JP3290040B2 - 導波路型光信号検出器 - Google Patents
導波路型光信号検出器Info
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- JP3290040B2 JP3290040B2 JP01963795A JP1963795A JP3290040B2 JP 3290040 B2 JP3290040 B2 JP 3290040B2 JP 01963795 A JP01963795 A JP 01963795A JP 1963795 A JP1963795 A JP 1963795A JP 3290040 B2 JP3290040 B2 JP 3290040B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップ等に適
用可能なスラブ型光導波路を利用した導波路型光信号検
出器に関する。
用可能なスラブ型光導波路を利用した導波路型光信号検
出器に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスク装置用の光ピックアッ
プは、1枚の導波路付き基板上に集積化することで、そ
の小型・低価格化を図る研究が各方面でなされている。
その一つとして、スラブ型光導波路(slab optical wav
eguide)内を導波する導波光を反射により偏向させる構
造として、導波路内に基板に対して垂直な断面を形成
し、この断面で反射させる導波路型反射器が知られてい
る。即ち、媒質の屈折率に差がある場合、導波光が媒質
境界面へ向かって導波する際に導波する媒質の屈折率が
境界面先の媒質の屈折率よりも大きいときには、所謂、
全反射によって導波光を反射させ得るというものであ
る。このような性質に加えて、境界面に曲率を与えるこ
とによって、スラブ型光導波路内を導波する導波光を反
射により集光又は発散させることができる。即ち、境界
面に曲率を与えることにより、導波路型反射集光器が形
成される。
プは、1枚の導波路付き基板上に集積化することで、そ
の小型・低価格化を図る研究が各方面でなされている。
その一つとして、スラブ型光導波路(slab optical wav
eguide)内を導波する導波光を反射により偏向させる構
造として、導波路内に基板に対して垂直な断面を形成
し、この断面で反射させる導波路型反射器が知られてい
る。即ち、媒質の屈折率に差がある場合、導波光が媒質
境界面へ向かって導波する際に導波する媒質の屈折率が
境界面先の媒質の屈折率よりも大きいときには、所謂、
全反射によって導波光を反射させ得るというものであ
る。このような性質に加えて、境界面に曲率を与えるこ
とによって、スラブ型光導波路内を導波する導波光を反
射により集光又は発散させることができる。即ち、境界
面に曲率を与えることにより、導波路型反射集光器が形
成される。
【0003】このような技術を利用した光ピックアップ
ないしは導波路型光信号検出器として、例えば、特開平
3−192542号公報や特開平4−17133号公報
に示されるものがある。
ないしは導波路型光信号検出器として、例えば、特開平
3−192542号公報や特開平4−17133号公報
に示されるものがある。
【0004】ここに、特開平4−17133号公報に記
載されたスラブ型光集積ピックアップに準じて構成され
た導波路型光信号検出デバイスを図7により説明する。
まず、シリコン基板上にバッファ層、コア層及びクラッ
ド層を順次積層させてなるスラブ型光導波路1が設けら
れ、このスラブ型光導波路1の面内一端側には断面三角
形状のプリズムカプラ2が接着されている。このプリズ
ムカプラ2は外部光、例えば、光ディスクからの反射光
をスラブ型光導波路1の導波層中に結合導波させるもの
で、このプリズムカプラ2による導波光の光軸に対して
各々左右半分ずつの導波光を取り込んで反射集光させる
第1,2の導波路型反射集光器3,4が左右対称に形成
されている。ここに、これらの第1,2の導波路型反射
集光器3,4は、集光用の曲率を持たせた反射境界面3
a,4aと、この反射境界面3a,4aからの集光反射
光を反射させる平面状の境界面3b,4bとの組み合せ
により形成されている。さらに、これらの第1,2の導
波路型反射集光器3,4による集光反射光の焦点位置に
はこの集光反射光の光軸に対して左右対称な2つの光検
出器5a,5b,6a,6bを各々有する2分割導波路
型光検出器5,6が形成されている(具体的には、シリ
コン基板上に形成される)。
載されたスラブ型光集積ピックアップに準じて構成され
た導波路型光信号検出デバイスを図7により説明する。
まず、シリコン基板上にバッファ層、コア層及びクラッ
ド層を順次積層させてなるスラブ型光導波路1が設けら
れ、このスラブ型光導波路1の面内一端側には断面三角
形状のプリズムカプラ2が接着されている。このプリズ
ムカプラ2は外部光、例えば、光ディスクからの反射光
をスラブ型光導波路1の導波層中に結合導波させるもの
で、このプリズムカプラ2による導波光の光軸に対して
各々左右半分ずつの導波光を取り込んで反射集光させる
第1,2の導波路型反射集光器3,4が左右対称に形成
されている。ここに、これらの第1,2の導波路型反射
集光器3,4は、集光用の曲率を持たせた反射境界面3
a,4aと、この反射境界面3a,4aからの集光反射
光を反射させる平面状の境界面3b,4bとの組み合せ
により形成されている。さらに、これらの第1,2の導
波路型反射集光器3,4による集光反射光の焦点位置に
はこの集光反射光の光軸に対して左右対称な2つの光検
出器5a,5b,6a,6bを各々有する2分割導波路
型光検出器5,6が形成されている(具体的には、シリ
コン基板上に形成される)。
【0005】このような構成において、例えば、プリズ
ムカプラ2が対物レンズと対向する位置となるようにス
ラブ型光導波路1が配設され、光ディスクからの反射光
が対物レンズ及びプリズムカプラ2を介してスラブ型光
導波路1内に結合導波される。今、光ディスク面上のス
ポットが合焦状態にあるとすると、プリズムカプラ2を
介してスラブ型光導波路1に結合導波される光は平行光
となる。この場合、この導波光は光軸対称に配置された
第1,2の導波路型反射集光器3,4により等分ずつ集
光反射され、第1の導波路型反射集光器3による集光反
射光は光検出器5a,5bの中央に集光され、第2の導
波路型反射集光器4による集光反射光は光検出器6a,
6bの中央に集光される。従って、光検出器5a,5
b,6a,6bの各々の出力をSa,Sb,Sc,Sd
としたとき、合焦時には光検出器5a,5bへの入射光
量は同一であり、両者の差信号Sa−Sbはゼロとな
る。光検出器6a,6b側でも各々の入射光量は同一で
あり、両者の差信号Sc−Sdはゼロとなる。
ムカプラ2が対物レンズと対向する位置となるようにス
ラブ型光導波路1が配設され、光ディスクからの反射光
が対物レンズ及びプリズムカプラ2を介してスラブ型光
導波路1内に結合導波される。今、光ディスク面上のス
ポットが合焦状態にあるとすると、プリズムカプラ2を
介してスラブ型光導波路1に結合導波される光は平行光
となる。この場合、この導波光は光軸対称に配置された
第1,2の導波路型反射集光器3,4により等分ずつ集
光反射され、第1の導波路型反射集光器3による集光反
射光は光検出器5a,5bの中央に集光され、第2の導
波路型反射集光器4による集光反射光は光検出器6a,
6bの中央に集光される。従って、光検出器5a,5
b,6a,6bの各々の出力をSa,Sb,Sc,Sd
としたとき、合焦時には光検出器5a,5bへの入射光
量は同一であり、両者の差信号Sa−Sbはゼロとな
る。光検出器6a,6b側でも各々の入射光量は同一で
あり、両者の差信号Sc−Sdはゼロとなる。
【0006】しかし、デフォーカス状態が生ずると、第
1,2の導波路型反射集光器3,4による集光反射光の
集光スポットの位置が2分割導波路型光検出器5,6の
各々の中心から移動する。例えば、光ディスク位置が近
い場合には、光軸より外側の受光成分が大きくなるた
め、Sa>SbかつSc<Sdとなり、逆に、光ディス
ク位置が遠い場合には、光軸より内側の受光成分が大き
くなるため、Sa<SbかつSc>Sdとなる。よっ
て、(Sa+Sd)−(Sb+Sc)の正負を検出する
ことによりフォーカスエラーが分かる。即ち、フォーカ
スエラー信号ΔFの検出に4つの光検出器5a,5b,
6a,6bを用い、ΔF=(Sa+Sd)−(Sb+S
c)として求めることにより、高感度化を図っている。
1,2の導波路型反射集光器3,4による集光反射光の
集光スポットの位置が2分割導波路型光検出器5,6の
各々の中心から移動する。例えば、光ディスク位置が近
い場合には、光軸より外側の受光成分が大きくなるた
め、Sa>SbかつSc<Sdとなり、逆に、光ディス
ク位置が遠い場合には、光軸より内側の受光成分が大き
くなるため、Sa<SbかつSc>Sdとなる。よっ
て、(Sa+Sd)−(Sb+Sc)の正負を検出する
ことによりフォーカスエラーが分かる。即ち、フォーカ
スエラー信号ΔFの検出に4つの光検出器5a,5b,
6a,6bを用い、ΔF=(Sa+Sd)−(Sb+S
c)として求めることにより、高感度化を図っている。
【0007】また、トラッキングエラー信号ΔTは、Δ
T=(Sa+Sb)−(Sc+Sd)として求められ
る。また、ピット信号(再生信号RF)は、例えば、R
F=Sa+Sb+Sc+Sdとして求められる。
T=(Sa+Sb)−(Sc+Sd)として求められ
る。また、ピット信号(再生信号RF)は、例えば、R
F=Sa+Sb+Sc+Sdとして求められる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図7に示し
た構成のデバイスの場合、プリズムカプラ2を介してス
ラブ型光導波路1に結合導波される光が平行光であって
も、第1の導波路型反射集光器3による集光反射光が光
検出器5a,5bの中央に、第2の導波路型反射集光器
4による集光反射光が光検出器6a,6bの中央に、同
時に集光しないと、フォーカスエラー信号ΔFがゼロで
なくなるため、正しく検出できない。よって、このデバ
イス作製時の誤差によって第1,2の導波路型反射集光
器3,4の焦点位置にずれが生じた場合には、オフセッ
ト調整することができない。即ち、焦点位置ずれを補正
するためにこのデバイスへの入射角度を調整して片側の
導波路型反射集光器3(又は、4)についてはオフセッ
トを完全に取り除くことができたとしても、他方の導波
路型反射集光器4(又は、3)についてはオフセットが
残ってしまう。この結果、上記のようにフォーカスエラ
ー信号ΔFの検出を正常に行えなくなる。
た構成のデバイスの場合、プリズムカプラ2を介してス
ラブ型光導波路1に結合導波される光が平行光であって
も、第1の導波路型反射集光器3による集光反射光が光
検出器5a,5bの中央に、第2の導波路型反射集光器
4による集光反射光が光検出器6a,6bの中央に、同
時に集光しないと、フォーカスエラー信号ΔFがゼロで
なくなるため、正しく検出できない。よって、このデバ
イス作製時の誤差によって第1,2の導波路型反射集光
器3,4の焦点位置にずれが生じた場合には、オフセッ
ト調整することができない。即ち、焦点位置ずれを補正
するためにこのデバイスへの入射角度を調整して片側の
導波路型反射集光器3(又は、4)についてはオフセッ
トを完全に取り除くことができたとしても、他方の導波
路型反射集光器4(又は、3)についてはオフセットが
残ってしまう。この結果、上記のようにフォーカスエラ
ー信号ΔFの検出を正常に行えなくなる。
【0009】また、2分割導波路型光検出器を用いるこ
とによる不都合もある。例えば、2分割導波路型光検出
器6に着目した場合、図8に示すように、2つの光検出
器6a,6b間の接合部6cは、不感帯なため、第2の
導波路型反射集光器4による集光反射光がこの部分(接
合部6c)へ入射すると検出レベルが低下してしまう。
2分割導波路型光検出器5側でも同様である。
とによる不都合もある。例えば、2分割導波路型光検出
器6に着目した場合、図8に示すように、2つの光検出
器6a,6b間の接合部6cは、不感帯なため、第2の
導波路型反射集光器4による集光反射光がこの部分(接
合部6c)へ入射すると検出レベルが低下してしまう。
2分割導波路型光検出器5側でも同様である。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
スラブ型光導波路と、このスラブ型光導波路面内に形成
されて外部光をスラブ型光導波路に結合導波させる導波
路光結合器と、この導波路光結合器により結合される導
波光の光軸に対して各々片側略半分ずつの導波光を取り
込む位置に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成
され、その導波光を反射集光させる第1の導波路型反射
集光器及び第2の導波路型反射集光器と、前記第1の導
波路型反射集光器による集光反射光の光路上に位置させ
て前記スラブ型光導波路面内に形成され、その集光反射
光の光束幅より広い入射開口を有する導波路型光検出器
と、前記第2の導波路型反射集光器による集光反射光の
光路上に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成さ
れ、その集光反射光の焦点面を入射端としてその焦点に
対して左右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路
型光検出器とを備えた導波路型光信号検出器である。
スラブ型光導波路と、このスラブ型光導波路面内に形成
されて外部光をスラブ型光導波路に結合導波させる導波
路光結合器と、この導波路光結合器により結合される導
波光の光軸に対して各々片側略半分ずつの導波光を取り
込む位置に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成
され、その導波光を反射集光させる第1の導波路型反射
集光器及び第2の導波路型反射集光器と、前記第1の導
波路型反射集光器による集光反射光の光路上に位置させ
て前記スラブ型光導波路面内に形成され、その集光反射
光の光束幅より広い入射開口を有する導波路型光検出器
と、前記第2の導波路型反射集光器による集光反射光の
光路上に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成さ
れ、その集光反射光の焦点面を入射端としてその焦点に
対して左右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路
型光検出器とを備えた導波路型光信号検出器である。
【0011】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明と同じく、スラブ型光導波路と導波路光結合器と第1
の導波路型反射集光器及び第2の導波路型反射集光器と
導波路型光検出器とを備える他、前記第2の導波路型反
射集光器による集光反射光の光路上に位置させて前記ス
ラブ型光導波路面内に形成され、その集光反射光の焦点
位置を頂端とする略三角形状の反射型光分岐素子と、前
記第2の導波路型反射集光器による集光反射光の光路上
でこの反射型光分岐素子の後方に位置させて前記スラブ
型光導波路面内に形成され、その集光反射光の光軸に対
して左右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路型
光検出器とを備えた導波路型光検出器である。
明と同じく、スラブ型光導波路と導波路光結合器と第1
の導波路型反射集光器及び第2の導波路型反射集光器と
導波路型光検出器とを備える他、前記第2の導波路型反
射集光器による集光反射光の光路上に位置させて前記ス
ラブ型光導波路面内に形成され、その集光反射光の焦点
位置を頂端とする略三角形状の反射型光分岐素子と、前
記第2の導波路型反射集光器による集光反射光の光路上
でこの反射型光分岐素子の後方に位置させて前記スラブ
型光導波路面内に形成され、その集光反射光の光軸に対
して左右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路型
光検出器とを備えた導波路型光検出器である。
【0012】請求項3記載の発明は、請求項1又は2記
載の発明において、導波路型光検出器の受光部と2分割
導波路型光検出器を形成する2つの光検出器の各々の受
光部との受光面積比が略1:1:1となるようにこれら
の導波路型光検出器及び2分割導波路型光検出器を形成
した導波路型光検出器である。
載の発明において、導波路型光検出器の受光部と2分割
導波路型光検出器を形成する2つの光検出器の各々の受
光部との受光面積比が略1:1:1となるようにこれら
の導波路型光検出器及び2分割導波路型光検出器を形成
した導波路型光検出器である。
【0013】
【作用】請求項1記載の発明においては、導波路光結合
器によってスラブ型光導波路に結合導波された外部光は
スラブ型光導波路内部を伝搬し、光軸に対して一方の片
側略半分の光は第1の導波路型反射集光器により集光反
射される。この第1の導波路型反射集光器による集光反
射光の全光量はその光路上に配置された導波路型光検出
器に導かれる。この場合、導波路型光検出器の入射開口
は集光反射光の光束幅よりも広いので、導波路型光検出
器なるデバイスの作製誤差によって、導波光の伝搬光路
が初期の設計位置からずれるようなことがあっても、第
1の導波路型反射集光器による集光反射光の全光量を常
に受光し得ることになる。
器によってスラブ型光導波路に結合導波された外部光は
スラブ型光導波路内部を伝搬し、光軸に対して一方の片
側略半分の光は第1の導波路型反射集光器により集光反
射される。この第1の導波路型反射集光器による集光反
射光の全光量はその光路上に配置された導波路型光検出
器に導かれる。この場合、導波路型光検出器の入射開口
は集光反射光の光束幅よりも広いので、導波路型光検出
器なるデバイスの作製誤差によって、導波光の伝搬光路
が初期の設計位置からずれるようなことがあっても、第
1の導波路型反射集光器による集光反射光の全光量を常
に受光し得ることになる。
【0014】一方、導波路光結合器によってスラブ型光
導波路に結合導波された外部光はスラブ型光導波路内部
を伝搬し、光軸に対して他方の片側略半分の光は第2の
導波路型反射集光器により集光反射される。この第2の
導波路型反射集光器による集光反射光の全光量はその光
路上に配置されて焦点面を入射開口とする2分割導波路
型光検出器に導かれる。
導波路に結合導波された外部光はスラブ型光導波路内部
を伝搬し、光軸に対して他方の片側略半分の光は第2の
導波路型反射集光器により集光反射される。この第2の
導波路型反射集光器による集光反射光の全光量はその光
路上に配置されて焦点面を入射開口とする2分割導波路
型光検出器に導かれる。
【0015】ここに、導波光が平行光の場合、上記のよ
うに導波路型光検出器及び2分割導波路型光検出器によ
り受光される。この時、2分割導波路型光検出器を形成
する2つの光検出器は焦点に対して左右対称であるの
で、これらの2つの光検出器の受光量は同じとなる。し
かし、導波光が収束光となった場合には、上記のように
導波路型光検出器及び2分割導波路型光検出器により受
光されるが、2分割導波路型光検出器の2つの光検出器
においては受光量に差が生じ、また、導波光が発散光と
なった場合にも、上記のように導波路型光検出器及び2
分割導波路型光検出器により受光されるが、2分割導波
路型光検出器の2つの光検出器においては受光量に逆の
差が生ずる。従って、2分割導波路型光検出器の2つの
光検出器の受光量の大小関係を検出することにより、導
波路型光検出器なるデバイスへ入射される外部光の平行
度を検知することができる。つまり、光ピックアップへ
適用した場合であれば、片側に配置された2分割導波路
型光検出器の2つの光検出器の受光量の大小関係を検出
することにより、フォーカスエラー信号を検知すること
ができる。この場合、第2の導波路型反射集光器のNA
(開口数)と焦点距離とを、フォーカスエラー信号の検
知に適した感度となる値に設定することは容易である。
また、導波路型光検出器と2分割導波路型光検出器との
受光量の大小関係を検出することにより、トラッキング
エラー信号も検知することができる。
うに導波路型光検出器及び2分割導波路型光検出器によ
り受光される。この時、2分割導波路型光検出器を形成
する2つの光検出器は焦点に対して左右対称であるの
で、これらの2つの光検出器の受光量は同じとなる。し
かし、導波光が収束光となった場合には、上記のように
導波路型光検出器及び2分割導波路型光検出器により受
光されるが、2分割導波路型光検出器の2つの光検出器
においては受光量に差が生じ、また、導波光が発散光と
なった場合にも、上記のように導波路型光検出器及び2
分割導波路型光検出器により受光されるが、2分割導波
路型光検出器の2つの光検出器においては受光量に逆の
差が生ずる。従って、2分割導波路型光検出器の2つの
光検出器の受光量の大小関係を検出することにより、導
波路型光検出器なるデバイスへ入射される外部光の平行
度を検知することができる。つまり、光ピックアップへ
適用した場合であれば、片側に配置された2分割導波路
型光検出器の2つの光検出器の受光量の大小関係を検出
することにより、フォーカスエラー信号を検知すること
ができる。この場合、第2の導波路型反射集光器のNA
(開口数)と焦点距離とを、フォーカスエラー信号の検
知に適した感度となる値に設定することは容易である。
また、導波路型光検出器と2分割導波路型光検出器との
受光量の大小関係を検出することにより、トラッキング
エラー信号も検知することができる。
【0016】ところで、導波路型光検出器なるデバイス
の作製時に必然的に発生し得る作製誤差によって、第
1,2の導波路型反射集光器の焦点位置が設計位置から
外れた場合には、このデバイスの位置を面内方向に回転
調整し、2分割導波路型光検出器の中央に焦点位置が合
うようにすればよい。この場合、他方の導波路型光検出
器は平行度の検知、例えば、フォーカスエラー信号の検
知に使用していないので、この導波路型光検出器への集
光反射光の入射位置が多少ずれても平行度の検知には影
響しない。同時に、この導波路型光検出器の入射開口が
広めであるので、この導波路型光検出器への集光反射光
の入射位置が多少ずれてもその全光量を受光でき、トラ
ッキングエラー信号の検知には影響がない。
の作製時に必然的に発生し得る作製誤差によって、第
1,2の導波路型反射集光器の焦点位置が設計位置から
外れた場合には、このデバイスの位置を面内方向に回転
調整し、2分割導波路型光検出器の中央に焦点位置が合
うようにすればよい。この場合、他方の導波路型光検出
器は平行度の検知、例えば、フォーカスエラー信号の検
知に使用していないので、この導波路型光検出器への集
光反射光の入射位置が多少ずれても平行度の検知には影
響しない。同時に、この導波路型光検出器の入射開口が
広めであるので、この導波路型光検出器への集光反射光
の入射位置が多少ずれてもその全光量を受光でき、トラ
ッキングエラー信号の検知には影響がない。
【0017】請求項2記載の発明のにおいても、基本的
には、請求項1記載の発明と同様に作用する。ここに、
2分割導波路型光検出器の前方、即ち、集光反射光の入
射側には、第2の導波路型反射集光器による集光反射光
の焦点位置に頂端を位置させた略三角形状の反射型光分
岐素子が配置されているので、第2の導波路型反射集光
器による集光反射光はこの反射型光分岐素子の頂端に導
かれ、この頂端にて2つに分岐される。分岐された導波
光は、反射型光分岐素子の反射面によって反射され、2
分割導波路型光検出器の各々の光検出器に導かれる。つ
まり、導波光が2分割導波路型光検出器の2つの光検出
器間の接合部なる不感帯に導かれることがない。また、
反射型光分岐素子の頂端の頂角を所望の値に設定するこ
とにより、反射型光分岐素子の反射面への分岐光の入
射、反射角度を調整して、この反射面により反射された
分岐光を効率よく各々の光検出器に導かせることができ
る。このようにして、2分割導波路型光検出器を用いた
場合の接合部なる不感帯による導波光の検出漏れが改善
される。
には、請求項1記載の発明と同様に作用する。ここに、
2分割導波路型光検出器の前方、即ち、集光反射光の入
射側には、第2の導波路型反射集光器による集光反射光
の焦点位置に頂端を位置させた略三角形状の反射型光分
岐素子が配置されているので、第2の導波路型反射集光
器による集光反射光はこの反射型光分岐素子の頂端に導
かれ、この頂端にて2つに分岐される。分岐された導波
光は、反射型光分岐素子の反射面によって反射され、2
分割導波路型光検出器の各々の光検出器に導かれる。つ
まり、導波光が2分割導波路型光検出器の2つの光検出
器間の接合部なる不感帯に導かれることがない。また、
反射型光分岐素子の頂端の頂角を所望の値に設定するこ
とにより、反射型光分岐素子の反射面への分岐光の入
射、反射角度を調整して、この反射面により反射された
分岐光を効率よく各々の光検出器に導かせることができ
る。このようにして、2分割導波路型光検出器を用いた
場合の接合部なる不感帯による導波光の検出漏れが改善
される。
【0018】請求項3記載の発明においては、導波路型
光検出器と2分割導波路型光検出器を形成する2つの光
検出器とに関する3つの受光部の受光面積がほぼ等しい
ので、これらの検出器の応答速度特性もほぼ一致するも
のとなり、これらの3つの光検出器から得られる信号間
に応答の遅れのないものとなり、応答特性が揃うことに
なり、これらの3つの信号を用いる信号検出の分解能が
向上する。また、光ピックアップなどに適用してフォー
カスエラー信号やトラッキングエラー信号に基づきサー
ボ制御するような場合には、タイミングエラーが少なく
なり、そのサーボ制御を安定させることもできる。特
に、請求項2記載の発明に適用した場合においては、検
出応答性と不感帯との問題を同時に解消し得る。
光検出器と2分割導波路型光検出器を形成する2つの光
検出器とに関する3つの受光部の受光面積がほぼ等しい
ので、これらの検出器の応答速度特性もほぼ一致するも
のとなり、これらの3つの光検出器から得られる信号間
に応答の遅れのないものとなり、応答特性が揃うことに
なり、これらの3つの信号を用いる信号検出の分解能が
向上する。また、光ピックアップなどに適用してフォー
カスエラー信号やトラッキングエラー信号に基づきサー
ボ制御するような場合には、タイミングエラーが少なく
なり、そのサーボ制御を安定させることもできる。特
に、請求項2記載の発明に適用した場合においては、検
出応答性と不感帯との問題を同時に解消し得る。
【0019】
【実施例】本発明の第一の実施例を図1ないし図4に基
づいて説明する。本実施例の導波路型光信号検出器11
は、光ピックアップ用検出デバイスとして適用したもの
で、矩形板状のスラブ型光導波路12をベースとして構
成されている。このスラブ型光導波路12は、図2に示
すように、シリコン基板13上に、シリコン熱酸化膜の
バッファ層14、シリコンオキシナイトライド(=Si
ON)膜によるコア層15、同じくSiON膜によるク
ラッド層16を順次積層することにより形成されてい
る。このようなスラブ型光導波路12の表面なるクラッ
ド層16上の一端側には、導波路光結合器となる断面三
角形状のプリズムカプラ17が接着層18aによって接
着されている。なお、このプリズムカプラ17が接着さ
れていない前記クラッド層16の表面には、SiON膜
によるギャップ層18bが形成されている。
づいて説明する。本実施例の導波路型光信号検出器11
は、光ピックアップ用検出デバイスとして適用したもの
で、矩形板状のスラブ型光導波路12をベースとして構
成されている。このスラブ型光導波路12は、図2に示
すように、シリコン基板13上に、シリコン熱酸化膜の
バッファ層14、シリコンオキシナイトライド(=Si
ON)膜によるコア層15、同じくSiON膜によるク
ラッド層16を順次積層することにより形成されてい
る。このようなスラブ型光導波路12の表面なるクラッ
ド層16上の一端側には、導波路光結合器となる断面三
角形状のプリズムカプラ17が接着層18aによって接
着されている。なお、このプリズムカプラ17が接着さ
れていない前記クラッド層16の表面には、SiON膜
によるギャップ層18bが形成されている。
【0020】次に、このスラブ型光導波路12における
平面的構造について図1により説明する。前記プリズム
カプラ17は光ディスク(図示せず)側からの反射光を
外部光としてスラブ型光導波路12内の前記コア層15
中に結合導波させるもので、その導波光の光軸をZZ′
としたとき、この光軸ZZ′に対して光軸ZZ′を含む
左右半分ずつの導波光を取り込む第1,2の導波路型反
射集光器19,20が設けられている。導波方向に見て
左側半分の導波光を取り込む第1の導波路型反射集光器
19は、放物線形状により集光用曲率を持たせた反射境
界面19aと、この反射境界面19aからの集光反射光
を反射させる平面状の反射境界面19bとの組み合わせ
により形成されている。導波方向に見て右側半分の導波
光を取り込む第2の導波路型反射集光器20も、同様
に、放物線形状により集光用曲率を持たせた反射境界面
20aと、この反射境界面20aからの集光反射光を反
射させる平面状の反射境界面20bとの組み合わせによ
り形成されている。もっとも、反射境界面19a,20
a同士の曲率形状は同じであってもよいが、異なってい
てもよい。何れにしても、これらの反射境界面19a,
19b,20a,20bは、スラブ型光導波路12の平
面に対して垂直なる反射面であって、その反射面を挾む
コア層15とクラッド層16(又は、空気層)との屈折
率差によって、コア層15を伝搬する導波光を全反射さ
せるものである。
平面的構造について図1により説明する。前記プリズム
カプラ17は光ディスク(図示せず)側からの反射光を
外部光としてスラブ型光導波路12内の前記コア層15
中に結合導波させるもので、その導波光の光軸をZZ′
としたとき、この光軸ZZ′に対して光軸ZZ′を含む
左右半分ずつの導波光を取り込む第1,2の導波路型反
射集光器19,20が設けられている。導波方向に見て
左側半分の導波光を取り込む第1の導波路型反射集光器
19は、放物線形状により集光用曲率を持たせた反射境
界面19aと、この反射境界面19aからの集光反射光
を反射させる平面状の反射境界面19bとの組み合わせ
により形成されている。導波方向に見て右側半分の導波
光を取り込む第2の導波路型反射集光器20も、同様
に、放物線形状により集光用曲率を持たせた反射境界面
20aと、この反射境界面20aからの集光反射光を反
射させる平面状の反射境界面20bとの組み合わせによ
り形成されている。もっとも、反射境界面19a,20
a同士の曲率形状は同じであってもよいが、異なってい
てもよい。何れにしても、これらの反射境界面19a,
19b,20a,20bは、スラブ型光導波路12の平
面に対して垂直なる反射面であって、その反射面を挾む
コア層15とクラッド層16(又は、空気層)との屈折
率差によって、コア層15を伝搬する導波光を全反射さ
せるものである。
【0021】さらに、スラブ型光導波路12の面内にお
いて、前記第1の導波路型反射集光器19による集光反
射光の集光位置付近には、導波路型光検出器21が設け
られている。この導波路型光検出器21は2分割型では
ない単一のもので、第1の導波路型反射集光器19の集
光反射光の焦点位置をPF1としたとき、この焦点位置P
F1を含む焦点面22に受光面の入射端23が一致するよ
うにしてこの導波路型光検出器21が配置されている。
ここに、導波路型光検出器21の入射開口を考えた場
合、第1の導波路型反射集光器19による集光反射光の
光束幅よりも広くなるように配置されている。
いて、前記第1の導波路型反射集光器19による集光反
射光の集光位置付近には、導波路型光検出器21が設け
られている。この導波路型光検出器21は2分割型では
ない単一のもので、第1の導波路型反射集光器19の集
光反射光の焦点位置をPF1としたとき、この焦点位置P
F1を含む焦点面22に受光面の入射端23が一致するよ
うにしてこの導波路型光検出器21が配置されている。
ここに、導波路型光検出器21の入射開口を考えた場
合、第1の導波路型反射集光器19による集光反射光の
光束幅よりも広くなるように配置されている。
【0022】一方、スラブ型光導波路12の面内におい
て、前記第2の導波路型反射集光器20による集光反射
光の集光位置付近には、2分割導波路型光検出器24が
設けられている。この2分割導波路型光検出器24は左
右2つの光検出器24a,24bからなり、第2の導波
路型反射集光器20の集光反射光の焦点位置をPF2とし
たとき、この焦点位置PF2を含む焦点面25に受光面の
入射端26が一致するようにしてこの2分割導波路型光
検出器24が配置されている。より詳細には、第2の導
波路型反射集光器20の集光反射光の焦点スポットが2
つの光検出器24a,24b間の接合面上に形成される
ように配置されている。これにより、第2の導波路型反
射集光器20による集光反射光は、光検出器24a,2
4b間の接合面上にエネルギーのピークを持つスポット
を、入射端26上に形成するので、光検出器24a,2
4bの受光光量比が1:1となるように設定されてい
る。
て、前記第2の導波路型反射集光器20による集光反射
光の集光位置付近には、2分割導波路型光検出器24が
設けられている。この2分割導波路型光検出器24は左
右2つの光検出器24a,24bからなり、第2の導波
路型反射集光器20の集光反射光の焦点位置をPF2とし
たとき、この焦点位置PF2を含む焦点面25に受光面の
入射端26が一致するようにしてこの2分割導波路型光
検出器24が配置されている。より詳細には、第2の導
波路型反射集光器20の集光反射光の焦点スポットが2
つの光検出器24a,24b間の接合面上に形成される
ように配置されている。これにより、第2の導波路型反
射集光器20による集光反射光は、光検出器24a,2
4b間の接合面上にエネルギーのピークを持つスポット
を、入射端26上に形成するので、光検出器24a,2
4bの受光光量比が1:1となるように設定されてい
る。
【0023】ここに、導波路型光検出器21の受光部の
受光面積をA、光検出器24a,24bの各々の受光部
の受光面積をB,Cとしたとき、これらの面積比は、
A:B:C=1:1:1となるように設定されている。
また、これらの導波路型光検出器21及び2分割導波路
型光検出器24は、半導体技術を用いて、シリコン基板
13上にパターン形成される。
受光面積をA、光検出器24a,24bの各々の受光部
の受光面積をB,Cとしたとき、これらの面積比は、
A:B:C=1:1:1となるように設定されている。
また、これらの導波路型光検出器21及び2分割導波路
型光検出器24は、半導体技術を用いて、シリコン基板
13上にパターン形成される。
【0024】また、これらの光検出器21,24a,2
4bから得られる検知信号をSa,Sb,Scとしたと
き、これらの検知信号Sa,Sb,Scを各々増幅する
初段アンプ27,28,29が各々の光検出器21,2
4a,24bに接続されている。
4bから得られる検知信号をSa,Sb,Scとしたと
き、これらの検知信号Sa,Sb,Scを各々増幅する
初段アンプ27,28,29が各々の光検出器21,2
4a,24bに接続されている。
【0025】このような構成において、プリズムカプラ
17が対物レンズと対向する位置となるように導波路型
光検出器11が配設され、光ディスクからの反射光が対
物レンズ及びプリズムカプラ17を介してスラブ型光導
波路12のコア層15中に光軸ZZ′方向に沿って結合
導波される。
17が対物レンズと対向する位置となるように導波路型
光検出器11が配設され、光ディスクからの反射光が対
物レンズ及びプリズムカプラ17を介してスラブ型光導
波路12のコア層15中に光軸ZZ′方向に沿って結合
導波される。
【0026】このように結合される導波光を用いたフォ
ーカスエラー信号の検知原理について説明する。今、光
ディスクからの反射光が平行光である場合、即ち、合焦
時には、導波光は第1,2の導波路型反射集光器19,
20により光軸対称に等分ずつ集光反射され、第1の導
波路型反射集光器19による集光反射光は導波路型光検
出器21により受光され、第2の導波路型反射集光器2
0による集光反射光は2分割導波路型光検出器24の光
検出器24a,24b間中央に集光されてこれらの光検
出器24a,24bに等分ずつ受光される。よって、光
検出器24a,24bの検知信号Sb,ScはSb=S
cとなる。
ーカスエラー信号の検知原理について説明する。今、光
ディスクからの反射光が平行光である場合、即ち、合焦
時には、導波光は第1,2の導波路型反射集光器19,
20により光軸対称に等分ずつ集光反射され、第1の導
波路型反射集光器19による集光反射光は導波路型光検
出器21により受光され、第2の導波路型反射集光器2
0による集光反射光は2分割導波路型光検出器24の光
検出器24a,24b間中央に集光されてこれらの光検
出器24a,24bに等分ずつ受光される。よって、光
検出器24a,24bの検知信号Sb,ScはSb=S
cとなる。
【0027】一方、デフォーカス状態を生じ、光ディス
クの位置が対物レンズの合焦位置に対して近い場合に
は、導波路型光検出器11に対する入射光束は発散光束
となる。この場合、第2の導波路型反射集光器20によ
る集光反射光なる導波光の焦点位置が2分割導波路型光
検出器24の入射端26よりも後方(図1中、右側)に
移動するため、光軸よりも内側に位置する光検出器24
aの受光量より光軸よりも外側に位置する光検出器24
bの受光量の方が多くなるように、これらの光検出器2
4a,24bの受光量が増減する。即ち、Sb<Scと
なる。
クの位置が対物レンズの合焦位置に対して近い場合に
は、導波路型光検出器11に対する入射光束は発散光束
となる。この場合、第2の導波路型反射集光器20によ
る集光反射光なる導波光の焦点位置が2分割導波路型光
検出器24の入射端26よりも後方(図1中、右側)に
移動するため、光軸よりも内側に位置する光検出器24
aの受光量より光軸よりも外側に位置する光検出器24
bの受光量の方が多くなるように、これらの光検出器2
4a,24bの受光量が増減する。即ち、Sb<Scと
なる。
【0028】逆に、光ディスクの位置が対物レンズの合
焦位置に対して遠い場合には、導波路型光検出器11に
対する入射光束は収束光束となる。この場合、第2の導
波路型反射集光器20による集光反射光なる導波光の焦
点位置が2分割導波路型光検出器24の入射端26より
も前方(図1中、左側)に移動するため、光軸よりも内
側に位置する光検出器24aの受光量の方が光軸よりも
外側に位置する光検出器24bの受光量よりも多くなる
ように、これらの光検出器24a,24bの受光量が増
減する。即ち、Sb>Scとなる。
焦位置に対して遠い場合には、導波路型光検出器11に
対する入射光束は収束光束となる。この場合、第2の導
波路型反射集光器20による集光反射光なる導波光の焦
点位置が2分割導波路型光検出器24の入射端26より
も前方(図1中、左側)に移動するため、光軸よりも内
側に位置する光検出器24aの受光量の方が光軸よりも
外側に位置する光検出器24bの受光量よりも多くなる
ように、これらの光検出器24a,24bの受光量が増
減する。即ち、Sb>Scとなる。
【0029】よって、フォーカスエラー信号をΔFとし
たとき、ΔF=Sb−Scの極性及び値を検知すること
により、フォーカスエラー信号ΔFの程度を知ることが
でき、このΔFの値がゼロとなるように対物レンズの位
置を補正するフォーカスサーボ制御を行わせることがで
きる。つまり、フォーカスエラー信号ΔFは、片側の2
分割導波路型光検出器24における光検出器24a,2
4b間の受光量差によってのみ検知される。ここに、第
2の導波路型反射集光器20の開口数Naと焦点距離と
を、フォーカスエラー検知に適した感度となる値に設定
することは容易である。
たとき、ΔF=Sb−Scの極性及び値を検知すること
により、フォーカスエラー信号ΔFの程度を知ることが
でき、このΔFの値がゼロとなるように対物レンズの位
置を補正するフォーカスサーボ制御を行わせることがで
きる。つまり、フォーカスエラー信号ΔFは、片側の2
分割導波路型光検出器24における光検出器24a,2
4b間の受光量差によってのみ検知される。ここに、第
2の導波路型反射集光器20の開口数Naと焦点距離と
を、フォーカスエラー検知に適した感度となる値に設定
することは容易である。
【0030】次に、トラッキングエラー信号の検知原理
について説明する。まず、トラッキングエラー信号ΔT
の検知を考慮した場合、この導波路型光検出器11の光
軸ZZ′と光ディスク30におけるトラック31との配
置関係は、図3に示すように設定される。即ち、光ディ
スク30面におけるラジアル方向が導波路型光検出器1
1の平面においてスラブ型光導波路12への入射光の光
軸ZZ′の方向に対して直交するように配設される。
について説明する。まず、トラッキングエラー信号ΔT
の検知を考慮した場合、この導波路型光検出器11の光
軸ZZ′と光ディスク30におけるトラック31との配
置関係は、図3に示すように設定される。即ち、光ディ
スク30面におけるラジアル方向が導波路型光検出器1
1の平面においてスラブ型光導波路12への入射光の光
軸ZZ′の方向に対して直交するように配設される。
【0031】このような配設状態において、対物レンズ
のスポット位置がトラック31上にある場合、光軸Z
Z′対称に2分割されて導波される導波光の導波路型光
検出器21の受光量と、2分割導波路型光検出器24の
受光量とは等しくなる。即ち、Sa=Sb+Scとな
る。一方、対物レンズのスポット位置がトラック31上
から外れると、トラック溝の回折によるディスク反射光
の光量分布のラジアル成分が非対称になるため、スラブ
型光導波路12内でこの非対称性が第1,2の導波路型
反射集光器19,20への入射光量に反映される。よっ
て、導波路型光検出器21の受光量と、2分割導波路型
光検出器24の受光量とに差が生ずる。即ち、Sa>
(Sb+Sc)又はSa<(Sb+Sc)となる。
のスポット位置がトラック31上にある場合、光軸Z
Z′対称に2分割されて導波される導波光の導波路型光
検出器21の受光量と、2分割導波路型光検出器24の
受光量とは等しくなる。即ち、Sa=Sb+Scとな
る。一方、対物レンズのスポット位置がトラック31上
から外れると、トラック溝の回折によるディスク反射光
の光量分布のラジアル成分が非対称になるため、スラブ
型光導波路12内でこの非対称性が第1,2の導波路型
反射集光器19,20への入射光量に反映される。よっ
て、導波路型光検出器21の受光量と、2分割導波路型
光検出器24の受光量とに差が生ずる。即ち、Sa>
(Sb+Sc)又はSa<(Sb+Sc)となる。
【0032】よって、トラッキングエラー信号ΔTは、
ΔT=Sa−(Sb+Sc)の極性及び値により検知す
ることができ、このΔTの値がゼロとなるように対物レ
ンズの位置を補正するトラッキングサーボ制御を行わせ
ることができる。
ΔT=Sa−(Sb+Sc)の極性及び値により検知す
ることができ、このΔTの値がゼロとなるように対物レ
ンズの位置を補正するトラッキングサーボ制御を行わせ
ることができる。
【0033】また、光ディスクが、CD−RやCD−R
OMなどである場合、その光ディスクに記録されている
ピット信号(RF信号)は、これらの検知信号の総和、
即ち、RF=Sa+Sb+Scとして検知することがで
きる。
OMなどである場合、その光ディスクに記録されている
ピット信号(RF信号)は、これらの検知信号の総和、
即ち、RF=Sa+Sb+Scとして検知することがで
きる。
【0034】ところで、この種の導波路型光検出器11
を作製する場合、必然的に発生する作製誤差によって、
第1,2の導波路型反射集光器19,20の焦点位置が
設計位置から外れることがある。このような場合、例え
ば、図4(a)に示す配置関係で第2の導波路型反射集
光器20の焦点位置が2分割導波路型光検出器24の接
合部に合わないとしたら、図4(b)に示すように導波
路型光検出器11を面内で回転調整し、第2の導波路型
反射集光器20の焦点位置が2分割導波路型光検出器2
4の接合部に合うように調整すればよい。このとき、導
波路型光検出器21に対する導波光の入射位置は多少ず
れ得るが、導波路型光検出器21はフォーカスエラー信
号ΔFの検知には使用していないので、影響がない。こ
れにより、2分割導波路型光検出器24を用いたフォー
カスエラー信号ΔFの検知を正常に行える。また、トラ
ッキングエラー信号ΔTの検知に関しても、図4(b)
に示すような調整の結果、導波路型光検出器21への導
波光の入射位置が多少ずれてもこの導波路型光検出器2
1の入射開口が第1の導波路型反射集光器19による集
光反射光の光束幅より広いので、常に、第1の導波路型
反射集光器19による集光反射光の全光量を受光するこ
とになり、トラッキングエラー信号ΔTの検知が正常に
行える。この結果、RF信号の検知も正常に行えること
は明かである。
を作製する場合、必然的に発生する作製誤差によって、
第1,2の導波路型反射集光器19,20の焦点位置が
設計位置から外れることがある。このような場合、例え
ば、図4(a)に示す配置関係で第2の導波路型反射集
光器20の焦点位置が2分割導波路型光検出器24の接
合部に合わないとしたら、図4(b)に示すように導波
路型光検出器11を面内で回転調整し、第2の導波路型
反射集光器20の焦点位置が2分割導波路型光検出器2
4の接合部に合うように調整すればよい。このとき、導
波路型光検出器21に対する導波光の入射位置は多少ず
れ得るが、導波路型光検出器21はフォーカスエラー信
号ΔFの検知には使用していないので、影響がない。こ
れにより、2分割導波路型光検出器24を用いたフォー
カスエラー信号ΔFの検知を正常に行える。また、トラ
ッキングエラー信号ΔTの検知に関しても、図4(b)
に示すような調整の結果、導波路型光検出器21への導
波光の入射位置が多少ずれてもこの導波路型光検出器2
1の入射開口が第1の導波路型反射集光器19による集
光反射光の光束幅より広いので、常に、第1の導波路型
反射集光器19による集光反射光の全光量を受光するこ
とになり、トラッキングエラー信号ΔTの検知が正常に
行える。この結果、RF信号の検知も正常に行えること
は明かである。
【0035】また、本実施例では、光検出器21,24
a,24bの受光面積A,B,Cが同じ面積となるよう
に形成されている。これにより、これらの光検出器2
1,24a,24bの応答速度も一致することになる。
よって、これらの光検出器21,24a,24bから得
られる検知信号Sa,Sb,Scを用いてフォーカスエ
ラー信号ΔF、トラッキングエラー信号ΔT及びRF信
号を検出しようとする場合、各光検出器21,24a,
24bの応答特性が揃っていることが望ましく、上記受
光面積比の設定により例えばトラッキングエラー信号Δ
TやRF信号を検出する際にこれらの光検出器21,2
4a,24b間に応答の遅れがないので、信号検出の分
解能が向上することになる。また、フォーカスエラー信
号ΔFを検出する際にも、光検出器24a,24bの応
答特性が揃っているので、初段アンプ28,29の出力
の差信号をとる時にタイミングエラーが少なく、サーボ
制御が安定したものとなる。
a,24bの受光面積A,B,Cが同じ面積となるよう
に形成されている。これにより、これらの光検出器2
1,24a,24bの応答速度も一致することになる。
よって、これらの光検出器21,24a,24bから得
られる検知信号Sa,Sb,Scを用いてフォーカスエ
ラー信号ΔF、トラッキングエラー信号ΔT及びRF信
号を検出しようとする場合、各光検出器21,24a,
24bの応答特性が揃っていることが望ましく、上記受
光面積比の設定により例えばトラッキングエラー信号Δ
TやRF信号を検出する際にこれらの光検出器21,2
4a,24b間に応答の遅れがないので、信号検出の分
解能が向上することになる。また、フォーカスエラー信
号ΔFを検出する際にも、光検出器24a,24bの応
答特性が揃っているので、初段アンプ28,29の出力
の差信号をとる時にタイミングエラーが少なく、サーボ
制御が安定したものとなる。
【0036】ちなみに、導波路型光検出器21の受光面
積と2分割導波路型光検出器24の受光面積とを同じに
した場合、即ち、A:B:C=2:1:1にした場合に
は、導波路型光検出器21の応答が光検出器24a,2
4bからの応答に対して遅れてしまう不都合がある。
積と2分割導波路型光検出器24の受光面積とを同じに
した場合、即ち、A:B:C=2:1:1にした場合に
は、導波路型光検出器21の応答が光検出器24a,2
4bからの応答に対して遅れてしまう不都合がある。
【0037】つづいて、本発明の第二の実施例を図5及
び図6により説明する。前記実施例で示した部分と同一
部分は同一符号を用いて示し、その説明も省略する。本
実施例の導波路型光検出器31は、前述した導波路型光
検出器11の構成に加えて、2分割導波路型光検出器2
4の入射側に平面的に見て略三角形状の反射型光分岐素
子32が付加されて構成されている。ここに、この反射
型光分岐素子32も第1,2の導波路型反射集光器1
9,20と同様に平面に対して垂直な反射境界面32
a,32bを有し、その頂端が第2の導波路型反射集光
器20の焦点位置PF2に位置するようにして2分割導波
路型光検出器24の接合部なる不感帯前方に形成されて
いる。よって、この反射型光分岐素子32よりも後方に
位置する2分割導波路型光検出器24は、前記実施例の
場合よりも、反射型光分岐素子32の分だけ、焦点位置
PF2から離れた位置に配設されている。この他の構成
は、前記実施例と同様である。
び図6により説明する。前記実施例で示した部分と同一
部分は同一符号を用いて示し、その説明も省略する。本
実施例の導波路型光検出器31は、前述した導波路型光
検出器11の構成に加えて、2分割導波路型光検出器2
4の入射側に平面的に見て略三角形状の反射型光分岐素
子32が付加されて構成されている。ここに、この反射
型光分岐素子32も第1,2の導波路型反射集光器1
9,20と同様に平面に対して垂直な反射境界面32
a,32bを有し、その頂端が第2の導波路型反射集光
器20の焦点位置PF2に位置するようにして2分割導波
路型光検出器24の接合部なる不感帯前方に形成されて
いる。よって、この反射型光分岐素子32よりも後方に
位置する2分割導波路型光検出器24は、前記実施例の
場合よりも、反射型光分岐素子32の分だけ、焦点位置
PF2から離れた位置に配設されている。この他の構成
は、前記実施例と同様である。
【0038】このような構成において、2分割導波路型
光検出器24による検知動作について説明する。スラブ
型光導波路12中に導波されて第2の導波路型反射集光
器20により集光反射された導波光は、その焦点位置P
F2に位置する反射型光分岐素子32の頂端に導かれる。
頂端に導かれた導波光は、この頂端によって左右2つの
導波光に分岐され、各々反射境界面32a,32bによ
って反射されて対応する光検出器24a,24bに導か
れる。
光検出器24による検知動作について説明する。スラブ
型光導波路12中に導波されて第2の導波路型反射集光
器20により集光反射された導波光は、その焦点位置P
F2に位置する反射型光分岐素子32の頂端に導かれる。
頂端に導かれた導波光は、この頂端によって左右2つの
導波光に分岐され、各々反射境界面32a,32bによ
って反射されて対応する光検出器24a,24bに導か
れる。
【0039】つまり、本実施例によれば、第2の導波路
型反射集光器20による集光反射光が2分割導波路型光
検出器24の光検出器24a,24b間の接合部なる不
感帯に導かれることがない。また、反射型光分岐素子3
2の頂端の頂角を所望の値に設定することにより、反射
型光分岐素子32の反射境界面32a,32bへの分岐
光の入射、反射角度を調整して、この反射境界面32
a,32bにより反射された分岐光を効率よく各々の光
検出器24a,24bに導かせることができる。このよ
うにして、2分割導波路型光検出器24を用いた場合の
接合部なる不感帯による導波光の検出漏れが改善され
る。
型反射集光器20による集光反射光が2分割導波路型光
検出器24の光検出器24a,24b間の接合部なる不
感帯に導かれることがない。また、反射型光分岐素子3
2の頂端の頂角を所望の値に設定することにより、反射
型光分岐素子32の反射境界面32a,32bへの分岐
光の入射、反射角度を調整して、この反射境界面32
a,32bにより反射された分岐光を効率よく各々の光
検出器24a,24bに導かせることができる。このよ
うにして、2分割導波路型光検出器24を用いた場合の
接合部なる不感帯による導波光の検出漏れが改善され
る。
【0040】なお、これらの実施例では、プリズムカプ
ラ17により導波される導波光の導波方向に見て、左側
に第1の導波路型反射集光器19及び導波路型光検出器
21を配設し、左側に第2の導波路型反射集光器20、
2分割導波路型光検出器24或いは反射型光分岐素子3
2を配設するようにしたが、これらの左右配設はそのま
ま入れ替えてもよいのはもちろんである。
ラ17により導波される導波光の導波方向に見て、左側
に第1の導波路型反射集光器19及び導波路型光検出器
21を配設し、左側に第2の導波路型反射集光器20、
2分割導波路型光検出器24或いは反射型光分岐素子3
2を配設するようにしたが、これらの左右配設はそのま
ま入れ替えてもよいのはもちろんである。
【0041】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、スラブ型
光導波路と、このスラブ型光導波路面内に形成されて外
部光をスラブ型光導波路に結合導波させる導波路光結合
器と、この導波路光結合器により結合される導波光の光
軸に対して各々片側略半分ずつの導波光を取り込む位置
に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、そ
の導波光を反射集光させる第1の導波路型反射集光器及
び第2の導波路型反射集光器と、前記第1の導波路型反
射集光器による集光反射光の光路上に位置させて前記ス
ラブ型光導波路面内に形成され、その集光反射光の光束
幅より広い入射開口を有する導波路型光検出器と、前記
第2の導波路型反射集光器による集光反射光の光路上に
位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、その
集光反射光の焦点面を入射端としてその焦点に対して左
右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路型光検出
器とを備えたので、作製誤差等によって第2の導波路型
反射集光器の集光位置に設計位置からのずれが生じたと
しても面内方向での回転調整によってこの第2の導波路
型反射集光器による集光位置が2分割導波路型光検出器
の光検出器間となるように調整することにより対応で
き、外部光の平行度の検知を常に正常に行わせることが
でき、この場合、平行度の検知に導波路型光検出器が関
与していないため、回転調整に伴いこの導波路型光検出
器側への導波光の集光位置が多少ずれても支障のないも
のとなり、かつ、この導波路型光検出器の入射開口が集
光反射光の光束幅よりも広いので、その集光反射光の全
光量を常に受光することができる。よって、例えば、光
ピックアップに適用した場合、フォーカスエラー信号や
トラッキング誤差信号やRF信号を常に正常に検知でき
るものとなる。
光導波路と、このスラブ型光導波路面内に形成されて外
部光をスラブ型光導波路に結合導波させる導波路光結合
器と、この導波路光結合器により結合される導波光の光
軸に対して各々片側略半分ずつの導波光を取り込む位置
に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、そ
の導波光を反射集光させる第1の導波路型反射集光器及
び第2の導波路型反射集光器と、前記第1の導波路型反
射集光器による集光反射光の光路上に位置させて前記ス
ラブ型光導波路面内に形成され、その集光反射光の光束
幅より広い入射開口を有する導波路型光検出器と、前記
第2の導波路型反射集光器による集光反射光の光路上に
位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、その
集光反射光の焦点面を入射端としてその焦点に対して左
右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路型光検出
器とを備えたので、作製誤差等によって第2の導波路型
反射集光器の集光位置に設計位置からのずれが生じたと
しても面内方向での回転調整によってこの第2の導波路
型反射集光器による集光位置が2分割導波路型光検出器
の光検出器間となるように調整することにより対応で
き、外部光の平行度の検知を常に正常に行わせることが
でき、この場合、平行度の検知に導波路型光検出器が関
与していないため、回転調整に伴いこの導波路型光検出
器側への導波光の集光位置が多少ずれても支障のないも
のとなり、かつ、この導波路型光検出器の入射開口が集
光反射光の光束幅よりも広いので、その集光反射光の全
光量を常に受光することができる。よって、例えば、光
ピックアップに適用した場合、フォーカスエラー信号や
トラッキング誤差信号やRF信号を常に正常に検知でき
るものとなる。
【0042】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の発明の導波路型光検出器による効果に加えて、第2
の導波路型反射集光器による集光反射光の光路上に位置
させてその集光反射光の焦点位置を頂端とする略三角形
状の反射型光分岐素子を、2分割導波路型光検出器の前
方に設けたので、第2の導波路型反射集光器により2分
割導波路型光検出器側へ集光反射される導波光が2分割
導波路型光検出器の不感帯に導かれることなく反射型光
分岐素子によって2つの光検出器に効率よく分岐される
ので、不感帯による導波光の検出漏れが回避され、信号
レベル及びS/Nの向上を図ることができる。
載の発明の導波路型光検出器による効果に加えて、第2
の導波路型反射集光器による集光反射光の光路上に位置
させてその集光反射光の焦点位置を頂端とする略三角形
状の反射型光分岐素子を、2分割導波路型光検出器の前
方に設けたので、第2の導波路型反射集光器により2分
割導波路型光検出器側へ集光反射される導波光が2分割
導波路型光検出器の不感帯に導かれることなく反射型光
分岐素子によって2つの光検出器に効率よく分岐される
ので、不感帯による導波光の検出漏れが回避され、信号
レベル及びS/Nの向上を図ることができる。
【0043】請求項3記載の発明によれば、導波路型光
検出器と2分割導波路型光検出器を形成する2つの光検
出器とに関する3つの受光部の受光面積がほぼ等しいの
で、これらの検出器の応答速度特性もほぼ一致するもの
となり、これらの3つの光検出器から得られる信号間に
応答の遅れがなく、応答特性が揃うことになり、よっ
て、これらの3つの信号を用いる信号検出の分解能を向
上させることができる。この結果、光ピックアップなど
に適用してフォーカスエラー信号やトラッキングエラー
信号に基づきサーボ制御するような場合には、タイミン
グエラーが少なくなり、そのサーボ制御を安定させるこ
ともできる。特に、請求項2記載の発明に適用した請求
項3記載の発明によれば、不感帯による導波光の検出漏
れを回避し得る効果と、光信号検出の応答特性を改善し
得る効果とを、反目することなく、併せ持つことができ
る。
検出器と2分割導波路型光検出器を形成する2つの光検
出器とに関する3つの受光部の受光面積がほぼ等しいの
で、これらの検出器の応答速度特性もほぼ一致するもの
となり、これらの3つの光検出器から得られる信号間に
応答の遅れがなく、応答特性が揃うことになり、よっ
て、これらの3つの信号を用いる信号検出の分解能を向
上させることができる。この結果、光ピックアップなど
に適用してフォーカスエラー信号やトラッキングエラー
信号に基づきサーボ制御するような場合には、タイミン
グエラーが少なくなり、そのサーボ制御を安定させるこ
ともできる。特に、請求項2記載の発明に適用した請求
項3記載の発明によれば、不感帯による導波光の検出漏
れを回避し得る効果と、光信号検出の応答特性を改善し
得る効果とを、反目することなく、併せ持つことができ
る。
【図1】本発明の第一の実施例を示す平面的構成図であ
る。
る。
【図2】その縦断側面図である。
【図3】光ディスクとの配置関係を示す模式図である。
【図4】回転調整を説明するための模式図である。
【図5】本発明の第二の実施例を示す平面的構成図であ
る。
る。
【図6】その一部を拡大して示す平面的構成図である。
【図7】従来例を示す平面的構成図である。
【図8】2分割導波路型光検出器の受光状態を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
12 スラブ型光導波路 17 導波路光結合器 19 第1の導波路型反射集光器 20 第2の導波路型反射集光器 21 導波路型光検出器 24 2分割導波路型光検出器 24a,24b 光検出器 32 反射型光分岐素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/12 - 7/135
Claims (3)
- 【請求項1】 スラブ型光導波路と、 このスラブ型光導波路面内に形成されて外部光をスラブ
型光導波路に結合導波させる導波路光結合器と、 この導波路光結合器により結合される導波光の光軸に対
して各々片側略半分ずつの導波光を取り込む位置に位置
させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、その導波
光を反射集光させる第1の導波路型反射集光器及び第2
の導波路型反射集光器と、 前記第1の導波路型反射集光器による集光反射光の光路
上に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、
その集光反射光の光束幅より広い入射開口を有する導波
路型光検出器と、 前記第2の導波路型反射集光器による集光反射光の光路
上に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、
その集光反射光の焦点面を入射端としてその焦点に対し
て左右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路型光
検出器と、を備えてなることを特徴とする導波路型光信
号検出器。 - 【請求項2】 スラブ型光導波路と、 このスラブ型光導波路面内に形成されて外部光をスラブ
型光導波路に結合導波させる導波路光結合器と、 この導波路光結合器により結合される導波光の光軸に対
して各々片側略半分ずつの導波光を取り込む位置に位置
させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、その導波
光を反射集光させる第1の導波路型反射集光器及び第2
の導波路型反射集光器と、 前記第1の導波路型反射集光器による集光反射光の光路
上に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、
その集光反射光の光束幅より広い入射開口を有する導波
路型光検出器と、 前記第2の導波路型反射集光器による集光反射光の光路
上に位置させて前記スラブ型光導波路面内に形成され、
その集光反射光の焦点位置を頂端とする略三角形状の反
射型光分岐素子と、 前記第2の導波路型反射集光器による集光反射光の光路
上でこの反射型光分岐素子の後方に位置させて前記スラ
ブ型光導波路面内に形成され、その集光反射光の光軸に
対して左右対称な2つの光検出器を有する2分割導波路
型光検出器と、を備えてなることを特徴とする導波路型
光信号検出器。 - 【請求項3】 導波路型光検出器の受光部と2分割導波
路型光検出器を形成する2つの光検出器の各々の受光部
との受光面積比が略1:1:1となるようにこれらの導
波路型光検出器及び2分割導波路型光検出器を形成した
ことを特徴とする請求項1又は2記載の導波路型光信号
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01963795A JP3290040B2 (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 導波路型光信号検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01963795A JP3290040B2 (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 導波路型光信号検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08212585A JPH08212585A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3290040B2 true JP3290040B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=12004740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01963795A Expired - Fee Related JP3290040B2 (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 導波路型光信号検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290040B2 (ja) |
-
1995
- 1995-02-08 JP JP01963795A patent/JP3290040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08212585A (ja) | 1996-08-20 |
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Legal Events
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