JP3343896B2 - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JP3343896B2 JP3343896B2 JP7092894A JP7092894A JP3343896B2 JP 3343896 B2 JP3343896 B2 JP 3343896B2 JP 7092894 A JP7092894 A JP 7092894A JP 7092894 A JP7092894 A JP 7092894A JP 3343896 B2 JP3343896 B2 JP 3343896B2
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- light
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、送信・受信用の光コネ
クタを備えた、モールド光モジュールに関するものであ
る。
クタを備えた、モールド光モジュールに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の実装技術は著し
く進歩し、種々の電子部品が高い密度で実装されてい
る。このため、隣接する電子部品から与えられるノイズ
をいかに低減するかが重要な課題となっている。通常、
このノイズ源には、隣接する電子部品から発せられる空
中伝搬や、ＧＮＤ／電源ラインから回り込む電源ノイズ
などがある。特に、微弱な光信号を電気信号に変換する
光モジュールでは、ノイズ対策は重要である。
く進歩し、種々の電子部品が高い密度で実装されてい
る。このため、隣接する電子部品から与えられるノイズ
をいかに低減するかが重要な課題となっている。通常、
このノイズ源には、隣接する電子部品から発せられる空
中伝搬や、ＧＮＤ／電源ラインから回り込む電源ノイズ
などがある。特に、微弱な光信号を電気信号に変換する
光モジュールでは、ノイズ対策は重要である。
【０００３】従来の光モジュールでは、内部に備えられ
た特定の電子部品に対し、金属性のシールド板などを装
着するか、或いは、ノイズ低減用の別の回路部品を実装
することが行われていた。
た特定の電子部品に対し、金属性のシールド板などを装
着するか、或いは、ノイズ低減用の別の回路部品を実装
することが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような電
子部品を覆うシールド構造では、この電子部品よりも大
きな形状のシールド部材を装着することとなり、特に、
同一の基板上に相互にシールドする必要がある場合に
は、基板上にシールド部材が占める領域が非常に大きく
なる。これは、モジュールの小形化を促進する上で大き
な障害となっていた。
子部品を覆うシールド構造では、この電子部品よりも大
きな形状のシールド部材を装着することとなり、特に、
同一の基板上に相互にシールドする必要がある場合に
は、基板上にシールド部材が占める領域が非常に大きく
なる。これは、モジュールの小形化を促進する上で大き
な障害となっていた。
【０００５】また、電子部品に対してシールド部材を装
着する工程が別途必要となり、光モジュールの組み立て
の工程数が増大し、生産効率を低下させてるる原因とな
っていた。前述したノイズ低減用の別の回路部品を実装
する場合にも、実装密度を低下させる結果となってい
た。
着する工程が別途必要となり、光モジュールの組み立て
の工程数が増大し、生産効率を低下させてるる原因とな
っていた。前述したノイズ低減用の別の回路部品を実装
する場合にも、実装密度を低下させる結果となってい
た。
【０００６】さらに、樹脂モールド型の製品において
は、樹脂注入時のストレスにより、シールド部材が破損
するという実用上の課題があった。
は、樹脂注入時のストレスにより、シールド部材が破損
するという実用上の課題があった。
【０００７】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的は、光モジュールを構成する
回路基板の実装密度を低減することなく、しかも、空中
伝搬やＧＮＤ／電源ラインからのノイズによる影響を低
減できる光モジュールを提供することにある。
れたものであり、その目的は、光モジュールを構成する
回路基板の実装密度を低減することなく、しかも、空中
伝搬やＧＮＤ／電源ラインからのノイズによる影響を低
減できる光モジュールを提供することにある。
【０００８】また、本発明の他の目的は、樹脂注入時の
ストレスを受け難い構造の光モジュールを提供すること
にある。
ストレスを受け難い構造の光モジュールを提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１にかか
る光モジュールは、光信号を電気信号に変換する受光素
子を備える第１光コネクタと、受光素子の出力端子から
出力される電気信号を処理する回路を備える受光用回路
基板と、受光素子と受光用回路基板とを電気的に接続す
る複数の第１接続配線と、受光用回路基板が搭載される
第１搭載基板と、第１光コネクタと受光用回路基板との
接続部位の近傍に、複数の第１接続配線と非接触状態で
備えられる第１線状導体とを備える。そして、この第１
搭載基板は、この第１搭載基板の一部を成し、かつ受光
用回路基板を搭載した部位から外側に突出する第１基準
電位領域を有し、受光用回路基板は、この受光用回路基
板の表面に、第１搭載基板と電気的に接続される第２基
準電位領域を有する。さらに、第１線状導体の一端は、
第１及び第２基準電位領域のいずれかに接続され、第１
線状導体の他端は、第１及び第２基準電位領域のいずれ
かに接続されて、これらの各部位をモールド材によって
樹脂封止して構成する。
る光モジュールは、光信号を電気信号に変換する受光素
子を備える第１光コネクタと、受光素子の出力端子から
出力される電気信号を処理する回路を備える受光用回路
基板と、受光素子と受光用回路基板とを電気的に接続す
る複数の第１接続配線と、受光用回路基板が搭載される
第１搭載基板と、第１光コネクタと受光用回路基板との
接続部位の近傍に、複数の第１接続配線と非接触状態で
備えられる第１線状導体とを備える。そして、この第１
搭載基板は、この第１搭載基板の一部を成し、かつ受光
用回路基板を搭載した部位から外側に突出する第１基準
電位領域を有し、受光用回路基板は、この受光用回路基
板の表面に、第１搭載基板と電気的に接続される第２基
準電位領域を有する。さらに、第１線状導体の一端は、
第１及び第２基準電位領域のいずれかに接続され、第１
線状導体の他端は、第１及び第２基準電位領域のいずれ
かに接続されて、これらの各部位をモールド材によって
樹脂封止して構成する。
【００１０】また、請求項２にかかる光モジュールは、
光信号を電気信号に変換する受光素子を備える第１光コ
ネクタと、この受光素子の出力端子から出力される電気
信号を処理する回路を備える受光用回路基板と、受光素
子と受光用回路基板とを電気的に接続する複数の第１接
続配線と、受光用回路基板が搭載される第１搭載基板
と、電気信号を光信号に変換する発光素子を備える第２
光コネクタと、発光素子の入力端子に第２信号接続配線
を介して電気的に接続され、この入力端子に電気信号を
与える回路を備える発光用回路基板と、第１搭載基板と
電気的に接続され、発光用回路基板が搭載される第２搭
載基板と、第１光コネクタと受光用回路基板との接続部
位の近傍に、複数の第１接続配線と非接触状態で備えら
れる第１線状導体とを備える。そして、この第１搭載基
板は、この第１搭載基板の一部を成し、かつ受光用回路
基板を搭載した部位から外側に突出する第１基準電位領
域を有し、受光用回路基板は、この受光用回路基板の表
面に、第１搭載基板と電気的に接続される第２基準電位
領域を有する。そして、第１線状導体の一端は、第１及
び第２基準電位領域のいずれかに接続され、第１線状導
体の他端は、第１及び第２基準電位領域のいずれかに接
続されており、これら各部位をモールド材によって封止
して構成する。
光信号を電気信号に変換する受光素子を備える第１光コ
ネクタと、この受光素子の出力端子から出力される電気
信号を処理する回路を備える受光用回路基板と、受光素
子と受光用回路基板とを電気的に接続する複数の第１接
続配線と、受光用回路基板が搭載される第１搭載基板
と、電気信号を光信号に変換する発光素子を備える第２
光コネクタと、発光素子の入力端子に第２信号接続配線
を介して電気的に接続され、この入力端子に電気信号を
与える回路を備える発光用回路基板と、第１搭載基板と
電気的に接続され、発光用回路基板が搭載される第２搭
載基板と、第１光コネクタと受光用回路基板との接続部
位の近傍に、複数の第１接続配線と非接触状態で備えら
れる第１線状導体とを備える。そして、この第１搭載基
板は、この第１搭載基板の一部を成し、かつ受光用回路
基板を搭載した部位から外側に突出する第１基準電位領
域を有し、受光用回路基板は、この受光用回路基板の表
面に、第１搭載基板と電気的に接続される第２基準電位
領域を有する。そして、第１線状導体の一端は、第１及
び第２基準電位領域のいずれかに接続され、第１線状導
体の他端は、第１及び第２基準電位領域のいずれかに接
続されており、これら各部位をモールド材によって封止
して構成する。
【００１１】さらに、請求項３にかかる光モジュール
は、光信号を電気信号に変換する受光素子を備える第１
光コネクタと、この受光素子の出力端子から出力される
電気信号を処理する回路を備える受光用回路基板と、受
光素子と受光用回路基板とを電気的に接続する複数の第
１接続配線と、受光用回路基板が搭載される第１搭載基
板と、電気信号を光信号に変換する発光素子を備える第
２光コネクタと、この発光素子の入力端子に電気信号を
与える回路を備える発光用回路基板と、発光素子と発光
用回路基板とを電気的に接続する複数の第２接続配線
と、第１搭載基板と電気的に接続され、発光用回路基板
が搭載される第２搭載基板と、第１光コネクタと受光用
回路基板との接続部位の近傍に、複数の第１接続配線と
非接触状態で備えられる第１線状導体と、第２光コネク
タと発光用回路基板との接続部位の近傍に、複数の第２
接続配線と非接触状態で備えられる第２線状導体とを備
える。そして、第１搭載基板は、この第１搭載基板の一
部を成し、かつ受光用回路基板を搭載した部位から外側
に突出する第１基準電位領域を有し、受光用回路基板
は、この受光用回路基板の表面に、前記第１搭載基板と
電気的に接続される第２基準電位領域を有する。そし
て、第１線状導体の一端は、第１及び第２基準電位領域
のいずれかに接続され、かつ、第１線状導体の他端は、
第１及び第２基準電位領域のいずれかに接続される。一
方、第２搭載基板は、この第２搭載基板の一部を成し、
かつ発光用回路基板を搭載した部位から外側に突出する
第３基準電位領域を有し、発光用回路基板は、この発光
用回路基板の表面に、第２搭載基板と電気的に接続され
る第４基準電位領域を有する。そして、第２線状導体の
一端は、第３及び第４基準電位領域のいずれかに接続さ
れ、かつ、第２線状導体の他端は、前記第３及び第４基
準電位領域のいずれかに接続されており、これら各部位
をモールド材によって封止して構成する。
は、光信号を電気信号に変換する受光素子を備える第１
光コネクタと、この受光素子の出力端子から出力される
電気信号を処理する回路を備える受光用回路基板と、受
光素子と受光用回路基板とを電気的に接続する複数の第
１接続配線と、受光用回路基板が搭載される第１搭載基
板と、電気信号を光信号に変換する発光素子を備える第
２光コネクタと、この発光素子の入力端子に電気信号を
与える回路を備える発光用回路基板と、発光素子と発光
用回路基板とを電気的に接続する複数の第２接続配線
と、第１搭載基板と電気的に接続され、発光用回路基板
が搭載される第２搭載基板と、第１光コネクタと受光用
回路基板との接続部位の近傍に、複数の第１接続配線と
非接触状態で備えられる第１線状導体と、第２光コネク
タと発光用回路基板との接続部位の近傍に、複数の第２
接続配線と非接触状態で備えられる第２線状導体とを備
える。そして、第１搭載基板は、この第１搭載基板の一
部を成し、かつ受光用回路基板を搭載した部位から外側
に突出する第１基準電位領域を有し、受光用回路基板
は、この受光用回路基板の表面に、前記第１搭載基板と
電気的に接続される第２基準電位領域を有する。そし
て、第１線状導体の一端は、第１及び第２基準電位領域
のいずれかに接続され、かつ、第１線状導体の他端は、
第１及び第２基準電位領域のいずれかに接続される。一
方、第２搭載基板は、この第２搭載基板の一部を成し、
かつ発光用回路基板を搭載した部位から外側に突出する
第３基準電位領域を有し、発光用回路基板は、この発光
用回路基板の表面に、第２搭載基板と電気的に接続され
る第４基準電位領域を有する。そして、第２線状導体の
一端は、第３及び第４基準電位領域のいずれかに接続さ
れ、かつ、第２線状導体の他端は、前記第３及び第４基
準電位領域のいずれかに接続されており、これら各部位
をモールド材によって封止して構成する。
【００１２】
【作用】本発明にかかる各光モジュールは、いずれも、
光コネクタと回路基板との接続部位の近傍に線状導体を
設けている。この位置に、線状導体を設けることで、ノ
イズレベルをある程度低減できることが実験により明ら
かになった。これは、この位置に線状導体を設けること
で、隣接する電子部品から発せられた空中伝搬がある程
度遮蔽され、また、基準電位をＧＮＤレベルとすると、
このＧＮＤが強化されたものと思われる。
光コネクタと回路基板との接続部位の近傍に線状導体を
設けている。この位置に、線状導体を設けることで、ノ
イズレベルをある程度低減できることが実験により明ら
かになった。これは、この位置に線状導体を設けること
で、隣接する電子部品から発せられた空中伝搬がある程
度遮蔽され、また、基準電位をＧＮＤレベルとすると、
このＧＮＤが強化されたものと思われる。
【００１３】また、通常、リードフレーム等で構成され
る各搭載基板の基準電位領域と、回路基板表面の基準電
位領域とは、多数のスルーホール等で電気的に接続され
ているため、この線状導体の両端は、いずれの基準電位
領域を利用して接続することもできる。
る各搭載基板の基準電位領域と、回路基板表面の基準電
位領域とは、多数のスルーホール等で電気的に接続され
ているため、この線状導体の両端は、いずれの基準電位
領域を利用して接続することもできる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１５】＜実施例１＞図１に、本実施例にかかる光
モジュールを示す。図１に示す光モジュールは、大型リ
ンク用のものであり、受光素子２１を備える光コネクタ
Ｒ、及び、発光素子２２を備える光コネクタＴを備え
る。また、受光素子２１の出力端子は、ワイヤー２を介
して、この出力端子から出力される電気信号を処理する
受光用の半導体チップ等が搭載されたハイブリッドＩＣ
２３と接続され、発光素子２２の入力端子は、ワイヤー
２を介して、この入力端子に電気信号を与える発光制御
用の半導体チップ等が搭載されたハイブリッドＩＣ２４
と接続されている。
モジュールを示す。図１に示す光モジュールは、大型リ
ンク用のものであり、受光素子２１を備える光コネクタ
Ｒ、及び、発光素子２２を備える光コネクタＴを備え
る。また、受光素子２１の出力端子は、ワイヤー２を介
して、この出力端子から出力される電気信号を処理する
受光用の半導体チップ等が搭載されたハイブリッドＩＣ
２３と接続され、発光素子２２の入力端子は、ワイヤー
２を介して、この入力端子に電気信号を与える発光制御
用の半導体チップ等が搭載されたハイブリッドＩＣ２４
と接続されている。
【００１６】光コネクタＲ，Ｔ及びハイブリッドＩＣ２
３、２４は、導電性のリードフレーム３に固定されてい
る。リードフレーム３は、ハイブリッドＩＣ２３、２４
を搭載するアイランド部３ａ、その周囲のフレーム部３
ｂ、中央のサポート部３ｃ、リードピン３ｄ及び、リー
ドフレームアイランドと呼ばれる接続部（基準電位領
域）３ｅを含んで構成されている。接続部３ｅは、光コ
ネクタＲとハイブリッドＩＣ２３との接続部位の両側、
及び光コネクタＴとハイブリッドＩＣ２４との接続部位
の両側に、それぞれ突出して形成されている。そして、
各接続部３ｅの間は、ワイヤー２の上方を横切るように
して、ボンディングワイヤーで形成した線状導体４が架
設されている。この線状導体４は、直径が１５０μｍの
Ａｌワイヤで形成している。
３、２４は、導電性のリードフレーム３に固定されてい
る。リードフレーム３は、ハイブリッドＩＣ２３、２４
を搭載するアイランド部３ａ、その周囲のフレーム部３
ｂ、中央のサポート部３ｃ、リードピン３ｄ及び、リー
ドフレームアイランドと呼ばれる接続部（基準電位領
域）３ｅを含んで構成されている。接続部３ｅは、光コ
ネクタＲとハイブリッドＩＣ２３との接続部位の両側、
及び光コネクタＴとハイブリッドＩＣ２４との接続部位
の両側に、それぞれ突出して形成されている。そして、
各接続部３ｅの間は、ワイヤー２の上方を横切るように
して、ボンディングワイヤーで形成した線状導体４が架
設されている。この線状導体４は、直径が１５０μｍの
Ａｌワイヤで形成している。
【００１７】このように、この接続部位の近傍に、線状
導体４を設けることで、後述する実測例で示すように、
ノイズレベルをある程度低減できることが明らかになっ
た。これは、このように線状導体４を設けることによっ
て、隣接する電子部品から発せられた空中伝搬がある程
度遮蔽され、また、ＧＮＤが強化されたものと思われ
る。
導体４を設けることで、後述する実測例で示すように、
ノイズレベルをある程度低減できることが明らかになっ
た。これは、このように線状導体４を設けることによっ
て、隣接する電子部品から発せられた空中伝搬がある程
度遮蔽され、また、ＧＮＤが強化されたものと思われ
る。
【００１８】また、ハイブリッドＩＣ２３、２４の表面
におけるグランドパターン（基準電位領域）Ｓは、多数
のスルーホールを介してリードフレーム３のアイランド
部３ａと電気的に接続された状態であり、アイランド部
３ａにＧＮＤ電位が与えられた場合には、このグランド
パターンＳにもＧＮＤ電位が与えられる。従って、前述
した線状導体４は、このグランドパターンＳに対して接
続することも可能である。また、ハイブリッドＩＣ２
３、２４の所定の電極領域は、ワイヤー２を介して、リ
ードフレーム３のリードピン３ｄと電気的に接続されて
いる。
におけるグランドパターン（基準電位領域）Ｓは、多数
のスルーホールを介してリードフレーム３のアイランド
部３ａと電気的に接続された状態であり、アイランド部
３ａにＧＮＤ電位が与えられた場合には、このグランド
パターンＳにもＧＮＤ電位が与えられる。従って、前述
した線状導体４は、このグランドパターンＳに対して接
続することも可能である。また、ハイブリッドＩＣ２
３、２４の所定の電極領域は、ワイヤー２を介して、リ
ードフレーム３のリードピン３ｄと電気的に接続されて
いる。
【００１９】図２に、ハイブリッドＩＣ２３、２４上の
主要な回路素子を示す。なお、説明の便宜上、接続用の
ワイヤ等は図示を省略している。図において、参照番号
１１、１２は、それぞれ印刷抵抗、ＬＥＤ駆動ＩＣを示
し、また、参照番号１３、１４、１５は、それぞれ前置
増幅ＩＣ、コンデンサ、コンパレータＩＣを示してい
る。
主要な回路素子を示す。なお、説明の便宜上、接続用の
ワイヤ等は図示を省略している。図において、参照番号
１１、１２は、それぞれ印刷抵抗、ＬＥＤ駆動ＩＣを示
し、また、参照番号１３、１４、１５は、それぞれ前置
増幅ＩＣ、コンデンサ、コンパレータＩＣを示してい
る。
【００２０】このように形成されたサブ−モジュール
は、この後、例えばトランスファーモールド用金型に装
着され、この金型のキャビティ内にモールド材３０が注
入される。この工程によって、図３に斜線で示す領域が
樹脂封止される。なお、このように、モールド材３０を
注入した場合にも、線状導体４は線状であるため、樹脂
注入時のストレスが受け難い構造となっている。
は、この後、例えばトランスファーモールド用金型に装
着され、この金型のキャビティ内にモールド材３０が注
入される。この工程によって、図３に斜線で示す領域が
樹脂封止される。なお、このように、モールド材３０を
注入した場合にも、線状導体４は線状であるため、樹脂
注入時のストレスが受け難い構造となっている。
【００２１】このように、モールド材３０で封止される
ことで、図４に示すように、光モジュールが一体的に形
成される（図６参照）。この後、リードフレーム３の不
要部分を切断し、リードピン３ｄのアウターリードを折
り曲げることにより、図５に示すような光モジュールが
完成する。
ことで、図４に示すように、光モジュールが一体的に形
成される（図６参照）。この後、リードフレーム３の不
要部分を切断し、リードピン３ｄのアウターリードを折
り曲げることにより、図５に示すような光モジュールが
完成する。
【００２２】また、光モジュールの他の構成を図７及び
図８に示す。この光モジュールは小型リンク用のもので
あり、参照番号２５として示すハイブリッドＩＣが、受
信用の回路と送信用の回路とを同一の基板上に構成した
点で相違するが、その他の構成は、図１に示すタイプの
ものと同様であり、同一の構成要素には同一の参照番号
を付して示す。
図８に示す。この光モジュールは小型リンク用のもので
あり、参照番号２５として示すハイブリッドＩＣが、受
信用の回路と送信用の回路とを同一の基板上に構成した
点で相違するが、その他の構成は、図１に示すタイプの
ものと同様であり、同一の構成要素には同一の参照番号
を付して示す。
【００２３】ここで、以上のように構成する各光モジュ
ールを用い、信号成分に含まれるノイズを測定した。測
定にあたっては、各光コネクタと各ハイブリッドＩＣと
の接続部位に設ける線状導体４の本数を変化させた。例
えば、図９及び図１１は、送信側及び受信側にそれぞれ
１本の線状導体４を設けた状態を示し、図１０及び図１
２は、それぞれ２本の線状導体４を設けた状態を示すも
のである。なお、この測定にあたっては、光コネクタＲ
に試験信号を入力し、光コネクタＴをＥＣＬ（Emitter
Coupled Logic)信号で駆動させた状態の光コネクタＲの
受信感度と、光コネクタＴを駆動させない状態での光コ
ネクタＲの受信感度とを比較する。これの両者の受信感
度の差をもとに、光コネクタＲ側のノイズレベル（クロ
ストーク）を測定した。
ールを用い、信号成分に含まれるノイズを測定した。測
定にあたっては、各光コネクタと各ハイブリッドＩＣと
の接続部位に設ける線状導体４の本数を変化させた。例
えば、図９及び図１１は、送信側及び受信側にそれぞれ
１本の線状導体４を設けた状態を示し、図１０及び図１
２は、それぞれ２本の線状導体４を設けた状態を示すも
のである。なお、この測定にあたっては、光コネクタＲ
に試験信号を入力し、光コネクタＴをＥＣＬ（Emitter
Coupled Logic)信号で駆動させた状態の光コネクタＲの
受信感度と、光コネクタＴを駆動させない状態での光コ
ネクタＲの受信感度とを比較する。これの両者の受信感
度の差をもとに、光コネクタＲ側のノイズレベル（クロ
ストーク）を測定した。
【００２４】この測定結果を図１３に示す。図１３に示
すグラフの横軸の「３−１」などは、向かって左側の数
字が、受信側に設けた線状導体４の本数を示し、向かっ
て右側の数字が、送信側に設けた線状導体４の本数を示
すものである。なお、表中、ｓａｍｐｌｅ１、ｓａｍｐ
ｌｅ２は、それぞれ別の固体の光モジュールを示し、同
一の測定を実施しその各結果を示したものである。
すグラフの横軸の「３−１」などは、向かって左側の数
字が、受信側に設けた線状導体４の本数を示し、向かっ
て右側の数字が、送信側に設けた線状導体４の本数を示
すものである。なお、表中、ｓａｍｐｌｅ１、ｓａｍｐ
ｌｅ２は、それぞれ別の固体の光モジュールを示し、同
一の測定を実施しその各結果を示したものである。
【００２５】この結果より、受信側の接続部位に、１本
の線状導体４を設けた場合でも、ノイズレベルが低減さ
れていることが確認された。また、この線状導体４の本
数が増大するほど、ノイズレベルがより低減される傾向
にあることが分かる。例えば、受信側に３本、送信側に
１本の線状導体４を設けることで、ノイズレベルが約
１．５ｄＢ減少する。
の線状導体４を設けた場合でも、ノイズレベルが低減さ
れていることが確認された。また、この線状導体４の本
数が増大するほど、ノイズレベルがより低減される傾向
にあることが分かる。例えば、受信側に３本、送信側に
１本の線状導体４を設けることで、ノイズレベルが約
１．５ｄＢ減少する。
【００２６】また、線状導体４の他の架設形態として
は、図１４、１５に示すように、線状導体４を多数架設
してメッシュ状にすることも可能である。この場合、前
述したように、グランドパターンＳも利用して架設する
ことができる。このような形態に架設することで、電磁
シールド効果やＧＮＤがより一層強化されることにな
る。
は、図１４、１５に示すように、線状導体４を多数架設
してメッシュ状にすることも可能である。この場合、前
述したように、グランドパターンＳも利用して架設する
ことができる。このような形態に架設することで、電磁
シールド効果やＧＮＤがより一層強化されることにな
る。
【００２７】以上説明した各実施例では、光コネクタＲ
とハイブリッドＩＣ２３、及び、光コネクタＴとハイブ
リッドＩＣ２４の双方の接続部位に、線状導体４を設け
る例を示したが、いずれか一方に線状導体４を設けるこ
とも可能である。
とハイブリッドＩＣ２３、及び、光コネクタＴとハイブ
リッドＩＣ２４の双方の接続部位に、線状導体４を設け
る例を示したが、いずれか一方に線状導体４を設けるこ
とも可能である。
【００２８】また、ハイブリッドＩＣ２３、２４に実装
されたＩＣなどにも、線状導体４を設け、電気的シール
ドを施すと共に、ＧＮＤの強化を図ることも可能であ
る。この場合には、例えば図１７に示すように、コンパ
レータＩＣ１５の上方を横切るように、線状導体４を掛
け渡す構造とすることが好ましい。この際、線状導体４
の両端は、各ハイブリッドＩＣ２３、２４の実装表面に
形成されたグランドパターンＳに接続すれば良い。
されたＩＣなどにも、線状導体４を設け、電気的シール
ドを施すと共に、ＧＮＤの強化を図ることも可能であ
る。この場合には、例えば図１７に示すように、コンパ
レータＩＣ１５の上方を横切るように、線状導体４を掛
け渡す構造とすることが好ましい。この際、線状導体４
の両端は、各ハイブリッドＩＣ２３、２４の実装表面に
形成されたグランドパターンＳに接続すれば良い。
【００２９】以上、説明した光モジュールは、送信・受
信の両機能を備えたものとして例示したが、いずれか一
方のみを備えた光モジュールに対し、前述した線状導体
４を設けることも勿論可能である。
信の両機能を備えたものとして例示したが、いずれか一
方のみを備えた光モジュールに対し、前述した線状導体
４を設けることも勿論可能である。
【００３０】＜実施例２＞空中電搬のノイズ（主にクロ
ストーク）や、ＧＮＤ／電源ラインからのノイズによる
影響を低減し、かつ、生産性に優れた光モジュールを提
供するため、線状導体４のより好ましい配設位置につい
て検討した。
ストーク）や、ＧＮＤ／電源ラインからのノイズによる
影響を低減し、かつ、生産性に優れた光モジュールを提
供するため、線状導体４のより好ましい配設位置につい
て検討した。
【００３１】そこで、図１８に示す光モジュールについ
て、以下に示すように、線状導体４の配設位置を変化さ
せて、信号成分に含まれるノイズを測定した。この場合
のノイズレベル（クロストーク）も実施例１と同様に実
施した。なお、図１８には、本測定に使用した光モジュ
ールの要部を概略的に示す。図中、図２に示した光モジ
ュールと同一の構成要素には同一の参照番号を示す。こ
の中で、ワイヤー２は図示を省略しており、参照番号１
６はハイブリッドＩＣ２３を厚さ方向に貫通するスルー
ホールを示している。
て、以下に示すように、線状導体４の配設位置を変化さ
せて、信号成分に含まれるノイズを測定した。この場合
のノイズレベル（クロストーク）も実施例１と同様に実
施した。なお、図１８には、本測定に使用した光モジュ
ールの要部を概略的に示す。図中、図２に示した光モジ
ュールと同一の構成要素には同一の参照番号を示す。こ
の中で、ワイヤー２は図示を省略しており、参照番号１
６はハイブリッドＩＣ２３を厚さ方向に貫通するスルー
ホールを示している。
【００３２】測定にあたっては、図１９（ａ）〜図２１
（ｉ）に示されるサンプル１、３〜１０のように、線状
導体４の配設位置を変化させた。なお、図１９（ａ）に
示すサンプル１は、線状導体４を設けていない。また、
一例として、図２２に、サンプル５における、線状導体
４の配設部位のみを拡大して示す。
（ｉ）に示されるサンプル１、３〜１０のように、線状
導体４の配設位置を変化させた。なお、図１９（ａ）に
示すサンプル１は、線状導体４を設けていない。また、
一例として、図２２に、サンプル５における、線状導体
４の配設部位のみを拡大して示す。
【００３３】この測定結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】この結果より、線状導体４を設けていない
サンプル１が、受信感度が最も悪く、しかも、クロスト
ークによる劣化量が著しく大きくなっていることが分か
る。
サンプル１が、受信感度が最も悪く、しかも、クロスト
ークによる劣化量が著しく大きくなっていることが分か
る。
【００３６】受信感度が悪い理由は以下のように考察さ
れる。サンプル３〜９の光コネクタＲ側には、接続部３
ｅとグランドパターンＳとを接続して、図の縦方向に線
状導体が設けられており（一例として、図１９（ｂ）に
参照番号４´として示す）、また、サンプル１０には、
光コネクタＲとハイブリッドＩＣ２３との接続部位の上
方を横切る方向に線状導体が設けられている（一例とし
て、図２１（ｉ）に参照番号４”として示す）。この部
位に設けた線状導体が、前置増幅ＩＣ１３付近のＧＮＤ
を強化する役割を果たしているためと考えられる。した
がって、この部位に線状導体４を有しないサンプル１
は、回路が発振傾向となり、受信感度が悪化したものと
思われる。また、サンプル１においてクロストークによ
る劣化量が著しく大きいのは、当然に、線状導体４を設
けていないためと考えられる。
れる。サンプル３〜９の光コネクタＲ側には、接続部３
ｅとグランドパターンＳとを接続して、図の縦方向に線
状導体が設けられており（一例として、図１９（ｂ）に
参照番号４´として示す）、また、サンプル１０には、
光コネクタＲとハイブリッドＩＣ２３との接続部位の上
方を横切る方向に線状導体が設けられている（一例とし
て、図２１（ｉ）に参照番号４”として示す）。この部
位に設けた線状導体が、前置増幅ＩＣ１３付近のＧＮＤ
を強化する役割を果たしているためと考えられる。した
がって、この部位に線状導体４を有しないサンプル１
は、回路が発振傾向となり、受信感度が悪化したものと
思われる。また、サンプル１においてクロストークによ
る劣化量が著しく大きいのは、当然に、線状導体４を設
けていないためと考えられる。
【００３７】次に、前述したようにサンプル３〜１０で
は、回路の発振は起きておらず、この前提で、クロスト
ークに対する線状導体４の効果について考察する。
は、回路の発振は起きておらず、この前提で、クロスト
ークに対する線状導体４の効果について考察する。
【００３８】サンプル８と９とを比較すると、以下のこ
とが分かる。光コネクタＲ側の電磁シールドが十分でな
い場合、すなわち、光コネクタＲとハイブリッドＩＣ２
３との接続部位の周囲をループ状に取り囲まずに、或い
は、この接続部位と交差しないように、線状導体４を設
ける場合には、サンプル８のように、光コネクタＴ側の
接続部位（ノイズ源）をループ状に取り囲むように線状
導体４を設けることで、クロストークに対して効果があ
ることが分かる。他のサンプルの測定データによれば、
光コネクタＲ側が十分に電磁シールドされている場合に
は、光コネクタＴ側における線状導体４の配設状態は、
クロストークの低減にあまり影響がないことが分かる。
とが分かる。光コネクタＲ側の電磁シールドが十分でな
い場合、すなわち、光コネクタＲとハイブリッドＩＣ２
３との接続部位の周囲をループ状に取り囲まずに、或い
は、この接続部位と交差しないように、線状導体４を設
ける場合には、サンプル８のように、光コネクタＴ側の
接続部位（ノイズ源）をループ状に取り囲むように線状
導体４を設けることで、クロストークに対して効果があ
ることが分かる。他のサンプルの測定データによれば、
光コネクタＲ側が十分に電磁シールドされている場合に
は、光コネクタＴ側における線状導体４の配設状態は、
クロストークの低減にあまり影響がないことが分かる。
【００３９】以上の考察から、光モジュールの特性上、
線状導体４の配設位置としては、以下の（１）、
（２）、（３）の順で好ましいといえる。
線状導体４の配設位置としては、以下の（１）、
（２）、（３）の順で好ましいといえる。
【００４０】（１）ＧＮＤを強化するために、リードフ
レーム３の接続部３ｅとハイブリッドＩＣ上のグランド
パターンＳとを、線状導体４で接続すること。
レーム３の接続部３ｅとハイブリッドＩＣ上のグランド
パターンＳとを、線状導体４で接続すること。
【００４１】（２）光コネクタＲ側とハイブリッドＩＣ
との接続部位を囲むように、或いは交差するように、線
状導体４を設けること。
との接続部位を囲むように、或いは交差するように、線
状導体４を設けること。
【００４２】（３）光コネクタＴとハイブリッドＩＣと
の接続部位を囲むように、線状導体４を設けること。
の接続部位を囲むように、線状導体４を設けること。
【００４３】以上、説明した実施例１、２において、線
状導体４は、直径が１５０μｍのＡｌボンディングワイ
ヤーとして例示したが、この部材に限定するものではな
く、例えば、図２３に示すような、リボンボンドと呼ば
れる、偏平のリボン状ワイヤ４０等を用いてもよい。
状導体４は、直径が１５０μｍのＡｌボンディングワイ
ヤーとして例示したが、この部材に限定するものではな
く、例えば、図２３に示すような、リボンボンドと呼ば
れる、偏平のリボン状ワイヤ４０等を用いてもよい。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる光
モジュールは、いずれも、ハイブリッドＩＣなどの回路
基板の基準電位領域と、この回路基板を搭載する搭載基
板とを、ボンディングワイヤー等を利用した線状導体で
電気的に接続することにより、空中伝搬やＧＮＤライン
からのノイズによる影響を低減することができる。
モジュールは、いずれも、ハイブリッドＩＣなどの回路
基板の基準電位領域と、この回路基板を搭載する搭載基
板とを、ボンディングワイヤー等を利用した線状導体で
電気的に接続することにより、空中伝搬やＧＮＤライン
からのノイズによる影響を低減することができる。
【００４５】従って、従来のようにシールド部材を装着
する必要がないため、実装密度に与える影響が最小限に
抑えられ、装置の小形化をより一層促進することが可能
となる。また、このようなボンディングワイヤー等の線
状導体は、一般に細く、しかも適度な柔軟性を有してい
るため、モールド樹脂の注入時に受けるストレスを受け
難く、破損のおそれが少ないなどの優れた効果を奏する
ものである。さらに、このような導体線材を光モジュー
ル上に配設する場合にも、所定の部位の間に、この線状
の導体を掛け渡せば良いため、製造装置・製造工程も大
きな変更は必要なく、生産効率を低下させる虞も少ない
などの効果を奏する。
する必要がないため、実装密度に与える影響が最小限に
抑えられ、装置の小形化をより一層促進することが可能
となる。また、このようなボンディングワイヤー等の線
状導体は、一般に細く、しかも適度な柔軟性を有してい
るため、モールド樹脂の注入時に受けるストレスを受け
難く、破損のおそれが少ないなどの優れた効果を奏する
ものである。さらに、このような導体線材を光モジュー
ル上に配設する場合にも、所定の部位の間に、この線状
の導体を掛け渡せば良いため、製造装置・製造工程も大
きな変更は必要なく、生産効率を低下させる虞も少ない
などの効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はモールド前の光モジュール（サブ−モジ
ュール）を示す斜視図である。
ュール）を示す斜視図である。
【図２】図１の光モジュールを示す平面図である。
【図３】モールド材によって封止される領域を示す平面
図である。
図である。
【図４】リードフレームの不要部分を切断する前の光モ
ジュールを示す斜視図である。
ジュールを示す斜視図である。
【図５】リードフレームの不要部分を切断した後の光モ
ジュールを示す斜視図である。
ジュールを示す斜視図である。
【図６】図５に示す光モジュールの縦断面図である。
【図７】モールド前の光モジュールの他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図８】図７の光モジュールを示す平面図である。
【図９】送信側と受信側とに、線状導体を１本づつ設け
た状態を示す光モジュールの平面図である。
た状態を示す光モジュールの平面図である。
【図１０】送信側と受信側とに、線状導体を２本づつ設
けた状態を示す光モジュールの平面図である。
けた状態を示す光モジュールの平面図である。
【図１１】送信側と受信側とに、線状導体を１本づつ設
けた状態を示す光モジュールの平面図である。
けた状態を示す光モジュールの平面図である。
【図１２】送信側と受信側とに、線状導体を２本づつ設
けた状態を示す光モジュールの平面図である。
けた状態を示す光モジュールの平面図である。
【図１３】測定結果を示すグラフである。
【図１４】線状導体の他の配設例を示す光モジュールの
平面図である。
平面図である。
【図１５】線状導体の他の配設例を示す光モジュールの
平面図である。
平面図である。
【図１６】光モジュールの他の実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図１７】光モジュールの他の実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図１８】測定に用いた光モジュールの構成を概略的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図１９】（ａ）〜（ｃ）は、測定を実施した光モジュ
ールの線状導体の配設位置を、個々に示す説明図であ
る。
ールの線状導体の配設位置を、個々に示す説明図であ
る。
【図２０】（ｄ）〜（ｆ）は、測定を実施した光モジュ
ールの線状導体の配設位置を、個々に示す説明図であ
る。
ールの線状導体の配設位置を、個々に示す説明図であ
る。
【図２１】（ｇ）〜（ｉ）は、測定を実施した光モジュ
ールの線状導体の配設位置を、個々に示す説明図であ
る。
ールの線状導体の配設位置を、個々に示す説明図であ
る。
【図２２】図２０（ｄ）における線状導体の配設部位を
拡大して示す図である。
拡大して示す図である。
【図２３】線状導体の他の実施例を示す概略斜視図であ
る。
る。
Ｒ…光コネクタ（第１光コネクタ）、Ｔ…光コネクタ
（第２光コネクタ）、２…ワイヤー（信号接続配線）、
３…リードフレーム、３ａ…アイランド部（搭載基
板）、３ｅ…接続部（基準電位領域）、Ｓ…グランドパ
ターン（基準電位領域）、４…線状導体、１３…前置増
幅ＩＣ（増幅器）、２３…ハイブリッドＩＣ（受光用回
路基板）、２４…ハイブリッドＩＣ（発光用回路基
板）。
（第２光コネクタ）、２…ワイヤー（信号接続配線）、
３…リードフレーム、３ａ…アイランド部（搭載基
板）、３ｅ…接続部（基準電位領域）、Ｓ…グランドパ
ターン（基準電位領域）、４…線状導体、１３…前置増
幅ＩＣ（増幅器）、２３…ハイブリッドＩＣ（受光用回
路基板）、２４…ハイブリッドＩＣ（発光用回路基
板）。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−294304（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−329679（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−48907（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04B 10/00 - 10/28 H04J 14/00 - 14/08 H01L 31/12
Claims (17)
- 【請求項１】 光信号を電気信号に変換する受光素子を
備える第１光コネクタと、前記受光素子 の出力端子から出力される電気信号を処理
する回路を備える受光用回路基板と、前記受光素子と前記受光用回路基板とを電気的に接続す
る複数の第１接続配線と、 前記受光用回路基板が搭載される第１搭載基板と、 前記第１光コネクタと前記受光用回路基板との接続部位
の近傍に、前記複数の第１接続配線と非接触状態で備え
られる第１線状導体とを備え、 前記第１搭載基板は、この第１搭載基板の一部を成し、
かつ前記受光用回路基板を搭載した部位から外側に突出
する第１基準電位領域を有し、 前記受光用回路基板は、この受光用回路基板の表面に、
前記第１搭載基板と電気的に接続される第２基準電位領
域を有し、 前記第１線状導体の一端は、前記第１及び第２基準電位
領域のいずれかに接続され、前記第１線状導体の他端
は、前記第１及び第２基準電位領域のいずれかに接続さ
れており、 前記各部位をモールド材によって樹脂封止されてなる光
モジュール。 - 【請求項２】 光信号を電気信号に変換する受光素子を
備える第１光コネクタと、前記受光素子 の出力端子から出力される電気信号を処理
する回路を備える受光用回路基板と、前記受光素子と受光用回路基板とを電気的に接続する複
数の第１接続配線と、 前記受光用回路基板が搭載される第１搭載基板と、 電気信号を光信号に変換する発光素子を備える第２光コ
ネクタと、 前記発光素子の入力端子に第２信号接続配線を介して電
気的に接続され、この入力端子に電気信号を与える回路
を備える発光用回路基板と、 前記第１搭載基板と電気的に接続され、前記発光用回路
基板が搭載される第２搭載基板と、 前記第１光コネクタと前記受光用回路基板との接続部位
の近傍に、前記複数の第１接続配線と非接触状態で備え
られる第１線状導体とを備え、 前記第１搭載基板は、この第１搭載基板の一部を成し、
かつ前記受光用回路基板を搭載した部位から外側に突出
する第１基準電位領域を有し、 前記受光用回路基板は、この受光用回路基板の表面に、
前記第１搭載基板と電気的に接続される第２基準電位領
域を有し、 前記第１線状導体の一端は、前記第１及び第２基準電位
領域のいずれかに接続され、前記第１線状導体の他端
は、前記第１及び第２基準電位領域のいずれかに接続さ
れており、 前記各部位をモールド材によって封止されてなる光モジ
ュール。 - 【請求項３】光信号を電気信号に変換する受光素子を備
える第１光コネクタと、前記受光素子 の出力端子から出力される電気信号を処理
する回路を備える受光用回路基板と、前記受光素子と前記受光用回路基板とを電気的に接続す
る複数の第１接続配線と、 前記受光用回路基板が搭載される第１搭載基板と、 電気信号を光信号に変換する発光素子を備える第２光コ
ネクタと、前記発光素子 の入力端子に電気信号を与える回路を備え
る発光用回路基板と、前記発光素子と前記発光用回路基板とを電気的に接続す
る複数の第２接続配線と、 前記第１搭載基板と電気的に接続され、前記発光用回路
基板が搭載される第２搭載基板と、 前記第１光コネクタと前記受光用回路基板との接続部位
の近傍に、前記複数の第１接続配線と非接触状態で備え
られる第１線状導体と、 前記第２光コネクタと前記発光用回路基板との接続部位
の近傍に、前記複数の第２接続配線と非接触状態で備え
られる第２線状導体とを備え、 前記第１搭載基板は、この第１搭載基板の一部を成し、
かつ前記受光用回路基板を搭載した部位から外側に突出
する第１基準電位領域を有し、 前記受光用回路基板は、この受光用回路基板の表面に、
前記第１搭載基板と電気的に接続される、第２基準電位
領域を有し、 前記第１線状導体の一端は、前記第１及び第２基準電位
領域のいずれかに接続され、かつ、前記第１線状導体の
他端は、前記第１及び第２基準電位領域のいずれかに接
続され、 前記第２搭載基板は、この第２搭載基板の一部を成し、
かつ前記発光用回路基板を搭載した部位から外側に突出
する第３基準電位領域を有し、 前記発光用回路基板は、この発光用回路基板の表面に、
前記第２搭載基板と電気的に接続される第４基準電位領
域を有し、 前記第２線状導体の一端は、前記第３及び第４基準電位
領域のいずれかに接続され、かつ、前記第２線状導体の
他端は、前記第３及び第４基準電位領域のいずれかに接
続されており、 前記各部位をモールド材によって封止されてなる光モジ
ュール。 - 【請求項４】前記第１線状導体は、前記第１信号接続配
線を境とする一方の側に配置されると共に、その一端が
前記第１基準電位領域に接続され、その他端が前記第２
基準電位領域に接続される請求項１、２又は３記載の光
モジュール。 - 【請求項５】前記受光用回路基板は、前記受光素子の出
力信号を増幅する増幅器を備えており、 前記第１線状導体の一端は、この増幅器が配置された部
位近傍の前記第２基準電位領域に接続される請求項４記
載の光モジュール。 - 【請求項６】前記第１線状導体は、前記第１信号接続配
線と交差して配置されると共に、その一端が前記第１基
準電位領域に接続され、その他端が前記第２基準電位領
域に接続される請求項１、２又は３記載の光モジュー
ル。 - 【請求項７】前記第１線状導体は、前記第１信号接続配
線が配設された領域を囲むように、複数箇所に配置され
る請求項１、２又は３記載の光モジュール。 - 【請求項８】前記第１線状導体は、ボンディングワイヤ
である請求項１、２又は３記載の光モジュール。 - 【請求項９】前記第１線状導体は、偏平のリボン状ワイ
ヤである請求項１、２又は３記載の光モジュール。 - 【請求項１０】前記第１搭載基板は、リードフレームの
一部である請求項１、２又は３記載の光モジュール。 - 【請求項１１】前記第２線状導体は、前記第２信号接続
配線が配設された領域を囲むように、複数箇所に配置さ
れる請求項３載の光モジュール。 - 【請求項１２】前記第２線状導体は、前記第２信号接続
配線を境としてその両側にそれぞれ配置され、かつ、こ
の各第２線状導体は、その一端が前記第３基準電位領域
に接続され、その他端が前記第４基準電位領域に接続さ
れてなる、請求項３記載の光モジュール。 - 【請求項１３】前記第２線状導体は、ボンディングワイ
ヤである請求項３記載の光モジュール。 - 【請求項１４】前記第２線状導体は、偏平のリボン状ワ
イヤである請求項３記載の光モジュール。 - 【請求項１５】前記第２搭載基板は、リードフレームの
一部である請求項３記載の光モジュール。 - 【請求項１６】前記第１基準電位領域に与えられる電位
は、アース電位である請求項１、２又は３記載の光モジ
ュール。 - 【請求項１７】前記第３基準電位領域に与えられる電位
は、アース電位である請求項３記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7092894A JP3343896B2 (ja) | 1993-04-09 | 1994-04-08 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-83641 | 1993-04-09 | ||
| JP8364193 | 1993-04-09 | ||
| JP7092894A JP3343896B2 (ja) | 1993-04-09 | 1994-04-08 | 光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06343058A JPH06343058A (ja) | 1994-12-13 |
| JP3343896B2 true JP3343896B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=26412046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7092894A Expired - Lifetime JP3343896B2 (ja) | 1993-04-09 | 1994-04-08 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3343896B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027507A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Sony Corp | 光モジュール |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP7092894A patent/JP3343896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007027507A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Sony Corp | 光モジュール |
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| JPH06343058A (ja) | 1994-12-13 |
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