JP3291096B2 - 電子ビーム露光装置のビーム制御方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置のビーム制御方法Info
- Publication number
- JP3291096B2 JP3291096B2 JP32949693A JP32949693A JP3291096B2 JP 3291096 B2 JP3291096 B2 JP 3291096B2 JP 32949693 A JP32949693 A JP 32949693A JP 32949693 A JP32949693 A JP 32949693A JP 3291096 B2 JP3291096 B2 JP 3291096B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- current value
- slit
- procedure
- size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム露光装置のビ
ーム制御方法に係り、特に複数のスリットを組み合わせ
て所定のビームサイズの電子ビームを生成する電子ビー
ム露光装置のビーム制御方法に関する。
ーム制御方法に係り、特に複数のスリットを組み合わせ
て所定のビームサイズの電子ビームを生成する電子ビー
ム露光装置のビーム制御方法に関する。
【０００２】近年、益々ＩＣの集積度と機能が向上し
て、計算機・通信・機械等広く産業全般に渡る技術進歩
の核技術としての役割が期待されている。
て、計算機・通信・機械等広く産業全般に渡る技術進歩
の核技術としての役割が期待されている。
【０００３】ＩＣのプロセス技術の大きな柱は微細加工
による高集積化である。光リソグラフィーは、限界が
０．３μｍ程度の所にあるとされているが、電子ビーム
露光では０．１μｍ以下の微細加工が０．０５μｍ以下
の位置合わせ精度で出来る。従って、１ｃｍ2 を１秒程
度で露光する電子ビーム露光装置が実現すれば、微細さ
・位置合わせ精度・クイックターンアラウンド・信頼性
どれをとっても、他のリソグラフィー手段の追随を許さ
ず、これにより１又は４ギガビットメモリや、１メガゲ
ートＬＳＩが製造可能になる。ただし、このとき、より
微細で正確な電子ビームパターンを必要とする。
による高集積化である。光リソグラフィーは、限界が
０．３μｍ程度の所にあるとされているが、電子ビーム
露光では０．１μｍ以下の微細加工が０．０５μｍ以下
の位置合わせ精度で出来る。従って、１ｃｍ2 を１秒程
度で露光する電子ビーム露光装置が実現すれば、微細さ
・位置合わせ精度・クイックターンアラウンド・信頼性
どれをとっても、他のリソグラフィー手段の追随を許さ
ず、これにより１又は４ギガビットメモリや、１メガゲ
ートＬＳＩが製造可能になる。ただし、このとき、より
微細で正確な電子ビームパターンを必要とする。
【０００４】
【従来の技術】図７に電子ビーム露光装置の構成図を示
す。電子銃１１はＬａＢ6 （ランタンヘキサボライト）
カソード１１ａ、ウェルネルト（グリッド）１１ｂ、ア
ノード１１ｃ等よりなり、加速電圧２０ｋＶ又は３０ｋ
Ｖで電子を加速して放出する。
す。電子銃１１はＬａＢ6 （ランタンヘキサボライト）
カソード１１ａ、ウェルネルト（グリッド）１１ｂ、ア
ノード１１ｃ等よりなり、加速電圧２０ｋＶ又は３０ｋ
Ｖで電子を加速して放出する。
【０００５】電子銃１１から放出された電子ビームＢＭ
はアライメントコイル１２で光軸を合わされ、第１スリ
ット１４に供給される。第１スリット１４は矩形状の孔
１４ａを有し、電子ビームＢＭの断面形状を矩形状に成
形する。
はアライメントコイル１２で光軸を合わされ、第１スリ
ット１４に供給される。第１スリット１４は矩形状の孔
１４ａを有し、電子ビームＢＭの断面形状を矩形状に成
形する。
【０００６】第１スリット１４で矩形状に成形された電
子ビームＢＭは第１レンズ１５に供給される。第１レン
ズ１５は供給された電子ビームＢＭを収束させる。第１
レンズ１５で収束された電子ビームＢＭはスリットデフ
レクタ部１６に供給される。
子ビームＢＭは第１レンズ１５に供給される。第１レン
ズ１５は供給された電子ビームＢＭを収束させる。第１
レンズ１５で収束された電子ビームＢＭはスリットデフ
レクタ部１６に供給される。
【０００７】スリットデフレクタ部１６はスリットデフ
レクタ１６ａ及びスリット振り戻しデフレクタ１６ｂよ
り構成され、供給された電子ビームＢＭを偏向する。ス
リットデフレクタ部１６で偏向された電子ビームＢＭは
第２スリット１７に照射される。
レクタ１６ａ及びスリット振り戻しデフレクタ１６ｂよ
り構成され、供給された電子ビームＢＭを偏向する。ス
リットデフレクタ部１６で偏向された電子ビームＢＭは
第２スリット１７に照射される。
【０００８】第２スリット１７は矩形状の孔１７ａを有
し、第１スリット１４で成形された矩形状の電子ビーム
ＢＭをこの穴部を用いて所定のサイズの矩形状の電子ビ
ームＢＭに成形する。
し、第１スリット１４で成形された矩形状の電子ビーム
ＢＭをこの穴部を用いて所定のサイズの矩形状の電子ビ
ームＢＭに成形する。
【０００９】第２スリット１７でその断面形状が所定の
サイズに成形された電子ビームＢＭは第２レンズ１８に
より照射ビームとされ、電子ビームＢＭの照射を制御す
るブランカー１９を介して第３レンズ２０及び第４レン
ズ２１に供給される。
サイズに成形された電子ビームＢＭは第２レンズ１８に
より照射ビームとされ、電子ビームＢＭの照射を制御す
るブランカー１９を介して第３レンズ２０及び第４レン
ズ２１に供給される。
【００１０】第３レンズ２０及び第４レンズ２１は２段
の縮小レンズを構成しており、供給された電子ビームＢ
Ｍのサイズを１／１００程度に縮小する。電子ビームＢ
Ｍは第３レンズ２０及び第４レンズ２１による縮小の途
中にラウンドアパーチャ２２を通過する。ラウンドアパ
ーチャ２２は得ようとする電子ビームＢＭ周囲の軸上よ
り大きくずれた電子を除去する。第４レンズ２１より出
力された電子ビームＢＭは第５レンズ２３に供給され
る。
の縮小レンズを構成しており、供給された電子ビームＢ
Ｍのサイズを１／１００程度に縮小する。電子ビームＢ
Ｍは第３レンズ２０及び第４レンズ２１による縮小の途
中にラウンドアパーチャ２２を通過する。ラウンドアパ
ーチャ２２は得ようとする電子ビームＢＭ周囲の軸上よ
り大きくずれた電子を除去する。第４レンズ２１より出
力された電子ビームＢＭは第５レンズ２３に供給され
る。
【００１１】第５レンズ２３は投影レンズを構成してお
り、供給された電子ビームＢＭをさらに縮小して試料
（シリコンウェハ）２４上に投影する。試料２４上に投
影される電子ビームＢＭはメインデフレクタ２５及びサ
ブデフレクタ２６により偏向され、試料２４上の所定の
位置に投影されるように制御され、フォーカスコイル２
７、スティグコイル２８等によりフォーカスビーム形状
等の制御が行なわれる。
り、供給された電子ビームＢＭをさらに縮小して試料
（シリコンウェハ）２４上に投影する。試料２４上に投
影される電子ビームＢＭはメインデフレクタ２５及びサ
ブデフレクタ２６により偏向され、試料２４上の所定の
位置に投影されるように制御され、フォーカスコイル２
７、スティグコイル２８等によりフォーカスビーム形状
等の制御が行なわれる。
【００１２】電子ビームＢＭはファラデーカップ２９に
直接供給される。ファラデーカップ２９は電流計３３を
介して電子ビームＢＭの電子を検出し、電流計３３で電
子ビームの電流の計測が行なわれる。
直接供給される。ファラデーカップ２９は電流計３３を
介して電子ビームＢＭの電子を検出し、電流計３３で電
子ビームの電流の計測が行なわれる。
【００１３】また、電子ビームＢＭの通過途中には各所
にアライメントコイル１２やリフォーカスコイル１３が
設けられており、光軸制御等が行なわれている。電子銃
１１、スリットデフレクタ部１６、ブランカー１９、メ
インデフレクタ２５、サブデフレクタ２６、フォーカス
コイル２７、スティグコイル２８、第１〜第５レンズ１
５，１８，２０，２３、ファラデーカップ２９は電流計
３３を介して駆動制御装置３０に接続される。駆動制御
装置３０は各部に駆動制御信号を供給し、露光動作を実
施すると共に、ファラデーカップ２９により検出され、
電流計３３で計測された電流値に基づいて駆動制御信号
の補正や制御を行なう。
にアライメントコイル１２やリフォーカスコイル１３が
設けられており、光軸制御等が行なわれている。電子銃
１１、スリットデフレクタ部１６、ブランカー１９、メ
インデフレクタ２５、サブデフレクタ２６、フォーカス
コイル２７、スティグコイル２８、第１〜第５レンズ１
５，１８，２０，２３、ファラデーカップ２９は電流計
３３を介して駆動制御装置３０に接続される。駆動制御
装置３０は各部に駆動制御信号を供給し、露光動作を実
施すると共に、ファラデーカップ２９により検出され、
電流計３３で計測された電流値に基づいて駆動制御信号
の補正や制御を行なう。
【００１４】図８に第１スリット１４及び第２スリット
１７による電子ビームの成形動作説明図を示す。図８に
示すように電子銃１１から出た電子ビームＢＭは第１ス
リット１４の矩形孔１４ａを通過し、矩形状の第１スリ
ット像３１を得、第２スリット１７上に結像される。
１７による電子ビームの成形動作説明図を示す。図８に
示すように電子銃１１から出た電子ビームＢＭは第１ス
リット１４の矩形孔１４ａを通過し、矩形状の第１スリ
ット像３１を得、第２スリット１７上に結像される。
【００１５】第２スリット１７は第１スリット像３１の
一部を遮蔽し、小さいビームサイズの第２スリット像３
２を出力する。このとき、ビームサイズは第１及び第２
スリット１４，１７の入力時位置関係及びスリットデフ
レクタ部１６の駆動電圧を制御することにより第１スリ
ット像３１の第２スリット１７上の結像位置を制御する
ことにより決定される。
一部を遮蔽し、小さいビームサイズの第２スリット像３
２を出力する。このとき、ビームサイズは第１及び第２
スリット１４，１７の入力時位置関係及びスリットデフ
レクタ部１６の駆動電圧を制御することにより第１スリ
ット像３１の第２スリット１７上の結像位置を制御する
ことにより決定される。
【００１６】このとき、第１スリット１４、第２スリッ
ト１７の取りつけ精度やコラム上部のアライメントコイ
ル１２調整の影響等のために、成形されるビームは必ず
しも得たいビームサイズとはならない。そこで、正しい
ビームサイズを得るために第１スリット１４、第２スリ
ット１７の回転をメカ的に調整した後、スリットデフレ
クタ部１６に印加する電圧を補正していた。
ト１７の取りつけ精度やコラム上部のアライメントコイ
ル１２調整の影響等のために、成形されるビームは必ず
しも得たいビームサイズとはならない。そこで、正しい
ビームサイズを得るために第１スリット１４、第２スリ
ット１７の回転をメカ的に調整した後、スリットデフレ
クタ部１６に印加する電圧を補正していた。
【００１７】図９，図１０，図１１に従来の駆動制御装
置３０によるビーム補正動作制御方法の動作説明図を示
す。まず、電子銃１１により電子ビームを発生させ、シ
リコンウェハ２４に照射し、このときの電子ビームＢＭ
の電子をファラデーカップ２９により検出し、電流計３
３でその電流値を検出することにより電子ビームＢＭの
電流密度Ｊを測定する（ステップＳ２−１）。図１０
（Ａ）に基準電流密度Ｊの測定時の電子ビームサイズを
示す。例えば、電子ビームサイズを３μｍ×３μｍの比
較的大きなサイズに設定し、このときの電流を検出し、
電流密度Ｊを算出する。
置３０によるビーム補正動作制御方法の動作説明図を示
す。まず、電子銃１１により電子ビームを発生させ、シ
リコンウェハ２４に照射し、このときの電子ビームＢＭ
の電子をファラデーカップ２９により検出し、電流計３
３でその電流値を検出することにより電子ビームＢＭの
電流密度Ｊを測定する（ステップＳ２−１）。図１０
（Ａ）に基準電流密度Ｊの測定時の電子ビームサイズを
示す。例えば、電子ビームサイズを３μｍ×３μｍの比
較的大きなサイズに設定し、このときの電流を検出し、
電流密度Ｊを算出する。
【００１８】次に、ステップＳ２−１で測定された電流
密度Ｊ及びそのときのビームサイズからビームのＸ方向
及びＹ方向夫々の基準となる電流値Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を算
出する（ステップＳ２−２）。
密度Ｊ及びそのときのビームサイズからビームのＸ方向
及びＹ方向夫々の基準となる電流値Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を算
出する（ステップＳ２−２）。
【００１９】次に、調整回数の判断が行なわれる（ステ
ップＳ２−３）。ステップＳ２−３で所定回数調整が行
なわれても調整が終了しない場合には処理は終了し、ま
た、所定回数以内であれば、以下に説明する処理が所定
回数になるまで実行される。
ップＳ２−３）。ステップＳ２−３で所定回数調整が行
なわれても調整が終了しない場合には処理は終了し、ま
た、所定回数以内であれば、以下に説明する処理が所定
回数になるまで実行される。
【００２０】次に、スリットデフレクタ部１６を制御し
て、図１０（Ｂ）に示すようにＸ方向に細長いビームを
生成し、Ｘ方向の電流値Ｉｘをファラデーカップ２９及
び電流計３３により検出する（Ｓ２−４）。
て、図１０（Ｂ）に示すようにＸ方向に細長いビームを
生成し、Ｘ方向の電流値Ｉｘをファラデーカップ２９及
び電流計３３により検出する（Ｓ２−４）。
【００２１】ファラデーカップ２９及び電流計３３で検
出した検出電流値Ｉｘを基準電流値Ｉｘ0 と比較し、そ
の差分が予め決められた許容範囲内か否かを判別する
（ステップＳ２−５）。ステップＳ２−５で、検出電流
値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にある
ときには次にスリットデフレクタ部１６を制御して、図
１０（Ｃ）に示すようにＹ方向に細長いビームを生成
し、Ｙ方向の電流値Ｉｙをファラデーカップ２９及び電
流計３３により検出する（ステップＳ２−６）。
出した検出電流値Ｉｘを基準電流値Ｉｘ0 と比較し、そ
の差分が予め決められた許容範囲内か否かを判別する
（ステップＳ２−５）。ステップＳ２−５で、検出電流
値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にある
ときには次にスリットデフレクタ部１６を制御して、図
１０（Ｃ）に示すようにＹ方向に細長いビームを生成
し、Ｙ方向の電流値Ｉｙをファラデーカップ２９及び電
流計３３により検出する（ステップＳ２−６）。
【００２２】ステップＳ２−６で検出した検出電流値Ｉ
ｙと基準電流値Ｉｙ。とを比較し、その差分が予め決め
られた許容範囲内か否かを判別する（ステップＳ２−
７）。
ｙと基準電流値Ｉｙ。とを比較し、その差分が予め決め
られた許容範囲内か否かを判別する（ステップＳ２−
７）。
【００２３】ステップＳ２−７で、検出電流値Ｉｙと基
準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にあるときには調
整を終了する（ステップＳ２−８）。
準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にあるときには調
整を終了する（ステップＳ２−８）。
【００２４】また、ステップＳ２−５で検出電流値Ｉｘ
と基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ２−９）。
と基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ２−９）。
【００２５】ステップＳ２−９で、（検出電流値Ｉｘ）
＞（基準電流値Ｉｘ0 ）のときにはＸ方向のスリットオ
フセット補正係数ＯＸを任意の量だけ小さくする（ステ
ップＳ２−１０）。また、ステップＳ２−９で（検出電
流値ｘ）＜（基準電流値ｘ0）のときにはＸ方向のスリ
ットオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ大きくする
（ステップＳ２−１１）。
＞（基準電流値Ｉｘ0 ）のときにはＸ方向のスリットオ
フセット補正係数ＯＸを任意の量だけ小さくする（ステ
ップＳ２−１０）。また、ステップＳ２−９で（検出電
流値ｘ）＜（基準電流値ｘ0）のときにはＸ方向のスリ
ットオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ大きくする
（ステップＳ２−１１）。
【００２６】また、ステップＳ２−７で検出電流値Ｉｙ
と基準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｙと基準電流値Ｉｙ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ２−１２）。
と基準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｙと基準電流値Ｉｙ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ２−１２）。
【００２７】ステップＳ２−１２で、（検出電流値Ｉ
ｙ）＞（基準電流値Ｉｙ0 ）のときにはＹ方向のスリッ
トオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ小さくする（ス
テップＳ２−１３）。また、ステップＳ２−１２で（検
出電流値Ｉｙ）＜（基準電流値Ｉｙ0 ）のときにはＹ方
向のスリットオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ大き
くする（ステップＳ２−１４）。
ｙ）＞（基準電流値Ｉｙ0 ）のときにはＹ方向のスリッ
トオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ小さくする（ス
テップＳ２−１３）。また、ステップＳ２−１２で（検
出電流値Ｉｙ）＜（基準電流値Ｉｙ0 ）のときにはＹ方
向のスリットオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ大き
くする（ステップＳ２−１４）。
【００２８】以上ステップＳ２−４〜Ｓ２−１４を繰り
返すことにより検出電流値Ｉｘ，Ｉｙと基準電流値Ｉｘ
0 ，Ｉｙ0 との差分を許容範囲内とし、調整処理を終了
する。
返すことにより検出電流値Ｉｘ，Ｉｙと基準電流値Ｉｘ
0 ，Ｉｙ0 との差分を許容範囲内とし、調整処理を終了
する。
【００２９】また、ステップＳ２−４〜Ｓ２−１４を所
定の回数繰り返しても差分が許容範囲内に治まらないと
きにはそのままでは補正が行なえないため、補正処理は
終了し、装置の入力的な調整を行なう。
定の回数繰り返しても差分が許容範囲内に治まらないと
きにはそのままでは補正が行なえないため、補正処理は
終了し、装置の入力的な調整を行なう。
【００３０】このとき、正しいビームサイズを得るため
に第１スリット１４、第２スリット１７の回転をメカ的
に調整した後、スリットデフレクタ部１６に印加する電
圧を例えば式（１）に基づいて補正していた。
に第１スリット１４、第２スリット１７の回転をメカ的
に調整した後、スリットデフレクタ部１６に印加する電
圧を例えば式（１）に基づいて補正していた。
【００３１】 Vx=A(Sx-Ox)+B(Sy-SOy)+Hx(Sx-SOx)(Sy-SOy)+Ox ・・・（１） Vy=D(Sx-Ox)+C(Sy-SOy)+Hy(Sx-SOx)(Sy-SOy)+Oy ただし、Ｓｘ，Ｓｙ：入力ビームサイズ ＳＯｘ，ＳＯｙ：スリットデフレクタにかかる電圧が０
のときのビームサイズ Ａ，Ｃ：スリット膨張補正係数 Ｂ，Ｄ：スリット回転補正係数 Ｈｘ，Ｈｙ：スリット台形的補正係数 Ｏｘ，Ｏｙ：スリットオフセット補正係数 式（１）において、例えばスリットオフセット補正係数
は以下のような方法で求めることができる。
のときのビームサイズ Ａ，Ｃ：スリット膨張補正係数 Ｂ，Ｄ：スリット回転補正係数 Ｈｘ，Ｈｙ：スリット台形的補正係数 Ｏｘ，Ｏｙ：スリットオフセット補正係数 式（１）において、例えばスリットオフセット補正係数
は以下のような方法で求めることができる。
【００３２】まず、あらかじめ３×３μｍのような大き
なビームサイズでの電流密度Ｊを求め、これを基準の電
流密度とする。Ｏｘ調整ビームサイズとしてＸ方向に細
いビーム（例えば０．１×３μｍ）、Ｏｙ調整用ビーム
サイズとしＹ方向に細いビーム（例えば３×０．１μ
ｍ）のビームサイズを求め、それぞれのビームサイズで
の理想電流値を算出する。３×３μｍビームでの電流分
布が均一であると仮定して、理想電流値Ｉｏｘ，Ｉｏｙ
は基準電流密度Ｊにそれぞれのビームサイズをかけたも
のである。上記ビームサイズの場合なら、 Ｉｏｘ＝Ｉｏｙ＝Ｊ×０．１×３．０ となる。次にＯｘ調整用ビームサイズのビームを出し
て、その電流値Ｉｘを測定する。もし、Ｉｘ＞Ｉｏｘな
らば、得たいスリットサイズよりも大きくなっているの
で、Ｏｘを少しずつ小さくしていけば良く（図１１
（Ｂ））、Ｉｘ＜Ｉｏｘならば、逆にＯｘを小さくして
いけば良い（図１１（Ｃ））。Ｏｙについても同様の調
整を行なう。Ｏｘ調整Ｏｙ調整を交互に行い、Ｏｘ，Ｏ
ｙ共に測定電流値と理想電流値の差分が許容範囲内に入
り、図１１（Ａ）に示すように適正な状態となったら調
整を終了する。
なビームサイズでの電流密度Ｊを求め、これを基準の電
流密度とする。Ｏｘ調整ビームサイズとしてＸ方向に細
いビーム（例えば０．１×３μｍ）、Ｏｙ調整用ビーム
サイズとしＹ方向に細いビーム（例えば３×０．１μ
ｍ）のビームサイズを求め、それぞれのビームサイズで
の理想電流値を算出する。３×３μｍビームでの電流分
布が均一であると仮定して、理想電流値Ｉｏｘ，Ｉｏｙ
は基準電流密度Ｊにそれぞれのビームサイズをかけたも
のである。上記ビームサイズの場合なら、 Ｉｏｘ＝Ｉｏｙ＝Ｊ×０．１×３．０ となる。次にＯｘ調整用ビームサイズのビームを出し
て、その電流値Ｉｘを測定する。もし、Ｉｘ＞Ｉｏｘな
らば、得たいスリットサイズよりも大きくなっているの
で、Ｏｘを少しずつ小さくしていけば良く（図１１
（Ｂ））、Ｉｘ＜Ｉｏｘならば、逆にＯｘを小さくして
いけば良い（図１１（Ｃ））。Ｏｙについても同様の調
整を行なう。Ｏｘ調整Ｏｙ調整を交互に行い、Ｏｘ，Ｏ
ｙ共に測定電流値と理想電流値の差分が許容範囲内に入
り、図１１（Ａ）に示すように適正な状態となったら調
整を終了する。
【００３３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の電子
ビーム露光装置のビーム制御方法では電子ビームの電流
分布を均一なものとして電子ビームの形状を設定するス
リットサイズの補正を行なっていたため、電子ビームを
発生する電子銃の取り付け精度や装置の使用状況等によ
り電子ビームの電流分布にムラがある場合には基準電流
値が目標サイズのものとは異なってしまい、正しい補正
が行なえず、必要とするビームサイズが得られない等の
問題点があった。
ビーム露光装置のビーム制御方法では電子ビームの電流
分布を均一なものとして電子ビームの形状を設定するス
リットサイズの補正を行なっていたため、電子ビームを
発生する電子銃の取り付け精度や装置の使用状況等によ
り電子ビームの電流分布にムラがある場合には基準電流
値が目標サイズのものとは異なってしまい、正しい補正
が行なえず、必要とするビームサイズが得られない等の
問題点があった。
【００３４】例えば、ビームの電流分布がＸ方向で一次
関数的に変化する場合、Ｙ方向のスリットサイズは正し
く調整されるが、Ｘ方向に関しては電流値がスリットサ
イズに比例した値よりも少なくしか測定されないため、
スリットサイズのＸ方向のオフセット係数が大きく補正
されてしまい、このようにして補正されたスリットサイ
ズで０．２×０．２μｍのような微細なビームパターン
を得ようとすると、Ｘ方向に細長いビームとなってしま
いその精度において満足できないと言う問題点があっ
た。
関数的に変化する場合、Ｙ方向のスリットサイズは正し
く調整されるが、Ｘ方向に関しては電流値がスリットサ
イズに比例した値よりも少なくしか測定されないため、
スリットサイズのＸ方向のオフセット係数が大きく補正
されてしまい、このようにして補正されたスリットサイ
ズで０．２×０．２μｍのような微細なビームパターン
を得ようとすると、Ｘ方向に細長いビームとなってしま
いその精度において満足できないと言う問題点があっ
た。
【００３５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、必要とするビームサイズの電子ビームが得られるよ
うに制御が行なえる電子露光装置のビーム制御方法を提
供することを目的とする。
で、必要とするビームサイズの電子ビームが得られるよ
うに制御が行なえる電子露光装置のビーム制御方法を提
供することを目的とする。
【００３６】
【課題を解決するための手段】図１に本発明の原理図を
示す。第１の手順１は、前記検出手段により前記電子ビ
ームの電流を検出し、検出された前記電子ビームの検出
電流に応じて前記電子ビームの電流密度分布を求める。
示す。第１の手順１は、前記検出手段により前記電子ビ
ームの電流を検出し、検出された前記電子ビームの検出
電流に応じて前記電子ビームの電流密度分布を求める。
【００３７】第２の手順２は前記第１の手順１で求めた
電流密度分布に基づいて目標とするサイズの電子ビーム
の基準電流値を算出する。
電流密度分布に基づいて目標とするサイズの電子ビーム
の基準電流値を算出する。
【００３８】第３の手順３は前記目標とするサイズに応
じて前記スリットデフレクタを制御し、そのときの電子
ビームの電流値を電流検出手段により検出する。
じて前記スリットデフレクタを制御し、そのときの電子
ビームの電流値を電流検出手段により検出する。
【００３９】第４の手順は前記第２の手順２で算出した
基準電流値と前記第３の手順３で検出した検出電流値と
を比較し、前記基準電流値と前記検出電流値との差に応
じて前記スリットデフレクタを制御し、目標とするサイ
ズの電子ビームを得る。
基準電流値と前記第３の手順３で検出した検出電流値と
を比較し、前記基準電流値と前記検出電流値との差に応
じて前記スリットデフレクタを制御し、目標とするサイ
ズの電子ビームを得る。
【００４０】
【作用】本発明によれば、電子ビームの電流密度分布を
求め、求めた電流密度分布に基づいて基準電流値を求め
ているため、基準電流値を実際の電子ビームに対応した
値に設定できるため、目標とする電子ビームのサイズに
応じて得られる電流値に近い値が得られ、したがって、
実際に得られる電流値この基準電流値に近づけるように
ビームの補正を行なうことにより実際の電子ビームのサ
イズを目標サイズに補正できる。このため、より精細な
露光が可能となる。
求め、求めた電流密度分布に基づいて基準電流値を求め
ているため、基準電流値を実際の電子ビームに対応した
値に設定できるため、目標とする電子ビームのサイズに
応じて得られる電流値に近い値が得られ、したがって、
実際に得られる電流値この基準電流値に近づけるように
ビームの補正を行なうことにより実際の電子ビームのサ
イズを目標サイズに補正できる。このため、より精細な
露光が可能となる。
【００４１】
【実施例】図２に本発明の一実施例の動作説明図を示
す。本実施例は電子ビーム露光装置の構成は図７と同一
で、駆動制御装置３０の動作が異なるものであるから、
その構成については説明を省略する。
す。本実施例は電子ビーム露光装置の構成は図７と同一
で、駆動制御装置３０の動作が異なるものであるから、
その構成については説明を省略する。
【００４２】まず、電子銃１１により電子ビームを発生
させ、電子ビームをＸ−Ｙ方向に順次走査することによ
り、電子を順次ファラデーカップ２９により直接検出
し、電流計３３によりその電流値を計測し、電子ビーム
の電流分布を測定する（ステップＳ１−１）。なお、電
流値の計測は反射電子検出器でも可能ではあるが、正確
な電流検出を行なうためにはファラデーカップを用いる
のが好ましい。
させ、電子ビームをＸ−Ｙ方向に順次走査することによ
り、電子を順次ファラデーカップ２９により直接検出
し、電流計３３によりその電流値を計測し、電子ビーム
の電流分布を測定する（ステップＳ１−１）。なお、電
流値の計測は反射電子検出器でも可能ではあるが、正確
な電流検出を行なうためにはファラデーカップを用いる
のが好ましい。
【００４３】図３に反射電子検出器における電流分布の
測定動作説明図を示す。シリコンウェハ２４上に図１０
（Ａ）に示すような３μｍ×３μｍ角の比較的大きなビ
ームサイズの電子ビームを照射する。シリコンウェハ２
４上には所定の位置に０．２〜０．５μｍ角程度の微細
で電子を反射しやすい、タンタルよりなるマークＭを設
けておき、電子ビームをｘ−ｙ方向に順次走査しつつ、
マークＭに対する電子を反射電子検出器により順次検出
し、記憶していくことにより電流分布を求める。
測定動作説明図を示す。シリコンウェハ２４上に図１０
（Ａ）に示すような３μｍ×３μｍ角の比較的大きなビ
ームサイズの電子ビームを照射する。シリコンウェハ２
４上には所定の位置に０．２〜０．５μｍ角程度の微細
で電子を反射しやすい、タンタルよりなるマークＭを設
けておき、電子ビームをｘ−ｙ方向に順次走査しつつ、
マークＭに対する電子を反射電子検出器により順次検出
し、記憶していくことにより電流分布を求める。
【００４４】次に、ステップＳ１−１で測定された電流
分布及び目標のビームサイズから目標サイズのＸ方向及
びＹ方向夫々の基準となる電流値Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を算出
する（ステップＳ１−３）。
分布及び目標のビームサイズから目標サイズのＸ方向及
びＹ方向夫々の基準となる電流値Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を算出
する（ステップＳ１−３）。
【００４５】次に、ステップＳ１−１で求めて電流分布
に近似した関数を求める（ステップＳ１−２）。図４，
図５に近似関数の求め方を説明するための図を示す。
に近似した関数を求める（ステップＳ１−２）。図４，
図５に近似関数の求め方を説明するための図を示す。
【００４６】例えば、ビームが図４（Ａ）に示すような
電子信号の強さを有する場合、Ｘ方向は一次関数的な特
性となるため、電流密度Ｊは一次関数Ｊ＝ａＳ＋ｂ・・
・（２）で近似される。ここで、Ｊは電流密度、Ｓはビ
ームサイズ、ａ，ｂは定数を示す。
電子信号の強さを有する場合、Ｘ方向は一次関数的な特
性となるため、電流密度Ｊは一次関数Ｊ＝ａＳ＋ｂ・・
・（２）で近似される。ここで、Ｊは電流密度、Ｓはビ
ームサイズ、ａ，ｂは定数を示す。
【００４７】図５（Ａ）に示すような電流密度分布が均
一な場合には基準電流ＩはＩ＝Ｊ×Ｓで求めることがで
き、図５（Ｂ）に示すような特性となる。また、図５
（Ｃ）に示すように電流密度分布が均一でなく、式
（２）に示すような関数に近似される場合には基準電流
値は∫Ｊｄｓ＝∫（ａＳ＋ｂ）ｄＳ＝ａＳ2 ／２＋ｂ・
Ｓ・・・（３）で求められ、例えば図５（Ｄ）に示すよ
う特性を得る。
一な場合には基準電流ＩはＩ＝Ｊ×Ｓで求めることがで
き、図５（Ｂ）に示すような特性となる。また、図５
（Ｃ）に示すように電流密度分布が均一でなく、式
（２）に示すような関数に近似される場合には基準電流
値は∫Ｊｄｓ＝∫（ａＳ＋ｂ）ｄＳ＝ａＳ2 ／２＋ｂ・
Ｓ・・・（３）で求められ、例えば図５（Ｄ）に示すよ
う特性を得る。
【００４８】目標とするビームサイズＳを式（３）に代
入することにより基準電流値を求める。
入することにより基準電流値を求める。
【００４９】ここで、基準電流値はＸ方向とＹ方向とで
夫々式（３）を用いて求める。
夫々式（３）を用いて求める。
【００５０】次に、調整回数の判断が行なわれる（ステ
ップＳ１−４）。ステップＳ１−４で所定回数調整が行
なわれても調整が終了しない場合には処理は終了し、ま
た、所定回数以内であれば、以下に説明する処理が所定
回数になるまで実行される。
ップＳ１−４）。ステップＳ１−４で所定回数調整が行
なわれても調整が終了しない場合には処理は終了し、ま
た、所定回数以内であれば、以下に説明する処理が所定
回数になるまで実行される。
【００５１】次に、スリットデフレクタ部１６を制御し
て、図１０（Ｂ）に示すようにＸ方向に細長いビームを
生成し、Ｘ方向の電流値Ｉｘをファラデーカップ２９及
び電流計３３により検出する（Ｓ１−５）。
て、図１０（Ｂ）に示すようにＸ方向に細長いビームを
生成し、Ｘ方向の電流値Ｉｘをファラデーカップ２９及
び電流計３３により検出する（Ｓ１−５）。
【００５２】ファラデーカップ２９及び電流計３３で検
出した検出電流値Ｉｘを基準電流値Ｉｘ0 と比較し、そ
の差分が予め決められた許容範囲内か否かを判別する
（ステップＳ１−６）。ステップＳ１−６で、検出電流
値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にある
ときには次にスリットデフレクタ部１６を制御して、図
１０（Ｃ）に示すようにＹ方向に細長いビームを生成
し、Ｙ方向の電流値Ｉｙをファラデーカップ２９及び電
流計３３により検出する（ステップＳ１−７）。
出した検出電流値Ｉｘを基準電流値Ｉｘ0 と比較し、そ
の差分が予め決められた許容範囲内か否かを判別する
（ステップＳ１−６）。ステップＳ１−６で、検出電流
値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にある
ときには次にスリットデフレクタ部１６を制御して、図
１０（Ｃ）に示すようにＹ方向に細長いビームを生成
し、Ｙ方向の電流値Ｉｙをファラデーカップ２９及び電
流計３３により検出する（ステップＳ１−７）。
【００５３】ステップＳ１−７で検出した検出電流値Ｉ
ｙと基準電流値Ｉｙとを比較し、その差分が予め決めら
れた許容範囲内か否かを判別する（ステップＳ１−
８）。
ｙと基準電流値Ｉｙとを比較し、その差分が予め決めら
れた許容範囲内か否かを判別する（ステップＳ１−
８）。
【００５４】ステップＳ１−８で、検出電流値Ｉｙと基
準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にあるときには調
整を終了する（ステップＳ１−９）。
準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にあるときには調
整を終了する（ステップＳ１−９）。
【００５５】また、ステップＳ１−６で検出電流値Ｉｘ
と基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ１−１０）。
と基準電流値Ｉｘ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｘと基準電流値Ｉｘ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ１−１０）。
【００５６】ステップＳ１−１０で、（検出電流値Ｉ
ｘ）＞（基準電流値Ｉｘ0 ）のときにはＸ方向のスリッ
トオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ小さくする（ス
テップＳ１−１１）。また、ステップＳ１−１０で（検
出電流値Ｉｘ）＜（基準電流値Ｉｘ0 ）のときにはＸ方
向のスリットオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ大き
くする（ステップＳ１−１２）。
ｘ）＞（基準電流値Ｉｘ0 ）のときにはＸ方向のスリッ
トオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ小さくする（ス
テップＳ１−１１）。また、ステップＳ１−１０で（検
出電流値Ｉｘ）＜（基準電流値Ｉｘ0 ）のときにはＸ方
向のスリットオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ大き
くする（ステップＳ１−１２）。
【００５７】また、ステップＳ１−８で検出電流値Ｉｙ
と基準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｙと基準電流値Ｉｙ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ１−１３）。
と基準電流値Ｉｙ0 との差分が許容範囲内にないときに
は次に検出電流値Ｉｙと基準電流値Ｉｙ0 との大小関係
を比較する（ステップＳ１−１３）。
【００５８】ステップＳ１−１３で、（検出電流値Ｉ
ｙ）＞（基準電流値Ｉｙ0 ）のときにはＹ方向のスリッ
トオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ小さくする（ス
テップＳ１−１４）。また、ステップＳ２−１２で（検
出電流値ｙ）＜（基準電流値ｙ 0 ）のときにはＹ方向の
スリットオフセット補正係数Ｙを任意の量だけ大きくす
る（ステップＳ１−１５）。
ｙ）＞（基準電流値Ｉｙ0 ）のときにはＹ方向のスリッ
トオフセット補正係数Ｘを任意の量だけ小さくする（ス
テップＳ１−１４）。また、ステップＳ２−１２で（検
出電流値ｙ）＜（基準電流値ｙ 0 ）のときにはＹ方向の
スリットオフセット補正係数Ｙを任意の量だけ大きくす
る（ステップＳ１−１５）。
【００５９】以上ステップＳ１−５〜Ｓ１−１５を繰り
返すことにより検出電流値Ｉｘ，Ｉｙと基準電流値Ｉｘ
0 ，Ｉｙ0 との差分を許容範囲内とし、調整処理を終了
する。
返すことにより検出電流値Ｉｘ，Ｉｙと基準電流値Ｉｘ
0 ，Ｉｙ0 との差分を許容範囲内とし、調整処理を終了
する。
【００６０】また、ステップＳ１−５〜Ｓ１−１５を所
定の回数繰り返しても差分が許容範囲内に治まらないと
きにはそのままでは補正が行なえないため、補正処理は
終了し、装置の入力的な調整を行なう。
定の回数繰り返しても差分が許容範囲内に治まらないと
きにはそのままでは補正が行なえないため、補正処理は
終了し、装置の入力的な調整を行なう。
【００６１】図６に本発明の他の実施例の動作説明図を
示す。本実施例もその構成は図７と同一で駆動制御装置
３０の動作が異なるものであるからその構成について説
明を省略する。
示す。本実施例もその構成は図７と同一で駆動制御装置
３０の動作が異なるものであるからその構成について説
明を省略する。
【００６２】また、図６中、図２と同一動作手順部分に
は同一符号を付し、その説明は省略する。
は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００６３】本実施例は電流密度分布を関数で近似せず
にマップデータを作成し、マップデータに基づいて基準
電流Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を求めるものである。この場合、第
１実施例と同様、試料上のドットマーク（シリコンウェ
ハ上のタンタルドットマーク。０．２〜０．５μｍ角程
度の大きさ））をビームでｘ，ｙ方向に２次元走査し、
電子信号ｇd （ｘ，ｙ）を取得する（ステップＳ３−
１）。
にマップデータを作成し、マップデータに基づいて基準
電流Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を求めるものである。この場合、第
１実施例と同様、試料上のドットマーク（シリコンウェ
ハ上のタンタルドットマーク。０．２〜０．５μｍ角程
度の大きさ））をビームでｘ，ｙ方向に２次元走査し、
電子信号ｇd （ｘ，ｙ）を取得する（ステップＳ３−
１）。
【００６４】ステップＳ３−１の計測の際に用いたビー
ムサイズ（３μｍ×３μｍ）での電流値Ｉｄを計測する
（ステップＳ３−２）。
ムサイズ（３μｍ×３μｍ）での電流値Ｉｄを計測する
（ステップＳ３−２）。
【００６５】ステップＳ３−１で計測したｇd （ｘ，
ｙ）と、そのｘ，ｙにわたる総和Σｇ d （ｘ，ｙ）と、
ステップＳ３−２で求めた電流値Ｉｄにて、電流密度マ
ップデータを σ（ｘ，ｙ）＝（Ｉｄ／Σｇd （ｘ，ｙ))・ｇd （ｘ，ｙ） ・・・式（４） により算出する（ステップＳ３−３）。
ｙ）と、そのｘ，ｙにわたる総和Σｇ d （ｘ，ｙ）と、
ステップＳ３−２で求めた電流値Ｉｄにて、電流密度マ
ップデータを σ（ｘ，ｙ）＝（Ｉｄ／Σｇd （ｘ，ｙ))・ｇd （ｘ，ｙ） ・・・式（４） により算出する（ステップＳ３−３）。
【００６６】ステップＳ３−１〜Ｓ３−３で求めたマッ
プデータσ（ｘ，ｙ）を電流密度分布とする。ビームサ
イズ（ＳＸ，ＳＹ）の電流値Ｉ（ＳＸ，ＳＹ）を算出す
る際には、ステップＳ３−１の走査ステップをΔＸ，Δ
Ｙとする時、 Ｉ（ＳＸ，ＳＹ）＝Σ（σ（ｘ，ｙ）・ΔＸ・ΔＹ） （和は０≦ｘ≦ＳＸ、０≦ｙ≦ＳＹにわたって取る。）
により求められる。
プデータσ（ｘ，ｙ）を電流密度分布とする。ビームサ
イズ（ＳＸ，ＳＹ）の電流値Ｉ（ＳＸ，ＳＹ）を算出す
る際には、ステップＳ３−１の走査ステップをΔＸ，Δ
Ｙとする時、 Ｉ（ＳＸ，ＳＹ）＝Σ（σ（ｘ，ｙ）・ΔＸ・ΔＹ） （和は０≦ｘ≦ＳＸ、０≦ｙ≦ＳＹにわたって取る。）
により求められる。
【００６７】このようにして求めた基準電流値Ｉｘ0 ，
Ｉｙ0 を用いて、図２と同様の方法でスリットオフセッ
トを算出する。
Ｉｙ0 を用いて、図２と同様の方法でスリットオフセッ
トを算出する。
【００６８】以上、上述の実施例によれば、電子ビーム
の電流密度分布を求め、求めた電流密度分布に基づいて
補正の基準となる基準電流値Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を求めてい
るため、実際のビームの電流密度分布での目標とするサ
イズのビームに応じた電流値を基準電流値として得るこ
とができ、したがって、この基準電流値に測定した電流
値を近づけるように補正を行なうことにより、目標とす
るサイズのビームを確実に得ることができる。なお、本
実施例ではファラデーカップ２９及び電流計３３により
電子ビームの電流値を検出したがこれに限ることはな
く、反射電子検出器を用いても同様な効果が得られる。
の電流密度分布を求め、求めた電流密度分布に基づいて
補正の基準となる基準電流値Ｉｘ0 ，Ｉｙ0 を求めてい
るため、実際のビームの電流密度分布での目標とするサ
イズのビームに応じた電流値を基準電流値として得るこ
とができ、したがって、この基準電流値に測定した電流
値を近づけるように補正を行なうことにより、目標とす
るサイズのビームを確実に得ることができる。なお、本
実施例ではファラデーカップ２９及び電流計３３により
電子ビームの電流値を検出したがこれに限ることはな
く、反射電子検出器を用いても同様な効果が得られる。
【００６９】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、所定サイ
ズの電子ビームの電流分布を測定し、測定した電流分布
に応じて目標とするサイズの電子ビームの基準電流値を
求め、この基準電流値に基づいて補正を行なうため、目
標サイズ及び電流分布に対応した正確な補正が行なえる
等の特長を有する。
ズの電子ビームの電流分布を測定し、測定した電流分布
に応じて目標とするサイズの電子ビームの基準電流値を
求め、この基準電流値に基づいて補正を行なうため、目
標サイズ及び電流分布に対応した正確な補正が行なえる
等の特長を有する。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図３】本発明の一実施例の要部の動作説明図である。
【図４】本発明の一実施例の他の要部の動作説明図であ
る。
る。
【図５】本発明の一実施例の他の要部の動作説明図であ
る。
る。
【図６】本発明の他の実施例の動作説明図である。
【図７】電子ビーム露光装置の構成図である。
【図８】電子ビーム露光装置の要部の動作説明図であ
る。
る。
【図９】従来の一例の動作説明図である。
【図１０】従来の一例の要部の動作説明図である。
【図１１】従来の一例の他の要部の動作説明図である。
１ 第１の手順 ２ 第２の手順 ３ 第３の手順 ４ 第４の手順 １１ 電子銃 １４ 第１スリット １４ａ スリット穴 １６ スリットデフレクタ部 １７ 第２スリット １７ａ スリット穴 ２９ ファラデーカップ ３０ 駆動制御装置 ３３ 電流計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−234323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−135998（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/04 H01J 37/09 H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】 電子ビームを発生する電子ビーム発生部
と、該電子ビーム発生部で発生された電子ビームを矩形
状に成形する第１のスリットと、該第１のスリットによ
り矩形状に成形された電子ビームより所定のサイズの矩
形状の電子ビームを切り出す第２のスリットと、該第１
のスリットにより成形された電子ビームを偏向させ、該
第２のスリット上に投影し、該電子ビームの偏向量に応
じて該電子ビームのサイズを設定するスリットデフレク
タと、該第２のスリットにより切り出された電子ビーム
の電流を検出する検出手段とよりなる電子ビーム露光装
置のビーム制御方法において、 前記検出手段により前記電子ビームの電流を検出し、検
出された前記電子ビームの検出電流に応じて前記電子ビ
ームの電流密度分布を求める第１の手順（１）と、 前記第１の手順（１）で求めた電流密度分布に基づいて
目標とするサイズの電子ビームの基準電流値を求める第
２の手順（２）と、 前記目標とするサイズに応じて前記スリットデフレクタ
を制御し、そのときの電子ビームの電流値を電流検出手
段により検出する第３の手順（３）と、 前記第２の手順（２）で算出した基準電流値と前記第３
の手順（３）で検出した検出電流値とを比較し、前記基
準電流値と前記検出電流値との差に応じて前記スリット
デフレクタを制御し、目標とするサイズの電子ビームを
得る第４の手順（４）とを有する電子ビーム露光装置の
ビーム制御方法。 - 【請求項２】 前記第２の手順（２）は前記第１の手順
（１）で測定した電流分布を該電流分布に近似した関数
で近似させ、該関数に基づいて目標とするビームサイズ
に対応した基準電流値を算出することを特徴とする請求
項１記載の電子ビーム露光装置のビーム制御方法。 - 【請求項３】 前記第２の手順（２）は前記第１の手順
（１）で測定した所定サイズの電子ビームの電流分布に
基づいて、前記電子ビームの電流密度分布マップを形成
し、該電流密度分布マップに基づいて、目標サイズの電
子ビームの基準電流値を求めることを特徴とする請求項
１記載の電子ビーム露光装置のビーム制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32949693A JP3291096B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子ビーム露光装置のビーム制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32949693A JP3291096B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子ビーム露光装置のビーム制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192667A JPH07192667A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3291096B2 true JP3291096B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=18222023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32949693A Expired - Fee Related JP3291096B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 電子ビーム露光装置のビーム制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3291096B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP32949693A patent/JP3291096B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07192667A (ja) | 1995-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222195B1 (en) | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method | |
| US7692166B2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus | |
| US6835937B1 (en) | Correcting method for correcting exposure data used for a charged particle beam exposure system | |
| JPH0974060A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| US6624430B2 (en) | Method of measuring and calibrating inclination of electron beam in electron beam proximity exposure apparatus, and electron beam proximity exposure apparatus | |
| US5935744A (en) | Method of drawing patterns through electron beam exposure utilizing target subpatterns and varied exposure quantity | |
| JP2001052642A (ja) | 走査型電子顕微鏡及び微細パターン測定方法 | |
| KR20190044508A (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
| JP3464925B2 (ja) | 荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置 | |
| JP2003007613A (ja) | 露光パラメータの取得方法および評価方法、ならびに荷電ビーム露光方法および露光装置 | |
| US8692218B2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus | |
| US20030029998A1 (en) | Electron beam length measuring instrument and length measuring method | |
| US20100270475A1 (en) | Drift measuring method, charged particle beam writing method, and charged particle beam writing apparatus | |
| JPH10106931A (ja) | 電子ビーム露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 | |
| US6881968B2 (en) | Electron beam exposure apparatus, electron beam exposure method, semiconductor device manufacturing method, and electron beam shape measuring method | |
| JPH07192667A (ja) | 電子ビーム露光装置のビーム制御方法 | |
| JP2006294962A (ja) | 電子ビーム描画装置および描画方法 | |
| JP4459524B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置、デバイス製造方法 | |
| JP2834466B2 (ja) | イオンビーム装置及びその制御方法 | |
| JPH11224642A (ja) | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法 | |
| JP3325695B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP2594660B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP3550476B2 (ja) | 荷電粒子ビーム加工方法および加工装置 | |
| JP3714280B2 (ja) | 電子ビーム近接露光装置における電子ビームの傾き測定方法及び傾き較正方法並びに電子ビーム近接露光装置 | |
| JP3157968B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020312 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080322 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090322 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090322 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090322 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100322 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100322 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110322 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |