JP3336256B2 - レーザ光によるガスの分光分析方法 - Google Patents
レーザ光によるガスの分光分析方法Info
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光源として半導体
レーザ光を使用して被測定ガスの吸収スペクトルを測定
し、そのスペクトルから被測定ガス中の測定対象物を同
定したり、存在比、濃度を高精度・高感度に分析する方
法に関するものである。特に被測定ガスが主成分ガス中
の不純物の吸収スペクトルと主成分ガスの吸収スペクト
ルとが同じ波長域に存在する場合、主成分ガスの吸収ス
ペクトルの干渉吸収に邪魔されて不純物の吸収スペクト
ルが採取し難い不純物を、高感度、高精度に分析するの
に好適な分析方法に関するものである。
レーザ光を使用して被測定ガスの吸収スペクトルを測定
し、そのスペクトルから被測定ガス中の測定対象物を同
定したり、存在比、濃度を高精度・高感度に分析する方
法に関するものである。特に被測定ガスが主成分ガス中
の不純物の吸収スペクトルと主成分ガスの吸収スペクト
ルとが同じ波長域に存在する場合、主成分ガスの吸収ス
ペクトルの干渉吸収に邪魔されて不純物の吸収スペクト
ルが採取し難い不純物を、高感度、高精度に分析するの
に好適な分析方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガス中の微量不純物を分析する方法の一
つとして、測定精度、測定感度がよいということで、光
源に半導体レーザを用いて、被測定ガスの吸光度を測定
する分光分析方法が広く一般に使用されている。ところ
が、図６のアンモニア（ＮＨ3）と水分（Ｈ2Ｏ）の吸収
スペクトル図に図示する如く、多原子分子のアンモニア
（ＮＨ3）［他にシラン（ＳiＨ4）も同様］を主成分と
するガス中の測定対象物が水分（Ｈ2Ｏ）の分析のよう
に、測定対象物と主成分ガスとの吸収スペクトルが重な
る被測定ガスの場合には、ｐｐｂ（１／１０9）レベル
の極微量の測定対象物を高感度、高精度で分析すること
は極めて困難である。
つとして、測定精度、測定感度がよいということで、光
源に半導体レーザを用いて、被測定ガスの吸光度を測定
する分光分析方法が広く一般に使用されている。ところ
が、図６のアンモニア（ＮＨ3）と水分（Ｈ2Ｏ）の吸収
スペクトル図に図示する如く、多原子分子のアンモニア
（ＮＨ3）［他にシラン（ＳiＨ4）も同様］を主成分と
するガス中の測定対象物が水分（Ｈ2Ｏ）の分析のよう
に、測定対象物と主成分ガスとの吸収スペクトルが重な
る被測定ガスの場合には、ｐｐｂ（１／１０9）レベル
の極微量の測定対象物を高感度、高精度で分析すること
は極めて困難である。
【０００３】そこで、出願人は、被測定ガスとして測定
対象物例えば水等の不純物を含有する主成分ガスよりな
る被測定ガスを測定するため、図７にデユアルセル方式
の分光分析装置の一例の系統略図を図示する如く、被測
定ガスＧを導入したサンプルセル５２と、測定対象物を
含有しない主成分ガスでなるガスをキャンセルガスＣと
して導入するキャンセルセル５３を設けたデユアルセル
方式を使用した分光分析方法と装置を開発し、特願平９
ー９１１５８号で特許出願した。
対象物例えば水等の不純物を含有する主成分ガスよりな
る被測定ガスを測定するため、図７にデユアルセル方式
の分光分析装置の一例の系統略図を図示する如く、被測
定ガスＧを導入したサンプルセル５２と、測定対象物を
含有しない主成分ガスでなるガスをキャンセルガスＣと
して導入するキャンセルセル５３を設けたデユアルセル
方式を使用した分光分析方法と装置を開発し、特願平９
ー９１１５８号で特許出願した。
【０００４】この方法によると、図７において、レーザ
光源５１からのレーザ光Ｌをビームスプリッタ５４でＬ
1とＬ2に分岐して光学特性を同一条件に調整した上、分
岐光Ｌ1をサンプルセル５２、分岐光Ｌ2をキャンセルセ
ル５３に投射しそれぞれの透過光Ｌ1t、Ｌ2tのスペクト
ルを検出器５５、５６で検出し、該器で光電変換した信
号をそれぞれロックイン増幅器５７、５８で２次微分ス
ペクトル２ｆを取り出し、これをＡＤ変換器５９、６０
でそれぞれデジタル化し、その信号をコンピュータ６１
に導入する。そして、該コンピュータ６１で、記憶蓄積
せしめた演算式等の情報データによりこれら入力信号を
処理して被測定ガスＧの吸収スペクトルからキャンセル
ガスＣの吸収スペクトルを差し引いて、被測定ガスＧ中
の測定対象物（不純物）ｍの吸収スペクトルを算出する
ものである。そして、これにより高感度、かつ高精度に
該種被測定ガスＧ中の不純物を分析することを可能とし
たものである。なお、図中符号５１ａは半導体レーザ光
の駆動部であり、６２はコンピュータ６１に接続してい
るデイスプレイ、６３は被測定ガス導入系、そして６４
は主成分ガスよりなるキャンセルガス導入系である。
光源５１からのレーザ光Ｌをビームスプリッタ５４でＬ
1とＬ2に分岐して光学特性を同一条件に調整した上、分
岐光Ｌ1をサンプルセル５２、分岐光Ｌ2をキャンセルセ
ル５３に投射しそれぞれの透過光Ｌ1t、Ｌ2tのスペクト
ルを検出器５５、５６で検出し、該器で光電変換した信
号をそれぞれロックイン増幅器５７、５８で２次微分ス
ペクトル２ｆを取り出し、これをＡＤ変換器５９、６０
でそれぞれデジタル化し、その信号をコンピュータ６１
に導入する。そして、該コンピュータ６１で、記憶蓄積
せしめた演算式等の情報データによりこれら入力信号を
処理して被測定ガスＧの吸収スペクトルからキャンセル
ガスＣの吸収スペクトルを差し引いて、被測定ガスＧ中
の測定対象物（不純物）ｍの吸収スペクトルを算出する
ものである。そして、これにより高感度、かつ高精度に
該種被測定ガスＧ中の不純物を分析することを可能とし
たものである。なお、図中符号５１ａは半導体レーザ光
の駆動部であり、６２はコンピュータ６１に接続してい
るデイスプレイ、６３は被測定ガス導入系、そして６４
は主成分ガスよりなるキャンセルガス導入系である。
【０００５】しかしながら、この方法では、被測定ガス
用のサンプルセル５２と主成分ガスよりなるキャンセル
ガス用のキャンセルセル５３との２つのセルは、同一の
構成仕様諸元を有することが必要であったり、その他構
成する２つの光学系統が同一条件で運転操作することが
必要であったりするため、付属配管等種々さまざまの器
具、部品が必要となり、これを充足した装置を組立構成
する価格が嵩む不都合が生じる。
用のサンプルセル５２と主成分ガスよりなるキャンセル
ガス用のキャンセルセル５３との２つのセルは、同一の
構成仕様諸元を有することが必要であったり、その他構
成する２つの光学系統が同一条件で運転操作することが
必要であったりするため、付属配管等種々さまざまの器
具、部品が必要となり、これを充足した装置を組立構成
する価格が嵩む不都合が生じる。
【０００６】そこで、サンプルセル及びキャンセルセル
のような同一仕様諸元を有する２つのセル、及び運転操
作条件が同一な２つの光学系統を有する分光分析（デユ
アルセル方式）を用いずに、１つのセルで、被測定ガス
Ｇを導入し測定するサンプルセルとし、またキャンセル
ガスに切り換え導入しこれを測定するキャンセルセルと
して、それぞれに共用する単一セル方式でなるコンパク
トな装置構成で、しかも高感度、高精度の分析測定が可
能な分析方法の開発出現が望まれている。
のような同一仕様諸元を有する２つのセル、及び運転操
作条件が同一な２つの光学系統を有する分光分析（デユ
アルセル方式）を用いずに、１つのセルで、被測定ガス
Ｇを導入し測定するサンプルセルとし、またキャンセル
ガスに切り換え導入しこれを測定するキャンセルセルと
して、それぞれに共用する単一セル方式でなるコンパク
トな装置構成で、しかも高感度、高精度の分析測定が可
能な分析方法の開発出現が望まれている。
【０００７】しかしながら、ここで被測定ガスとキャン
セルガスとでの吸収スペクトルを得るために単一セル方
式を用いて分光分析をする場合に問題になるのは、この
方式の測定では、デユアル方式の如き同時にこれらの吸
収スペクトを採取するのではなく、これらのガスを単一
セルに適宜切り換えて導入して別個に採取するので、被
測定ガスの吸収スペクトルから主成分ガスでなるキャン
セルガスの吸収スペクトルを差し引くときに、これらの
吸収スペクトル波長を正確に重ね合わせることが困難で
あることである。
セルガスとでの吸収スペクトルを得るために単一セル方
式を用いて分光分析をする場合に問題になるのは、この
方式の測定では、デユアル方式の如き同時にこれらの吸
収スペクトを採取するのではなく、これらのガスを単一
セルに適宜切り換えて導入して別個に採取するので、被
測定ガスの吸収スペクトルから主成分ガスでなるキャン
セルガスの吸収スペクトルを差し引くときに、これらの
吸収スペクトル波長を正確に重ね合わせることが困難で
あることである。
【０００８】これは、単一セル内に被測定ガスとキャン
セルガスとを切り換えて導入して、それに合わせて別個
に半導体レーザを発振させるので、その間での極微小の
素子温度の変化でも、その発振波長が変化する性質を持
っていることによるものである。そして、被測定ガスの
吸収スペクトルの測定から、キャンセルガスの吸収スペ
クトルの測定までの間に、周囲温度の変化等の環境の変
化や制御装置の実際的な制御可能な分解能の制限によっ
て、半導体レーザの発振波長の変動を生じせしめること
によるものである。
セルガスとを切り換えて導入して、それに合わせて別個
に半導体レーザを発振させるので、その間での極微小の
素子温度の変化でも、その発振波長が変化する性質を持
っていることによるものである。そして、被測定ガスの
吸収スペクトルの測定から、キャンセルガスの吸収スペ
クトルの測定までの間に、周囲温度の変化等の環境の変
化や制御装置の実際的な制御可能な分解能の制限によっ
て、半導体レーザの発振波長の変動を生じせしめること
によるものである。
【０００９】このようなことより、単一セル方式を用い
た該種被測定ガスの分光分析の測定では、被測定ガスと
主成分ガスでなるキャンセルガスの吸収スペクトルの波
長を正確に重ね合わせることが困難であるため、これら
２つの吸収スペクトルの引き算が正確に行えず、被測定
ガス中の測定対象物（不純物）を高感度、高精度に分析
することは困難であった。これを解決するために、水分
の吸収スペクトルに合わせて、半導体レーザの波長をロ
ックする方法が知られているが、この方法も２つの同じ
セルを用いるデユアルセル方式での同時に２つの吸収ス
ペクトルを引き算する分析方法ほどの測定精度を得るこ
とはできていない。
た該種被測定ガスの分光分析の測定では、被測定ガスと
主成分ガスでなるキャンセルガスの吸収スペクトルの波
長を正確に重ね合わせることが困難であるため、これら
２つの吸収スペクトルの引き算が正確に行えず、被測定
ガス中の測定対象物（不純物）を高感度、高精度に分析
することは困難であった。これを解決するために、水分
の吸収スペクトルに合わせて、半導体レーザの波長をロ
ックする方法が知られているが、この方法も２つの同じ
セルを用いるデユアルセル方式での同時に２つの吸収ス
ペクトルを引き算する分析方法ほどの測定精度を得るこ
とはできていない。
【００１０】しかしながら、この吸収スペクトルの波長
の基準として水の吸収スペクトルの波長を用いること
は、通常の単一セル方式を用いたガスの分析でも、使用
されている。即ち、この方法は、水の吸収スペクトルの
吸収波長を基準波長値として、［半導体レーザーの発振
駆動電流（ｍＡ）］ー［波長（ｎｍ）］を目盛り付けし
て、これに基づいて、測定毎にこの基準波長値を基準に
して波長を走査せしめて、半導体レーザを上記したと同
じ発振駆動電流で発振させて測定対象物の吸収スペクト
ルを測定しても、同じ波長位置に再現性よくその駆動電
流に相当するスペクトル波長が得られず、半導体レーザ
の周辺の環境、例えば外気温度等の差異により、現出す
るスペクトル波長位置にいささかのずれが生じる。
の基準として水の吸収スペクトルの波長を用いること
は、通常の単一セル方式を用いたガスの分析でも、使用
されている。即ち、この方法は、水の吸収スペクトルの
吸収波長を基準波長値として、［半導体レーザーの発振
駆動電流（ｍＡ）］ー［波長（ｎｍ）］を目盛り付けし
て、これに基づいて、測定毎にこの基準波長値を基準に
して波長を走査せしめて、半導体レーザを上記したと同
じ発振駆動電流で発振させて測定対象物の吸収スペクト
ルを測定しても、同じ波長位置に再現性よくその駆動電
流に相当するスペクトル波長が得られず、半導体レーザ
の周辺の環境、例えば外気温度等の差異により、現出す
るスペクトル波長位置にいささかのずれが生じる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このようなことから、
この水の吸収スペクトルの波長を基準波長値として、
［半導体レーザーの発振駆動電流（ｍＡ）］ー［波長
（ｎｍ）］を目盛り付けして、これに基づいて、測定毎
に基準波長値を整合せしめて半導体レーザを発振させ
て、被測定ガスとキャンセルガスとでの吸収スペクトル
を得るために単一セル方式を用いて分光分析をする方法
を採用しても、同一発振駆動電流でスペクトルグラフに
ずれが生じて、被測定ガスの吸収スペクトルから主成分
ガスでなるキャンセルガスの吸収スペクトルを差し引く
ときに、これらの吸収スペクトルを正確に重ね合わせる
ことが困難である。そのため精度の高い分析を行うこと
ができないのが実情であった。
この水の吸収スペクトルの波長を基準波長値として、
［半導体レーザーの発振駆動電流（ｍＡ）］ー［波長
（ｎｍ）］を目盛り付けして、これに基づいて、測定毎
に基準波長値を整合せしめて半導体レーザを発振させ
て、被測定ガスとキャンセルガスとでの吸収スペクトル
を得るために単一セル方式を用いて分光分析をする方法
を採用しても、同一発振駆動電流でスペクトルグラフに
ずれが生じて、被測定ガスの吸収スペクトルから主成分
ガスでなるキャンセルガスの吸収スペクトルを差し引く
ときに、これらの吸収スペクトルを正確に重ね合わせる
ことが困難である。そのため精度の高い分析を行うこと
ができないのが実情であった。
【００１２】そこで、本発明は上記現状に鑑み、同一仕
様諸元を有する２つのセル（サンプルセルとキャンセル
セル）でなる高価で精度の高い構成部品を必要とするデ
ユアル方式を用いないで、サンプルセルとキャンセルセ
ルとを共用して、装置構成がコンパクトで簡単な単一セ
ル方式により、吸収スペクトル波長が同じ波長域に存在
する主成分ガスと測定対象物（不純物）とよりなる被測
定ガス中の前記測定対象物を、高感度、高精度で分析測
定することができる分析方法を提供することを本発明の
課題とするものである。
様諸元を有する２つのセル（サンプルセルとキャンセル
セル）でなる高価で精度の高い構成部品を必要とするデ
ユアル方式を用いないで、サンプルセルとキャンセルセ
ルとを共用して、装置構成がコンパクトで簡単な単一セ
ル方式により、吸収スペクトル波長が同じ波長域に存在
する主成分ガスと測定対象物（不純物）とよりなる被測
定ガス中の前記測定対象物を、高感度、高精度で分析測
定することができる分析方法を提供することを本発明の
課題とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ光による
分光分析方法は、レーザ光を第１の光と第２の光に分岐
し、第１のレーザ光を被測定ガスを導入したサンプルセ
ルに投射しその透過光のスペクトル強度を測定する第１
の系統と、第２のレーザ光を既知の吸収スペクトルを有
する成分を含有する参照ガスを導入したリファレンスセ
ルに投射しその透過光のスペクトル強度を測定する第２
の系統よりなり、第１の系統で得られた被測定ガスのス
ペクトルを第２の系統で得られた参照ガスの吸収スペク
トルと照合して、被測定ガスのスペクトルを同定して被
測定ガス中の測定対象物を分析する方法であって、主成
分ガスに測定対象物が含有する被測定ガスの吸収スペク
トルと、測定対象物が含まれない主成分ガスよりなるキ
ャンセルガスの吸収スペクトルを、それぞれ参照ガスの
吸収スペクトルと同時に採取し、被測定ガスとキャンセ
ルガスのそれぞれの吸収スペクトル波長を、参照ガスの
少なくとも２本の吸収スペクトル線を基準として確定
し、波長確定した被測定ガスの吸収スペクトルからキャ
ンセルガスの吸収スペクトルを差し引いて、被測定ガス
中の測定対象物の吸収スペクトルを得ることを特徴とす
る。本発明の分光分析方法では、前記参照ガスの既知の
少なくとも２本の基準となる吸収スペクトルを、被測定
ガスの吸収スペクトル測定時とキャンセルガスの吸収ス
ペクトル測定時とで基準吸収スペクトル線の現出位置が
整合するよう校正することができる。参照ガスは、少な
くとも２本の基準となる既知の吸収スペクトル線が被測
定ガスの吸収スペクトルの近傍に存在するとともに、被
測定ガス中の測定対象物の吸収スペクトルのピークを挟
むように長短波長の両側に吸収スペクトル線が存在する
成分を含有するガスであることが好ましい。本発明で
は、参照ガスの成分が臭化水素であり、該臭化水素のＨ
79 ＢrとＨ 81 Ｂrの既知の吸収スペクトル波長が基準とな
る方法をとることができる。
分光分析方法は、レーザ光を第１の光と第２の光に分岐
し、第１のレーザ光を被測定ガスを導入したサンプルセ
ルに投射しその透過光のスペクトル強度を測定する第１
の系統と、第２のレーザ光を既知の吸収スペクトルを有
する成分を含有する参照ガスを導入したリファレンスセ
ルに投射しその透過光のスペクトル強度を測定する第２
の系統よりなり、第１の系統で得られた被測定ガスのス
ペクトルを第２の系統で得られた参照ガスの吸収スペク
トルと照合して、被測定ガスのスペクトルを同定して被
測定ガス中の測定対象物を分析する方法であって、主成
分ガスに測定対象物が含有する被測定ガスの吸収スペク
トルと、測定対象物が含まれない主成分ガスよりなるキ
ャンセルガスの吸収スペクトルを、それぞれ参照ガスの
吸収スペクトルと同時に採取し、被測定ガスとキャンセ
ルガスのそれぞれの吸収スペクトル波長を、参照ガスの
少なくとも２本の吸収スペクトル線を基準として確定
し、波長確定した被測定ガスの吸収スペクトルからキャ
ンセルガスの吸収スペクトルを差し引いて、被測定ガス
中の測定対象物の吸収スペクトルを得ることを特徴とす
る。本発明の分光分析方法では、前記参照ガスの既知の
少なくとも２本の基準となる吸収スペクトルを、被測定
ガスの吸収スペクトル測定時とキャンセルガスの吸収ス
ペクトル測定時とで基準吸収スペクトル線の現出位置が
整合するよう校正することができる。参照ガスは、少な
くとも２本の基準となる既知の吸収スペクトル線が被測
定ガスの吸収スペクトルの近傍に存在するとともに、被
測定ガス中の測定対象物の吸収スペクトルのピークを挟
むように長短波長の両側に吸収スペクトル線が存在する
成分を含有するガスであることが好ましい。本発明で
は、参照ガスの成分が臭化水素であり、該臭化水素のＨ
79 ＢrとＨ 81 Ｂrの既知の吸収スペクトル波長が基準とな
る方法をとることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明のレーザ光によるガスの分光分析方法は図
１に図示する半導体レーザ分光分析装置により行うもの
である。即ち、図１は半導体レーザ分光分析装置の一例
を示す系統略図であり、分光分析に適した波長帯のレー
ザ光を発振する半導体レーザ光源１は、レーザ駆動部２
により駆動される。該レーザ駆動部２は、適切な所望す
るレーザ光を発振させるため、レーザ素子温度を適切に
制御するための温度コントローラー２ａ、レーザ素子に
電流を供給しこれを駆動させるためのレーザダイオード
（ＬＤという）駆動器２ｂ、及び周波数変調法に基づい
て、レーザの発振周波数変調させるための周波数変調手
段としてのファンクションジェネレータ２ｃとからなっ
ている。なお、これらを適正に制御運転するよう後述す
るようコンピュータ９に接続されている。
する。本発明のレーザ光によるガスの分光分析方法は図
１に図示する半導体レーザ分光分析装置により行うもの
である。即ち、図１は半導体レーザ分光分析装置の一例
を示す系統略図であり、分光分析に適した波長帯のレー
ザ光を発振する半導体レーザ光源１は、レーザ駆動部２
により駆動される。該レーザ駆動部２は、適切な所望す
るレーザ光を発振させるため、レーザ素子温度を適切に
制御するための温度コントローラー２ａ、レーザ素子に
電流を供給しこれを駆動させるためのレーザダイオード
（ＬＤという）駆動器２ｂ、及び周波数変調法に基づい
て、レーザの発振周波数変調させるための周波数変調手
段としてのファンクションジェネレータ２ｃとからなっ
ている。なお、これらを適正に制御運転するよう後述す
るようコンピュータ９に接続されている。
【００１５】そして、前記レーザ駆動部２での温度コン
トローラ２ａによりレーザ素子の動作温度を調整し、Ｌ
Ｄ駆動器２ｂによりレーザ素子への注入電流（直流電
流）を連続的に変化させることによりレーザ素子の発振
波長を連続的に変化させ、そしてファンクションジェネ
レータ２ｃによって周波数変調法に基づく変調信号（交
流成分）をＬＤ駆動器２ｂに導入して、レーザ素子への
注入電流にこの変調信号を重畳させて、レーザ素子から
発振されるレーザ光に直接周波数変調をかけている。
トローラ２ａによりレーザ素子の動作温度を調整し、Ｌ
Ｄ駆動器２ｂによりレーザ素子への注入電流（直流電
流）を連続的に変化させることによりレーザ素子の発振
波長を連続的に変化させ、そしてファンクションジェネ
レータ２ｃによって周波数変調法に基づく変調信号（交
流成分）をＬＤ駆動器２ｂに導入して、レーザ素子への
注入電流にこの変調信号を重畳させて、レーザ素子から
発振されるレーザ光に直接周波数変調をかけている。
【００１６】このように駆動部２により発振されて、所
望する適切な波長帯域のスペクトルを発光する半導体レ
ーザ光源１としては、周波数変調可能な常温で連続発振
し得るＩnＧaＡsＰ、ＩnＧaＡs、ＧaＩnＡsＳb、ＡｌＩ
nＳ、ＡｌＩnＡs、ＡｌＧaＳbの半導体レーザ素子が適
用する波長帯域に応じて適宜選択して好適に使用するこ
とができる。なお、使用し得る半導体レーザ素子として
は、勿論これらのみに限定されるものでなく、分析に適
した波長帯のレーザ光を発振し得る適宜の波長可変型半
導体レーザ素子を用いることができる。
望する適切な波長帯域のスペクトルを発光する半導体レ
ーザ光源１としては、周波数変調可能な常温で連続発振
し得るＩnＧaＡsＰ、ＩnＧaＡs、ＧaＩnＡsＳb、ＡｌＩ
nＳ、ＡｌＩnＡs、ＡｌＧaＳbの半導体レーザ素子が適
用する波長帯域に応じて適宜選択して好適に使用するこ
とができる。なお、使用し得る半導体レーザ素子として
は、勿論これらのみに限定されるものでなく、分析に適
した波長帯のレーザ光を発振し得る適宜の波長可変型半
導体レーザ素子を用いることができる。
【００１７】このようにして発振する半導体レーザ光源
１のレーザ光Ｌ0は集光レンズ３で集光された後、ビー
ムスプリッター４で第１のレーザ光ＬSと第２のレーザ
光ＬRと２つに分割される。なお、ビームスプリッター
４の前の光路に、該ビームスプリッター４等による反射
光が再注入されて不安定なレーザ光とならないよう、ア
イソレータ（反射戻り光除去器）５を設けておくとよ
い。そして第１のレーザ光ＬSは、主成分ガスＭに測定
対象物（不純物）ｍが含有している被測定ガスＧと主成
分ガスＭでなるキャンセルガスＣが適宜切り換えて導入
されるサンプルセル６へ投射され、そして該サンプルセ
ル６を透過してきたサンプルセル透過光ＬStを光検出器
７で受光し、ＧeフォトダイオードやＩnＧaＡsフォトダ
イオードの如きセンサーで光電変換する。その出力信号
をロックイン増幅器８に導入し、該ロックイン増幅器８
では前記光検出器７よりの信号を処理して二次微分信号
のみを出力し、該出力信号はコンピュータ９に導入され
る。符号１０はコンピュータに蓄積されたデータを映像
せしめるデイスプレイである。
１のレーザ光Ｌ0は集光レンズ３で集光された後、ビー
ムスプリッター４で第１のレーザ光ＬSと第２のレーザ
光ＬRと２つに分割される。なお、ビームスプリッター
４の前の光路に、該ビームスプリッター４等による反射
光が再注入されて不安定なレーザ光とならないよう、ア
イソレータ（反射戻り光除去器）５を設けておくとよ
い。そして第１のレーザ光ＬSは、主成分ガスＭに測定
対象物（不純物）ｍが含有している被測定ガスＧと主成
分ガスＭでなるキャンセルガスＣが適宜切り換えて導入
されるサンプルセル６へ投射され、そして該サンプルセ
ル６を透過してきたサンプルセル透過光ＬStを光検出器
７で受光し、ＧeフォトダイオードやＩnＧaＡsフォトダ
イオードの如きセンサーで光電変換する。その出力信号
をロックイン増幅器８に導入し、該ロックイン増幅器８
では前記光検出器７よりの信号を処理して二次微分信号
のみを出力し、該出力信号はコンピュータ９に導入され
る。符号１０はコンピュータに蓄積されたデータを映像
せしめるデイスプレイである。
【００１８】又、前記ビームスプリッター４で２分割さ
れた他方第２のレーザ光ＬRは、既知の吸収スペクトル
波長を有する照合成分を含有している参照ガスＲが導入
されているリファレンスセル１６に投射される。そし
て、該リファレンスセル１６を透過してきたリファレン
スセル透過光ＬRtを光検出器１７で受光し、Ｇeフォト
ダイオードやＩnＧaＡsフォトダイオードの如き光セン
サーで光電変換し、その出力信号をロックイン増幅器１
８に導入する。該ロックイン増幅器１８では前記光検出
器１７のよりの信号を処理して二次微分信号のみを出力
し、該出力信号はコンピュータ９に導入される。なお、
コンピュータ９には半導体レーザー光を常に適切に発振
するようなデータが記憶蓄積されていて、適宜運転状態
に応じてレーザ駆動部２に制御、運転信号を送信し、半
導体レーザー光源１を常に適切に発光するようにしてい
る。
れた他方第２のレーザ光ＬRは、既知の吸収スペクトル
波長を有する照合成分を含有している参照ガスＲが導入
されているリファレンスセル１６に投射される。そし
て、該リファレンスセル１６を透過してきたリファレン
スセル透過光ＬRtを光検出器１７で受光し、Ｇeフォト
ダイオードやＩnＧaＡsフォトダイオードの如き光セン
サーで光電変換し、その出力信号をロックイン増幅器１
８に導入する。該ロックイン増幅器１８では前記光検出
器１７のよりの信号を処理して二次微分信号のみを出力
し、該出力信号はコンピュータ９に導入される。なお、
コンピュータ９には半導体レーザー光を常に適切に発振
するようなデータが記憶蓄積されていて、適宜運転状態
に応じてレーザ駆動部２に制御、運転信号を送信し、半
導体レーザー光源１を常に適切に発光するようにしてい
る。
【００１９】このようにして、図１の装置では、半導体
レーザ光源１の発振駆動電流をレーザ駆動部２で連続的
に変化することにより、半導体レーザの発振波長を連続
的に変化走査させ、被測定ガスＧとキャンセルガスＣが
切り換えて導入されるサンプルセル６を透過してきたサ
ンプルセル透過光ＬStのスペクトルを光検出器７で検出
し、光電変換され、その出力をロックイン増幅器８で処
理して二次微分信号が導出される。そして該信号はコン
ピュータ９に導入される。
レーザ光源１の発振駆動電流をレーザ駆動部２で連続的
に変化することにより、半導体レーザの発振波長を連続
的に変化走査させ、被測定ガスＧとキャンセルガスＣが
切り換えて導入されるサンプルセル６を透過してきたサ
ンプルセル透過光ＬStのスペクトルを光検出器７で検出
し、光電変換され、その出力をロックイン増幅器８で処
理して二次微分信号が導出される。そして該信号はコン
ピュータ９に導入される。
【００２０】同時に、同様にして前記半導体レーザ光源
１の発振駆動電流をレーザ駆動部２で連続的に変化する
ことにより、連続的に変化走査させた波長の半導体レー
ザ光を、既知の吸収スペクトル波長を有する参照ガスＲ
が導入されているリファレンスセル１６に投射され、こ
れを透過してきたリファレンスセル透過光ＬRtのスペク
トルが光検出器１７で光電変換され、ロックイン増幅器
１８で処理されて、二次微分信号のみを選択的に導出し
て、これをコンピュータ９に導入するようになってい
る。そしてコンピュータ９に記憶蓄積されたデータは、
適宜デイスプレー１０により映像現出することができ
る。
１の発振駆動電流をレーザ駆動部２で連続的に変化する
ことにより、連続的に変化走査させた波長の半導体レー
ザ光を、既知の吸収スペクトル波長を有する参照ガスＲ
が導入されているリファレンスセル１６に投射され、こ
れを透過してきたリファレンスセル透過光ＬRtのスペク
トルが光検出器１７で光電変換され、ロックイン増幅器
１８で処理されて、二次微分信号のみを選択的に導出し
て、これをコンピュータ９に導入するようになってい
る。そしてコンピュータ９に記憶蓄積されたデータは、
適宜デイスプレー１０により映像現出することができ
る。
【００２１】又、前記サンプルセル６には、被測定ガス
（主成分ガスＭ＋測定対象物ｍ）Ｇ及び精製された主成
分ガスＭよりなるキャンセルガスＣを適宜選択して所定
圧力に導入し得るようなガス供給設備２０が連設されて
いる。そしてこのガス供給設備２０には、被測定ガス充
填容器２１、キャンセルガス充填容器２２、パージ用ガ
ス充填容器２３等のガス源がマスフローコントローラー
の如き流量調整弁２４を介してサンプルセル６に連設さ
れているガス導入系２５と、セル６内を洗浄排気したり
圧力調整するため真空計２６を配して真空ポンプ２７が
流量調整弁２８を介してサンプルセル６に連設するガス
排気系２９とが配設されている。そして該サンプルセル
６は中空円筒状をなし、その両端に設けられた窓はブリ
ュスター角に調整されている。
（主成分ガスＭ＋測定対象物ｍ）Ｇ及び精製された主成
分ガスＭよりなるキャンセルガスＣを適宜選択して所定
圧力に導入し得るようなガス供給設備２０が連設されて
いる。そしてこのガス供給設備２０には、被測定ガス充
填容器２１、キャンセルガス充填容器２２、パージ用ガ
ス充填容器２３等のガス源がマスフローコントローラー
の如き流量調整弁２４を介してサンプルセル６に連設さ
れているガス導入系２５と、セル６内を洗浄排気したり
圧力調整するため真空計２６を配して真空ポンプ２７が
流量調整弁２８を介してサンプルセル６に連設するガス
排気系２９とが配設されている。そして該サンプルセル
６は中空円筒状をなし、その両端に設けられた窓はブリ
ュスター角に調整されている。
【００２２】又、リファレンスセル１６には、測定対象
物ｍを確定するための吸収スペクトル波長位置を同定し
たり、被測定ガスＧの吸収スペクトルからキャンセルガ
スＣである主成分ガスＭの吸収スペクトルを差し引く時
の、波長位置の位置決めの基準となる基準波長用とし
て、既知の吸収スペクトル波長を有する照合参照ガスＲ
が所定圧力、所定濃度で充填されている。この参照ガス
Ｒとしては、被測定ガスの吸収スペクトル波長が存在す
る波長帯域に既知の吸収スペクトル線が少なくとも２本
存在するガスであることが好ましい。例えば臭化水素ガ
スや水が好適に使用し得る。
物ｍを確定するための吸収スペクトル波長位置を同定し
たり、被測定ガスＧの吸収スペクトルからキャンセルガ
スＣである主成分ガスＭの吸収スペクトルを差し引く時
の、波長位置の位置決めの基準となる基準波長用とし
て、既知の吸収スペクトル波長を有する照合参照ガスＲ
が所定圧力、所定濃度で充填されている。この参照ガス
Ｒとしては、被測定ガスの吸収スペクトル波長が存在す
る波長帯域に既知の吸収スペクトル線が少なくとも２本
存在するガスであることが好ましい。例えば臭化水素ガ
スや水が好適に使用し得る。
【００２３】このようにして、コンピュータ９には、被
測定試料ガスＧが導入されている時のサンプルセル６を
透過してきた透過光ＬStGの吸収スペクトルと、キャン
セルガスＣが導入されている時のサンプルセル６を透過
してきた透過光ＬStCの吸収スペクトルとのそれぞれの
スペクトルの採取と同時に、それぞれ既知の吸収スペク
トルを有する参照ガスＲが導入されているリファレンス
セル１６を透過してきた透過光ＬRtの既知の吸収スペク
トルが採取されて導入される。そして、該コンピュータ
９で、被測定ガスＧの吸収スペクトルと参照ガスＲの少
なくとも２本の既知の基準スペクトル、又キャンセルガ
スＣの吸収スペクトルと参照ガスＲの少なくとも２本の
既知の基準スペクトルとでそれぞれの照合比較され、こ
の既知の吸収スペクトルの現出波長により被測定ガスＧ
中の測定対象物の吸収スペクトルの波長が同定されると
ともに、被測定ガスＧの吸収スペクトルからキャンセル
ガスＣの吸収スペクトルを差し引く演算を行い、被測定
ガスＧ中の測定対象物（不純物）ｍの真の吸収スペクト
ルの強度を演算しその存在比、濃度等を演算し算出する
ものである。
測定試料ガスＧが導入されている時のサンプルセル６を
透過してきた透過光ＬStGの吸収スペクトルと、キャン
セルガスＣが導入されている時のサンプルセル６を透過
してきた透過光ＬStCの吸収スペクトルとのそれぞれの
スペクトルの採取と同時に、それぞれ既知の吸収スペク
トルを有する参照ガスＲが導入されているリファレンス
セル１６を透過してきた透過光ＬRtの既知の吸収スペク
トルが採取されて導入される。そして、該コンピュータ
９で、被測定ガスＧの吸収スペクトルと参照ガスＲの少
なくとも２本の既知の基準スペクトル、又キャンセルガ
スＣの吸収スペクトルと参照ガスＲの少なくとも２本の
既知の基準スペクトルとでそれぞれの照合比較され、こ
の既知の吸収スペクトルの現出波長により被測定ガスＧ
中の測定対象物の吸収スペクトルの波長が同定されると
ともに、被測定ガスＧの吸収スペクトルからキャンセル
ガスＣの吸収スペクトルを差し引く演算を行い、被測定
ガスＧ中の測定対象物（不純物）ｍの真の吸収スペクト
ルの強度を演算しその存在比、濃度等を演算し算出する
ものである。
【００２４】
【実施例】次ぎに、本発明によって、主成分ガスＭ＋測
定対象物（不純物）ｍでなる被測定ガスＧ中の測定対象
物（不純物）ｍの分析方法について、アンモニア（ＮＨ
3）を主成分ガスＭとして該ガス中の微量水分を不純物
ｍとして分析測定する例を例示してして説明する。使用
した分光分析装置は図１に図示した装置を使用し、該分
光分析装置の仕様諸元及び運転操作条件は、以下の通り
である。
定対象物（不純物）ｍでなる被測定ガスＧ中の測定対象
物（不純物）ｍの分析方法について、アンモニア（ＮＨ
3）を主成分ガスＭとして該ガス中の微量水分を不純物
ｍとして分析測定する例を例示してして説明する。使用
した分光分析装置は図１に図示した装置を使用し、該分
光分析装置の仕様諸元及び運転操作条件は、以下の通り
である。
【００２５】［分光分析装置の仕様諸元及び運転操作条
件］ ●半導体レーザ光源１は、２０００ｎｍ（１９８０〜２
０００ｎｍ）波長帯の分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを使
用し、レーザの注入電流に４ｋＨzの正弦波（ｓｉｎ
波）を加え直接変調を行った。 ●サンプルセル６はステンレス鋼製のものを、又リファ
レンスセル１６はガラス製のものを、それぞれ使用し
た。サンプルセル６の光路長さは５０ｃｍでブリュスタ
ー角を有し、リファレンスセル１６の光路長さは１０ｃ
ｍで同様にブリュスター角を有する。 ●光検出器７、１７ともにＧeフォトダイオードを使用
する。
件］ ●半導体レーザ光源１は、２０００ｎｍ（１９８０〜２
０００ｎｍ）波長帯の分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを使
用し、レーザの注入電流に４ｋＨzの正弦波（ｓｉｎ
波）を加え直接変調を行った。 ●サンプルセル６はステンレス鋼製のものを、又リファ
レンスセル１６はガラス製のものを、それぞれ使用し
た。サンプルセル６の光路長さは５０ｃｍでブリュスタ
ー角を有し、リファレンスセル１６の光路長さは１０ｃ
ｍで同様にブリュスター角を有する。 ●光検出器７、１７ともにＧeフォトダイオードを使用
する。
【００２６】●被測定ガスＧは、測定対象物（不純物）
ｍとして極微量の水（Ｈ2Ｏ）を含有しているアンモニ
ア（ＮＨ3）を主成分ガスＭとしたもので、サンプルセ
ル６内に圧力５０Ｔorr.、流量４００sccmになるよう、
ガス供給設備２０により制御してて導入した。 ●キャンセルガスＣとして、前記主成分ガスＭであるＮ
Ｈ3ガスを精製器などを用いて適宜精製処理して、不純
物を除去した純ＮＨ3ガスとなして、これを前記被測定
ガスＧと同一条件で、サンプルセル６内に導入した。 ●参照ガスＲとして、臭化水素（ＨＢr）を用いて、こ
れの既知の吸収スペクトルの基準波長として、Ｈ79Ｂr
（１９８２．９ｎｍ）、Ｈ81Ｂr（１９８３．２ｎｍ）
を使用するようにした。
ｍとして極微量の水（Ｈ2Ｏ）を含有しているアンモニ
ア（ＮＨ3）を主成分ガスＭとしたもので、サンプルセ
ル６内に圧力５０Ｔorr.、流量４００sccmになるよう、
ガス供給設備２０により制御してて導入した。 ●キャンセルガスＣとして、前記主成分ガスＭであるＮ
Ｈ3ガスを精製器などを用いて適宜精製処理して、不純
物を除去した純ＮＨ3ガスとなして、これを前記被測定
ガスＧと同一条件で、サンプルセル６内に導入した。 ●参照ガスＲとして、臭化水素（ＨＢr）を用いて、こ
れの既知の吸収スペクトルの基準波長として、Ｈ79Ｂr
（１９８２．９ｎｍ）、Ｈ81Ｂr（１９８３．２ｎｍ）
を使用するようにした。
【００２７】上記条件のもとに以下の操作を行い測定を
した。 （１）被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペクトル
採取。サンプルセル６に被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）
を導入し、半導体レーザ光源１からのレーザ光Ｌ0を分
岐した第１のレーザ光ＬSを投射して、該サンプルセル
６を透過した透過光ＬStGの吸収スペクトルを光検出器
７で検出するとともに、同時に分岐した第２のレーザ光
ＬRを、前記被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペ
クトルと同一波長帯域に少なくとも２本の既知に吸収ス
ペクトルが存在するガスを含有する参照ガスＲ（ＨＢ
r）が所定の状態で充填されているレファレンスセル１
６に投射し、該リファレンスセル１６を透過してくる透
過光ＬRtの吸収スペクトルを光検出器１７で検出する。
した。 （１）被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペクトル
採取。サンプルセル６に被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）
を導入し、半導体レーザ光源１からのレーザ光Ｌ0を分
岐した第１のレーザ光ＬSを投射して、該サンプルセル
６を透過した透過光ＬStGの吸収スペクトルを光検出器
７で検出するとともに、同時に分岐した第２のレーザ光
ＬRを、前記被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペ
クトルと同一波長帯域に少なくとも２本の既知に吸収ス
ペクトルが存在するガスを含有する参照ガスＲ（ＨＢ
r）が所定の状態で充填されているレファレンスセル１
６に投射し、該リファレンスセル１６を透過してくる透
過光ＬRtの吸収スペクトルを光検出器１７で検出する。
【００２８】そして、光検出器７及び光検出器１７で検
出された被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）と参照ガスＲ
（ＨＢr）の透過光ＬStGとＬRtの信号は、それぞれロッ
クイン増幅器８、１８に導入されて、２次微分吸収スペ
クトルに処理され、ついでコンピュータ９に導入され
る。該コンピュータ９では参照ガスＲ（ＨＢr）の吸収
スペクトルと被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペ
クトルとが照合され、参照ガスＲ（ＨＢr）の既知の少
なくとも２本の吸収スペクトルから、被測定ガスＧ（Ｎ
Ｈ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペクトルの波長が演算、同定され
てコンピュータに記憶蓄積される。ここで採取された被
測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）と参照ガスＲ（ＨＢr）と
の吸収スペクトルとを併記されたスペクトル図を図２に
示す。
出された被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）と参照ガスＲ
（ＨＢr）の透過光ＬStGとＬRtの信号は、それぞれロッ
クイン増幅器８、１８に導入されて、２次微分吸収スペ
クトルに処理され、ついでコンピュータ９に導入され
る。該コンピュータ９では参照ガスＲ（ＨＢr）の吸収
スペクトルと被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペ
クトルとが照合され、参照ガスＲ（ＨＢr）の既知の少
なくとも２本の吸収スペクトルから、被測定ガスＧ（Ｎ
Ｈ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペクトルの波長が演算、同定され
てコンピュータに記憶蓄積される。ここで採取された被
測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）と参照ガスＲ（ＨＢr）と
の吸収スペクトルとを併記されたスペクトル図を図２に
示す。
【００２９】（２）キャンセルガスＣ［主成分ガスＭ
（ＮＨ3）］の吸収スペクトル採取。次ぎに、サンプル
セル６内を、先に充填してあった被測定ガスＧ（ＮＨ3
＋Ｈ2Ｏ）を排出し、高純度窒素ガス等のパージガスを
流し、ついで真空排気処理する等の所定のパージ処理し
た後に、該セル６内に被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の
組成の主成分をなす主成分ガスＭ（ＮＨ3）よりなるキ
ャンセルガスＣとして導入する。そして前記（１）項の
時と同様に、第１のレーザ光ＬSをこのサンプルセル６
に投射し、同時に第２のレーザ光ＬRを参照ガスＲ（Ｈ
Ｂr）が充填されているリファレンスセル１６に投射
し、それぞれの投射光が、サンプルセル６又はリファレ
ンスセル１６を透過してくる透過光ＬStCとＬRtを光検
出器７、１７で検出する。
（ＮＨ3）］の吸収スペクトル採取。次ぎに、サンプル
セル６内を、先に充填してあった被測定ガスＧ（ＮＨ3
＋Ｈ2Ｏ）を排出し、高純度窒素ガス等のパージガスを
流し、ついで真空排気処理する等の所定のパージ処理し
た後に、該セル６内に被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の
組成の主成分をなす主成分ガスＭ（ＮＨ3）よりなるキ
ャンセルガスＣとして導入する。そして前記（１）項の
時と同様に、第１のレーザ光ＬSをこのサンプルセル６
に投射し、同時に第２のレーザ光ＬRを参照ガスＲ（Ｈ
Ｂr）が充填されているリファレンスセル１６に投射
し、それぞれの投射光が、サンプルセル６又はリファレ
ンスセル１６を透過してくる透過光ＬStCとＬRtを光検
出器７、１７で検出する。
【００３０】ついで、光検出器７、１７よりの出力信号
はロックイン増幅器８、１８で処理してそれぞれ２次微
分吸収スペクとして出力され、コンピュータ９に入力さ
れる。そして、該コンピュータ９で参照ガスＲ（ＨＢ
r）の吸収スペクトルとキャンセルガスＣ［主成分ガス
Ｍ（ＮＨ3）］の吸収スペクトルとが照合され、参照ガ
スＲ（ＨＢr）の既知の少なくとも２本の吸収スペクト
ルから、キャンセルガスＣ［主成分ガスＭ（ＮＨ3）］
の吸収スペクトルの波長が演算、同定されてコンピュー
タに記憶蓄積される。ここで得られたキャンセルガスＣ
（ＮＨ3）と参照ガスＲ（ＨＢr）との吸収スペクトルと
を併記されたスペクトル図を図３に示す。
はロックイン増幅器８、１８で処理してそれぞれ２次微
分吸収スペクとして出力され、コンピュータ９に入力さ
れる。そして、該コンピュータ９で参照ガスＲ（ＨＢ
r）の吸収スペクトルとキャンセルガスＣ［主成分ガス
Ｍ（ＮＨ3）］の吸収スペクトルとが照合され、参照ガ
スＲ（ＨＢr）の既知の少なくとも２本の吸収スペクト
ルから、キャンセルガスＣ［主成分ガスＭ（ＮＨ3）］
の吸収スペクトルの波長が演算、同定されてコンピュー
タに記憶蓄積される。ここで得られたキャンセルガスＣ
（ＮＨ3）と参照ガスＲ（ＨＢr）との吸収スペクトルと
を併記されたスペクトル図を図３に示す。
【００３１】（３）被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸
収スペクトルとキャンセルガスＣ［主成分ガスＭ（ＮＨ
3）］の吸収スペクトルを採取した時の、それぞれの参
照ガスＲ（ＨＢr）の既知の吸収スペクトルが一致整合
するよう、校正する。コンピュータ９に予め記憶蓄積し
てあるデータにより、上記（１）項及び（２）項で得ら
れた、それぞれの参照ガスＲ（ＨＢr）のスペクトル波
長の目盛り付けが一致整合するように校正する。この場
合図２、図３との照合で明らかなように、参照ガスＲ
（ＨＢr）の２本の既知の吸収スペクトル線の波長間の
間隔が図２の波長走査間隔と図３の波長走査間隔とで
は、図２の波長走査間隔の方がより短いことより、図２
の波長走査間隔を図３の波長走査間隔と同一となるよう
校正する。校正後の被測定ガスの吸収スペクトル図を図
４に示す。これにより、これらの参照ガスＲ（ＨＢr）
と照合されて同定される、先に採取された被測定ガスＧ
（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）、及びキャンセルガスＣの両者の吸収
スペクトルの波長の目盛りも一致するよう整合される。
収スペクトルとキャンセルガスＣ［主成分ガスＭ（ＮＨ
3）］の吸収スペクトルを採取した時の、それぞれの参
照ガスＲ（ＨＢr）の既知の吸収スペクトルが一致整合
するよう、校正する。コンピュータ９に予め記憶蓄積し
てあるデータにより、上記（１）項及び（２）項で得ら
れた、それぞれの参照ガスＲ（ＨＢr）のスペクトル波
長の目盛り付けが一致整合するように校正する。この場
合図２、図３との照合で明らかなように、参照ガスＲ
（ＨＢr）の２本の既知の吸収スペクトル線の波長間の
間隔が図２の波長走査間隔と図３の波長走査間隔とで
は、図２の波長走査間隔の方がより短いことより、図２
の波長走査間隔を図３の波長走査間隔と同一となるよう
校正する。校正後の被測定ガスの吸収スペクトル図を図
４に示す。これにより、これらの参照ガスＲ（ＨＢr）
と照合されて同定される、先に採取された被測定ガスＧ
（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）、及びキャンセルガスＣの両者の吸収
スペクトルの波長の目盛りも一致するよう整合される。
【００３２】（４）被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸
収スペクトルから、キャンセルガスＣ［主成分ガスＭ
（ＮＨ3）］の吸収スペクトルを差し引き演算し、被測
定ガス中の測定対象物ｍ（不純物Ｈ2Ｏ）の吸収スペク
トルを得る。コンピュータ９では、記憶蓄積したデータ
に基づいて、上記（３）項の校正操作で得られた、図４
の校正後の被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペク
トルと図３のキャンセルガスＣ［主成分ガスＭ（Ｎ
Ｈ3）］の吸収スペクトルとを、それぞれのスペクトル
図に示されている参照ガスＲ（ＨＢr）の２本の既知の
吸収スペクトル線を基準波長としてそれぞれ重ね合わせ
て、［図４の被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペ
クトル］より［図３のキャンセルガスＣ（ＮＨ3））の
吸収スペクトル］を差し引き演算操作して、測定対象物
ｍである不純物の水分（Ｈ2Ｏ）のみの吸収スペクトル
を得た。ここで得られた測定対象物ｍである不純物の水
分（Ｈ2Ｏ）のみの吸収スペクトルを図５に示す。
収スペクトルから、キャンセルガスＣ［主成分ガスＭ
（ＮＨ3）］の吸収スペクトルを差し引き演算し、被測
定ガス中の測定対象物ｍ（不純物Ｈ2Ｏ）の吸収スペク
トルを得る。コンピュータ９では、記憶蓄積したデータ
に基づいて、上記（３）項の校正操作で得られた、図４
の校正後の被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペク
トルと図３のキャンセルガスＣ［主成分ガスＭ（Ｎ
Ｈ3）］の吸収スペクトルとを、それぞれのスペクトル
図に示されている参照ガスＲ（ＨＢr）の２本の既知の
吸収スペクトル線を基準波長としてそれぞれ重ね合わせ
て、［図４の被測定ガスＧ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ）の吸収スペ
クトル］より［図３のキャンセルガスＣ（ＮＨ3））の
吸収スペクトル］を差し引き演算操作して、測定対象物
ｍである不純物の水分（Ｈ2Ｏ）のみの吸収スペクトル
を得た。ここで得られた測定対象物ｍである不純物の水
分（Ｈ2Ｏ）のみの吸収スペクトルを図５に示す。
【００３３】（５）測定対象物ｍ（Ｈ2Ｏ）である不純
物の含有量の算出。このようにして、得られた被測定対
象物ｍ（Ｈ2Ｏ）の吸収スペクトルの強度を測定するこ
とにより、コンピュータ９は、予め吸収スペクトルの強
度と含有量との関係を既知の含有量で目盛りづけしたデ
ータを記憶せしめておくことにより、従来の該種分析方
法での一般的通常手段と同様、極めて容易に演算して算
出することができる。
物の含有量の算出。このようにして、得られた被測定対
象物ｍ（Ｈ2Ｏ）の吸収スペクトルの強度を測定するこ
とにより、コンピュータ９は、予め吸収スペクトルの強
度と含有量との関係を既知の含有量で目盛りづけしたデ
ータを記憶せしめておくことにより、従来の該種分析方
法での一般的通常手段と同様、極めて容易に演算して算
出することができる。
【００３４】なお、上記実施例では参照ガスＲとして、
既知の２本の吸収スペクトルＨ79Ｂr（１９８２．９ｎ
ｍ）、Ｈ81Ｂr（１９８３．２ｎｍ）を基準線として使
用する、臭化水素の例を上げて説明したが、臭化水素以
外にも、測定対象物ｍの吸収スペクトルの波長を挟むよ
うな位置に、既知の波長の吸収スペクトル線が現出する
ように、その位置に吸収スペクトルを表出するガスを所
定の割合に混合して使用することができる。
既知の２本の吸収スペクトルＨ79Ｂr（１９８２．９ｎ
ｍ）、Ｈ81Ｂr（１９８３．２ｎｍ）を基準線として使
用する、臭化水素の例を上げて説明したが、臭化水素以
外にも、測定対象物ｍの吸収スペクトルの波長を挟むよ
うな位置に、既知の波長の吸収スペクトル線が現出する
ように、その位置に吸収スペクトルを表出するガスを所
定の割合に混合して使用することができる。
【００３５】又、上記実施例では、アンモニアガス中の
微量水分の測定について説明したが、この方法によれ
ば、前記デユアルセル方式のような複雑な装置を使用し
たり煩雑な操作をすることなく、装置校正が簡単な単一
セル方式で、測定対象物の吸収スペクトル波長域に、こ
れを干渉する吸収スペクトルが存在するようなアンモニ
アガスの他にシラン（ＳiＨ4）を主成分とするガス中の
水の如き微量不純物を極めて正確に測定することができ
る。更に、干渉する吸収スペクトルがない窒素、酸素、
アルゴン及びその他半導体材料ガス中の微量不純物を測
定対象物ｍとした被測定ガスの分析測定に活用し得るこ
とは勿論である。
微量水分の測定について説明したが、この方法によれ
ば、前記デユアルセル方式のような複雑な装置を使用し
たり煩雑な操作をすることなく、装置校正が簡単な単一
セル方式で、測定対象物の吸収スペクトル波長域に、こ
れを干渉する吸収スペクトルが存在するようなアンモニ
アガスの他にシラン（ＳiＨ4）を主成分とするガス中の
水の如き微量不純物を極めて正確に測定することができ
る。更に、干渉する吸収スペクトルがない窒素、酸素、
アルゴン及びその他半導体材料ガス中の微量不純物を測
定対象物ｍとした被測定ガスの分析測定に活用し得るこ
とは勿論である。
【００３６】
【発明の効果】本発明のレーザ光によるガスの分光分析
方法は以上の如き形態で実施され、以下に記載する如き
効果を奏する。レーザ光を分岐し、第１のレーザ光を被
測定ガスと該被測定ガスの主成分をなす主成分ガスでな
るキャンセルガスとを切り換えて導入されるサンプルセ
ルに投射し、同時に第２のレーザ光を前記被測定ガス及
びキャンセルガスの吸収スペクトル測定波長領域に少な
くとも２本の既知の波長の吸収スペクトル線を有するガ
スよりなる参照ガスを導入されるリファレンスセルに投
射して、それぞれのセルの透過光を同時に検出するよう
にしたので、被測定ガス及びキャンセルガスのそれぞれ
の吸収スペクトルに同一の参照ガスの既知の波長の吸収
スペクトル線を併記して採取することができ、被測定ガ
ス及びキャンセルガスのそれぞれの吸収スペクトル線の
波長を同一の目盛り付けに確定し得て、これらの吸収ス
ペクトル図の差異の判断を正確かつ容易になし得る。
方法は以上の如き形態で実施され、以下に記載する如き
効果を奏する。レーザ光を分岐し、第１のレーザ光を被
測定ガスと該被測定ガスの主成分をなす主成分ガスでな
るキャンセルガスとを切り換えて導入されるサンプルセ
ルに投射し、同時に第２のレーザ光を前記被測定ガス及
びキャンセルガスの吸収スペクトル測定波長領域に少な
くとも２本の既知の波長の吸収スペクトル線を有するガ
スよりなる参照ガスを導入されるリファレンスセルに投
射して、それぞれのセルの透過光を同時に検出するよう
にしたので、被測定ガス及びキャンセルガスのそれぞれ
の吸収スペクトルに同一の参照ガスの既知の波長の吸収
スペクトル線を併記して採取することができ、被測定ガ
ス及びキャンセルガスのそれぞれの吸収スペクトル線の
波長を同一の目盛り付けに確定し得て、これらの吸収ス
ペクトル図の差異の判断を正確かつ容易になし得る。
【００３７】参照ガスとして、既知の少なくとも２本の
吸収スペクトルの波長を有するガスを使用しているの
で、これら少なくとも２本の既知の吸収スペクトル線の
波長を基準にして、波長の走査駆動をすることができて
半導体レーザ光の駆動操作を的確かつ容易に行うことが
できる。又、前記少なくとも２本既知の波長の吸収スペ
クトル線を使用するようにして、これを、上記した如
く、被測定ガス及びキャンセルガスのそれぞれの吸収ス
ペクトル図に併記して採取し得ることから、被測定ガス
及びキャンセルガスのそれぞれの吸収スペクトル図の波
長を同一の目盛り付けをし得て、これらの吸収スペクト
ル図を、ずれを生じることなく整合して正確に重ね合わ
せることができる。
吸収スペクトルの波長を有するガスを使用しているの
で、これら少なくとも２本の既知の吸収スペクトル線の
波長を基準にして、波長の走査駆動をすることができて
半導体レーザ光の駆動操作を的確かつ容易に行うことが
できる。又、前記少なくとも２本既知の波長の吸収スペ
クトル線を使用するようにして、これを、上記した如
く、被測定ガス及びキャンセルガスのそれぞれの吸収ス
ペクトル図に併記して採取し得ることから、被測定ガス
及びキャンセルガスのそれぞれの吸収スペクトル図の波
長を同一の目盛り付けをし得て、これらの吸収スペクト
ル図を、ずれを生じることなく整合して正確に重ね合わ
せることができる。
【００３８】この結果、本発明の分光分析方法では、こ
れらの吸収スペクトルの差し引き演算操作が正確に行う
ことができて、測定対象物である微量の不純物の分析測
定が精度よく高感度で行うことができる。それ故、従来
のデユアルセル方式の如き光学特性を全く同一にした、
被測定ガス測定系と、主成分ガスよりなるキャンセルガ
スの測定系を並列して設ける装置構成が精密かつ複雑
で、運転条件の制御が厳しく高価な分析装置を使用する
ことなく、被測定ガスと、該ガスの主成分ガスでなるキ
ャンセルガスとを切り換えて導入する単一のサンプルセ
ルにより、これらガス吸収スペクトルをを個別に測定す
る、操作が簡単な単一セル方式の装置でも、十分被測定
ガス中の測定対象物である微量な不純物を極めて高精度
かつ高感度で分析測定することができる。
れらの吸収スペクトルの差し引き演算操作が正確に行う
ことができて、測定対象物である微量の不純物の分析測
定が精度よく高感度で行うことができる。それ故、従来
のデユアルセル方式の如き光学特性を全く同一にした、
被測定ガス測定系と、主成分ガスよりなるキャンセルガ
スの測定系を並列して設ける装置構成が精密かつ複雑
で、運転条件の制御が厳しく高価な分析装置を使用する
ことなく、被測定ガスと、該ガスの主成分ガスでなるキ
ャンセルガスとを切り換えて導入する単一のサンプルセ
ルにより、これらガス吸収スペクトルをを個別に測定す
る、操作が簡単な単一セル方式の装置でも、十分被測定
ガス中の測定対象物である微量な不純物を極めて高精度
かつ高感度で分析測定することができる。
【図１】 本発明の分光分析方法に使用する半導体レー
ザ分光分析装置の一例を示す系統略図である。
ザ分光分析装置の一例を示す系統略図である。
【図２】 本発明の分光分析方法により得られた、被測
定ガス（アンモニアガス＋水分）の吸収スペクトルと同
時採取の参照ガス（臭化水素）の既知の吸収スペクトル
を示すスペクトル図である。
定ガス（アンモニアガス＋水分）の吸収スペクトルと同
時採取の参照ガス（臭化水素）の既知の吸収スペクトル
を示すスペクトル図である。
【図３】 本発明の分光分析方法により得られた、キャ
ンセルガス（アンモニアガス）の吸収スペクトルと同時
採取の参照ガス（臭化水素）の既知の吸収スペクトルを
示すスペクトル図である。
ンセルガス（アンモニアガス）の吸収スペクトルと同時
採取の参照ガス（臭化水素）の既知の吸収スペクトルを
示すスペクトル図である。
【図４】 図２のスペクトル図の波長目盛りを図３のス
ペクトル図の波長目盛りに整合校正したスペクトル図で
ある。
ペクトル図の波長目盛りに整合校正したスペクトル図で
ある。
【図５】 被測定ガス（アンモニアガス＋水分）の吸収
スペクトル（図４）のスペクトル図よりキャンセルガス
（アンモニアガス）の吸収スペクトル（図３）を差し引
いた測定対象物（水分）の吸収スペクトルと参照ガス
（臭化水素）の既知の吸収スペクトルを示すスペクトル
図である。
スペクトル（図４）のスペクトル図よりキャンセルガス
（アンモニアガス）の吸収スペクトル（図３）を差し引
いた測定対象物（水分）の吸収スペクトルと参照ガス
（臭化水素）の既知の吸収スペクトルを示すスペクトル
図である。
【図６】 アンモニアＮＨ3と水分Ｈ2Ｏの吸収スペクト
ル図である。
ル図である。
【図７】 従来のデユアルセル方式の分光分析装置の一
例を示す系統略図である。
例を示す系統略図である。
１…半導体レーザ光源、 ２…レーザ駆動部、 ３…集
光レンズ、４…ビームスプリッター、 ５…アイソレー
タ、 ６…サンプルセル、１６…リファレンスセル、
７、１７…光検出器、８、１８…ロックイン増幅器、
９…コンピュータ、 １０…デイスプレー、２０…ガス
供給設備、 ２１…被測定ガス充填容器、２２…キャン
セルガス充填容器、 ２３…パージ用ガス充填容器、２
４…流量調整弁、 ２５…ガス導入系、 ２６…真空
計、２７…真空ポンプ、 ２８…流量調整弁、 ２９…
ガス排気系、Ｌ0…レーザ光、 ＬS…第１のレーザ光、
ＬR…第２のレーザ光、ＬSt…サンプルセルの透過
光、 ＬRt…リファレンスセルの透過光、ＬStG…被測
定ガス導入時のサンプルセルの透過光、ＬStC…キャン
セルガス導入時のサンプルセルの透過光、Ｇ…被測定ガ
ス、 Ｃ…キャンセルガス、 Ｒ…参照ガス
光レンズ、４…ビームスプリッター、 ５…アイソレー
タ、 ６…サンプルセル、１６…リファレンスセル、
７、１７…光検出器、８、１８…ロックイン増幅器、
９…コンピュータ、 １０…デイスプレー、２０…ガス
供給設備、 ２１…被測定ガス充填容器、２２…キャン
セルガス充填容器、 ２３…パージ用ガス充填容器、２
４…流量調整弁、 ２５…ガス導入系、 ２６…真空
計、２７…真空ポンプ、 ２８…流量調整弁、 ２９…
ガス排気系、Ｌ0…レーザ光、 ＬS…第１のレーザ光、
ＬR…第２のレーザ光、ＬSt…サンプルセルの透過
光、 ＬRt…リファレンスセルの透過光、ＬStG…被測
定ガス導入時のサンプルセルの透過光、ＬStC…キャン
セルガス導入時のサンプルセルの透過光、Ｇ…被測定ガ
ス、 Ｃ…キャンセルガス、 Ｒ…参照ガス
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 克昌 東京都港区西新橋一丁目16番７号 日本 酸素株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−364442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−9842（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−266440（ＪＰ，Ａ) ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＯＬＥＣＵ ＬＡＲ ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ，Ｖ ｏｌ．167，282−287 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＯＬＥＣＵ ＬＡＲ ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ，Ｖ ｏｌ．63，317−321 ＡＰＰＬＩＥＤ ＯＰＴＩＣＳ，Ｖｏ ｌ．36，Ｎｏ．24，5822−5826 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＯＬＥＣＵ ＬＡＲ ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ，Ｖ ｏｌ．182，309−314 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/00 - 21/61 実用ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ) 特許ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光を第１の光と第２の光に分岐
し、第１のレーザ光を被測定ガスを導入したサンプルセ
ルに投射しその透過光のスペクトル強度を測定する第１
の系統と、第２のレーザ光を既知の吸収スペクトルを有
する成分を含有する参照ガスを導入したリファレンスセ
ルに投射しその透過光のスペクトル強度を測定する第２
の系統よりなり、第１の系統で得られた被測定ガスのス
ペクトルを第２の系統で得られた参照ガスの吸収スペク
トルと照合して、被測定ガスのスペクトルを同定して被
測定ガス中の測定対象物を分析する方法であって、主成分ガスに測定対象物が含有する被測定ガスの吸収ス
ペクトルと、測定対象物が含まれない主成分ガスよりな
るキャンセルガスの吸収スペクトルを、それぞれ参照ガ
スの吸収スペクトルと同時に採取し、被測定ガスとキャ
ンセルガスのそれぞれの吸収スペクトル波長を、参照ガ
スの少なくとも２本の吸収スペクトル線を基準として確
定し、波長確定した被測定ガスの吸収スペクトルからキ
ャンセルガスの吸収スペクトルを差し引いて、被測定ガ
ス中の測定対象物の吸収スペクトルを得る ことを特徴と
するレーザ光によるガスの分光分析方法。 - 【請求項２】 前記参照ガスの既知の少なくとも２本の
基準となる吸収スペクトルは、被測定ガスの吸収スペク
トル測定時とキャンセルガスの吸収スペクトル測定時と
で基準吸収スペクトル線の現出位置が整合するよう校正
することを特徴とする請求項１記載のレーザ光によるガ
スの分光分析方法。 - 【請求項３】 参照ガスは、少なくとも２本の基準とな
る既知の吸収スペクトル線が被測定ガスの吸収スペクト
ルの近傍に存在するとともに、被測定ガス中の測定対象
物の吸収スペクトルのピークを挟むように長短波長の両
側に吸収スペクトル線が存在する成分を含有するガスで
あることを特徴とする請求項１または２記載のレーザ光
によるガスの分光分析方法。 - 【請求項４】 参照ガスの成分が臭化水素であり、該臭
化水素のＨ79ＢrとＨ81Ｂrの既知の吸収スペクトル波長
を基準として用いることを特徴とする請求項１乃至請求
項３のいずれか１項に記載のレーザ光によるガスの分光
分析方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18781798A JP3336256B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | レーザ光によるガスの分光分析方法 |
| TW88120348A TW402682B (en) | 1998-07-02 | 1999-11-22 | Spectral analysis method of gas by laser beam |
| EP19990310570 EP1111369B8 (en) | 1998-07-02 | 1999-12-24 | A spectroscopic method for measuring trace impurities in a gas with laser radiation |
| US09/472,251 US6636316B1 (en) | 1998-07-02 | 1999-12-27 | Spectroscopic method for analyzing a gas by using laser beam |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18781798A JP3336256B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | レーザ光によるガスの分光分析方法 |
| EP19990310570 EP1111369B8 (en) | 1998-07-02 | 1999-12-24 | A spectroscopic method for measuring trace impurities in a gas with laser radiation |
| US09/472,251 US6636316B1 (en) | 1998-07-02 | 1999-12-27 | Spectroscopic method for analyzing a gas by using laser beam |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000019109A JP2000019109A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3336256B2 true JP3336256B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=30118779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18781798A Expired - Fee Related JP3336256B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | レーザ光によるガスの分光分析方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6636316B1 (ja) |
| EP (1) | EP1111369B8 (ja) |
| JP (1) | JP3336256B2 (ja) |
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| US7005645B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-02-28 | Air Liquide America L.P. | Apparatus and methods for launching and receiving a broad wavelength range source |
| US6888127B2 (en) | 2002-02-26 | 2005-05-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | Method and apparatus for performing rapid isotopic analysis via laser spectroscopy |
| US20050122523A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-09 | Wen-Bin Yan | Device and method of trace gas analysis using cavity ring-down spectroscopy |
| GB2412728A (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-05 | Lee Paul Richman | High integrity gas detector |
| CA2558851C (en) | 2004-03-09 | 2016-12-20 | Senscient Limited | Gas detection |
| JP4317089B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2009-08-19 | 大塚電子株式会社 | ガス中の不純物を定量する装置 |
| US7251037B2 (en) | 2005-03-07 | 2007-07-31 | Caleb Brett Usa, Inc. | Method to reduce background noise in a spectrum |
| DE102006016855A1 (de) * | 2006-04-07 | 2007-10-11 | Emerson Process Management Gmbh & Co. Ohg | Verfahren und Vorrichtung zur Messung der optischen Absorption von Proben |
| US7679059B2 (en) * | 2006-04-19 | 2010-03-16 | Spectrasensors, Inc. | Measuring water vapor in hydrocarbons |
| US8368892B2 (en) | 2010-01-28 | 2013-02-05 | Nokia Corporation | Infrared spectroscopy |
| US9360415B2 (en) | 2010-10-21 | 2016-06-07 | Spectrasensors, Inc. | Dynamic reconstruction of a calibration state of an absorption spectrometer |
| US8953165B2 (en) | 2010-10-21 | 2015-02-10 | Spectrasensors, Inc. | Validation and correction of spectrometer performance using a validation cell |
| CN102353633B (zh) * | 2011-06-15 | 2013-09-11 | 西安毅达信息系统有限公司 | 烟气气体含量激光在线检测方法及系统 |
| JP6116117B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2017-04-19 | 株式会社堀場製作所 | 水分濃度測定装置の校正方法及び校正装置 |
| EP2803975B1 (de) * | 2013-05-17 | 2015-07-08 | Sick Ag | Verfahren zur Laserspektroskopie von Gasen |
| JP2014235103A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 日本電信電話株式会社 | 光吸収測定用レーザ光源およびそれを用いた光吸収測定装置 |
| JP2016033484A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 横河電機株式会社 | 参照光分岐用光学系 |
| CN108287147A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-07-17 | 贵州电网有限责任公司 | 一种检测六氟化硫气体分解物的装置及检测方法 |
| DE102019104066A1 (de) * | 2019-02-19 | 2020-08-20 | Carl Zeiss Spectroscopy Gmbh | Spektrometersystem und Verfahren zu dessen Prüfung |
| JP2021043117A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 富士電機株式会社 | レーザ式ガス分析計 |
| CN110927100B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-11-29 | 宁波海尔欣光电科技有限公司 | 用于测量气体通量的系统和测量气体通量的方法 |
| JP7437022B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2024-02-22 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ガス分析装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703365A (en) * | 1994-03-25 | 1997-12-30 | Nippon Sanso Corporation | Infrared spectroscopic analysis method for gases and device employing the method therein |
| JP3024904B2 (ja) * | 1994-05-17 | 2000-03-27 | 株式会社堀場製作所 | 光学式ガス分析計 |
| JP3482070B2 (ja) * | 1996-04-06 | 2003-12-22 | 株式会社堀場製作所 | 赤外線ガス分析計 |
| JPH10281988A (ja) | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Nippon Sanso Kk | ガス分析方法及びガス分析装置 |
-
1998
- 1998-07-02 JP JP18781798A patent/JP3336256B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-22 TW TW88120348A patent/TW402682B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-24 EP EP19990310570 patent/EP1111369B8/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-27 US US09/472,251 patent/US6636316B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|
| ＡＰＰＬＩＥＤ ＯＰＴＩＣＳ，Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．２４，５８２２−５８２６ |
| ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＯＬＥＣＵＬＡＲ ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ，Ｖｏｌ．１６７，２８２−２８７ |
| ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＯＬＥＣＵＬＡＲ ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ，Ｖｏｌ．１８２，３０９−３１４ |
| ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＭＯＬＥＣＵＬＡＲ ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ，Ｖｏｌ．６３，３１７−３２１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP1111369A1 (en) | 2001-06-27 |
| JP2000019109A (ja) | 2000-01-21 |
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| EP1111369B1 (en) | 2005-05-11 |
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