JPH0792371A - 焦点検出用予備照射装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】被写体の反射輝度に基づいて予備照射の発光光
量を可変自在とし、被写体距離によらず良好なコントラ
スト出力を得ると共に、連続して発光する場合の著しい
レリーズタイムラグを防ぎ、更にはメインコンデンサの
充電電圧によらず所望のガイドナンバで発光する。 【構成】ストロボユニット６は測定時に被写体を予備照
射し、ＣＰＵ１が上記ストロボユニット６の予備照射時
の発光を制御し、その発光光量を設定し、被写体の光の
光強度を判別し、上記ストロボユニット６の充電電圧を
検出する。そして上記光強度と上記充電電圧とに応動し
て測定時における発光光量を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばカメラなどの撮
影装置における自動焦点検出装置による焦点検出時に被
写体に向けて補助光を照射する焦点検出用予備照射装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、カメラ等の撮影装置に用いられる
焦点検出装置では、撮影レンズを通して入射した被写体
光を２像に分割し、その位相のズレに基づいて焦点調整
を行うパッシブＡＦ方式が採用されている。この焦点検
出装置には、主として積分型の受光素子が用いられてお
り、当該積分型の受光素子に光が入射すると、それに応
じて電荷が蓄積され積分され、その積分された電荷に応
じて所定の出力がなされる。そして、この積分型の受光
素子は上記出力を一定に保つように照度或いは輝度と積
分時間との積を一定にしていた。

【０００３】さらに、例えば特開昭５９−１９５６０５
号公報では、積分型受光素子を用いて被写体の低輝度を
検出し、発光部の発光動作を制御する焦点検出装置に関
する技術が開示されている。

【０００４】このような撮像装置により撮影する場合、
被写体が暗いと焦点調整が困難である為、焦点検出用予
備照射装置により被写体に向けて補助光を照射すること
が行われている。かかる焦点検出用予備照射装置では、
主としてコンデンサに蓄積される電荷の量により発光量
を決定しているため、コンデンサの容量を適当に設定す
ることで当該発光量を自在に制御することができた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た技術では、常に同じガイドナンバで発光するため、被
写体の反射輝度の高低によって所望とするコントラスト
が得られなかった。また、連続して発光する場合、発光
の合間にメインコンデンサの電荷を補う必要があり、そ
のためレリーズタイムラグが増大するといった問題があ
つた。

【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、被写体の反射輝度に基づ
いて予備照射の発光光量を可変自在とし、被写体距離に
よらず良好なコントラスト出力を得ることと、連続して
発光する場合の著しいレリーズタイムラグを防ぐこと、
及びメインコンデンサの充電電圧によらず所望のガイド
ナンバで発光することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の焦点検出用予備照射装置では、測定時に被
写体を予備照射する閃光発光手段と、上記閃光発光手段
の予備照射時の発光を制御する発光制御手段と、上記閃
光発光手段の発光光量を設定する発光光量設定手段と、
上記被写体の光の光強度を判別する光強度判別手段と、
上記閃光発光手段の充電電圧を検出する検出手段とを具
備し、上記光強度判別手段の出力と、上記充電電圧検出
手段の出力とに応動して測定時における発光光量を可変
自在としたことを特徴とする。

【０００８】

【作用】即ち、本発明の焦点検出用予備照射装置は、閃
光発光手段は測定時に被写体を予備照射し、発光制御手
段が上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御し、発
光光量設定手段が上記閃光発光手段の発光光量を設定
し、光強度判別手段が上記被写体の光の光強度を判別
し、検出手段が上記閃光発光手段の充電電圧を検出す
る。そして、上記光強度判別手段の出力と、上記充電電
圧検出手段の出力とに応動して測定時における発光光量
を可変自在とした。

【０００９】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例に係る焦点検出用
予備照射装置の制御系の構成を示す図である。同図にお
いて、ＣＰＵ１は不図示の内部ＲＯＭに予め記憶された
プログラムを逐次実行して周辺の集積回路（ＩＣ）等の
制御を行う。そして、オートフォーカス（ＡＦ）ＩＣ２
による自動焦点調整にはＴＴＬ位相差検出方式が採用さ
れている。そして、被写体光が、撮影レンズ２８を通過
し、コンデンサレンズ２６とセパレータレンズ２５Ｌ，
２５ＲとからなるＡＦ光学系２７を介して当該ＡＦＩＣ
２の上面に配置されたフォトセンサアレイ２４Ｌ，２４
Ｒ上に到達すると、ＡＦＩＣ２は後述する光量積分や量
子化等の処理を行い、その測距情報がＡＦＩＣ２からＣ
ＰＵ１へと転送される。

【００１０】さらに、上記フォトセンサアレイ２４Ｌ，
２４Ｒの各素子の特性にばらつきがあると、そのままで
は正確な測距情報を得ることができないので、本実施例
では不揮発性記録素子であるＥＥＰＲＯＭ３にフォトセ
ンサアレイ２４Ｌ，２４Ｒのばらつきに関する情報を予
め記憶しておき、ＡＦＩＣ２から得られる測距情報の補
正演算をＣＰＵ１において行っている。つまり、このＥ
ＥＰＲＯＭ３に、機械的なばらつきや各種素子の電気的
特性のばらつき等、様々な調整値を予め記憶させてお
き、これら調整値を必要に応じてＣＰＵ１に送ることで
各種演算を行うことができる。尚、この実施例では、上
記ＣＰＵ１とＡＦＩＣ２、ＥＥＰＲＯＭ３の間でのデー
タの授受はシリアル通信により行われている。

【００１１】そして、データバッグ５はＣＰＵ１から出
力される制御信号に基づいてフィルムに日付けの写し込
みを行う。尚、当該データバッグ５の写し込みランプの
光量はフィルムＩＳＯ感度によって段階的に変化するも
のとする。さらに、インターフェイス（ＩＦ）ＩＣ７
は、ＣＰＵ１と４ビットのパラレル通信を行い、被写体
輝度の測定やカメラ内温度の測定、フォトインタラプタ
等の出力信号の波形整形、モータの定電圧駆動制御、温
度安定、温度比例電圧等の各種定電圧の生成、バッテリ
の残量チェック、赤外光リモコンの受信、モータドライ
バＩＣ８，９の制御、各種ＬＥＤの制御、電源電圧のチ
ェック、昇圧回路の制御等を行う。

【００１２】そして、シリコンフォトダイオード（ＳＰ
Ｄ）２３は、被写体輝度の測定を行う。このＳＰＤ２３
の受光面は画面中央部分とその周辺部分とに２分割され
ており、画面中央の一部分のみで測光を行うスポット測
光と画面全体を使用して測光するアベレージ測光との２
通りの測光を行う。そして、このＳＰＤ２３が被写体輝
度に応じた電流をＩＦＩＣ７に出力すると、ＩＦＩＣ７
では、このＳＰＤ２３からの出力を電圧に変換してＣＰ
Ｕ１へと転送する。そして、ＣＰＵ１では、この電圧の
情報を基にして露出演算や逆光の判断等が行なわれる。

【００１３】さらに、ＩＦＩＣ７に内蔵された回路によ
り絶対温度に比例した電圧が出力されると、その信号は
ＣＰＵ１にてＡ／Ｄ変換され、カメラ内温度の測温値と
して出力され、この測温値は温度により状態が変化する
機械部材や電気信号の補正等において用いられる。ま
た、フォトインタラプタ等の波形整形は、フォトインタ
ラプタ或いはフォトリフレクタ等の出力の光電流を基準
電流と比較し、矩形波としてＩＦＩＣ７より出力する。
この時、基準電流にヒステリシスを持たせることにより
ノイズ除去を行なっている。また、このＣＰＵ１との通
信により基準電流及びヒステリシス特性を変化させるこ
ともできる。さらに、バッテリの残量チェックは、不図
示のバッテリの両端に低抵抗を接続して電流を流したと
きのバッテリ両端の電圧をＩＦＩＣ７内部で分圧してＣ
ＰＵ１へ出力し、このＣＰＵ１内にてＡ／Ｄ変換を行い
Ａ／Ｄ値を得ることで行う。

【００１４】そして、赤外光リモコンの受信は、リモコ
ン送信用ユニット２０の投光用ＬＥＤ２１より変調され
た赤外光が発せられ、その赤外光を受光用シリコンフォ
トダイオード２２にて受信することで行う。そして、こ
のシリコンフォトダイオード２２の出力信号はＩＦＩＣ
７内部で波形整形等の処理が行われた後、ＣＰＵ１へと
転送される。また、電源電圧の低電圧監視はＩＦＩＣ７
に、そのための専用端子が設けられており、該専用端子
に入力される電源電圧が規定値より低下すると、ＩＦＩ
Ｃ７からリセット信号がＣＰＵ１へと出力され、ＣＰＵ
１の暴走等が未然に防止される。そして、昇圧回路の制
御は電源電圧が所定値より低下したときに昇圧回路を作
動させるというものである。

【００１５】さらに、上記ＩＦＩＣ７にはＡＦ測距終
了、ストロボ発光警告等のファインダ内表示用ＬＥＤ１
９、或いはフォトインタラプタ等に使用されているＬＥ
Ｄが接続されており、これらのＬＥＤのオン／オフ及び
発光光量の制御はＣＰＵ１及びＥＥＰＲＯＭ３、ＩＦＩ
Ｃ７間で通信を行いＩＦＩＣ７が直接的に行なう。この
ＩＦＩＣ７はモータの定電圧制御も行なう。さらに、モ
ータドライバＩＣ８はフィルム給送及びシャッタのチャ
ージを行うシャッタチャージ（ＳＣ）モータ１２、フォ
ーカス調整のためのレンズ駆動用（ＬＤ）モータ１３、
鏡枠のズーミング用（ＺＭ）モータ１４の３つのモータ
の駆動、及び昇圧回路の駆動、セルフタイマ動作表示用
のＬＥＤの駆動等を行う。そして、これらの動作の制
御、例えば「どのデバイスを駆動するか」、「モータは
正転させるか逆転させるか」、「制動をかけるか」等に
ついてはＣＰＵ１からの信号をＩＦＩＣ７が受けて、当
該ＩＦＩＣ７がモータドライバＩＣ８を制御することに
より行う。

【００１６】そして、上記ＳＣモータ１２がシャッター
チャージ、フィルム巻上げ、巻戻しのいずれの状態にあ
るか否かについてはフォトインタラプタとクラッチレバ
ーを用いてＳＣＰＩ１５で検出され、当該情報はＣＰＵ
１へと転送される。また、レンズの繰り出し量はＬＤモ
ータ１３に取付けられたＬＤＰＩ１６で検出され、その
出力はＩＦＩＣ７で波形整形された後、ＣＰＵ１へと転
送される。さらに、鏡枠のズーミングの繰り出し量はＺ
ＭＰＩ１８及びＺＭＰＲ１７で検出する。そして、鏡枠
がＴＥＬＥ端とＷＩＤＥ端の間にあるとき、鏡枠に貼り
付けた銀色シールの反射をＺＭＰＲ１７が拾う様な構成
にする。このＺＭＰＲ１７の出力はＣＰＵ１へ入力され
ＴＥＬＥ端，ＷＩＤＥ端の検出が行なわれる。

【００１７】さらに、ＺＭＰＩ１８はＺＭモータ１４に
取り付けられ、その出力はＩＦＩＣ７で波形整形された
後、ＣＰＵ１へ入力され、ＴＥＬＥ端又はＷＩＤＥ端か
らのズーミング量が検出される。そして、モータドライ
バＩＣ９は絞り調整ユニット駆動用のステッピングモー
タであるＡＶモータ１０をＣＰＵ１からの制御信号によ
り駆動し、ＡＶＰＩ１１は、その出力をＩＦＩＣ７で波
形整形してＣＰＵ１へ出力し、絞り開放位置の検出を行
う。また、液晶表示パネル４はＣＰＵ１から送られる信
号により、フィルム駒数や撮影モード、ストロボモー
ド、絞り値、電池残量等の表示をする。そして、ストロ
ボ回路６は撮影時又はＡＦ測距時、被写体の輝度が不足
していたときに発光管を発光させて必要な輝度を被写体
に与えるもので、ＣＰＵ１からの信号に基づいてＩＦＩ
Ｃ７が制御する。

【００１８】そして、ファーストレリーズスイッチＲ１
ＳＷはレリーズボタンが半押しされた状態のときにオン
となり測距動作を行う。セカンドレリーズスイッチＲ２
ＳＷはレリーズボタンが全押しされた状態のときにオン
となり、各種測定値を基に撮影動作が行われる。ズーム
アップスイッチＺＵＳＷ及びズームダウンスイッチＺＤ
ＳＷは鏡枠のズーミングを行うスイッチで、ＺＵＳＷが
オンすると長焦点方向に、ＺＤＳＷがオンすると短焦点
方向にズーミングする。

【００１９】また、セルフスイッチＳＥＬＦＳＷがオン
すると、セルフタイマ撮影モード又はリモコンの待機状
態となる。この状態においてＲ２ＳＷがオンされればセ
ルフタイマ撮影が行われ、リモコン送信機２０にて撮影
操作を行えばリモコンによる撮影を行う。そして、スポ
ットスイッチＳＰＯＴＳＷをオンすると、測光を撮影画
面の中央の一部のみで行う「スポット測光モード」とな
る。これは後述のＡＦセンサによる測光である。尚、Ｓ
ＰＯＴＳＷがオフでの通常の測光は測光用ＳＰＤ１３に
て評価測光を行なう。さらに、ＰＣＴ１ＳＷ乃至ＰＣＴ
４ＳＷ及びプログラムスイッチＰＳＷは「プログラム撮
影モード」の切換スイッチで、撮影条件に合わせて撮影
者がモード選択を行う。また、ＰＣＴ１ＳＷをオンする
と「ポートレートモード」となり、適正露出範囲内で被
写界深度が浅くなる様に絞り及びシャッタースピードを
決定する。

【００２０】そして、ＰＣＴ２ＳＷをオンすると「夜景
モード」となり、通常撮影時の適正露出の値よりも一段
アンダーに設定する。そして、ＰＣＴ３ＳＷをオンする
と「風景モード」となり、適正露出範囲内で被写界深度
ができるだけ深くなる様に絞り及びシャッタースピード
の値を決定する。さらに、ＰＣＴ４ＳＷをオンすると
「マクロモード」となり近接撮影時に使用される。尚、
これらＰＣＴ１ＳＷ乃至ＰＣＴ４ＳＷは同時に２つ以上
選択することができない。

【００２１】さらに、ＰＳＷは通常の「プログラム撮影
モード」の切り替えスイッチであり、当該ＰＳＷを押す
ことで、ＰＣＴ１ＳＷ乃至ＰＣＴ４ＳＷのリセット及び
後述するＡＶ優先プログラムモードのリセットを行う。
さらに、ＡＶ優先スイッチＡＶＳＷをオンすると、撮影
モードが「ＡＶ優先プログラムモード」となる。このモ
ードはＡＶ値を撮影者が決定し、そのＡＶ値に合わせて
プログラムでシャッタスピードを決める。このモードに
なると、ＰＣＴ２ＳＷとＰＣＴ４ＳＷは前述の機能はな
くなりＡＶ値の設定スイッチとなる。さらに、ＰＣＴ２
ＳＷはＡＶ値を大きくするスイッチでＰＣＴ４ＳＷはＡ
Ｖ値を小さくするスイッチである。

【００２２】また、ストロボスイッチＳＴＳＷはストロ
ボの発光モードの切換スイッチであり、通常「自動発光
モード（ＡＵＴＯ）」、「赤目軽減自動発光モード（Ａ
ＵＴＯ−Ｓ）」、「強制発光モード（ＦＩＬＬ−Ｉ
Ｎ）」、「ストロボオフモード（ＯＦＦ）」を切換え
る。また、パノラマスイッチ（ＰＡＮＳＷ）は、撮影状
態がパノラマ撮影か通常撮影かを検出するためのスイッ
チでパノラマ撮影時にオンとなる。そして、撮影モード
がパノラマになっている場合には測光の補正演算等を行
う。これは、パノラマ撮影時には撮影画面の上下の一部
がマスクされ、これに伴い測光センサの一部もマスクさ
れることになるので正確な測光が行えないためである。

【００２３】さらに、裏蓋スイッチＢＫＳＷは裏蓋の状
態を検出するたためのスイッチで、裏蓋が閉じている状
態がオフ状態となる。このＢＫＳＷがオンからオフへ状
態が移行するとフィルムのローディングを開始する。ま
た、シャッタチャージスイッチＳＣＳＷはシャッタチャ
ージを検出するためのスイッチである。さらに、ミラー
アップスイッチＭＵＳＷはミラーアップを検出するため
のスイッチでミラーアップでオンとなる。そして、ＤＸ
スイッチＤＸＳＷはフィルムのパトローネに印刷されて
いるフィルム感度を示すＤＸコードを読み取るため及び
フィルム装填の有無を検出するためのスイッチで不図示
の５つのスイッチ群で構成されている。

【００２４】次に図２は上記ＡＦＩＣ１２の詳細な構成
を示す図である。同図において、センサ制御回路ＳＣＣ
はＣＰＵ１からの制御信号に応じてＡＦＩＣ２全体の動
作を制御する。このセンサ制御回路ＳＣＣはＣＰＵ１か
らのリセット信号ＡＦＲＥＳを受けると、ＡＦＩＣ２内
の各ブロックにリセット信号を供給し蓄積動作を開始さ
せる。そして、その蓄積動作中は信号ＡＦＥＮＤをロー
レベル“Ｌ”に保持してＣＰＵ１に出力する。

【００２５】ＣＰＵ１は信号ＡＦＥＮＤを随時モニタし
ており、ローレベル“Ｌ”である区間が積分リミット時
間を越えると信号ＡＦＥＸＴを出力し、センサ制御回路
ＳＣＣは、この信号ＡＦＥＸＴに応じて強制的に蓄積動
作を停止させる。さらに、センサ制御回路ＳＣＣは、セ
ンサ回路ＳＣに対して信号Ａ乃至Ｅを出力し感度モード
の切り換えを行うと共に、信号ＣＬＫ，ＤＡＴＡによっ
てＣＰＵ１に対してセンサデータＤ(I) の通信を行う。
尚、フォトダイオードＰＤとセンサ回路ＳＣについては
後述するが、センサ回路ＳＣでは蓄積動作を終了すると
蓄積終了信号ＴＳをラッチ回路ＬＣとＯＲ発生回路ＯＲ
Ｃに出力する。

【００２６】また、光電変換素子列中で最初に電荷蓄積
を終了したセンサ回路ＳＣの蓄積終了信号ＴS はＯＲ発
生回路ＯＲＣを介して信号ＯＲとしてセンサ制御回路Ｓ
ＣＣに入力され、センサ制御回路ＳＣＣでは、これを信
号ＴORとして出力する（図４（ｆ）のＴOR参照）。ま
た、光電変換素子列中で最後に電荷蓄積を終了したセン
サ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴS はＡＮＤ発生回路Ａ
ＮＤＣによりセンサ制御回路ＳＣＣを介して信号ＡＦＥ
ＮＤを出力する（図４（ｅ）参照）。以下の説明では、
この図４（ｅ）に示す信号ＡＦＥＮＤのＬ区間を積分時
間ＴE と称する。

【００２７】そして、ＣＰＵ１は信号ＡＦＥＮＤのロー
レベル“Ｌ”からハイレベル“Ｈ”を検出してＡＦセン
サの積分終了を判定し、ローレベル“Ｌ”区間の時間を
計測して積分リミットの判定を行う。さらに、クロック
パルスジェネレータＣＧは、電荷蓄積時間ＴS をセンサ
データＤ(I) にディジタル化するためのクロックパルス
ＣＰを発生し、図４においてはＡＦＲＥＳ信号の入力と
同時に動作を開始し、時間の経過と共に周期が図４
（ｇ）のように増大していくクロックパルスＣＰを発生
する。この周期の変化は電荷蓄積時間ＴS がフォトダイ
オードＰＤに入射する光強度と、ほぼ反比例の関係にな
っている。

【００２８】そして、光電変換素子の中で最初に電荷蓄
積を完了したセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴＳが
ＯＲ発生回路ＯＲＣに入力されると、信号ＯＲＳによっ
てスイッチＳＷを閉じる。このスイッチＳＷのオンによ
りカウンタＣＯＴはクロックジェネレータＣＧのクロッ
クパルスＣＰのカウントを開始する。

【００２９】従って、光電変換素子列中で最も強い光を
受けたフォトダイオードＰＤのラッチ回路ＬＣにはカウ
ンタ出力０がラッチされる。そして、他のフォトダイオ
ードでは入射する光強度が小さいほど電荷蓄積時間が長
くなり、蓄積終了信号ＴS が発生するまでの時間差が発
生するので、この時間差に応じたカウンタ出力がそれぞ
れラッチ回路ＬＣにおいてラッチされる。

【００３０】また、ＯＲ発生回路ＯＲＣは、図示してい
ないが光電変換素子列の中央範囲内に位置するフォトダ
イオードに対応するセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号
ＴSのみを有効とする。ここでは、光電変換素子列の両
側の主要被写体背景の逆光が入る恐れがあるので、この
範囲の各左右所定数のセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信
号ＴS は除外してＯＲ発生回路ＯＲＣに入力していな
い。

【００３１】次に、図３は上記ＡＦＩＣ２におけるセン
サ回路ＳＣの更に詳細な構成を示す図である。同図にお
いて、センサ回路ＳＣは被写体輝度に応じて動作モード
を切り換えるもので、被写体が低輝度の場合は「高感度
モード」に、高輝度の場合は「低感度モード」に設定す
る。

【００３２】そして、最初にセンサ制御回路ＳＣＣは
「高感度モード」に設定するため、センサ回路ＳＣに信
号Ａ〜Ｅを出力して、ＡＳ１オフ，ＡＳ２オン，ＡＳ３
オン，ＡＳ４オフ，ＡＳ５オンに設定する。この状態で
蓄積コンデンサＣI の両端はショートされ、且つ演算増
幅器ＡＰの動作により電位Ｖ2 に固定されてリセットさ
れている。さらに、フォトダイオードＰＤはカソードが
固定電位Ｖr に接続されており、その受光光量に応じた
光電流を発生する。そして、ＡＳ３をオンからオフとす
ると蓄積動作が開始され、フォトダイオードＰＤの受光
光量に応じた光電流が蓄積コンデンサＣI に流れ込み、
これに応じた電荷が蓄積される。

【００３３】これと同時に、演算増幅器ＡＰの出力Ｐ2
の電位はリセット電位Ｖ1 から受光光量に応じた傾きで
下降していく（図４（ｃ）参照）。そして、演算増幅器
ＡＰの出力Ｐ2 は、非反転入力端を所定電位Ｖ3 に固定
されたコンパレータＣＰの反転入力端に接続されてお
り、演算増幅器ＡＰの出力Ｐ2 が電位Ｖ3 を越えるとコ
ンパレータＣＰの出力Ｐ3 がハイレベル“Ｈ”からロー
レベル“Ｌ”に反転し、ＡＳ４を介して蓄積終了信号Ｔ
S を出力する。この蓄積終了信号ＴS のうち最初の信号
は前述のＯＲ発生回路ＯＲＣ、センサ制御回路ＳＣＣを
介して信号ＴＯＲとして出力される（図４（ｆ）参
照）。

【００３４】さらに、蓄積終了信号ＴS のうち最後の信
号は、前述したＡＮＤ発生回路ＡＮＤＣ、センサ制御回
路ＳＣＣを介して信号ＡＦＥＮＤとして出力される（図
４（ｅ））。また、光電変換素子列中で最も短い蓄積時
間が所定時間より短い場合は、「低感度モード」に切り
換えて再度蓄積動作を行う（図５（ｈ）乃至（ｍ）参
照）。この「低感度モード」時には、センサ制御回路Ｓ
ＣＣによって信号Ａ乃至Ｅの設定が行なわれ、ＡＳ１オ
ン，ＡＳ２オフ，ＡＳ３オフ，ＡＳ４オフ，ＡＳ５オン
とする。尚、低感度モードでは演算増幅器ＡＰは非反転
入力端をＶ2 に固定されたコンパレータとして動作させ
る。そして、コンパレータＡＰの反転入力端Ｐ1 は電位
Ｖ1 に固定され接合容量ＣJ をリセットしている。

【００３５】そして、信号Ａを反転しＡＳ１をオフさせ
て、フォトダイオードＰＤの受光する受光光量に応じた
光電流によりフォトダイオードＰＤの接合容量ＣJ を放
電するので、コンパレータＡＰの反転入力端Ｐ1 の電位
はリセット電位Ｖ1 より受光光量に応じた傾きで上昇し
ていく。さらに、蓄積開始と共にクロックジェネレータ
ＣＧ、カウンタＣＯＴはリセットされコンパレータＡＰ
の反転入力端Ｐ1 の電位が電位Ｖ2 を越えると、コンパ
レータＡＰの出力Ｐ2 がハイレベル“Ｈ”からローレベ
ル“Ｌ”に反転し、ＡＳ５を介して蓄積終了信号ＴS を
出力する。

【００３６】また、高感度モードと同様に、最も早く蓄
積が終了したセンサ回路ＳＣからの蓄積終了信号ＴS に
応じてＯＲ発生回路ＯＲＣを介してスイッチＳＷがオン
され、センサ制御回路ＳＣＣより信号ＴORが出力され
る。そして、最も遅く蓄積が終了したセンサ回路ＳＣか
らの蓄積終了信号ＴS に応じてＡＮＤ発生回路ＡＮＤＣ
を介してセンサ制御回路ＳＣＣより信号ＡＦＥＮＤが出
力される。さらに、光電変換素子列中で最も入射光量の
大きいフォトダイオードＰＤに対応する蓄積時間、つま
り最も小さい、即ち前述の信号ＴORに相当する蓄積時間
をＴo とすると、光電変換素子列中の任意のフォトダイ
オードＰＤに対応する電荷蓄積時間Ｔ(I)と対応するラ
ッチ回路ＬＣにおいてラッチされるカウンタ出力Ｄ(I)
とは次式のような関係となっている。

【００３７】

【数１】 この式を変形してディジタル化されたカウンタ出力Ｄ
(I) は次式で示される。

【００３８】

【数２】

【００３９】尚、電荷蓄積時間Ｔ(I) は各フォトダイオ
ードに入射する光量に比例するので、上記Ｄ(I) を読み
出すことにより被写体像信号を得ることができる。そし
て、カウンタＣＯＴは８ビット分のカウントを行うとカ
ウントを停止する。従って、フォトダイオードＰＤへの
入射光強度が弱く上記電荷蓄積時間Ｔ(I) が上記Ｔoで
決まる所定時間より長い素子の出力は“２５５”に固定
される。

【００４０】次に図６は上記ストロボ回路６の詳細な構
成を示す図である。同図において、電源Ｅには、電源電
圧をストロボが発光可能になるまで昇圧を行なうＤＣ／
ＤＣコンバータ５２が並列に接続されており、このＤＣ
／ＤＣコンバータ５２の出力には、メインコンデンサＭ
Ｃに充電された電圧を測定するメインコンデンサ電圧測
定回路５３が接続されている。そして、上記ＤＣ／ＤＣ
コンバータ５２の出力にはＸｅ（キセノン）管５７に発
光のためのトリガを印加するトリガ回路５４が接続され
ており、更にダイオードＤ１を介して発光エネルギーを
蓄えるメインコンデンサＭＣも接続されている。そし
て、電源Ｅには、上記ダイオードＤ１のカソードに接続
されたメインコンデンサＭＣのエネルギーを消費して発
光するＸｅ管５７と、このＸｅ管５７の発光光量の制御
を行なう発光光量制御回路５５が直列に接続されてお
り、上記発光光量制御回路５５には電源Ｅの供給を制御
する電源供給制御回路５６が接続されている。尚、上記
ＤＣ／ＤＣコンバータ５２とメインコンデンサ電圧測定
回路５３とトリガ回路５４と発光光量制御回路５５と電
源供給制御回路５６の制御は上記ＣＰＵ１がＩＦＩＣ７
をインターフェースとして制御している。

【００４１】次に図７は上記ストロボ回路６を更に具現
化した構成を示す図である。同図に示すように、上記メ
インコンデンサ電圧測定回路５３は、抵抗Ｒ１とＲ２と
が直列に接続されており、該抵抗Ｒ２にはコンデンサＣ
１が並列に接続されており、該抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続点
はＣＰＵ１のＶＳＴ端子に接続された構成となってい
る。そして、このメインコンデンサ電圧測定回路５３
は、ＤＣ／ＤＣコンバータ５２を起動させ、抵抗Ｒ１，
Ｒ２の分圧比で発生する抵抗Ｒ２の両端の電圧をＣＰＵ
１でモニタし、メインコンデンサＭＣの電圧を抵抗の分
圧比倍することにより、メインコンデンサＭＣの電圧を
測定する。尚、コンデンサＣ１は測定電圧を平滑するた
めのものである。

【００４２】上記トリガ回路５４は、抵抗Ｒ３とサイリ
スタＤ２が直列に接続され、該サイリスタＤ２のアノー
ド、ＧＮＤ間にコンデンサＣ２とトリガコイルＴ１のｂ
−ａ間が直列に接続され、同じくサイリスタＤ２のアノ
ード、ＧＮＤ間にコンデンサＣ３と抵抗Ｒ４が直列に接
続され、トリガコイルＴ１の２次巻線Ｔ１−ｃがＸｅ管
７の外壁に接続され、コンデンサＣ３と抵抗Ｒ４の接続
点がＸｅ管５７のカソードに接続され、サイリスタＤ２
のゲートがＣＰＵ１１のＳＴＯＮ端子に接続された構成
となっている。そして、このトリガ回路５４は、Ｘｅ管
５７にトリガを印加すると同時にＸｅ管５７のカソード
に負のメインコンデンサ電圧を印加し、Ｘｅ管５７の発
光をし易くするための倍電圧回路としても兼用されてい
る。

【００４３】ここで、このトリガ回路５４の動作につい
て更に詳細に説明する。先ずＤＣ／ＤＣコンバータ５２
を一定時間起動させ、出力充電電流を抵抗Ｒ３を介して
コンデンサＣ２，Ｃ３に流し充電を行うと、この充電さ
れた電荷はサイリスタＤ２のゲートにハイレベル“Ｈ”
信号を入力することによりサイリスタＤ２のアノード＝
カソード間が導通し、コンデンサＣ２からサイリスタＤ
２、トリガコイルＴ１の１次側ａ−ｂ間、コンデンサＣ
２へと電流が流れ、トリガコイルＴ１の１次側に電流が
流れると、該トリガコイルＴ１に１次巻線の２次巻線に
対する鎖交磁束が生じるため、２次巻線ｃ端子には高電
圧が誘起される。

【００４４】更に、コンデンサＣ３からサイリスタＤ
２、抵抗Ｒ４、コンデンサＣ３に電流が流れ、サイリス
タＤ２のサノード電圧が初期のＸｅ管５７の発光可能電
圧値から一瞬のうちに０Ｖとなるため、コンデンサＣ３
のＸｅ管５７のアノード側の電圧が０Ｖからマイナスの
Ｘｅ管発光可能電圧となり、ダイオードＤ３によりＸｅ
管５７のカソード電圧は保持され、Ｘｅ管５７の両端に
は２倍のＸｅ管発光可能電圧が印加されることになる倍
電圧回路の駆動を行う。

【００４５】上記発光光量制御回路５５は、Ｘｅ管５７
とＧＮＤ間にダイオードＤ３と絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタＩＧＢＴ１が直列に接続され、該ＩＧＢＴ
１のゲート＝エミッタ間にツェナダイオードＤ４が並列
に接続され、トランジスタＴｒ１のコレクタ＝エミッタ
間が並列に接続され、ツェナダイオードＤ４のカソード
と電源供給制御回路５６が接続され、トランジスタＴｒ
１のベースが抵抗Ｒ６を介してＣＰＵ１のＳＴＯＦＦ端
子に接続された構成となっている。

【００４６】そして、この発光光量制御回路５５は、電
源供給制御回路５６より供給される電圧によりツェナダ
イオードＤ４で絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩ
ＧＢＴ１のゲート電圧を作成し、該ＩＧＢＴ１をオン状
態にする。この時、トリガ回路５４の起動により発光電
流がＸｅ管５７からダイオードＤ３とＩＧＢＴ１に流れ
る。そして、ＣＰＵ１より、ＳＴＯＦＦ端子に発光停止
信号が抵抗Ｒ６を介してトランジスタＴｒ１に入力する
と、トランジスタＴｒ１は動作し、ＩＧＢＴ１のゲート
電荷を放出させ、ＩＧＢＴ１をオフし、発光電流は停止
する。

【００４７】上記電源供給制御回路５６は、トランジス
タＴｒ２と抵抗Ｒ５とが直列に接続され、抵抗Ｒ７とＲ
８とトランジスタＴｒ３とが直列に接続され、抵抗Ｒ９
がＣＰＵ１１のＧ−ＯＮ端子に接続された構成となって
いる。そして、この電源供給制御回路５６は、ＣＰＵ１
のＧ−ＯＮ端子よりオン信号が入力され、トランジスタ
Ｔｒ３が起動しトランジスタＴｒ２が起動すると、メイ
ンコンデンサＭＣの電荷を発光光量制御回路５５へ供給
し、オフ信号が入力されると、発光光量制御回路５５へ
の電荷の供給を停止する。尚、メインコンデンサＭＣの
電圧を測定するためには、充電電圧チェックのサブルー
チンをコールすることにより実行され、予め発光可能電
圧値がＣＰＵ１内の図示しない記憶領域に格納されてい
る。尚、これについての詳細は後述する。

【００４８】次に図８のフローチャートを参照して、本
発明を適用したカメラにより実行されるサブルーチン
“ファーストレリーズ”のシーケンスを詳細に説明す
る。先ずＧ−ＯＮをハイレベル“Ｈ”にし（ステップＳ
１０１）、後述するサブルーチン“充電電圧チェック”
を実行する（ステップＳ１０２）。続いて、後述するサ
ブルーチン“ＡＦ測距”を実行し（ステップＳ１０
３）、ＡＦ測距結果が検出不能であったか検出不能フラ
グを参照して判別する（ステップＳ１０４）。

【００４９】そして、ＡＦ測距結果が検出できている場
合は、ＡＦ測距時に補助光を照射したか否かを補助光フ
ラグを参照して判別する（ステップＳ１０５）。そし
て、補助光がオフの場合には合焦フラグを参照して合焦
か否か判別し（ステップＳ１０７）、合焦の場合にはフ
ァインダ内のＬＥＤ表示やブザーの発音により合焦表示
を行い（ステップＳ１０８）、Ｇ−ＯＮをローレベル
“Ｌ”にした後（ステップＳ１１２）、リターンする。

【００５０】一方、ステップＳ１０７にて非合焦の場合
には、後述するサブルーチン“レンズ駆動”を実行し、
上記ＡＦ測距の結果に基づいてレンズ駆動を行う（ステ
ップＳ１０９）。続いて、合焦フラグを参照して合焦か
否か判別し（ステップＳ１１０）、合焦であれば合焦表
示を行い（ステップＳ１０８）、非合焦の場合には、補
助光フラグを参照し（ステップＳ１１３）、補助光オフ
の場合はステップＳ１０３へ分岐し、補助光オンの場合
はステップＳ１０２に分岐して充電電圧をチェックし、
再度補助光発光するときに、充電電圧によって発光時間
に補正をかけ、ステップＳ１０３に戻って、サブルーチ
ン“ＡＦ測距”を再度実行する。

【００５１】そして、ステップＳ１０４において検出不
能であった場合はステップＳ１１１においてファインダ
内ＬＥＤ等による非合焦表示を行った後、Ｇ−ＯＮをロ
ーレベル“Ｌ”にし（ステップＳ１１２）、リターンす
る。

【００５２】ここで、ＡＦ測距時に補助光照射を行なっ
た場合には、即ち上記ステップＳ１０５において補助光
がオンであった場合は、光量オーバーフラグ及び光量ア
ンダーフラグを参照する。そして、光量オーバー又は光
量アンダーであった場合は測距結果に信頼性がないので
ステップＳ１０３に戻り補助光光量を変更して再度ＡＦ
測距を行う。また、光量が適正であった場合は補助光オ
フの場合と同様に、ステップＳ１０７以後の処理を行
う。

【００５３】次に図９のフローチャートを参照して、図
８のステップＳ１０２で実行されるサブルーチン“充電
電圧チェック”のシーケンスについて詳細に説明する。
前述したストロボ回路６における電源Ｅの電圧を測定・
記憶し（ステップ２０１）、電源Ｅの温度を測定・記憶
する（ステップＳ２０２）。そして、このステップＳ２
０１，Ｓ２０２の電源電圧・温度の結果を基に電圧チェ
ックのためのプリ充電を行なう時間を決定する（ステッ
プＳ２０３）。

【００５４】そして、ＳＴＣＨＲＧ端子からハイレベル
“Ｈ”信号を入力し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５２を起動
させ充電を開始する（ステップＳ２０４）。続いて、上
記ステップＳ２０３で決定した時間だけ充電を行ない
（ステップＳ２０５）、ＶＳＴ端子よりメインコンデン
サＭＣの電圧をＡ／Ｄ変換し、そのＡ／Ｄ値を記憶する
（ステップＳ２０６）。

【００５５】さらに、このステップＳ２０６で測定した
Ａ／Ｄ値をＥＥＰＲＯＭ３に予め記憶されている発光可
能電圧Ａ／Ｄ値と比較し（ステップＳ２０７）、測定電
圧が高ければステップＳ２０８に進み発光可能フラグを
セットし、測定電圧が低ければステップＳ２０９に進み
発光可能フラグをクリアする。そして、ＳＴＣＨＲＧ端
子にローレベル“Ｌ”信号を入力し、ＤＣ／ＤＣコンバ
ータ５２の動作を止め（ステップＳ２１０）、本サブル
ーチンを終了する（ステップＳ２１１）。

【００５６】次に図１０のフローチャートを参照して、
図８のステップＳ１０３で実行されるサブルーチン“Ａ
Ｆ測距”のシーケンスについて詳細に説明する。先ず図
１０のステップＳ３００では、サブルーチン“ＡＦセン
サ積分”が実行され、ＡＦＩＣ２内の光電変換素子列２
４Ｒ，２４ＬによるＡＦセンサ積分が行なわれる。ここ
で、この光電変換素子列２４Ｒ，２４Ｌ上に被写体像を
結像させるためのＡＦ光学系２７について説明する。
尚、撮影レンズ２８によって形成される被写体像を再結
像光学系により２つの被写体像に分割し、光電変換素子
列上に再結像と、その２つの被写体像の位置ずれを検出
することで合焦検出を行うような焦点検出光学系は既に
公知である。

【００５７】その代表的なものは、図１１に示すように
撮影レンズ２８の結像面１２２近傍に位置するコンデン
サレンズ２６と一対の再結像レンズ２５Ｒ，２５Ｌによ
って構成されている。そして、上記結像面１２２上に撮
影レンズ２８の合焦時に被写体像１２３が結像すると、
当該被写体像１２３はコンデンサレンズ２６と一対の再
結像レンズ２５Ｒ，２５Ｌにより光軸Ｏに対して垂直な
光電変換素子列の２次結像面１２７上に再形成され、第
１の被写体像１２３Ｌ、第２の被写体像１２３Ｒとな
る。そして、撮影レンズ２８が前ピン、即ち、結像面１
２２の前方に被写体像１２４が形成される場合、その被
写体像１２４は、互いに光軸Ｏに近づいた形で光軸Ｏに
対して垂直に再結像されて第１の被写体像１２４Ｌ、第
２の被写体像１２４Ｒとなる。また、撮影レンズ２８が
後ピン、即ち上記結像面１２２の後方に被写体像１２５
に形成される場合、その被写体像１２５は互いに光軸Ｏ
から離れた位置に光軸Ｏに対して垂直に再結像されて第
１の被写体像１２５Ｌ、第２の被写体像１２５Ｒとな
る。これらの第１，第２の被写体像は同一方向を向いて
おり、両像において互いに対応する部分の間隔を検出す
ることにより撮影レンズ２８の合焦状態を前ピン、後ピ
ン等を含めて検出することができる。

【００５８】次に図１２のフローチャートを参照して、
図１０のステップＳ３００で実行されるサブルーチン
“ＡＦセンサ積分”のシーケンスについて詳細に説明す
る。本ルーチンに入ると、最初にストロボオフモードで
あるか否かを判定し、ストロボオフモードである場合に
は積分リミット時間を通常の２倍（２・ＴL ）に設定す
る（ステップＳ４００，Ｓ４０１）。続いて、ＡＦセン
サ積分がスタートされているか否かをフラグを参照して
判断し（ステップＳ４０２）、積分中でない場合には積
分を開始する（ステップＳ４０３）。この積分の開始は
ＡＦＩＣ２に対してＣＰＵ１よりリセット信号ＡＦＲＥ
Ｓが出力されて開始される。

【００５９】一方、ステップＳ４０２で積分が開始して
いる場合はステップＳ４０５に移行し、被写体に補助光
を照射して積分を行う補助光モードであるか否か判定す
る（ステップＳ４０５）。そして、補助光モードでない
場合にはステップＳ４１０に移行し積分が終了したか否
かをＡＦＩＣ２内のセンサ制御回路ＳＣＣの積分終了出
力ＡＦＥＮＤを参照して判断する（ステップＳ４０
７）。

【００６０】そして、この積分が終了している時はリタ
ーンし、終了していない時はステップＳ４１１に進み積
分リミット時間に達したか否かを判定する。そして、こ
の積分時間が、この積分リミット時間を越えた場合はＡ
ＦＩＣ２の積分動作を強制的に停止させる（ステップＳ
４１２）。また、積分リミット時間を越えていない時は
ステップＳ４０２に戻り、ステップＳ４０２，Ｓ４０
５，Ｓ４１０，Ｓ４１２のループを積分終了、又は積分
リミット時間になるまで繰り返す。尚、積分時間は積分
制御回路ＡＦＥＮＤ信号に対応して割込み処理でＲＡＭ
に格納される。

【００６１】一方、上記ステップＳ４０５で補助光モー
ドである場合は、ステップＳ４０６に進み、後述するサ
ブルーチン“補助光照射”を実行し、補助光照射を一定
時間にあるパターンで行う。尚、この補助光照射中に積
分が終了した場合（ＡＦＥＮＤ信号）は割込み処理で積
分時間を取り込み、所定のＲＡＭに格納する。更に、ス
テップＳ４０７で積分が終了していない時にはステップ
Ｓ４０８において積分動作を強制的に停止させ、ステッ
プＳ４０９において積分リミットフラグを設定し、その
後、リターンして積分制御動作を終了する（ステップＳ
４１３）。

【００６２】尚、上述の積分リミット時間は、被写体が
低輝度である場合に積分時間が長くなりタイムラグが大
きくなるのを防止するために設けられているので、被写
体が低輝度の時は被写体像信号が正しく得られない場合
がある。そこで、積分時間が所定値を越える時は次回積
分時に被写体に補助光を照射して被写体光量の不足を補
っている。ところで、本発明のカメラにおいては撮影モ
ードとして通常の「ストロボ低輝度自動発光モード」の
他に「ストロボオフモード」を有しており、ストロボ撮
影が禁止されているあるいは好ましくない場所での撮影
時に一時的に使用される。この場合、補助光としてのス
トロボ光照射も禁止し、同時にステップＳ４００，Ｓ４
０１に示すように上記積分リミット時間を２倍に設定し
て低輝度での焦点検出精度の劣化を防止している。

【００６３】次に図１３のフローチャートを参照して、
図１２のステップＳ４０６で実行されるストロボ回路６
によるサブルーチン“補助光照射”のシーケンスについ
て詳細に説明する。

【００６４】サブルーチン“補助光照射”がコールされ
ると、ＡＦ補助光での発光回数が設定され（ステップＳ
５０１）、前述の充電電圧チェックのＡ／Ｄ値によっ
て、後述のサブルーチン“発光補正”を実行する（ステ
ップＳ５０２）。

【００６５】このサブルーチン“発光補正”は図１４に
示されているように、サブルーチン“充電電圧チェッ
ク”で出力されたＡ／Ｄ値によって発光時間に補正をか
けるものである。つまり、充電Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ１よ
り小さいときは（ステップＳ５２０）、ＡＧＮＯを＃Ｎ
２だけシフトする（ステップＳ５２１）。そして、充電
Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ１より大きいとき（ステップＳ５２
０）、充電Ａ／Ｄ値を＃ＶＯＬ２と比較する（ステップ
Ｓ５２２）。そして、充電Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ２より小
さいときはＡＧＮＯを＃Ｎ１だけシフトする（ステップ
Ｓ５２３）。ここで、充電Ａ／Ｄ値との比較＃ＶＯＬ
１，ＶＯＬ２は＃ＶＯＬ２＞＃ＶＯＬ１の関係にある。
そして、このＡＧＮＯは図２３のテーブルに相当し、＃
Ｎ１，＃Ｎ２はテーブル上のシフト量に相当し、＃Ｎ２
＞＃Ｎ１の関係にある。

【００６６】ところで、前述のサブルーチン“発光補
正”は、発光時間をシフトすることによって行っている
が、発光時間自体を補正することと同様である。即ち、
図１５に示されるように、充電電圧チェックサブルーチ
ンで示されたＡ／Ｄ値によって、発光時間のテーブルを
選択するものである。充電Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ１より小
さいとき（ステップＳ５５０）、ＡＧＮＯのテーブルデ
ータをＡＦＧＮＯのテーブルデータより代入する（ステ
ップＳ５５１）。そして、充電電圧Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ
１より大きいとき（ステップＳ５５０）、充電電圧Ａ／
Ｄ値を＃ＶＯＬ２と比較する（ステップＳ５５２）。そ
して、充電Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ２より小さいとき（ステ
ップＳ５５２）、ＡＦＧＮＯのテーブルデータをＡＦＧ
ＮＯ Ｂのテーブルデータより代入し（ステップＳ５５
３）、充電Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ２より大きいときは（ス
テップＳ５５２）、ＡＦＧＮＯのテーブルデータをＡＦ
ＧＮＯ Ａのテーブルデータより代入する。尚、このＡ
ＦＧＮＯ Ａ〜ＡＦＧＮＯ Ｃまでの発光時間のテーブ
ルデータは図１６に示す通りである。

【００６７】こうして、サブルーチン“補助光照射”の
シーケンスに戻ると、次にサブルーチン“プリ充電”が
実行される（ステップ５０３）。このサブルーチン“プ
リ充電”のシーケンスは図１７に示す通りである。尚、
これは先に図９に示したサブルルーチン“充電電圧チェ
ック”とほぼ同じ内容であるため、ここでは説明を省略
する。

【００６８】続いて、サブルーチン“発光”が実行され
る（ステップＳ５０４）。このサブルーチン“発光”の
シーケンスは図１８に示す通りである。本サブルーチン
に入ると、必要発光光量を得るための発光時間を読み出
し（ステップＳ７０１）、ＳＴＯＮ端子よりハイレベル
“Ｈ”信号を出し発光させる（ステップＳ７０２）。そ
して、ステップＳ７０１で読み出した時間だけ発光を続
け（ステップＳ７０３）、所定時間が経過するとステッ
プＳ７０４に進み、ＳＴＯＦＦ端子にハイレベル“Ｈ”
信号を入力し、ＩＧＢＴ１をオフさせＸｅ管５７の発光
を止める。そして、ＳＴＯＮ端子をローレベル“Ｌ”と
し（ステップＳ７０５）、ＳＴＯＦＦ端子をローレベル
“Ｌ”とし（ステップＳ７０６）、ＳＴＯＮ、ＳＴＯＦ
Ｆ端子を初期状態としてサブルルーチン“充電電圧チェ
ック”に戻り，ステップＳ５０５に進む。そして、ＡＦ
補助光の周期を決めるためインターバルの時間を定め
（ステップＳ５０５）、所定の発光回数が来るまで発光
を続け所定回数の発光が終るとリターンする（ステップ
Ｓ５０６，Ｓ５０７）。

【００６９】次に図１０のステップＳ３０１においては
センサ読出し動作を行う。即ち、ＣＰＵ１よりＡＦＩＣ
２内のセンサ制御回路ＳＣＣのＣＬＫ端子にクロックを
入力すると、これに同期して各ラッチ回路ＬＣにラッチ
されているカウント出力Ｄ(I) がセンサデータとしてＤ
ＡＴＡ端子に順次出力され、ＣＰＵ１はこのセンサデー
タＤ(I) を順次所定の図示しないＲＡＭに格納してい
く。そして、全センサデータＤ(I) の読み込みが終了す
ると、センサ回路ＳＣの動作モードが高感度モードか低
感度モードであるかの感度データＤK の通信も行う。

【００７０】続いて、図１０のステップＳ３０２ではセ
ンサデータＤ(I) を用いて被写体の測光値を計算する。
この測光値は、露出データの計算や補助光の必要性の判
断の他、得られたセンサデータの信頼性の判定等にも使
用される。尚、センサデータＤ(I) と電荷蓄積時間Ｔ
(I) とは上記（１）式の関係を有しているので、各セン
サデータＤ(I) より各素子の蓄積時間Ｔ(I) を求めれば
測光値が得られる。

【００７１】一方、積分時間ＴE は、前述のようにフォ
トダイオードＰＤへの入射光量が最も少ない素子に対応
する蓄積時間であるから、この素子に対応するセンサデ
ータＤ(I) は全素子中の最大値である。よって、この最
大センサデータをＤMAX とすると積分時間ＴE は上記
（１）式を適用して次式で示すことができる。

【００７２】

【数３】 従って、

【００７３】

【数４】 となり、光電変換素子列中でフォトダイオードＰＤへの
入射光量が最も大きい素子の蓄積時間Ｔo を求めること
ができる。これを上記（１）式に代入すると、

【００７４】

【数５】 となり、積分時間ＴE ，最大センサデータＤMAX 及び各
センサデータＤ(I) とにより各素子の蓄積時間Ｔ(I) を
計算することができる。

【００７５】ここで、測光値を求める場合は各センサデ
ータＤ(I) より求められる蓄積時間Ｔ(I) の平均値を用
いるのが有効である。さらに、光電変換素子列中の中央
部の素子について求めると背景等で被写体像の結像され
ていない部分を削除することができる。また、前述のＡ
Ｆ光学系により分割された第１及び第２の被写体像は等
しいので、いずれか一方の光電変換素子列２４Ｌか２４
Ｒについて計算すればよい。よって、平均蓄積時間Ｔba
r は次式で示される。

【００７６】

【数６】 これを近似すると次式のように示される。

【００７７】

【数７】 さらに、この平均蓄積時間Ｔbar を対数圧縮して測光値
Ｅは次式で示される。

【００７８】

【数８】

【００７９】尚、補正値ＨE は測光値Ｅと積分時間ＴE
の関係を補正するための調整値であり、均一光源に対す
る積分時間を計測してカメラ毎にＥＥＰＲＯＭ３に記憶
されている。これは、カメラ毎に光学系のバラツキや光
電変換素子毎に感度が異なるためである。また、ＡＦＩ
Ｃ２の高感度モードと低感度モードとは補正値ＨE が異
なるので各補正値を有している。

【００８０】ところで、本実施例では積分時間ＴE を用
いて測光値の計算を行なっているが、図３のＴOR端子よ
り出力されるＴOR信号のＬ区間の時間（図４（ｆ）参
照）を計測してＴo ＝ＴORを求め、上記（１）式を適用
して各素子の蓄積時間Ｔ(I) を計算し、更に素子数ｎの
平均蓄積時間Ｔ′を求めると次式のようになる。

【００８１】

【数９】 これを上記（８）式に適用しても同様に測光値Ｅ′を得
ることができる。

【００８２】

【数１０】

【００８３】続いて、図１０のステップＳ３０３では、
サブルーチン“補助光判定”を実行し、ＡＦＩＣ２の積
分時に低輝度で光量が不足している場合、被写体に対し
て補助照明光を照射する補助光を点灯する必要があるか
否かの判定や前記補助光の光量を設定する処理を行う。

【００８４】以下、図１９のフローチャートを参照し
て、図１０のステップＳ３０３で実行されるサブルーチ
ン“補助光判定”のシーケンスについて詳細に説明す
る。先ず最初に今回の積分が高感度モードで行なわれた
か感度データＤK を参照し、低感度モード時は被写体輝
度が十分高く、補助光は必要ないのでそのままリターン
する（ステップＳ８０１）。そして、高感度モードで次
に進み今回の積分時に補助光を照射したか否かを判別し
て（ステップＳ８０２）、補助光が照射されなかった場
合には、次回の積分時に補助光が必要か否かの判定を行
う。ここでは、ＡＦＩＣ２の積分時間ＴE と判定値Ｔs1
とを比較して積分時間ＴE の方が大きい場合、即ち被写
体が低輝度である時に補助光が必要と判断する。

【００８５】続いて、フラグＦ ＡＧＮＯ＝１のときは
（ステップＳ８１５）、後述するサブルーチン“ＡＧＮ
Ｏ初期設定”を実行し、補助光の照射光量を設定する。
本実施例の補助光はストロボ光を使用しており、そのＡ
ＧＮＯを設定する（ステップＳ８０４）。そして、補助
光要求フラグをセットし（ステップＳ８０５）、リター
ンする（ステップＳ８１４）。フラグＦ ＡＧＮＯは、
補助光の照射光量の初期設定要求フラグである。

【００８６】ここで、今回の積分で補助光を照射した場
合のシーケンスについて説明する。積分時間が短い、即
ち被写体が至近距離に位置するか、或いは補助光の照射
光量が大きすぎる場合には、ＡＦＩＣ２より出力された
センサデータは非常にバラツキが大きく、被写体像に対
して再現性の悪いデータが得られ易い為、このセンサデ
ータを用いた相関演算結果は信頼性が低いものとなる。

【００８７】例えば図２０には補助光投光しながらの積
分時の蓄積時間ＴS と蓄積電圧ＶSの関係を示す。同図
には被写体像光電変換素子への入射光量が１：２：４の
比となるＡ，Ｂ，Ｃの３つの場合を示している。さら
に、補助光として周期的なストロボパルス光を被写体に
照射するタイミングと信号ＡＦＲＥＳのタイミングも図
１７（ｃ），（ｂ）に示す。尚、説明の都合上Ｃが全光
電変換素子の中で最も入射光量の大きい素子とする。

【００８８】このような蓄積波形に対して、蓄積判定電
圧Ｖ3 を設定し、それに対する蓄積時間ＴS （図２０
（ｆ），（ｅ），（ｄ）のＴSA，ＴSB，ＴSC）、前述の
量子化方法に関する上記（２）式を適用するとディジタ
ル化されたセンサデータＤ(I)を算出することができ
る。ところで、上記入射光量が１：２：４の比を有する
場合で、且つ補助光を照射しない場合、つまり定常光モ
ードのセンサデータＤ(I)は式（２）により、それぞれ
Ｄ(I) ＝０，１３７，２０５となり、このセンサデータ
は入射光量の絶対値や蓄積判定電圧Ｖ3 が変化しても入
射光量比が変化しない限り変化することはない。

【００８９】しかしながら、補助光投光時は入射光量比
が変化しなくても、上記条件によってセンサデータＤ
(I) が変化し、被写体像を正確に認識することが困難な
場合がある。即ち、図２０において、被写体輝度の変化
つまり光電変換素子への入射光量の絶対値の変化を簡単
にするため蓄積判定電圧Ｖ3 の変化に置き換えて考える
ものとする。

【００９０】さらに、図２１は蓄積判定電圧Ｖ3 を変化
させた場合の光電変換素子Ｂ，ＣのセンサデータＤS の
変化を定常光モード時のセンサデータＤS を基準とし
て、それからの差分を示した図である。

【００９１】同図より明らかなように、補助光投光時の
センサデータＤ(I) の誤差ΔＤS は蓄積判定電圧Ｖ3 が
低いほど大きい値を示す。これは言い換えると、被写体
反射率が大きい程、あるいは補助光投光光量が大きいほ
どセンサデータ誤差ΔＤS が大きく、正確な被写体像デ
ータを得ることができない。その結果、焦点検出の精度
を著しく低下させることになる。

【００９２】また、センサデータ誤差ΔＤS は蓄積時間
ＴS が短い程、大きくなることも示されているので、蓄
積時間ＴS が短いと同様に焦点検出精度を低下させるこ
とになり、被写体の反射率や距離を考慮して適切な補助
光光量を設定し適切な蓄積時間になるように制御するこ
とによって、補助光投光時も正確な被写体像データを得
て焦点検出精度を維持することができる。従って、積分
時間ＴE が所定値より短い場合は信頼性が低いと判断
し、補助光の照射光量を下げて再度ＡＦセンサ積分をや
り直す。

【００９３】さて、ステップ８０６において積分時間Ｔ
E と所定値ＴS2を比較して、第１の判定を行う。そし
て、積分時間ＴE ≧ＴS2であれば光量オーバーではない
のでリターンし、積分時間ＴE ＜ＴS2であれば光量オー
バーであると判断し、光量オーバーフラグをセットし
（ステップＳ８０７）、補助光光量を下げるためＡＧＮ
Ｏより所定数Ｎを減算して新たにＡＧＮＯとする（ステ
ップＳ８０８）。

【００９４】続いて、ステップＳ８０９では、このＡＧ
ＮＯが“１”より小さくなった場合は図２０に示す光量
制御範囲を越えている場合、つまり被写体が非常に近距
離に位置し、且つ高反射率であるので検出不能フラグを
セットし（ステップＳ８１３）、リターンする（ステッ
プＳ８１４）。

【００９５】一方、ステップＳ８０９においてＡＧＮＯ
≧１である場合はステップＳ８１０で第２の判定を行
う。ここでは、前述の第１の判定値ＴS2に対してＴS2＞
ＴS3なる第２の判定値ＴS3を積分時間ＴE と比較する。
これは、より大きな第２レベルの光量オーバーの場合を
判定し、より有効に適正な補助光光量ＡＧＮＯを設定す
るためのものである。そして、積分時間ＴE ≧ＴS2であ
れば光量オーバーではあるが、第１レベルの光量オーバ
ーなので、このままリターンし前述のＡＧＮＯ＝ＡＧＮ
Ｏ−Ｎが保存される。これに対して、積分時間ＴE ＜Ｔ
S3である場合は、より大きな第２レベルの光量オーバー
なので補助光光量をさらに低下させるためＡＧＮＯより
所定数Ｍを減算して新たにＡＧＮＯとする（ステップＳ
８１１）。

【００９６】続いて、ステップＳ８１２では、このＡＧ
ＮＯが“１”より小さい場合は前述と同様に光量制御範
囲を越えているので検出不能フラグをセットし、リター
ンする（ステップＳ８１４）。尚、本実施例では、光量
オーバーの判定に積分時間ＴE を用いているが、前述の
測光値Ｅやピーク蓄積時間ＴOR及びそれらの組合せを用
いて判定しても有効である。

【００９７】次に図２２のフローチャートを参照して、
図１９のステップＳ８０４で実行されるサブルーチン
“ＡＧＮＯの初期設定”のシーケンスについて説明す
る。尚、本発明は撮影モードとしてマクロモードを有し
ており、撮影者によってマクロモードＳＷをオンされる
とマクロモードに設定される。

【００９８】先ず撮影モードとしてマクロモードが設定
されているかチェックする（ステップＳ９０１）。そし
て、マクロモードの場合、撮影者は至近に位置する被写
体を撮影することを意図しているので、これに対応して
補助光光量ＡＧＮＯを至近被写体に適正な比較的小さい
光量ＡＧＮＯ＝Ｄに設定する（ステップＳ９０７）。

【００９９】一方、マクロモードではない場合にはステ
ップＳ９０２に進む。そして、補助光の光量ＡＧＮＯは
撮影レンズの焦点距離ｆに応じて予め決められた値を設
定される（ステップＳ９０２）。尚、一般的な焦点距離
の撮影レンズ（２８〜１８０ｍｍ）では、撮影倍率は１
／４０〜１／６０が最も頻度が高いことが知られてい
る。従って、焦点距離に応じて撮影頻度の高い被写体距
離がほぼ決定されるので、これに合わせた補助光光量Ａ
ＧＮＯが初期設定される。本実施例では焦点距離を３領
域に分割し、それぞれ適正な補助光光量を設定する。即
ち、まず最もＷｉｄｅ側の第１の焦点距離領域に相当す
る補助光光量ＡＧＮＯ＝Ａが設定される（ステップＳ９
０２）。

【０１００】そして、ステップＳ９０３においては、Ｚ
ＭＰＩ６０からのズームパルスＺＰの値を第１の判定値
ＺＰ１と比較して領域１であるか判定する。そして、領
域１の場合はそのままリターンする（ステップＳ９０
８）。そして領域１ではない場合は中間領域である領域
２に適切な補助光光量ＡＧＮＯ＝Ｂが設定され（ステッ
プＳ９０４）、同様にしてズームパルスＺＰと第２判定
値ＺＰ２と比較して領域２であるか判定する（ステップ
Ｓ９０５）。そして、領域３についても同様の処理が行
なわれ領域３について補助光光量ＡＧＮＯ＝Ｃに設定し
た後（ステップＳ９０６）、リターンする（ステップＳ
９０８）。

【０１０１】本実施例では、補助光光量ＡＧＮＯの初期
設定値は撮影レンズの焦点距離に応じて行なっている
が、この他に撮影レンズのＦナンバー、前述の測光値
Ｅ、積分時間ＴE 、或いはピーク蓄積時間ＴORに応じて
変化させても同様の効果が得られる。また、これらの組
合わせによって決定しても良い。

【０１０２】尚、図２３は補助光光量ＡＧＮＯの番号
（１〜１２）とＡＧＮＯのＧＮＯ値の表を示す図であ
る。これは、カメラの最短撮影距離且つ高反射率の被写
体に適正な補助光光量ＡＧＮＯの最小値から、撮影時ス
トロボＧＮＯによって決まるストロボ撮影時の最長撮影
距離かつ低反射率の被写体に適正な補助光光量ＡＧＮＯ
の最大値までを分割したものである。これらの補助光光
量ＡＧＮＯより、適切なものを選択する。尚、ソフトウ
ェア上では番号（１〜１２）を指示してＡＧＮＯを選択
する。

【０１０３】次に図１０のステップＳ３０４では検出不
能フラグを参照して、検出不能の場合はステップＳ３１
９で非合焦フラグをセットして、サブルーチン“ＡＦ測
距”のシーケンスを終了する。これに対して、検出不能
ではない場合は、ステップＳ３０５において光量オーバ
ーフラグを参照する。そして、光量オーバーの場合はリ
ターンし、メインフローを介して再度ＡＦ測距ルーチン
をコールして、設定されたＡＧＮＯの補助光照射をしな
がらＡＦセンサ積分を実行する。さらに、光量オーバー
でない場合は次に照度分布補正のステップＳ３０６に進
む。

【０１０４】そして、このステップＳ３０６の照度分布
補正において、得られた被写体像信号の不均一補正を行
う。これは前述の再結像光学系によるＡＦセンサ面上で
の照度不均一や光電変換素子列のフォトダイオードＰ
Ｄ、蓄積コンデンサ等のバラツキによって生ずる感度バ
ラツキを補正するためである。均一光源に対する各素子
のセンサデータＤ(I) により計算した補正係数を各素子
毎に予めＥＥＰＲＯＭ３に記憶させており、被写体像信
号検出毎に上記補正係数を読み出して、各素子毎に補正
計算を行う。この補正係数は次のようにして求められ
る。即ち均一光源に対する光電変換素子出力Ｄo(I)とす
ると、個々の素子の蓄積時間Ｔ(I) は前述の（１）式よ
り次式で示される。

【０１０５】

【数１１】

【０１０６】ここで，Ｔo は光電変換素子列中で最も入
射光量が大きい光電変換素子の蓄積時間である。理想的
には均一光源に対しては全素子の蓄積時間がＴo となる
はずだが、実際には前述の要因でバラツキが生ずる。補
正方法として各蓄積時間Ｔ(I) をＴo に一致するような
補正係数を求める。さらに、補正係数をＨ(I) は式（１
１）を用いて次式のようになる。

【０１０７】

【数１２】そして、被写体像信号検出によって得られた
補正前のセンサデータＤ(I) 、上 記補正係数Ｈ(I) を用いての補正後センサデータＤ′
(I) とすると、

【０１０８】

【数１３】 となる。

【０１０９】この補正係数Ｈ(I) はＥＥＰＲＯＭ３に記
憶し易い形に変形する必要がある。ＥＥＰＲＯＭ３の記
憶容量は限られているので、この範囲内で有効に補正係
数を記憶するために前記補正係数Ｈ(I) を定数ＡS ，Ｂ
S により次式のように変形して圧縮する。

【０１１０】

【数１４】

【０１１１】以下、実際に１例として定数を決定してみ
ると再結像光学系等によるＡＦセンサ面上での照度バラ
ツキや光電変換素子列を含むＡＦセンサの感度バラツキ
等のバラツキをたとえば±１５％と仮定すると補正係数
Ｈ(I) の範囲は以下のようになる。 １ ≦ Ｈ(I) ≦ １．１５ 一方、ＥＥＰＲＯＭ３の記憶容量の制限により変形補正
係数Ｈ′(I) を、例えば４ビットにおさめるためには定
数ＡS ，ＢS ＝１０４とすればよい。この場合、

【０１１２】

【数１５】 となり、以下の範囲とすることができる。 ０ ≦ Ｈ′(I) ≦ １５．６ さらに、上記（１３）式を用いて上記（１２）式よりＨ
(I) を消去すると、補正後のセンサデータＤ′(I) は次
式で示される。

【０１１３】

【数１６】 ここで、Ｄ′(I) ＜０にならないように定数ＣS を加算
する。例えば、ＣS ＝４０として、

【０１１４】

【数１７】

【０１１５】以上より（１３）式が補正係数Ｈ′(I) 計
算式、（１５）式が照度分布補正式である。尚、光電変
換素子列中で入射光量が小さいためセンサデータＤ(I)
が量子化のリミット２５５になっているものは、入射光
量を正しく光電変換していないので照度分布補正を行な
わない。

【０１１６】次に図１０のステップＳ３０７では、サブ
ルーチン“相関演算”を実行し、２つの被写体像で相関
演算を行い２像の間隔を検出する。ここでは、第１の被
写体像をＬ像とし、第１の被写体像信号をＬ(I) とす
る。また、第２の被写体像をＲ像とし、第２の被写体像
信号をＲ(I) とする。そして、Ｉは素子番号で本実施例
では配置順に１，２，３，…，６４とする。即ち、各素
子列９２Ｌ，９２Ｒは各６４ケの素子を持っているもの
とする。

【０１１７】以下、図２４のフローチャートを参照し
て、図１０のステップＳ３０７で実行されるサブルーチ
ン“相関演算”のシーケンスについて説明する。先ず変
数ＳＬ，ＳＲ，Ｊに初期値として、それぞれ“５”，
“３７”，“８”をセット（ステップＳ１００１，Ｓ１
００２）する。このＳＬは被写体像信号Ｌ(I) のうちか
ら相関検出する小ブロック素子列の先頭番号を記憶する
変数であり、ＳＲは被写体像信号Ｒ(I) のうちから相関
検出する小ブロック素子列の先頭番号を記憶する変数で
あり、Ｊは被写体像信号Ｌ(I) での小ブロックの移動回
数をカウントする変数である。そして、相関出力Ｆ(S)
を次式により計算する（ステップＳ１００３）。

【０１１８】

【数１８】

【０１１９】この場合、小ブロックの素子数は２７であ
る。小ブロックの素子数はファインダに表示された測距
枠の大きさと検出光学系の倍率によって定まる。続い
て、相関出力Ｆ(S) の最小値を検出する。即ち、Ｆ(S)
をＦmin と比較しもしＦ(S) かＦmin より小さければＦ
min にＦ(S) を代入し、その時のＳＬ，ＳＲをＳＬＭ，
ＳＲＭとして記憶する（ステップＳ１００４，Ｓ１００
５）。

【０１２０】さらに、ＳＲをデクリメントし、Ｊをデク
リメントする（ステップＳ１００６）。Ｊが“０”でな
ければ相関演算を繰り返す（ステップＳ１００７）。即
ち、像Ｌでの小ブロック位置を固定し、像Ｒでの小ブロ
ック位置を１素子づつずらせながら相関をとる。そし
て、Ｊが“０”になると。次にＳＬに４を加算してＳＲ
に３を加算して相関演算を続ける（ステップＳ１００
８）。即ち、像Ｌでの小ブロック位置を４素子づつずら
せながら相関演算を繰り返す。ＳＬの値が２９になると
相関演算を終了する（ステップＳ１００９）。以上によ
り、効率的に相関演算を行い、相関出力の最小値を検出
することができる。この相関出力の最小値を示す小ブロ
ックの位置が最も相関性の高い像信号の位置関係を示し
ている。そして、検出した最も相関性の高いブロック像
信号について相関性の判定を行うために次式で示す相関
出力ＦＭ，ＦＰを計算する（ステップＳ１０１０）。

【０１２１】

【数１９】

【０１２２】即ち、被写体像Ｒについて最小の相関出力
を示す小ブロック位置に対して±１素子だけずらせた時
の相関出力を計算する。このときＦＭ，Ｆmin ，ＦＰは
図２５（ａ），（ｂ）のような関係になる。尚、図２５
（ａ），（ｂ）の横軸は光電変換素子の位置であり、縦
軸は相関出力を示している。相関出力Ｆ(S) は点ＺＲに
おいて“０”になる。これに対して相関性の低い場合は
“０”にならない。

【０１２３】続いて、相関性の判定をするために、次式
に示す相関性指数ＳＫとＦＳを求める（ステップＳ１０
１１）。 ＦＭ≧ＦＰのとき ＳＫ＝（ＦＰ＋Ｆmin ）／（ＦＭ−Ｆmin ） …（２１） ＦＳ＝ＦＭ−Ｆmin …（２２） ＦＭ＜ＦＰのとき ＳＫ＝（ＦＭ＋Ｆmin ）／（ＦＰ−Ｆmin ） …（２３） ＦＳ＝ＦＰ−Ｆmin …（２４） 相関性指数ＳＫは、相関性の高い場合はＳＫ＝１とな
り、相関性の低い場合はＳＫ＞１となる。従って相関性
指数ＳＫの値により検出する像ずれ量が信頼性があるか
否か判定することができる。また、相関性指数ＦＳは、
最も相関性の高い小ブロック像信号のコントラストに相
当するので大きい値ほどコントラストが高いことを示
す。

【０１２４】次に図１０のステップＳ３０８では相関性
の判定を行なうために上記相関性指数ＳＫ，ＦＳを用い
る。ところで、相関性指数ＳＫは実際には光学系のバラ
ツキや光電変換素子のノイズ、変換誤差等により第１，
第２被写体像は完全に一致することはないので相関性指
数ＳＫは“１”にはならない。従って、所定の判定値α
を用いて判定する。また、相関性指数ＦＳについては所
定の判定値βを用いる。即ち、ＳＫ≦αかつＦＳ≧βの
場合だけ相関性ありと判断し、ＳＫ＞αまたはＦＳ＜β
の場合は相関性なしと判断してＡＦ検出不能と判定し検
出不能フラグをセットする。これらの判定値α，βは製
品個々によってバラツキがあり、また撮影モードやＡＦ
動作モードによって異なる判定値を用いるのでＥＥＰＲ
ＯＭ３にそれぞれ記憶している。そして、このステップ
Ｓ３０８で相関性ありの場合はＳ３０９において像ズレ
量の計算を行う。

【０１２５】ここで、第１，第２の被写体像の間隔ＺＲ
は図２５（ａ）のＳ_o であるから、 ＦＭ≧ＦＰのとき ＺＲ＝ＳＲＭ−ＳＬＭ＋（ＦＭ−ＦＰ）／｛（ＦＭ−Ｆmin ）・２｝ …（２５） ＦＭ＜ＦＰのとき ＺＲ＝ＳＲＭ−ＳＬＭ＋（ＦＰ−ＦＭ）／｛（ＦＰ−Ｆmin ）・２｝ …（２６） である。

【０１２６】次に、合焦からの像ズレ量ΔＺＲは次式で
示される。 ΔＺＲ＝ＺＲ−ＺＲ0 …（２７） 但し、ＺＲ０は合焦時の被写体像間隔であり、カメラ毎
にＥＥＰＲＯＭ３に記憶されている。

【０１２７】次に、図１０のステップＳ３１０におい
て，この像ズレ量ΔＺＲをデフォーカス量ΔＤＦに変換
する。光軸上のフィルム面に対する結像位置のズレ量、
即ちデフォーカス量ΔＤＦは次式で求めることができ
る。 ΔＤＦ＝ＢD ／（ＡD −ΔＺＲ）−ＣD …（２８） 但し、ＡD ，ＢD ，ＣD はＡＦ光学系によって決まる定
数である。これについては特開昭６２−１００７１８号
公報により開示されている。

【０１２８】次に、図１０のステップＳ３１１において
は収差補正を行う。即ち、撮影レンズ２８の球面収差の
影響で焦点距離、フォーカシングの繰り出し位置に応じ
て、ＡＦ光学系の合焦点位置がずれるためこれを補正す
る。この補正値は撮影レンズ２８の焦点距離と被写体距
離に応じてＥＥＰＲＯＭ３に記憶されている補正値を用
いて補正を行う。

【０１２９】続いて、図１０のステップＳ３１２におい
ては、露出時のピントズレを補正するレリーズピントズ
レ補正処理を行う。これは撮影絞り込み動作時に結像位
置がずれるのを予測して補正すするものであり、詳細は
特開平４−３０６６９公報に開示されているのでここで
の説明は省略する。

【０１３０】続いて、図１０のステップＳ３１３におい
ては、検出したデフォーカス量ΔＤＦが合焦許容範囲内
に入っているか判定する。合焦許容範囲は被写界深度即
ち撮影時の絞り値や撮影レンズの焦点距離によって決定
される。低コントラスト被写体や低輝度被写体、補助光
照射時や撮影レンズの焦点距離が長い場合は検出デフォ
ーカス量の変動が大きいため、合焦許容範囲を拡大して
ＡＦ動作の安定化をはかる。合焦許容範囲内に入ってい
る場合はステップＳ３１５において合焦フラグをセット
してリターンする。合焦許容範囲外の場合はステップＳ
３１４でレンズ駆動パルス量計算を行う。

【０１３１】尚、検出したデフォーカス量ΔＤＦを光軸
方向のレンズ絞り出し量ΔＬＫに変換する方法は、従来
より種々の提案がなされているので、ここでは詳細な説
明は省略する。例えば特開昭６４−５４４０９公報に開
示されているものでは、次式で求めている。 ΔＬＫ＝Ａa −（Ａa ×Ｂa ）／（Ａa ＋ΔＤＦ）＋Ｃa ×ΔＤＦ …（２９） ここで、Ａa ，Ｂa ，Ｃa は焦点距離ごとに記憶してい
る定数である。

【０１３２】撮影レンズ２８のフォーカシングレンズは
ＬＤＭ１３よりギア列を介して駆動され、フォーカシン
グレンズの移動量はＬＤＰＩ１６によりＡＦＰＩパルス
としてＩＦＩＣ７に入力される。従って、光軸方向のレ
ンズ繰り出し量ΔＬＫに単位繰り出し量当りのＡＦＰＩ
パルス数Ｋをかけてレンズ駆動パルス量ＤＰを求めると
次式で示される。 ＤＰ＝Ｋ×ΔＬＫ …（３０） 尚、（２７）式の像ズレ量ΔＺＲ、（２８）式のデフォ
ーカス量ΔＤＦは、いずれも符号付の値である。そし
て、正の場合は後ピン（フィルム面の後側に結像）でレ
ンズを繰り出す方向を示し、負の場合は前ピン（フィル
ム面の前側に結像）でレンズを繰り込む方向を示す。

【０１３３】続いて、図１０のステップＳ３０８で相関
性なしの場合は、ステップＳ３１６において補助光モー
ドフラグを参照し、今回のＡＦセンサ積分時補助光照射
を行ったか否かをチェックする。補助光オフの場合はス
テップＳ３１９において非合焦フラグをセットしてサブ
ルーチン“ＡＦ測距”のシーケンスを終了する。

【０１３４】一方、補助光“オン”の場合には、ステッ
プＳ３１７に移行し、サブルーチン“補助光光量増加”
のシーケンスを実行する。以下、図２６のフローチャー
トを参照して、図１１のステップＳ３１７において実行
されるサブルーチン“補助光光量増加”のシーケンスに
ついて説明する。

【０１３５】まず、積分リミットフラグを参照し、積分
時間ＴE が積分リミット時間ＴL を越えたかを判定する
（ステップＳ１１０１）。ここで、積分リミットの場合
は補助光光量の不足によって適正な被写体像データが得
られず、相関性が得られなかった可能性が高い。この場
合、補助光光量ＡＧＮＯに所定数Ｌを加算して新たにＡ
ＧＮＯとする（ステップＳ１１０２）。これは、次回の
補助光モードセンサ積分時に増加した補助光光量を照射
してより適正な被写体像データを得るためである。更
に、新たなＡＧＮＯが制御範囲内であるか否かを判定す
る（ステップＳ１１０３）。そして、ＡＧＮＯ＞１２で
ある場合には、図２０に示す制御範囲を越えているの
で、ステップＳ１１０４において検出不能フラグをセッ
トしてリターンする（ステップＳ１１０５）。このよう
な場合は、「被写体が遠距離に位置する」、「反射率が
低い」、「非常に低輝度である」といった状況である。
これに対してＡＧＮＯ≦１２の場合は制御範囲内なので
直にリターンする。

【０１３６】上記ステップＳ１１０１において、積分リ
ミットではない場合は補助光光量を増加させても改善さ
れる可能性が低いので、ステップＳ１１０４において検
出不能フラグをセットしてリターンする（ステップＳ１
１０５）。

【０１３７】本実施例では、積分リミットか否かの判定
で補助光照射光量の不足を判別している。しかし、積分
時間ＴE （光電変換素子列中の最も受光光量が小さい素
子の蓄積時間）の代りにＴOR信号（光電変換素子列中の
最も受光光量が大きい素子の蓄積時間）を用いて判別し
ても有効である。また、前述の測光値Ｅを用いて判定し
てもよい。或いは積分時間ＴE ，ＴOR，測光値Ｅの組合
わせで判別するとより効果的な制御が可能である。

【０１３８】次に図１０のステップＳ３１８において検
出不能フラグを参照する。そして、検出不能の場合はス
テップＳ３１９で非合焦フラグをセットしリターンす
る。これに対して検出不能でない場合は、そのままリタ
ーンし、メインフロー中で再度ＡＦ測距をコールする。
そして、図１０のＡＦ測距の結果に基づいて撮影レンズ
１０１の駆動が行なわれる。

【０１３９】以下、図２７のフローチャートを参照し
て、図８のステップＳ１０９で実行されるサブルーチン
“レンズ駆動”のシーケンスについて説明する。先ずＡ
Ｆ測距処理で計算されたレンズ駆動パルス数が所定値よ
り大きいかを判定する（ステップＳ１２０１）。この所
定の判定値には１回のレンズ駆動で必ず合焦範囲内にレ
ンズ駆動をすることができるレンズ駆動パルス数を用い
る。ここでは例えば４００パルスとしている。

【０１４０】そして、レンズ駆動パルス数が４００パル
スより小さい場合はステップＳ１２０２に進み、バック
ラッシュ駆動が既に終了しているかフラグにより判別
し、未だバックラッシュ駆動が終了していない場合はス
テップＳ１２０３に進み、レンズ駆動方向が前回と反転
しているか否か判定する。そして、前回のレンズ駆動方
向と比較して同一方向であれば、ステップＳ１２０４で
ＡＦ測距結果のレンズ駆動パルス数に基づいてレンズ駆
動を実行する。さらに、ステップＳ１２０５において合
焦フラグを設定してリターンする。前述のように１回の
レンズ駆動で必ず合焦する駆動パルス数であり、且つレ
ンズ駆動方向は前回と同一なのでバックラッシュは存在
しないので再度ＡＦ測距することなく合焦とする。

【０１４１】続いて、ステップＳ１２０２に戻ってバッ
クラッシュ駆動済フラグを参照してバックラッシュ駆動
済か判定する。そして、バックラッシュ済の場合はステ
ップＳ１２０４に進みレンズ駆動、ステップＳ１２０５
で合焦フラグセットを行ってリターンする。そして、ス
テップＳ１２０３に戻ってレンズ駆動方向が前回に対し
て反転方向であった場合はステップＳ１２０６に進みバ
ックラッシュ量の計算を行う。このバックラッシュ量は
撮影レンズの焦点距離や駆動方向によって変化するの
で、それらに応じた計算をする。

【０１４２】続いて、ステップＳ１２０７では、計算さ
れたバックラッシュ量に基づいてバックラッシュ量に相
当するレンズ駆動パルス数だけレンズ駆動を行う。そし
て、ステップＳ１２０８ではバックラッシュ駆動済フラ
グのセットを行ってリターンする。この場合はメインフ
ロー上で再びＡＦ測距処理、レンズ駆動処理が行なわれ
る。

【０１４３】次に、ステップＳ１２０１に戻りＡＦ測距
で計算されたレンズ駆動パルス数が４００パルス以上の
場合はステップＳ１２０９に進み、上記レンズ駆動パル
スより所定値を減算して新たにレンズ駆動パルスとす
る。この所定値はレンズ駆動パルスで合焦点より手前の
位置を示す補正値であり、ここでは、例えば２００パル
スとしている。

【０１４４】そして、ステップＳ１２１０においては上
記補正されたレンズ駆動パルスに基づいてレンズ駆動を
行う。このレンズ駆動では、バックラッシュがあったと
してもそれは除去された状態になる。さらに、ステップ
Ｓ１２１１では、バックラッシュ駆動済フラグをセット
してリターンする。これにより、レンズはほぼ合焦点の
手前、駆動パルス数で２００パルスの位置にあるのでメ
インフロー中で再びＡＦ測距、レンズ駆動処理がコール
されて合焦となる。

【０１４５】また、上記補正値はカメラの図示しないフ
ァインダの表示に関係するＡＦ動作のスピード感を感じ
させるように設定されている。例えばデフォーカス量の
大きい状態からＡＦ測距、レンズ駆動処理を２回繰り返
して合焦させる場合を考える。１回目のレンズ駆動の停
止位置が比較的合焦点に近い場合、例えば手前５０パル
スではファインダではほぼ合焦状態となるが、手前２０
０パルスでは、まだピントがぼけた状態である。この状
態から２回目のレンズ駆動を実行するといずれの場合も
合焦するが後者のファインダでピンボケから合焦となっ
た方がよりスピード感が得られるわけである。従って、
上記フィンダの見えは撮影レンズの焦点距離によって大
きく変化するので、これに応じて補正値を変更してい
る。

【０１４６】以上、本発明を適用したカメラにおいて実
行されるサブルーチン“ファーストレリーズ”のシーケ
ンスについて説明したが、次に、図２８のフローチャー
トを参照して、本発明を適用したカメラにおいて実行さ
れるサブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスに
ついて説明する。

【０１４７】セカンドレリーズＲ２ＳＷが押され本サブ
ルーチンに入ると、Ｇ−ＯＮ端子をハイレベル“Ｈ”と
し電源供給制御回路５６を“オン”させ、ＩＧＢＴ１の
ゲート端子に電荷を供給する（ステップＳ１３０１）。
そして、サブルーチン“赤目発光”を実行する（ステッ
プＳ１３０２）。

【０１４８】このストロボ回路１６によるサブルーチン
“赤目軽減発光”のシーケンスについては、図２９のフ
ローチャートに示す通りである。即ち、本サブルーチン
は、先に述べたサブルーチン“補助光照射”のシーケン
スとステップＳ１４０１の発光回数や、ステップＳ１４
０４のインターバルの時間が多少異なる以外動作は同じ
であり、ステップ１４０３での発光光量も予め設定され
ている。

【０１４９】続いてミラーアップを行ない（ステップＳ
１３０３）、ストロボの発光が必要な場合はステップＳ
１３０５に進みストロボの発光が不用な場合はステップ
Ｓ１３０８に進む（ステップＳ１３０４）。続いて、前
述したサブルーチン“プリ充電”を実行する（ステップ
Ｓ１３０５）。そして、ステップＳ１３０５が終了する
と、先幕をスタートさせ（ステップＳ１３０６）、この
先幕が終了すると前述したサブルーチン“発光”を実行
する（ステップＳ１３０７）。

【０１５０】一方、上記ステップＳ１３０４においてス
トロボ発光が不要となった時は、先幕をスタートさせた
後（ステップＳ１３０８）、ステップＳ１３０９に進
む。そして、後幕をスタートさせ露光を終了し（ステッ
プＳ１３０９）、ミラーをダウンさせ（ステップＳ１３
１０）、シャッタをチャージして初期状態とし（ステッ
プＳ１３１１）、フィルムを巻き上げ（ステップＳ１３
１２）、Ｇ−ＯＮ端子に“Ｌ”信号を入力し（ステップ
Ｓ１３１３）、ＩＧＢＴ１のゲートへの電力の供給を禁
止し撮影を終了する（ステップＳ１３１４）。

【０１５１】以上詳述したように、本発明ではメインコ
ンデンサの充電電圧によらず所望の発光ガイドナンバで
予備照明を行うため、レリーズタイムラグを低減するこ
とができる。

【０１５２】

【発明の効果】本発明によれば、被写体の反射輝度に基
づいて予備照射の発光光量を可変自在とし、被写体距離
によらず良好なコントラスト出力を得ることと、連続し
て発光する場合の著しいレリーズタイムラグを防ぐこ
と、及びメインコンデンサの充電電圧によらず所望のガ
イドナンバで発光することを可能とした焦点検出用予備
照射装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る焦点検出用予備照射装
置の制御系の構成を示す図である。

【図２】ＡＦＩＣ２の詳細な構成を示す図である。

【図３】ＡＦＩＣ２におけるセンサ回路ＳＣの詳細な構
成を示す図である。

【図４】ＡＦＩＣ２の動作を説明するためのタイムチャ
ートである。

【図５】ＡＦＩＣ２の動作を説明するためのタイムチャ
ートである。

【図６】ストロボ回路６の詳細な構成を示す図である。

【図７】ストロボ回路６の更に詳細な構成を示す図であ
る。

【図８】本発明を適用したカメラにより実行されるサブ
ルーチン“ファーストレリーズ”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。

【図９】図８のステップＳ１０２で実行されるサブルー
チン“充電電圧チェック”のシーケンスを示すフローチ
ャートである。

【図１０】図８のステップＳ１０３で実行されるサブル
ーチン“ＡＦ測距”のシーケンスを示すフローチャート
である。

【図１１】光電変換素子列２４Ｒ，２４Ｌ上に被写体像
を結像させるためのＡＦ光学系２７の構成を示す図であ
る。

【図１２】図１０のステップＳ３００で実行されるサブ
ルーチン“ＡＦセンサ積分”のシーケンスを示すフロー
チャートである。

【図１３】図１２のステップＳ４０６で実行されるスト
ロボ回路６によるサブルーチン“補助光照射”のシーケ
ンスを示すフローチャートである。

【図１４】図１３のステップＳ５０２で実行されるサブ
ルーチン“発光補正”のシーケンスを示すフローチャー
トである。

【図１５】図１３のステップＳ５０２で実行されるサブ
ルーチン“発光補正”の改良例のシーケンスを示すフロ
ーチャートである。

【図１６】充電Ａ／Ｄ値によって発光時間を選択するテ
ーブルを示す図である。

【図１７】図１３のステップＳ５０３で実行されるサブ
ルーチン“プリ充電”のシーケンスを示すフローチャー
トである。

【図１８】図１３のステップＳ５０４で実行されるサブ
ルーチン“発光”のシーケンスを示すフローチャートで
ある。

【図１９】図１０のステップＳ３０３で実行されるサブ
ルーチン“補助光判定”のシーケンスを示すフローチャ
ートである。

【図２０】補助光投光しながらの積分時の蓄積時間ＴS
と蓄積電圧ＶS の関係を示す図である。

【図２１】蓄積判定電圧Ｖ3 を変化させた場合の光電変
換素子Ｂ，ＣのセンサデータＤSの変化を定常光モード
時のセンサデータＤS を基準として、それからの差分を
示した図である。

【図２２】図１９のステップＳ８０４で実行されるサブ
ルーチン“ＡＧＮＯの初期設定”のシーケンスを示すフ
ローチャートである。

【図２３】補助光光量ＡＧＮＯの番号（１〜１２）とＡ
ＧＮＯのＧＮＯ値の表を示す図である。

【図２４】図１０のステップＳ３０７で実行されるサブ
ルーチン“相関演算”のシーケンスを示すフローチャー
トである。

【図２５】光電変換素子の位置と相関出力値との関係を
示す図である。

【図２６】図１０のステップＳ３１７において実行され
るサブルーチン“補助光光量増加”のシーケンスを示す
フローチャートである。

【図２７】図８のステップＳ１０９で実行されるサブル
ーチン“レンズ駆動”のシーケンスを示すフローチャー
トである。

【図２８】本発明を適用したカメラにおいて実行される
サブルーチン“セカンドレリーズ”のシーケンスを示す
フローチャートである。

【図２９】図２８のステップＳ１３０２で実行されるサ
ブルーチン“赤目軽減発光”のシーケンスを示すフロー
チャートである。

【符号の説明】

１…ＣＰＵ、２…ＡＦＩＣ、３…ＥＥＰＲＯＭ、４…液
晶表示パネル、５…データバッグ、６…ストロボユニッ
ト、７…ＩＦＩＣ、８，９…モータドライバＩＣ、１０
…ＡＶモータ、１１…ＡＶＰＩ、１２…シャッタチャー
ジモータ、１３…レンズ駆動用モータ、１４…ズーミン
グ用モータ、１５…ＳＣＰＩ、１６…ＬＤＰＩ、１７…
ＺＭＰＲ、１８…ＺＭＰＩ、１９…ファインダ内表示用
ＬＥＤ、２０…リモコン送信用ユニット、２１…投光用
ＬＥＤ、２２，２３…シリコンフォトダイオード、２４
Ｌ，２４Ｒ…フォトセンサアレイ、２５Ｌ，２５Ｒ…セ
パレータレンズ、２６…コンデンサレンズ、２７…ＡＦ
光学系、２８…撮影レンズ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１１月８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６５】このサブルーチン“発光補正”は図１４に
示されているように、サブルーチン“充電電圧チェッ
ク”で出力されたＡ／Ｄ値によって発光時間に補正をか
けるものである。つまり、充電Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ１よ
り小さいときは（ステップＳ５２０）、ＡＧＮＯを＃Ｎ
２だけシフトする（ステップＳ５２１）。そして、充電
Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ１より大きいとき（ステップＳ５２
０）、充電Ａ／Ｄ値を＃ＶＯＬ２と比較する（ステップ
Ｓ５２２）。そして、充電Ａ／Ｄ値が＃ＶＯＬ２より小
さいときはＡＧＮＯを＃Ｎ１だけシフトする（ステップ
Ｓ５２３）。ここで、充電Ａ／Ｄ値との比較値＃ＶＯＬ
１，ＶＯＬ２は＃ＶＯＬ２＞＃ＶＯＬ１の関係にある。
そして、このＡＧＮＯは図２３のテーブルに相当し、＃
Ｎ１，＃Ｎ２はテーブル上のシフト量に相当し、＃Ｎ２
＞＃Ｎ１の関係にある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 測定時に被写体を予備照射する閃光発光
   手段と、 上記閃光発光手段の予備照射時の発光を制御する発光制
   御手段と、 上記閃光発光手段の発光光量を設定する発光光量設定手
   段と、 上記被写体の光の光強度を判別する光強度判別手段と、 上記閃光発光手段の充電電圧を検出する検出手段と、を
   具備し、上記光強度判別手段の出力と上記充電電圧検出
   手段の出力とに応動して測定時における発光光量を可変
   自在としたことを特徴とする焦点検出用予備照射装置。