクチルテトラシロキサン、オクタ
メチルトリシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、ヘ
キサメチルジシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル
トリシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン、1,3−ビス−（トリメチルシロキシ）−1,3−ジメチ
ルシロキサン、ヒス−（トリメチルシロキシ）エチルシ
ラン、ビス−（トリメチルシロキシ）メチルシラン、デ
カメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキ
サン、1,1,1,3,3,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、
ヘキサエチルジシロキサン、ヘプタメチルトリシロキサ
ン、および1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン
である。有用な環状溶媒を非限定的に示すと、デカメチ
ルシクロペンタシロキサン、ヘキサエチルシクロトリシ
ロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、1,3,5,
7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、ペンタメチ
ルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラ
シロキサン、式（CH3HSiO）3-5のメチルヒドロシクロシ
ロキサン類、1,3,5,7−テトラエチルシクロテトラシロ
キサンおよび1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロ
キサンである。本発明のこれら溶媒の混合物は、そのよ
うな混合物を調製することにより基盤上へのこの組成物
の蒸着速度を微妙に調整することができるので、特に望
ましいことが見いだされた。この溶媒成分は、総組成物
中にその組成物の約70％から約90重量％存在するのが望
ましく、約70％から約85重量％存在するのがより望まし
く、そしてその組成物の約75％から約83重量％存在する
のが最も望ましい。
る溶媒成分を含んでいる。適した溶媒を非限定的に示す
と、その誘電性材料の均一な溶液もしくは分散液を調製
するのに十分な量の水および有機溶媒である。有用な線
状構造溶媒を非限定的に示すと、デカメチレンテトラシ
ロキサン、1,3−ジオクチルテトラシロキサン、オクタ
メチルトリシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、ヘ
キサメチルジシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル
トリシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン、1,3−ビス−（トリメチルシロキシ）−1,3−ジメチ
ルシロキサン、ヒス−（トリメチルシロキシ）エチルシ
ラン、ビス−（トリメチルシロキシ）メチルシラン、デ
カメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキ
サン、1,1,1,3,3,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、
ヘキサエチルジシロキサン、ヘプタメチルトリシロキサ
ン、および1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン
である。有用な環状溶媒を非限定的に示すと、デカメチ
ルシクロペンタシロキサン、ヘキサエチルシクロトリシ
ロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、1,3,5,
7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、ペンタメチ
ルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラ
シロキサン、式（CH3HSiO）3-5のメチルヒドロシクロシ
ロキサン類、1,3,5,7−テトラエチルシクロテトラシロ
キサンおよび1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロ
キサンである。本発明のこれら溶媒の混合物は、そのよ
うな混合物を調製することにより基盤上へのこの組成物
の蒸着速度を微妙に調整することができるので、特に望
ましいことが見いだされた。この溶媒成分は、総組成物
中にその組成物の約70％から約90重量％存在するのが望
ましく、約70％から約85重量％存在するのがより望まし
く、そしてその組成物の約75％から約83重量％存在する
のが最も望ましい。
この誘電体材料は、この技術分野で良く知られている
常用のスピン−コーティング法、浸漬コーティング法、
スプレー法もしくはメニスカスコーティング法（menisc
us coating method）により基盤上に塗布される。ス
ピン−コーティング法が最も推奨される。基盤上の誘電
体フィルムの厚さは、その基盤に塗布される液状誘電体
の量に依存して変わり得るが、標準的には約500Åから
約50,000Åの範囲、そして望ましくは約2,000Åから12,
000Åの範囲である。この基盤に塗布される誘電性液体
の量は、約1mLから約10mLの範囲で変わるが、望ましく
は約2mLから約8mLの範囲である。望ましい態様では、こ
の液状材料は、既知のスピン法に従って、その基盤の上
表面にスピン−コートされる。望ましくは、この誘電体
は、溶液として、その基盤の中心に塗布され、次いで回
転ホイール上で、その溶液が基盤表面を横断して均等に
広がるようにするために、約500rpmと約6000rpmの範囲
の速度、望ましくは約1,500から約4,000rpmの速度で、
約５から約60秒の間、望ましくは約10から約30秒の間、
スピン回転される。この誘電体層の密度は、約1g/cm3か
ら約3g/cm3の範囲であるのが望ましい。
常用のスピン−コーティング法、浸漬コーティング法、
スプレー法もしくはメニスカスコーティング法（menisc
us coating method）により基盤上に塗布される。ス
ピン−コーティング法が最も推奨される。基盤上の誘電
体フィルムの厚さは、その基盤に塗布される液状誘電体
の量に依存して変わり得るが、標準的には約500Åから
約50,000Åの範囲、そして望ましくは約2,000Åから12,
000Åの範囲である。この基盤に塗布される誘電性液体
の量は、約1mLから約10mLの範囲で変わるが、望ましく
は約2mLから約8mLの範囲である。望ましい態様では、こ
の液状材料は、既知のスピン法に従って、その基盤の上
表面にスピン−コートされる。望ましくは、この誘電体
は、溶液として、その基盤の中心に塗布され、次いで回
転ホイール上で、その溶液が基盤表面を横断して均等に
広がるようにするために、約500rpmと約6000rpmの範囲
の速度、望ましくは約1,500から約4,000rpmの速度で、
約５から約60秒の間、望ましくは約10から約30秒の間、
スピン回転される。この誘電体層の密度は、約1g/cm3か
ら約3g/cm3の範囲であるのが望ましい。
この誘電体材料が基盤上に塗布された後、この誘電体
−基盤の複合体は、場合によるが、しかし望ましくは、
この誘電体フィルム中に存在する溶媒を蒸発させ、そし
てそのフィルムを部分的に硬化させるために、十分な時
間の間そして十分な温度で加熱される。部分硬化の望ま
しい程度は、この技術分野の習熟者なら、特に試験する
ことなしに決められるであろう。電子ビーム照射前のこ
の熱処理は材料とコーティング法に依存する。一般に、
誘電体を塗布した基盤は、約50℃から約450℃、より望
ましくは約80℃から約375℃の温度で、約0.5から約30分
の間、より望ましくは約１から約３分の間、加熱され
る。これは、ホットプレート上で行われるのが望ましい
が、オーブン中でも行うことができる。
−基盤の複合体は、場合によるが、しかし望ましくは、
この誘電体フィルム中に存在する溶媒を蒸発させ、そし
てそのフィルムを部分的に硬化させるために、十分な時
間の間そして十分な温度で加熱される。部分硬化の望ま
しい程度は、この技術分野の習熟者なら、特に試験する
ことなしに決められるであろう。電子ビーム照射前のこ
の熱処理は材料とコーティング法に依存する。一般に、
誘電体を塗布した基盤は、約50℃から約450℃、より望
ましくは約80℃から約375℃の温度で、約0.5から約30分
の間、より望ましくは約１から約３分の間、加熱され
る。これは、ホットプレート上で行われるのが望ましい
が、オーブン中でも行うことができる。
望ましい態様では、この誘電体は、先ず約80℃から約
180℃の温度で約30秒から約２分の間加熱され、次いで
約150℃から約250℃で約30秒から約２分の間加熱され、
そして第３段目として約180℃から約375℃で約30秒から
約２分の間加熱される。このフィルムの熱処理により部
分的に橋架けが起りそしてその層は部分的にプレナー化
される（planarize）。この被膜を加熱後、得られるフ
ィルムの厚さは、約500Åから約50,000Åの範囲、望ま
しくは約500Åから約20,000Å、そして最も望ましくは
約1,000Åから約12,000Åの範囲である。
180℃の温度で約30秒から約２分の間加熱され、次いで
約150℃から約250℃で約30秒から約２分の間加熱され、
そして第３段目として約180℃から約375℃で約30秒から
約２分の間加熱される。このフィルムの熱処理により部
分的に橋架けが起りそしてその層は部分的にプレナー化
される（planarize）。この被膜を加熱後、得られるフ
ィルムの厚さは、約500Åから約50,000Åの範囲、望ま
しくは約500Åから約20,000Å、そして最も望ましくは
約1,000Åから約12,000Åの範囲である。
本発明の重要な特徴は、この乾燥した層を、その誘電
体層を部分的に硬化するのに十分な条件下で、電子ビー
ムを照射することであり、その場合、この露光により、
その誘電体層の相対的により硬くされた最上層スキン部
分と、その誘電体層の相対的にあまり硬くされていない
下層部分が生成する。例えば、この誘電体層の最上層の
より硬くされた部分の厚さは、約200から約10.000Å
で、残りの下層部分は、あまり硬くされていないかもし
くは橋架けされている。一つの場合には、この誘電体層
の最上層部分は、電子ビームに露光され、そしてその誘
電体層の下層部分は基本的に電子ビームに曝されず、そ
の基盤に隣接する最下層部分は全く曝されない。もう一
つの場合には、下層部分は、その層全体にわたって暫減
的に露光される。
体層を部分的に硬化するのに十分な条件下で、電子ビー
ムを照射することであり、その場合、この露光により、
その誘電体層の相対的により硬くされた最上層スキン部
分と、その誘電体層の相対的にあまり硬くされていない
下層部分が生成する。例えば、この誘電体層の最上層の
より硬くされた部分の厚さは、約200から約10.000Å
で、残りの下層部分は、あまり硬くされていないかもし
くは橋架けされている。一つの場合には、この誘電体層
の最上層部分は、電子ビームに露光され、そしてその誘
電体層の下層部分は基本的に電子ビームに曝されず、そ
の基盤に隣接する最下層部分は全く曝されない。もう一
つの場合には、下層部分は、その層全体にわたって暫減
的に露光される。
このコートされた基盤は、その基盤の表面を電子流束
（フラックス）に曝すことにより硬化される。電子ビー
ム露光が行われる温度は、得られるフィルムに希望され
る特性と希望の加工時間の長さに依存するであろう。こ
の技術分野の普通の習熟者なら、要求する結果を得るた
めに、露光条件を最適に選ぶことは容易であるが、この
加熱温度は、一般に、約50℃から約500℃、望ましくは
約150℃から約400℃の範囲である。加熱は、約１から約
360分、望ましくは約３分から約30分の間行なわれる。
もう一つの態様では、このような加熱は、電子ビーム露
光中より、むしろ前に行われる。電子ビーム硬化中の圧
力は、約0.1mtorr（ミリトリチエリ）から100torr（ト
リチエリ）、そして望ましくは約1mtorrから約100mtorr
である。電子ビームへの露光時間は、基盤に加えられる
ビームの線量の強さとビーム流の密度に依存する。この
技術分野の普通の習熟者なら、要求される結果を得るた
めに、露光条件を容易に最適化できるであろうが、一般
に、その露光時間は、約500から約20,000マイクロクー
ロン/cm2、望ましくは約2,000から約10,000マイクロク
ーロン/cm2の電子ビーム線量を加えた場合で、約１分か
ら約120分そして望ましくは約３分から約60分である。
電子ビームの加速電圧は、約0.5から約20KeVの範囲であ
る。選ばれる線量とエネルギーは、加工されるフィルム
の厚さに比例するであろう。誘電体でコートされた基盤
は、その中に置かれた基盤に電子ビームを供給する装置
を有する任意のチャンバー中で、電子ビームに曝され
る。望ましい態様では、この誘電体でコートされた基盤
は、アライドシグナル連合のエレクトロン ヴィジョン
社（Electron Vision）から、“エレクトロン・キュ
ア"TM（“Electron Cure"）TMという商品名で市販され
ているチャンバー中に置かれる。その操作原理と実用性
能特性は、本明細書に引用参照されている米国特許第5,
001,178号明細書中に説明されている。この装置は、直
径200mmまでの基盤に露光できる大面積電子源を備えて
いる。さらに、この電子源は、エネルギー可変性であ
る。電子ビーム露光は、水素、ヘリウム、アルゴン、窒
素、酸素、キセノンおよびそれらの混合物、そして望ま
しくは、アルゴン、水素、酸素およびその混合物から成
る群から選ばれる気体の存在下で行われるのが望まし
い。このプロセス・ガスの選択は、主として材料に依存
する。
（フラックス）に曝すことにより硬化される。電子ビー
ム露光が行われる温度は、得られるフィルムに希望され
る特性と希望の加工時間の長さに依存するであろう。こ
の技術分野の普通の習熟者なら、要求する結果を得るた
めに、露光条件を最適に選ぶことは容易であるが、この
加熱温度は、一般に、約50℃から約500℃、望ましくは
約150℃から約400℃の範囲である。加熱は、約１から約
360分、望ましくは約３分から約30分の間行なわれる。
もう一つの態様では、このような加熱は、電子ビーム露
光中より、むしろ前に行われる。電子ビーム硬化中の圧
力は、約0.1mtorr（ミリトリチエリ）から100torr（ト
リチエリ）、そして望ましくは約1mtorrから約100mtorr
である。電子ビームへの露光時間は、基盤に加えられる
ビームの線量の強さとビーム流の密度に依存する。この
技術分野の普通の習熟者なら、要求される結果を得るた
めに、露光条件を容易に最適化できるであろうが、一般
に、その露光時間は、約500から約20,000マイクロクー
ロン/cm2、望ましくは約2,000から約10,000マイクロク
ーロン/cm2の電子ビーム線量を加えた場合で、約１分か
ら約120分そして望ましくは約３分から約60分である。
電子ビームの加速電圧は、約0.5から約20KeVの範囲であ
る。選ばれる線量とエネルギーは、加工されるフィルム
の厚さに比例するであろう。誘電体でコートされた基盤
は、その中に置かれた基盤に電子ビームを供給する装置
を有する任意のチャンバー中で、電子ビームに曝され
る。望ましい態様では、この誘電体でコートされた基盤
は、アライドシグナル連合のエレクトロン ヴィジョン
社（Electron Vision）から、“エレクトロン・キュ
ア"TM（“Electron Cure"）TMという商品名で市販され
ているチャンバー中に置かれる。その操作原理と実用性
能特性は、本明細書に引用参照されている米国特許第5,
001,178号明細書中に説明されている。この装置は、直
径200mmまでの基盤に露光できる大面積電子源を備えて
いる。さらに、この電子源は、エネルギー可変性であ
る。電子ビーム露光は、水素、ヘリウム、アルゴン、窒
素、酸素、キセノンおよびそれらの混合物、そして望ま
しくは、アルゴン、水素、酸素およびその混合物から成
る群から選ばれる気体の存在下で行われるのが望まし
い。このプロセス・ガスの選択は、主として材料に依存
する。
図１は、制御された電子ビーム硬化を使用するスピン
−オン低−ｋ重合体のための非−エッチバック法を示す
本発明の一つの実施態様を系統的に示している。この図
には、基盤上の金属導体４をコートする酸化物化学蒸着
層２が示されている。誘電性重合体がこの酸化物上に塗
布され、そして乾燥するまでベーキングされる。この誘
電性重合体は、電子ビーム放射線に曝されるが、電子ビ
ームの透過度は、金属導体の上部の誘電性フィルムの厚
さ８に大体等しくなるように調節される。下層領域７は
電子ビームに殆ど、もしくは完全に曝されない。点線
は、これらゾーン間の境界面を示す。
−オン低−ｋ重合体のための非−エッチバック法を示す
本発明の一つの実施態様を系統的に示している。この図
には、基盤上の金属導体４をコートする酸化物化学蒸着
層２が示されている。誘電性重合体がこの酸化物上に塗
布され、そして乾燥するまでベーキングされる。この誘
電性重合体は、電子ビーム放射線に曝されるが、電子ビ
ームの透過度は、金属導体の上部の誘電性フィルムの厚
さ８に大体等しくなるように調節される。下層領域７は
電子ビームに殆ど、もしくは完全に曝されない。点線
は、これらゾーン間の境界面を示す。
該電子ビーム硬化法でのその他のパラメータの中で最
も重要なパラメータは、電子ビームのエネルギーであ
り、それが電子ビームの透過深度、従ってそのフィルム
の硬化深度を決める。望ましい電子ビーム硬化深度は、
図１に示されているように、金属ラインの上部に保持さ
れた誘電体フィルムの厚さに依存する。そのフィルムの
密度が分っていると、電子ビームの透過深度（もしくは
電子ビーム硬化深度）との相関性は、次のGrunの式に従
って求められる： Rg＝（0.046/d）Va1.75 （１） 式中、Rgは、その材料範囲（μｍ）もしくはGrun範囲、
ｄはフィルム密度（g/cm3）そしてVaは、加速電圧もし
くは電子エネルギー（KeV）である。しかし、電子ビー
ム硬化深度と電子エネルギーの間の関係は、異なる水準
の電子ビームエネルギーで、特定の材料について一連の
実験を行って確立することができる。
も重要なパラメータは、電子ビームのエネルギーであ
り、それが電子ビームの透過深度、従ってそのフィルム
の硬化深度を決める。望ましい電子ビーム硬化深度は、
図１に示されているように、金属ラインの上部に保持さ
れた誘電体フィルムの厚さに依存する。そのフィルムの
密度が分っていると、電子ビームの透過深度（もしくは
電子ビーム硬化深度）との相関性は、次のGrunの式に従
って求められる： Rg＝（0.046/d）Va1.75 （１） 式中、Rgは、その材料範囲（μｍ）もしくはGrun範囲、
ｄはフィルム密度（g/cm3）そしてVaは、加速電圧もし
くは電子エネルギー（KeV）である。しかし、電子ビー
ム硬化深度と電子エネルギーの間の関係は、異なる水準
の電子ビームエネルギーで、特定の材料について一連の
実験を行って確立することができる。
誘電体フィルムに照射される電子ビームの照射量は、
得られるフィルムに希望される特性に依存するであろ
う。電子ビームの照射量がより大きいことは、水分吸収
と酸化に敏感なフィルムにとっては好ましい効果を有す
る。しかし、電子ビームの照射量がより大きいと、電子
ビーム硬化から非−電子ビーム硬化に徐々に転移し、従
って、電子ビームの二次散乱に因ってそのフィルムの希
望の深度を超えて、電子ビームが透過する結果になるで
あろう。それ故、電子ビームの照射線量も、希望の電子
ビームエネルギー水準で照射線量を変えることを含む一
連の実験を行って選定するのが望ましい。この被露光誘
電体層は、選定された重合体材料に依存して、約2.6か
ら約4.0の範囲の誘電率を有するのが望ましい。この誘
電体層の相対的により硬くされた最上層の誘電率は、そ
の誘電体層の相対的にあまり硬くされていない下層部分
の誘電率とは異なっているのが望ましい。この誘電体層
の、より少なく露光された、もしくは露光されていない
下層部分は、その元の誘電率を保持するか、変化しても
僅かしか変化しないことが望ましい。場合により、その
後、この誘電体層を電子ビーム露光後に、電子ビーム照
射で誘起された副生物を除去するのに十分な条件で、こ
の誘電体層を加熱することもある。このような加熱は、
約50℃から約500℃の温度で、約１分間から約360分間、
望ましくは約150℃から約425℃の温度で、約３分間から
約60分間、行なわれるのが望ましい。
得られるフィルムに希望される特性に依存するであろ
う。電子ビームの照射量がより大きいことは、水分吸収
と酸化に敏感なフィルムにとっては好ましい効果を有す
る。しかし、電子ビームの照射量がより大きいと、電子
ビーム硬化から非−電子ビーム硬化に徐々に転移し、従
って、電子ビームの二次散乱に因ってそのフィルムの希
望の深度を超えて、電子ビームが透過する結果になるで
あろう。それ故、電子ビームの照射線量も、希望の電子
ビームエネルギー水準で照射線量を変えることを含む一
連の実験を行って選定するのが望ましい。この被露光誘
電体層は、選定された重合体材料に依存して、約2.6か
ら約4.0の範囲の誘電率を有するのが望ましい。この誘
電体層の相対的により硬くされた最上層の誘電率は、そ
の誘電体層の相対的にあまり硬くされていない下層部分
の誘電率とは異なっているのが望ましい。この誘電体層
の、より少なく露光された、もしくは露光されていない
下層部分は、その元の誘電率を保持するか、変化しても
僅かしか変化しないことが望ましい。場合により、その
後、この誘電体層を電子ビーム露光後に、電子ビーム照
射で誘起された副生物を除去するのに十分な条件で、こ
の誘電体層を加熱することもある。このような加熱は、
約50℃から約500℃の温度で、約１分間から約360分間、
望ましくは約150℃から約425℃の温度で、約３分間から
約60分間、行なわれるのが望ましい。
本発明はまた、導電性ラインを有する半導体基盤の表
面に、誘電性重合体組成物を塗布して乾燥することを含
んでなる、低誘電率の金属間誘電体フィルムの非−エッ
チバック加工法をも提供する。この誘電性重合体組成物
にフォトレジストを塗布し、そして紫外線を照射し、そ
して、そのデバイス上の導電性金属ラインの直ぐ上のフ
ォトレジストの部分が露光されそして除去されるような
常用の方法で現像される。次いで、この基盤に、電子ビ
ームを照射し、かくして金属ラインの直ぐ上にある誘電
体フィルムの部分だけが十分硬化される。最後に、残っ
たフォトレジストを常用のフォトレジスト−ストリッピ
ング法を用いて除去する。図２（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）は，基盤上で金属導体４をコートしている化学蒸
着酸化物２を示している。この酸化物上に誘電性重合体
をスピンコートし、そして乾燥するまでベーキングす
る。図２（ａ）は、誘電性重合体組成物に塗布し、そし
て露光し、そして常法で現像して、除去されるフォトレ
ジストの部分は、金属導体４の上方にあった部分である
ようにする。この重合体に電子ビームを照射し、この場
合、そのフォトレジストは、電子ビームの透過が、その
金属導体の上部の誘電体フィルムの領域８に調整される
ように、画像形成的に除去される。図２（ｂ）は、電子
ビームを照射し、次いで全フォトレジスト層を取除いた
後の構造を示している。下層領域６は、電子ビームに殆
ど、もしくは全く露光されていない。かくして、通路
（vias）12が通常の方法で形成され、図２（ｃ）に示さ
れた構造を生成する。さて、残留したフォトレジスト
は、電子が誘電性領域６に深く透過するのを防ぐマスク
としても機能する。ライン５は、電子ビームの概略の透
過深度を示す曲線である。
面に、誘電性重合体組成物を塗布して乾燥することを含
んでなる、低誘電率の金属間誘電体フィルムの非−エッ
チバック加工法をも提供する。この誘電性重合体組成物
にフォトレジストを塗布し、そして紫外線を照射し、そ
して、そのデバイス上の導電性金属ラインの直ぐ上のフ
ォトレジストの部分が露光されそして除去されるような
常用の方法で現像される。次いで、この基盤に、電子ビ
ームを照射し、かくして金属ラインの直ぐ上にある誘電
体フィルムの部分だけが十分硬化される。最後に、残っ
たフォトレジストを常用のフォトレジスト−ストリッピ
ング法を用いて除去する。図２（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）は，基盤上で金属導体４をコートしている化学蒸
着酸化物２を示している。この酸化物上に誘電性重合体
をスピンコートし、そして乾燥するまでベーキングす
る。図２（ａ）は、誘電性重合体組成物に塗布し、そし
て露光し、そして常法で現像して、除去されるフォトレ
ジストの部分は、金属導体４の上方にあった部分である
ようにする。この重合体に電子ビームを照射し、この場
合、そのフォトレジストは、電子ビームの透過が、その
金属導体の上部の誘電体フィルムの領域８に調整される
ように、画像形成的に除去される。図２（ｂ）は、電子
ビームを照射し、次いで全フォトレジスト層を取除いた
後の構造を示している。下層領域６は、電子ビームに殆
ど、もしくは全く露光されていない。かくして、通路
（vias）12が通常の方法で形成され、図２（ｃ）に示さ
れた構造を生成する。さて、残留したフォトレジスト
は、電子が誘電性領域６に深く透過するのを防ぐマスク
としても機能する。ライン５は、電子ビームの概略の透
過深度を示す曲線である。
適切なポジ型フォトレジスト組成物およびそれの利用
法は、例えば、米国特許第3,666,473;4,115,128および
4,173,470号明細書に記載されている。これらに含まれ
るのは、感光性材料と併用した。水不溶性でアルカリ水
溶液に可溶な樹脂である。希望の部分を、画像形成的に
紫外線に露光すると、そのフォトレジストは、アルカリ
可溶性になり、そしてその被膜の露光された領域は、露
光されていない領域より、より可溶性になる。この溶解
率の差に因り、その基盤をアルカリ性現像液中に浸漬し
た時、そのフォトレジスト被膜の露光領域が溶解するよ
うになり、一方非露光領域は大きい影響を受けないの
で、その基盤上にポジ型のレリーフ・パターンが生成す
る。このフォトレジスト被膜は、領域６を電子ビーム照
射から保護する。
法は、例えば、米国特許第3,666,473;4,115,128および
4,173,470号明細書に記載されている。これらに含まれ
るのは、感光性材料と併用した。水不溶性でアルカリ水
溶液に可溶な樹脂である。希望の部分を、画像形成的に
紫外線に露光すると、そのフォトレジストは、アルカリ
可溶性になり、そしてその被膜の露光された領域は、露
光されていない領域より、より可溶性になる。この溶解
率の差に因り、その基盤をアルカリ性現像液中に浸漬し
た時、そのフォトレジスト被膜の露光領域が溶解するよ
うになり、一方非露光領域は大きい影響を受けないの
で、その基盤上にポジ型のレリーフ・パターンが生成す
る。このフォトレジスト被膜は、領域６を電子ビーム照
射から保護する。
以下の非限定実施例は、本発明を例示するためのもの
である。
である。
実施例１ 部分的ビーム硬化： シリコンウェハー（基盤）を、慣用的なスピンコーテ
ィングを用いて、水素シルセスキオキサンポリマーと諸
有機溶剤の混合物とを含んでなる溶液でコートした。コ
ートしたウェハーを、150℃で１分間のあと、180℃で１
分間、そして最後に275℃で１分間という連続ホットプ
レート処理に付した。次いで、このコートしたウェハー
を、電子ビーム暴露装置（AlliedSignal社の分社である
Electron VisionからのElectron Cure30TM）内で、表１
に示した条件下で電子ビームに暴露した。そのコートし
たウェハーを電子ビーム暴露装置から出して、ｅ−ビー
ムエネルギーとｅ−ビーム線量の関数としてのFTIR分析
法を用いてのSi−Ｈ結合の保留率及びｅ−ビームエネル
ギーとｅ−ビーム線量の関数としてのフィルム厚を通る
湿式エッチング速度、といった側面において特性を明ら
かにした。この実験は、部分的ｅ−ビーム硬化アプロー
チ（電子ビーム透過が、フィルムの全厚未満である一定
のフィルムの深さに制限されるような条件下での部分的
ｅ−ビーム硬化手段）及びそのｅ−ビームエネルギーと
ｅ−ビーム線量への依存性を変動させるように設計され
た。
ィングを用いて、水素シルセスキオキサンポリマーと諸
有機溶剤の混合物とを含んでなる溶液でコートした。コ
ートしたウェハーを、150℃で１分間のあと、180℃で１
分間、そして最後に275℃で１分間という連続ホットプ
レート処理に付した。次いで、このコートしたウェハー
を、電子ビーム暴露装置（AlliedSignal社の分社である
Electron VisionからのElectron Cure30TM）内で、表１
に示した条件下で電子ビームに暴露した。そのコートし
たウェハーを電子ビーム暴露装置から出して、ｅ−ビー
ムエネルギーとｅ−ビーム線量の関数としてのFTIR分析
法を用いてのSi−Ｈ結合の保留率及びｅ−ビームエネル
ギーとｅ−ビーム線量の関数としてのフィルム厚を通る
湿式エッチング速度、といった側面において特性を明ら
かにした。この実験は、部分的ｅ−ビーム硬化アプロー
チ（電子ビーム透過が、フィルムの全厚未満である一定
のフィルムの深さに制限されるような条件下での部分的
ｅ−ビーム硬化手段）及びそのｅ−ビームエネルギーと
ｅ−ビーム線量への依存性を変動させるように設計され
た。
FTIRスペクトルからの約2265cm-1の波数におけるSi−
Ｈピークは、水素シルセスキオキサンポリマーの特性の
ピークである。電子ビーム暴露は、このSi−Ｈ結合を分
解して、水素をそのポリマーフィルムから駆逐して拡散
させ得る。また、電子ビーム暴露は、そのポリマーフィ
ルムを密にするであろう。これは、水素シルセスキオキ
サンフィルムを化学構造並びに物理特性においてより二
酸化ケイ素（SiO2）に類似するように修飾するであろ
う。エネルギーを与えられた電子の透過深度（又はGrum
域）は、電子のエネルギーレベルと材料密度に依存する
ので、所与の材料について、電子透過深度は、専ら電子
のエネルギーレベルに依存する。表１及び図３（ａ）、
３（ｂ）及び４に示した結果を参照すると、3KeVのエネ
ルギーのｅ−ビーム暴露についてのSi−Ｈ結合の保留率
は、熱硬化フィルムの56〜69％も高く、これは、その電
子透過深度がそのフィルム厚よりずっと小さいことを示
している（フィルム厚の約３分の１）。しかしながら、
5.5及び8KeVのｅ−ビームエネルギーについては、Si−
Ｈ結合のピークが有意に減少したが、これは、ポリマー
フィルムの全体の層が電子ビームに暴露されたことを示
している。また、図４に示すように、3KeVのｅ−ビーム
暴露について、湿式エッチング速度は、約1000Åのフィ
ルム厚までは相対的に均一で、次いで、フィルム厚の深
度に伴って劇的に増加する。このことも、このフィルム
の1000Å厚の最上層は、そのフィルムの残りの部分より
も硬いことを示しいる。より高いエネルギーに暴露され
たフィルムについては、厚さ全体を通しての湿式エッチ
ング速度は相対的に均一である。加えて、ｅ−ビーム硬
化深度へのｅ−ビーム線量の影響は、ｅ−ビームエネル
ギーほど大きくはないことが明確に分かる。
Ｈピークは、水素シルセスキオキサンポリマーの特性の
ピークである。電子ビーム暴露は、このSi−Ｈ結合を分
解して、水素をそのポリマーフィルムから駆逐して拡散
させ得る。また、電子ビーム暴露は、そのポリマーフィ
ルムを密にするであろう。これは、水素シルセスキオキ
サンフィルムを化学構造並びに物理特性においてより二
酸化ケイ素（SiO2）に類似するように修飾するであろ
う。エネルギーを与えられた電子の透過深度（又はGrum
域）は、電子のエネルギーレベルと材料密度に依存する
ので、所与の材料について、電子透過深度は、専ら電子
のエネルギーレベルに依存する。表１及び図３（ａ）、
３（ｂ）及び４に示した結果を参照すると、3KeVのエネ
ルギーのｅ−ビーム暴露についてのSi−Ｈ結合の保留率
は、熱硬化フィルムの56〜69％も高く、これは、その電
子透過深度がそのフィルム厚よりずっと小さいことを示
している（フィルム厚の約３分の１）。しかしながら、
5.5及び8KeVのｅ−ビームエネルギーについては、Si−
Ｈ結合のピークが有意に減少したが、これは、ポリマー
フィルムの全体の層が電子ビームに暴露されたことを示
している。また、図４に示すように、3KeVのｅ−ビーム
暴露について、湿式エッチング速度は、約1000Åのフィ
ルム厚までは相対的に均一で、次いで、フィルム厚の深
度に伴って劇的に増加する。このことも、このフィルム
の1000Å厚の最上層は、そのフィルムの残りの部分より
も硬いことを示しいる。より高いエネルギーに暴露され
たフィルムについては、厚さ全体を通しての湿式エッチ
ング速度は相対的に均一である。加えて、ｅ−ビーム硬
化深度へのｅ−ビーム線量の影響は、ｅ−ビームエネル
ギーほど大きくはないことが明確に分かる。
実施例２ 熱安定性： シリコンウェハーを、慣用的なスピンコーティングを
用いて、水素シルセスキオキサンポリマーと諸有機溶剤
の混合物とを含んでなる溶液でコートした。コートした
ウェハーを、150℃で１分間のあと、180℃で１分間、そ
して最後に275℃で１分間という連続ホットプレート処
理に付した。次いで、このコートしたウェハーを２組に
分けて、一方を熱硬化に使用して対照（熱硬化と言う）
とし、他方を部分的電子ビーム硬化に使用した（部分的
ｅ−ビーム硬化と言う）。熱硬化グループのコートした
ウェハーは、水平炉内で400℃で30分間、大気圧下10
／分の窒素気流下で熱硬化された。他方のグループのコ
ートしたウェハーは、部分的硬化の条件（エネルギー:3
KeV;線量:3000μC/cm2;温度:250℃；電流:15mA及びアル
ゴンガス雰囲気）下で電子ビームに暴露された。次い
で、各々のグループからのウェハーを、それぞれ、水平
炉内で、400、450、500及び600℃に30分間、大気圧下10
／分の窒素気流下で暴露してから、これらウェハーに
ついて、フィルム厚、収縮率及びFTIR分析を行って、熱
安定性を評価した（Si−Ｈ結合保留率及びフィルム収縮
率）。結果を表２に示す。
用いて、水素シルセスキオキサンポリマーと諸有機溶剤
の混合物とを含んでなる溶液でコートした。コートした
ウェハーを、150℃で１分間のあと、180℃で１分間、そ
して最後に275℃で１分間という連続ホットプレート処
理に付した。次いで、このコートしたウェハーを２組に
分けて、一方を熱硬化に使用して対照（熱硬化と言う）
とし、他方を部分的電子ビーム硬化に使用した（部分的
ｅ−ビーム硬化と言う）。熱硬化グループのコートした
ウェハーは、水平炉内で400℃で30分間、大気圧下10
／分の窒素気流下で熱硬化された。他方のグループのコ
ートしたウェハーは、部分的硬化の条件（エネルギー:3
KeV;線量:3000μC/cm2;温度:250℃；電流:15mA及びアル
ゴンガス雰囲気）下で電子ビームに暴露された。次い
で、各々のグループからのウェハーを、それぞれ、水平
炉内で、400、450、500及び600℃に30分間、大気圧下10
／分の窒素気流下で暴露してから、これらウェハーに
ついて、フィルム厚、収縮率及びFTIR分析を行って、熱
安定性を評価した（Si−Ｈ結合保留率及びフィルム収縮
率）。結果を表２に示す。
表２及び図５（ａ）及び５（ｂ）に示されるように、
熱硬化フィルムについては、Si−Ｈ結合の保留率は、熱
暴露の温度の増加に伴って急速に低下し、フィルム収縮
率は温度と共に大きく増加している。しかしながら、部
分的ｅ−ビーム硬化フィルムについては、所与の熱暴露
温度について、Si−Ｈ結合の保留率はずっと高く、収縮
率は前者よりもずっと低い。これら結果は、少なくとも
500℃までは、部分的ｅ−ビーム硬化が熱安定性を有意
に増進させることを示している。バックエンド加工に関
する現行IC製造法では、関与する温度はめったに450℃
を越えない。このような部分的ｅ−ビーム暴露によるポ
リマーフィルムの熱安定性の向上は、製造容易性、信頼
性、収率及びそれらによる製造コストに大きな恩恵をも
たらすであろう。
熱硬化フィルムについては、Si−Ｈ結合の保留率は、熱
暴露の温度の増加に伴って急速に低下し、フィルム収縮
率は温度と共に大きく増加している。しかしながら、部
分的ｅ−ビーム硬化フィルムについては、所与の熱暴露
温度について、Si−Ｈ結合の保留率はずっと高く、収縮
率は前者よりもずっと低い。これら結果は、少なくとも
500℃までは、部分的ｅ−ビーム硬化が熱安定性を有意
に増進させることを示している。バックエンド加工に関
する現行IC製造法では、関与する温度はめったに450℃
を越えない。このような部分的ｅ−ビーム暴露によるポ
リマーフィルムの熱安定性の向上は、製造容易性、信頼
性、収率及びそれらによる製造コストに大きな恩恵をも
たらすであろう。
実施例３ 酸素プラズマ抵抗性： シリコンウェハーを、慣用的なスピンコーティングを
用いて、メチルシルセスキオキサンポリマーと諸有機溶
剤の混合物とを含んでなる溶液でコートした。コートし
たウェハーを、180℃で１分間のあと、180℃で１分間、
そして最後に250℃で１分間という連続ホットプレート
処理に付した。次いで、このコートしたウェハーを３組
に分けて、１組を熱硬化に使用して対照（熱硬化と言
う）とし、他の２組を部分的電子ビーム硬化に使用した
（部分的ｅ−ビーム硬化１及び部分的ｅ−ビーム硬化２
と言う）。熱硬化グループのコートしたウェハーは、水
平炉内で425℃で60分間、大気圧下15／分の窒素気流
下で熱硬化された。部分的ｅ−ビーム硬化１のコートし
たウェハーは、エネルギー:2KeV;線量:3000μC/cm2;温
度:250℃；電流:15mA及びアルゴンガス雰囲気の条件下
で電子ビームに暴露された。部分的ｅ−ビーム硬化２の
コートしたウェハーは、3KeVのエネルギーを用いたこと
を除いては、部分的ｅ−ビーム硬化１と同じ条件下で電
子ビームに暴露された。次いで、全てのウェハーを、Ga
sonic Aura 1000ストリッパー装置中で、酸素気流:4.5
／分；窒素気流:0.45／分；及び温度：約250℃の条
件下で60分間、酸素プラズマに暴露した。次いで、Si−
Ｃ結合（〜1280cm-1の波数）及びＣ−Ｈ結合（〜2970cm
-1の波数）の保留率についてのFTIR分析、及び水又はシ
ラノール（Si−OH）吸収についてのFTIR分析、及びフィ
ルム収縮率を明らかにした。結果を表３及び図６（ａ）
〜（ｃ）に示す。
用いて、メチルシルセスキオキサンポリマーと諸有機溶
剤の混合物とを含んでなる溶液でコートした。コートし
たウェハーを、180℃で１分間のあと、180℃で１分間、
そして最後に250℃で１分間という連続ホットプレート
処理に付した。次いで、このコートしたウェハーを３組
に分けて、１組を熱硬化に使用して対照（熱硬化と言
う）とし、他の２組を部分的電子ビーム硬化に使用した
（部分的ｅ−ビーム硬化１及び部分的ｅ−ビーム硬化２
と言う）。熱硬化グループのコートしたウェハーは、水
平炉内で425℃で60分間、大気圧下15／分の窒素気流
下で熱硬化された。部分的ｅ−ビーム硬化１のコートし
たウェハーは、エネルギー:2KeV;線量:3000μC/cm2;温
度:250℃；電流:15mA及びアルゴンガス雰囲気の条件下
で電子ビームに暴露された。部分的ｅ−ビーム硬化２の
コートしたウェハーは、3KeVのエネルギーを用いたこと
を除いては、部分的ｅ−ビーム硬化１と同じ条件下で電
子ビームに暴露された。次いで、全てのウェハーを、Ga
sonic Aura 1000ストリッパー装置中で、酸素気流:4.5
／分；窒素気流:0.45／分；及び温度：約250℃の条
件下で60分間、酸素プラズマに暴露した。次いで、Si−
Ｃ結合（〜1280cm-1の波数）及びＣ−Ｈ結合（〜2970cm
-1の波数）の保留率についてのFTIR分析、及び水又はシ
ラノール（Si−OH）吸収についてのFTIR分析、及びフィ
ルム収縮率を明らかにした。結果を表３及び図６（ａ）
〜（ｃ）に示す。
表３及び図６（ａ）〜（ｃ）に示されるように、熱硬
化メチルシルセスキオキサンフィルムについては、Si−
Ｃ及びＣ−Ｈの含有量は、水及び／又はシラノールの有
意な吸収と共に大きく減少し、酸素プラズマ暴露で大き
なフィルム収縮率となったが、これは、このフィルムが
酸素プラズマに非常に感受性であることを示している。
これとは対照的に、ｅ−ビーム硬化フィルムについて
は、Si−Ｃ及びＣ−Ｈの両方の結合が100％保持され、
フィルム収縮及び水及び／又はシラノール吸収は殆どな
かった。この部分的電子ビーム処理は、フィルムの酸素
プラズマ抵抗性を大きく増進させた。
化メチルシルセスキオキサンフィルムについては、Si−
Ｃ及びＣ−Ｈの含有量は、水及び／又はシラノールの有
意な吸収と共に大きく減少し、酸素プラズマ暴露で大き
なフィルム収縮率となったが、これは、このフィルムが
酸素プラズマに非常に感受性であることを示している。
これとは対照的に、ｅ−ビーム硬化フィルムについて
は、Si−Ｃ及びＣ−Ｈの両方の結合が100％保持され、
フィルム収縮及び水及び／又はシラノール吸収は殆どな
かった。この部分的電子ビーム処理は、フィルムの酸素
プラズマ抵抗性を大きく増進させた。
実施例４ 誘電率： シリコンウェハーを、慣用的なスピンコーティングを
用いて、メチルシルセスキオキサンポリマーと諸有機溶
剤の混合物とを含んでなる溶液又は水素シルセスキオキ
サンポリマーと諸有機溶剤の混合物とを含んでなる溶液
のいずれかでコートした。コートしたウェハーを連続ホ
ットプレート処理に付した後に、熱硬化、部分的ｅ−ビ
ーム硬化又は完全ｅ−ビーム硬化のいずれかに付した。
表４にこの実験の条件を、焼付け、熱硬化及びｅ−ビー
ム硬化についての詳細な条件で示す。約１ミクロンの厚
さ及び0.5mmの直径を有するアルミニウムのドットを、
慣用的なスパッタリング金属堆積装置を用いて、このコ
ートしたウェハーの表層にコートした。測定された誘電
率データを表４に示す。
用いて、メチルシルセスキオキサンポリマーと諸有機溶
剤の混合物とを含んでなる溶液又は水素シルセスキオキ
サンポリマーと諸有機溶剤の混合物とを含んでなる溶液
のいずれかでコートした。コートしたウェハーを連続ホ
ットプレート処理に付した後に、熱硬化、部分的ｅ−ビ
ーム硬化又は完全ｅ−ビーム硬化のいずれかに付した。
表４にこの実験の条件を、焼付け、熱硬化及びｅ−ビー
ム硬化についての詳細な条件で示す。約１ミクロンの厚
さ及び0.5mmの直径を有するアルミニウムのドットを、
慣用的なスパッタリング金属堆積装置を用いて、このコ
ートしたウェハーの表層にコートした。測定された誘電
率データを表４に示す。
明らかなように、暴露は、誘電層の表層部分を比較的
より硬いものにし、誘電層の下層部分を比較的あまり硬
くないものにする。スピンオンされた低誘電率（低ｋ
値）ポリマーフィルムは、半導体基盤上に適用され、そ
して電子ビーム照射を用いてそのフィルムの低誘電率特
性を失うことなく加工される。
より硬いものにし、誘電層の下層部分を比較的あまり硬
くないものにする。スピンオンされた低誘電率（低ｋ
値）ポリマーフィルムは、半導体基盤上に適用され、そ
して電子ビーム照射を用いてそのフィルムの低誘電率特
性を失うことなく加工される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フォレスター，リン アメリカ合衆国カリフォルニア州95124, サンノゼ，ガナー・ドライブ 2233 (72)発明者 チョイ，ドン・キュー 大韓民国キョンギ―ド 463―075，サン ―ナム―シ，ブン―ダン―グ，ハ―タッ プ―ドン，スサン・ヨン・アパートメン ト 506―1401 (72)発明者 ワン，シ−チン アメリカ合衆国カリフォルニア州95008, キャンベル，ヴァージニア・アベニュー 495 (72)発明者 ヘンドリックス，ニール・エイチ アメリカ合衆国カリフォルニア州95370, ソノラ，ハビタット・トレイル 16525 (56)参考文献 特開 平１−319942（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−107141（ＪＰ，Ａ) 特表 平11−506872（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/312 - 21/316 H01L 21/768
Claims (24)
- 【請求項１】誘電体フィルムを基盤上に形成する方法で
あって、高分子誘電体組成物層を基盤上に適用して乾燥
すること、及び、該乾燥された層を、該誘電体組成物層
を部分的に硬化させるのに十分な条件下で、電子ビーム
に曝露することを含んでなり、該曝露が、該誘電体組成
物層の相対的により硬くされた最上層部分と該誘電体組
成物層の相対的にあまり硬くされていない下層部分を形
成する方法。 - 【請求項２】誘電体組成物層が、シルセスキオキサン重
合体、シロキサン重合体、ポイイミド、ポリアリーレン
エーテル、フッ素化ポリアリーレンエーテル、若しくは
それらの混合物を含んでなる、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】誘導体組成物層が500Åから50,000Åの厚
さを有する、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】誘導体組成物層の相対的に硬くされた最上
層部分の誘電率が、該誘電体組成物層の相対的にあまり
硬くされていない下層部分の誘電率とは異なる、請求項
１記載の方法。 - 【請求項５】誘電体組成物層の最上層の部分が電子ビー
ム照射に曝露され、そして該誘電体組成物層の下層部分
が電子ビーム照射に曝露されない、請求項１記載の方
法。 - 【請求項６】誘電体組成物層が500Åから50,000Åの厚
さを有し、そして該誘電体組成物層の最上層部分が200
Åから10,000Åの厚さを有する、請求項１記載の方法。 - 【請求項７】基盤が半導体材料を含んでなる、請求項１
記載の方法。 - 【請求項８】誘電体組成物層が、［（HSiO1.5）xOy］
ｎ、（HSiO1.5）ｎ、［（HSiO1.5）xOy（RSiO1.5）ｚ］
ｎ、［（HSiO1.5）ｘ（RSiO1.5）ｙ］ｎ及び［（HSiO
1.5）xOy（RSiO1.5）ｚ］ｎ（式中、ｘ＝６〜20、Ｙ＝
１〜３、Ｚ＝６〜20、ｎ＝１〜4,000、そして各のＲ
は、独立に、Ｈ、C1〜C8アルキル又はC6〜C12アリール
基である）から成る群から選ばれる式を有する少なくと
も一種の重合体を含んでなる、請求項１記載の方法。 - 【請求項９】誘導体組成物層が、水素シルセスキオキサ
ン若しくはメチルシルセスキオキサンを含んでなる請求
項１記載の方法。 - 【請求項１０】電子ビーム曝露前若しくは曝露中に、少
なくとも部分的に硬化した誘電体組成物層を基盤上に形
成させるにの十分な条件下で、誘導体組成物層を加熱す
る工程をさらに含んでなる、請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】加熱が、25℃から500℃の温度で、１分
から360分間行われる、請求項10記載の方法。 - 【請求項１２】電子ビームを曝露する前に、基盤上の少
なくとも部分的に固化した誘電体組成物層の上にフォト
レジスト層を適用し、画像を形成するように曝露し、そ
して該フォトレジスト層を現像し、それにより該フォト
レジスト層の一部を該誘電体組成物層から除去し、そし
て該誘電体組成物層上に残存している該フォトレジスト
層の一部を残す工程を更に含んでなる、請求項10記載の
方法であって、該誘導体組成物層上に残存している該フ
ォトレジスト層の部分の下にある誘電体組成物層の一部
分が、除去されたフォトレジスト層の部分に対応する誘
電体組成物層の部分よりも、あまり電子ビーム照射に曝
されていない方法。 - 【請求項１３】電子ビーム曝露が、実質的に均一に硬く
された誘電体組成物層を形成する、請求項10記載の方
法。 - 【請求項１４】誘電体組成物層上に残存しているフォト
レジストの部分を除去する後続工程をさらに含んでな
る、請求工12記載の方法。 - 【請求項１５】フォトレジスト層の除去された部分に対
応する誘電体組成物層の一部分から基盤までの通路を形
成する後続工程をさらに含んでなる、請求項12記載の方
法。 - 【請求項１６】通路の下にある基盤の部分が導電性材料
を含んでなる、請求項15記載の方法。 - 【請求項１７】電子ビーム曝露が、水素、ヘリウム、酸
素、アルゴン、窒素、キセノン及びそれらの混合物から
なる群から選ばれた気体の存在下で行われる、請求項１
記載の方法。 - 【請求項１８】電子ビーム曝露が、25℃から500℃の温
度で行われる、請求項１記載の方法。 - 【請求項１９】曝露された誘電体組成物層が2.6から4.0
の範囲の誘電率を有する、請求項１記載の方法。 - 【請求項２０】誘電体組成物層が、1g/cm3から3g/cm3の
密度を有する、請求項１記載の方法。 - 【請求項２１】電子ビーム曝露が、0.5KeVから20KeVの
エネルギーレベルで行われる、請求項１記載の方法。 - 【請求項２２】電子ビーム曝露が、500μC/cm2から20,0
00μC/cm2の電子線量で行われる、請求項１記載の方
法。 - 【請求項２３】電子ビーム曝露後に、電子ビーム曝露で
誘導された副生物を除去するのに十分な条件下で、誘電
体組成物層を加熱する工程をさらに含んでなる、請求項
１記載の方法。 - 【請求項２４】加熱が、50℃から500℃の温度で、１か
ら360分間行われる、請求項23記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4110497P | 1997-03-24 | 1997-03-24 | |
| US60/041,104 | 1997-03-24 | ||
| US09/028,465 US6080526A (en) | 1997-03-24 | 1998-02-24 | Integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation |
| US09/028,465 | 1998-02-24 | ||
| PCT/US1998/004560 WO1998043294A1 (en) | 1997-03-24 | 1998-03-09 | Integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000511006A JP2000511006A (ja) | 2000-08-22 |
| JP3276963B2 true JP3276963B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=26703725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54573798A Expired - Fee Related JP3276963B2 (ja) | 1997-03-24 | 1998-03-09 | 誘電体フィルムを基盤上に形成する方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6080526A (ja) |
| EP (1) | EP0970519B1 (ja) |
| JP (1) | JP3276963B2 (ja) |
| KR (1) | KR100477455B1 (ja) |
| CN (1) | CN1113408C (ja) |
| CA (1) | CA2284760A1 (ja) |
| DE (1) | DE69836009D1 (ja) |
| IL (1) | IL132017A0 (ja) |
| WO (1) | WO1998043294A1 (ja) |
Families Citing this family (83)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607991B1 (en) * | 1995-05-08 | 2003-08-19 | Electron Vision Corporation | Method for curing spin-on dielectric films utilizing electron beam radiation |
| US6042994A (en) * | 1998-01-20 | 2000-03-28 | Alliedsignal Inc. | Nanoporous silica dielectric films modified by electron beam exposure and having low dielectric constant and low water content |
| US6303523B2 (en) * | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6413583B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound |
| US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6593247B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
| US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6800571B2 (en) * | 1998-09-29 | 2004-10-05 | Applied Materials Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US8021976B2 (en) * | 2002-10-15 | 2011-09-20 | Megica Corporation | Method of wire bonding over active area of a semiconductor circuit |
| WO2000040637A1 (en) | 1999-01-08 | 2000-07-13 | The Dow Chemical Company | Low dielectric constant polymers having good adhesion and toughness and articles made with such polymers |
| US6361837B2 (en) | 1999-01-15 | 2002-03-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for modifying and densifying a porous film |
| US6207555B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-03-27 | Electron Vision Corporation | Electron beam process during dual damascene processing |
| US6770975B2 (en) | 1999-06-09 | 2004-08-03 | Alliedsignal Inc. | Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics |
| US6271127B1 (en) * | 1999-06-10 | 2001-08-07 | Conexant Systems, Inc. | Method for dual damascene process using electron beam and ion implantation cure methods for low dielectric constant materials |
| US6204201B1 (en) * | 1999-06-11 | 2001-03-20 | Electron Vision Corporation | Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing |
| US6495478B1 (en) * | 1999-06-21 | 2002-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Reduction of shrinkage of poly(arylene ether) for low-K IMD |
| US20060263531A1 (en) * | 2003-12-18 | 2006-11-23 | Lichtenhan Joseph D | Polyhedral oligomeric silsesquioxanes as glass forming coatings |
| US6403464B1 (en) * | 1999-11-03 | 2002-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to reduce the moisture content in an organic low dielectric constant material |
| US6358670B1 (en) * | 1999-12-28 | 2002-03-19 | Electron Vision Corporation | Enhancement of photoresist plasma etch resistance via electron beam surface cure |
| US6291302B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-09-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective laser anneal process using highly reflective aluminum mask |
| US6184134B1 (en) * | 2000-02-18 | 2001-02-06 | Infineon Technologies North America Corp. | Dry process for cleaning residues/polymers after metal etch |
| US7011868B2 (en) * | 2000-03-20 | 2006-03-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials |
| US6759098B2 (en) * | 2000-03-20 | 2004-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials |
| US6913796B2 (en) * | 2000-03-20 | 2005-07-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing process for porous low-k materials |
| JP4368498B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2009-11-18 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体ウェーハおよびこれらの製造方法 |
| US6531398B1 (en) | 2000-10-30 | 2003-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing organosillicate layers |
| US6465361B1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-10-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for preventing damage of low-k dielectrics during patterning |
| US7000313B2 (en) * | 2001-03-08 | 2006-02-21 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Process for fabricating circuit assemblies using electrodepositable dielectric coating compositions |
| US6951707B2 (en) * | 2001-03-08 | 2005-10-04 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Process for creating vias for circuit assemblies |
| US6589711B1 (en) | 2001-04-04 | 2003-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual inlaid process using a bilayer resist |
| US6458691B1 (en) | 2001-04-04 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual inlaid process using an imaging layer to protect via from poisoning |
| US6486082B1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film |
| TW588403B (en) * | 2001-06-25 | 2004-05-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treating device and substrate treating method |
| US6605549B2 (en) | 2001-09-29 | 2003-08-12 | Intel Corporation | Method for improving nucleation and adhesion of CVD and ALD films deposited onto low-dielectric-constant dielectrics |
| US6838393B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide |
| US7091137B2 (en) * | 2001-12-14 | 2006-08-15 | Applied Materials | Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications |
| US6890850B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing dielectric materials in damascene applications |
| US20030134499A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-17 | International Business Machines Corporation | Bilayer HDP CVD / PE CVD cap in advanced BEOL interconnect structures and method thereof |
| US6936309B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Hardness improvement of silicon carboxy films |
| US20030211244A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-11-13 | Applied Materials, Inc. | Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric |
| US20030194496A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing dielectric material |
| US20030194495A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric |
| US6815373B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-11-09 | Applied Materials Inc. | Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films |
| US20030206337A1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-06 | Eastman Kodak Company | Exposure apparatus for irradiating a sensitized substrate |
| US7056560B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-06 | Applies Materials Inc. | Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
| US20040101632A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method for curing low dielectric constant film by electron beam |
| US7060330B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming ultra low k films using electron beam |
| EP1504138A2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method for using low dielectric constant film by electron beam |
| US6936551B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
| US20060213685A1 (en) * | 2002-06-27 | 2006-09-28 | Wang Alan E | Single or multi-layer printed circuit board with improved edge via design |
| US6824959B2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-11-30 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Process for creating holes in polymeric substrates |
| EP1520454B1 (en) * | 2002-06-27 | 2012-01-25 | PPG Industries Ohio, Inc. | Single or multi-layer printed circuit board with extended breakaway tabs and method of manufacture thereof |
| US6927178B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
| US7105460B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-09-12 | Applied Materials | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
| CN1302524C (zh) * | 2002-09-27 | 2007-02-28 | 上海华虹（集团）有限公司 | 有机聚合物低介电材料刻蚀后的湿法去胶工艺 |
| US7749563B2 (en) * | 2002-10-07 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance |
| US6972217B1 (en) * | 2002-12-23 | 2005-12-06 | Lsi Logic Corporation | Low k polymer E-beam printable mechanical support |
| US6790788B2 (en) * | 2003-01-13 | 2004-09-14 | Applied Materials Inc. | Method of improving stability in low k barrier layers |
| US6897163B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing a low dielectric constant film |
| US20050260420A1 (en) * | 2003-04-01 | 2005-11-24 | Collins Martha J | Low dielectric materials and methods for making same |
| US20040253378A1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-16 | Applied Materials, Inc. | Stress reduction of SIOC low k film by addition of alkylenes to OMCTS based processes |
| TW200528462A (en) * | 2003-12-18 | 2005-09-01 | Hybrid Plastics Llc | Polyhedral oligomeric silsesquioxanes and metallized polyhedral oligomeric silsesquioxanes as coatings, composites and additives |
| US7030041B2 (en) * | 2004-03-15 | 2006-04-18 | Applied Materials Inc. | Adhesion improvement for low k dielectrics |
| US20050214457A1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Deposition of low dielectric constant films by N2O addition |
| US7229911B2 (en) * | 2004-04-19 | 2007-06-12 | Applied Materials, Inc. | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials |
| US20050233555A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-20 | Nagarajan Rajagopalan | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials |
| US7018941B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Post treatment of low k dielectric films |
| US7075093B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-07-11 | Gorski Richard M | Parallel multi-electron beam lithography for IC fabrication with precise X-Y translation |
| US20050277302A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Nguyen Son V | Advanced low dielectric constant barrier layers |
| US7229041B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-06-12 | Ohio Central Steel Company | Lifting lid crusher |
| US7288205B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications |
| US7259381B2 (en) * | 2004-08-03 | 2007-08-21 | Applied Materials, Inc. | Methodology for determining electron beam penetration depth |
| US7588803B2 (en) * | 2005-02-01 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Multi step ebeam process for modifying dielectric materials |
| JP2006253577A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 絶縁膜、その製造方法及び該絶縁膜を有するデバイス |
| US7622378B2 (en) | 2005-11-09 | 2009-11-24 | Tokyo Electron Limited | Multi-step system and method for curing a dielectric film |
| US20070134435A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Ahn Sang H | Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films |
| US7473567B2 (en) | 2006-03-30 | 2009-01-06 | Tokyo Electron Limited | Change rate prediction method, storage medium, and substrate processing system |
| US7297376B1 (en) | 2006-07-07 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers |
| US8029971B2 (en) * | 2008-03-13 | 2011-10-04 | International Business Machines Corporation | Photopatternable dielectric materials for BEOL applications and methods for use |
| US20140014621A1 (en) * | 2012-07-16 | 2014-01-16 | Zhaoning Yu | Analysis of pattern features |
| US9558930B2 (en) | 2014-08-13 | 2017-01-31 | International Business Machines Corporation | Mixed lithography approach for e-beam and optical exposure using HSQ |
| JP7356902B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2023-10-05 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | レーザーアブレーションの誘電性物質 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4222792A (en) * | 1979-09-10 | 1980-09-16 | International Business Machines Corporation | Planar deep oxide isolation process utilizing resin glass and E-beam exposure |
| US4503126A (en) * | 1982-08-18 | 1985-03-05 | Foster Grant Corporation | Method of making an abrasion resistant coating on a solid substrate and articles produced thereby |
| US4435441A (en) * | 1982-12-30 | 1984-03-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of frequency trimming surface acoustic wave devices |
| US4661193A (en) * | 1984-08-27 | 1987-04-28 | The Dow Chemical Company | Adhesive compositions for arylcyclobutene monomeric compositions |
| US5354695A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| US5270259A (en) * | 1988-06-21 | 1993-12-14 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating an insulating film from a silicone resin using O.sub. |
| US5141970A (en) * | 1990-12-10 | 1992-08-25 | Loctite (Ireland) Limited | Method of forming high-temperature resistant polymers |
| US5262392A (en) * | 1991-07-15 | 1993-11-16 | Eastman Kodak Company | Method for patterning metallo-organic percursor film and method for producing a patterned ceramic film and film products |
| US5229172A (en) * | 1993-01-19 | 1993-07-20 | Medtronic, Inc. | Modification of polymeric surface by graft polymerization |
| US5468595A (en) * | 1993-01-29 | 1995-11-21 | Electron Vision Corporation | Method for three-dimensional control of solubility properties of resist layers |
| EP0701277B1 (en) * | 1994-05-27 | 2008-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Interconnection method using a porous insulator for line to line capacitance reduction |
| US5504042A (en) * | 1994-06-23 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Porous dielectric material with improved pore surface properties for electronics applications |
| US5545475A (en) * | 1994-09-20 | 1996-08-13 | W. L. Gore & Associates | Microfiber-reinforced porous polymer film and a method for manufacturing the same and composites made thereof |
| US6652922B1 (en) * | 1995-06-15 | 2003-11-25 | Alliedsignal Inc. | Electron-beam processed films for microelectronics structures |
| US5609925A (en) * | 1995-12-04 | 1997-03-11 | Dow Corning Corporation | Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam |
| US5789140A (en) * | 1996-04-25 | 1998-08-04 | Fujitsu Limited | Method of forming a pattern or via structure utilizing supplemental electron beam exposure and development to remove image residue |
| US5763049A (en) * | 1996-04-30 | 1998-06-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Formed ultra-flexible retroreflective cube-corner composite sheeting with target optical properties and method for making same |
| US5883212A (en) * | 1996-05-08 | 1999-03-16 | Rexam Graphics, Inc. | Conductivity exaltation in radiation cured electrically conductive coatings |
| US5916641A (en) * | 1996-08-01 | 1999-06-29 | Loctite (Ireland) Limited | Method of forming a monolayer of particles |
| EP0824154B1 (de) * | 1996-08-15 | 2002-05-08 | Alcan Technology & Management AG | Reflektor mit resistenter Oberfläche |
| US5863963A (en) * | 1996-08-29 | 1999-01-26 | Xerox Corporation | Halomethylated high performance curable polymers |
| US5707681A (en) * | 1997-02-07 | 1998-01-13 | Dow Corning Corporation | Method of producing coatings on electronic substrates |
| US5843537A (en) * | 1997-03-07 | 1998-12-01 | Quantum Corporation | Insulator cure process for giant magnetoresistive heads |
| US5939334A (en) * | 1997-05-22 | 1999-08-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method of selectively cleaning copper substrate surfaces, in-situ, to remove copper oxides |
-
1998
- 1998-02-24 US US09/028,465 patent/US6080526A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-09 CN CN98805439A patent/CN1113408C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-09 JP JP54573798A patent/JP3276963B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-09 CA CA002284760A patent/CA2284760A1/en not_active Abandoned
- 1998-03-09 IL IL13201798A patent/IL132017A0/xx unknown
- 1998-03-09 DE DE69836009T patent/DE69836009D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-09 KR KR10-1999-7008771A patent/KR100477455B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-09 EP EP98911525A patent/EP0970519B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-09 WO PCT/US1998/004560 patent/WO1998043294A1/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69836009D1 (de) | 2006-11-09 |
| IL132017A0 (en) | 2001-03-19 |
| EP0970519A1 (en) | 2000-01-12 |
| CN1113408C (zh) | 2003-07-02 |
| CA2284760A1 (en) | 1998-10-01 |
| KR20010005703A (ko) | 2001-01-15 |
| JP2000511006A (ja) | 2000-08-22 |
| CN1257610A (zh) | 2000-06-21 |
| US6080526A (en) | 2000-06-27 |
| WO1998043294A1 (en) | 1998-10-01 |
| EP0970519B1 (en) | 2006-09-27 |
| KR100477455B1 (ko) | 2005-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3276963B2 (ja) | 誘電体フィルムを基盤上に形成する方法 | |
| US6358804B2 (en) | Semiconductor device and method for the fabrication thereof | |
| US6831005B1 (en) | Electron beam process during damascene processing | |
| JP4546094B2 (ja) | デュアルダマシン配線をパターン形成する三層マスキングアーキテクチャ | |
| JP4667165B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20020123240A1 (en) | Electronic device manufacture | |
| JP2003518767A (ja) | 電子ビーム放射を利用してスピンオン誘電体被膜を硬化する方法 | |
| KR101040687B1 (ko) | 손상된 유전체 물질 및 막의 보상 및 회복 | |
| CN1369112A (zh) | 集成电路中自调准Cu扩散阻挡层的制造方法 | |
| US7557035B1 (en) | Method of forming semiconductor devices by microwave curing of low-k dielectric films | |
| US7829268B2 (en) | Method for air gap formation using UV-decomposable materials | |
| US7830012B2 (en) | Material for forming exposure light-blocking film, multilayer interconnection structure and manufacturing method thereof, and semiconductor device | |
| US6489030B1 (en) | Low dielectric constant films used as copper diffusion barrier | |
| JP2005294525A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20050161763A1 (en) | Porogen material | |
| US6426127B1 (en) | Electron beam modification of perhydrosilazane spin-on glass | |
| CN101045820B (zh) | 形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法 | |
| JP2010278121A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN100552542C (zh) | 由旋涂上的陶瓷薄膜组成的构图层 | |
| JP2004260076A (ja) | 被膜形成用塗布液、絶縁膜及びその製造方法ならびに半導体装置 | |
| TW409283B (en) | Integration of LOW-K polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation | |
| JP5565314B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |