JPH0721581A

JPH0721581A - 光ピックアップ

Info

Publication number: JPH0721581A
Application number: JP5161170A
Authority: JP
Inventors: 式雄 ▲吉▼田; Norio Yoshida
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1993-06-30
Filing date: 1993-06-30
Publication date: 1995-01-24

Abstract

(57)【要約】【目的】光透過性ブロックの表面に光学素子を配置
し、一体化してなる光ピックアップにおいて、小型化及
び低価格化並びに薄型化を図る。【構成】光透過性ブロック２１の表面上に半導体レー
ザ２２、光検出器２３，２４及び対物レンズ２５を配置
し、前記光透過性ブロック２１の内部を長手方向に略一
直線状の光の伝搬路とし、該伝搬路における上記各光学
素子２２，２３，２４，２５と相対向する位置に光反射
面２８，２９又は光分岐面２６，２７を設けてなること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、レーザビーム
を微細なスポット光に絞ってディスク等に照射し、その
反射光を検出して、情報の読み取りを行うための光ピッ
クアップに関し、特に、コンパクトディスク用の光集積
型ピックアップに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、コンパクトディスク等の光ディ
スク上に記録された信号情報を読み取る光ピックアップ
には、フォーカス／トラッキング用のサーボ機能が搭載
されている。該サーボ機能は、光ディスクの回転に伴う
面振れや偏芯等のメカニカルな変動に光ピックアップを
精度よく、追従させるためのものである。

【０００３】図８は、従来の光ピックアップの構成図を
示す。以下に、その構成を動作と共に説明する。光ディ
スク１の下方に配置される光源として半導体レーザ２が
実装されている。該半導体レーザ２から出射された光ビ
ームは３ビーム発生用の回折格子３、ビームスプリッタ
４、コリメートレンズ５および、対物レンズ６を経て、
光ディスク１上に集光される。該光ディスク１で反射さ
れた光ビームは前記対物レンズ６およびコリメートレン
ズ５を経て、ビームスプリッタ４で光路を９０°偏向さ
れ、その後、凹レンズ７、シリンドリカルレンズ８を経
て、多分割光検出器９に入射し、該多分割光検出器９に
て光検出される。この検出信号によって、再生信号、フ
ォーカス誤差信号、トラッキング誤差信号が得られる。
これらの誤差信号の検出は非点収差法を利用して行われ
る。

【０００４】なお、前記対物レンズ６はアクチュエータ
に内蔵され、上記の誤差信号に従って、光軸方向およ
び、トラックに垂直方向に高速で動かされる。これを各
々、フォーカス／トラッキングサーボという。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示す従来の光ピックアップはこれを構成する光学部品が
８点と多く、かつ、それぞれが個別部品であるため、こ
れらを精度よく光軸調整して固定配置する必要がある。
そのため、製造に多大な工数を要し、小型化および低価
格化を図る上で限界があった。

【０００６】ところで、上記した光ピックアップの欠点
を解消するための光ピックアップとして図９に示す光ピ
ックアップが開発されてきている。これは、特開昭６１
−２９６５４０号公報で開示された光学式ヘッド装置で
ある。該光学式ヘッド装置は、光導波路型ピックアップ
と称せられるものであって半導体レーザ２から出射され
る光ビームを板状をなす透明基板１０の内部に形成され
る光導波路を通して光ディスク１に集光する概略構成を
とる。尚、図中、４はビームスプリッタであり、１１は
光検知器であり、１２は集光グレーチングカップラであ
る。

【０００７】しかしながら、前記光学式ヘッド装置は光
導波路が１ミクロン以下と非常に薄いものであるため、
該光導波路に対して半導体レーザ２からの光ビームを効
率良く結合させるには限界があるのが現状である。

【０００８】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、小型化及び低価格化並びに薄型化が図れる光ピック
アップを提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
は、光透過性ブロックの表面上に発光素子、受光素子お
よび対物レンズ等の光学素子を配置し、前記光透過性ブ
ロックの内部を長手方向に略一直線状の光の伝搬路と
し、該伝搬路に交叉して前記各光学素子に対応する光反
射面または光分岐面を設けてなることを特徴とするもの
である。

【００１０】請求項１記載の光ピックアップにおいて、
前記光透過性ブロックは、所望の表面に光反射面又は光
分岐面を設けた複数のブロック部品を備えてなり、各ブ
ロック部品を相互に張り合わせて一体化してなることを
特徴とするものである。

【００１１】請求項２記載の光ピックアップにおいて、
前記光透過性ブロックは、台形状の第１ブロック部品
と、単一乃至複数のひし型状の第２ブロック部品とを、
前記光透過性ブロックの少なくとも一つの面が同一面を
なすよう張り合わされてなり、隣接する各ブロック部品
間には前記光分岐面が形成され、該光分岐面と相対向す
る前記光透過性ブロックの少なくとも一面に前記光反射
面を形成してなることを特徴とするものである。

【００１２】請求項１、２または３記載の光ピックアッ
プにおいて、少なくとも、前記発光素子と受光素子とを
化合物半導体基板に集積化してなることを特徴とするも
のである。

【００１３】

【作用】上記構成によれば、請求項１に係る光ピックア
ップは、光透過性ブロックの表面上に発光素子、受光素
子および対物レンズ等の光学素子を一体的に実装してな
る構成なので、小型化となり、低価格化が図れる。ま
た、発光素子から出射された光が、光透過性ブロック内
部を長手方向に略一直線状に伝搬する構成なので、厚み
を薄くでき、薄型化が図れる。

【００１４】また、請求項２又は３に係る光ピックアッ
プでは、光分岐面を所望のブロック部品の平面で形成す
ることが可能となり、前記光分岐面の作製が容易であ
る。

【００１５】さらに、請求項４に係る光ピックアップで
は、少なくとも、発光素子と受光素子とを化合物半導体
基板に集積化してなる構成なので、位置合わせ精度およ
び量産性の向上が図れる。

【００１６】

【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。

【００１７】本実施例の光ピックアップは、樹脂または
ガラスからなる光透過性ブロック２１の同一表面上に半
導体レーザ２２、２つの光検出器２３，２４および対物
レンズ２５が配置されており、前記光透過性ブロック２
１の内部を長手方向に略一直線状の光の伝搬路（図示せ
ず）としている。また、該伝搬路に交叉して前記半導体
レーザ２２、前記光検出器２４に対応する位置には光分
岐面２６，２７が設けられており、さらに、前記光検出
器２３、対物レンズ２５に対応する位置には光反射面２
８，２９が設けられている。

【００１８】前記光透過性ブロック２１は、正面視台形
状の第１ブロック部品２１ａと、正面視ひし型状の２つ
の第２ブロック部品２１ｂ，２１ｃとからなる。すなわ
ち、一組の平行な平面を上下面とし、逆方向に傾いた４
５度傾斜面を相対向するよう一つずつ持つ比較的大きな
第１ブロック部品２１ａと、一組の平行な平面を上下面
とし、同方向に傾いた４５度傾斜面を２つ持つ比較的小
さな第２ブロック部品２１ｂ，２１ｃとを使用してい
る。

【００１９】この３つのブロック部品２１ａ，２１ｂ，
２１ｃは、互いの４５度傾斜面の部分どうしで張り合わ
せ、あらかじめ重なり合う４５度傾斜面の一方に作成し
ておいた光分岐面２６，２７にて伝搬路を分岐できるよ
うに一体化している。残った２つの４５度傾斜面には光
反射面２８，２９が形成され、伝搬路を９０度偏向でき
るようにしている。前記光分岐面２６，２７は、光分岐
用薄膜（例えば、誘電体多層膜コーティング）にて形成
されており、一部の光を反射させると共に残りの光を透
過させるものである。また、前記光反射面２８，２９は
光反射膜にて形成されている。尚、本実施例において、
前記光分岐面２６，２７は一部の光を９０度偏向するも
のである。

【００２０】このように張り合わされてなる光透過性ブ
ロック２１は、図１の如く、左からそれぞれ左上がりに
傾斜した第１の光反射面２８、第１の光分岐面２６、第
２の光分岐面２７、および右上がりに傾斜した第２の光
反射面２９が並び、張り合わせた後も光透過性ブロック
２１は上面、下面が平行な平面となっている。

【００２１】また、本実施例では、半導体レーザ２２、
光検出器２３，２４がハイブリッドまたはモノリシック
に基板３０上に一体化されており、前記基板３０として
は化合物半導体基板が用いられている。

【００２２】前記半導体レーザ２２、第１の光検出器２
３、第２の光検出器２４は、それぞれ前記光透過性ブロ
ック内２１内の第１の光分岐面２６、第１の光反射面２
８、第２の光分岐面２７に対向する位置に配設してい
る。また、前記対物レンズ２５は、例えば非球面対物レ
ンズからなり、第２の光反射面２９に対向する位置に配
設している。

【００２３】以上の構成で光ピックアップの光学系を小
型に一体化している。なお、本実施例では、後述するよ
うな１ビームでの検出方法であるため、３ビームの発生
用の回折格子は不要である。

【００２４】以下に、この光学系の動作原理を説明す
る。半導体レーザ２２からの光ビームが光透過性ブロッ
ク２１に入射して、第１の光分岐面２６をヒットし、９
０度偏向される。その後、光透過性ブロック２１上下面
に平行に光ビームは進行して第２の光分岐面２７をその
まま透過し、第２の光反射面２９に到達して、そこで再
び、９０度光路が偏向されて光透過性ブロック２１上面
からでた光ビームは対物レンズ２５から出射して光ディ
スク３１上に集光される。該光ディスク３１から反射さ
れた光ビームは対物レンズ２５を経て、光透過性ブロッ
ク２１に入射して第２の光反射面２９にて９０度偏向さ
れて光透過性ブロック２１の上下面に平行に伝搬して第
２の光分岐面２７、第１の光分岐面２６、第１の光反射
面２８の順に到達する。ここで、第２の光分岐面２７、
第１の光反射面２８にて光透過性ブロック２１の上下面
に垂直方向に分岐、または、反射した光ビームは、光透
過性ブロック２１上面から出た後に、各々、第２の光検
出器２４、第１の光検出器２３に入射して光ディスク３
１上の情報の再生信号および、フォーカス／トラッキン
グ誤差信号を検出する。光学系は上記したように一体化
されているため、検出されたフォーカス／トラッキング
誤差信号に従って光学系全体をアクチュエータで可動し
サーボがかかるような構成となっている。

【００２５】上記構成によれば、本発明の光ピックアッ
プは、光透過性ブロック２１の表面上に、半導体レーザ
２２、光検出器２３，２４および対物レンズ２５を一体
的に実装してなる構成なので、小型化となり、低価格化
が図れる。

【００２６】また、前記半導体レーザ２２から出射され
た光が、前記光透過性ブロック２１内部を長手方向に略
一直線状に伝搬する構成なので、前記光透過性ブロック
２１の厚みを薄くでき、薄型化が図れる。

【００２７】また、前記光透過性ブロック２１は、第１
ブロック部品２１ａおよび第２ブロック部品２１ｂ，２
１ｃからなる構成なので、前記光分岐面２６，２７を所
望のブロック部品の平面（例えば、第２ブロック部品２
１ｂの４５度傾斜面）で伝搬路となる位置に形成するこ
とができ、前記光分岐面２６，２７の作製が容易であ
る。

【００２８】さらに、前記半導体レーザ２２と光検出器
２３，２４とを化合物半導体基板３０に集積化してなる
構成なので、位置合わせ精度および量産性の向上が図れ
る。以下、図２乃至図７に従って、上記実施例で採用す
るフォーカス／トラッキング検出方式を説明する。

【００２９】図２はフォーカス誤差信号検出を説明する
ための図であり、同図（ａ）は光ピックアップの側面断
面図であり、同図（ｂ）および同図（ｃ）はそれぞれ同
図（ａ）のＡ部およびＢ部上面図である。図３は同じく
フォーカス誤差信号検出を説明するための図であり、同
図（ａ）は光ピックアップの側面断面図であり、同図
（ｂ）および同図（ｃ）はそれぞれ同図（ａ）のＣ部お
よびＤ部上面図である。図４は同じくフォーカス誤差信
号検出を説明するための図であり、同図（ａ）は光ピッ
クアップの側面断面図であり、同図（ｂ）および同図
（ｃ）はそれぞれ同図（ａ）のＥ部およびＦ部上面図で
ある。図５はトラッキング誤差信号検出を説明するため
の図であり、同図（ａ）は光ピックアップの側面断面図
であり、同図（ｂ）および同図（ｃ）はそれぞれ同図
（ａ）のＧ部およびＨ部上面図である。図６および図７
はそれぞれ同じくトラッキング誤差信号検出を説明する
ための図であり、それぞれ、図（ａ）は光検出器２３の
上面図、図（ｂ）は光検出器２４の上面図である。

【００３０】光透過性ブロック２１内の第１の光反射面
２８と第１の光分岐面２６の面間隔と、第１の光分岐面
２６と第２の光分岐面２７の面間隔とを等間隔とすると
第１の光反射面２８を経由して第１の光検出器２３に入
射する光ビームと、第２の光分岐面２７で反射すること
によって分岐し第２の光検出器２４へ入射する光ビーム
は、ディスク３１上にちょうど集光している際に光ピッ
クアップに戻って来た反射ビームが焦点をもつ位置から
等しい光路長だけお互いに反対方向にそれぞれデフォー
カスした位置で光検出器２３，２４をヒットし、光ビー
ムサイズは同じ大きさとなる。光検出器２３，２４とし
て、第１の光検出器位置、第２の光検出器位置にそれぞ
れ４分割検出器が配置される構成としておく。４分割検
出器は、分割線が３本平行に入り、内側２つのセグメン
トが小さく、外側２つのセグメントが大きい形状のもの
採用する。

【００３１】次に図２乃至図４に従ってフォーカスサー
ボをかけるための合焦，非合焦を検出する原理を説明す
る。図２乃至図４では理解しやすくするために、光ビー
ムがディスクから反射して検出器に入射するまでを図示
し、同時に各光検出器上に照射される光スポットの形状
を併せて図示する。まず、図２に示すように合焦位置で
は、図２（ａ）に示すように、光ディスク３１から反射
してきた光ビームは同図（ｂ）及び（ｃ）の如く、第
１，第２の光検出器２３，２４上に同じ大きさの光スポ
ット３２，３３形状で照射され、このとき、第１の光検
出器２３の４つのセグメントａ，ｂ，ｃ，ｄのうち内側
のセグメントｂ，ｃで受ける光量の合計Ｖｂ＋Ｖｃと外
側のセグメントａ，ｄで受ける光量の合計Ｖａ＋Ｖｄが
同じとなり、また、第２の光検出器２４の４つのセグメ
ントｅ，ｆ，ｇ，ｈのうち内側のセグメントｆ，ｇで受
ける光量の合計Ｖｆ＋Ｖｇと外側のセグメントｅ，ｈで
受ける光量の合計Ｖｅ＋Ｖｈが同じとなるので（Ｖａ＋
Ｖｄ）＋（Ｖｆ＋Ｖｇ）＝（Ｖｂ＋Ｖｃ）＋（Ｖｅ＋Ｖ
ｈ）となる。しかしながら、図３（ａ）に示すように光
ディスク３１が合焦状態からずれて対物レンズ２５から
遠ざかるにつれて、図３（ｂ）の如く、第１の光検出器
２３上のスポット３２は大きくなり、このために第１の
光検出器２３の内側の２つのセグメント上に入射する光
量の合計Ｖｂ＋Ｖｃは減少し、外側のセグメントａ，ｄ
で受ける光量の合計Ｖａ，Ｖｄは減少する。また、図３
（ｃ）の如く、第２の光検出器２４上の光スポット３３
は逆に小さくなり、このために第２の光検出器２４の４
つのセグメントｅ，ｆ，ｇ，ｈのうち内側のセグメント
ｆ，ｇで受ける光量の合計Ｖｆ＋Ｖｇは増加し、外側の
セグメントｅ，ｈで受ける光量の合計Ｖｅ＋Ｖｈが減少
する。結果的に、（Ｖａ＋Ｖｄ）＋（Ｖｆ＋Ｖｇ）＞
（Ｖｂ＋Ｖｃ）＋（Ｖｅ＋Ｖｈ）となる。一方、図４
（ａ）で示すように、光ディスク３１が合焦状態からず
れて対物レンズ２５に近づくにつれて第１の光検出器２
３上の光スポット３２は小さくなり、このために第１の
光検出器２３の内側の２つのセグメント上に入射する光
量の合計Ｖｂ＋Ｖｃは増加し、外側のセグメントａ，ｄ
で受ける光量の合計Ｖａ＋Ｖｄは減少する。また、第２
の光検出器２４上の光スポット３３は逆に大きくなり、
このために第２の光検出器２４の４つのセグメントｅ，
ｆ，ｇ，ｈのうち内側のセグメントｆ，ｇで受ける光量
の合計Ｖｆ＋Ｖｇは減少し、外側のセグメントｅ，ｈで
受ける光量の合計Ｖｅ＋Ｖｈが増加する。結果的に、
（Ｖａ＋Ｖｄ）＋（Ｖｆ＋Ｖｇ）＜（Ｖｂ＋Ｖｃ）＋
（Ｖｅ＋Ｖｈ）となる。したがって、光ディスク３１が
面振れによって合焦位置からずれることによって出力Ｖ
＝｛（Ｖａ＋Ｖｄ）＋（Ｖｆ＋Ｖｇ）｝−｛（Ｖｂ＋Ｖ
ｃ）＋（Ｖｅ＋Ｖｈ）｝に面振れの方向に応じた符号を
持つフォーカスサーボ用の出力が生じる。

【００３２】次に、図５乃至図７にしたがってトラッキ
ングサーボをかけるためのトラック位置を検出する原理
を説明する。光ビームが光ディスク３１から反射して光
検出器２３，２４に入射するとき、反射光である０次回
折光と同時に、光ディスク３１上ピットの凹凸で±１次
回折光も同時に生じる。第１および第２の光検出器２
３，２４上に照射される光スポット３２，３３は、反射
光である０次回折光のみの強度の部分と、反射光である
０次回折光と１次または、−次回折光が重畳した強度と
なる部分がある。図４乃至図７では第１および第２の光
検出器２３，２４においてこの回折光が重畳した部分に
ハッチをつけて示している。まず、図５（ａ）に示すよ
うに、トラック上の正確な位置にスポットが照射されて
いるときには、光ディスク３１から反射してきた光ビー
ムの回折光が重畳した部分が、対称な形で４分割検出器
に入射する。つまり、図５（ｂ）および図５（ｃ）の如
く、第１の光検出器２３の４つのセグメントａ，ｂ，
ｃ，ｄのうち片側のセグメントａ，ｂで受ける光量の合
計Ｖａ＋Ｖｂともう片側のセグメントｃ，ｄで受ける光
量の合計Ｖｃ＋Ｖｄが同じとなり、また、第２の光検出
器２４についても４つのセグメントｅ，ｆ，ｇ，ｈのう
ち片側のセグメントｅ，ｆで受ける光量の合計Ｖｅ＋Ｖ
ｆともう片側のセグメントｇ，ｈで受ける光量の合計Ｖ
ｇ＋Ｖｈが同じとなる。結果的に（Ｖａ＋Ｖｂ）＋（Ｖ
ｇ＋Ｖｈ）＝（Ｖｃ＋Ｖｄ）＋（Ｖｅ＋Ｖｆ）となる。
しかしながら、トラック上の正確な位置からどちらか
に、はずれてスポットが照射されているときには、光デ
ィスク３１から反射してきた光ビームの回折光が重畳し
た部分が、非対称な形でどちらかに片よって４分割検出
器に入射する。つまり、図６および図７に示す２つの例
のように、第１の光検出器２３の４つのセグメントａ，
ｂ，ｃ，ｄのうち片側のセグメントａ，ｂで受ける光量
の合計Ｖａ＋Ｖｂともう片側のセグメントｃ，ｄで受け
る光量の合計Ｖｃ＋Ｖｄが等しくなくなり、図６（ａ）
では（Ｖａ＋Ｖｂ）＜（Ｖｃ＋Ｖｄ）、図７（ａ）では
（Ｖａ＋Ｖｂ）＞（Ｖｃ＋Ｖｄ）となる。また、第２の
光検出器２４についても４つのセグメントｅ，ｆ，ｇ，
ｈのうち片側のセグメントｅ，ｆで受ける光量の合計Ｖ
ｅ＋Ｖｆともう片側のセグメントｇ，ｈで受ける光量の
合計Ｖｇ＋Ｖｈが等しくなくなり、図６（ｂ）では（Ｖ
ｅ＋Ｖｆ）＞（Ｖｇ＋Ｖｈ）、図７（ｂ）では（Ｖｅ＋
Ｖｆ）＜（Ｖｇ＋Ｖｈ）となる。結果的に、図６では
（Ｖａ＋Ｖｂ）＋（Ｖｇ＋Ｖｈ）＜（Ｖｃ＋Ｖｄ）＋
（Ｖｅ＋Ｖｆ）、図７では（Ｖａ＋Ｖｂ）＋（Ｖｇ＋Ｖ
ｈ）＞（Ｖｃ＋Ｖｄ）＋（Ｖｅ＋Ｖｆ）となって、光デ
ィスク３１上のトラック位置と照射される集光スポット
位置の関係に応じて位置ずれの方向に応じた符号を持つ
トラッキングサーボ用の出力が生じる。

【００３３】このようにして得られたフォーカス位置検
出信号とトラック位置検出信号を各々のサーボ用コイル
にフィードバックして各フォーカス／トラッキングサー
ボをかけることによって安定した情報再生が可能とな
る。

【００３４】尚、本発明の光ピックアップは、上記実施
例に限定されるものではなく、光透過性ブロック２１の
表面上に光学素子を一体化し、光透過性ブロック２１の
内部を略一直線状の光の伝搬路とし、該伝搬路に交叉し
て前記各光学素子に対応する光分岐面又は光反射面を設
けたもので何でも良い。

【００３５】例えば、上記実施例の光反射面２９の部分
を４５度傾斜面とせず、直角にし、その側面に対物レン
ズ２５を設けることにより、縦型の光ピックアップとす
ることができる。また、前記半導体レーザ２２、光検出
器２３，２４を個々に作製し、取り付けたものでも良
い。さらに、前記光透過性ブロック２１を１つのブロッ
ク部品とし、前記光分岐面２６，２７を例えば、レーザ
ビーム，紫外光，赤外光等によって所望の箇所につくり
込んでも良い。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１に係る
光ピックアップによれば、光学素子を光透過性ブロック
に一体化してなる構成なので、小型化，低価格化が図れ
る。また、前記光透過性ブロック内部を略一直線状の伝
搬路としてなる構成なので、薄型化が図れる。

【００３７】また、請求項２又は３に係るピックアップ
によれば、光分岐面を容易に作製できる。

【００３８】さらに、請求項４に係るピックアップによ
れば、位置合わせ精度及び量産性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す斜視図である。

【図２】フォーカス誤差信号検出を説明するための図で
あり、図（ａ）は光ピックアップの側面断面図であり、
図（ｂ）及び図（ｃ）はそれぞれ図（ａ）のＡ部及びＢ
部上面図である。

【図３】同じくフォーカス誤差信号検出を説明するため
の図であり、図（ａ）は光ピックアップの側面断面図で
あり、図（ｂ）及び図（ｃ）はそれぞれ図（ａ）のＣ部
及びＤ部上面図である。

【図４】同じくフォーカス誤差信号検出を説明するため
の図であり、図（ａ）は光ピックアップの側面断面図で
あり、図（ｂ）及び図（ｃ）はそれぞれ図（ａ）のＥ部
及びＦ部上面図である。

【図５】トラッキング誤差信号検出を説明するための図
であり、図（ａ）は光ピックアップの側面断面図であ
り、図（ｂ）及び図（ｃ）はそれぞれ図（ａ）のＧ部及
びＨ部上面図である。

【図６】同じくトラッキング誤差信号検出を説明するた
めの図であり、図（ａ）及び図（ｂ）はそれぞれの光検
出器の上面図である。

【図７】同じくトラッキング誤差信号検出を説明するた
めの図であり、図（ａ）及び図（ｂ）はそれぞれの光検
出器の上面図である。

【図８】従来例を示す側面図である。

【図９】他の従来例を示す斜視図である。

【符号の説明】

２１光透過性ブロック２２半導体レーザ（発光素子）２３，２４光検出器（受光素子）２５対物レンズ２６，２７光分岐面２８，２９光反射面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光透過性ブロックの表面上に発光素子、
受光素子および対物レンズ等の光学素子を配置し、前記
光透過性ブロックの内部を長手方向に略一直線状の光の
伝搬路とし、該搬路に交叉して前記各光学素子に対応す
る光反射面又は光分岐面を設けてなることを特徴とする
光ピックアップ。
【請求項２】前記光透過性ブロックは、所望の表面に
光反射面又は光分岐面を設けた複数のブロック部品を備
えてなり、各ブロック部品を相互に張り合わせて一体化
してなることを特徴とする請求項１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項３】前記光透過性ブロックは、台形状の第１
ブロック部品と、単一乃至複数のひし型状の第２ブロッ
ク部品とを、前記光透過性ブロックの少なくとも一つの
面が同一平面をなすよう張り合わされてなり、隣接する
各ブロック部品間には前記光分岐面が形成され、該光分
岐面と相対向する前記光透過性ブロックの少なくとも一
面に前記光反射面を形成してなることを特徴とする請求
項２記載の光ピックアップ。
【請求項４】少なくとも、前記発光素子と受光素子と
を化合物半導体基板に集積化してなることを特徴とする
請求項１，２又は３記載の光ピックアップ。