JP3329542B2 - リード変形による表面実装部品の半田付け不良検出方法 - Google Patents
リード変形による表面実装部品の半田付け不良検出方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はインサーキットテスタを
用いて行うプリント基板に表面実装半田付けしたIC等
の電子部品の半田付け不良検出方法に関する。
用いて行うプリント基板に表面実装半田付けしたIC等
の電子部品の半田付け不良検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、実装基板即ち多数の電子部品の各
リード(電極)を穴に挿入して半田付けしたプリント基
板はインサーキットテスタを用いて、その基板の必要な
各測定点に適宜プローブを接触させ、それ等の各部品の
有無を電気的に検出し、或いは各部の特性値を電気的に
測定して基板の良否の判定を行っている。特に、被検査
基板を載せる測定台上にX−Yユニットを設置したもの
は、そのX軸方向に可動するアームの上に、Y軸方向に
可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットでプロ
ーブをZ軸方向に可動可能に支持しているので使用し易
く、そのX−Yユニットを制御すると、プローブを基板
の上方からX軸、Y軸、Z軸方向にそれぞれ適宜移動し
て、予め設定した各測定点に順次接触できる。なお、1
部品毎に複数個の測定点を同時に測定しなければならな
いので、インサーキットテスタには通常複数のX−Yユ
ニットを備え付ける。
リード(電極)を穴に挿入して半田付けしたプリント基
板はインサーキットテスタを用いて、その基板の必要な
各測定点に適宜プローブを接触させ、それ等の各部品の
有無を電気的に検出し、或いは各部の特性値を電気的に
測定して基板の良否の判定を行っている。特に、被検査
基板を載せる測定台上にX−Yユニットを設置したもの
は、そのX軸方向に可動するアームの上に、Y軸方向に
可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットでプロ
ーブをZ軸方向に可動可能に支持しているので使用し易
く、そのX−Yユニットを制御すると、プローブを基板
の上方からX軸、Y軸、Z軸方向にそれぞれ適宜移動し
て、予め設定した各測定点に順次接触できる。なお、1
部品毎に複数個の測定点を同時に測定しなければならな
いので、インサーキットテスタには通常複数のX−Yユ
ニットを備え付ける。
【0003】ところが、近年電子部品は一段と小型化
し、半田付けの対象となるリードの長さ、リード間ピッ
チが共に微細化しており、半田付けの方法もSMT(サ
ーフェースマウントテクノロジー)と称する表面実装に
変化してきている。そこで、X−Y方式のインサーキッ
トテスタを用いて、プリント基板に表面実装半田付けし
たIC(集積回路)の半田付け状態を検査する場合に
は、図32に示すように1本のプローブ10をIC12
のリード14に接触させ、他の1本のプローブ16をプ
リント基板18のパターン20に接触させた後、それ等
のリード14とパターン20の間の導通状態を知るた
め、抵抗値を測定してリード14の半田付け状態(接触
状態)の良否の判定を行っている。なお、これ等のプロ
ーブ10、16には通常軸方向にスプリング性を有する
ものを用い、先端を測定点に当て、静荷重を加えること
によって電気的接触を得る。
し、半田付けの対象となるリードの長さ、リード間ピッ
チが共に微細化しており、半田付けの方法もSMT(サ
ーフェースマウントテクノロジー)と称する表面実装に
変化してきている。そこで、X−Y方式のインサーキッ
トテスタを用いて、プリント基板に表面実装半田付けし
たIC(集積回路)の半田付け状態を検査する場合に
は、図32に示すように1本のプローブ10をIC12
のリード14に接触させ、他の1本のプローブ16をプ
リント基板18のパターン20に接触させた後、それ等
のリード14とパターン20の間の導通状態を知るた
め、抵抗値を測定してリード14の半田付け状態(接触
状態)の良否の判定を行っている。なお、これ等のプロ
ーブ10、16には通常軸方向にスプリング性を有する
ものを用い、先端を測定点に当て、静荷重を加えること
によって電気的接触を得る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプローブ10、16を用いると、そのスプリング荷
重により、本来不良品であるものを良品と判定すること
があるため問題がある。何故なら、図33に示すように
IC12のリード14の先端部が半田付け不良のため、
パターン20から離れていても(足浮き状態)、そこに
プローブ10の先端が当って基板18の面に垂直方向
(Z軸方向)にスプリング荷重が加わると、図32に示
すようにリード14の先端部がパターン20と良好に接
触してしまうからである。しかも、リードが短く、その
肩部や先端部等の被接触域が小さく、安定した接触を行
えない電子部品もある。それ故、電気的手法のみでは限
界がある。
うなプローブ10、16を用いると、そのスプリング荷
重により、本来不良品であるものを良品と判定すること
があるため問題がある。何故なら、図33に示すように
IC12のリード14の先端部が半田付け不良のため、
パターン20から離れていても(足浮き状態)、そこに
プローブ10の先端が当って基板18の面に垂直方向
(Z軸方向)にスプリング荷重が加わると、図32に示
すようにリード14の先端部がパターン20と良好に接
触してしまうからである。しかも、リードが短く、その
肩部や先端部等の被接触域が小さく、安定した接触を行
えない電子部品もある。それ故、電気的手法のみでは限
界がある。
【0005】本発明はこのような従来の問題点に着目し
てなされたものであり、インサーキットテスタを用い
て、リードが短く、リード間ピッチが狭い等の微細な表
面実装部品等の半田付け不良状態を確実に検出し得る方
法を提供することを目的とする。
てなされたものであり、インサーキットテスタを用い
て、リードが短く、リード間ピッチが狭い等の微細な表
面実装部品等の半田付け不良状態を確実に検出し得る方
法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のリード変形による表面実装部品の半田付け
不良検出方法ではX軸方向に可動するアーム上に、Y軸
方向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニット
でプローブ34をZ軸方向に可動可能に支持するX−Y
ユニットを1組或いは複数組設置してなるインサーキッ
トテスタを用いて、プリント基板22に表面実装半田付
けした電子部品24のリード28の半田付け状態の良否
を判定する。しかも、プローブ34を電子部品24のリ
ード28に接触し、そのプローブ34をX軸又はY軸方
向(基板22の面に水平な方向)に移動してリード28
に外力を加え、そのリード28の変形量を検出し、その
検出結果から半田付け状態の良否の判定を行なう。
に、本発明のリード変形による表面実装部品の半田付け
不良検出方法ではX軸方向に可動するアーム上に、Y軸
方向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニット
でプローブ34をZ軸方向に可動可能に支持するX−Y
ユニットを1組或いは複数組設置してなるインサーキッ
トテスタを用いて、プリント基板22に表面実装半田付
けした電子部品24のリード28の半田付け状態の良否
を判定する。しかも、プローブ34を電子部品24のリ
ード28に接触し、そのプローブ34をX軸又はY軸方
向(基板22の面に水平な方向)に移動してリード28
に外力を加え、そのリード28の変形量を検出し、その
検出結果から半田付け状態の良否の判定を行なう。
【0007】その際、リード28(54)に当接する先
端部35(60)を曲げて突設したL形プローブ34
(58)を用いると好ましくなる。又、弾力性の大きな
弾き用プローブ72を用いるとよい。
端部35(60)を曲げて突設したL形プローブ34
(58)を用いると好ましくなる。又、弾力性の大きな
弾き用プローブ72を用いるとよい。
【0008】又、プローブ34(58)に歪みセンサ3
6(62)を貼り付けて用いるとよい。又、指向性マイ
ク73を用いるとよい。
6(62)を貼り付けて用いるとよい。又、指向性マイ
ク73を用いるとよい。
【0009】又、互いに導通する複数のパターン接触用
プローブ突設したパターン用プローブユニットを用いる
とよい。又、複数のリード88を一列に並べて等間隔に
突設した電子部品84のリード88の間隔とほぼ等しい
間隔を持たせて一列に並べて突設した複数の歪みセンサ
80付きプローブ78を有するリード用プローブユニッ
ト74を用いるとよい。
プローブ突設したパターン用プローブユニットを用いる
とよい。又、複数のリード88を一列に並べて等間隔に
突設した電子部品84のリード88の間隔とほぼ等しい
間隔を持たせて一列に並べて突設した複数の歪みセンサ
80付きプローブ78を有するリード用プローブユニッ
ト74を用いるとよい。
【0010】又、リード96に当接する先端部を曲げて
突設したL形体からなる大、小2個の端子102、10
4を用い、その大端子102の内側に小端子104を重
ねるように配置し、その両端子102、104の間に絶
縁物106を介在して両端子102、104の先端10
8、110を至近距離に接近させ、全体をL形に形成し
て一体化した2端子付きL形プローブ100を用いると
よい。
突設したL形体からなる大、小2個の端子102、10
4を用い、その大端子102の内側に小端子104を重
ねるように配置し、その両端子102、104の間に絶
縁物106を介在して両端子102、104の先端10
8、110を至近距離に接近させ、全体をL形に形成し
て一体化した2端子付きL形プローブ100を用いると
よい。
【0011】又、絶縁基板120と板状の導電性プロー
ブ122との間を少し離し、そのプローブ122の先端
部140を絶縁基板120の先端より少突出して配設
し、それ等の絶縁基板120とプローブ122の内面に
それぞれ連結用突起部124a、bを設け、その両連結
用突起部124a、bを軸126で結合して、絶縁基板
120に対してプローブ122を回転可能に支持し、そ
の両連結用突起部124a、bから離れた絶縁基板12
0とプローブ122の内面間に圧縮スプリング128を
介在し、その圧縮スプリング128の少なくとも一端を
絶縁基板120又はプローブ122に固着し、そのプロ
ーブ122の外面に不使用時に先端が当接し、プローブ
122を絶縁基板120から離して一定の状態に支える
第1端子130を設け、又絶縁基板120の内面に使用
時にプローブ122が当接する第2端子132を設けた
スイッチ型プローブユニット118を用いるとよい。
ブ122との間を少し離し、そのプローブ122の先端
部140を絶縁基板120の先端より少突出して配設
し、それ等の絶縁基板120とプローブ122の内面に
それぞれ連結用突起部124a、bを設け、その両連結
用突起部124a、bを軸126で結合して、絶縁基板
120に対してプローブ122を回転可能に支持し、そ
の両連結用突起部124a、bから離れた絶縁基板12
0とプローブ122の内面間に圧縮スプリング128を
介在し、その圧縮スプリング128の少なくとも一端を
絶縁基板120又はプローブ122に固着し、そのプロ
ーブ122の外面に不使用時に先端が当接し、プローブ
122を絶縁基板120から離して一定の状態に支える
第1端子130を設け、又絶縁基板120の内面に使用
時にプローブ122が当接する第2端子132を設けた
スイッチ型プローブユニット118を用いるとよい。
【0012】又、先端に絶縁体155を有する先端絶縁
プローブ152を用いるとよい。又、画像カメラ162
を用いるとよい。
プローブ152を用いるとよい。又、画像カメラ162
を用いるとよい。
【0013】
【作用】上記のように構成し、プローブ34を電子部品
24のリード28に接触し、そのプローブ34をX軸又
はY軸方向に移動してリード28に外力を加え、そのリ
ード28の変形量を検出し、その検出結果から半田付け
状態の良否を判定するという手順を踏むと、プローブ3
4をリード28の各箇所、特に立上り部に接触し、外力
を加えることができる。それ故、リード28の長さが短
く、リード28の間隔が狭い等の微細な表面実装部品2
4の半田付け不良を検出し易い。しかも、外力を加えた
時に、半田付け状態が良好の場合にはリード28が変形
せず、未半田付けの場合にはリード28の先端部35等
が基板22の面に水平方向(X軸又はY軸方向)に移動
して変形する。それ故、プローブ34をリード28に接
触させて、外力を加えても、未半田付けのリード28が
パターン30と良好に接触するということがなく、リー
ド28の変形量を検出すると、その検出結果に基づいて
半田付け状態の良否の正確に判定を行える。
24のリード28に接触し、そのプローブ34をX軸又
はY軸方向に移動してリード28に外力を加え、そのリ
ード28の変形量を検出し、その検出結果から半田付け
状態の良否を判定するという手順を踏むと、プローブ3
4をリード28の各箇所、特に立上り部に接触し、外力
を加えることができる。それ故、リード28の長さが短
く、リード28の間隔が狭い等の微細な表面実装部品2
4の半田付け不良を検出し易い。しかも、外力を加えた
時に、半田付け状態が良好の場合にはリード28が変形
せず、未半田付けの場合にはリード28の先端部35等
が基板22の面に水平方向(X軸又はY軸方向)に移動
して変形する。それ故、プローブ34をリード28に接
触させて、外力を加えても、未半田付けのリード28が
パターン30と良好に接触するということがなく、リー
ド28の変形量を検出すると、その検出結果に基づいて
半田付け状態の良否の正確に判定を行える。
【0014】そして、先端部35を曲げて突設したL形
プローブ34を用いると、プローブ34の本体より先端
部35が曲がって突出しているため、例えリード28の
立ち上がり部が湾曲していても、その先端部を立ち上が
り部の任意の箇所に接触させて外力を加え易くなる。
又、先端部60の形状を選び、例えば針状にすると、リ
ード54の間隔が狭くても、その先端針60を隣接する
リード54の間に挿入して、先端針60の両面を両側の
リード54にそれぞれ接触させた後、一度に両リード5
4にそれぞれ外力を加えることができる。
プローブ34を用いると、プローブ34の本体より先端
部35が曲がって突出しているため、例えリード28の
立ち上がり部が湾曲していても、その先端部を立ち上が
り部の任意の箇所に接触させて外力を加え易くなる。
又、先端部60の形状を選び、例えば針状にすると、リ
ード54の間隔が狭くても、その先端針60を隣接する
リード54の間に挿入して、先端針60の両面を両側の
リード54にそれぞれ接触させた後、一度に両リード5
4にそれぞれ外力を加えることができる。
【0015】又、弾力性の大きな弾き用プローブ72を
用いると、そのプローブ72は曲がっても、力を除くと
直ちに元の状態に復帰するため、プローブ72の先端部
でリード群の一方の端にあるリード70aから他方の端
にあるリード70fまで順に各リード70の肩部等を弾
いて、各リード70に接触させ、外力を加えながら、プ
ローブ72を一定の高速状態にして移動できる。なお、
プローブ72を静止させておき、基板64を移動してリ
ード70を弾かせてもよい。
用いると、そのプローブ72は曲がっても、力を除くと
直ちに元の状態に復帰するため、プローブ72の先端部
でリード群の一方の端にあるリード70aから他方の端
にあるリード70fまで順に各リード70の肩部等を弾
いて、各リード70に接触させ、外力を加えながら、プ
ローブ72を一定の高速状態にして移動できる。なお、
プローブ72を静止させておき、基板64を移動してリ
ード70を弾かせてもよい。
【0016】又、プローブ34(58)に歪みセンサ3
6(62)を貼り付けて用いると、プローブ34(5
8)でリード28(54)に外力を加えた時に発生する
リード28(54)の変形量に比例する変形量がプロー
ブ34(58)に発生し、更にそのプローブ34(5
8)の変形量に比例する変形量が歪みセンサ36(6
2)に発生する。それ故、歪みセンサ36(62)でリ
ード28(54)の変形量を電気信号に換えて検出でき
る。
6(62)を貼り付けて用いると、プローブ34(5
8)でリード28(54)に外力を加えた時に発生する
リード28(54)の変形量に比例する変形量がプロー
ブ34(58)に発生し、更にそのプローブ34(5
8)の変形量に比例する変形量が歪みセンサ36(6
2)に発生する。それ故、歪みセンサ36(62)でリ
ード28(54)の変形量を電気信号に換えて検出でき
る。
【0017】又、指向性マイク73を用いると、一定の
高速状態で移動するプローブ72で各リード70を弾い
て音を発生させ、その音を電子部品66から離れた場所
にある高感度のマイク73で集音し、各リード70を弾
く時間間隔を測定できる。その際、未半田付けのリード
70は変形するため、半田付け良好のリード70より遅
れて音が発生する。
高速状態で移動するプローブ72で各リード70を弾い
て音を発生させ、その音を電子部品66から離れた場所
にある高感度のマイク73で集音し、各リード70を弾
く時間間隔を測定できる。その際、未半田付けのリード
70は変形するため、半田付け良好のリード70より遅
れて音が発生する。
【0018】又、互いに導通する複数のパターン接触用
プローブを突起したパターン用プローブユニットを用い
ると、弾き用プローブ72を一定の高速状態で移動さ
せ、各リード70を弾きながら、各リード70が接触す
る又は接触すべき全パターンとの間のショート・オープ
ンチェックにより、各リード70を弾く時間間隔を測定
できる。その際、未半田付けのリード70があると半田
付け良好のリード70よりオープン時間が長く、或いは
短くなる。
プローブを突起したパターン用プローブユニットを用い
ると、弾き用プローブ72を一定の高速状態で移動さ
せ、各リード70を弾きながら、各リード70が接触す
る又は接触すべき全パターンとの間のショート・オープ
ンチェックにより、各リード70を弾く時間間隔を測定
できる。その際、未半田付けのリード70があると半田
付け良好のリード70よりオープン時間が長く、或いは
短くなる。
【0019】複数の歪みセンサ80付きプローブ78を
一列に並べて等間隔に突設したリード用プローブユニッ
ト74を用いると、それ等のプローブ78の間隔が電子
部品84のリード88の間隔にほぼ等しいため、複数の
リード88が一列に並んで等間隔に突出するリード群に
対し、それ等のプローブ78を対応する各リード88の
両側にそれぞれ配置できる。そこで、リード用プローブ
ユニット74を移動すると、対応するプローブ78が各
リード88の一側面又は他の側面とそれぞれ接触し、一
度に各リード88に外力が加わる。それ故、各歪みセン
サ80で対応する各リード88の変形量をそれぞれ電気
信号に換えて検出できる。
一列に並べて等間隔に突設したリード用プローブユニッ
ト74を用いると、それ等のプローブ78の間隔が電子
部品84のリード88の間隔にほぼ等しいため、複数の
リード88が一列に並んで等間隔に突出するリード群に
対し、それ等のプローブ78を対応する各リード88の
両側にそれぞれ配置できる。そこで、リード用プローブ
ユニット74を移動すると、対応するプローブ78が各
リード88の一側面又は他の側面とそれぞれ接触し、一
度に各リード88に外力が加わる。それ故、各歪みセン
サ80で対応する各リード88の変形量をそれぞれ電気
信号に換えて検出できる。
【0020】又、大小2個のL形体からなる端子10
2、104の間に絶縁物106を介在して両端子10
2、104の先端108、110を至近距離に接近さ
せ、全体をL形に形成して一体化する等した2端子付き
プローブ100を用いると、両端子102、104の各
先端108、110をリード96の立ち上がり部等の任
意の箇所にそれぞれ接触させることができる。すると、
両端子102、104は短絡状態になる。そこで、プロ
ーブ100を移動してリード96に外力を加えると、半
田付け状態が良好の場合にはリード96は移動しないの
で変形せず、両端子102、104はやはり短絡状態の
ままである。しかし、未半田付けの場合には小端子10
4の先端110が力点となり、リード96の先端側が移
動して変形し、リード96が大端子102の先端108
から離れるので、両端子102、104は開放状態にな
る。それ故、それ等のショート・オープンの状態を検出
できる。
2、104の間に絶縁物106を介在して両端子10
2、104の先端108、110を至近距離に接近さ
せ、全体をL形に形成して一体化する等した2端子付き
プローブ100を用いると、両端子102、104の各
先端108、110をリード96の立ち上がり部等の任
意の箇所にそれぞれ接触させることができる。すると、
両端子102、104は短絡状態になる。そこで、プロ
ーブ100を移動してリード96に外力を加えると、半
田付け状態が良好の場合にはリード96は移動しないの
で変形せず、両端子102、104はやはり短絡状態の
ままである。しかし、未半田付けの場合には小端子10
4の先端110が力点となり、リード96の先端側が移
動して変形し、リード96が大端子102の先端108
から離れるので、両端子102、104は開放状態にな
る。それ故、それ等のショート・オープンの状態を検出
できる。
【0021】又、絶縁基板120に対してプローブ12
2を回転可能に支持し、それ等の絶縁基板120とプロ
ーブ122の内面間に圧縮スプリング128を介在し、
そのプローブ122の外面に当接する第1端子130を
設け、絶縁基板120の内面に第2端子132を設ける
等したスイッチ型プローブユニット118を用いると、
絶縁基板120の先端より突出するプローブ122の先
端部140をリード142の立ち上がり部等に接触さ
せ、そのプローブユニット118を移動してリード14
2に外力を加えることができる。すると、プローブ12
2の先端部140が力点となり、回転軸126が支点と
なって、プローブ122の後端部に第1端子130から
離れる方向の力がスプリング128の力に抗して働く。
2を回転可能に支持し、それ等の絶縁基板120とプロ
ーブ122の内面間に圧縮スプリング128を介在し、
そのプローブ122の外面に当接する第1端子130を
設け、絶縁基板120の内面に第2端子132を設ける
等したスイッチ型プローブユニット118を用いると、
絶縁基板120の先端より突出するプローブ122の先
端部140をリード142の立ち上がり部等に接触さ
せ、そのプローブユニット118を移動してリード14
2に外力を加えることができる。すると、プローブ12
2の先端部140が力点となり、回転軸126が支点と
なって、プローブ122の後端部に第1端子130から
離れる方向の力がスプリング128の力に抗して働く。
【0022】このため、今まで第1端子130とプロー
ブ122の間が導通状態であったものが、非導通状態に
なる。そして、プローブ122が更に回転すると、今度
は後端部が第2端子132に接触するので、プローブ1
22と第2端子132の間が導通状態になる。その際、
半田付け状態が良好の場合には、力が加わってもリード
142が移動せず、ほとんど変形しないのに対し、未半
田付け状態の場合には、力が加わるとリード142が移
動して変形する。それ故、プローブ122と第1端子1
30の間が非導通状態になってから、プローブ122と
第2端子132の間が導通状態になるまでの時間を測定
すれば、スイッチ型プローブユニット118の移動量更
にはリード28の変形量を検出できる。
ブ122の間が導通状態であったものが、非導通状態に
なる。そして、プローブ122が更に回転すると、今度
は後端部が第2端子132に接触するので、プローブ1
22と第2端子132の間が導通状態になる。その際、
半田付け状態が良好の場合には、力が加わってもリード
142が移動せず、ほとんど変形しないのに対し、未半
田付け状態の場合には、力が加わるとリード142が移
動して変形する。それ故、プローブ122と第1端子1
30の間が非導通状態になってから、プローブ122と
第2端子132の間が導通状態になるまでの時間を測定
すれば、スイッチ型プローブユニット118の移動量更
にはリード28の変形量を検出できる。
【0023】又、先端に絶縁体155を有する先端絶縁
プローブ152を用いると、そのプローブ152をリー
ド148の一方の側の近傍に立てた時、パターン150
と接触しても、プローブ152はパターン150と導通
しない。そこで、他の導電性プローブ154をリード1
48の他方の側から接触させ、リード148に外力を加
える。すると、半田付け状態が良好の場合には、力が加
わってもリード148が移動せず、ほとんど変形しない
のに対し、未半田付け状態の場合には力が加わるとリー
ド148が移動して変形し、リード148が先端絶縁プ
ローブ152と接触し、導通状態になる。そこで、両プ
ローブ152、154のショート・オープン状態を検出
する。
プローブ152を用いると、そのプローブ152をリー
ド148の一方の側の近傍に立てた時、パターン150
と接触しても、プローブ152はパターン150と導通
しない。そこで、他の導電性プローブ154をリード1
48の他方の側から接触させ、リード148に外力を加
える。すると、半田付け状態が良好の場合には、力が加
わってもリード148が移動せず、ほとんど変形しない
のに対し、未半田付け状態の場合には力が加わるとリー
ド148が移動して変形し、リード148が先端絶縁プ
ローブ152と接触し、導通状態になる。そこで、両プ
ローブ152、154のショート・オープン状態を検出
する。
【0024】又、画像カメラ162を用いると、各リー
ド160に外力を加える前に、先ずカメラ162をリー
ド群に沿わせて移動し、設定位置毎に順次採像できる。
その際、各採像円164に含まれるリード160の状態
を示す画像データが得られる。そこで、各画像データを
記憶装置に記憶する。次に、プローブ166を用い、や
はりリード群に沿わせて移動し、順次各リード160に
接触させ、外力を加える。その際、未半田付けのリード
160が塑性変形を起こす程度に外力を加える。その
後、カメラ162を再びリード群に沿わせて移動し、や
はり設定位置毎に順次採像する。その際、未半田付けの
リード160は外力が加わると、塑性変形を起こすの
で、その状態を示す画像データが得られる。そこで、設
定位置毎に外力を加える前と後の対応する画像データを
比べると、各リードの変形量を検出できる。
ド160に外力を加える前に、先ずカメラ162をリー
ド群に沿わせて移動し、設定位置毎に順次採像できる。
その際、各採像円164に含まれるリード160の状態
を示す画像データが得られる。そこで、各画像データを
記憶装置に記憶する。次に、プローブ166を用い、や
はりリード群に沿わせて移動し、順次各リード160に
接触させ、外力を加える。その際、未半田付けのリード
160が塑性変形を起こす程度に外力を加える。その
後、カメラ162を再びリード群に沿わせて移動し、や
はり設定位置毎に順次採像する。その際、未半田付けの
リード160は外力が加わると、塑性変形を起こすの
で、その状態を示す画像データが得られる。そこで、設
定位置毎に外力を加える前と後の対応する画像データを
比べると、各リードの変形量を検出できる。
【0025】
【実施例】以下、添付図面に基づいて、本発明の実施例
を説明する。図1は本発明を適用したインサーキットテ
スタによる半田付け状態検査時のPLCC型フラットパ
ッケージICのリードに対するL形プローブの当接状態
を示す側面図、図2は同ICのリードにL形プローブで
外力を加えた状態を示す側面図である。但し、図1はフ
ラットパッケージICのリードの半田付けが良好な場
合、図2は未半田付けの場合である。図中、22はイン
サーキットテスタの測定台上に設置した被検査基板、2
4はその基板22に表面実装したPLCC型フラットパ
ッケージIC、26はそのIC24の本体、28はその
本体26から突出するリード(電極)、30は基板22
に設けたパターン、32は半田、34は測定台の上方に
設置したX−YユニットのZ軸ユニット(図示なし)に
備え付けたプローブである。このプローブ34は先端部
35を曲げて直角方向に突出したL形の細長い弾力性の
ある板体であり、基端部寄り一面の中央部に張り付けた
抵抗線歪ゲージ36を備えている。そして、図3に示す
ような電圧検出回路38をインサーキットテスタの計測
回路(図示なし)に設け、歪ゲージ36をそのホイート
ストンブリッジ40の1辺に組み込んで使用する。な
お、42は電源、44はアンプ、46は出力端子であ
る。
を説明する。図1は本発明を適用したインサーキットテ
スタによる半田付け状態検査時のPLCC型フラットパ
ッケージICのリードに対するL形プローブの当接状態
を示す側面図、図2は同ICのリードにL形プローブで
外力を加えた状態を示す側面図である。但し、図1はフ
ラットパッケージICのリードの半田付けが良好な場
合、図2は未半田付けの場合である。図中、22はイン
サーキットテスタの測定台上に設置した被検査基板、2
4はその基板22に表面実装したPLCC型フラットパ
ッケージIC、26はそのIC24の本体、28はその
本体26から突出するリード(電極)、30は基板22
に設けたパターン、32は半田、34は測定台の上方に
設置したX−YユニットのZ軸ユニット(図示なし)に
備え付けたプローブである。このプローブ34は先端部
35を曲げて直角方向に突出したL形の細長い弾力性の
ある板体であり、基端部寄り一面の中央部に張り付けた
抵抗線歪ゲージ36を備えている。そして、図3に示す
ような電圧検出回路38をインサーキットテスタの計測
回路(図示なし)に設け、歪ゲージ36をそのホイート
ストンブリッジ40の1辺に組み込んで使用する。な
お、42は電源、44はアンプ、46は出力端子であ
る。
【0026】IC24のリード28の半田付け状態を検
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ34の
先端をリード28の立ち上がり部の中央等に適宜接触す
る。そして、プローブ34をX軸又はY軸方向(基板2
2の面に水平な方向)に一定量移動してリード28に外
力を加える。図ではプローブ34を左方向(X軸の一方
向)のみに移動している。すると、プローブ34が変形
し、その変形量に比例した変形が歪みケージ36に発生
するので、歪量による抵抗値の変化を利用して電圧を検
出し、その検出結果からリード28の半田付け状態の良
否を判定する。その際、リード28の半田付けが良好で
あると、プローブ34の先端で押されてもリード28は
変形せず、プローブ34の基端部が一定量移動するのに
対し、先端部35はほとんど移動しない。それ故、プロ
ーブ34は大きく変形する。ところが、リード28が未
半田付けであると、リード28が動いて一層折れ曲が
り、塑性変形を起こしてその変形分だけ先端部35も移
動するので、プローブ34の変形は小さくなる。
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ34の
先端をリード28の立ち上がり部の中央等に適宜接触す
る。そして、プローブ34をX軸又はY軸方向(基板2
2の面に水平な方向)に一定量移動してリード28に外
力を加える。図ではプローブ34を左方向(X軸の一方
向)のみに移動している。すると、プローブ34が変形
し、その変形量に比例した変形が歪みケージ36に発生
するので、歪量による抵抗値の変化を利用して電圧を検
出し、その検出結果からリード28の半田付け状態の良
否を判定する。その際、リード28の半田付けが良好で
あると、プローブ34の先端で押されてもリード28は
変形せず、プローブ34の基端部が一定量移動するのに
対し、先端部35はほとんど移動しない。それ故、プロ
ーブ34は大きく変形する。ところが、リード28が未
半田付けであると、リード28が動いて一層折れ曲が
り、塑性変形を起こしてその変形分だけ先端部35も移
動するので、プローブ34の変形は小さくなる。
【0027】そこで、電圧検出回路38の電源42の電
圧V0を5V、ホイーストンブリッジ40の3辺の各抵
抗値Rを200Ωにし、倍率1000のアンプ44を用
いて、プローブ34の移動量を0.3mmにした時の出
力電圧Vを求めると、リード28の半田付けが良好の場
合、出力電圧Vは約0.65Vになり、未半田付けの場
合、出力電圧Vは約0.27Vとなる。この結果、出力
電圧Vからリード28の変形量が明らかになり、パター
ン30に対して接触しているが、未半田付けのリード2
8の検出も可能になって、リード28の半田付け状態の
良否を良好に判定できる。なお、本実施例の半田付け不
良検出方法ではリード28の先端がIC24の本体26
の下側に折れ曲がったJリード(PLCC型)に対して
特に適しているが、リードの先端がIC本体から離れる
ように突出するリード(QFP型)に対しても当然適用
できる。又、プローブは先端部を縦方向又は横方向に三
角形状に突出する等して、リードが短く、リード間ピッ
チが狭い等の微細なものにも対応できるように形状を適
宜変更できる。しかし、先端部を折り曲げて突出させな
くても、当然リードを押すことができるし、リード間に
挿入した状態で移動させてもよい。又、歪ケージ36は
リード28の変形量を検出するために用いるものであ
り、テンションゲージ等の他の歪みセンサを含む変位セ
ンサと取り替え可能である。
圧V0を5V、ホイーストンブリッジ40の3辺の各抵
抗値Rを200Ωにし、倍率1000のアンプ44を用
いて、プローブ34の移動量を0.3mmにした時の出
力電圧Vを求めると、リード28の半田付けが良好の場
合、出力電圧Vは約0.65Vになり、未半田付けの場
合、出力電圧Vは約0.27Vとなる。この結果、出力
電圧Vからリード28の変形量が明らかになり、パター
ン30に対して接触しているが、未半田付けのリード2
8の検出も可能になって、リード28の半田付け状態の
良否を良好に判定できる。なお、本実施例の半田付け不
良検出方法ではリード28の先端がIC24の本体26
の下側に折れ曲がったJリード(PLCC型)に対して
特に適しているが、リードの先端がIC本体から離れる
ように突出するリード(QFP型)に対しても当然適用
できる。又、プローブは先端部を縦方向又は横方向に三
角形状に突出する等して、リードが短く、リード間ピッ
チが狭い等の微細なものにも対応できるように形状を適
宜変更できる。しかし、先端部を折り曲げて突出させな
くても、当然リードを押すことができるし、リード間に
挿入した状態で移動させてもよい。又、歪ケージ36は
リード28の変形量を検出するために用いるものであ
り、テンションゲージ等の他の歪みセンサを含む変位セ
ンサと取り替え可能である。
【0028】因みに、上記実施例のようにプローブ34
の先端部35を本体より折り曲げて直角方向に突出させ
る等して用いると、リード28に接触させてもスプリン
グ荷重が垂直方向(Z軸方向)に加わらないため、足浮
き状態のリード28の先端部がパターン30と良好に接
触することがなく、リード28とパターン30との間の
抵抗値の測定による半田付け不良検出方法にも適する。
の先端部35を本体より折り曲げて直角方向に突出させ
る等して用いると、リード28に接触させてもスプリン
グ荷重が垂直方向(Z軸方向)に加わらないため、足浮
き状態のリード28の先端部がパターン30と良好に接
触することがなく、リード28とパターン30との間の
抵抗値の測定による半田付け不良検出方法にも適する。
【0029】図4は同インサーキットテスタによる半田
付け状態検査時のQFP型フラットパッケージICのリ
ードに対する挿入針付きL形プローブの配置関係を示す
側面図である。図中、48はインサーキットテスタの測
定台上に設置した被検査基板、50はその基板48に実
装したQFP型フラットパッケージIC、52はそのI
C50の本体、54はその本体52から突出するリー
ド、56は基板48に設けたパターン、58は測定台の
上方に設置したX−YユニットのZ軸ユニット(図示な
し)に備え付けた挿入針付きL形プローブである。この
プローブ58は角錐状の針60を先端部に設けて本体よ
り直角方向に突出させた細長い弾力性のある板体であ
り、基端部寄り両面の中央部にそれぞれ貼り付けた抵抗
線歪みゲージ62(62a、62b)を備えている。そ
して、2個の歪みゲージ62を直列接続し電圧検出回路
に備えたホイートストンブリッジの1辺又は2辺に組み
込んで使用する。なお、このように2個の歪みケージ6
2を用いると、プローブ58の変形を一層検出し易くな
る。
付け状態検査時のQFP型フラットパッケージICのリ
ードに対する挿入針付きL形プローブの配置関係を示す
側面図である。図中、48はインサーキットテスタの測
定台上に設置した被検査基板、50はその基板48に実
装したQFP型フラットパッケージIC、52はそのI
C50の本体、54はその本体52から突出するリー
ド、56は基板48に設けたパターン、58は測定台の
上方に設置したX−YユニットのZ軸ユニット(図示な
し)に備え付けた挿入針付きL形プローブである。この
プローブ58は角錐状の針60を先端部に設けて本体よ
り直角方向に突出させた細長い弾力性のある板体であ
り、基端部寄り両面の中央部にそれぞれ貼り付けた抵抗
線歪みゲージ62(62a、62b)を備えている。そ
して、2個の歪みゲージ62を直列接続し電圧検出回路
に備えたホイートストンブリッジの1辺又は2辺に組み
込んで使用する。なお、このように2個の歪みケージ6
2を用いると、プローブ58の変形を一層検出し易くな
る。
【0030】IC50のリード54の半田付け状態を検
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ58の
先端針60をX軸又はY軸方向に移動し、点線で示すよ
うに隣接するリード54の間に挿入する。因みに、通常
ICはその同一面に多数のリードを等間隔に突設して備
えている。そこで、先端針60の両面が両側のリード5
4にそれぞれ接触した後、更に移動して両リード54に
それぞれ外力を加える。すると、先端針60の挿入と共
にプローブ58が変形し、その変形量に比例した変形が
両歪みゲージ62にそれぞれ発生するので、それらの歪
量による抵抗値の変化を利用して電圧を検出し、その検
出結果からリード54の半田付け状態の良否を判定す
る。その際、リード54の半田付けが良好であると、図
5に示すように先端針60で押されても両リード54
a、bはあまり変形せず、両側に開かないので接触後の
挿入量が小さい。しかし、プローブ58の変形量は大き
くなる。
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ58の
先端針60をX軸又はY軸方向に移動し、点線で示すよ
うに隣接するリード54の間に挿入する。因みに、通常
ICはその同一面に多数のリードを等間隔に突設して備
えている。そこで、先端針60の両面が両側のリード5
4にそれぞれ接触した後、更に移動して両リード54に
それぞれ外力を加える。すると、先端針60の挿入と共
にプローブ58が変形し、その変形量に比例した変形が
両歪みゲージ62にそれぞれ発生するので、それらの歪
量による抵抗値の変化を利用して電圧を検出し、その検
出結果からリード54の半田付け状態の良否を判定す
る。その際、リード54の半田付けが良好であると、図
5に示すように先端針60で押されても両リード54
a、bはあまり変形せず、両側に開かないので接触後の
挿入量が小さい。しかし、プローブ58の変形量は大き
くなる。
【0031】ところが、例えばリード54aが未半田付
けであると、図6に示すようにリード54aが大きく変
形するごとく、未半田付けのリードが開くので、接触後
の挿入量がΔxだけ大きくなる。しかし、プローブ58
の変形量は逆に小さい。このようなプローブ58の移動
量Xとその変形に基づく出力電圧Vとの関係を示すと、
図7のように半田付け良好のものはA曲線、未半田付け
のものはB曲線となる。そこで、スレショルドを選び、
出力電圧Vより半田付け良好のものと未半田付けのもの
とを判別する。なお、X0は先端針60がリード54に
接触するまでの移動量であり、X1は半田付け状態の良
否を判定するのに必要な移動量である。
けであると、図6に示すようにリード54aが大きく変
形するごとく、未半田付けのリードが開くので、接触後
の挿入量がΔxだけ大きくなる。しかし、プローブ58
の変形量は逆に小さい。このようなプローブ58の移動
量Xとその変形に基づく出力電圧Vとの関係を示すと、
図7のように半田付け良好のものはA曲線、未半田付け
のものはB曲線となる。そこで、スレショルドを選び、
出力電圧Vより半田付け良好のものと未半田付けのもの
とを判別する。なお、X0は先端針60がリード54に
接触するまでの移動量であり、X1は半田付け状態の良
否を判定するのに必要な移動量である。
【0032】図8は同インサーキットテスタによる半田
付け状態検査時のフラットパッケージICのリード群に
対する弾き直前の弾き用プローブと指向性マイクの配置
関係を示す斜視図である。図中、64はインサーキット
テスタの測定台上に設置した被検査基板、66はその基
板64に実装したフラットパッケージIC、68はその
IC66の本体、70(70a、…70f)はその本体
68の一面から等間隔で突出する6本のリード、72は
測定台の上方に設置したX−YユニットのZ軸ユニット
に備え付けた弾く用プローブである。なお、図では各リ
ード70を半田付けするパターンを省略している。この
プローブ72は先端の径を小さく、先細にした細長い弾
力性の大きな棒状体である。それ故、プローブ72の先
端部の付近は力が加わると、他の部分に比べ特に曲がり
易いが、一度曲がっても力を除くと、直ちに元の直線状
態に復帰する。
付け状態検査時のフラットパッケージICのリード群に
対する弾き直前の弾き用プローブと指向性マイクの配置
関係を示す斜視図である。図中、64はインサーキット
テスタの測定台上に設置した被検査基板、66はその基
板64に実装したフラットパッケージIC、68はその
IC66の本体、70(70a、…70f)はその本体
68の一面から等間隔で突出する6本のリード、72は
測定台の上方に設置したX−YユニットのZ軸ユニット
に備え付けた弾く用プローブである。なお、図では各リ
ード70を半田付けするパターンを省略している。この
プローブ72は先端の径を小さく、先細にした細長い弾
力性の大きな棒状体である。それ故、プローブ72の先
端部の付近は力が加わると、他の部分に比べ特に曲がり
易いが、一度曲がっても力を除くと、直ちに元の直線状
態に復帰する。
【0033】IC66のリード70の半田付け状態を検
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ72を
一定の高速状態でX軸又はY軸方向に移動し、その先端
部で一方の端にあるリード70aから他方の端にあるリ
ード70fまで順に各リード70の肩部等を弾く。その
際、リード群の中に未半田付けのリード70があると、
そのリード70はプローブ72で弾く時に変形するが、
良好に半田付けされたリード70は変形しない。それ
故、未半田付けのリード70があると、各リード70を
弾く時間間隔が一定でなくなる。この特徴を利用して、
各リード70の半田付け不良を検出する。なお、弾き用
プローブ72を静止させておき、そのプローブ72に対
して被検査基板64を移動し、各リード70を弾くこと
もできる。
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ72を
一定の高速状態でX軸又はY軸方向に移動し、その先端
部で一方の端にあるリード70aから他方の端にあるリ
ード70fまで順に各リード70の肩部等を弾く。その
際、リード群の中に未半田付けのリード70があると、
そのリード70はプローブ72で弾く時に変形するが、
良好に半田付けされたリード70は変形しない。それ
故、未半田付けのリード70があると、各リード70を
弾く時間間隔が一定でなくなる。この特徴を利用して、
各リード70の半田付け不良を検出する。なお、弾き用
プローブ72を静止させておき、そのプローブ72に対
して被検査基板64を移動し、各リード70を弾くこと
もできる。
【0034】そこで、他の2組のX−Yユニットを利用
して、それ等のZ軸ユニットに指向性マイク73(73
a、73b)をそれぞれ取り付け、例えばIC66のリ
ード群の両端近傍にそれぞれ静止状態で配置し、プロー
ブ72で各リード70を弾く時に発生する音を感度良く
集音して電圧に変換し、各リード70を弾く時間間隔を
測定することによって、各リード70の半田付け状態の
良否を判定する。例えば、音が図9に示すように発生す
る場合には、3本目のリード70cが未半田付けである
ことが分かるので、不良品であると判定する。何故な
ら、半田付けが良好ならば本来3番目の音は2t後に発
生すべきなのに、リード70cの変形によりそれより少
し遅れて発生しているからである。
して、それ等のZ軸ユニットに指向性マイク73(73
a、73b)をそれぞれ取り付け、例えばIC66のリ
ード群の両端近傍にそれぞれ静止状態で配置し、プロー
ブ72で各リード70を弾く時に発生する音を感度良く
集音して電圧に変換し、各リード70を弾く時間間隔を
測定することによって、各リード70の半田付け状態の
良否を判定する。例えば、音が図9に示すように発生す
る場合には、3本目のリード70cが未半田付けである
ことが分かるので、不良品であると判定する。何故な
ら、半田付けが良好ならば本来3番目の音は2t後に発
生すべきなのに、リード70cの変形によりそれより少
し遅れて発生しているからである。
【0035】又、プローブ72の先端部を除く他の部分
を扁平に拡大し、そこに抵抗線歪みゲージを貼り付け、
プローブ72が各リード70を弾く時に生じる変形に基
づく抵抗値の変化を検出し、各リード70を弾く時間間
隔を測定することによって、各リード70の半田付け状
態の良否を判定する。例えば、抵抗値が図10に示すよ
うに変化する場合には、3番目の抵抗値0の時間間隔が
他の時間間隔tより短くなるため、3本目のリード70
cが未半田付けであることが分かる。
を扁平に拡大し、そこに抵抗線歪みゲージを貼り付け、
プローブ72が各リード70を弾く時に生じる変形に基
づく抵抗値の変化を検出し、各リード70を弾く時間間
隔を測定することによって、各リード70の半田付け状
態の良否を判定する。例えば、抵抗値が図10に示すよ
うに変化する場合には、3番目の抵抗値0の時間間隔が
他の時間間隔tより短くなるため、3本目のリード70
cが未半田付けであることが分かる。
【0036】又、1組のX−YユニットのZ軸ユニット
に、IC66の各リード70が半田付けされ又は半田付
けされるべきパターンを全て導通するように接触する6
本のパターン接触用プローブを有するパターン用プロー
ブユニット(図示なし)を備え付け、プローブ72で各
リード70を弾きながらパターンとの間のショート・オ
ープンチェックにより、各リード70を弾く時間間隔を
測定することによって、各リード70の半田付け状態の
良否を判定する。例えば、電流値が図11に示すように
変化する場合には、2番目の電流値0の時間間隔が他の
時間間隔tより長く、4番目の電流値0の時間間隔が短
くなるため、3本目と5本目のリード70c、eが未半
田付けで不良であると判定する。
に、IC66の各リード70が半田付けされ又は半田付
けされるべきパターンを全て導通するように接触する6
本のパターン接触用プローブを有するパターン用プロー
ブユニット(図示なし)を備え付け、プローブ72で各
リード70を弾きながらパターンとの間のショート・オ
ープンチェックにより、各リード70を弾く時間間隔を
測定することによって、各リード70の半田付け状態の
良否を判定する。例えば、電流値が図11に示すように
変化する場合には、2番目の電流値0の時間間隔が他の
時間間隔tより長く、4番目の電流値0の時間間隔が短
くなるため、3本目と5本目のリード70c、eが未半
田付けで不良であると判定する。
【0037】図12はインサーキットテスタに設置した
X−YユニットのZ軸ユニットに備える5本の歪みゲー
ジ付きプローブを有するリード用プローブユニットの正
面図、図13は被検査基板に実装したフラットパッケー
ジICのリードに対する半田付け状態検査直前のリード
用プローブユニットの配置関係を示す斜視図である。図
中、74はリード用プローブユニット、76はそのプロ
ーブユニット74の細長い直方体状の本体、78(78
a、…78e)はその本体76の長手方向に沿って、そ
の下面に等間隔に突設した5本の細長い板状のプロー
ブ、80(80a、…80e)はそれ等の各プローブ7
8の付け根部分からその近傍の本体部分に掛けて備え付
けた抵抗線歪みゲージである。なお、隣接するプローブ
78の間隔は検査の対象となるICの隣接するリードの
間隔とほぼ等しい。又、82はインサーキットテスタの
測定台上に設置した被検査基板、84はその基板82に
実装したフラットパッケージIC、86はそのIC84
の本体、88(88a、…88d)はその本体86の一
面から等間隔で突出するリードである。
X−YユニットのZ軸ユニットに備える5本の歪みゲー
ジ付きプローブを有するリード用プローブユニットの正
面図、図13は被検査基板に実装したフラットパッケー
ジICのリードに対する半田付け状態検査直前のリード
用プローブユニットの配置関係を示す斜視図である。図
中、74はリード用プローブユニット、76はそのプロ
ーブユニット74の細長い直方体状の本体、78(78
a、…78e)はその本体76の長手方向に沿って、そ
の下面に等間隔に突設した5本の細長い板状のプロー
ブ、80(80a、…80e)はそれ等の各プローブ7
8の付け根部分からその近傍の本体部分に掛けて備え付
けた抵抗線歪みゲージである。なお、隣接するプローブ
78の間隔は検査の対象となるICの隣接するリードの
間隔とほぼ等しい。又、82はインサーキットテスタの
測定台上に設置した被検査基板、84はその基板82に
実装したフラットパッケージIC、86はそのIC84
の本体、88(88a、…88d)はその本体86の一
面から等間隔で突出するリードである。
【0038】IC84のリード88の半田付け状態を検
査するには、X−Yユニットを制御してプローブユニッ
ト74を矢印で示す例えばX軸の−方向に移動し、図1
4に示すように第1プローブ78aを第1リード88a
の外側に、第2プローブ78bを第1、第2リード88
a、bの間に、第3プローブ78cを第2、第3リード
88b、cの間に、第4プローブ78dを第3、第4リ
ード88c、dの間に、又第5プローブ78eを第4リ
ード88dの外側にそれぞれ配置する。そして、プロー
ブユニット74をY軸の+方向(図14では右方向)に
移動し、各プローブ78を対応する各リード88の立ち
上がり部等に適宜接触する。その後、更に同一方向に一
定量移動して各リード88に外力を加えると、各リード
88に変形が発生したりするので、それ等の各変形量を
各歪ゲージ80で対応する抵抗値に変換し、更に電圧値
に変換してそれぞれ検出する。その際、例えば第1リー
ド88aが半田付け良好、変形無し、第2リード88b
が未半田付け、変形無し、第3リード88cが未半田付
け、変形有り、第4リード88dが半田付け良好、変形
有りの場合、第1プローブ78aによる出力が大、第2
プローブ78bによる出力が小、第3プローブ78cに
よる出力が小、第4プローブ78dによる出力が大、第
5プローブ78eによる出力が小(実際には無し)とな
る。
査するには、X−Yユニットを制御してプローブユニッ
ト74を矢印で示す例えばX軸の−方向に移動し、図1
4に示すように第1プローブ78aを第1リード88a
の外側に、第2プローブ78bを第1、第2リード88
a、bの間に、第3プローブ78cを第2、第3リード
88b、cの間に、第4プローブ78dを第3、第4リ
ード88c、dの間に、又第5プローブ78eを第4リ
ード88dの外側にそれぞれ配置する。そして、プロー
ブユニット74をY軸の+方向(図14では右方向)に
移動し、各プローブ78を対応する各リード88の立ち
上がり部等に適宜接触する。その後、更に同一方向に一
定量移動して各リード88に外力を加えると、各リード
88に変形が発生したりするので、それ等の各変形量を
各歪ゲージ80で対応する抵抗値に変換し、更に電圧値
に変換してそれぞれ検出する。その際、例えば第1リー
ド88aが半田付け良好、変形無し、第2リード88b
が未半田付け、変形無し、第3リード88cが未半田付
け、変形有り、第4リード88dが半田付け良好、変形
有りの場合、第1プローブ78aによる出力が大、第2
プローブ78bによる出力が小、第3プローブ78cに
よる出力が小、第4プローブ78dによる出力が大、第
5プローブ78eによる出力が小(実際には無し)とな
る。
【0039】次に、プローブユニット74をY軸の−方
向(左方向)に同様に移動し、各プローブ78で対応す
る各リード88に外力を加えると、各リード88に変形
が発生したりするので、それ等の各変形量に対応する電
圧値をそれぞれ検出する。その際、第1プローブ78a
による出力が小(実際には無し)、第2プローブ78bに
よる出力が大、第3プローブ78cによる出力が小、第
4プローブ78dによる出力が小、第5プローブ78e
による出力が小になる。そこで、出力大を1、出力小を
0と数値に換え、加算して評価すると、第1、第2、第
3、第4の各リード88に対応する測定結果は、2、
0、0、1になる。それ故、リード88の形状が検査前
に多少変形していたり、プローブ78の間隔とリード8
8の間隔が多少異なっていても、第1、第4リード88
a、dを良、第2、第3リード88b、cを不良と各リ
ード88をそれぞれ総合的に判断でき、同時に4本のリ
ード88の検査が可能になる。なお、プローブユニット
74の一方向だけの移動では、後者のように検出した場
合、第4リード88dは良好に半田付けされていても、
検査前の形状変形により不良と判定され易く不都合であ
る。因みに、このようなプローブユニットは歪みセンサ
を取り付けず、複数のプローブを全て導通させると、上
述したパターン用プローブユニットとしてパターン接触
用に使える。
向(左方向)に同様に移動し、各プローブ78で対応す
る各リード88に外力を加えると、各リード88に変形
が発生したりするので、それ等の各変形量に対応する電
圧値をそれぞれ検出する。その際、第1プローブ78a
による出力が小(実際には無し)、第2プローブ78bに
よる出力が大、第3プローブ78cによる出力が小、第
4プローブ78dによる出力が小、第5プローブ78e
による出力が小になる。そこで、出力大を1、出力小を
0と数値に換え、加算して評価すると、第1、第2、第
3、第4の各リード88に対応する測定結果は、2、
0、0、1になる。それ故、リード88の形状が検査前
に多少変形していたり、プローブ78の間隔とリード8
8の間隔が多少異なっていても、第1、第4リード88
a、dを良、第2、第3リード88b、cを不良と各リ
ード88をそれぞれ総合的に判断でき、同時に4本のリ
ード88の検査が可能になる。なお、プローブユニット
74の一方向だけの移動では、後者のように検出した場
合、第4リード88dは良好に半田付けされていても、
検査前の形状変形により不良と判定され易く不都合であ
る。因みに、このようなプローブユニットは歪みセンサ
を取り付けず、複数のプローブを全て導通させると、上
述したパターン用プローブユニットとしてパターン接触
用に使える。
【0040】図17はインサーキットテスタによる半田
付け状態検査時のフラットパッケージICのリードに対
する2端子付きL形プローブの当接状態を示す正面図で
ある。図中、90はインサーキットテスタの測定台上に
設置した被検査基板、92はその基板に実装したフラッ
トパッケージIC、94はそのICの本体、96はその
本体94から突出するリード、98は基板90に設けた
パターン、100は測定台の上方に設置したX−Yユニ
ットのZ軸ユニットに備え付けた2端子付きL形プロー
ブである。このプローブ100は先端部を曲げて直角方
向に突出したL形の細長い柱状体からなる大、小2個の
端子102、104を用い、その大端子102の内側に
小端子104を重ねるように配置し、その両端子10
2、104の間に絶縁物106を介在して両端子10
2、104の先端108、110を至近距離に接近さ
せ、全体をL型に形成して一体化したものである。な
お、両端子102、104の間に絶縁物106を介在す
る代わりに、空間を保って両者を絶縁してもよい。
付け状態検査時のフラットパッケージICのリードに対
する2端子付きL形プローブの当接状態を示す正面図で
ある。図中、90はインサーキットテスタの測定台上に
設置した被検査基板、92はその基板に実装したフラッ
トパッケージIC、94はそのICの本体、96はその
本体94から突出するリード、98は基板90に設けた
パターン、100は測定台の上方に設置したX−Yユニ
ットのZ軸ユニットに備え付けた2端子付きL形プロー
ブである。このプローブ100は先端部を曲げて直角方
向に突出したL形の細長い柱状体からなる大、小2個の
端子102、104を用い、その大端子102の内側に
小端子104を重ねるように配置し、その両端子10
2、104の間に絶縁物106を介在して両端子10
2、104の先端108、110を至近距離に接近さ
せ、全体をL型に形成して一体化したものである。な
お、両端子102、104の間に絶縁物106を介在す
る代わりに、空間を保って両者を絶縁してもよい。
【0041】IC92のリード96の半田付け状態を検
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ100
を移動し、リード96の間等に挿入する。そして、リー
ド96の方向(図では左方向)に移動し、両端子10
2、104の先端108、110をリード96の立ち上
がり部にそれぞれ接触する。その際、両端子102、1
04の先端108、110は図18の点線の位置にあ
り、両端子102、104は短絡状態になる。そこで、
更に一定量移動してリード96に外力を加える。する
と、リード96の半田付け状態が良好の場合には、図1
9に示すようにリード96が移動しないので、両端子1
02、104は短絡状態のままになる。しかし、リード
96が未半田付けの場合には、図20に示すようにリー
ド96の先端側が移動して変形し、リード96は大端子
102の先端108から離れるので、両端子102、1
04は開放状態になる。何故なら、リード96の付け根
が支点112となり、小端子104の先端110が接触
するリード96の支点112に最も近い箇所が力点11
4となって、リード96の力点114より先端側が作用
点116となるからである。それ故、両端子102、1
04のショート・オープン状態の検出により、半田付け
状態の良、不良を簡単に検出できる。しかも、リード9
6が未半田付けで、パターン98に接触している電気的
導通の取れた足浮きリード96の検出も容易に行える。
査するには、X−Yユニットを制御してプローブ100
を移動し、リード96の間等に挿入する。そして、リー
ド96の方向(図では左方向)に移動し、両端子10
2、104の先端108、110をリード96の立ち上
がり部にそれぞれ接触する。その際、両端子102、1
04の先端108、110は図18の点線の位置にあ
り、両端子102、104は短絡状態になる。そこで、
更に一定量移動してリード96に外力を加える。する
と、リード96の半田付け状態が良好の場合には、図1
9に示すようにリード96が移動しないので、両端子1
02、104は短絡状態のままになる。しかし、リード
96が未半田付けの場合には、図20に示すようにリー
ド96の先端側が移動して変形し、リード96は大端子
102の先端108から離れるので、両端子102、1
04は開放状態になる。何故なら、リード96の付け根
が支点112となり、小端子104の先端110が接触
するリード96の支点112に最も近い箇所が力点11
4となって、リード96の力点114より先端側が作用
点116となるからである。それ故、両端子102、1
04のショート・オープン状態の検出により、半田付け
状態の良、不良を簡単に検出できる。しかも、リード9
6が未半田付けで、パターン98に接触している電気的
導通の取れた足浮きリード96の検出も容易に行える。
【0042】図21はインサーキットテスタに設置した
X−YユニットのZ軸ユニットに備えるスイッチ型プロ
ーブユニットの斜視図である。図中、118はスイッチ
型プローブユニット、120はその長方形の絶縁基板、
122はその絶縁基板120と少し離して配設した長方
形金属板からなる導電性プローブ、124(124a、
124b)はそれ等の絶縁基板120とプローブ122
の内面中央部の先端寄り位置にそれぞれ設けた連結用突
起部、126はそれ等の突起部124を結合し、絶縁基
板120に対してプローブ122を回転可能に支持する
軸、128は絶縁基板120とプローブ122の内面中
央の間に介在し、一端を絶縁基板120に固着し、他端
をプローブ122に固着した圧縮コイルスプリング、1
30はプローブ122の外面後端部中央に先端を当接
し、スプリング128から外方に付勢力を受けるプロー
ブ122を絶縁基板120に対して平行に保つ、その絶
縁基板120を支持する枠体(図示なし)に設置した長
い柱状の第1端子、132は絶縁基板120の内面後端
部中央に設けた短い柱状の第2端子である。そして、第
1計測ケーブル134を第1端子130に接続し、第2
計測ケーブル136をプローブ122に接続し、第3計
測ケーブル138を第2端子132に接続する。なお、
プローブ120は先端部140を少し内方に折り曲げた
状態にして、絶縁基板120の先端より突出する。
X−YユニットのZ軸ユニットに備えるスイッチ型プロ
ーブユニットの斜視図である。図中、118はスイッチ
型プローブユニット、120はその長方形の絶縁基板、
122はその絶縁基板120と少し離して配設した長方
形金属板からなる導電性プローブ、124(124a、
124b)はそれ等の絶縁基板120とプローブ122
の内面中央部の先端寄り位置にそれぞれ設けた連結用突
起部、126はそれ等の突起部124を結合し、絶縁基
板120に対してプローブ122を回転可能に支持する
軸、128は絶縁基板120とプローブ122の内面中
央の間に介在し、一端を絶縁基板120に固着し、他端
をプローブ122に固着した圧縮コイルスプリング、1
30はプローブ122の外面後端部中央に先端を当接
し、スプリング128から外方に付勢力を受けるプロー
ブ122を絶縁基板120に対して平行に保つ、その絶
縁基板120を支持する枠体(図示なし)に設置した長
い柱状の第1端子、132は絶縁基板120の内面後端
部中央に設けた短い柱状の第2端子である。そして、第
1計測ケーブル134を第1端子130に接続し、第2
計測ケーブル136をプローブ122に接続し、第3計
測ケーブル138を第2端子132に接続する。なお、
プローブ120は先端部140を少し内方に折り曲げた
状態にして、絶縁基板120の先端より突出する。
【0043】被検査基板に実装されているフラットパッ
ケージICのリードの半田付け状態を検査するには、X
−Yユニットを制御して図22に示すようにICのリー
ド142に対し、スイッチ型プローブユニット118を
矢印方向に移動し、プローブ122の先端部140をリ
ード142の間等に挿入する。なお、144はパターン
を省略した被検査基板の表面の位置を示す。次に、図2
3に示すようにスイッチ型プローブユニット118を矢
印方向(リード142の方向)に移動し、プローブ12
2の先端部140をリード142の立ち上がり部等に適
宜接触する。そこで、更に矢印方向に移動してリード1
42に外力を加える。すると、今まで第1、第2計測ケ
ーブル134、136の間が導通状態であり、第1、第
3計測ケーブル134、138の間と第2、第3計測ケ
ーブル136、138の間が非導通状態であったもの
が、プローブ122が第1端子130から離れるので、
第1、第2計測ケーブル134、136の間も非導通状
態になる。何故なら、プローブ122の先端部140が
力点となり、回転軸126が支点となって、後端部に第
1端子130から離れる方向の力がスプリング128の
力に抗して働くからである。
ケージICのリードの半田付け状態を検査するには、X
−Yユニットを制御して図22に示すようにICのリー
ド142に対し、スイッチ型プローブユニット118を
矢印方向に移動し、プローブ122の先端部140をリ
ード142の間等に挿入する。なお、144はパターン
を省略した被検査基板の表面の位置を示す。次に、図2
3に示すようにスイッチ型プローブユニット118を矢
印方向(リード142の方向)に移動し、プローブ12
2の先端部140をリード142の立ち上がり部等に適
宜接触する。そこで、更に矢印方向に移動してリード1
42に外力を加える。すると、今まで第1、第2計測ケ
ーブル134、136の間が導通状態であり、第1、第
3計測ケーブル134、138の間と第2、第3計測ケ
ーブル136、138の間が非導通状態であったもの
が、プローブ122が第1端子130から離れるので、
第1、第2計測ケーブル134、136の間も非導通状
態になる。何故なら、プローブ122の先端部140が
力点となり、回転軸126が支点となって、後端部に第
1端子130から離れる方向の力がスプリング128の
力に抗して働くからである。
【0044】このようにして、プローブ122を回転さ
せ、その後端部を第2端子132に接触させると、図2
4に示すように第2、第3計測ケーブル136、138
の間が導通状態になる。その際、リード142の半田付
け状態が良好の場合には、力が加わってもリード142
は移動せずほとんど変形しないのに対し、未半田付け状
態の場合には、力が加わるとリード142が移動して変
形する。それ故、第1、第2計測ケーブル134、13
6の間が非導通状態になってから、第2、第3計測ケー
ブル136、138の間が導通状態になるまでの時間を
測定すれば、スイッチ型プローブユニット118の移動
量更にはリード142の移動量を検出できる。そこで、
時間の短いリード142を半田付け良、時間の長いリー
ド142を不良と判定する。
せ、その後端部を第2端子132に接触させると、図2
4に示すように第2、第3計測ケーブル136、138
の間が導通状態になる。その際、リード142の半田付
け状態が良好の場合には、力が加わってもリード142
は移動せずほとんど変形しないのに対し、未半田付け状
態の場合には、力が加わるとリード142が移動して変
形する。それ故、第1、第2計測ケーブル134、13
6の間が非導通状態になってから、第2、第3計測ケー
ブル136、138の間が導通状態になるまでの時間を
測定すれば、スイッチ型プローブユニット118の移動
量更にはリード142の移動量を検出できる。そこで、
時間の短いリード142を半田付け良、時間の長いリー
ド142を不良と判定する。
【0045】図25はインサーキットテスタによる半田
付け状態検査直前のフラットパッケージICのリードに
対する先端絶縁プローブと導電性プローブの配置状態を
示す正面図である。図中、146はインサーキットテス
タの測定台上に設置した被検査基板、148はその基板
146に実装したフラットパッケージICのリード、1
50は基板148に設けたパターン、152、154は
測定台の上方に設置した2組のX−YユニットのZ軸ユ
ニットにそれぞれ備え付けた先端絶縁プローブと導電性
プローブである。但し、プローブ152の先端はパター
ン150に接触しても導通しないように先端に絶縁体1
55を被覆する。
付け状態検査直前のフラットパッケージICのリードに
対する先端絶縁プローブと導電性プローブの配置状態を
示す正面図である。図中、146はインサーキットテス
タの測定台上に設置した被検査基板、148はその基板
146に実装したフラットパッケージICのリード、1
50は基板148に設けたパターン、152、154は
測定台の上方に設置した2組のX−YユニットのZ軸ユ
ニットにそれぞれ備え付けた先端絶縁プローブと導電性
プローブである。但し、プローブ152の先端はパター
ン150に接触しても導通しないように先端に絶縁体1
55を被覆する。
【0046】ICのリード148の半田付け状態を検査
するには、先ずX−Yユニットを制御して先端絶縁プロ
ーブ152を矢印で示すZ軸方向に移動し、リード14
8の一方の側(図では左側)の近傍に立てる。そして、
他のX−Yユニットを制御して導電性プローブ154を
やはり矢印で示す縦方向(Z軸方向)に移動し、リード1
48の間等に挿入して立て、次に矢印で示す横方向(X
軸又はY軸方向)に移動して他方の側(図では右側)か
らリード148に接触する。そこで、更にプローブ15
4を横方向に移動してリード148に力を加える。その
際、リード148の半田付け状態が良好の場合には、力
が加わってもリード148が移動せずほとんど変形しな
いのに対し、未半田付け状態の場合には、力が加わると
リード148の特に立ち上がり部や先端部等が横方向に
移動して変形し、リード148が先端絶縁プローブ15
2と接触して導通状態となる。そこで、両プローブ15
2、154の導通状態を検出し、非導通のままであると
リード148の半田付けを良、導通すると不良と判定す
る。なお、リード148を横方向に移動させるには、図
26に示すように導電性プローブ154を斜め方向から
リード148に接近させるとよい。但し、その場合には
リード148と確実に接触できるように、プローブ15
4の先端を平らにする。因みに、プローブ152、15
4等は先細状でなくても、リード148の間に入るもの
であれば板状でもよい。
するには、先ずX−Yユニットを制御して先端絶縁プロ
ーブ152を矢印で示すZ軸方向に移動し、リード14
8の一方の側(図では左側)の近傍に立てる。そして、
他のX−Yユニットを制御して導電性プローブ154を
やはり矢印で示す縦方向(Z軸方向)に移動し、リード1
48の間等に挿入して立て、次に矢印で示す横方向(X
軸又はY軸方向)に移動して他方の側(図では右側)か
らリード148に接触する。そこで、更にプローブ15
4を横方向に移動してリード148に力を加える。その
際、リード148の半田付け状態が良好の場合には、力
が加わってもリード148が移動せずほとんど変形しな
いのに対し、未半田付け状態の場合には、力が加わると
リード148の特に立ち上がり部や先端部等が横方向に
移動して変形し、リード148が先端絶縁プローブ15
2と接触して導通状態となる。そこで、両プローブ15
2、154の導通状態を検出し、非導通のままであると
リード148の半田付けを良、導通すると不良と判定す
る。なお、リード148を横方向に移動させるには、図
26に示すように導電性プローブ154を斜め方向から
リード148に接近させるとよい。但し、その場合には
リード148と確実に接触できるように、プローブ15
4の先端を平らにする。因みに、プローブ152、15
4等は先細状でなくても、リード148の間に入るもの
であれば板状でもよい。
【0047】図27はインサーキットテスタによる半田
付け状態検査時のリードに外力を加える前のフラットパ
ッケージICのリードに対する画像カメラの配置状態を
示す斜視図である。図中、156はインサーキットテス
タの測定台上に設置した被検査基板に実装したフラット
パッケージIC、158はそのIC156の本体、16
0はその本体158の一面から突出するリード、162
は測定台の上方に設置したX−YユニットのZ軸ユニッ
トに備え付けた画像カメラ、164はそのカメラ162
の採像領域を示す円である。このカメラ162をIC5
6に向けて採像すると、円164の内部に含まれる部分
の画像データが得られる。
付け状態検査時のリードに外力を加える前のフラットパ
ッケージICのリードに対する画像カメラの配置状態を
示す斜視図である。図中、156はインサーキットテス
タの測定台上に設置した被検査基板に実装したフラット
パッケージIC、158はそのIC156の本体、16
0はその本体158の一面から突出するリード、162
は測定台の上方に設置したX−YユニットのZ軸ユニッ
トに備え付けた画像カメラ、164はそのカメラ162
の採像領域を示す円である。このカメラ162をIC5
6に向けて採像すると、円164の内部に含まれる部分
の画像データが得られる。
【0048】IC156のリード160の半田付け状態
を検査するには、先ず各リード160に外力を加える前
にX−Yユニットを制御してカメラ162をリード群に
沿わせて矢印方向に移動し、一方の端から他方の端まで
設定位置毎に順次採像する。その際、IC156の一面
より突出するリード群中に含まれる各リード160はほ
ぼ等間隔に配設されているため、図28に示すように採
像円164に隣接する3本のリード160を含めると、
それ等のリード160の状態を示す画像データが得られ
る。そこで、各画像データを記憶装置に記憶する。次
に、同一のX−Yユニットを制御して、今度は図29に
示すようなプローブ166を用い、一方の端から他方の
端まで矢印方向に移動し、順次各リード160に接触さ
せ、外力を加えて行く。その際、未半田付けのリード1
60や半田付け不良のリード160等が塑性変形を起こ
す程度に外力を加える。なお、プローブ166は画像カ
メラ162と同一のZ軸ユニットに取り付けてあるた
め、取り付け位置の寸法差を考慮してプローブ166の
当接位置を設定する。
を検査するには、先ず各リード160に外力を加える前
にX−Yユニットを制御してカメラ162をリード群に
沿わせて矢印方向に移動し、一方の端から他方の端まで
設定位置毎に順次採像する。その際、IC156の一面
より突出するリード群中に含まれる各リード160はほ
ぼ等間隔に配設されているため、図28に示すように採
像円164に隣接する3本のリード160を含めると、
それ等のリード160の状態を示す画像データが得られ
る。そこで、各画像データを記憶装置に記憶する。次
に、同一のX−Yユニットを制御して、今度は図29に
示すようなプローブ166を用い、一方の端から他方の
端まで矢印方向に移動し、順次各リード160に接触さ
せ、外力を加えて行く。その際、未半田付けのリード1
60や半田付け不良のリード160等が塑性変形を起こ
す程度に外力を加える。なお、プローブ166は画像カ
メラ162と同一のZ軸ユニットに取り付けてあるた
め、取り付け位置の寸法差を考慮してプローブ166の
当接位置を設定する。
【0049】次に、外力を加える前と同様にX−Yユニ
ットを制御して、カメラ162をリード群に沿わせて矢
印方向に移動し、やはり設定位置毎に順次採像する。そ
の際、図31の採像円164に含まれる中央のリード1
60のように未半田付けのリード160は外力が加わる
と塑性変形を起こすので、その状態を示す画像データが
得られる。そこで、外力を加えた後の各画像データも記
憶させた後、リード160の変形量を知るため、外力を
加える前と後の対応する画像データを比べ、前後で画像
が異なるか否かを判定し、画像が大きく異なるもの変形
量も大きいので、そのリード160を半田付け不良と決
定する。なお、半田付け良好のリード160は当然塑性
変形しない。
ットを制御して、カメラ162をリード群に沿わせて矢
印方向に移動し、やはり設定位置毎に順次採像する。そ
の際、図31の採像円164に含まれる中央のリード1
60のように未半田付けのリード160は外力が加わる
と塑性変形を起こすので、その状態を示す画像データが
得られる。そこで、外力を加えた後の各画像データも記
憶させた後、リード160の変形量を知るため、外力を
加える前と後の対応する画像データを比べ、前後で画像
が異なるか否かを判定し、画像が大きく異なるもの変形
量も大きいので、そのリード160を半田付け不良と決
定する。なお、半田付け良好のリード160は当然塑性
変形しない。
【0050】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、請求項1
ではプローブを電子部品のリードの各箇所、特に立ち上
がり部に接触し、外力を加えることができる。それ故、
リードの長さが短く、リード間隔が狭い等の微細な表面
実装部品等の半田付け不良を検出し易い。しかも、外力
を加えた時に半田付け状態が良好の場合にはリードが変
形せず、未半田付け状態の場合にはリードの先端部等が
基板面に水平方向に移動して変形するので、未半田付け
のリードがパターンと良好に接触することがない。それ
故、リードの変形量を検出して、リードの半田付け状態
の良否を正確に判定できる。
ではプローブを電子部品のリードの各箇所、特に立ち上
がり部に接触し、外力を加えることができる。それ故、
リードの長さが短く、リード間隔が狭い等の微細な表面
実装部品等の半田付け不良を検出し易い。しかも、外力
を加えた時に半田付け状態が良好の場合にはリードが変
形せず、未半田付け状態の場合にはリードの先端部等が
基板面に水平方向に移動して変形するので、未半田付け
のリードがパターンと良好に接触することがない。それ
故、リードの変形量を検出して、リードの半田付け状態
の良否を正確に判定できる。
【0051】そして、L型プローブを用いると、その本
体より先端部が曲がって突出しているため、リードが湾
曲していても、任意の箇所に接触させて外力を加え易
い。しかも、先端部の形状をリードに合せて選び易く、
針状にすると、隣接するリード間に挿入して、一度に両
リードに外力を加えることができる。
体より先端部が曲がって突出しているため、リードが湾
曲していても、任意の箇所に接触させて外力を加え易
い。しかも、先端部の形状をリードに合せて選び易く、
針状にすると、隣接するリード間に挿入して、一度に両
リードに外力を加えることができる。
【0052】請求項2では弾き用プローブを一定の高速
状態で移動させること等により、プローブで電子部品の
リード群を端から順に弾いて、各リードにプローブを接
触させ、外力を加えることができる。そして、一定の高
速状態で移動するプローブが各リードを弾く時に発生す
る音を電子部品と離れた指向性マイクで集音し、リード
群の各リードを弾く時間間隔を測定して、各リードの変
形量を検出できる。それ故、表面実装部品の半田付け不
良の検出を高速化できる。
状態で移動させること等により、プローブで電子部品の
リード群を端から順に弾いて、各リードにプローブを接
触させ、外力を加えることができる。そして、一定の高
速状態で移動するプローブが各リードを弾く時に発生す
る音を電子部品と離れた指向性マイクで集音し、リード
群の各リードを弾く時間間隔を測定して、各リードの変
形量を検出できる。それ故、表面実装部品の半田付け不
良の検出を高速化できる。
【0053】請求項3では一定の高速状態で移動する弾
き用プローブで各リードを弾きながら、パターン用プロ
ーブユニットを用いて、各リードが接触する又は接触す
べき全パターンとの間のショート・オープンチェックに
より、各リードを弾く時間間隔を測定して、各リードの
変形量を検出できる。それ故、表面実装部品の半田付け
不良の検出を高速化できる。
き用プローブで各リードを弾きながら、パターン用プロ
ーブユニットを用いて、各リードが接触する又は接触す
べき全パターンとの間のショート・オープンチェックに
より、各リードを弾く時間間隔を測定して、各リードの
変形量を検出できる。それ故、表面実装部品の半田付け
不良の検出を高速化できる。
【0054】請求項4ではリード用プローブユニットの
全ての歪みセンサ付きプローブを電子部品の対応する各
リードの両側にそれぞれ配置し、対応するプローブを各
リードの一側面とそれぞれ接触させ、一度に各リードに
外力を加えることができる。それ故、各プローブに備え
られている歪みセンサにより各リードの変形量をそれぞ
れ電気信号に換えて検出して、表面実装部品の半田付け
不良の検出を高速化できる。しかも、各リードの先に外
力を加えた側面と反対側の側面に、対応するプローブを
それぞれ接触させて、各リードに外力を加え、同様に各
リードの変形量を検出すると、リードの検査前の形状変
形をも総合的に判断して、表面実装部品の半田付け不良
の検出を高速化できる。
全ての歪みセンサ付きプローブを電子部品の対応する各
リードの両側にそれぞれ配置し、対応するプローブを各
リードの一側面とそれぞれ接触させ、一度に各リードに
外力を加えることができる。それ故、各プローブに備え
られている歪みセンサにより各リードの変形量をそれぞ
れ電気信号に換えて検出して、表面実装部品の半田付け
不良の検出を高速化できる。しかも、各リードの先に外
力を加えた側面と反対側の側面に、対応するプローブを
それぞれ接触させて、各リードに外力を加え、同様に各
リードの変形量を検出すると、リードの検査前の形状変
形をも総合的に判断して、表面実装部品の半田付け不良
の検出を高速化できる。
【0055】請求項5では2端子付きL形プローブの
大、小端子の各先端をリードの立ち上がり部等の任意の
箇所にそれぞれ接触させ、両端子を短絡状態にした後、
そのリードに外力を加えると、未半田付けの場合には小
端子の先端が力点となり、リードの先端側が移動して変
形し、リードが大端子の先端から離れて、両端子は開放
状態になる。それ故、プローブに備えた両端子のショー
ト・オープンチェックにより、リードの変形量を検出で
きる。
大、小端子の各先端をリードの立ち上がり部等の任意の
箇所にそれぞれ接触させ、両端子を短絡状態にした後、
そのリードに外力を加えると、未半田付けの場合には小
端子の先端が力点となり、リードの先端側が移動して変
形し、リードが大端子の先端から離れて、両端子は開放
状態になる。それ故、プローブに備えた両端子のショー
ト・オープンチェックにより、リードの変形量を検出で
きる。
【0056】請求項6では絶縁基板の先端より突出する
プローブの先端部をリードの立ち上がり部等に接触させ
た後、スイッチ型プローブユニットを移動してリードに
外力を加えると、プローブの先端部が力点となり、回動
軸が支点となって、プローブの後端部に第1端子から離
れる方向の力がスプリング力に抗して働くため、第1端
子とプローブの間が非導通状態になってから、そのプロ
ーブと絶縁基板に設けた第2端子との間が導通状態にな
るまでの時間を測定することにより、リードの変形量を
検出できる。
プローブの先端部をリードの立ち上がり部等に接触させ
た後、スイッチ型プローブユニットを移動してリードに
外力を加えると、プローブの先端部が力点となり、回動
軸が支点となって、プローブの後端部に第1端子から離
れる方向の力がスプリング力に抗して働くため、第1端
子とプローブの間が非導通状態になってから、そのプロ
ーブと絶縁基板に設けた第2端子との間が導通状態にな
るまでの時間を測定することにより、リードの変形量を
検出できる。
【0057】請求項7では先端絶縁プローブをリードの
一方の側の近傍に立てた時に、パターンと接触させて
も、そのプローブは先端に絶縁体を有するためパターン
と導通しないが、他の導電性プローブをリードの他方の
側から接触させ、リードに外力を加えると、未半田付け
状態の場合にはリードが移動して変形し、リードが先端
絶縁プローブと接触するので、両プローブのショート・
オープンチェックにより、リードの変形量を検出でき
る。
一方の側の近傍に立てた時に、パターンと接触させて
も、そのプローブは先端に絶縁体を有するためパターン
と導通しないが、他の導電性プローブをリードの他方の
側から接触させ、リードに外力を加えると、未半田付け
状態の場合にはリードが移動して変形し、リードが先端
絶縁プローブと接触するので、両プローブのショート・
オープンチェックにより、リードの変形量を検出でき
る。
【0058】請求項8では電子部品の各リードに外力を
加える前に、その電子部品から離れた画像カメラで設定
位置毎にリードの状態を示す画像データを採像し、それ
等の画像データを記憶した後、各リードに外力を加え、
更に同カメラで同様に採像して記憶した後、設定位置毎
に外力を加える前と後の対応する画像データを比べる
と、各リードの変形量を検出することができる。
加える前に、その電子部品から離れた画像カメラで設定
位置毎にリードの状態を示す画像データを採像し、それ
等の画像データを記憶した後、各リードに外力を加え、
更に同カメラで同様に採像して記憶した後、設定位置毎
に外力を加える前と後の対応する画像データを比べる
と、各リードの変形量を検出することができる。
【0059】
【0060】
【図1】本発明を適用したインサーキットテスタによる
半田付け状態検査時のPLCC型フラットパッケージI
Cのリードに対するL型プローブの当接状態を示す側面
図である。
半田付け状態検査時のPLCC型フラットパッケージI
Cのリードに対するL型プローブの当接状態を示す側面
図である。
【図2】同ICの未半田付けのリードにL型プローブで
外力を加えた状態を示す側面図である。
外力を加えた状態を示す側面図である。
【図3】同L型プローブに備えた歪みゲージを組み込ん
で構成したリードの変形量を検出する電圧検出回路を示
す図である。
で構成したリードの変形量を検出する電圧検出回路を示
す図である。
【図4】同インサーキットテスタによる半田付け状態検
査時のQFP型フラットパッケージICのリードに対す
る挿入針付きL形プローブの配置関係を示す側面図であ
る。
査時のQFP型フラットパッケージICのリードに対す
る挿入針付きL形プローブの配置関係を示す側面図であ
る。
【図5】同フラットパッケージICの隣接する半田付け
良好のリード間に挿入した先端針の状態を示す平面図で
ある。
良好のリード間に挿入した先端針の状態を示す平面図で
ある。
【図6】同フラットパッケージICの隣接する半田付け
良好のリードと未半田付けのリード間に挿入した先端針
の状態を示す平面図である。
良好のリードと未半田付けのリード間に挿入した先端針
の状態を示す平面図である。
【図7】同フラットパッケージICの半田付け良好のリ
ードと未半田付けのリードとのプローブの移動量とその
変形に基づく出力電圧との関係を示す図である。
ードと未半田付けのリードとのプローブの移動量とその
変形に基づく出力電圧との関係を示す図である。
【図8】同インサーキットテスタによる半田付け状態検
査時のフラットパッケージICのリード群に対する弾き
直前の弾き用プローブと指向性マイクの配置関係を示す
斜視図である。
査時のフラットパッケージICのリード群に対する弾き
直前の弾き用プローブと指向性マイクの配置関係を示す
斜視図である。
【図9】同弾き用プローブで6本のリードを一方の端か
ら他方の端まで順次弾いた時に発生する音と時間との関
係を示す図である。
ら他方の端まで順次弾いた時に発生する音と時間との関
係を示す図である。
【図10】同弾き用プローブにゲージを貼り付けて同様
に弾いた時に発生する抵抗値の変化と時間との関係を示
す図である。
に弾いた時に発生する抵抗値の変化と時間との関係を示
す図である。
【図11】パターン用プローブユニットに備えた6本の
パターン接触用プローブをフラットパッケージICの各
リードが半田付けされ又は半田付けされるべきパターン
にそれぞれ接触させた後、同弾き用プローブで同様に弾
いた時に発生する電流値の変化と時間との関係を示す図
である。
パターン接触用プローブをフラットパッケージICの各
リードが半田付けされ又は半田付けされるべきパターン
にそれぞれ接触させた後、同弾き用プローブで同様に弾
いた時に発生する電流値の変化と時間との関係を示す図
である。
【図12】同インサーキットテスタによるフラットパッ
ケージICの半田付け状態検査時に用いる5本の歪みゲ
ージ付きプローブを有するリード用プローブユニットを
示す正面図である。
ケージICの半田付け状態検査時に用いる5本の歪みゲ
ージ付きプローブを有するリード用プローブユニットを
示す正面図である。
【図13】同フラットパッケージICに対する半田付け
状態検査前のリード用プローブユニットの配置関係を示
す斜視図である。
状態検査前のリード用プローブユニットの配置関係を示
す斜視図である。
【図14】同フラットパッケージICの各リードに対す
る半田付け状態検査直前のリード用プローブユニットの
各歪みゲージ付きプローブの配置関係を示す正面図であ
る。
る半田付け状態検査直前のリード用プローブユニットの
各歪みゲージ付きプローブの配置関係を示す正面図であ
る。
【図15】同フラットパッケージICの各リードに対す
る半田付け状態検査時におけるリード用プローブユニッ
トの各歪みゲージ付きプローブによる一方向から外力を
加えた状態を示す正面図である。
る半田付け状態検査時におけるリード用プローブユニッ
トの各歪みゲージ付きプローブによる一方向から外力を
加えた状態を示す正面図である。
【図16】同リード用プローブユニットの各歪みゲージ
付きプローブによる他方向から外力を加えた状態を示す
正面図である。
付きプローブによる他方向から外力を加えた状態を示す
正面図である。
【図17】同インサーキットテスタによる半田付け状態
検査時のフラットパッケージICのリードに対する2端
子付きL形プローブの当接状態を示す正面図である。
検査時のフラットパッケージICのリードに対する2端
子付きL形プローブの当接状態を示す正面図である。
【図18】同フラットパッケージICのリードに対する
2端子付きL形プローブの当接時における2端子の先端
位置を示す側面図である。
2端子付きL形プローブの当接時における2端子の先端
位置を示す側面図である。
【図19】同フラットパッケージICの半田付け良好の
リードに対する2端子付きL形プローブにより外力を加
えた時のリードと2端子先端との位置関係を示す正面図
である。
リードに対する2端子付きL形プローブにより外力を加
えた時のリードと2端子先端との位置関係を示す正面図
である。
【図20】同フラットパッケージICの未半田付けのリ
ードに対する2端子付きL形プローブにより外力を加え
た時のリードと2端子先端との位置関係を示す正面図で
ある。
ードに対する2端子付きL形プローブにより外力を加え
た時のリードと2端子先端との位置関係を示す正面図で
ある。
【図21】同インサーキットテスタによるフラットパッ
ケージICの半田付け状態の検査時に用いるスイッチ型
プローブユニットを示す斜視図である。
ケージICの半田付け状態の検査時に用いるスイッチ型
プローブユニットを示す斜視図である。
【図22】同フラットパッケージICのリードに対する
半田付け状態検査前のスイッチ型プローブユニットの配
置関係を示す概略正面図である。
半田付け状態検査前のスイッチ型プローブユニットの配
置関係を示す概略正面図である。
【図23】同フラットパッケージICのリードに対する
半田付け状態検査時のスイッチ型プローブユニットのプ
ローブの当接状態を示す概略正面図である。
半田付け状態検査時のスイッチ型プローブユニットのプ
ローブの当接状態を示す概略正面図である。
【図24】同フラットパッケージICのリードに対する
半田付け状態検査時のスイッチ型プローブユニットの移
動によりプローブでリードへ外力を加えた状態を示す概
略正面図である。
半田付け状態検査時のスイッチ型プローブユニットの移
動によりプローブでリードへ外力を加えた状態を示す概
略正面図である。
【図25】同インサーキットテスタによる半田付け状態
検査時のフラットパッケージICのリードに対する先端
絶縁プローブと導電性プローブとの配置関係を示す正面
図である。
検査時のフラットパッケージICのリードに対する先端
絶縁プローブと導電性プローブとの配置関係を示す正面
図である。
【図26】同フラットパッケージICのリードに対する
先端絶縁プローブとリードに当接する先端形状の異なる
導電性プローブとの配置関係を示す正面図である。
先端絶縁プローブとリードに当接する先端形状の異なる
導電性プローブとの配置関係を示す正面図である。
【図27】同インサーキットテスタによる半田付け状態
検査時のリードに外力を加える前のフラットパッケージ
ICのリードに対する画像カメラの配置関係を示す斜視
図である。
検査時のリードに外力を加える前のフラットパッケージ
ICのリードに対する画像カメラの配置関係を示す斜視
図である。
【図28】同フラットパッケージICのリードに外力を
加える前の画像カメラの採像円に含まれるリードの状態
を示す平面図である。
加える前の画像カメラの採像円に含まれるリードの状態
を示す平面図である。
【図29】同フラットパッケージICのリードに外力を
加える際のプローブの配置状態を示す斜視図である。
加える際のプローブの配置状態を示す斜視図である。
【図30】同リードに外力を加えた後のフラットパッケ
ージICのリードに対する画像カメラの配置状態を示す
斜視図である。
ージICのリードに対する画像カメラの配置状態を示す
斜視図である。
【図31】同フラットパッケージICのリードに外力を
加えた後の画像カメラの採像円に含まれるリードの状態
を示す平面図である。
加えた後の画像カメラの採像円に含まれるリードの状態
を示す平面図である。
【図32】従来のインサーキットテスタによる半田付け
状態検査時のフラットパッケージICに対する2プロー
ブの配置状態を示す側面図である。
状態検査時のフラットパッケージICに対する2プロー
ブの配置状態を示す側面図である。
【図33】同インサーキットテスタによる半田付け状態
検査直前のフラットパッケージICに対する2プローブ
の配置状態を示す側面図である。
検査直前のフラットパッケージICに対する2プローブ
の配置状態を示す側面図である。
22、48、64、82、90、146…被検査基板
24、50、66、84、92、156…フラットパッ
ケージIC 28、54、70、88、96、142、
148、160…リード 30、56、98、150…
パターン 32…半田 34…L形プローブ 35、1
40…先端部 36、62、80…歪みゲージ 38…
電圧検出回路 58…先端針付きL形プローブ 60…
先端針 72…弾き用プローブ 73…指向性マイク 74…リ
ード用プローブユニット 78…歪みゲージ付きプローブ 100…2端子付きL
形プローブ 102、104…大、小端子 106…絶
縁物 108、110…大、小端子の先端 112…支
点 114…力点 116…作用点 118…スイッチ
型プローブユニット 120…絶縁基板 122、15
4…導電性プローブ 124…連結用突起部 126…
軸 128…圧縮コイルスプリング 130、132…
第1、第2端子 134、136、138…第1、第
2、第3計測ケーブル 152…先端絶縁プローブ 1
55…絶縁体 162…画像カメラ 164…採像円
166…プローブ
24、50、66、84、92、156…フラットパッ
ケージIC 28、54、70、88、96、142、
148、160…リード 30、56、98、150…
パターン 32…半田 34…L形プローブ 35、1
40…先端部 36、62、80…歪みゲージ 38…
電圧検出回路 58…先端針付きL形プローブ 60…
先端針 72…弾き用プローブ 73…指向性マイク 74…リ
ード用プローブユニット 78…歪みゲージ付きプローブ 100…2端子付きL
形プローブ 102、104…大、小端子 106…絶
縁物 108、110…大、小端子の先端 112…支
点 114…力点 116…作用点 118…スイッチ
型プローブユニット 120…絶縁基板 122、15
4…導電性プローブ 124…連結用突起部 126…
軸 128…圧縮コイルスプリング 130、132…
第1、第2端子 134、136、138…第1、第
2、第3計測ケーブル 152…先端絶縁プローブ 1
55…絶縁体 162…画像カメラ 164…採像円
166…プローブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 正彦 長野県上田市大字小泉字桜町81番地 日 置電機株式会社内 (72)発明者 金井 敏彦 長野県上田市大字小泉字桜町81番地 日 置電機株式会社内 (72)発明者 佐藤 義典 長野県上田市大字小泉字桜町81番地 日 置電機株式会社内 (72)発明者 奈雲 正通 長野県上田市大字小泉字桜町81番地 日 置電機株式会社内 審査官 中川 隆司 (56)参考文献 特開 平2−36371(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/34 B23K 1/00 G01N 19/04 G01R 1/073
Claims (8)
- 【請求項1】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブと
してリードに当接する先端部を曲げて突設したL形プロ
ーブを用い、そのプローブを電子部品のリードに接触
し、そのプローブをX軸又はY軸方向に移動してリード
に外力を加え、そのリードの変形量を検出し、その検出
結果に基づいて半田付け状態の良否を判定することを特
徴とするリード変形による表面実装部品の半田付け不良
検出方法。 - 【請求項2】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブと
して弾力性の大きな弾き用プローブを用い、そのプロー
ブを電子部品のリードに接触し、そのプローブをX軸又
はY軸方向に移動してリードに外力を加え、そのリード
の変形量を指向性マイクを用いて検出し、その検出結果
に基づいて半田付け状態の良否を判定することを特徴と
するリード変形による表面実装部品の半田付け不良検出
方法。 - 【請求項3】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブと
して弾力性の大きな弾き用プローブを用い、そのプロー
ブを電子部品のリードに接触し、そのプローブをX軸又
はY軸方向に移動してリードに外力を加え、そのリード
の変形量を互いに導通する複数のパターン接触用プロー
ブを突設したパターン用プローブユニットを用いて検出
し、その検出結果に基づいて半田付け状態の良否を判定
することを特徴とするリード変形による表面実装部品の
半田付け不良検出方法。 - 【請求項4】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブと
して複数のリードを一列に並べて等間隔に突設した電子
部品のリード間隔とほぼ等しい間隔を持たせて一列に並
べて突設した複数の歪みセンサ付きプローブを有するリ
ード用プローブユニットを用い、そのプローブを電子部
品のリードに接触し、そのプローブをX軸又はY軸方向
に移動してリードに外力を加え、そのリードの変形量を
検出し、その検出結果に基づいて半田付け状態の良否を
判定することを特徴とするリード変形による表面実装部
品の半田付け不良検出方法。 - 【請求項5】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブと
してリードに当接する先端部を曲げて突設したL形体か
らなる大小2個の端子を用い、その大端子の内側に小端
子を重ねるように配置し、その両端子間に絶縁物を介在
して両端子の先端を至近距離に接近させ、全体をL形に
形成して一体化した2端子付きL形プローブを用い、そ
のプローブを電子部品のリードに接触し、そのプローブ
をX軸又はY軸方向に移動してリードに外力を加え、そ
のリードの変形量を検出し、その検出結果に基づいて半
田付け状態の良否を判定することを特徴とするリード変
形による表面実装部品の半田付け不良検出方法。 - 【請求項6】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブと
して絶縁基板と板状の導電性プローブとの間を少し離
し、そのプローブの先端部を絶縁基板の先端より少し突
出して配設し、それ等の絶縁基板とプローブの内面にそ
れぞれ連結用突起部を設け、その両連結用突起部を軸で
結合して、絶縁基板に対してプローブを回転可能に支持
し、その両連結用突起部から離れた絶縁基板とプローブ
の内面間に圧縮スプリングを介在し、その圧縮スプリン
グの少なくとも一端を絶縁基板又はプローブに固着し、
そのプローブの外面に不使用時に先端が当接し、プロー
ブを絶縁基板から離して一定の状態に支える第1端子を
設け、又絶縁基板の内面に使用時にプローブが当接する
第2端子を設けたスイッチ型プローブユニットを用い、
そのプローブを電子部品のリードに接触し、そのプロー
ブをX軸又はY軸方向に移動してリードに外力を加え、
そのリードの変形量を検出し、その検出結果に基づいて
半田付け状態の良否を判定することを特徴とするリード
変形による表面実装部品の半田付け不良検出方法。 - 【請求項7】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブを
電子部品のリードに接触し、そのプローブをX軸又はY
軸方向に移動してリードに外力を加え、そのリードの変
形量を先端に絶縁体を有する先端絶縁プローブを用いて
検出し、その検出結果に基づいて半田付け状態の良否を
判定することを特徴とするリード変形による表面実装部
品の半田付け不良検出方法。 - 【請求項8】 X軸方向に可動するアーム上に、Y軸方
向に可動するZ軸ユニットを備え、そのZ軸ユニットで
プローブをZ軸方向に可動可能に支持するX−Yユニッ
トを1組或いは複数組設置してなるインサーキットテス
タを用いて、プリント基板に表面実装半田付けした電子
部品のリードの半田付け状態の良否を判定する表面実装
部品の半田付け不良検出方法において、上記プローブを
電子部品に接触し、そのプローブをX軸又はY軸方向に
移動してリードに外力を加え、そのリードの変形量を画
像カメラを用いて検出し、その検出結果に基づいて半田
付け状態の良否を判定することを特徴とするリード変形
による表面実装部品の半田付け不良検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088893A JP3329542B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | リード変形による表面実装部品の半田付け不良検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088893A JP3329542B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | リード変形による表面実装部品の半田付け不良検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131152A JPH07131152A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3329542B2 true JP3329542B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=17890335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30088893A Expired - Fee Related JP3329542B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | リード変形による表面実装部品の半田付け不良検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3329542B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102070399B1 (ko) * | 2018-07-03 | 2020-01-28 | 주식회사 티에이치센서 | 온도센서의 검사장치 |
| CN119361465B (zh) * | 2024-12-18 | 2025-04-18 | 南京华创博格电子科技有限公司 | 一种用于芯片封装的真空共晶炉 |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP30088893A patent/JP3329542B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07131152A (ja) | 1995-05-19 |
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