JP3302068B2 - 医療用超音波診断装置の超音波プローブ - Google Patents
医療用超音波診断装置の超音波プローブInfo
- Publication number
- JP3302068B2 JP3302068B2 JP00272093A JP272093A JP3302068B2 JP 3302068 B2 JP3302068 B2 JP 3302068B2 JP 00272093 A JP00272093 A JP 00272093A JP 272093 A JP272093 A JP 272093A JP 3302068 B2 JP3302068 B2 JP 3302068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ultrasonic
- piezoelectric body
- groove
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、医療用超音波診断装置
に用いる超音波プローブに関する。
に用いる超音波プローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】医療用超音波診断装置に用いる超音波プ
ローブにはアレイ型トランスデューサーを備えたものが
あり、超音波を送受信する際、各アレイ間で所定の時間
遅れを設定可能になっている。
ローブにはアレイ型トランスデューサーを備えたものが
あり、超音波を送受信する際、各アレイ間で所定の時間
遅れを設定可能になっている。
【０００３】図４は、超音波プローブに備えた従来のア
レイ型トランスデューサーを斜視図で示したものであ
る。従来のアレイ型トランスデューサー１は、超音波を
送受信可能な圧電体２と、被検者と圧電体２との間の音
響整合を図るための整合層すなわちマッチング層３と、
圧電体２から後方へ向かう超音波を吸収可能な音響制動
層すなわちバッキング層４とを層状に形成して層構造と
し、これに所定の溝５を設けてある。
レイ型トランスデューサーを斜視図で示したものであ
る。従来のアレイ型トランスデューサー１は、超音波を
送受信可能な圧電体２と、被検者と圧電体２との間の音
響整合を図るための整合層すなわちマッチング層３と、
圧電体２から後方へ向かう超音波を吸収可能な音響制動
層すなわちバッキング層４とを層状に形成して層構造と
し、これに所定の溝５を設けてある。
【０００４】アレイ型トランスデューサーを製造するに
は、まず、ゴムあるいは樹脂を加熱あるいは加圧するこ
とによってバッキング層４を所定の寸法に仕上げ、次い
で、この上に圧電体２、マッチング層３を加熱あるいは
加圧作用等で順次接続し、次いで、ダイシングマシン等
を用いて層構造に溝５を加工してアレイ構造とする。こ
れらの製造工程においては、完成されたアレイのピッチ
が所定の精度になるように十分、その精度を管理する必
要がある。
は、まず、ゴムあるいは樹脂を加熱あるいは加圧するこ
とによってバッキング層４を所定の寸法に仕上げ、次い
で、この上に圧電体２、マッチング層３を加熱あるいは
加圧作用等で順次接続し、次いで、ダイシングマシン等
を用いて層構造に溝５を加工してアレイ構造とする。こ
れらの製造工程においては、完成されたアレイのピッチ
が所定の精度になるように十分、その精度を管理する必
要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、まず、
バッキング層４を形成する際に加熱あるいは加圧するた
め、バッキング層自体の仕上げ精度には限界がある。ま
た、バッキング層４を高精度に仕上げることができたと
しても、圧電体２との接続工程において加熱処理を行う
ため、バッキング層４に熱膨脹あるいは熱収縮が生じ、
その結果、バッキング層の上面がマッチング層の上面と
平行にならない場合がある。また、バッキング層は、ゴ
ムあるいは樹脂等でできているため、本来、高い精度で
機械加工を施しにくい。
バッキング層４を形成する際に加熱あるいは加圧するた
め、バッキング層自体の仕上げ精度には限界がある。ま
た、バッキング層４を高精度に仕上げることができたと
しても、圧電体２との接続工程において加熱処理を行う
ため、バッキング層４に熱膨脹あるいは熱収縮が生じ、
その結果、バッキング層の上面がマッチング層の上面と
平行にならない場合がある。また、バッキング層は、ゴ
ムあるいは樹脂等でできているため、本来、高い精度で
機械加工を施しにくい。
【０００６】このように、マッチング層上面からバッキ
ング層上面までの深さの精度を十分確保することが困難
であるため、従来、溝深さを大きめの値に設定して溝加
工を行っていた。
ング層上面までの深さの精度を十分確保することが困難
であるため、従来、溝深さを大きめの値に設定して溝加
工を行っていた。
【０００７】しかし、溝深さの増大は、加工時間を長く
し、溝加工工程でのスループットを低下させる原因とな
るのみならず、アレイピッチが小さい場合には、溝蛇
行、アレイ素子破損等にもつながる。
し、溝加工工程でのスループットを低下させる原因とな
るのみならず、アレイピッチが小さい場合には、溝蛇
行、アレイ素子破損等にもつながる。
【０００８】また、加熱工程の際にバッキング層内部に
生じた内部応力が溝加工によって解放され、その結果、
アレイピッチが変化するという欠点もあった。
生じた内部応力が溝加工によって解放され、その結果、
アレイピッチが変化するという欠点もあった。
【０００９】本発明は、上述した事情を考慮してなされ
たもので、マッチング層上面からバッキング層上面まで
の深さの精度を確保して溝加工のスループットを改善す
るとともに溝加工を行ってもアレイピッチに変化が生じ
ないようにし、さらに微小ピッチでアレイを形成可能な
超音波プローブを提供することを目的とする。
たもので、マッチング層上面からバッキング層上面まで
の深さの精度を確保して溝加工のスループットを改善す
るとともに溝加工を行ってもアレイピッチに変化が生じ
ないようにし、さらに微小ピッチでアレイを形成可能な
超音波プローブを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の医療用超音波診断装置の超音波プローブ
は、超音波を送受信可能な圧電体の両面に整合層および
バッキング層をそれぞれ形成して層構造とし、この層構
造に前記超音波の送受面に垂直な方向から複数の溝を形
成してアレイ構造としたアレイ型トランスデューサーを
備えた超音波プローブであり、前記バッキング層を、前
記溝の形成に伴う機械応力および熱応力に対する変形量
が少ない非金属無機材料又は金属材料で形成された基板
層と、この基板層の前記圧電体側の面に形成され且つ超
音波中心周波数の２分の１波長又は４分の１波長に等し
い厚さを持つ薄膜層とにより構成したことを特徴とす
る。例えば、前記溝を整合層、圧電体および薄膜層を越
えて基板層まで到達する深さに、前記溝を整合層および
圧電体を越えて薄膜層まで到達する深さに、又は、前記
溝を整合層を越えて圧電体まで到達する深さに形成され
る。
め、本発明の医療用超音波診断装置の超音波プローブ
は、超音波を送受信可能な圧電体の両面に整合層および
バッキング層をそれぞれ形成して層構造とし、この層構
造に前記超音波の送受面に垂直な方向から複数の溝を形
成してアレイ構造としたアレイ型トランスデューサーを
備えた超音波プローブであり、前記バッキング層を、前
記溝の形成に伴う機械応力および熱応力に対する変形量
が少ない非金属無機材料又は金属材料で形成された基板
層と、この基板層の前記圧電体側の面に形成され且つ超
音波中心周波数の２分の１波長又は４分の１波長に等し
い厚さを持つ薄膜層とにより構成したことを特徴とす
る。例えば、前記溝を整合層、圧電体および薄膜層を越
えて基板層まで到達する深さに、前記溝を整合層および
圧電体を越えて薄膜層まで到達する深さに、又は、前記
溝を整合層を越えて圧電体まで到達する深さに形成され
る。
【００１１】
【作用】本発明の医療用超音波診断装置の超音波プロー
ブにおいては、アレイ型トランスデューサーを製造する
ときに、アレイ構造にするための溝の形成に伴う機械応
力および熱応力に対する変形量が少ない非金属無機材料
又は金属材料で基板層を形成し、この基板層の圧電体側
の面に、超音波中心周波数の２分の１波長又は４分の１
波長に等しい厚さを持つ薄膜層を形成してバッキング層
が構成されている。
ブにおいては、アレイ型トランスデューサーを製造する
ときに、アレイ構造にするための溝の形成に伴う機械応
力および熱応力に対する変形量が少ない非金属無機材料
又は金属材料で基板層を形成し、この基板層の圧電体側
の面に、超音波中心周波数の２分の１波長又は４分の１
波長に等しい厚さを持つ薄膜層を形成してバッキング層
が構成されている。
【００１２】このようにバッキング層を形成すると、溝
を形成するときの機械応力及び熱応力に対する基板層の
変形量は極めて少なくなることから、溝形成時にはバッ
キング層全体が固く且つ歪みが少なくなる。つまり、整
合層の上面からバッキング層の上面までの深さがほぼ均
一になって、加工溝の設定深さを従来よりも小さくする
ことができるとともに、その加工精度も確保できる。
を形成するときの機械応力及び熱応力に対する基板層の
変形量は極めて少なくなることから、溝形成時にはバッ
キング層全体が固く且つ歪みが少なくなる。つまり、整
合層の上面からバッキング層の上面までの深さがほぼ均
一になって、加工溝の設定深さを従来よりも小さくする
ことができるとともに、その加工精度も確保できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の医療用超音波診断装置の超音
波プローブの実施例について、添付図面を参照して説明
する。なお、従来技術で説明した部品と実質的に同一の
部品については同一の番号を付してその説明を省略す
る。
波プローブの実施例について、添付図面を参照して説明
する。なお、従来技術で説明した部品と実質的に同一の
部品については同一の番号を付してその説明を省略す
る。
【００１４】図１は、本実施例に係る医療用超音波診断
装置の超音波プローブに備えたアレイ型トランスデュー
サーを斜視図で示したものである。
装置の超音波プローブに備えたアレイ型トランスデュー
サーを斜視図で示したものである。
【００１５】アレイ型トランスデューサー１１は、超音
波を送受信可能な圧電体２の両面に整合層３およびバッ
キング層１２をそれぞれ接続して層構造とし、この層構
造に所定の溝５を形成してアレイ構造としてある。
波を送受信可能な圧電体２の両面に整合層３およびバッ
キング層１２をそれぞれ接続して層構造とし、この層構
造に所定の溝５を形成してアレイ構造としてある。
【００１６】整合層３は、被検者（図示せず）と圧電体
２との間の音響整合のために設けてある。
２との間の音響整合のために設けてある。
【００１７】圧電体２は、例えば圧電セラミックスで構
成するのがよい。また、圧電体２の両面には、超音波発
振用の電力を供給するとともに受信超音波に応答した電
気信号を取り出すための電極（図示せず）を設けてあ
る。
成するのがよい。また、圧電体２の両面には、超音波発
振用の電力を供給するとともに受信超音波に応答した電
気信号を取り出すための電極（図示せず）を設けてあ
る。
【００１８】バッキング層１２は、例えば、後方に向か
う超音波を吸収するように構成してある。本実施例で
は、バッキング層１２は、機械応力および熱応力に対す
る変形量が所定の値以下の材料、例えばガラス、セラミ
ックス等の非金属無機材料、金属材料等で基板層１３を
形成し、この基板層１３の上に厚さｔが例えば超音波中
心周波数の４分の１波長となるように薄膜層１４を均一
に形成してある。薄膜層１４は、エポキシ樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリエチレン樹脂等で構成するのがよい。
う超音波を吸収するように構成してある。本実施例で
は、バッキング層１２は、機械応力および熱応力に対す
る変形量が所定の値以下の材料、例えばガラス、セラミ
ックス等の非金属無機材料、金属材料等で基板層１３を
形成し、この基板層１３の上に厚さｔが例えば超音波中
心周波数の４分の１波長となるように薄膜層１４を均一
に形成してある。薄膜層１４は、エポキシ樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリエチレン樹脂等で構成するのがよい。
【００１９】溝５は、図１でわかるように、整合層３、
圧電体２および薄膜層１４を越えて基板層１３まで形成
してある。
圧電体２および薄膜層１４を越えて基板層１３まで形成
してある。
【００２０】薄膜層１４の厚さｔを超音波中心周波数の
４分の１波長にした場合、圧電体２から背面側を見たバ
ッキング層１２全体の音響インピーダンスＺＢは、
４分の１波長にした場合、圧電体２から背面側を見たバ
ッキング層１２全体の音響インピーダンスＺＢは、
【数１】 ＺＢ＝ＺＬ ２／ＺＧ となる。ここで、ＺＬ、ＺＧは、それぞれ薄膜層１４、
基板層１３の音響インピーダンスである。
基板層１３の音響インピーダンスである。
【００２１】本実施例のアレイ型トランスデューサーを
製造するには、まず、ガラス、セラミックス等で基板層
１３を所定の寸法に形成する。
製造するには、まず、ガラス、セラミックス等で基板層
１３を所定の寸法に形成する。
【００２２】次に、エポキシ樹脂等の薄膜層１４を加
熱、加圧等の処理によって基板層１３の上に接続する。
熱、加圧等の処理によって基板層１３の上に接続する。
【００２３】次に、圧電体２、整合層３を加熱、加圧等
の処理によって薄膜層１４に順次接続する。
の処理によって薄膜層１４に順次接続する。
【００２４】次に、深さＤ、幅Ｗ、ピッチｐの溝５をダ
イシングマシン等で加工する。
イシングマシン等で加工する。
【００２５】最後に、溝５にシリコーン接着剤等の充填
材を入れる。
材を入れる。
【００２６】このように、本実施例の超音波プローブ
は、機械応力および熱応力に対する変形量が所定の値以
下の材料、例えばガラス、セラミックス等で基板層１３
を形成したので、基板層１３を周知の技術で高精度に仕
上げることができる。
は、機械応力および熱応力に対する変形量が所定の値以
下の材料、例えばガラス、セラミックス等で基板層１３
を形成したので、基板層１３を周知の技術で高精度に仕
上げることができる。
【００２７】また、基板層１３は加熱あるいは加圧作用
によってほとんど変形しないため、薄膜層１４を接続し
た後においても、仕上げ精度を高水準に維持することが
できる。したがって、整合層３の上面から基板層１３の
上面までの深さＤ´は、場所によるばらつきが小さくな
り、溝５の深さＤを従来よりも小さな値に設定して、基
板層１３の加工量を小さくし加工時間を短くすることが
できる。
によってほとんど変形しないため、薄膜層１４を接続し
た後においても、仕上げ精度を高水準に維持することが
できる。したがって、整合層３の上面から基板層１３の
上面までの深さＤ´は、場所によるばらつきが小さくな
り、溝５の深さＤを従来よりも小さな値に設定して、基
板層１３の加工量を小さくし加工時間を短くすることが
できる。
【００２８】これに加えて、基板層１３をガラス等で構
成してあるため、溝加工のために基板層１３をしっかり
保持する場合でもほとんど変形せず、一方では容易に加
工することができる。このため、溝加工工程のスループ
ットが大幅に改善される。
成してあるため、溝加工のために基板層１３をしっかり
保持する場合でもほとんど変形せず、一方では容易に加
工することができる。このため、溝加工工程のスループ
ットが大幅に改善される。
【００２９】また、加工の際に内部応力が解放されてア
レイピッチｐに影響を与えるおそれも少なくなるため、
微小ピッチのアレイを容易に製造することができる。
レイピッチｐに影響を与えるおそれも少なくなるため、
微小ピッチのアレイを容易に製造することができる。
【００３０】また、基板層と圧電体との間に薄膜層を介
在させたので、薄膜層の音響インピーダンス、薄膜層の
厚さおよび基板層の音響インピーダンスを適宜組み合わ
せることにより、バッキング層全体の音響インピーダン
スを任意の値に調整することができる。
在させたので、薄膜層の音響インピーダンス、薄膜層の
厚さおよび基板層の音響インピーダンスを適宜組み合わ
せることにより、バッキング層全体の音響インピーダン
スを任意の値に調整することができる。
【００３１】上述の実施例では、薄膜層１４の厚さｔを
超音波中心周波数の４分の１としたが、かかる厚さに限
定されるものではなく、任意に設定することができる。
例えば超音波中心周波数の２分の１としてもよい。この
場合には、圧電体２から背面側を見たバッキング層１２
全体の音響インピーダンスＺＢは、
超音波中心周波数の４分の１としたが、かかる厚さに限
定されるものではなく、任意に設定することができる。
例えば超音波中心周波数の２分の１としてもよい。この
場合には、圧電体２から背面側を見たバッキング層１２
全体の音響インピーダンスＺＢは、
【数２】 ＺＢ＝ＺＧ となる。
【００３２】また、上述の実施例では、溝５を、整合層
３、圧電体２および薄膜層１４を越えて基板層１３まで
形成したが、これに限定されるものではなく、図２に示
すように、溝５を整合層３および圧電体２を越えて薄膜
層１４の途中まで形成してもよいし、図３に示すよう
に、溝５を整合層３を越えて圧電体２の途中まで形成し
てもよい。なお、図３の例では、溝５を形成した後に残
った部分の圧電体２の厚さＴ´を通常部分の厚さＴの５
分の１以下にするのがよい。
３、圧電体２および薄膜層１４を越えて基板層１３まで
形成したが、これに限定されるものではなく、図２に示
すように、溝５を整合層３および圧電体２を越えて薄膜
層１４の途中まで形成してもよいし、図３に示すよう
に、溝５を整合層３を越えて圧電体２の途中まで形成し
てもよい。なお、図３の例では、溝５を形成した後に残
った部分の圧電体２の厚さＴ´を通常部分の厚さＴの５
分の１以下にするのがよい。
【００３３】また、上述の実施例では、医療用の超音波
診断装置に適用した例を示したものであるが、本発明の
超音波プローブはこれに限定されるものではなく、例え
ば非破壊検査で用いる超音波プローブにも適用すること
ができる。
診断装置に適用した例を示したものであるが、本発明の
超音波プローブはこれに限定されるものではなく、例え
ば非破壊検査で用いる超音波プローブにも適用すること
ができる。
【００３４】また、上述の実施例では、薄膜層を基板層
に形成した後、圧電体および整合層を薄膜層の上に形成
したが、代わりに、薄膜層を圧電体の背面にあらかじめ
形成しておき、これを基板層に接続するようにしてもよ
い。
に形成した後、圧電体および整合層を薄膜層の上に形成
したが、代わりに、薄膜層を圧電体の背面にあらかじめ
形成しておき、これを基板層に接続するようにしてもよ
い。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の医療用超音
波診断装置の超音波プローブは、超音波を送受信可能な
圧電体の両面に整合層およびバッキング層をそれぞれ形
成して層構造とし、この層構造に前記超音波の送受面に
垂直な方向から複数の溝を形成してアレイ構造としたア
レイ型トランスデューサーを備え、前記バッキング層
を、前記溝の形成に伴う機械応力および熱応力に対する
変形量が少ない非金属無機材料又は金属材料で形成され
た基板層と、この基板層の前記圧電体側の面に形成され
且つ超音波中心周波数の２分の１波長又は４分の１波長
に等しい厚さを持つ薄膜層とにより構成したので、整合
層上面からバッキング層上面までの深さの精度を確保し
て溝加工のスループットを改善するとともに、溝加工を
行ってもアレイピッチに変化が生じないようにし、微小
ピッチでアレイを形成することができる。
波診断装置の超音波プローブは、超音波を送受信可能な
圧電体の両面に整合層およびバッキング層をそれぞれ形
成して層構造とし、この層構造に前記超音波の送受面に
垂直な方向から複数の溝を形成してアレイ構造としたア
レイ型トランスデューサーを備え、前記バッキング層
を、前記溝の形成に伴う機械応力および熱応力に対する
変形量が少ない非金属無機材料又は金属材料で形成され
た基板層と、この基板層の前記圧電体側の面に形成され
且つ超音波中心周波数の２分の１波長又は４分の１波長
に等しい厚さを持つ薄膜層とにより構成したので、整合
層上面からバッキング層上面までの深さの精度を確保し
て溝加工のスループットを改善するとともに、溝加工を
行ってもアレイピッチに変化が生じないようにし、微小
ピッチでアレイを形成することができる。
【図１】本実施例の医療用超音波診断装置の超音波プロ
ーブに備えたアレイ型トランスデューサーの斜視図。
ーブに備えたアレイ型トランスデューサーの斜視図。
【図２】本実施例のアレイ型トランスデューサーの変形
例を示す斜視図。
例を示す斜視図。
【図３】本実施例のアレイ型トランスデューサーの別の
変形例を示す斜視図。
変形例を示す斜視図。
【図４】従来の超音波プローブに備えたアレイ型トラン
スデューサーの斜視図。
スデューサーの斜視図。
２ 圧電体 ３ 整合層（マッチング層） ５ 溝 １１ アレイ型トランスデューサー １２ バッキング層 １３ 基板層 １４ 薄膜層
Claims (4)
- 【請求項１】 超音波を送受信可能な圧電体の両面に整
合層およびバッキング層をそれぞれ形成して層構造と
し、この層構造に前記超音波の送受面に垂直な方向から
複数の溝を形成してアレイ構造としたアレイ型トランス
デューサーを備えた医療用超音波診断装置の超音波プロ
ーブにおいて、 前記バッキング層を、前記溝の形成に伴う機械応力およ
び熱応力に対する変形量が少ない非金属無機材料又は金
属材料で形成された基板層と、この基板層の前記圧電体
側の面に形成され且つ超音波中心周波数の２分の１波長
又は４分の１波長に等しい厚さを持つ薄膜層とにより構
成したことを特徴とする医療用超音波診断装置の超音波
プローブ。 - 【請求項２】 前記溝を前記整合層、圧電体および薄膜
層を越えて基板層まで到達する深さに形成した請求項１
記載の医療用超音波診断装置の超音波プローブ。 - 【請求項３】 前記溝を前記整合層および圧電体を越え
て薄膜層まで到達する深さに形成した請求項１記載の医
療用超音波診断装置の超音波プローブ。 - 【請求項４】 前記溝を前記整合層を越えて圧電体まで
到達する深さに形成した請求項１記載の医療用超音波診
断装置の超音波プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00272093A JP3302068B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 医療用超音波診断装置の超音波プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00272093A JP3302068B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 医療用超音波診断装置の超音波プローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06205779A JPH06205779A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3302068B2 true JP3302068B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=11537150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00272093A Expired - Lifetime JP3302068B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 医療用超音波診断装置の超音波プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3302068B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030080883A (ko) * | 2002-04-11 | 2003-10-17 | 주식회사 이지메딕스 | 음향 정합층 필름을 이용한 초음파 탐촉자 적층 방법 |
| WO2004109656A1 (en) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method for designing ultrasonic transducers with acoustically active integrated electronics |
| JP5358078B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2013-12-04 | 日立アロカメディカル株式会社 | 超音波探触子 |
| KR101477544B1 (ko) * | 2012-01-02 | 2014-12-31 | 삼성전자주식회사 | 초음파 트랜스듀서, 초음파 프로브, 및 초음파 진단장치 |
| CN108903968B (zh) * | 2018-05-03 | 2024-04-23 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 超声换能器、超声成像系统及超声换能器的制造方法 |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP00272093A patent/JP3302068B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06205779A (ja) | 1994-07-26 |
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