JP3296881B2

JP3296881B2 - 入力装置

Info

Publication number: JP3296881B2
Application number: JP10144593A
Authority: JP
Inventors: 純一和所
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1993-04-27
Filing date: 1993-04-27
Publication date: 2002-07-02
Anticipated expiration: 2017-07-02
Also published as: JPH06309098A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータなどの情報機器に用いられる入力
装置に関し、特にライトペンなどを用いた光照射によっ
て手書き入力することができる入力装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１１は、従来の入力装置１の構成を示
す断面図である。入力装置１は、液晶素子１０、デジタ
イザ８および入力ペン９を含んで構成される。液晶素子
１０は、透光性基板２，３、透明電極４，５、液晶層６
および接着剤７を含む。たとえばガラスで実現される透
光性基板２，３は、一方表面２ａ，３ａに複数本の帯状
の透明電極４，５が等間隔にそれぞれ形成されている。
該透明電極４，５は、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）で実現される。前記透光性基板２，３の表面２ａ，
３ａは対向するように配置され、かつ前記透明電極４，
５が互いに直交するように配置され、接着剤７で貼合わ
されている。また、基板２，３間には、たとえばネマテ
ィック液晶で実現される液晶層６が配置される。

【０００３】前記液晶素子１０は、たとえばデューティ
駆動によってマトリクス表示が実施される。すなわち、
前記透明電極４，５の交差部分に形成される一画素を表
示させるために、この画素に対応する電極４，５間に表
示のための充分な電圧が印加され、その他の電極４，５
に前記電圧以下の電圧が印加される。また、前記液晶素
子１０の基板３の他方表面３ｂ側には、たとえば磁力線
感知センサや圧電素子などを含む、いわゆるデジタイザ
８が配置される。デジタイザ８は、基板２の他方表面２
ｂ側に配置される入力ペン９で指示することによって生
じる磁界や圧力などを検出する。入力ペン９の指示に対
応した表示は、デジタイザ８の検出結果に基づいて入力
位置を判断し、判断した入力位置に対応する液晶素子１
０の画素が位置する電極４，５間に、表示のための電圧
を印加することで実現される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述したような入力装
置１では、液晶素子１０による表示品位を向上するため
に画素数を増加する必要があり、引出し電極の数が増加
するとともに、電極幅が細くなるという問題がある。た
とえば、２００ｍｍ×１２５ｍｍ程度の表示画面に６４
０ドット×４００ドットの画素を形成する場合は、電極
間ピッチは０．３１２５ｍｍとなる。

【０００５】このため、電極パターンの形成が複雑とな
り、製造が困難となる。また、高価な装置や材料を必要
とするフォトプロセスの導入が不可欠となり、製造コス
トが増加する。さらに、電極幅が細くなると抵抗が増大
して電圧降下が生じ、コントラストが不均一となって表
示品位が低下する。さらに、画素数が増加して電極数が
増加すると、デューティ駆動時の駆動電圧の分割数が増
加し、僅かな電圧差で表示を行うこととなるが、これに
対応した液晶材料が必要であり、開発のための投資が必
要となる。

【０００６】したがって、電極数の増加を必要としな
い、高コントラストかつ高精細な表示機能を備える入力
装置の実現が求められている。

【０００７】本発明の目的は、比較的低コストで製造す
ることができ、かつ高品位な表示機能を備える新規な入
力装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数のアドレ
スが予め設定された入力装置であって、光の照射によっ
て透過状態から散乱状態に変化する液晶材料を一対の透
光性基板間に配置して構成される液晶素子と、前記一対
の透光性基板の一方基板側に配置され、前記アドレスを
表す情報としての凹凸からなるプレピットが複数形成さ
れ、前記凹凸の表面に反射膜が形成されたアドレス基板
と、前記一対の透光性基板の他方基板側から前記アドレ
ス基板に向けて光を照射し、前記反射膜からの反射光で
アドレス信号を検出して指示位置を検出する指示手段と
を含むことを特徴とする入力装置である。

【０００９】

【作用】本発明に従えば、入力装置は、液晶材料が一対
の透光性基板間に配置される液晶素子と、液晶素子の一
方基板側に配置されるアドレス基板と、他方基板側に配
置される指示手段とを含んで構成される。前記液晶材料
は、光の照射によってその状態が透過状態から散乱状態
に変化するものであり、たとえばスメクチック液晶や強
誘電性液晶で実現される。前記アドレス基板には凹凸か
らなるプレピットが複数形成されており、その凹凸の表
面には反射膜が形成されている。前記凹凸は、入力装置
に予め設定されるアドレスを表す情報であり、たとえば
前記液晶素子の表示画面を複数に分割して得られる画素
領域を識別するためのアドレスを表す。前記指示手段
は、液晶素子の他方基板側から前記アドレス基板に向け
て光を照射し、前記反射膜からの反射光でアドレス信号
を検出して指示位置を検出する。

【００１０】指示手段からアドレス基板に向けて光を照
射すると、液晶素子の液晶材料の状態が透過状態から散
乱状態に変化する。すなわち、前記一対の透光性基板に
対して垂直方向に規則的に配列していた液晶分子が、光
（熱）によって不規則な配列となる。液晶分子が規則的
に配列しているときは液晶素子に入射する外光は透過す
るが、不規則に配列しているときは外光は散乱する。こ
のため、白濁表示が実現される。

【００１１】また、指示手段からの光は、アドレス基板
の凹凸表面に形成された反射膜によって反射し、再び指
示手段に入射する。凹所に入射した光は、光の干渉によ
ってその強度が低下するので、反射光の光強度を検出す
ることによって凹凸に対応した情報を検出することがで
きる。該凹凸は液晶素子の表示画面のアドレスを表すも
のであり、反射光を検出することによって指示手段が指
示した位置、すなわち表示位置を検出することができ
る。

【００１２】したがって、指示手段が指示した位置が表
示位置となるので、位置ずれが生じることはなく、また
光を照射する領域を小さくすることによって表示を高精
細化することができる。また、液晶駆動用の電極がなく
ても表示を行うことができるので、高精細化に伴って電
極数が増加し、電極幅が細くなるということはなくな
る。このため、電圧降下が生じてコントラストが低下す
るという不都合は生じない。

【００１３】

【実施例】図１は、本発明の第１の実施例である入力装
置２１の構成を示す断面図である。入力装置２１は、液
晶素子３０、アドレス基板２６および入力ペン３１を含
んで構成される。液晶素子３０は、透光性基板２２，２
３、液晶層２４および接着剤２５を含む。透光性基板２
２，２３は、たとえばガラス、あるいはアクリル樹脂、
ポリエステル樹脂またはエポキシ樹脂などの合成樹脂か
ら成り、互いに数μｍ〜十数μｍの間隔をあけて対向配
置され、接着剤２５によって貼合わされている。また、
基板２２，２３の間には液晶層２４が配置されている。
液晶層２４は、たとえばスメクチック液晶または強誘電
性液晶から成る。本実施例では、

【００１４】

【化１】

【００１５】などのシロキサンポリマーの骨格を持った
フェニルエステル系の液晶高分子と、たとえば

【００１６】

【化２】

【００１７】あるいは

【００１８】

【化３】

【００１９】などのビフェニル系およびフェニルエステ
ル系の比較的低分子量の液晶とを混合した液晶材料、す
なわちスメクチックな構造を持つ液晶材料を使用した。

【００２０】上述した透光性基板２２，２３、液晶層２
４および接着剤２５は、液晶素子３０を構成しており、
該液晶素子３０の基板２３側にはアドレス基板２６が配
置される。アドレス基板２６は、ガラスやポリカーボネ
イトなどの透光性を有する基板２７の一方表面２７ａ
に、１００ｎｍ程度の深さのピット列から成るプレピッ
ト部２８が形成され、さらにその上にアルミニウムなど
から成る反射膜２９が形成されたもので実現される。プ
レピット部２８は、前記液晶素子３０の表示画面を複数
に分割して得られる画素を識別するアドレスを表す。ア
ドレス基板２６は、前記基板２７の他方表面２７ｂと液
晶素子３０の基板２３表面とが対向するように配置され
る。

【００２１】指示手段である入力ペン３１は、液晶素子
３０の基板２２側に配置されて光３１ａを液晶素子３０
およびアドレス基板２６に向けて照射する。該光３１ａ
はアドレス基板２６の反射膜２９で反射し、再び入力ペ
ン３１に入射する。このような入力ペン３１には、照射
した光３１ａの焦点が自動的にプレピット部２８に合う
ように、たとえば反射膜２９で反射した光をアドレス信
号と分離して監視することによって焦点ぼけを検出し、
フィードバックを行う非点収差法やフーコー法などの光
ディスクの自動焦点制御技術が応用されている。

【００２２】図２は、書込み・消去のメカニズムを説明
するための図である。本実施例で使用したスメクチック
な構造を持つ液晶は、光（熱）よって、液晶分子の状態
がフォーカルコニック状態あるいはホメトロピック状態
となる。前者のフォーカルコニック状態では液晶分子が
基板２２，２３間で不規則に配列し、液晶層２４に入射
した光は散乱する。このため、透過率の低い状態（書込
み状態）となる。後者のホメオトロピック状態では液晶
分子が基板２２，２３に対して垂直方向に規則的に配列
し、液晶層２４に入射した光は透過する。このため、透
過率の高い状態（消去状態）となる。本実施例は、この
ような２つの状態を用いて書込み・消去を行うものであ
るが、この２つの状態は次のようにして制御される。

【００２３】すなわち、本実施例で使用した液晶は、あ
る温度まで加熱すると等方性液体となるが、これを急冷
するとフォーカルコニック状態となり、徐冷するとホメ
オトロピック状態となる。また、この液晶は可逆的にフ
ォーカルコニック状態あるいはホメオトロピック状態と
することができる。液晶を等方性液体とする加熱手段と
しては、前記入力ペン３１から照射される光（熱）３１
ａが利用される。

【００２４】図３は、書込み・消去時において、入力ペ
ン３１から照射される光（熱）３１ａの印加パルス波
形、およびそれに伴う液晶層２４の透過率変化を示す図
である。書込み時には、期間Ｔ１の間で入力ペン３１が
直流駆動され、光３１ａが連続照射される。このため、
液晶層２４が急激に加熱されて等方性液体となる。入力
ペン３１が移動すると液晶層２４が急激に冷却されてフ
ォーカルコニック状態となり、透過率が低下して書込み
が実施される。

【００２５】一方、消去時には、期間Ｔ２の間で入力ペ
ン３１がパルス駆動され、光３１ａが断続的に照射され
る。このとき、照射光３１ａの周波数は、たとえば１Ｋ
Ｈｚ〜数ＫＨｚ程度とされる。光３１ａが断続的に照射
されると、照射光の実効値が低下して緩やかな加熱が行
われて液晶層２４が等方性液体となる。入力ペン３１が
移動すると液晶層２４が徐々に冷却されてホメオトロピ
ック状態となり、透過率が上昇して消去が実施される。
なお、消去の方法はこれに限るものではなく、たとえば
基板２２，２３にＩＴＯなどから成る透明電極を形成し
て電界を印加しながら冷却する方法であっても可能であ
る。

【００２６】図４は、前記入力ペン３１の構成を示す図
である。入力ペン３１は、半導体レーザ６１、カップリ
ングレンズ６２、偏光ビームスプリッタ６３、１／４波
長板６４、対物レンズ６５、アクチュエータ６６、集光
レンズ６７およびフォトディテクタ６８を含んで構成さ
れる。半導体レーザ６１、カップリングレンズ６２、偏
光ビームスプリッタ６３、１／４波長板６４および対物
レンズ６５は、同一光軸上に配置される。

【００２７】半導体レーザ６１は、レーザ駆動回路６９
の制御に基づいて、たとえば波長７８０ｎｍ〜８３０ｎ
ｍ程度のレーザ光を一方向に照射する。前記レーザ駆動
回路６９は、半導体レーザ６１を直流駆動するか、ある
いはパルス駆動するかの制御を行う。偏光ビームスプリ
ッタ６３は、図４に示されるｘ軸方向に振動する成分の
光（以下、「Ｐ偏光」という）を完全に透過し、ｙ軸方
向に振動する成分の光（以下、「Ｓ偏光」という）を完
全に反射する。このため、前記半導体レーザ６１から照
射され、カップリングレンズ６２を通過した光のうちの
Ｐ偏光が偏光ビームスプリッタ６３を通過する。通過し
た光は１／４波長板６４によって円偏光となり、アクチ
ュエータ６６上に設置されている対物レンズ６５を通過
して入力ペン３１の先端部から出射する。

【００２８】入力ペン３１からの光は、アドレス基板２
６の反射膜２９で反射して、再び入力ペン３１に入射す
るが、この反射光は位相がずれることによって円偏光の
回転方向が反転して、再び対物レンズ６５および１／４
波長板６４を通過する。１／４波長板６４を通過した反
射光は直線偏光となるが、このとき振動方向が９０°ず
れたＳ偏光となる。Ｓ偏光の反射光は、偏光ビームスプ
リッタ６３で反射され、集光レンズ６７を通過してフォ
トディテクタ６８に入射する。

【００２９】たとえば２分割フォトダイオードで実現さ
れるフォトディテクタ６８に前記反射光が入射すると、
フォトディテクタ６８の電極に電流が流れる。該電流
は、フォトディテクタ６８に接続された増幅器７０ａに
よって増幅され、処理回路７２に入力される。処理回路
７２は、プレピット部２８のアドレス信号を検出する。
処理回路７２で検出されたアドレス信号は、たとえば他
の表示手段に入力したり、記憶手段に記憶することがで
きる。また、前記フォトディテクタ６８の電極に流れる
電流は、フォトディテクタ６８に接続された比較器７０
ｂで基準電流と比較され、フォーカシング駆動回路７１
に入力される。フォーカシング駆動回路７１は、比較結
果に基づいてアクチュエータ６６の動作を制御し、アク
チュエータ６６上に設置される対物レンズ６５を上下方
向に駆動して自動的に焦点ぼけを調整する。

【００３０】図５は、図１の符号３２で示される入力ペ
ン３１の先端部を拡大して示す断面図である。入力ペン
３１の先端部には、中空の球状のヘッド７５が設けられ
ている。すなわち、ヘッド７５が設けられている入力ペ
ン３１のフレーム７３の先端部７３ａは、ヘッド７５よ
りも少しだけ大きい球状を成しており、この先端部７３
ａにヘッド７５が回転可能な状態で支持されている。該
ヘッド７５には、前記光軸上に挿通孔７５ａ，７５ｂが
設けられており、入力ペン３１の最先端部にあたる挿通
孔７５ａとは反対の挿通孔７５ｂには前記対物レンズ６
５が固定される。また、入力ペン３１が液晶素子３０の
基板２２表面に対して傾斜した状態で指示された場合で
あっても、ヘッド７５が回転して対物レンズ６５が常に
前記表面に対して垂直となるように調整される。さら
に、前記半導体レーザ６１からの光は、ガラスファイバ
７４によって対物レンズ６５に導かれる。ガラスファイ
バ７４は柔軟性を有しており、入力ペン３１の傾斜に伴
ってガラスファイバ７４も曲げられるので、光軸がずれ
ることはない。

【００３１】図６は、前記アクチュエータ６６の構成を
示す分解斜視図である。アクチュエータ６６はコイル８
１，８２、板バネ８３，８４、フレーム８５，ヨーク８
６ａ〜８６ｃ，磁石８７ａ，８７ｂおよび基板８８を含
んで構成される。

【００３２】コイル８１は、コイル８１上にホルダ６５
ａとともに固定される対物レンズ６５を上下方向に駆動
するためのものである。また、複数のコイル８２は、前
記対物レンズ６５を水平方向に駆動するためのものであ
る。複数のコイル８２は、前記コイル８１の対向する側
面８１ａに、たとえば接着剤によって接着されてそれぞ
れ固定される。このようなコイル８１には複数の板バネ
８３，８４がたとえば接着剤によって接着される。板バ
ネ８３の一方端部は、コイル８１のコイル８２が固定さ
れた側面８１ａに対して垂直方向の上面８１ｂに固定さ
れる。このとき、コイル８１の中心付近は光が通過する
ため、板バネ８３によって光が遮断されることのないよ
うに固定される。また、板バネ８４の一方端部は、コイ
ル８１のコイル８２が固定された側面８１ａ以外の側面
８１ｃに固定される。

【００３３】前記複数の板バネ８３，８４がフレーム８
５に取付けられることによって、コイル８１，８２がフ
レーム８５に固定される。すなわち、前記板バネ８３，
８４のコイル８１に固定された一方端部とは反対の他方
端部には、複数の挿通孔８３ａ，８４ａが形成されてい
る。また、フレーム８５には複数のねじ孔８５ａが形成
されている。前記板バネ８３，８４の挿通孔８３ａ，８
４ａと対応するフレーム８５のねじ孔８５ａとが合わさ
れて螺嵌される。したがって、前記コイル８１，８２
は、上下および水平方向に可動な状態で固定される。

【００３４】フレーム８５に固定されたコイル８１，８
２の下部からは磁石８７ａ，８７ｂが、コイル８１，８
２に接触しないようにして配置されてフレーム８５に固
定される。すなわち、基板８８の両端部に磁石８７ａ，
８７ｂがそれぞれ固定され、その上にヨーク８６ａ，８
６ｂがそれぞれ形成される。また、磁石８７ａ，８７ｂ
が固定された基板８８の中心付近にはヨーク８６ｃが前
記ヨーク８６ａ，８６ｂとは間をあけて形成される。こ
の様な基板８８が前記コイル８１，８２の下部からフレ
ーム８５に固定される。また、基板８８の中心付近に設
けられるヨーク８６ｃには、前記半導体レーザ６１から
の光が通過するための挿通孔８６ｄが設けられている。

【００３５】コイル８１，８２にそれぞれ電流を通じる
と、板バネ８３，８４が上下あるいは水平方向に駆動す
る。上下方向への駆動は前記フォーカシング駆動回路７
１の制御に基づいて、コイル８１に電流を通じることに
よって実施される。また、水平方向への駆動は、コイル
８２に、たとえば数Ｈｚ〜数１０Ｈｚの周波数で電流を
通じることによって実施される。したがって、コイル８
１上に固定される対物レンズ６５が上下および水平方向
に駆動し、レーザスポットは焦点が合った状態で水平方
向に微少に振動する。

【００３６】図７は、液晶素子３０の表示画面を示す平
面図である。液晶素子３０の表示画面は、たとえば２０
０ｍｍ×１２５ｍｍの大きさとされる。また、図示され
るように、たとえば視認性の限界である大きさ、すなわ
ち７０μｍ×７０μｍを１ドット（１画素）４１の大き
さとすると、液晶素子３０の表示画面は、約２９００ド
ット×約１８００ドット＝約５２２００００ドットとな
り、このドット数に対応したアドレスが必要となる。

【００３７】図８は、プレピット部２８に形成された１
アドレス分の複数のピット４２を示す平面図である。プ
レピット部２８には、前述したように１００ｎｍ程度の
深さのピット４２が複数個形成されている。１ピットの
大きさは、０．８μｍ程度であり、ピットの繰返しピッ
チは最密状態で１．６μｍとされる。アドレスは、２進
数で表すと、３バイト（＝２４ビット；１０進数で１６
７７７２１６まで表記可能）でよく、長手方向の長さを
３８．４μｍ（＝１．６μｍ×２４ビット）としたピッ
ト列を最大で４３列（＝７０μｍ÷１．６μｍ）作るこ
とができる。

【００３８】図９は、アドレス信号Ａの再生原理を説明
するための図である。図９（１）はプレピット部２８を
示す平面図であり、図９（２）はアドレス信号Ａを示す
波形図である。入力ペン３１の光３１ａを前述したよう
な機械的手段で微小に振動させたときに、該光３１ａが
プレピット部２８を通過した軌跡は、たとえば図９
（１）の符号４３で示される走査経路をたどる。光３１
ａの照射スポット４４は１．０μｍとされ、前述したよ
うにピット４２の大きさが０．８μｍ程度であり、かつ
ピットピッチが１．６μｍであるときには、光３１ａが
隣接するピット４２に重ならないので、良好な再生特性
が得られる。また、該光３１ａが、最大で４３列作るこ
とができる同一のアドレス信号を示すピット列の中か
ら、１列分のピットを照射してアドレス信号を検出する
ことができれば、光３１ａを照射した位置の特定が可能
となる。

【００３９】このようにして図９（１）に示されるピッ
ト４２の走査を行うと、図９（２）に示されるようなア
ドレス信号Ａが得られる。すなわち、ピット４２の凹所
に光３１ａが当たると、ピット面とその周囲面とからの
反射光は互いに干渉して、前記対物レンズ６５外に回折
し、レンズ６５に戻る光量が減少してアドレス信号Ａの
強度が低下する。このため、凹凸に対応したアドレス信
号Ａが得られる。

【００４０】続いて、本発明の第２の実施例について説
明する。第２の実施例の入力装置は、第１の実施例の入
力装置２１とほぼ同じように構成されるが、液晶層２４
として強誘電性液晶を用い、基板２２，２３の液晶層２
４側表面にそれぞれ透明電極が形成されており、さらに
表示素子を介して一対の偏光板がクロスニコルに配置さ
れていることを特徴とする。

【００４１】強誘電性液晶としては、前記実施例のスメ
クチックな構造を持つ液晶によく似たフェニルピリミジ
ン系の骨格に光学活性なキラル構造をもたせ、さらに自
発分極を大きくするために、以下に示される極性基など
を分子鎖の両端につけた液晶材料を用いた。

【００４２】

【化４】

【００４３】あるいは

【００４４】

【化５】

【００４５】図１０は、本発明の第２の実施例の入力装
置の動作原理を説明するための断面図である。第２の実
施例の液晶素子５１は、前記透光性基板２２，２３に対
応した透光性基板５２，５３と、透明電極５４，５５
と、液晶層５６とを含んで構成される。基板５２，５３
間には、前述した液晶材料で実現される液晶層５６が介
在され、基板５２，５３の液晶層５６側表面に透明電極
５４，５５が形成されている。該電極５４，５５は、た
とえばＩＴＯで実現され、基板５２，５３の全面に形成
されている。また、本実施例で用いた強誘電性液晶は、
基板５２，５３に対して垂直方向に並んだ液晶分子５６
ａの自発分極の向きθが揃っている。

【００４６】図１０（１）は、液晶層５６を基板５２，
５３間に配置した初期状態を示す。すなわち、初期状態
では、液晶分子５６ａの自発分極の向きθは、＋θと−
θとになっている。これに、電界＋Ｅを印加すると、図
１０（２）に示されるように自発分極の向きθが−θに
揃う。また、電界−Ｅを印加すると、図１０（３）に示
されるように自発分極の向きθが＋θに揃う。また、こ
の印加した電界＋Ｅ，−Ｅを除去しても、図１０（２）
あるいは図１０（３）に示される２つの状態がそれぞれ
保持され、いわゆるメモリ特性を示す。したがって、た
とえば自発分極の向きθが−θに揃った状態で光が遮断
され、＋θに揃った状態で光が透過するように偏光板を
配置すれば、書込み・消去が可能となる。

【００４７】すなわち、前記入力ペン３１を直流駆動
し、液晶素子５１に光３１ａを連続照射して加熱する
と、液晶層５６の液晶分子５６ａが等方性液体となる。
さらに、電界＋Ｅを印加しながら冷却すると、図１０
（２）に示されるように液晶分子５６ａの自発分極の向
きθが−θに揃う。この状態では入射光が遮断され、書
込みが実現される。また、等方性液体の状態から電界−
Ｅを印加しながら冷却すると、図１０（３）に示される
ように液晶分子５６ａの自発分極の向きθが＋θに揃
う。この状態では入射光が透過され、消去が実現され
る。

【００４８】以上のように本実施例によれば、入力ペン
３１から光３１ａを照射することによって表示すること
ができるとともに、光３１ａを照射した位置、すなわ
ち、表示位置を検出することが可能となる。また、光３
１ａを照射した位置と表示位置とが一致しているので位
置ずれがなくなる。さらに、光３１ａの照射スポットを
小さくすることによって高精細な表示を行うことが可能
となる。さらに、液晶駆動用の電極を形成する必要はな
いので、従来において生じていた高精細化に伴って電極
数が増大することや電極幅が細くなることがなくなる。
このため、電圧降下が生じてコントラストが低下すると
いう不都合は生じない。また、電極形成のための工程が
簡素化されて材料費が低減し、製造コストが低減する。
したがって、表示品位が向上するとともに良品率が向上
する。

【００４９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、指示手段
からの光の反射光を検出することによって指示した位置
を検出することが可能となる。また、指示手段からの光
によって表示することができるので、指示した位置が表
示位置となり、位置ずれが生じることはなくなる。さら
に、アドレスを表わす情報としての凹凸からなるプレピ
ットが複数形成され、前記凹凸の表面に反射膜が形成さ
れたアドレス基板を用いるから、光の照射スポットを小
さくすることによって表示を高精細化することができ、
加えて、駆動用の電極が不要となるので、表示の高精細
化に伴う電極数の増加や電極幅が細くなることはなく、
コントラストが低下するということはなくなる。したが
って、高品位な表示機能を備える入力装置を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例である入力装置２１の構
成を示す断面図である。

【図２】書込み・消去のメカニズムを説明するための図
である。

【図３】入力ペン３１から照射される光（熱）３１ａの
印加パルス波形および液晶層２４の透過率変化を示す図
である。

【図４】入力ペン３１の構成を示す図である。

【図５】入力ペン３１の先端部を拡大して示す断面図で
ある。

【図６】アクチュエータ６６の構成を示す分解斜視図で
ある。

【図７】液晶素子３０の表示画面を示す平面図である。

【図８】プレピット部２８に形成された１アドレス分の
複数のピット４２を示す平面図である。

【図９】アドレス信号Ａの再生原理を説明するための図
である。

【図１０】本発明の第２の実施例の入力装置の動作原理
を説明するための断面図である。

【図１１】従来の入力装置１の構成を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

２１入力装置２２，２３，５２，５３透光性基板２４，５６液晶層２６アドレス基板２８プレピット部２９反射膜３０，５１液晶素子３１入力ペン６１半導体レーザ６８フォトディテクタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06F 3/033 350 G02F 1/1333 500 G02F 1/1335 520 G06F 3/03 310

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のアドレスが予め設定された入力装
置であって、光の照射によって透過状態から散乱状態に変化する液晶
材料を一対の透光性基板間に配置して構成される液晶素
子と、前記一対の透光性基板の一方基板側に配置され、前記ア
ドレスを表す情報としての凹凸からなるプレピットが複
数形成され、前記凹凸の表面に反射膜が形成されたアド
レス基板と、前記一対の透光性基板の他方基板側から前記アドレス基
板に向けて光を照射し、前記反射膜からの反射光でアド
レス信号を検出して指示位置を検出する指示手段とを含
むことを特徴とする入力装置。