JP3447319B2 - 焦点検出用予備照射装置およびカメラ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばカメラなどの撮
影装置における自動焦点検出装置による焦点検出時に被
写体に向けて補助光を照射する焦点検出用予備照射装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、カメラなどの撮影装置に用いられ
る焦点検出装置では、撮影レンズを通して入射した被写
体光を２像に分割し、その位相のズレに基づいて焦点調
整を行うパッシブＡＦ方式が採用されている。

【０００３】さらに、この焦点検出装置においては、主
として積分型の受光素子が用いられている。この積分型
の受光素子に光が入射すると、それに応じて電荷が蓄積
され積分され、該積分された電荷に応じて所定の出力が
なされる。そして、積分型の受光素子は上記出力を一定
に保つように照度乃至は輝度と積分時間の積を一定にし
ている。

【０００４】例えば、特開昭５９−１９５６０５号公報
では、積分型受光素子を用いて被写体の低輝度を検出
し、発光部の発光動作を制御する焦点検出装置に関する
技術が開示されている。

【０００５】さらに、特開昭６０−５２８１０号公報で
は、予備照射を行って撮影レンズの焦点位置と予定焦点
位置とのズレ量を測定し、このズレ量に基づいてレンズ
駆動するといった一連の動作の回数を制限する予備照明
を用いた自動焦点調整装置に関する技術が開示されてい
る。

【０００６】一方、このような撮像装置により撮影する
場合、被写体が暗いと焦点調整が困難であるので、焦点
検出用予備照射装置により被写体に向けて補助光を照射
することが行われている。そして、このような焦点検出
用予備照射装置では、主としてコンデンサに蓄積される
電荷の量により発光量を決定しているため、コンデンサ
の容量を適当に設定することで当該発光量を自在に制御
することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た技術では、充電電圧が発光可能な電圧であれば合焦す
るまで所定回数だけ上記測定を繰り返し、所定回数の予
備照射で合焦しない場合には発光部の充電を行い、上記
所定回数の上記測定と上記充電を交互に行うように装置
を制御することはできなかった。

【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、合焦するまで予備照射、
測距を所定回数繰り返し、所定回数に達するとメインコ
ンデンサをフル充電することで、合焦する確率を向上さ
せることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様に係る焦点検出用予備照射装置
では、被写体光を２像に分割し、各像の光強度分布を測
定し、その像間隔から撮影光学系のデフォーカス量を求
める焦点検出装置のための焦点検出用予備照射装置にお
いて、上記光強度分布測定時に被写体を予備照射する閃
光発光手段と、上記閃光発光手段の予備照射時の発光を
制御する発光制御手段と、上記閃光発光手段の予備照射
回数を計数する計数手段と、上記閃光発光手段の充電を
制御する充電制御手段と、上記充電制御手段により制御
される充電電圧を検知する充電電圧検知手段と、上記充
電電圧検知手段により検知される充電電圧が発光可能な
電圧であれば、上記発光回数計数手段の計数値が、上記
予備照射が所定の複数回行われたことを示すまでは上記
予備照射を行って上記光強度分布測定を繰り返し、その
後は上記閃光発光手段の充電と上記所定回数の上記測定
とを交互に行うように上記発光制御手段および上記充電
制御手段を制御する制御手段と、を具備することを特徴
とする。本発明の第２の態様に係るカメラでは、自動焦
点調節装置用の予備照射装置を備えるカメラにおいて、
被写体の光強度分布測定時に被写体を予備照射する閃光
発光手段と、上記閃光発光手段を複数回発光させ、該閃
光発光手段の複数回の発光からなる予備照射を制御する
発光制御手段と、上記閃光発光手段の予備照射回数を計
数する計数手段と、上記閃光発光手段の充電を、所定量
まで充電を行う第１の充電モードと、所定時間の間充電
を行う第２の充電モードにて制御可能な充電制御手段
と、上記充電制御手段により制御される充電電圧を検知
する充電電圧検知手段と、上記充電電圧検知手段により
検知される充電電圧が発光可能な電圧であれば、上記計
数手段の計数値が、上記予備照射が所定の複数回行われ
たことを示すまでは上記予備照射を行って上記光強度分
布測定を繰り返し、その後は上記第１のモードでの上記
閃光発光手段の充電と上記所定回数の上記測定とを交互
に行い、上記予備照射中のそれぞれの発光後には上記第
２のモードでの上記閃光発光手段の充電を行うように、
上記発光制御手段および上記充電制御手段を制御する制
御手段と、を具備することを特徴とする。 本発明の第３
の態様では、上記第１の充電モードではフル充電を行う
ことを特徴とする。

【００１０】

【作用】即ち、本発明の第１の態様に係る焦点検出用予
備照射装置では、閃光発光手段が上記光強度分布測定時
に被写体を予備照射し、発光制御手段が上記閃光発光手
段の予備照射時の発光を制御し、計数手段が上記閃光発
光手段の予備照射回数を計数し、充電制御手段が上記閃
光発光手段の充電を制御し、充電電圧検知手段が上記充
電制御手段により制御される充電電圧を検知し、制御手
段が、上記充電電圧検知手段により検知される充電電圧
が発光可能な電圧であれば、上記発光回数計数手段の計
数値が、上記予備照射が所定の複数回行われたことを示
すまでは上記予備照射を行って上記光強度分布測定を繰
り返し、その後は上記閃光発光手段の充電と上記所定回
数の上記測定とを交互に行うように上記発光制御手段お
よび上記充電制御手段を制御する。 本発明の第２の態様
に係るカメラでは、閃光発光手段が被写体の光強度分布
測定時に被写体を予備照射し、発光制御手段が上記閃光
発光手段を複数回発光させ、該閃光発光手段の複数回の
発光からなる予備照射を制御し、計数手段が上記閃光発
光手段の予備照射回数を計数し、充電制御手段が、上記
閃光発光手段の充電を、所定量まで充電を行う第１の充
電モードと、所定時間の間充電を行う第２の充電モード
にて制御し、充電電圧検知手段が上記充電制御手段によ
り制御される充電電圧を検知し、制御手段が、上記充電
電圧検知手段により検知される充電電圧が発光可能な電
圧であれば、上記計数手段の計数値が、上記予備照射が
所定の複数回行われたことを示すまでは上記予備照射を
行って上記光強度分布測定を繰り返し、その後は上記第
１のモードでの上記閃光発光手段の充電と上記所定回数
の上記測定とを交互に行い、上記予備照射中のそれぞれ
の発光後には上記第２のモードでの上記閃光発光手段の
充電を行うように、上記発光制御手段および上記充電制
御手段を制御する。 本発明の第３の態様に係るカメラで
は、上記第１の充電モードではフル充電を行う。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。

【００１２】図１は本発明の焦点検出用予備照射装置の
概念図である。

【００１３】同図に示すように、本発明の焦点検出用予
備照射装置は閃光発光部と発光制御部２、発光回数計数
部３、焦点距離検出部４、充電制御部５、充電電圧検知
部６、制御部７からなる。

【００１４】このような構成において、閃光発光部１が
光強度分布測定時に被写体を予備照射し、発光制御部２
が上記閃光発光部１の予備照射時の発光を制御する。そ
して、発光回数計数部３が上記閃光発光部１の発光回数
を計数し、焦点距離検出部４が上記撮影光学系の焦点距
離を検出する。さらに、充電制御部５が上記閃光発光部
１の充電を制御し、充電電圧検知部６が上記充電制御部
５により制御される充電電圧を検知する。そして、制御
部７が上記充電電圧検知部６により検知される充電電圧
が発光可能な電圧であれば合焦するまで所定回数だけ上
記測定を繰り返し、所定回数の予備照射で合焦しない場
合には上記閃光発光部１の充電を行い、上記所定回数の
上記測定と上記充電を交互に行うように制御する。

【００１５】次に、図２は本発明の一実施例に係る焦点
検出用予備照射装置の制御系の構成を示す図である。

【００１６】同図において、ＣＰＵ１１は図示しない内
部ＲＯＭに予め記憶されたプログラムを逐次実行して周
辺の集積回路（ＩＣ）等の制御を行う。

【００１７】そして、オートフォカス（ＡＦ）ＩＣ１２
による自動焦点調整にはＴＴＬ位相差検出方式が採用さ
れている。そして、被写体光が撮影レンズ３８を通過
し、コンデンサレンズ３６とセパレータレンズ３５Ｌ，
３５ＲとからなるＡＦ光学系を介して当該ＡＦＩＣ１２
の上面に配置されたフォトセンサアレイ３４Ｌ，３４Ｒ
上に到達すると、ＡＦＩＣ１２は後述する光量積分や量
子化等の処理を行い、その測距情報はＡＦＩＣ１２から
ＣＰＵ１１へと転送される。

【００１８】さらに、上記フォトセンサアレイ３４Ｌ，
３４Ｒの各素子の特性にばらつきがあると、そのままで
は正確な測距情報を得ることができないので、本実施例
では不揮発性記録素子であるＥＥＰＲＯＭ１３にフォト
センサアレイ３４Ｌ，３４Ｒのばらつきに関する情報を
予め記憶しておき、ＡＦＩＣ１２から得られる測距情報
の補正演算をＣＰＵ１１において行っている。このＥＥ
ＰＲＯＭ１３に、機械的なばらつきや各種素子の電気的
特性のばらつき等、様々な調整値を予め記憶させてお
き、これら調整値を必要に応じてＣＰＵ１１に送ること
で各種演算を行うことができる。尚、ＣＰＵ１１とＡＦ
ＩＣ１２、ＥＥＰＲＯＭ１３の間でのデータの授受はシ
リアル通信により行われている。

【００１９】そして、データバッグ１５はＣＰＵ１１か
ら出力される制御信号に基づいてフィルムに日付けの写
し込みを行う。尚、当該データバッグ１５の写し込みラ
ンプの光量はフィルムＩＳＯ感度によって段階的に変化
するものとする。

【００２０】さらに、インターフェイス（ＩＦ）ＩＣ１
７は、ＣＰＵ１１と４ビットのパラレル通信を行い、被
写体輝度の測定やカメラ内温度の測定、フォトインタラ
プタ等の出力信号の波形整形、モータの定電圧駆動制
御、温度安定、温度比例電圧等の各種定電圧の生成、バ
ッテリの残量チェック、赤外光リモコンの受信、モータ
ドライバＩＣ１８，１９の制御、各種ＬＥＤの制御、電
源電圧のチェック、昇圧回路の制御等を行う。

【００２１】そして、シリコンフォトダイオード（ＳＰ
Ｄ）３３は、被写体輝度の測定を行う。このＳＰＤ３３
の受光面は画面中央部分とその周辺部分とに２分割され
ており、画面中央の一部分のみで測光を行うスポット測
光と画面全体を使用して測光するアベレージ測光との２
通りの測光を行う。そして、このＳＰＤ３３が被写体輝
度に応じた電流をＩＦＩＣ１７に出力すると、ＩＦＩＣ
１７では、このＳＰＤ３３からの出力を電圧に変換して
ＣＰＵ１１へと転送する。そして、ＣＰＵ１１では、こ
の電圧の情報を基にして露出演算や逆光の判断等が行な
われる。

【００２２】さらに、ＩＦＩＣ１７に内蔵された回路に
より絶対温度に比例した電圧が出力されると、その信号
はＣＰＵ１１にてＡ／Ｄ変換され、カメラ内温度の測温
値として出力され、この測温値は温度により状態が変化
する機械部材や電気信号の補正等において用いられる。

【００２３】また、フォトインタラプタ等の波形整形
は、フォトインタラプタ或いはフォトリフレクタ等の出
力の光電流を基準電流と比較し、矩形波としてＩＦＩＣ
１７より出力する。この時、基準電流にヒステリシスを
持たせることによりノイズ除去を行なっている。また、
このＣＰＵ１１との通信により基準電流及びヒステリシ
ス特性を変化させることもできる。

【００２４】さらに、バッテリ（不図示）の残量チェッ
クは、バッテリの両端に不図示の低抵抗を接続して電流
を流したときのバッテリ両端の電圧をＩＦＩＣ１７内部
で分圧してＣＰＵ１１へ出力し、このＣＰＵ１１内にて
Ａ／Ｄ変換を行いＡ／Ｄ値を得ることで行う。

【００２５】そして、赤外光リモコンの受信は、リモコ
ン送信用ユニット３０の投光用ＬＥＤ３１より変調され
た赤外光が発せられ、その赤外光を受光用シリコンフォ
トダイオード３２にて受信することで行う。そして、こ
のシリコンフォトダイオード３２の出力信号は、ＩＦＩ
Ｃ１７内部で波形整形等の処理が行われた後、ＣＰＵ１
１へと転送される。

【００２６】また、電源電圧の低電圧監視はＩＦＩＣ１
７に、そのための専用端子が設けられており、該専用端
子に入力される電源電圧が規定値より低下すると、ＩＦ
ＩＣ１７からリセット信号がＣＰＵ１１へと出力され、
ＣＰＵ１１の暴走等が未然に防止される。そして、昇圧
回路の制御は電源電圧が所定値より低下したときに昇圧
回路を作動させるというものである。

【００２７】そして、上記ＩＦＩＣ１７にはＡＦ測距終
了、ストロボ発光警告等のファインダ内表示用ＬＥＤ２
９、或いはフォトインタラプタ等に使用されているＬＥ
Ｄが接続されており、これらのＬＥＤのオン／オフ及び
発光光量の制御は、ＣＰＵ１１及びＥＥＰＲＯＭ１３、
ＩＦＩＣ１７間で通信を行いＩＦＩＣ１７が直接的に行
なう。このＩＦＩＣ１７はモータの定電圧制御も行な
う。

【００２８】さらに、モータドライバＩＣ１８はフィル
ム給送及びシャッタのチャージを行うシャッタチャージ
（ＳＣ）モータ２２、フォーカス調整のためのレンズ駆
動用（ＬＤ）モータ２３、鏡枠のズーミング用の（Ｚ
Ｍ）モータ２４の３つのモータの駆動、及び昇圧回路の
駆動、セルフタイマ動作表示用のＬＥＤの駆動等を行
う。そして、これらの動作の制御、例えば「どのデバイ
スを駆動するか」、「モータは正転させるか逆転させる
か」、「制動をかけるか」等についてはＣＰＵ１１から
の信号をＩＦＩＣ１７が受けて、当該ＩＦＩＣ１７がモ
ータドライバＩＣ１８を制御することにより行う。

【００２９】そして、上記ＳＣモータ２２がシャッター
チャージ、フィルム巻上げ、巻戻しのいずれの状態にあ
るかはフォトインタラプタとクラッチレバーを用いてＳ
ＣＰＩ２５で検出し、その情報はＣＰＵ１１へと転送さ
れる。また、レンズの繰り出し量はＬＤモータ２３に取
付けられたＬＤＰＩ２６で検出され、その出力はＩＦＩ
Ｃ１７で波形整形した後、ＣＰＵ１１へと転送される。

【００３０】さらに、鏡枠のズーミングの繰り出し量は
ＺＭＰＩ２８及びＺＭＰＲ２７で検出する。そして、鏡
枠がＴＥＬＥ端とＷＩＤＥ端の間にあるとき、鏡枠に貼
り付けた銀色シールの反射をＺＭＰＲ２７が拾う様な構
成にする。このＺＭＰＲ２７の出力はＣＰＵ１１へ入力
されＴＥＬＥ端，ＷＩＤＥ端の検出が行なわれる。

【００３１】そして、ＺＭＰＩ２８はＺＭモータ２４に
取り付けられ、その出力はＩＦＩＣ１７で波形整形され
た後、ＣＰＵ１１へ入力され、ＴＥＬＥ端又はＷＩＤＥ
端からのズーミング量が検出される。そして、モータド
ライバＩＣ１９は絞り調整ユニット駆動用のステッピン
グモータであるＡＶモータ２０をＣＰＵ１１からの制御
信号により駆動し、ＡＶＰＩ２１は、その出力をＩＦＩ
Ｃ１７で波形整形してＣＰＵ１１へ出力し、絞り開放位
置の検出を行う。

【００３２】また、液晶表示パネル１４はＣＰＵ１１か
ら送られる信号により、フィルム駒数や撮影モード、ス
トロボモード、絞り値、電池残量等の表示をする。そし
て、ストロボ回路１６は撮影時又はＡＦ測距時、被写体
の輝度が不足していたときに発光管を発光させて必要な
輝度を被写体に与えるもので、ＣＰＵ１１からの信号に
基づいてＩＦＩＣ１７が制御する。

【００３３】さらに、ファーストレリーズスイッチＲ１
ＳＷはレリーズボタンが半押しされた状態のときにオン
となり測距動作を行う。そして、セカンドレリーズスイ
ッチＲ２ＳＷはレリーズボタンが全押しされた状態のと
きにオンとなり、各種測定値を基に撮影動作が行われ
る。さらに、ズームアップスイッチＺＵＳＷ及びズーム
ダウンスイッチＺＤＳＷは鏡枠のズーミングを行うスイ
ッチで、ＺＵＳＷがオンすると長焦点方向に、ＺＤＳＷ
がオンすると短焦点方向にズーミングする。また、セル
フスイッチＳＥＬＦＳＷがオンすると、セルフタイマ撮
影モード又はリモコンの待機状態となる。この状態にお
いてＲ２ＳＷがオンされればセルフタイマ撮影が行わ
れ、リモコン送信機３０にて撮影操作を行えばリモコン
による撮影を行う。

【００３４】そして、スポットスイッチＳＰＯＴＳＷを
オンすると、測光を撮影画面の中央の一部のみで行う
「スポット測光モード」となる。これは、後述のＡＦセ
ンサによる測光である。尚、ＳＰＯＴＳＷがオフでの通
常の測光は測光用ＳＰＤ３３にて評価測光を行なう。さ
らに、ＰＣＴ１ＳＷ〜ＰＣＴ４ＳＷ及びプログラムスイ
ッチＰＳＷは「プログラム撮影モード」の切換スイッチ
で、撮影条件に合わせて撮影者がモード選択を行う。ま
た、ＰＣＴ１ＳＷをオンすると「ポートレートモード」
となり、適正露出範囲内で被写界深度が浅くなる様に絞
り及びシャッタースピードを決定する。

【００３５】また、ＰＣＴ２ＳＷをオンすると「夜景モ
ード」となり、通常撮影時の適正露出の値よりも一段ア
ンダーに設定する。そして、ＰＣＴ３ＳＷをオンすると
「風景モード」となり、適正露出範囲内で被写界深度が
できるだけ深くなる様に絞り及びシャッタースピードの
値を決定する。さらに、ＰＣＴ４ＳＷをオンすると「マ
クロモード」となり近接撮影時に使用される。尚、これ
らＰＣＴ１ＳＷ乃至ＰＣＴ４ＳＷは同時に２つ以上選択
することができない。

【００３６】そして、ＰＳＷは通常の「プログラム撮影
モード」の切り替えスイッチである。このＰＳＷを押す
ことで、ＰＣＴＳＷ１〜ＰＣＴ４ＳＷのリセット及び後
述するＡＶ優先プログラムモードのリセットを行う。さ
らに、ＡＶ優先スイッチＡＶＳＷをオンすると、撮影モ
ードが「ＡＶ優先プログラムモード」となる。このモー
ドはＡＶ値を撮影者が決定し、そのＡＶ値に合わせてプ
ログラムでシャッタースピードを決める。このモードに
なると、ＰＣＴ２ＳＷとＰＣＴ４ＳＷは前述の機能はな
くなりＡＶ値の設定スイッチとなる。さらに、ＰＣＴ２
ＳＷはＡＶ値を大きくするスイッチでＰＣＴ４ＳＷはＡ
Ｖ値を小さくするスイッチである。

【００３７】また、ストロボスイッチＳＴＳＷはストロ
ボの発光モードの切換スイッチで通常「自動発光モード
（ＡＵＴＯ）」、「赤目軽減自動発光モード（ＡＵＴＯ
−Ｓ）」、「強制発光モード（ＦＩＬＬ−ＩＮ）」、
「ストロボオフモード（ＯＦＦ）」を切換える。また、
パノラマスイッチ（ＰＡＮＳＷ）は、撮影状態がパノラ
マ撮影か通常撮影かを検出するためのスイッチでパノラ
マ撮影時にオンとなる。そして、撮影モードがパノラマ
になっていると測光の補正演算等を行う。これは、パノ
ラマ撮影時には撮影画面の上下の一部がマスクされ、こ
れに伴い測光センサの一部もマスクされることになるの
で正確な測光が行えないためである。

【００３８】さらに、裏蓋スイッチＢＫＳＷは裏蓋の状
態を検出するたためのスイッチで、裏蓋が閉じている状
態がオフ状態となる。このＢＫＳＷがオンからオフへ状
態が移行するとフィルムのローディングを開始する。ま
た、シャッタチャージスイッチＳＣＳＷはシャッタチャ
ージを検出するためのスイッチである。

【００３９】さらに、ミラーアップスイッチＭＵＳＷは
ミラーアップを検出するためのスイッチでミラーアップ
でオンとなる。そして、ＤＸスイッチＤＸＳＷはフィル
ムのパトローネに印刷されているフィルム感度を示すＤ
Ｘコードを読み取るため、及びフィルム装填の有無を検
出するためのスイッチで図示しない５つのスイッチ群で
構成されている。

【００４０】次に、図３は上記ＡＦＩＣ１２の詳細な構
成を示す図である。

【００４１】同図において、センサ制御回路ＳＣＣはＣ
ＰＵ１１からの制御信号に応じてＡＦＩＣ１２全体の動
作を制御する。このセンサ制御回路ＳＣＣはＣＰＵ１１
からのリセット信号ＡＦＲＥＳを受けると、ＡＦＩＣ１
２内の各ブロックにリセット信号を供給し蓄積動作を開
始させる。そして、その蓄積動作中はＡＦＥＮＤ信号を
ローレベル“Ｌ”に保持してＣＰＵ１１に出力する。

【００４２】ＣＰＵ１１はＡＦＥＮＤ信号を随時モニタ
しており、ローレベル“Ｌ”である区間が積分リミット
時間を越えるとＡＦＥＸＴ信号を出力し、センサ制御回
路ＳＣＣは、このＡＦＥＸＴ信号に応じて強制的に蓄積
動作を停止させる。さらに、センサ制御回路ＳＣＣは、
センサ回路ＳＣに対して信号Ａ乃至Ｅを出力し感度モー
ドの切り換えを行うと共に、ＣＬＫ，ＤＡＴＡ信号によ
ってＣＰＵ１１に対してセンサデータＤ(I) の通信を行
う。尚、フォトダイオードＰＤとセンサ回路ＳＣについ
ては後述するが、センサ回路ＳＣでは蓄積動作を終了す
ると蓄積終了信号ＴＳをラッチ回路ＬＣとＯＲ発生回路
ＯＲＣに出力する。

【００４３】また、光電変換素子列中で最初に電荷蓄積
を終了したセンサ回路ＳＣの蓄積終了信号ＴS はＯＲ発
生回路ＯＲＣを介してＯＲ信号としてセンサ制御回路Ｓ
ＣＣに入力され、センサ制御回路ＳＣＣでは、これをＴ
OR信号として出力する（図５（ｆ）のＴOR参照）。ま
た、光電変換素子列中で最後に電荷蓄積を終了したセン
サ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴS はＡＮＤ発生回路Ａ
ＮＤＣによりセンサ制御回路ＳＣＣを介してＡＦＥＮＤ
信号を出力する（図５（ｅ）参照）。以下の説明では、
この図５（ｅ）に示すＡＦＥＮＤのＬ区間を積分時間Ｔ
E と称する。

【００４４】そして、ＣＰＵ１１はＡＦＥＮＤ信号のロ
ーレベル“Ｌ”からハイレベル“Ｈ”を検出してＡＦセ
ンサの積分終了を判定し、ローレベル“Ｌ”区間の時間
を計測して積分リミットの判定を行う。

【００４５】さらに、クロックパルスジェネレータＣＧ
は、電荷蓄積時間ＴS をセンサデータＤ(I) にディジタ
ル化するためのクロックパルスＣＰを発生し、図５にお
いてはＡＦＲＥＳ信号の入力と同時に動作を開始し、時
間の経過と共に周期が図５（ｇ）のように増大していく
クロックパルスＣＰを発生する。この周期の変化は電荷
蓄積時間ＴS がフォトダイオードＰＤに入射する光強度
と、ほぼ反比例の関係になっている。

【００４６】そして、光電変換素子の中で最初に電荷蓄
積を完了したセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴＳが
ＯＲ発生回路ＯＲＣに入力されると、ＯＲＳ信号によっ
てスイッチＳＷを閉じる。このスイッチＳＷのオンによ
りカウンタＣＯＴはクロックジェネレータＣＧのクロッ
クパルスＣＰのカウントを開始する。

【００４７】従って、光電変換素子列中で最も強い光を
受けたフォトダイオードＰＤのラッチ回路ＬＣにはカウ
ンタ出力０がラッチされる。そして、他のフォトダイオ
ードでは入射する光強度が小さいほど電荷蓄積時間が長
くなり、蓄積終了信号ＴS が発生するまでの時間差が発
生するので、この時間差に応じたカウンタ出力がそれぞ
れラッチ回路ＬＣにおいてラッチされる。

【００４８】また、ＯＲ発生回路ＯＲＣは、図示してい
ないが光電変換素子列の中央範囲内に位置するフォトダ
イオードに対応するセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号
ＴSのみを有効とする。ここでは、光電変換素子列の両
側の主要被写体背景の逆光が入る恐れがあるので、この
範囲の各左右所定数のセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信
号ＴS は除外してＯＲ発生回路ＯＲＣに入力していな
い。

【００４９】次に、図４は上記ＡＦＩＣ１２におけるセ
ンサ回路ＳＣの更に詳細な構成を示す図である。同図に
おいて、センサ回路ＳＣは被写体輝度に応じて動作モー
ドを切り換えるもので、被写体が低輝度の場合は「高感
度モード」に、高輝度の場合は「低感度モード」に設定
する。

【００５０】そして、最初にセンサ制御回路ＳＣＣは
「高感度モード」に設定するため、センサ回路ＳＣに信
号Ａ〜Ｅを出力して、ＡＳ１オフ，ＡＳ２オン，ＡＳ３
オン，ＡＳ４オフ，ＡＳ５オンに設定する。この状態で
蓄積コンデンサＣI の両端はショートされ、且つ演算増
幅器ＡＰの動作により電位Ｖ2 に固定されてリセットさ
れている。

【００５１】さらに、フォトダイオードＰＤはカソード
が固定電位Ｖr に接続されており、その受光光量に応じ
た光電流を発生する。そして、ＡＳ３をオンからオフと
すると蓄積動作が開始され、フォトダイオードＰＤの受
光光量に応じた光電流が蓄積コンデンサＣI に流れ込
み、これに応じた電荷が蓄積される。

【００５２】これと同時に、演算増幅器ＡＰの出力Ｐ2
の電位はリセット電位Ｖ1 から受光光量に応じた傾きで
下降していく（図５（ｃ）参照）。

【００５３】そして、演算増幅器ＡＰの出力Ｐ2 は、非
反転入力端を所定電位Ｖ3 に固定されたコンパレータＣ
Ｐの反転入力端に接続されており、演算増幅器ＡＰの出
力Ｐ2 が電位Ｖ3 を越えるとコンパレータＣＰの出力Ｐ
3 がハイレベル“Ｈ”からローレベル“Ｌ”に反転し、
ＡＳ４を介して蓄積終了信号ＴS を出力する。この蓄積
終了信号ＴS のうち最初の信号は前述のＯＲ発生回路Ｏ
ＲＣ、センサ制御回路ＳＣＣを介してＴＯＲ信号として
出力される（図５（ｆ）参照）。

【００５４】さらに、蓄積終了信号ＴS のうち最後の信
号は、前述したＡＮＤ発生回路ＡＮＤＣ、センサ制御回
路ＳＣＣを介してＡＦＥＮＤ信号として出力される（図
５（ｅ））。また、光電変換素子列中で最も短い蓄積時
間が所定時間より短い場合は、「低感度モード」に切り
換えて再度蓄積動作を行う（図６（ｈ）乃至（ｍ）参
照）。この「低感度モード」時には、センサ制御回路Ｓ
ＣＣによって信号Ａ〜Ｅの設定が行なわれ、ＡＳ１オ
ン，ＡＳ２オフ，ＡＳ３オフ，ＡＳ４オフ，ＡＳ５オン
とする。尚、低感度モードでは演算増幅器ＡＰは非反転
入力端をＶ2 に固定されたコンパレータとして動作させ
る。そして、コンパレータＡＰの反転入力端Ｐ1 は電位
Ｖ1 に固定され接合容量ＣJ をリセットしている。

【００５５】そして、信号Ａを反転しＡＳ１をオフさせ
て、フォトダイオードＰＤの受光する受光光量に応じた
光電流によりフォトダイオードＰＤの接合容量ＣJ を放
電するので、コンパレータＡＰの反転入力端Ｐ1 の電位
はリセット電位Ｖ1 より受光光量に応じた傾きで上昇し
ていく。

【００５６】さらに、蓄積開始と共にクロックジェネレ
ータＣＧ、カウンタＣＯＴはリセットされコンパレータ
ＡＰの反転入力端Ｐ1 の電位が電位Ｖ2 を越えると、コ
ンパレータＡＰの出力Ｐ2 がハイレベル“Ｈ”からロー
レベル“Ｌ”に反転し、ＡＳ５を介して蓄積終了信号Ｔ
S を出力する。

【００５７】また、高感度モードと同様に、最も早く蓄
積が終了したセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴS に
応じてＯＲ発生回路ＯＲＣを介してスイッチＳＷがオン
され、センサ制御回路ＳＣＣよりＴOR信号が出力され
る。そして、最も遅く蓄積が終了したセンサ回路ＳＣか
らの蓄積終了信号ＴS に応じてＡＮＤ発生回路ＡＮＤＣ
を介してセンサ制御回路ＳＣＣよりＡＦＥＮＤ信号が出
力される。

【００５８】さらに、光電変換素子列中で最も入射光量
の大きいフォトダイオードＰＤに対応する蓄積時間、つ
まり最も小さい、即ち前述のＴOR信号に相当する蓄積時
間をＴo とすると、光電変換素子列中の任意のフォトダ
イオードＰＤに対応する電荷蓄積時間Ｔ(I) と対応する
ラッチ回路ＬＣにおいてラッチされるカウンタ出力Ｄ
(I) とは次式のような関係となっている。

【００５９】

【数１】 この式を変形してディジタル化されたカウンタ出力Ｄ
(I) は次式で示される。

【００６０】

【数２】 尚、電荷蓄積時間Ｔ(I) は各フォトダイオードに入射す
る光量に比例するので、上記Ｄ(I) を読み出すことによ
り被写体像信号を得ることができる。そして、カウンタ
ＣＯＴは８ビット分のカウントを行うとカウントを停止
する。

【００６１】従って、フォトダイオードＰＤへの入射光
強度が弱く上記電荷蓄積時間Ｔ(I)が上記Ｔo で決まる
所定時間より長い素子の出力は“２５５”に固定され
る。

【００６２】次に、図７は上記ストロボ回路１６の詳細
な構成を示す図である。

【００６３】同図において、電源Ｅには、電源電圧をス
トロボが発光可能になるまで昇圧を行なうＤＣ／ＤＣコ
ンバータ５２が並列に接続されており、このＤＣ／ＤＣ
コンバータ５２の出力には、メインコンデンサＭＣに充
電された電圧を測定するメインコンデンサ電圧測定回路
５３が接続されている。そして、上記ＤＣ／ＤＣコンバ
ータ５２の出力にはＸｅ（キセノン）管５７に発光のた
めのトリガを印加するトリガ回路５４が接続されてお
り、更にダイオードＤ１を介して発光エネルギーを蓄え
るメインコンデンサＭＣも接続されている。そして、電
源Ｅには、前記ダイオードＤ１のカソードに接続された
メインコンデンサＭＣのエネルギーを消費して発光する
Ｘｅ管５７と、このＸｅ管５７の発光光量の制御を行な
う発光光量制御回路５５が直列に接続されており、前記
発光光量制御回路５５には電源Ｅの供給を制御する電源
供給制御回路５６が接続されている。尚、上記ＤＣ／Ｄ
Ｃコンバータ５２とメインコンデンサ電圧測定回路５３
とトリガ回路５４と発光光量制御回路５５と電源供給制
御回路５６の制御は上記ＣＰＵ１１がＩＦＩＣ１７のイ
ンターフェースとして制御している。

【００６４】ここで、図８を参照して上記ストロボ回路
１６の更に詳細な構成について説明する。同図に示すよ
うに、上記メインコンデンサ電圧測定回路５３は、抵抗
Ｒ１とＲ２とが直列に接続されており、該抵抗Ｒ２には
コンデンサＣ１が並列に接続されており、該抵抗Ｒ１，
Ｒ２の接続点はＣＰＵ１１のＶＳＴ端子に接続された構
成となっている。そして、このメインコンデンサ電圧測
定回路５３は、ＤＣ／ＤＣコンバータ５２を起動させ、
抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧比で発生する抵抗Ｒ２の両端の電
圧をＣＰＵ１１でモニタし、メインコンデンサＭＣの電
圧を抵抗の分圧比倍することにより、メインコンデンサ
ＭＣの電圧を測定する。尚、コンデンサＣ１は測定電圧
を平滑するためのものである。

【００６５】上記トリガ回路５４は、抵抗Ｒ３とサイリ
スタＤ２が直列に接続され、該サイリスタＤ２のアノー
ド、ＧＮＤ間にコンデンサＣ２とトリガコイルＴ１のｂ
−ａ間が直列に接続され、同じくサイリスタＤ２のアノ
ード、ＧＮＤ間にコンデンサＣ３と抵抗Ｒ４が直列に接
続され、トリガコイルＴ１の２次巻線Ｔ１−ｃがＸｅ管
７の外壁に接続され、コンデンサＣ３と抵抗Ｒ４の接続
点がＸｅ管５７のカソードに接続され、サイリスタＤ２
のゲートがＣＰＵ１１のＳＴＯＮ端子に接続された構成
となっている。そして、このトリガ回路５４は、Ｘｅ管
５７にトリガを印加すると同時にＸｅ管５７のカソード
に負のメインコンデンサ電圧を印加し、Ｘｅ管５７の発
光をし易くするための倍電圧回路としても兼用されてい
る。

【００６６】ここで、このトリガ回路５４の動作につい
て更に詳細に説明する。

【００６７】先ずＤＣ／ＤＣコンバータ５２を一定時間
起動させ、出力充電電流を抵抗Ｒ３を介してコンデンサ
Ｃ２，Ｃ３に流し充電を行うと、この充電された電荷は
サイリスタＤ２のゲートにハイレベル“Ｈ”信号を入力
することによりサイリスタＤ２のアノード＝カソード間
が導通し、コンデンサＣ２からサイリスタＤ２、トリガ
コイルＴ１の１次側ａ−ｂ間、コンデンサＣ２へと電流
が流れ、トリガコイルＴ１の１次側に電流が流れると、
該トリガコイルＴ１に１次巻線の２次巻線に対する鎖交
磁束が生じるため、２次巻線ｃ端子には高電圧が誘起さ
れる。更に、コンデンサＣ３からサイリスタＤ２、抵抗
Ｒ４、コンデンサＣ３に電流が流れ、サイリスタＤ２の
サノード電圧が初期のＸｅ管５７の発光可能電圧値から
一瞬のうちに０Ｖとなるため、コンデンサＣ３のＸｅ管
５７のアノード側の電圧が０ＶからマイナスのＸｅ管発
光可能電圧となり、ダイオードＤ３によりＸｅ管５７の
カソード電圧は保持され、Ｘｅ管５７の両端には２倍の
Ｘｅ管発光可能電圧が印加されることになる倍電圧回路
の駆動を行う。

【００６８】上記発光光量制御回路５５は、Ｘｅ管５７
とＧＮＤ間にダイオードＤ３と絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタＩＧＢＴ１が直列に接続され、該ＩＧＢＴ
１のゲート＝エミッタ間にツェナダイオードＤ４が並列
に接続され、トランジスタＴｒ１のコレクタ＝エミッタ
間が並列に接続され、ツェナダイオードＤ４のカソード
と電源供給制御回路５６が接続され、トランジスタＴｒ
１のベースが抵抗Ｒ６を介してＣＰＵ１１のＳＴＯＦＦ
端子に接続された構成となっている。そして、この発光
光量制御回路５５は、電源供給制御回路５６より供給さ
れる電圧によりツェナダイオードＤ４で絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタＩＧＢＴ１のゲート電圧を作成
し、該ＩＧＢＴ１をオン状態にする。この時、トリガ回
路５４の起動により発光電流がＸｅ管５７からダイオー
ドＤ３とＩＧＢＴ１に流れる。そして、ＣＰＵ１１よ
り、ＳＴＯＦＦ端子に発光停止信号が抵抗Ｒ６を介して
トランジスタＴｒ１に入力すると、トランジスタＴｒ１
は動作し、ＩＧＢＴ１のゲート電荷を放出させ、ＩＧＢ
Ｔ１をオフし、発光電流は停止する。

【００６９】上記電源供給制御回路５６は、トランジス
タＴｒ２と抵抗Ｒ５とが直列に接続され、抵抗Ｒ７とＲ
８とトランジスタＴｒ３とが直列に接続され、抵抗Ｒ９
がＣＰＵ１１のＧ−ＯＮ端子に接続された構成となって
いる。そして、この電源供給制御回路５６は、ＣＰＵ１
１のＧ−ＯＮ端子よりオン信号が入力され、トランジス
タＴｒ３が起動しトランジスタＴｒ２が起動すると、メ
インコンデンサＭＣの電荷を発光光量制御回路５５へ供
給し、オフ信号が入力されると、発光光量制御回路５５
への電荷の供給を停止する。尚、メインコンデンサＭＣ
の電圧を測定するためには、充電電圧チェックのサブル
ーチンをコールすることにより実行され、予め発光可能
電圧値がＣＰＵ１１内の図示しない記憶領域に格納され
ている。これについての詳細は後述する。

【００７０】次に、図９のフローチャートを参照して、
本発明を適用したカメラにおいて実行されるサブルーチ
ン“ファーストレリーズ”のシーケンスについて説明す
る。

【００７１】まず、Ｇ−ＯＮ端子をハイレベル“Ｈ”に
し（ステップＳ１０１）、補助光照射を行なう回数をＲ
ＡＭ（ＡＦＮ）にセットする（ステップＳ１０２）。続
いて、Ｒ１ＳＷのオン／オフを判定し、Ｒ１ＳＷがオン
になっていたらステップＳ１０４に移行し、Ｒ１ＳＷが
オフになっていたらステップＳ１１８へと分岐する（ス
テップＳ１０３）。

【００７２】続いて、ステップＳ１０４では、前回のＡ
Ｆ測距時に補助光照射を行なったか否かを判断し、補助
光照射を行なった場合には、続いて補助光照射を所定回
数行なったか判断する（ステップＳ１０５）。そして、
所定回数だけ補助光照射を行なった場合には、サブルー
チン“充電”を実行しストロボのメインコンデンサにフ
ル充電して（ステップＳ１０７）、ステップＳ１０２へ
分岐する。

【００７３】一方、上記ステップＳ１０５において、補
助光照射が所定回数に満たない場合は、ステップＳ１０
６にて後述するサブルーチン“充電電圧のチェック”を
実行し、ステップＳ１０８にて後述するサブルーチン
“ＡＦ測距”を実行する。

【００７４】続いて、ステップＳ１０９ではＡＦ測距結
果が検出不能であったか検出フラグを参照して判定す
る。そして、検出できている場合にはステップＳ１１０
でＡＦ測距時補助光を照射したか否かを補助光フラグを
参照して判別する。そして、補助光オフの場合にはステ
ップＳ１１３に進み合焦フラグを参照して合焦か否か判
別し、合焦の場合はＳ１１４においてファインダ内のＬ
ＥＤ表示やブザーの発音により合焦表示を行いリターン
する。

【００７５】一方、非合焦の場合にはステップＳ１１５
に進み、後述するサブルーチン“レンズ駆動”を実行
し、上記ＡＦ測距の結果に基づいてレンズ駆動を行う。
その後ステップＳ１１６で合焦フラグを参照して合焦か
否か判別し、合焦であればステップＳ１１４において合
焦表示を行う。そして、非合焦の場合は、再度ステップ
Ｓ１０３に戻って上記動作を繰り返す。

【００７６】また、上記ステップＳ１０９において検出
不能であった場合にはステップＳ１１７においてファイ
ンダ内ＬＥＤ等による非合焦表示を行った後、リターン
する（ステップＳ１１９）。

【００７７】ここで、ＡＦ測距時に補助光照射を行なっ
た場合には、即ちステップＳ１１０において補助光オン
であった場合は、ステップＳ１１１で（ＡＦＮ）をデク
リメントし、光量オーバーフラグ及び光量アンダーフラ
グを参照する（Ｓ１１２）。

【００７８】そして、このステップＳ１１２で光量オー
バー及び光量アンダーである場合にはステップＳ１０３
に戻り補助光光量を変更して再度ＡＦ測距を行う。ま
た、光量が適正であった場合は、補助光オフの場合と同
様にステップＳ１１３以後の処理を行う。

【００７９】次に、図１０のフローチャートを参照し
て、上記ステップＳ１０７で実行されるサブルーチン
“充電”のシーケンスについて説明する。

【００８０】まず、充電時間を計数するタイマをスター
トさせ（ステップＳ１５０）、ＳＴＣＨＲＧ端子をハイ
レベル“Ｈ”にして充電をスタートする（ステップＳ１
５１）。そして、充電がタイムリミットであるか否かを
判定し、充電がタイムリミットである場合にはステップ
Ｓ１５５でＳＴＣＨＲＧ端子をローレベル“Ｌ”にして
充電を完了する（ステップＳ１５６）。

【００８１】一方、上記ステップＳ１５２で、充電がタ
イムリミットではない場合には、次のステップＳ１５３
でメインコンデンサ電圧をＡ／Ｄ変換し、ステップＳ１
５４で充電完了ならばステップＳ１５５に分岐する。そ
して、ステップＳ１５４で充電が未完の場合にはステッ
プＳ１５２へと分岐する。

【００８２】次に、図１１のフローチャートを参照し
て、図９のステップＳ１０６で実行されるサブルーチン
“充電電圧チェック”のシーケンスについて詳細に説明
する。

【００８３】前述したストロボ回路１６における電源Ｅ
の電圧を測定・記憶し（ステップ２０１）、電源Ｅの温
度を測定・記憶する（ステップＳ２０２）。そして、こ
のステップＳ２０１，Ｓ２０２の電源電圧温度の結果を
基に電圧チェックのためのプリ充電を行なう時間を決定
する（ステップＳ２０３）。

【００８４】そして、ＳＴＣＨＲＧ端子からハイレベル
“Ｈ”信号を入力し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５２を起動
させ充電を開始する（ステップＳ２０４）。続いて、上
記ステップ４０３で決定した時間だけ充電を行ない（ス
テップＳ２０５）、ＶＳＴ端子よりメインコンデンサＭ
Ｃの電圧をＡ／Ｄ変換し、そのＡ／Ｄ値を記憶する（ス
テップＳ２０６）。

【００８５】さらに、このステップＳ２０６で測定した
Ａ／Ｄ値をＥＥＰＲＯＭ１３に予め記憶されている発光
可能電圧Ａ／Ｄ値と比較し（ステップＳ２０７）、測定
電圧が高ければステップ２０８に進み発光可能フラグを
セットし、測定電圧が低ければステップ２０９に進み発
光可能フラグをクリアする。そして、ＳＴＣＨＲＧ端子
にローレベル“Ｌ”信号を入力し、ＤＣ／ＤＣコンバー
タ５２の動作を止め（ステップＳ２１０）、本サブルー
チンを終了する（ステップＳ２１１）。

【００８６】次に、図１２のフローチャートを参照し
て、図９のステップＳ１０８で実行されるサブルーチン
“ＡＦ測距”のシーケンスについて詳細に説明する。

【００８７】先ず図１２のステップＳ３００では、サブ
ルーチン“ＡＦセンサ積分”が実行され、ＡＦＩＣ１２
内の光電変換素子列３４Ｒ，３４ＬによるＡＦセンサ積
分が行なわれる。

【００８８】ここで、この光電変換素子列３４Ｒ，３４
Ｌ上に被写体像を結像させるためのＡＦ光学系３７につ
いて説明する。尚、撮影レンズ３８によって形成される
被写体像を再結像光学系により２つの被写体像に分割
し、光電変換素子列上に再結像と、その２つの被写体像
の位置ずれを検出することで合焦検出を行うような焦点
検出光学系は既に公知である。

【００８９】その代表的なものは、図１３に示すように
撮影レンズ３８の結像面１２２近傍に位置するコンデン
サレンズ３６と一対の再結像レンズ３５Ｒ，３５Ｌによ
って構成されている。そして、上記結像面１２２上に撮
影レンズ３８の合焦時に被写体像１２３が結像すると、
当該被写体像１２３はコンデンサレンズ３６と一対の再
結像レンズ３５Ｒ，３５Ｌにより光軸Ｏに対して垂直な
光電変換素子列の２次結像面１２７上に再形成され、第
１の被写体像１２３Ｌ、第２の被写体像１２３Ｒとな
る。そして、撮影レンズ３８が前ピン、即ち、結像面１
２２の前方に被写体像１２４が形成される場合、その被
写体像１２４は、互いに光軸Ｏに近づいた形で光軸Ｏに
対して垂直に再結像されて第１の被写体像１２４Ｌ、第
２の被写体像１２４Ｒとなる。また、撮影レンズ３８が
後ピン、即ち上記結像面１２２の後方に被写体像１２５
に形成される場合、その被写体像１２５は互いに光軸Ｏ
から離れた位置に光軸Ｏに対して垂直に再結像されて第
１の被写体像１２５Ｌ、第２の被写体像１２５Ｒとな
る。これらの第１，第２の被写体像は同一方向を向いて
おり、両像において互いに対応する部分の間隔を検出す
ることにより撮影レンズ３８の合焦状態を前ピン、後ピ
ン等を含めて検出することができる。

【００９０】次に、図１４のフローチャートを参照し
て、図１２のステップＳ３００で実行されるサブルーチ
ン“ＡＦセンサ積分”のシーケンスについて詳細に説明
する。

【００９１】本ルーチンに入ると、最初にストロボオフ
モードであるか否かを判定し、ストロボオフモードであ
る場合には積分リミット時間を通常の２倍（２・ＴL ）
に設定する（ステップＳ４００，Ｓ４０１）。続いて、
ＡＦセンサ積分がスタートされているか否かをフラグを
参照して判断し（ステップＳ４０２）、積分中でない場
合には積分を開始する（ステップＳ４０３）。この積分
の開始はＡＦＩＣ１２に対してＣＰＵ１１よりリセット
信号ＡＦＲＥＳが出力されて開始される。

【００９２】一方、ステップＳ４０２で積分が開始して
いる場合はステップＳ４０５に移行し、被写体に補助光
を照射して積分を行う補助光モードであるか否か判定す
る（ステップＳ４０５）。そして、補助光モードでない
場合にはステップＳ４１０に移行し積分が終了したか否
かをＡＦＩＣ１２内のセンサ制御回路ＳＣＣの積分終了
出力ＡＦＥＮＤを参照して判断する（ステップＳ４０
７）。

【００９３】そして、この積分が終了している時はリタ
ーンし、終了していない時はステップＳ４１１に進み積
分リミット時間に達したか否かを判定する。そして、こ
の積分時間が、この積分リミット時間を越えた場合はＡ
ＦＩＣ１２の積分動作を強制的に停止させる（ステップ
Ｓ４１２）。また、積分リミット時間を越えていない時
はステップＳ４０２に戻り、ステップＳ４０２，Ｓ４０
５，Ｓ４１０，Ｓ４１２のループを積分終了、又は積分
リミット時間になるまで繰り返す。尚、積分時間は積分
制御回路ＡＦＥＮＤ信号に対応して割込み処理でＲＡＭ
に格納される。

【００９４】一方、上記ステップＳ４０５で補助光モー
ドである場合は、ステップＳ４０６に進み、後述するサ
ブルーチン“補助光照射”を実行し、補助光照射を一定
時間にあるパターンで行う。尚、この補助光照射中に積
分が終了した場合（ＡＦＥＮＤ信号）は割込み処理で積
分時間を取り込み、所定のＲＡＭに格納する。さらに、
ステップＳ４０７で積分が終了していない時にはステッ
プＳ４０８において積分動作を強制的に停止させ、ステ
ップＳ４０９において積分リミットフラグを設定し、そ
の後、リターンして積分制御動作を終了する（ステップ
Ｓ４１３）。

【００９５】尚、上述の積分リミット時間は、被写体が
低輝度である場合に積分時間が長くなりタイムラグが大
きくなるのを防止するために設けられているので、被写
体が低輝度の時は被写体像信号が正しく得られない場合
がある。そこで、積分時間が所定値を越える時は次回積
分時に被写体に補助光を照射して被写体光量の不足を補
っている。ところで、本発明のカメラにおいては撮影モ
ードとして通常の「ストロボ低輝度自動発光モード」の
他に「ストロボオフモード」を有しており、ストロボ撮
影が禁止されているあるいは好ましくない場所での撮影
時に一時的に使用される。この場合、補助光としてのス
トロボ光照射も禁止し、同時にステップＳ４００，Ｓ４
０１に示すように上記積分リミット時間を２倍に設定し
て低輝度での焦点検出精度の劣化を防止している。

【００９６】次に、図１５のフローチャートを参照し
て、図１４のステップＳ４０６で実行されるストロボ回
路１６によるサブルーチン“補助光照射”のシーケンス
について詳細に説明する。

【００９７】ＡＦ補助光のサブルーチンがコールされる
と、ＡＦ補助光での発光回数が設定され（ステップＳ５
０１）、サブルーチン“プリ充電”が実行される（ステ
ップ５０２）。このサブルーチン“プリ充電”のシーケ
ンスは図１６に示す通りである。これは、先に図１１に
示したサブルルーチン“充電電圧チェック”とほぼ同じ
内容であるため、ここでは説明を省略する。

【００９８】続いて、サブルーチン“発光”が実行され
る（ステップＳ５０３）。

【００９９】このサブルーチン“発光”のシーケンスは
図１７に示す通りである。即ち、本サブルーチンに入る
と、必要発光光量を得るための発光時間を読み出し（ス
テップＳ７０１）、ＳＴＯＮ端子よりハイレベル“Ｈ”
信号を出し発光させる（ステップＳ７０２）。そして、
ステップＳ７０１で読み出した時間だけ発光を続け（ス
テップＳ７０３）、所定時間が経過するとステップＳ７
０４に進み、ＳＴＯＦＦ端子にハイレベル“Ｈ”信号を
入力し、ＩＧＢＴ１をオフさせＸｅ管５７の発光を止め
る。そして、ＳＴＯＮ端子をローレベル“Ｌ”とし（ス
テップＳ７０５）、ＳＴＯＦＦ端子をローレベル“Ｌ”
とし（ステップＳ７０６）、ＳＴＯＮ、ＳＴＯＦＦ端子
を初期状態としてサブルルーチン“充電電圧チェック”
に戻り，ステップＳ５０４に進む。

【０１００】そして、ＡＦ補助光の周期を決めるためイ
ンターバルの時間を定め（ステップＳ５０４）、所定の
発光回数が来るまで発光を続け所定回数の発光が終ると
リターンする（ステップＳ５０５，Ｓ５０６）。

【０１０１】次に、図１２のステップＳ３０１において
はセンサ読出し動作を行う。

【０１０２】即ち、ＣＰＵ１１よりＡＦＩＣ１２内のセ
ンサ制御回路ＳＣＣのＣＬＫ端子にクロックを入力する
と、これに同期して各ラッチ回路ＬＣにラッチされてい
るカウント出力Ｄ(I) がセンサデータとしてＤＡＴＡ端
子に順次出力され、ＣＰＵ１１はこのセンサデータＤ
(I) を順次所定の図示しないＲＡＭに格納していく。そ
して、全センサデータＤ(I) の読み込みが終了すると、
センサ回路ＳＣの動作モードが高感度モードか低感度モ
ードであるかのカンドデータＤK の通信も行う。

【０１０３】続いて、図１２のステップＳ３０２ではセ
ンサデータＤ(I) を用いて被写体の測光値を計算する。
この測光値は、露出データの計算や補助光の必要性の判
断の他、得られたセンサデータの信頼性の判定等にも使
用される。尚、センサデータＤ(I) と電荷蓄積時間Ｔ
(I) とは上記（１）式の関係を有しているので、各セン
サデータＤ(I) より各素子の蓄積時間Ｔ(I) を求めれば
測光値が得られる。

【０１０４】一方、積分時間ＴE は、前述のようにフォ
トダイオードＰＤへの入射光量が最も少ない素子に対応
する蓄積時間であるから、この素子に対応するセンサデ
ータＤ(I) は全素子中の最大値である。よって、この最
大センサデータをＤMAX とすると積分時間ＴE は上記
（１）式を適用して次式で示すことができる。

【０１０５】

【数３】 従って、

【０１０６】

【数４】 となり、光電変換素子列中でフォトダイオードＰＤへの
入射光量が最も大きい素子の蓄積時間Ｔo を求めること
ができる。これを上記（１）式に代入すると、

【０１０７】

【数５】 となり、積分時間ＴE ，最大センサデータＤMAX 及び各
センサデータＤ(I) とにより各素子の蓄積時間Ｔ(I) を
計算することができる。

【０１０８】ここで、測光値を求める場合は各センサデ
ータＤ(I) より求められる蓄積時間Ｔ(I) の平均値を用
いるのが有効である。さらに、光電変換素子列中の中央
部の素子について求めると背景等で被写体像の結像され
ていない部分を削除することができる。また、前述のＡ
Ｆ光学系により分割された第１及び第２の被写体像は等
しいので、いずれか一方の光電変換素子列３４Ｌか３４
Ｒについて計算すればよい。

【０１０９】よって、平均蓄積時間Ｔbar は次式で示さ
れる。

【０１１０】

【数６】 これを近似すると次式のように示される。

【０１１１】

【数７】 さらに、この平均蓄積時間Ｔbar を対数圧縮して測光値
Ｅは次式で示される。

【０１１２】

【数８】 尚、補正値ＨE は測光値Ｅと積分時間ＴE の関係を補正
するための調整値であり、均一光源に対する積分時間を
計測してカメラ毎にＥＥＰＲＯＭ１３に記憶されてい
る。これは、カメラ毎に光学系のバラツキや光電変換素
子毎に感度が異なるためである。また、ＡＦＩＣ１２の
高感度モードと低感度モードとは補正値ＨE が異なるの
で各補正値を有している。

【０１１３】ところで、本実施例では積分時間ＴE を用
いて測光値の計算を行なっているが、図３のＴOR端子よ
り出力されるＴOR信号のＬ区間の時間（図５（ｆ）参
照）を計測してＴo ＝ＴORを求め、上記（１）式を適用
して各素子の蓄積時間Ｔ(I) を計算し、更に素子数ｎの
平均蓄積時間Ｔ′を求めると次式のようになる。

【０１１４】

【数９】 これを上記（８）式に適用しても同様に測光値Ｅ′を得
ることができる。

【０１１５】

【数１０】 続いて、図１２のステップＳ３０３では、サブルーチン
“補助光判定”を実行し、ＡＦＩＣ１２の積分時に低輝
度で光量が不足している場合、被写体に対して補助照明
光を照射する補助光を点灯する必要があるか否かの判定
や前記補助光の光量を設定する処理を行う。

【０１１６】以下、図１８のフローチャートを参照し
て、図１２のステップＳ３０３で実行されるサブルーチ
ン“補助光判定”のシーケンスについて詳細に説明す
る。

【０１１７】先ず最初に今回の積分が高感度モードで行
なわれたか感度データＤK を参照し、低感度モード時は
被写体輝度が十分高く、補助光は必要ないのでそのまま
リターンする（ステップＳ８０１）。

【０１１８】そして、高感度モードで次に進み今回の積
分時に補助光を照射したか否かを判別して（ステップＳ
８０２）、補助光が照射されなかった場合には、次回の
積分時に補助光が必要か否かの判定を行う。ここでは、
ＡＦＩＣ１２の積分時間ＴEと判定値Ｔs1とを比較して
積分時間ＴE の方が大きい場合、即ち被写体が低輝度で
ある時に補助光が必要と判断する。

【０１１９】続いて、後述するサブルーチン“ＡＧＮＯ
初期設定”を実行し、補助光の照射光量を設定する。本
実施例の補助光はストロボ光を使用しており、そのＡＧ
ＮＯを設定する（ステップＳ８０４）。そして、補助光
要求フラグをセットし（ステップＳ８０５）、リターン
する（ステップＳ８１４）。

【０１２０】ここで、今回の積分で補助光を照射した場
合のシーケンスについて説明する。

【０１２１】積分時間が短い、即ち被写体が至近距離に
位置するか、或いは補助光の照射光量が大きすぎる場合
には、ＡＦＩＣ１２より出力されたセンサデータは非常
にバラツキが大きく、被写体像に対して再現性の悪いデ
ータが得られ易い為、このセンサデータを用いた相関演
算結果は信頼性が低いものとなる。

【０１２２】例えば、図１９には補助光投光しながらの
積分時の蓄積時間ＴS と蓄積電圧ＶS の関係を示す。同
図には被写体像光電変換素子への入射光量が１：２：４
の比となるＡ，Ｂ，Ｃの３つの場合を示している。さら
に、補助光として周期的なストロボパルス光を被写体に
照射するタイミングとＡＦＲＥＳ信号のタイミングも図
１９（ｃ），（ｂ）に示す。尚、説明の都合上Ｃが全光
電変換素子の中で最も入射光量の大きい素子とする。

【０１２３】このような蓄積波形に対して、蓄積判定電
圧Ｖ3 を設定し、それに対する蓄積時間ＴS （図１９
（ｆ），（ｅ），（ｄ）のＴSA，ＴSB，ＴSC）、前述の
量子化方法に関する上記（２）式を適用するとディジタ
ル化されたセンサデータＤ(I)を算出することができ
る。ところで、上記入射光量が１：２：４の比を有する
場合で、且つ補助光を照射しない場合、つまり定常光モ
ードのセンサデータＤ(I)は式（２）により、それぞれ
Ｄ(I) ＝０，１３７，２０５となり、このセンサデータ
は入射光量の絶対値や蓄積判定電圧Ｖ3 が変化しても入
射光量比が変化しない限り変化することはない。

【０１２４】しかしながら、補助光投光時は入射光量比
が変化しなくても、上記条件によってセンサデータＤ
(I) が変化し、被写体像を正確に認識することが困難な
場合がある。即ち、図１９において、被写体輝度の変化
つまり光電変換素子への入射光量の絶対値の変化を簡単
にするため蓄積判定電圧Ｖ3 の変化に置き換えて考える
ものとする。

【０１２５】さらに、図２０は蓄積判定電圧Ｖ3 を変化
させた場合の光電変換素子Ｂ，ＣのセンサデータＤS の
変化を定常光モード時のセンサデータＤS を基準とし
て、それからの差分を示した図である。

【０１２６】同図より明らかなように、補助光投光時の
センサデータＤ(I) の誤差ΔＤS は蓄積判定電圧Ｖ3 が
低いほど大きい値を示す。これは言い換えると、被写体
反射率が大きい程、あるいは補助光投光光量が大きいほ
どセンサデータ誤差ΔＤS が大きく、正確な被写体像デ
ータを得ることができない。その結果、焦点検出の精度
を著しく低下させることになる。

【０１２７】また、センサデータ誤差ΔＤS は蓄積時間
ＴS が短い程、大きくなることも示されているので、蓄
積時間ＴS が短いと同様に焦点検出精度を低下させるこ
とになり、被写体の反射率や距離を考慮して適切な補助
光光量を設定し適切な蓄積時間になるように制御するこ
とによって、補助光投光時も正確な被写体像データを得
て焦点検出精度を維持することができる。従って、積分
時間ＴE が所定値より短い場合は信頼性が低いと判断
し、補助光の照射光量を下げて再度ＡＦセンサ積分をや
り直す。

【０１２８】さて、ステップ８０６において積分時間Ｔ
E と所定値ＴS2を比較して、第１の判定を行う。そし
て、積分時間ＴE ≧ＴS2であれば光量オーバーではない
のでリターンし、積分時間ＴE ＜ＴS2であれば光量オー
バーであると判断し、光量オーバーフラグをセットし
（ステップＳ８０７）、補助光光量を下げるためＡＧＮ
Ｏより所定数Ｎを減算して新たにＡＧＮＯとする（ステ
ップＳ８０８）。

【０１２９】続いて、ステップＳ８０９では、このＡＧ
ＮＯが“１”より小さくなった場合はＡＧＮＯに１をセ
ットし（ステップＳ８１３）、リターンする（ステップ
Ｓ８１４）。

【０１３０】一方、ステップＳ８０９においてＡＧＮＯ
≧１である場合はステップＳ８１０で第２の判定を行
う。ここでは、前述の第１の判定値ＴS2に対してＴS2＞
ＴS3なる第２の判定値ＴS3を積分時間ＴE と比較する。
これは、より大きな第２レベルの光量オーバーの場合を
判定し、より有効に適正な補助光光量ＡＧＮＯを設定す
るためのものである。そして、積分時間ＴE ≧ＴS2であ
れば光量オーバーではあるが、第１レベルの光量オーバ
ーなので、このままリターンし前述のＡＧＮＯ＝ＡＧＮ
Ｏ−Ｎが保存される。これに対して、積分時間ＴE ＜Ｔ
S3である場合は、より大きな第２レベルの光量オーバー
なので補助光光量をさらに低下させるためＡＧＮＯより
所定数Ｍを減算して新たにＡＧＮＯとする（ステップＳ
８１１）。

【０１３１】続いて、ステップＳ８１２では、このＡＧ
ＮＯが“１”より小さい場合は前述と同様に光量制御範
囲を越えているので検出不能フラグをセットし、リター
ンする（ステップＳ８１４）。尚、本実施例では、光量
オーバーの判定に積分時間ＴE を用いているが、前述の
測光値Ｅやピーク蓄積時間ＴOR及びそれらの組合せを用
いて判定しても有効である。

【０１３２】次に、図２１のフローチャートを参照し
て、図１８のステップＳ８０４で実行されるサブルーチ
ン“ＡＧＮＯの初期設定”のシーケンスについて説明す
る。

【０１３３】尚、本発明は撮影モードとしてマクロモー
ドを有しており、撮影者によってマクロモードＳＷをオ
ンされるとマクロモードに設定される。

【０１３４】まず、撮影モードとしてマクロモードが設
定されているかチェックする（ステップＳ９０１）。そ
して、マクロモードの場合には撮影者は至近に位置する
被写体を撮影することを意図しているので、これに対応
して補助光光量ＡＧＮＯを至近被写体に適正な比較的小
さい光量ＡＧＮＯ＝Ｄに設定する（ステップＳ９０
６）。

【０１３５】一方、マクロモードではない場合にはステ
ップＳ９０２に進む。そして、補助光の光量ＡＧＮＯは
撮影レンズの焦点距離ｆに応じて予め決められた値を設
定される（ステップＳ９０２）。尚、一般的な焦点距離
の撮影レンズ（２８〜１８０ｍｍ）では、撮影倍率は１
／４０〜１／６０が最も頻度が高いことが知られてい
る。従って、焦点距離に応じて撮影頻度の高い被写体距
離がほぼ決定されるので、これに合わせた補助光光量Ａ
ＧＮＯが初期設定される。本実施例では焦点距離を３領
域に分割し、それぞれ適正な補助光光量を設定する。即
ち、まず最もＷｉｄｅ側の第１の焦点距離領域に相当す
る補助光光量ＡＧＮＯ＝Ａが設定される（ステップ９０
２）。

【０１３６】そして、ステップＳ９０８においては、Ｚ
ＭＰＩ６０からのズームパルスＺＰの値を第１の判定値
ＺＰ１と比較して領域１であるか判定する。そして、領
域１の場合はそのままリターンする。そして領域１では
ない場合は中間領域である領域２に適切な補助光光量Ａ
ＧＮＯ＝Ｂが設定され（ステップＳ９０３）、同様にし
てズームパルスＺＰと第２判定値ＺＰ２と比較して領域
２であるか判定する（ステップＳ９０４）。そして、領
域３についても同様の処理が行なわれ領域３について補
助光光量ＡＧＮＯ＝Ｃが設定される（ステップＳ９０
５）。

【０１３７】本実施例では、補助光光量ＡＧＮＯの初期
設定値は撮影レンズの焦点距離に応じて行なっている
が、この他に撮影レンズのＦナンバー、前述の測光値
Ｅ、積分時間ＴE 、或いはピーク蓄積時間ＴORに応じて
変化させても同様な効果が得られる。また、これらの組
合わせによって決定しても良い。

【０１３８】尚、図２２は補助光光量ＡＧＮＯの番号
（１〜１２）とＡＧＮＯのＧＮＯ値の表を示す図であ
る。これは、カメラの最短撮影距離且つ高反射率の被写
体に適正な補助光光量ＡＧＮＯの最小値から、撮影時ス
トロボＧＮＯによって決まるストロボ撮影時の最長撮影
距離かつ低反射率の被写体に適正な補助光光量ＡＧＮＯ
の最大値までを分割したものである。これらの補助光光
量ＡＧＮＯより、適切なものを選択する。尚、ソフトウ
ェア上では番号（１〜１２）を指示してＡＧＮＯを選択
する。

【０１３９】次に、図１２のステップＳ３０４では検出
不能フラグを参照して、検出不能の場合はステップＳ３
１９で非合焦フラグをセットして、サブルーチン“ＡＦ
測距”のシーケンスを終了する。

【０１４０】これに対して、検出不能ではない場合は、
ステップＳ３０５において光量オーバーフラグを参照す
る。そして、光量オーバーの場合はリターンし、メイン
フローを介して再度ＡＦ測距ルーチンをコールして、設
定されたＡＧＮＯの補助光照射をしながらＡＦセンサ積
分を実行する。さらに、光量オーバーでない場合は次に
照度分布補正のステップＳ３０６に進む。

【０１４１】そして、このステップＳ３０６の照度分布
補正において、得られた被写体像信号の不均一補正を行
う。これは前述の再結像光学系によるＡＦセンサ面上で
の照度不均一や光電変換素子列のフォトダイオードＰ
Ｄ、蓄積コンデンサ等のバラツキによって生ずる感度バ
ラツキを補正するためである。均一光源に対する各素子
のセンサデータＤ(I) により計算した補正係数を各素子
毎に予めＥＥＰＲＯＭ１３に記憶させており、被写体像
信号検出毎に上記補正係数を読み出して、各素子ごとに
補正計算を行う。

【０１４２】補正係数は次のようにして求められる。即
ち、均一光源に対する光電変換素子出力Ｄo (I) とする
と、個々の素子の蓄積時間Ｔ(I) は前述の（１）式より
次式で示される。

【０１４３】

【数１１】 ここで，Ｔo は光電変換素子列中で最も入射光量が大き
い光電変換素子の蓄積時間である。理想的には均一光源
に対しては全素子の蓄積時間がＴo となるはずだが、実
際には前述の要因でバラツキが生ずる。補正方法として
各蓄積時間Ｔ(I) をＴo に一致するような補正係数を求
める。

【０１４４】さらに、補正係数をＨ(I) は式（１１）を
用いて次式のようになる。

【０１４５】

【数１２】 そして、被写体像信号検出によって得られた補正前のセ
ンサデータＤ(I) 、上記補正係数Ｈ(I) を用いての補正
後センサデータＤ′(I) とすると、

【０１４６】

【数１３】 となる。

【０１４７】この補正係数Ｈ(I) はＥＥＰＲＯＭ１３に
記憶しやすい形に変形する必要がある。ＥＥＰＲＯＭ１
３の記憶容量は限られているので、この範囲内で有効に
補正係数を記憶するために前記補正係数Ｈ(I) を定数Ａ
S ，ＢS により次式のように変形して圧縮する。

【０１４８】

【数１４】 以下、実際に１例として定数を決定してみると再結像光
学系等によるＡＦセンサ面上での照度バラツキや光電変
換素子列を含むＡＦセンサの感度バラツキ等のバラツキ
をたとえば±１５％と仮定すると補正係数Ｈ(I) の範囲
は以下のようになる。

【０１４９】１ ≦ Ｈ(I) ≦ １．１５ 一方、ＥＥＰＲＯＭ１３の記憶容量の制限により変形補
正係数Ｈ′(I) を、例えば４ビットにおさめるためには
定数ＡS ，ＢS ＝１０４とすればよい。

【０１５０】この場合、

【０１５１】

【数１５】 となり、以下の範囲とすることができる。

【０１５２】０ ≦ Ｈ′(I) ≦ １５．６ さらに、上記（１３）式を用いて上記（１２）式よりＨ
(I) を消去すると、補正後のセンサデータＤ′(I) は次
式で示される。

【０１５３】

【数１６】 ここで、Ｄ′(I) ＜０にならないように定数ＣS を加算
する。

【０１５４】例えば、ＣS ＝４０として、

【０１５５】

【数１７】 以上より（１３）式が補正係数Ｈ′(I) 計算式、（１
５）式が照度分布補正式である。尚、光電変換素子列中
で入射光量が小さいためセンサデータＤ(I) が量子化の
リミット２５５になっているものは、入射光量を正しく
光電変換していないので照度分布補正を行なわない。

【０１５６】次に、図１２のステップＳ３０７では、サ
ブルーチン“相関演算”を実行し、２つの被写体像で相
関演算を行い２像の間隔を検出する。ここでは、第１の
被写体像をＬ像とし、第１の被写体像信号をＬ(I) とす
る。また、第２の被写体像をＲ像とし、第２の被写体像
信号をＲ(I) とする。そして、Ｉは素子番号で本実施例
では配置順に１，２，３，…，６４とする。即ち、各素
子列９２Ｌ，９２Ｒは各６４ケの素子を持っているもの
とする。

【０１５７】以下、図２３のフローチャートを参照し
て、図１２のステップＳ３０７で実行されるサブルーチ
ン“相関演算”のシーケンスについて説明する。

【０１５８】まず、変数ＳＬ，ＳＲ，Ｊに初期値とし
て、それぞれ“５”，“３７”，“８”をセット（ステ
ップＳ１００１，Ｓ１００２）する。このＳＬは被写体
像信号Ｌ(I) のうちから相関検出する小ブロック素子列
の先頭番号を記憶する変数であり、ＳＲは被写体像信号
Ｒ(I) のうちから相関検出する小ブロック素子列の先頭
番号を記憶する変数であり、Ｊは被写体像信号Ｌ(I) で
の小ブロックの移動回数をカウントする変数である。そ
して、相関出力Ｆ(S) を次式により計算する（ステップ
Ｓ１００３）。

【０１５９】

【数１８】 この場合、小ブロックの素子数は２７である。小ブロッ
クの素子数はファインダに表示された測距枠の大きさと
検出光学系の倍率によって定まる。

【０１６０】続いて、相関出力Ｆ(S) の最小値を検出す
る。即ち、Ｆ(S) をＦmin と比較しもしＦ(S) かＦmin
より小さければＦmin にＦ(S) を代入し、その時のＳ
Ｌ，ＳＲをＳＬＭ，ＳＲＭとして記憶する（ステップＳ
１００４，Ｓ１００５）。

【０１６１】さらに、ＳＲをデクリメントし、Ｊをデク
リメントする（ステップＳ１００６）。Ｊが“０”でな
ければ相関演算を繰り返す（ステップＳ１００７）。即
ち、像Ｌでの小ブロック位置を固定し、像Ｒでの小ブロ
ック位置を１素子づつずらせながら相関をとる。

【０１６２】そして、Ｊが“０”になると。次にＳＬに
４を加算してＳＲに３を加算して相関演算を続ける（ス
テップＳ１００８）。即ち、像Ｌでの小ブロック位置を
４素子づつずらせながら相関演算を繰り返す。ＳＬの値
が２９になると相関演算を終了する（ステップＳ１００
９）。以上により、効率的に相関演算を行い、相関出力
の最小値を検出することができる。この相関出力の最小
値を示す小ブロックの位置が最も相関性の高い像信号の
位置関係を示している。

【０１６３】そして、検出した最も相関性の高いブロッ
ク像信号について相関性の判定を行うために次式で示す
相関出力ＦＭ，ＦＰを計算する（ステップＳ１０１
０）。

【０１６４】

【数１９】 即ち、被写体像Ｒについて最小の相関出力を示す小ブロ
ック位置に対して±１素子だけずらせた時の相関出力を
計算する。このときＦＭ，Ｆmin ，ＦＰは図２４
（ａ），（ｂ）のような関係になる。尚、図２４
（ａ），（ｂ）の横軸は光電変換素子の位置であり、縦
軸は相関出力を示している。相関出力Ｆ(S) は点ＺＲに
おいて“０”になる。これに対して、相関性の低い場合
は“０”にならない。

【０１６５】続いて、相関性の判定をするために、次式
に示す相関性指数ＳＫとＦＳを求める（ステップＳ１０
１１）。

【０１６６】ＦＭ≧ＦＰのとき ＳＫ＝（ＦＰ＋Ｆmin ）／（ＦＭ−Ｆmin ） …（２１） ＦＳ＝ＦＭ−Ｆmin …（２２） ＦＭ＜ＦＰのとき ＳＫ＝（ＦＭ＋Ｆmin ）／（ＦＰ−Ｆmin ） …（２３） ＦＳ＝ＦＰ−Ｆmin …（２４） 相関性指数ＳＫは、相関性の高い場合はＳＫ＝１とな
り、相関性の低い場合はＳＫ＞１となる。従って相関性
指数ＳＫの値により検出する像ずれ量が信頼性があるか
否か判定することができる。また、相関性指数ＦＳは、
最も相関性の高い小ブロック像信号のコントラストに相
当するので大きい値ほどコントラストが高いことを示
す。

【０１６７】次に、図１２のステップＳ３０８では相関
性の判定を行なうために上記相関性指数ＳＫ，ＦＳを用
いる。

【０１６８】ところで、相関性指数ＳＫは実際には光学
系のバラツキや光電変換素子のノイズ、変換誤差等によ
り第１，第２被写体像は完全に一致することはないので
相関性指数ＳＫは“１”にはならない。

【０１６９】従って、所定の判定値αを用いて判定す
る。また相関性指数ＦＳについては所定の判定値βを用
いる。即ち、ＳＫ≦αかつＦＳ≧βの場合だけ相関性あ
りと判断し、ＳＫ＞αまたはＦＳ＜βの場合は相関性な
しと判断してＡＦ検出不能と判定し検出不能フラグをセ
ットする。これらの判定値α，βは製品個々によってバ
ラツキがあり、また撮影モードやＡＦ動作モードによっ
て異なる判定値を用いるのでＥＥＰＲＯＭ１３にそれぞ
れ記憶している。

【０１７０】そして、このステップＳ３０８で相関性あ
りの場合はＳ３０９において像ズレ量の計算を行う。こ
こで、第１，第２の被写体像の間隔ＺＲは図２４（ａ）
のＳ_o であるから、ＦＭ≧ＦＰのとき ＺＲ＝ＳＲＭ−ＳＬＭ＋（ＦＭ−ＦＰ）／｛（ＦＭ−Ｆmin ）・２｝ …（２５） ＦＭ＜ＦＰのとき ＺＲ＝ＳＲＭ−ＳＬＭ＋（ＦＰ−ＦＭ）／｛（ＦＰ−Ｆmin ）・２｝ …（２６） である。

【０１７１】次に、合焦からの像ズレ量ΔＺＲは次式で
示される。

【０１７２】 ΔＺＲ＝ＺＲ−ＺＲ0 …（２７） 但し、ＺＲ０は合焦時の被写体像間隔であり、カメラ毎
にＥＥＰＲＯＭ１３に記憶されている。

【０１７３】次に、図１２のステップＳ３１０におい
て，この像ズレ量ΔＺＲをデフォーカス量ΔＤＦに変換
する。光軸上のフィルム面に対する結像位置のズレ量、
即ちデフォーカス量ΔＤＦは次式で求めることができ
る。

【０１７４】 ΔＤＦ＝ＢD ／（ＡD −ΔＺＲ）−ＣD …（２８） 但し、ＡD ，ＢD ，ＣD はＡＦ光学系によって決まる定
数である。これについては特開昭６２−１００７１８号
公報により開示されている。

【０１７５】次に、図１２のステップＳ３１１において
は収差補正を行う。

【０１７６】即ち、撮影レンズ３８の球面収差の影響で
焦点距離、フォーカシングの繰り出し位置に応じて、Ａ
Ｆ光学系の合焦点位置がずれるためこれを補正する。こ
の補正値は撮影レンズ３８の焦点距離と被写体距離に応
じてＥＥＰＲＯＭ１３に記憶されている補正値を用いて
補正を行う。

【０１７７】続いて、図１２のステップＳ３１２におい
ては、露出時のピントズレを補正するレリーズピントズ
レ補正処理を行う。これは撮影絞り込み動作時に結像位
置がずれるのを予測して補正すするものであり、詳細は
特開平４−３０６６９公報に開示されているのでここで
の説明は省略する。

【０１７８】続いて、図１２のステップＳ３１３におい
ては、検出したデフォーカス量ΔＤＦが合焦許容範囲内
に入っているか判定する。

【０１７９】合焦許容範囲は被写界深度即ち撮影時の絞
り値や撮影レンズの焦点距離によって決定される。低コ
ントラスト被写体や低輝度被写体、補助光照射時や撮影
レンズの焦点距離が長い場合は検出デフォーカス量の変
動が大きいため、合焦許容範囲を拡大してＡＦ動作の安
定化をはかる。合焦許容範囲内に入っている場合はステ
ップＳ３１５において合焦フラグをセットしてリターン
する。合焦許容範囲外の場合はステップＳ３１４でレン
ズ駆動パルス量計算を行う。

【０１８０】尚、検出したデフォーカス量ΔＤＦを光軸
方向のレンズ繰り出し量ΔＬＫに変換する方法は、従来
より種々の提案がなされているので、ここでは詳細な説
明は省略する。例えば特開昭６４−５４４０９公報に開
示されているものでは、次式で求めている。

【０１８１】 ΔＬＫ＝Ａa −（Ａa ×Ｂa ）／（Ａa ＋ΔＤＦ）＋Ｃa ×ΔＤＦ …（２９） ここで、Ａa ，Ｂa ，Ｃa は焦点距離ごとに記憶してい
る定数である。

【０１８２】撮影レンズ３８のフォーカシングレンズは
ＬＤＭ２３よりギア列を介して駆動され、フォーカシン
グレンズの移動量はＬＤＰＩ２６によりＡＦＰＩパルス
としてＩＦＩＣ１７に入力される。従って、光軸方向の
レンズ繰り出し量ΔＬＫに単位繰り出し量当りのＡＦＰ
Ｉパルス数Ｋをかけてレンズ駆動パルス量ＤＰを求める
と次式で示される。

【０１８３】 ＤＰ＝Ｋ×ΔＬＫ …（３０） 尚、（２７）式の像ズレ量ΔＺＲ、（２８）式のデフォ
ーカス量ΔＤＦは、いずれも符号付の値である。そし
て、正の場合は後ピン（フィルム面の後側に結像）でレ
ンズを繰り出す方向を示し、負の場合は前ピン（フィル
ム面の前側に結像）でレンズを繰り込む方向を示す。

【０１８４】続いて、図１２のステップＳ３０８で相関
性なしの場合は、ステップＳ３１６において補助光モー
ドフラグを参照し、今回のＡＦセンサ積分時補助光照射
を行ったか否かをチェックする。補助光オフの場合はス
テップＳ３１９において非合焦フラグをセットしてサブ
ルーチン“ＡＦ測距”のシーケンスを終了する。

【０１８５】一方、補助光“オン”の場合には、ステッ
プＳ３１７に移行し、サブルーチン“補助光光量増加”
のシーケンスを実行する。

【０１８６】以下、図２５のフローチャートを参照し
て、図１２のステップＳ３１７において実行されるサブ
ルーチン“補助光光量増加”のシーケンスについて説明
する。

【０１８７】まず、積分リミットフラグを参照し、積分
時間ＴE が積分リミット時間ＴL を越えたかを判定する
（ステップＳ１１０１）。ここで、積分リミットの場合
は補助光光量の不足によって適正な被写体像データが得
られず、相関性が得られなかった可能性が高い。この場
合、補助光光量ＡＧＮＯに所定数Ｌを加算して新たにＡ
ＧＮＯとする（ステップＳ１１０２）。これは、次回の
補助光モードセンサ積分時に増加した補助光光量を照射
してより適正な被写体像データを得るためである。更
に、新たなＡＧＮＯが制御範囲内であるか否かを判定す
る（ステップＳ１１０３）。そして、ＡＧＮＯ＞１２で
ある場合には、ステップＳ１１０４においてＡＧＮＯに
１２をセットしてリターンする（ステップＳ１１０
５）。このような場合は、「被写体が遠距離に位置す
る」、「反射率が低い」、「非常に低輝度である」とい
った状況である。これに対してＡＧＮＯ≦１２の場合は
制御範囲内なので直にリターンする。

【０１８８】上記ステップＳ１１０１において、積分リ
ミットではない場合は補助光光量を増加させても改善さ
れる可能性が低いので、ステップＳ１１０４においてＡ
ＧＮＯに１２をセットしてリターンする（ステップＳ１
１０５）。

【０１８９】本実施例では、積分リミットか否かの判定
で補助光照射光量の不足を判別している。しかし、積分
時間ＴE （光電変換素子列中の最も受光光量が小さい素
子の蓄積時間）の代りにＴOR信号（光電変換素子列中の
最も受光光量が大きい素子の蓄積時間）を用いて判別し
ても有効である。また、前述の測光値Ｅを用いて判定し
てもよい。或いは積分時間ＴE ，ＴOR，測光値Ｅの組合
わせで判別するとより効果的な制御が可能である。

【０１９０】次に、図１２のステップＳ３１８において
検出不能フラグを参照する。そして、検出不能の場合は
Ｓ３１９で非合焦フラグをセットしリターンする。これ
に対して検出不能でない場合は、そのままリターンし、
メインフロー中で再度ＡＦ測距をコールする。そして、
図１２のＡＦ測距の結果に基づいて撮影レンズ１０１の
駆動が行なわれる。

【０１９１】以下、図２６のフローチャートを参照し
て、図９のステップＳ１１５で実行されるサブルーチン
“レンズ駆動”のシーケンスについて説明する。

【０１９２】先ずＡＦ測距処理で計算されたレンズ駆動
パルス数が所定値より大きいかを判定する（ステップＳ
１２０１）。この所定の判定値には１回のレンズ駆動で
必ず合焦範囲内にレンズ駆動をすることができるレンズ
駆動パルス数を用いる。ここでは例えば４００パルスと
している。

【０１９３】そして、レンズ駆動パルス数が４００パル
スより小さい場合はステップＳ１２０２に進み、バック
ラッシュ駆動が既に終了しているかフラグにより判別
し、未だバックラッシュ駆動が終了していない場合はス
テップＳ１２０３に進み、レンズ駆動方向が前回と反転
しているか否か判定する。そして、前回のレンズ駆動方
向と比較して同一方向であれば、ステップＳ１２０４で
ＡＦ測距結果のレンズ駆動パルス数に基づいてレンズ駆
動を実行する。

【０１９４】さらに、ステップＳ１２０５において合焦
フラグを設定してリターンする。前述のように１回のレ
ンズ駆動で必ず合焦する駆動パルス数であり、且つレン
ズ駆動方向は前回と同一なのでバックラッシュは存在し
ないので再度ＡＦ測距することなく合焦とする。

【０１９５】続いて、ステップＳ１２０２に戻ってバッ
クラッシュ駆動済フラグを参照してバックラッシュ駆動
済か判定する。そして、バックラッシュ済の場合はステ
ップＳ１２０４に進みレンズ駆動、ステップＳ１２０５
で合焦フラグセットを行ってリターンする。そして、ス
テップＳ１２０３に戻ってレンズ駆動方向が前回に対し
て反転方向であった場合はステップＳ１２０６に進みバ
ックラッシュ量の計算を行う。このバックラッシュ量は
撮影レンズの焦点距離や駆動方向によって変化するので
それらに応じた計算をする。

【０１９６】続いて、ステップＳ１２０７では、計算さ
れたバックラッシュ量に基づいてバックラッシュ量に相
当するレンズ駆動パルス数だけレンズ駆動を行う。そし
て、ステップＳ１２０８ではバックラッシュ駆動済フラ
グのセットを行ってリターンする。この場合はメインフ
ロー上で再びＡＦ測距処理、レンズ駆動処理が行なわれ
る。

【０１９７】次に、ステップＳ１２０１に戻りＡＦ測距
で計算されたレンズ駆動パルス数が４００パルス以上の
場合はステップＳ１２０９に進み、上記レンズ駆動パル
スより所定値を減算して新たにレンズ駆動パルスとす
る。この所定値はレンズ駆動パルスで合焦点より手前の
位置を示す補正値であり、ここでは、例えば２００パル
スとしている。

【０１９８】そして、ステップＳ１２１０においては上
記補正されたレンズ駆動パルスに基づいてレンズ駆動を
行う。このレンズ駆動では、バックラッシュがあったと
してもそれは除去された状態になる。さらに、ステップ
Ｓ１２１１では、バックラッシュ駆動済フラグをセット
してリターンする。これにより、レンズはほぼ合焦点の
手前、駆動パルス数で２００パルスの位置にあるのでメ
インフロー中で再びＡＦ測距、レンズ駆動処理がコール
されて合焦となる。

【０１９９】また、上記補正値はカメラの図示しないフ
ァインダの表示に関係するＡＦ動作のスピード感を感じ
させるように設定されている。例えばデフォーカス量の
大きい状態からＡＦ測距、レンズ駆動処理を２回繰り返
して合焦させる場合を考える。１回目のレンズ駆動の停
止位置が比較的合焦点に近い場合、例えば手前５０パル
スではファインダではほぼ合焦状態となるが、手前２０
０パルスでは、まだピントがぼけた状態である。この状
態から２回目のレンズ駆動を実行するといずれの場合も
合焦するが後者のファインダでピンボケから合焦となっ
た方がよりスピード感が得られるわけである。従って、
上記フィンダの見えは撮影レンズの焦点距離によって大
きく変化するので、これに応じて補正値を変更してい
る。

【０２００】以上、本発明を適用したカメラにおいて実
行されるサブルーチン“ファーストレリーズ”のシーケ
ンスについて説明したが、次に、図２７のフローチャー
トを参照して、本発明を適用したカメラにおいて実行さ
れるサブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスに
ついて説明する。

【０２０１】セカンドレリーズＲ２ＳＷが押され本サブ
ルーチンに入ると、Ｇ−ＯＮ端子をハイレベル“Ｈ”と
し電源供給制御回路５６を“オン”させ、ＩＧＢＴ１の
ゲート端子に電荷を供給する（ステップＳ１３０１）。

【０２０２】そして、サブルーチン“赤目発光”を実行
する（ステップＳ１３０２）。

【０２０３】このストロボ回路１６によるサブルーチン
“赤目軽減発光”のシーケンスについては、図２７のフ
ローチャートに示す通りである。即ち、本サブルーチン
は、先に述べたサブルーチン“補助光照射”のシーケン
スとステップＳ１４０１の発光回数や、ステップＳ１４
０４のインターバルの時間が多少異なる以外動作は同じ
であり、ステップＳ１４０３での発光光量も予め設定さ
れている。

【０２０４】続いて、ミラーアップを行ない（ステップ
Ｓ１３０３）、ストロボの発光が必要な場合はステップ
Ｓ１３０５に進みストロボの発光が不用な場合はステッ
プＳ１３０８に進む（ステップＳ１３０４）。続いて、
前述したサブルーチン“プリ充電”を実行する（ステッ
プＳ１３０５）。そして、ステップＳ１３０５が終了す
ると、先幕をスタートさせ（ステップＳ１３０６）、こ
の先幕が終了すると前述したサブルーチン“発光”を実
行する（ステップＳ１３０７）。

【０２０５】一方、上記ステップＳ１３０４においてス
トロボ発光が不要となった時は、先幕をスタートさせた
後（ステップＳ１３０８）、ステップＳ１３０９に進
む。そして、後幕をスタートさせ露光を終了し（ステッ
プＳ１３０９）、ミラーをダウンさせ（ステップＳ１３
１０）、シャッタをチャージして初期状態とし（ステッ
プＳ１３１１）、フィルムを巻き上げ（ステップＳ１３
１２）、Ｇ−ＯＮ端子に“Ｌ”信号を入力し（ステップ
Ｓ１３１３）、ＩＧＢＴ１のゲートへの電力の供給を禁
止し撮影を終了する（ステップＳ１３１４）。

【０２０６】以上詳述したように、本発明の焦点検出用
予備照射装置では、合焦するまで予備照射、測距を所定
回数繰り返し、所定回数に達するとメインコンデンサを
フル充電することで、合焦する確率を向上させることが
できる。

【０２０７】

【発明の効果】本発明によれば、合焦する確率を向上さ
せた焦点検出用予備照射装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の焦点検出用予備照射装置の概念図であ
る。

【図２】本発明の一実施例に係る焦点検出用予備照射装
置の制御系の構成を示す図である。

【図３】ＡＦＩＣ１２の詳細な構成を示す図である。

【図４】ＡＦＩＣ１２におけるセンサ回路ＳＣの詳細な
構成を示す図である。

【図５】ＡＦＩＣ１２の動作を説明するためのタイムチ
ャートである。

【図６】ＡＦＩＣ１２の動作を説明するためのタイムチ
ャートである。

【図７】ストロボ回路１６の詳細な構成を示す図であ
る。

【図８】ストロボ回路１６の更に詳細な構成を示す図で
ある。

【図９】本発明を適用したカメラにより実行されるサブ
ルーチン“ファーストレリーズ”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。

【図１０】図９のステップＳ１０７で実行されるサブル
ーチン“充電”のシーケンスを示すフローチャートであ
る。

【図１１】図９のステップＳ１０６で実行されるサブル
ーチン“充電電圧チェック”のシーケンスを示すフロー
チャートである。

【図１２】図９のステップＳ１０８で実行されるサブル
ーチン“ＡＦ測距”のシーケンスを示すフローチャート
である。

【図１３】光電変換素子列３４Ｒ，３４Ｌ上に被写体像
を結像させるためのＡＦ光学系３７の構成を示す図であ
る。

【図１４】図１２のステップＳ３００で実行されるサブ
ルーチン“ＡＦセンサ積分”のシーケンスを示すフロー
チャートである。

【図１５】図１４のステップＳ４０６で実行されるスト
ロボ回路６によるサブルーチン“補助光照射”のシーケ
ンスを示すフローチャートである。

【図１６】図１５のステップＳ５０２で実行されるサブ
ルーチン“プリ充電”のシーケンスを示すフローチャー
トである。

【図１７】図１５のステップＳ５０３で実行されるサブ
ルーチン“発光”のシーケンスを示すフローチャートで
ある。

【図１８】図１２のステップＳ３０３で実行されるサブ
ルーチン“補助光判定”のシーケンスを示すフローチャ
ートである。

【図１９】補助光投光しながらの積分時の蓄積時間ＴS
と蓄積電圧ＶS の関係を示す図である。

【図２０】蓄積判定電圧Ｖ3 を変化させた場合の光電変
換素子Ｂ，ＣのセンサデータＤSの変化を定常光モード
時のセンサデータＤS を基準として、それからの差分を
示した図である。

【図２１】図１８のステップＳ８０４で実行されるサブ
ルーチン“ＡＧＮＯの初期設定”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。

【図２２】補助光光量ＡＧＮＯの番号（１〜１２）とＡ
ＧＮＯのＧＮＯ値の表を示す図である。

【図２３】図１２のステップＳ３０７で実行されるサブ
ルーチン“相関演算”のシーケンスを示すフローチャー
トである。

【図２４】光電変換素子の位置と相関出力値との関係を
示す図である。

【図２５】図１２のステップＳ３１７において実行され
るサブルーチン“補助光光量増加”のシーケンスを示す
フローチャートである。

【図２６】図９のステップＳ１１５で実行されるサブル
ーチン“レンズ駆動”のシーケンスを示すフローチャー
トである。

【図２７】本発明を適用したカメラにおいて実行される
サブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスを示す
フローチャートである。

【図２８】図２７のステップＳ１３０２で実行されるサ
ブルーチン“赤目軽減発光”のシーケンスを示すフロー
チャートである。

【符号の説明】

１…閃光発光部、２…発光制御部、３…発光回数計数
部、４…焦点距離検出部、５…充電制御部、６…充電電
圧検知部、７…制御部。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−34577（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 7/28 G02B 7/34 G03B 7/26 G03B 13/36

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被写体光を２像に分割し、各像の光強度
   分布を測定し、その像間隔から撮影光学系のデフォーカ
   ス量を求める焦点検出装置のための焦点検出用予備照射
   装置において、 上記光強度分布測定時に被写体を予備照射する閃光発光
   手段と、 上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御する発光制
   御手段と、 上記閃光発光手段の予備照射回数を計数する計数手段
   と、 上記閃光発光手段の充電を制御する充電制御手段と、 上記充電制御手段により制御される充電電圧を検知する
   充電電圧検知手段と、 上記充電電圧検知手段により検知される充電電圧が発光
   可能な電圧であれば、上記発光回数計数手段の計数値
   が、上記予備照射が所定の複数回行われたことを示すま
   では上記予備照射を行って上記光強度分布測定を繰り返
   し、その後は上記閃光発光手段の充電と上記所定回数の
   上記測定とを交互に行うように上記発光制御手段および
   上記充電制御手段を制御する制御手段と、を具備するこ
   とを特徴とする焦点検出用予備照射装置。
2. 【請求項２】 自動焦点調節装置用の予備照射装置を備
   えるカメラにおいて、 被写体の光強度分布測定時に被写体を予備照射する閃光
   発光手段と、 上記閃光発光手段を複数回発光させ、該閃光発光手段の
   複数回の発光からなる予備照射を制御する発光制御手段
   と、 上記閃光発光手段の予備照射回数を計数する計数手段
   と、 上記閃光発光手段の充電を、所定量まで充電を行う第１
   の充電モードと、所定時間の間充電を行う第２の充電モ
   ードにて制御可能な充電制御手段と、 上記充電制御手段により制御される充電電圧を検知する
   充電電圧検知手段と、 上記充電電圧検知手段により検知される充電電圧が発光
   可能な電圧であれば、上記計数手段の計数値が、上記予
   備照射が所定の複数回行われたことを示すまでは上記予
   備照射を行って上記光強度分布測定を繰り返し、その後
   は上記第１のモードでの上記閃光発光手段の充電と上記
   所定回数の上記測定とを交互に行い、上記予備照射中の
   それぞれの発光後には上記第２のモードでの上記閃光発
   光手段の 充電を行うように、上記発光制御手段および上
   記充電制御手段を制御する制御手段と、 を具備することを特徴とするカメラ。
3. 【請求項３】 上記第１の充電モードではフル充電を行
   うことを特徴とする請求項２に記載のカメラ。