JP3460321B2 - 半導体ウェハのダイシングカット方法 - Google Patents
半導体ウェハのダイシングカット方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体シリコンウェハ
をダイシングカット用のブレードによりダイシングカッ
トして複数のチップに分割するようにした半導体ウェハ
のダイシングカット方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】半導体式力学量センサ（例えば、圧力セ
ンサや加速度センサ）には、その台座としてパイレック
スガラス等が用いられている。これは、センサの形成さ
れる半導体シリコウェハと比較的熱膨張係数が近いた
め、外部からの熱応力を遮断するするためである。この
ため、台座ガラスの厚さは数ｍｍ程度のものが用いられ
ている。 【０００３】また、半導体シリコンウェハと台座ガラス
との接合には陽極接合法が用いられるが、台座ガラスの
形状は半導体シリコンウェハの形状である円形に合わせ
て円形となっている。そして、この接合された半導体シ
リコンウェハ／台座ガラス構造は、ダイシングカットに
より、複数の力学量センサチップに分割される。図２
（ａ）に、この従来のものにおけるダイシングカット時
の模式図、（ｂ）にＢ−Ｂ’矢視図を示す。図におい
て、円形の台座ガラス２上に半導体シリコンウェハ１が
接合された状態で、ダイシングカット用のブレード４を
符号６で示す回転方向に回転させながら、回転軸５を符
号７で示す方向に移動させ、ダイシングカットを行う。
なお、符号３は、無効エリア（カッティング時のチッピ
ングを見込んだエリアで、電気的な特性に関係のないエ
リアである）を示しており、この無効エリアの部分でダ
イシングカットが行われる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】このような従来のダイ
シングカットにおいては、台座ガラス２が円形であるた
め、ダイシングカットの切り口がウェハ／ガラス構造の
面に対して垂直な直線にならず、斜めになってしまうと
いう問題がある。すなわち、台座ガラス２の端面にブレ
ード４が進入する際に、台座ガラス２が円形であるた
め、符号８で示すようにブレード４を曲げようとする反
力が生じ、これによって斜めカットが生じてしまう。 【０００５】このような斜めカットの状態を図２（ａ）
のＣ−Ｃ’断面である図２（ｃ）に示す。２０が斜めカ
ットされた部分である。この斜めカットされた部分は外
周部のみならず製品チップの部分にも生じる。すなわ
ち、切りはじめに斜めカットが入ると、製品チップのウ
ェハ中央部まで斜めカットが持続されてしまう。このよ
うに斜めカットが入ると、後工程での組付けに際してカ
ットされたチップのハンドリングや接着位置合わせ等で
誤差を生じてしまい、アッシー特性上問題となる。斜め
カットの防止に対しては、ブレード４の刃厚を厚くすれ
ば効果はあるが、それだけ半導体ウェハ１に占める無効
エリア３が大きくなり、チップコストが高くなってしま
うという問題が生じる。 【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、薄いダイシングカット用のブレードを用いても斜め
カットが生じないダイシングカット方法を提供すること
を目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、台座ガラス（１２）上に半導体シリコンウェ
ハ（１）を接合し、この接合された半導体シリコンウェ
ハ／台座ガラス構造を、ダイシングカット用のブレード
（４）によりダイシングカットして、前記半導体シリコ
ンウェハ／台座ガラス構造を複数のチップに分割するよ
うにした半導体ウェハのダイシングカット方法におい
て、前記台座ガラス（１２）として実質的に四角形状に
したものを用い、前記ブレード（４）を前記四角形状の
台座ガラス（１２）の端面に垂直に当てて前記ダイシン
グカットを行うことを特徴としている。 【０００８】なお、上記各手段のカッコ内の符号は、後
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。 【０００９】 【発明の作用効果】本発明によれば、台座ガラスの形状
を実質的に四角形状にし、ブレードを台座ガラスの端面
に垂直に当ててダイシングカットを行うようにしている
から、斜めカットの発生を気にすることなく薄いブレー
ドを用いてダイシングカットを行うことができ、ダイシ
ングに必要な無効エリアの幅を狭くすることができる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明を図に示す実施例について説明
する。図１は本発明の一実施例を示すもので、（ａ）
は、本実施例によるダイシングカット時の模式図、
（ｂ）はＡ−Ａ’矢視図である。図において、図２と同
一構成部分には同一符号を付してある。 【００１１】この図に示すように、本実施例において
は、半導体シリコンウェハ１が接合される台座ガラス１
２の形状を四角形にしている。従って、ブレード４を台
座ガラス１２の端面に垂直に当てることができ、図２に
示したような、反力８が生じないため、ブレード４の刃
厚を薄くしても斜めカットが生じないダイシングカット
を行うことができる。 【００１２】なお、このようなダイシングカットにおい
ては、半導体シリコンウェハと台座ガラスのカッティン
グを２枚のブレードによりそれぞれ別々に行うようにし
たものもあるが、そのような方法では工程数が増加して
しまうのに対し、本実施例では１枚のブレードによりカ
ッティングを行うようにしているため、工程数を少なく
することができ、しかも薄いブレードにより斜めカット
を防止したカッティングを行うことができる。 【００１３】なお、上記実施例では、台座ガラス１２の
形状を四角形としたが、その４つの角部が斜めにカット
されて八角形となっているようなものについても本発明
を適用することができる。従って、本発明に係る台座
は、ブレードが台座の端面に垂直に当たればよいため、
実質的に四角形状のものであればよい。
をダイシングカット用のブレードによりダイシングカッ
トして複数のチップに分割するようにした半導体ウェハ
のダイシングカット方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】半導体式力学量センサ（例えば、圧力セ
ンサや加速度センサ）には、その台座としてパイレック
スガラス等が用いられている。これは、センサの形成さ
れる半導体シリコウェハと比較的熱膨張係数が近いた
め、外部からの熱応力を遮断するするためである。この
ため、台座ガラスの厚さは数ｍｍ程度のものが用いられ
ている。 【０００３】また、半導体シリコンウェハと台座ガラス
との接合には陽極接合法が用いられるが、台座ガラスの
形状は半導体シリコンウェハの形状である円形に合わせ
て円形となっている。そして、この接合された半導体シ
リコンウェハ／台座ガラス構造は、ダイシングカットに
より、複数の力学量センサチップに分割される。図２
（ａ）に、この従来のものにおけるダイシングカット時
の模式図、（ｂ）にＢ−Ｂ’矢視図を示す。図におい
て、円形の台座ガラス２上に半導体シリコンウェハ１が
接合された状態で、ダイシングカット用のブレード４を
符号６で示す回転方向に回転させながら、回転軸５を符
号７で示す方向に移動させ、ダイシングカットを行う。
なお、符号３は、無効エリア（カッティング時のチッピ
ングを見込んだエリアで、電気的な特性に関係のないエ
リアである）を示しており、この無効エリアの部分でダ
イシングカットが行われる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】このような従来のダイ
シングカットにおいては、台座ガラス２が円形であるた
め、ダイシングカットの切り口がウェハ／ガラス構造の
面に対して垂直な直線にならず、斜めになってしまうと
いう問題がある。すなわち、台座ガラス２の端面にブレ
ード４が進入する際に、台座ガラス２が円形であるた
め、符号８で示すようにブレード４を曲げようとする反
力が生じ、これによって斜めカットが生じてしまう。 【０００５】このような斜めカットの状態を図２（ａ）
のＣ−Ｃ’断面である図２（ｃ）に示す。２０が斜めカ
ットされた部分である。この斜めカットされた部分は外
周部のみならず製品チップの部分にも生じる。すなわ
ち、切りはじめに斜めカットが入ると、製品チップのウ
ェハ中央部まで斜めカットが持続されてしまう。このよ
うに斜めカットが入ると、後工程での組付けに際してカ
ットされたチップのハンドリングや接着位置合わせ等で
誤差を生じてしまい、アッシー特性上問題となる。斜め
カットの防止に対しては、ブレード４の刃厚を厚くすれ
ば効果はあるが、それだけ半導体ウェハ１に占める無効
エリア３が大きくなり、チップコストが高くなってしま
うという問題が生じる。 【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、薄いダイシングカット用のブレードを用いても斜め
カットが生じないダイシングカット方法を提供すること
を目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、台座ガラス（１２）上に半導体シリコンウェ
ハ（１）を接合し、この接合された半導体シリコンウェ
ハ／台座ガラス構造を、ダイシングカット用のブレード
（４）によりダイシングカットして、前記半導体シリコ
ンウェハ／台座ガラス構造を複数のチップに分割するよ
うにした半導体ウェハのダイシングカット方法におい
て、前記台座ガラス（１２）として実質的に四角形状に
したものを用い、前記ブレード（４）を前記四角形状の
台座ガラス（１２）の端面に垂直に当てて前記ダイシン
グカットを行うことを特徴としている。 【０００８】なお、上記各手段のカッコ内の符号は、後
述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。 【０００９】 【発明の作用効果】本発明によれば、台座ガラスの形状
を実質的に四角形状にし、ブレードを台座ガラスの端面
に垂直に当ててダイシングカットを行うようにしている
から、斜めカットの発生を気にすることなく薄いブレー
ドを用いてダイシングカットを行うことができ、ダイシ
ングに必要な無効エリアの幅を狭くすることができる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明を図に示す実施例について説明
する。図１は本発明の一実施例を示すもので、（ａ）
は、本実施例によるダイシングカット時の模式図、
（ｂ）はＡ−Ａ’矢視図である。図において、図２と同
一構成部分には同一符号を付してある。 【００１１】この図に示すように、本実施例において
は、半導体シリコンウェハ１が接合される台座ガラス１
２の形状を四角形にしている。従って、ブレード４を台
座ガラス１２の端面に垂直に当てることができ、図２に
示したような、反力８が生じないため、ブレード４の刃
厚を薄くしても斜めカットが生じないダイシングカット
を行うことができる。 【００１２】なお、このようなダイシングカットにおい
ては、半導体シリコンウェハと台座ガラスのカッティン
グを２枚のブレードによりそれぞれ別々に行うようにし
たものもあるが、そのような方法では工程数が増加して
しまうのに対し、本実施例では１枚のブレードによりカ
ッティングを行うようにしているため、工程数を少なく
することができ、しかも薄いブレードにより斜めカット
を防止したカッティングを行うことができる。 【００１３】なお、上記実施例では、台座ガラス１２の
形状を四角形としたが、その４つの角部が斜めにカット
されて八角形となっているようなものについても本発明
を適用することができる。従って、本発明に係る台座
は、ブレードが台座の端面に垂直に当たればよいため、
実質的に四角形状のものであればよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すもので、（ａ）はダイ
シングカット時の模式図、（ｂ）はＡ−Ａ’矢視図であ
る。 【図２】従来のダイシングカット方法を示すもので、
（ａ）はダイシングカット時の模式図、（ｂ）はＢ−
Ｂ’矢視図、（ｃ）はＣ−Ｃ’断面図である。 【符号の説明】 １ 半導体シリコンウェハ ３ 無効エリア ４ ダイシングカット用のブレード １２ 台座ガラス
シングカット時の模式図、（ｂ）はＡ−Ａ’矢視図であ
る。 【図２】従来のダイシングカット方法を示すもので、
（ａ）はダイシングカット時の模式図、（ｂ）はＢ−
Ｂ’矢視図、（ｃ）はＣ−Ｃ’断面図である。 【符号の説明】 １ 半導体シリコンウェハ ３ 無効エリア ４ ダイシングカット用のブレード １２ 台座ガラス
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/301
B24B 27/06
B28D 5/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 台座ガラス上に半導体シリコンウェハを
接合し、この接合された半導体シリコンウェハ／台座ガ
ラス構造を、ダイシングカット用のブレードによりダイ
シングカットして、前記半導体シリコンウェハ／台座ガ
ラス構造を複数のチップに分割するようにした半導体ウ
ェハのダイシングカット方法において、 前記台座ガラスとして実質的に四角形状にしたものを用
い、前記ブレードを前記四角形状の台座ガラスの端面に
垂直に当てて前記ダイシングカットを行うことを特徴と
する半導体ウェハのダイシングカット方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20565394A JP3460321B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体ウェハのダイシングカット方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20565394A JP3460321B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体ウェハのダイシングカット方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869984A JPH0869984A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3460321B2 true JP3460321B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=16510461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20565394A Expired - Fee Related JP3460321B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体ウェハのダイシングカット方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3460321B2 (ja) |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20565394A patent/JP3460321B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0869984A (ja) | 1996-03-12 |
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