JP3419364B2 - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば積層セラミッ
クコンデンサ等のセラミック電子部品の製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図１５はセラミック電子部品の一例とし
ての一般的な積層セラミックコンデンサの一部を破断し
て示す一部切欠斜視図である。図１５において、１はセ
ラミック誘電体層、２は内部電極、３は外部電極であ
り、内部電極２は各々外部電極３に接続されている。

【０００３】以下に従来の積層セラミックコンデンサの
製造方法について説明する。

【０００４】まずセラミック誘電体層１となるセラミッ
クシートをチタン酸バリウム等の誘電体材料と、ポリビ
ニルブチラール等のバインダ成分と、ベンジルブチルフ
タレート等の可塑剤成分と、溶剤成分等とを混合してス
ラリー化した後、ドクターブレード法を用いてポリエチ
レンテレフタレート（以下ＰＥＴとする）等のベースフ
ィルム上に形成する。

【０００５】次に離型層を形成したＰＥＴ等のベースフ
ィルム上に、所定のパターンの内部電極２となる金属薄
膜を薄膜形成法により複数形成する。

【０００６】次いでベースフィルム上に形成した金属薄
膜をセラミックシート上に熱転写して積み重ねて積層体
を形成する。この積層体を所望の大きさに切断した後、
焼成し、両端面に外部電極３を設けることで積層セラミ
ックコンデンサとしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この方法によるとベー
スフィルム上に離型層を介して金属薄膜を形成したにも
かかわらずセラミックシート上に熱転写する際、金属薄
膜がセラミックシート上に完全に転写しないことがあ
る。

【０００８】この場合、内部電極２が非連続的な状態と
なり、十分な静電容量が得ることができなかったり、静
電容量のばらつきが発生するといった問題点を有してい
た。

【０００９】そこで本発明はベースフィルムから金属薄
膜のセラミックシート上への転写性を向上させて、安定
した電気的特性を有するセラミック電子部品の製造方法
を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、支持体上
に第１の樹脂層を設ける第１工程と、次にこの第１の樹
脂層の上に内部電極形状の第２の樹脂層を設ける第２工
程と、次いで前記第１および第２の樹脂層上に薄膜形成
法により金属薄膜を形成する第３工程と、その後前記金
属薄膜がセラミックシートと接触するように支持体ごと
セラミックシートと重ね合わせて前記金属薄膜側に凸部
を有するプレス板で、前記支持体を介して前記第２の樹
脂層を前記凸部が対応するように挟み、加圧する第４工
程と、次に前記支持体を剥離後、前記金属薄膜に気体を
吹きつけて余分な前記金属薄膜を除去する第５工程と、
次いで前記セラミックシートと前記金属薄膜とが交互に
積層された積層体を作製する第６工程と、その後前記積
層体を焼成する第７工程とを備え、前記第１の樹脂層は
前記支持体との接着強度が前記第２の樹脂層との接着強
度よりも大きく、前記第２の樹脂層は前記第１の樹脂層
との接着強度よりも前記金属薄膜との接着強度の方を大
きくしたものであり、金属薄膜の支持体のベースフィル
ムからの離型性が従来よりも向上するとともに凸部を有
するプレス板を用いることにより所望の形状の金属薄膜
をセラミックシートに転写させることができるため上記
目的を達成することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、支持体上に第１の樹脂層を設ける第１工程と、次に
この第１の樹脂層の上に内部電極形状の第２の樹脂層を
設ける第２工程と、次いで前記第１および第２の樹脂層
上に薄膜形成法により金属薄膜を形成する第３工程と、
その後前記金属薄膜がセラミックシートと接触するよう
に支持体ごとセラミックシートと重ね合わせて前記金属
薄膜側に凸部を有するプレス板で、前記支持体を介して
前記第２の樹脂層を前記凸部が対応するように挟み、加
圧する第４工程と、次に前記支持体を剥離後、前記金属
薄膜に気体を吹きつけて余分な前記金属薄膜を除去する
第５工程と、次いで前記セラミックシートと前記金属薄
膜とが交互に積層された積層体を作製する第６工程と、
その後前記積層体を焼成する第７工程とを備え、前記第
１の樹脂層は前記支持体との接着強度が前記第２の樹脂
層との接着強度よりも大きく、前記第２の樹脂層は前記
第１の樹脂層との接着強度よりも前記金属薄膜との接着
強度の方を大きくしたセラミック電子部品の製造方法で
あり、所望の形状の金属薄膜をセラミックシートに容易
に転写することができ安定した電気特性を有するセラミ
ック電子部品を得ることができる。

【００１２】請求項２に記載の発明は、セラミックシー
トの金属薄膜との接触面にプレス板の凸部よりも大きな
第３の樹脂層を設ける請求項１に記載のセラミック電子
部品の製造方法であり、セラミックシートに所望の形状
の金属薄膜を転写することができる。

【００１３】

【００１４】請求項３に記載の発明は、第３の樹脂層
は、第２の樹脂層よりも金属薄膜との接着強度の大きい
ものである請求項２に記載のセラミック電子部品の製造
方法であり、セラミックシートに所望の形状の金属薄膜
を容易に転写することができる。

【００１５】請求項４に記載の発明は、第３の樹脂層
は、第３工程後第４工程の前に金属薄膜上に設ける請求
項１に記載のセラミック電子部品の製造方法であり、セ
ラミックシートに所望の形状の金属薄膜を転写すること
ができる。

【００１６】請求項５に記載の発明は、セラミックシー
トは少なくともセラミック原料とバインダと可塑剤とを
含有したものであり、第２、第３の樹脂層は前記セラミ
ックシート中に含まれるバインダと可塑剤とを含有した
ものである請求項１に記載のセラミック電子部品の製造
方法であり、より容易にセラミックシートに金属薄膜を
転写することができる。

【００１７】請求項６に記載の発明は、第１の樹脂層は
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン
樹脂、フッ素樹脂の内少なくとも１種類以上を含有した
ものである請求項１に記載のセラミック電子部品の製造
方法であり、支持体と第２の樹脂層との剥離を容易に行
うことができる。

【００１８】以下、本発明の一実施の形態について、積
層セラミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明
する。

【００１９】図１は本発明の実施の形態１、４における
金属薄膜の製造工程を説明するための断面図、図２は本
発明の実施の形態１、２、３、５におけるセラミックシ
ートの製造工程を説明するための断面図、図３は本発明
の実施の形態１におけるセラミックシートへの金属薄膜
の転写工程を説明するための断面図、図４は本発明の実
施の形態１、２における金属薄膜付きセラミックシート
の断面図、図５は本発明の実施の形態１、２における積
層体の製造工程を説明するための断面図、図６は本発明
の実施の形態２、６における金属薄膜の製造工程を説明
するための断面図、図７は本発明の実施の形態２におけ
るセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を説明する
ための断面図、図８は本発明の実施の形態３における金
属薄膜の製造工程を説明するための断面図、図９は本発
明の実施の形態３、４におけるセラミックシートへの金
属薄膜の転写工程を説明するための断面図、図１０は本
発明の実施の形態３、４、５、６における金属薄膜付き
セラミックシートの断面図、図１１は本発明の実施の形
態３、４、５、６における積層体の製造工程を説明する
ための断面図、図１２は本発明の実施の形態４における
セラミックシートの作製工程を説明するための断面図、
図１３は本発明の実施の形態５における金属薄膜の作製
工程を説明するための断面図、図１４は本発明の実施の
形態５、６におけるセラミックシートへの金属薄膜の転
写工程を説明するための断面図であり、１０は支持体と
してのベースフィルム、１１は第１の樹脂層、１２は第
２の樹脂層、１３は金属薄膜、１４は支持体としてのベ
ースフィルム、１５は第４の樹脂層、１６はセラミック
シート、１７ａ，１７ｂはプレス板、１８は第３の樹脂
層である。

【００２０】また図１５は一般的な積層セラミックコン
デンサの一部切欠斜視図であり、１はセラミック誘電体
層、２は内部電極、３は外部電極である。

【００２１】（実施の形態１）まずチタン酸バリウム等
の誘電体材料と、ポリビニルブチラール系のバインダ成
分と、可塑剤成分としてジブチルフタレート、溶剤成分
として酢酸ブチルを混合してスラリー化した後、ドクタ
ーブレード法を用いて図２に示すように第４の樹脂層１
５を形成したベースフィルム１４上に厚み８μｍのセラ
ミック誘電体層１となるセラミックシート１６を形成す
る。この第４の樹脂層１５はベースフィルム１４からセ
ラミックシート１６の離型性を良くするために設けたも
のであり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹
脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂の内少なくとも１種類以
上を含有したものである。

【００２２】一方、図１に示すようにベースフィルム１
０のほぼ全面に形成した厚み０．１〜１．０μｍ程度の
第１の樹脂層１１の上に内部電極２となるようなパター
ンを有する第２の樹脂層１２を形成する。次にこの第２
の樹脂層１２及び第１の樹脂層１１を被覆するように蒸
着法またはスパッタ法などの薄膜形成法で１．０μｍと
均一な厚みを有するようにニッケルの金属薄膜１３を形
成する。第１の樹脂層１１はベースフィルム１０から第
２の樹脂層１２の離型性を向上させるために設けたもの
であり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、
シリコン樹脂、フッ素樹脂の内少なくとも１種類以上を
含有したものである。第２の樹脂層１２はセラミックシ
ート１６中に含有されるバインダ成分と可塑剤成分とを
含有したものであり、本実施の形態１においてはポリビ
ニルブチラール系化合物とジブチルフタレートとを含有
させたものである。

【００２３】次に図３に示すようにセラミックシート１
６と金属薄膜１３とをベースフィルム１０，１４ごと貼
り合わせて、プレス板１７ａ，１７ｂで挟んで加熱する
ことによりセラミックシート１６および第２の樹脂層１
２中のバインダ成分を軟化させ、また加圧することによ
りセラミックシート１６と金属薄膜１３の接触面積を増
大させ、両者の接着性を誘発すると同時に第１の樹脂層
１１から第２の樹脂層１２およびこの第２の樹脂層１２
の上に形成した内部電極２となる金属薄膜１３のみをセ
ラミックシート１６に移行させる。

【００２４】セラミックシート１６側のプレス板１７ａ
はセラミックシート１６側の面が平面のものを用いた
が、金属薄膜１３側のプレス板１７ｂは金属薄膜１３の
内部電極２となる部分だけをセラミックシート１６側に
転写させるために金属薄膜１３側の面は内部電極２パタ
ーンと同じ形状の凸部を有するものである。

【００２５】次いで金属薄膜１３側のベースフィルム１
０を第２の樹脂層１２の形成されていない部分の金属薄
膜１３をベースフィルム１０に残した状態で剥離し、図
４に示すような金属薄膜１３付きセラミックシート１６
を得る。

【００２６】次いでこの金属薄膜付きセラミックシート
１６を所定の寸法に切断して、図５に示すようにセラミ
ックシート１６と金属薄膜１３とが交互に積層されるよ
うにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚積層し
て積層体ブロックを得る。

【００２７】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１１に示す積層セラミックコンデンサとする。

【００２８】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１３の転写性およ
び積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価
を行った。

【００２９】転写性については、第１、第２の樹脂層１
１，１２上の金属薄膜１３が転写後のベースフィルム１
０側に残留する割合を第１、第２の樹脂層１１，１２上
に形成した金属薄膜１３の全重量に対する割合で示して
いる。

【００３０】なお比較のために、第２の樹脂層１２を形
成していないベースフィルム１０を用いて金属薄膜１３
を形成する従来の製造方法によるセラミックシート１６
への金属薄膜１３の転写性及び積層セラミックコンデン
サの静電容量も測定した。この場合の転写性は、転写さ
れるべき金属薄膜１３の全重量に対するベースフィルム
１０側に残留した割合で示した。

【００３１】本実施の形態１及び比較例の転写性および
静電容量の測定結果を（表１）に示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】（表１）を見るとわかるように本実施の形
態１のように第２の樹脂層１２を設けた場合について
は、金属薄膜１３の転写性が改善されていることがわか
る。

【００３４】これは第１の樹脂層１１と金属薄膜１３の
接着強度よりも第１の樹脂層１１と第２の樹脂層１２と
の接着強度の方が小さく、かつ第２の樹脂層１２と金属
薄膜１３との接着強度が大きいためベースフィルム１０
から第２の樹脂層１２及びこの上に設けた金属薄膜１３
を容易に離型させることができるためである。一方、第
２の樹脂層１２を設けなかった比較例については、金属
薄膜１３の転写が不十分であるために十分な静電容量が
得られない。

【００３５】さらに図５の積層工程に示すように第２の
樹脂層１２が金属薄膜１３と積層されるセラミックシー
ト１６との接着強度を向上させることができる。

【００３６】従って、ベースフィルム１０上に第１の樹
脂層１１及び第２の樹脂層１２を介して金属薄膜１３を
形成し、セラミックシート１６上に転写することにより
内部電極２となる金属薄膜１３の転写性を従来よりも向
上させることができる。その結果、金属薄膜１３の転写
不良による静電容量のばらつきや低下といった積層セラ
ミックコンデンサとしての致命的な不良を抑制すること
ができ、歩留まりの向上に対して絶大な効果がある。

【００３７】（実施の形態２）本実施の形態２が実施の
形態１と異なる点は金属薄膜１３を内部電極２のパター
ンに形成するものである。すなわち実施の形態１と同様
にして図２に示すようにベースフィルム１４上に第４の
樹脂層１５を介してセラミックシート１６を形成する。

【００３８】一方、図６に示すようにベースフィルム１
０のほぼ全面に形成した厚み０．１〜１．０μｍ程度の
第１の樹脂層１１の上に内部電極２となるようなパター
ンとほぼ同じパターンを有する第２の樹脂層１２を形成
する。次にこの第２の樹脂層１２上に蒸着法またはスパ
ッタ法などの薄膜形成法で内部電極２と同じパターンで
金属薄膜１３を形成する。この金属薄膜１３は１．０μ
ｍと均一な厚みを有するものであり、ニッケルを用いて
形成したものである。

【００３９】次に図７に示すようにセラミックシート１
６と金属薄膜１３とをベースフィルム１０，１４ごと貼
り合わせて、プレス板１７ａ，１７ｂで挟んで加熱する
ことによりセラミックシート１６および第２の樹脂層１
２中のバインダ成分を軟化させ、また加圧することによ
りセラミックシート１６と金属薄膜１３の接触面積を増
大させ、両者の接着性を誘発すると同時に第１の樹脂層
１１から第２の樹脂層１２およびこの上に形成した内部
電極２となる金属薄膜１３とをセラミックシート１６に
移行させる。

【００４０】ここでプレス板１７ａ，１７ｂは実施の形
態１と同様にセラミックシート１６側のプレス板１７ａ
はセラミックシート１６側の面が平面のものを用いた
が、金属薄膜１３側のプレス板１７ｂは金属薄膜１３の
内部電極２となる部分だけをセラミックシート１６側に
転写させるために金属薄膜１３側の面は内部電極２パタ
ーンと同じ形状の凸部を有するものである。

【００４１】次いで金属薄膜１３側のベースフィルム１
０を剥離し、図４に示すような金属薄膜１３付きセラミ
ックシート１６を得る。

【００４２】次いでこの金属薄膜１３付きセラミックシ
ート１６を所定の寸法に切断して、図５に示すようにセ
ラミックシート１６と金属薄膜１３とが交互に積層され
るようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚積
層して積層体ブロックを得る。

【００４３】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。

【００４４】次いで内部電極２の露出した両端部に銅の
外部電極３を形成し、図１５に示す積層セラミックコン
デンサとする。

【００４５】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１３の転写性およ
び積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価
を行った。

【００４６】転写性については、第２の樹脂層１２上の
金属薄膜１３が転写後のベースフィルム１０側に残留す
る割合を第２の樹脂層１２上に形成した金属薄膜１３の
全重量に対する割合で示している。

【００４７】なお比較のために、第２の樹脂層１２を形
成していないベースフィルム１０を用いて金属薄膜１３
を形成する従来の製造方法によるセラミックシート１６
への金属薄膜１３の転写性及び積層セラミックコンデン
サの静電容量も測定した。この場合の転写性は、金属薄
膜１３の全重量に対するベースフィルム側に残留した割
合で示した。

【００４８】本実施の形態２及び比較例の転写性および
静電容量の測定結果を（表２）に示す。

【００４９】

【表２】

【００５０】（表２）を見るとわかるように本実施の形
態２のように第２の樹脂層１２を設けた場合について
は、金属薄膜１３の転写性が改善されていることがわか
る。

【００５１】これは第１の樹脂層１１と金属薄膜１３の
接着強度よりも第１の樹脂層１１と第２の樹脂層１２と
の接着強度の方が小さく、かつ第２の樹脂層１２と金属
薄膜１３との接着強度が大きいためベースフィルム１０
から第２の樹脂層１２及びこの上に設けた金属薄膜１３
を容易に離型させることができるためである。一方、第
２の樹脂層１２を設けなかった比較例については、金属
薄膜１３の転写が不十分であるために十分な静電容量が
得られない。

【００５２】さらに図５の積層工程に示すように第２の
樹脂層１２が金属薄膜１３と積層されるセラミックシー
ト１６との接着強度を向上させることができる。

【００５３】従って、ベースフィルム１０上に第１の樹
脂層１１及び第２の樹脂層１２を介して金属薄膜１３を
形成し、セラミックシート１６上に転写することにより
内部電極２となる金属薄膜１３の転写性を従来よりも向
上させることができる。その結果、金属薄膜１３の転写
不良による静電容量のばらつきや低下といった積層セラ
ミックコンデンサとしての致命的な不良を抑制すること
ができ、歩留まりの向上に対して絶大な効果がある。

【００５４】（実施の形態３）まず実施の形態１と同様
にして図２に示すような第４の樹脂層１５を形成したベ
ースフィルム１４上にセラミックシート１６を作製す
る。また図８に示すように第１及び第２の樹脂層１１，
１２を形成したベースフィルム１０上に金属薄膜１３を
形成した後、第２の樹脂層１２上の金属薄膜１３の上に
第３の樹脂層１８を形成する。この第３の樹脂層１８は
第２の樹脂層１２と同じくセラミックシート１６中のバ
インダ成分及び可塑剤成分を含有したものである。

【００５５】その後図９に示すように、セラミックシー
ト１６と金属薄膜１３とを第３の樹脂層１８を介してベ
ースフィルム１０，１４ごと貼り合わせて、プレス板１
７ａ，１７ｂで挟んで加熱することによりセラミックシ
ート１６、第２及び第３の樹脂層１２，１８中のバイン
ダ成分を軟化させ、また加圧することによりセラミック
シート１６と第３の樹脂層１８との接触面積を増大さ
せ、両者の接着性を誘発すると同時に第１の樹脂層１１
から第２の樹脂層１２、この第２の樹脂層１２の上に形
成した内部電極２となる金属薄膜１３のみおよび第３の
樹脂層１８とをセラミックシート１６側に移行させる。

【００５６】ここでプレス板１７ａ，１７ｂは実施の形
態１と同様にセラミックシート１６側のプレス板１７ａ
はセラミックシート１６側の面が平面のものを用いた
が、金属薄膜１３側のプレス板１７ｂは金属薄膜１３の
内部電極２となる部分だけをセラミックシート１６側に
転写させるために金属薄膜１３側の面は内部電極２パタ
ーンと同じ形状の凸部を有するものである。

【００５７】次いで金属薄膜１３側のベースフィルム１
０を第２、第３の樹脂層１２，１８の形成されていない
部分の金属薄膜１３をベースフィルム１０に残した状態
で剥離し、図１０に示すような金属薄膜１３付きセラミ
ックシート１６を得る。

【００５８】次いでこの金属薄膜１３付きセラミックシ
ート１６を所定の寸法に切断して、図１１に示すように
セラミックシート１６と金属薄膜１３とが交互に積層さ
れるようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚
積層して積層体ブロックを得る。

【００５９】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１５に示す積層セラミックコンデンサとする。

【００６０】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１３の転写性およ
び積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価
を行った。

【００６１】転写性については、第１、第２の樹脂層１
１，１２上の金属薄膜１３が転写後のベースフィルム１
０側に残留する割合を第１、第２の樹脂層１１，１２上
に形成した金属薄膜１３の全重量に対する割合で示して
いる。

【００６２】なお比較のために、第２、第３の樹脂層１
２，１８を形成していないベースフィルム１０を用いて
金属薄膜１３を形成する従来の製造方法によるセラミッ
クシート１６への金属薄膜１３の転写性及び積層セラミ
ックコンデンサの静電容量も測定した。この場合の転写
性は、金属薄膜１３の全重量に対するベースフィルム１
０側に残留した割合で示した。

【００６３】本実施の形態３及び比較例の転写性および
静電容量の測定結果を（表３）に示す。

【００６４】

【表３】

【００６５】（表３）を見るとわかるように本実施の形
態３のように第２の樹脂層１２及び第３の樹脂層１８を
設けた場合については、金属薄膜１３の転写性が改善さ
れていることがわかる。一方、第２の樹脂層１２を設け
なかった比較例については、金属薄膜１３の転写が不十
分であるために十分な静電容量が得られない。

【００６６】従って、ベースフィルム１０上に第１の樹
脂層１１及び第２の樹脂層１２を介して金属薄膜１３を
形成し、さらには第３の樹脂層１８を形成してセラミッ
クシート１６上に転写することにより内部電極２となる
金属薄膜１３の転写性を従来よりも向上させることがで
きる。

【００６７】また、図１１に示すように第３の樹脂層１
８を設けたため積層体ブロック形成時には第２の樹脂層
１２あるいは第３の樹脂層１８を介してセラミックシー
ト１６と金属薄膜１３とが積層されることとなる。この
第２及び第３の樹脂層１２，１８は金属薄膜１３とセラ
ミックシート１６の接着性を向上させる結合剤の役割を
果たすこととなる。

【００６８】従って実施の形態１、２よりもセラミック
シート１６と金属薄膜１３との接着性に優れた積層体ブ
ロックを得ることができるために、例えばデラミネーシ
ョンやヒビ割れといった構造欠陥の発生を抑制すること
ができる。

【００６９】以上のことから、金属薄膜１３の転写不良
による静電容量のばらつきや低下、構造欠陥の発生とい
った積層セラミックコンデンサとしての致命的な不良を
抑制することができ、歩留まりの向上に対して絶大な効
果がある。

【００７０】（実施の形態４）まず、図１２に示すよう
に実施の形態１と同様にして第４の樹脂層１５を形成し
たベースフィルム１４上にセラミックシート１６を作製
する。実施の形態３では内部電極２と同じパターンの第
３の樹脂層１８を金属薄膜１３上に形成したが、本実施
の形態ではセラミックシート１６上に形成する。

【００７１】また、実施の形態１と同様にして第１及び
第２の樹脂層１１，１２を形成したベースフィルム１０
上に金属薄膜１３を形成する。

【００７２】この第３の樹脂層１８も実施の形態３で説
明した第３の樹脂層１８と同様にセラミックシート１６
中のバインダ成分及び可塑剤成分を含有したものであ
る。

【００７３】次に図９に示すようにセラミックシート１
６と金属薄膜１３とを第３の樹脂層１８を介してベース
フィルム１０，１４ごと貼り合わせて、プレス板１７
ａ，１７ｂで挟んで加熱することによりセラミックシー
ト１６、第２及び第３の樹脂層１２，１８中のバインダ
成分を軟化させ、また加圧することにより第３の樹脂層
１８と金属薄膜１３との接触面積を増大させ、両者の接
着性を誘発すると同時に第１の樹脂層１１から第２の樹
脂層１２と、この第２の樹脂層１２の上に形成した内部
電極２となる金属薄膜１３のみをセラミックシート１６
側に移行させる。

【００７４】ここでプレス板１７ａ，１７ｂは実施の形
態１と同様にセラミックシート１６側のプレス板１７ａ
はセラミックシート１６側の面が平面のものを用いた
が、金属薄膜１３側のプレス板１７ｂは金属薄膜１３の
内部電極２となる部分だけをセラミックシート１６側に
転写させるために金属薄膜１３側の面は内部電極２パタ
ーンと同じ形状の凸部を有するものである。

【００７５】次いで金属薄膜１３側のベースフィルム１
０を第２、第３の樹脂層１２，１８の形成されていない
部分の金属薄膜１３をベースフィルム１０に残した状態
で剥離し、図１０に示すような金属薄膜１３付きセラミ
ックシート１６を得る。

【００７６】次いでこの金属薄膜１３付きセラミックシ
ート１６を所定の寸法に切断して、図１１に示すように
セラミックシート１６と金属薄膜１３とが交互に積層さ
れるようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚
積層して積層体ブロックを得る。

【００７７】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１５に示す積層セラミックコンデンサとする。

【００７８】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１３の転写性およ
び積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価
を行った。

【００７９】転写性については、第１、第２の樹脂層１
１，１２上の金属薄膜１３が転写後のベースフィルム１
０側に残留する割合を第１、第２の樹脂層１１，１２上
に形成した金属薄膜１３の全重量に対する割合で示して
いる。

【００８０】なお比較のために、第２、第３の樹脂層１
２，１８を形成していないベースフィルム１０を用いて
金属薄膜１３を形成する従来の製造方法によるセラミッ
クシート１６への金属薄膜１３の転写性及び積層セラミ
ックコンデンサの静電容量も測定した。この場合の転写
性は、転写されるべき金属薄膜１３の全重量に対するベ
ースフィルム１０側に残留した割合で示した。

【００８１】本実施の形態４及び比較例の転写性および
静電容量の測定結果を（表４）に示す。

【００８２】

【表４】

【００８３】（表４）を見るとわかるように本実施の形
態４のように第２の樹脂層１２及び第３の樹脂層１８を
設けた場合については、金属薄膜１３の転写性が改善さ
れていることがわかる。一方、第２及び第３の樹脂層１
２，１８を設けなかった比較例については、金属薄膜１
３の転写が不十分であるために十分な静電容量が得られ
ない。

【００８４】従って、ベースフィルム１０上に第１の樹
脂層１１及び第２の樹脂層１２を介して金属薄膜１３を
形成し、セラミックシート１６上に転写することにより
内部電極２となる金属薄膜１３の転写性を従来よりも向
上させることができる。

【００８５】また、実施の形態３と同様に実施の形態
１、２と比較すると第３の樹脂層１８を設けたため、図
１１に示すように積層体ブロック形成時には第２の樹脂
層１２あるいは第３の樹脂層１８を介してセラミックシ
ート１６と金属薄膜１３とが積層されることとなる。こ
の第２及び第３の樹脂層１２，１８は金属薄膜１３とセ
ラミックシート１６の接着性を向上させる結合剤の役割
を果たすこととなる。

【００８６】その結果実施の形態１、２よりもセラミッ
クシート１６と金属薄膜１３との接着性に優れた積層体
ブロックを得ることができるために、例えばデラミネー
ションやヒビ割れといった構造欠陥の発生を抑制するこ
とができる。

【００８７】以上のことから、金属薄膜１３の転写不良
による静電容量のばらつきや低下、構造欠陥の発生とい
った積層セラミックコンデンサとしての致命的な不良を
抑制することができ、歩留まりの向上に対して絶大な効
果がある。

【００８８】（実施の形態５）実施の形態１と同様にし
て図２に示すように第４の樹脂層１５を形成したベース
フィルム１４上にセラミックシート１６を作製する。

【００８９】また、図１３に示すようにベースフィルム
１０上に実施の形態１と同様にして第１の樹脂層１１を
形成した上に内部電極２と略同じパターンを有する第２
の樹脂層１２を形成した上に、内部電極２と同じパター
ンを有する金属薄膜１３及び第３の樹脂層１８を順に形
成する。

【００９０】次に図１４に示すようにセラミックシート
１６と金属薄膜１３とを第３の樹脂層１８を介してベー
スフィルム１０，１４ごと貼り合わせて、プレス板１７
ａ，１７ｂで挟んで加熱することによりセラミックシー
ト１６、第２及び第３の樹脂層１２，１８中のバインダ
成分を軟化させ、また加圧することにより第３の樹脂層
１８と金属薄膜１３との接触面積を増大させ、両者の接
着性を誘発すると同時に第１の樹脂層１１から第２の樹
脂層１２、この上に形成した内部電極２となる金属薄膜
１３をセラミックシート１６側に移行させる。

【００９１】ここでプレス板１７ａ，１７ｂは実施の形
態１と同様にセラミックシート１６側のプレス板１７ａ
はセラミックシート１６側の面が平面のものを用いた
が、金属薄膜１３側のプレス板１７ｂは金属薄膜１３の
内部電極２となる部分だけをセラミックシート１６側に
転写させるために金属薄膜１３側の面は内部電極２パタ
ーンと同じ形状の凸部を有するものである。

【００９２】次いで金属薄膜１３側のベースフィルム１
０を剥離し、図１０に示すような金属薄膜１３付きセラ
ミックシート１６を得る。

【００９３】次いでこの金属薄膜１３付きセラミックシ
ート１６を所定の形状に切断して、図１１に示すように
セラミックシート１６と金属薄膜１３とが交互に積層さ
れるようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚
積層して積層体ブロックを得る。

【００９４】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１５に示す積層セラミックコンデンサとする。

【００９５】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１３の転写性およ
び積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価
を行った。

【００９６】転写性については、第２の樹脂層１２上の
金属薄膜１３が転写後のベースフィルム１０側に残留す
る割合を第２の樹脂層１２上に形成した金属薄膜１３の
全重量に対する割合で示している。

【００９７】なお比較のために、第２、第３の樹脂層１
２，１８を形成していないベースフィルム１０を用いて
金属薄膜１３を形成する従来の製造方法によるセラミッ
クシート１６への金属薄膜１３の転写性及び積層セラミ
ックコンデンサの静電容量も測定した。この場合の転写
性は、金属薄膜１３の全重量に対するベースフィルム１
０側に残留した割合で示した。

【００９８】本実施の形態５及び比較例の転写性および
静電容量の測定結果を（表５）に示す。

【００９９】

【表５】

【０１００】（表５）を見るとわかるように本実施の形
態５のように第２の樹脂層１２及び第３の樹脂層１８を
設けた場合については、金属薄膜１３の転写性が改善さ
れていることがわかる。一方、第２及び第３の樹脂層１
２，１８を設けなかった比較例については、金属薄膜１
３の転写が不十分であるために十分な静電容量が得られ
ない。

【０１０１】従って、ベースフィルム１０上に第１の樹
脂層１１及び第２の樹脂層１２を介して金属薄膜１３を
形成し、セラミックシート１６上に転写することにより
内部電極２となる金属薄膜１３の転写性を従来よりも向
上させることができる。

【０１０２】また、実施の形態３、４と同様に実施の形
態１、２と比較すると第３の樹脂層１８を設けたため、
図１１に示すように積層体ブロック形成時には第２の樹
脂層１２あるいは第３の樹脂層１８を介してセラミック
シート１６と金属薄膜１３とが積層されることとなる。
この第２及び第３の樹脂層１２，１８は金属薄膜１３と
セラミックシート１６の接着性を向上させる結合剤の役
割を果たすこととなる。

【０１０３】その結果実施の形態１、２よりもセラミッ
クシート１６と金属薄膜１３との接着性に優れた積層体
ブロックを得ることができるために、例えばデラミネー
ションやヒビ割れといった構造欠陥の発生を抑制するこ
とができる。

【０１０４】以上のことから、金属薄膜１３の転写不良
による静電容量のばらつきや低下、構造欠陥の発生とい
った積層セラミックコンデンサとしての致命的な不良を
抑制することができ、歩留まりの向上に対して絶大な効
果がある。

【０１０５】（実施の形態６）まず実施の形態４と同様
にして図１２に示すように第４の樹脂層１５を形成した
ベースフィルム１４上にセラミックシート１６を作製
し、この上に内部電極２と同じパターンを有する第３の
樹脂層１８を形成する。この第３の樹脂層１８は実施の
形態２で説明した第３の樹脂層１８と同様にセラミック
シート１６中のバインダ成分及び可塑剤成分を含有した
ものである。

【０１０６】また、実施の形態２と同様にして図６に示
すように第１及び第２の樹脂層１１，１２を形成したベ
ースフィルム１０上に金属薄膜１３を形成する。

【０１０７】次に図１４に示すようにセラミックシート
１６と金属薄膜１３とを第３の樹脂層１８を介してベー
スフィルム１０，１４ごと貼り合わせて、プレス板１７
ａ，１７ｂで挟んで加熱することによりセラミックシー
ト１６、第２及び第３の樹脂層１２，１８中のバインダ
成分を軟化させ、また加圧することにより第３の樹脂層
１８と金属薄膜１３との接触面積を増大させ、両者の接
着性を誘発すると同時に第１の樹脂層１１から第２の樹
脂層１２、この上に形成した内部電極２となる金属薄膜
１３をセラミックシート１６側に移行させる。

【０１０８】ここでプレス板１７ａ，１７ｂは実施の形
態１と同様にセラミックシート１６側のプレス板１７ａ
はセラミックシート１６側の面が平面のものを用いた
が、金属薄膜１３側のプレス板１７ｂは金属薄膜１３の
内部電極２となる部分だけをセラミックシート１６側に
転写させるために金属薄膜１３側の面は内部電極２のパ
ターンと同じ形状の凸部を有するものである。

【０１０９】次いで金属薄膜１３側のベースフィルム１
０を剥離し、図１０に示すような金属薄膜１３付きセラ
ミックシート１６を得る。

【０１１０】次いでこの金属薄膜１３付きセラミックシ
ート１６を所定の寸法に切断して、図１１に示すように
セラミックシート１６と金属薄膜１３とが交互に積層さ
れるようにベースフィルム１４を剥がしながら１００枚
積層して積層体ブロックを得る。

【０１１１】その後積層体ブロックをチップ状に切断し
て積層体を得る。この積層体を大気中または窒素中で脱
脂した後、還元雰囲気中で焼成し焼結体を得る。次いで
内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成
し、図１５に示す積層セラミックコンデンサとする。

【０１１２】この積層セラミックコンデンサについて、
セラミックシート１６上への金属薄膜１３の転写性およ
び積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価
を行った。

【０１１３】転写性については、第２の樹脂層１２上の
金属薄膜１３が転写後のベースフィルム１０側に残留す
る割合を第２の樹脂層１２上に形成した金属薄膜１３の
全重量に対する割合で示している。

【０１１４】なお比較のために、第２、第３の樹脂層１
２，１８を形成していないベースフィルム１０を用いて
金属薄膜１３を形成する従来の製造方法によるセラミッ
クシート１６への金属薄膜１３の転写性及び積層セラミ
ックコンデンサの静電容量も測定した。この場合の転写
性は、金属薄膜１３の全重量に対するベースフィルム１
０側に残留した割合で示した。

【０１１５】本実施の形態６及び比較例の転写性および
静電容量の測定結果を（表６）に示す。

【０１１６】

【表６】

【０１１７】（表６）を見るとわかるように本実施の形
態６のように第２の樹脂層１２及び第３の樹脂層１８を
設けた場合については、金属薄膜１３の転写性が改善さ
れていることがわかる。一方、第２及び第３の樹脂層１
２，１８を設けなかった比較例については、金属薄膜１
３の転写が不十分であるために十分な静電容量が得られ
ない。

【０１１８】従って、ベースフィルム１０上に第１の樹
脂層１１及び第２の樹脂層１２を介して金属薄膜１３を
形成し、セラミックシート１６上に転写することにより
内部電極２となる金属薄膜１３の転写性を従来よりも向
上させることができる。

【０１１９】また、実施の形態３、４、５と同様に実施
の形態１、２と比較すると第３の樹脂層１８を設けたた
め、図１１に示すように積層体ブロック形成時には第２
の樹脂層１２あるいは第３の樹脂層１８を介してセラミ
ックシート１６と金属薄膜１３とが積層されることとな
る。この第２及び第３の樹脂層１２，１８は金属薄膜１
３とセラミックシート１６の接着性を向上させる結合剤
の役割を果たすこととなる。

【０１２０】その結果実施の形態１、２よりもセラミッ
クシート１６と金属薄膜１３との接着性に優れた積層体
ブロックを得ることができるために、例えばデラミネー
ションやヒビ割れといった構造欠陥の発生を抑制するこ
とができる。

【０１２１】以上のことから、金属薄膜１３の転写不良
による静電容量のばらつきや低下、構造欠陥の発生とい
った積層セラミックコンデンサとしての致命的な不良を
抑制することができ、歩留まりの向上に対して絶大な効
果がある。

【０１２２】以下本発明のポイントについて説明する。

【０１２３】（１）第１及び第４の樹脂層１１，１５は
ベースフィルム１０，１４からセラミックシート１６、
第２の樹脂層１２及びこの上に形成した金属薄膜１３を
剥離しやすくするために形成するものである。また金属
薄膜１３の形成時及び転写時の圧力及び熱によって軟化
したり、変質したりしないことが重要である。第１及び
第４の樹脂層１１，１５が軟化した場合には、内部電極
２となる金属薄膜１３のパターン精度や積層精度が悪く
なり良好な積層体を得ることができない。従ってこのよ
うな性能を満足するためにアクリル樹脂、エポキシ樹
脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂またはそ
れらの混合系樹脂を第１及び第４の樹脂層１１，１５と
して用いることが有効である。アクリル樹脂については
エポキシ樹脂、メラミン樹脂と混合させて用いることで
さらに熱的安定性が向上し、好ましい。シリコン樹脂に
ついては熱的安定性に加えて、離型性の経時変化が小さ
いといった特徴を有している。フッ素樹脂については、
上記樹脂の中で最も熱的に安定かつ金属薄膜１３の離型
性に優れている。また逆に第１および第４の樹脂層１
１，１５の軟化を防ぐために、金属薄膜１３の形成時お
よび転写時の熱は第１及び第４の樹脂層１１，１５の軟
化点以下で行う必要がある。

【０１２４】さらにアクリル樹脂はセラミックシート１
６中のバインダ成分をして用いることがある。この場合
は第１及び第４の樹脂層１１，１５はアクリル樹脂以外
の樹脂を用いて形成する必要がある。すなわち離型性を
向上させるためには、第１及び第４の樹脂層１１，１５
はセラミックシート１６、第２、第３の樹脂層１２，１
８中に含まれる樹脂とは異なる樹脂で相溶性に劣る樹脂
を用いて形成する必要がある。

【０１２５】また、第１及び第４の樹脂層１１，１５が
セラミックシート１１よりも小さい場合には金属薄膜１
３を転写するときにベースフィルム１０，１４とセラミ
ックシート１６が直接接触し、セラミックシート１６を
剥離させてしまうおそれが有るからである。このとき、
焼結体の構造欠陥となり、良品を得ることができなくな
る。従って第１及び第４の樹脂層１１，１５はセラミッ
クシート１６よりも大きくしておくことが、構造欠陥の
発生を抑制するために好ましい。

【０１２６】（２）金属薄膜１３をセラミックシート１
６側に転写させる時に、加熱してセラミックシート１６
中に含まれるバインダ成分を十分に軟化させてセラミッ
クシート１６と金属薄膜１３との接着強度が向上するよ
うにする必要がある。従ってこの時の加熱温度はセラミ
ックシート１６中のバインダ成分の軟化温度以上とする
ことが好ましい。

【０１２７】（３）実施の形態１、２における第２の樹
脂層１２及び実施の形態３〜６における第３の樹脂層１
８は、形成しようとする内部電極２と同じパターンを有
するように形成することにより、金属薄膜１３から内部
電極２となる部分だけをセラミックシート１６側に転写
することができる。

【０１２８】また、実施の形態３、４、５、６において
精度よく内部電極２を形成するために、第３の樹脂層１
８を所望の内部電極２と同じパターン形状とし、第２の
樹脂層１２は第３の樹脂層１８と同じか相似形でそれよ
りも小さく形成することが望ましい。

【０１２９】（４）上記実施の形態においてはセラミッ
クシート１６側に金属薄膜１３を転写したが金属薄膜１
３側にセラミックシート１６を転写しても同様の効果が
得られるものである。

【０１３０】（５）金属薄膜１３とセラミックシート１
６を貼り合わせてベースフィルム１０を除去したとき
に、余分な金属薄膜１３がセラミックシート１６に付着
した場合、金属薄膜１３を転写したセラミックシート１
６に気体を吹き付けることにより余分な金属薄膜１３を
容易に除去でき所望の形状の内部電極２を形成すること
ができる。

【０１３１】（６）上記各実施の形態においてはセラミ
ックシート１６を誘電体材料とバインダ、可塑剤、溶剤
を混合してベースフィルム１４上に形成したが、例えば
誘電体材料とポリエチレンとを用いて作製したセラミッ
クシート１６についても同様の効果が得られる。

【０１３２】なぜならばこのセラミックシート１６は上
記各実施の形態で示したようなセラミックシート１６と
比較すると空孔率が高いため第２、第３の樹脂層１２，
１８を形成するバインダ成分がセラミックシート１６の
空孔に浸入することによりセラミックシート１６と金属
薄膜１３との接着強度を向上させることができるからで
ある。

【０１３３】また、このセラミックシート１６は上記各
実施の形態で示したようなセラミックシート１６と比較
すると強度が高いため、ベースフィルム１４上に形成す
る必要が無く、扱いが非常に容易である。

【０１３４】（７）金属薄膜１３は、スパッタ法、蒸着
法、メッキ法などの薄膜形成法を単独であるいは組み合
わせて形成することが望ましい。ただし０．１〜１．０
μｍ程度の厚みの金属薄膜１３を形成しようとするとス
パッタ法よりも蒸着法で形成する方が効率良く形成する
ことができる。

【０１３５】（８）また、高積層のセラミック電子部品
を作製する場合には、転写時の熱が積層体ブロック内部
に蓄積し、セラミックシート１６が伸びて精度良く積層
を行うことができなくおそれがある。したがって、高積
層の積層体ブロックを作製する場合は、セラミックシー
ト１６が伸びないように適宜冷却しながら積層体ブロッ
クを作製することが好ましい。

【０１３６】（９）上記各実施の形態においては積層セ
ラミックコンデンサについて説明したが、本発明は例え
ば積層チップバリスタや積層型のコイル、セラミック多
層基板等積層工程を有する一般的なセラミック電子部品
の製造方法についても同様の効果が得られる。

【０１３７】

【発明の効果】以上本発明によると、支持体としてのベ
ースフィルムから金属薄膜のセラミックシート上への転
写性を向上させることができる。また、セラミックシー
トと金属薄膜との接着強度も向上させることができる。
従って安定した電気的特性を有するセラミック電子部品
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１、４における金属薄膜の
製造工程を説明するための断面図

【図２】本発明の実施の形態１、２、３、５におけるセ
ラミックシートの製造工程を説明するための断面図

【図３】本発明の実施の形態１におけるセラミックシー
トへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図

【図４】本発明の実施の形態１、２における金属薄膜付
きセラミックシートの断面図

【図５】本発明の実施の形態１、２における積層体の製
造工程を説明するための断面図

【図６】本発明の実施の形態２、６における金属薄膜の
製造工程を説明するための断面図

【図７】本発明の実施の形態２におけるセラミックシー
トへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図

【図８】本発明の実施の形態３における金属薄膜の製造
工程を説明するための断面図

【図９】本発明の実施の形態３、４におけるセラミック
シートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図

【図１０】本発明の実施の形態３、４、５、６における
金属薄膜付きセラミックシートの断面図

【図１１】本発明の実施の形態３、４、５、６における
積層体の製造工程を説明するための断面図

【図１２】本発明の実施の形態４におけるセラミックシ
ートの作製工程を説明するための断面図

【図１３】本発明の実施の形態５における金属薄膜の作
製工程を説明するための断面図

【図１４】本発明の実施の形態５、６におけるセラミッ
クシートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面
図

【図１５】一般的な積層セラミックコンデンサの一部切
欠斜視図

【符号の説明】

１ セラミック誘電体層 ２ 内部電極 ３ 外部電極 １０ ベースフィルム １１ 第１の樹脂層 １２ 第２の樹脂層 １３ 金属薄膜 １４ ベースフィルム １５ 第４の樹脂層 １６ セラミックシート １７ａ プレス板 １７ｂ プレス板 １８ 第３の樹脂層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−115035（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−293626（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208948（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−31104（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/10 H01G 4/14 - 4/42 H01G 13/00 - 13/06

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に第１の樹脂層を設ける第１工
   程と、次にこの第１の樹脂層の上に内部電極形状の第２
   の樹脂層を設ける第２工程と、次いで前記第１および第
   ２の樹脂層上に薄膜形成法により金属薄膜を形成する第
   ３工程と、その後前記金属薄膜がセラミックシートと接
   触するように支持体ごとセラミックシートと重ね合わせ
   て前記金属薄膜側に凸部を有するプレス板で、前記支持
   体を介して前記第２の樹脂層を前記凸部が対応するよう
   に挟み、加圧する第４工程と、次に前記支持体を剥離
   後、前記金属薄膜に気体を吹きつけて余分な前記金属薄
   膜を除去する第５工程と、次いで前記セラミックシート
   と前記金属薄膜とが交互に積層された積層体を作製する
   第６工程と、その後前記積層体を焼成する第７工程とを
   備え、前記第１の樹脂層は前記支持体との接着強度が前
   記第２の樹脂層との接着強度よりも大きく、前記第２の
   樹脂層は前記第１の樹脂層との接着強度よりも前記金属
   薄膜との接着強度の方を大きくしたセラミック電子部品
   の製造方法。
2. 【請求項２】 セラミックシートの金属薄膜との接触面
   にプレス板の凸部よりも大きな第３の樹脂層を設ける請
   求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
3. 【請求項３】 第３の樹脂層は、第２の樹脂層よりも金
   属薄膜との接着強度の大きいものである請求項２に記載
   のセラミック電子部品の製造方法。
4. 【請求項４】 第３の樹脂層は、第３工程後第４工程の
   前に金属薄膜上に設ける請求項１に記載のセラミック電
   子部品の製造方法。
5. 【請求項５】 セラミックシートは少なくともセラミッ
   ク原料とバインダと可塑剤とを含有したものであり、第
   ２、第３の樹脂層は前記セラミックシート中に含まれる
   バインダと可塑剤とを含有したものである請求項１ある
   いは請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
6. 【請求項６】 第１の樹脂層はアクリル樹脂、エポキシ
   樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂の内少
   なくとも１種類以上を含有したものである請求項１に記
   載のセラミック電子部品の製造方法。