JP3647802B2 - 横型半導体装置 - Google Patents
横型半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3647802B2 JP3647802B2 JP2001381449A JP2001381449A JP3647802B2 JP 3647802 B2 JP3647802 B2 JP 3647802B2 JP 2001381449 A JP2001381449 A JP 2001381449A JP 2001381449 A JP2001381449 A JP 2001381449A JP 3647802 B2 JP3647802 B2 JP 3647802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- layer
- buffer layer
- base layer
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/124—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of semiconductor bodies or of junctions between the regions
- H10D62/126—Top-view geometrical layouts of the regions or the junctions
- H10D62/127—Top-view geometrical layouts of the regions or the junctions of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/421—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT] on insulating layers or insulating substrates, e.g. thin-film IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/441—Vertical IGBTs
- H10D12/461—Vertical IGBTs having non-planar surfaces, e.g. having trenches, recesses or pillars in the surfaces of the emitter, base or collector regions
- H10D12/481—Vertical IGBTs having non-planar surfaces, e.g. having trenches, recesses or pillars in the surfaces of the emitter, base or collector regions having gate structures on slanted surfaces, on vertical surfaces, or in grooves, e.g. trench gate IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
- H10D62/142—Anode regions of thyristors or collector regions of gated bipolar-mode devices
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、横型半導体装置、特に横型絶縁ゲートトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：以下、単にＩＧＢＴと称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁ゲート型の高耐圧半導体装置としてのＩＧＢＴは、電圧制御であるためにゲート回路が構成しやすく、インバータやスイッチング電源等のパワーエレクトロニクス分野で広く利用されている。特に、ＩＧＢＴは、ＭＯＳＦＥＴの高速スイッチング特性とバイポーラトランジスタの高出力特性とを兼ね備えたパワーデバイスである。また、高集積化に有利な横型ＩＧＢＴは、パワーＩＣの出力デバイスとしてよく用いられる。出力デバイスを複数備えたパワーＩＣは、誘電体分離に有利なＳＯＩ(Semiconductor On Insulator)基板を用いて作られることが多い。
【０００３】
この種の従来の横型ＩＧＢＴについて、図２４及び図２５を用いて説明する。図２４は、そのＩＧＢＴの平面図、図２５は、図２４のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。
【０００４】
ＳＯＩ基板１１０１は、支持基板１１０２と、埋め込み酸化膜１１０３と、ｎ-型ベース層１１０４とを有している。ｎ-型ベース層１１０４の表面内には、ｎ型バッファ層１１０５が選択的に拡散形成され、且つｎ型バッファ層１１０５は、両端部が外方に円弧状に突出したストライプ形状を有している。ｎ型バッファ層１１０５表面には、ｐ型ドレイン層１１０６が選択的に拡散形成され、ｐ型ドレイン層１１０６は、ｎ型バッファ層１１０５と相似形状を有している。
【０００５】
ｎ-型ベース層１１０４表面内には、ｐ型ベース層１１０７がｎ型バッファ層１１０５を取り囲むように選択的に拡散形成され、ｐ型ベース層１１０７は、内周面がｎ型バッファ層１１０５と相似形状を有している。ｐ型ドレイン層１１０６の両側のｐ型ベース層１１０７部分には、ストライプ状のｎ+型ソース層１１０８が選択的に拡散形成され、ｎ+型ソース層１１０８は、ｐ型ドレイン層１１０６の直線部分と略同じ長さに形成されている。
【０００６】
そして、ｎ-型ベース層１１０４とｎ+型ソース層１１０７とに挟まれたｐ型ベース層１１０７上には、ゲート絶縁膜１１０９を介してゲート電極１１１０が形成されている。ゲート電極１１１０は、ｎ型バッファ層１１０５を取り囲むように環状構造に形成され、内周面がｎ型バッファ層１１０５の外周面と相似形状を有している。さらに、ゲート電極の一部に、外部に電極を取り出すためのゲート配線１１１３が設けられている。
【０００７】
また、ゲート電極１１１０及びｎ−型ベース層１１０４の露出表面上には、絶縁膜１１１１が形成されている。絶縁膜１１１１上には、ドレイン配線１１１２及びソース配線１１１４がそれぞれ形成されている。絶縁膜１１１１には、所定の位置にコンタクトホール１１１５がそれぞれ形成され、これらのコンタクトホール１１１５を介して、ドレイン配線１１１２は、ｐ型ドレイン層１１０６にオーミック接触し、ソース配線１１１４は、ｐ型ベース層１１０７及びｎ+型ソース層１１０８にオーミック接触している。
【０００８】
このような横型ＩＧＢＴにおいて、高い降伏電圧特性を得るためには、ｎ型バッファ層１１０５の両端部における円弧状の曲率Ｒをある程度大きくしておく必要があり、このためには、ｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくしておく必要がある。ｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくすると、ｐ型ドレイン層１１０６幅も大きくなり、必然的にｐ型ドレイン層１１０６の面積は大きくなる。
【０００９】
しかし、発明者の実験からｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくすることにより、ｐ型ドレイン層１１０６の面積が大きくなるとと、ＩＧＢＴのオン電圧が高くなることが分かった。図２６は、ｐ型ドレイン層の面積とＩＧＢＴのオン電圧の関係を示す図である。図２６から分かるように、従来のＩＧＢＴでは、高い降伏電圧特性を得ようとして、ｎ型バッファ層１０５の幅Ｌｂを大きくすると、ｐ型ドレイン層１０６の面積が大きくなって、オン電圧が高くなるという問題があった。
【００１０】
次に、従来の縦型ＩＧＢＴについて説明する。図２７に、従来の縦型ＩＧＢＴの縦断面図を示す。
【００１１】
このＩＧＢＴは、ドレイン電極１２０１、ｐ型ドレイン層１２０２、ｎ型バッファ層１２０３、ｎ−型ベース層１２０４、ｐ型ベース層１２０５、ｎ型＋ソース層１２０６、ゲート絶縁膜１２０７、ゲート電極１２０８、ソース電極１２０９を備える。
【００１２】
この構造において、ソース電極１２０９に対して正の電圧をドレイン電極１２０１に印加した状態で、ゲート電極１２０８にソース電極１２０９に対して正の電圧を印加すると、ゲート電極１２０８下におけるｐ型ベース層１２０５の表面に形成されるチャネルを介して、ｎ＋型ソース層１２０６がｎ−型ベース層１２０４と短絡し、ｎ−型ベース層１２０４内に電子が注入される。ｐ型ドレイン層１２０２からは、注入された電子に見合った量の正孔がｎ−型ベース層１２０４内に注入される。
【００１３】
これにより高抵抗のｎ−型ベース層１２０４は伝導度変調されて低抵抗となり、同じ順方向阻止特性を有するＭＯＳＦＥＴよりもオン電圧を低くすることができる。
【００１４】
このＩＧＢＴをオフするには、ゲート電極１２０８への正電圧の印加を停止すればよい。これにより、ｎ−型ベース層１２０４への電子の注入は止まり、それに伴い正孔の注入も止まる。しかし、ｎ−型ベース層１２０４中に残った電子および正孔は、電圧上昇に伴う空乏層の広がりによるドリフト電流とｎ−型ベース層１２０４のライフタイムに依存する再結合電流となって、しばらく流れ続ける。
【００１５】
よってオン電圧を低くしたままでＩＧＢＴのターンオフ時の損失を低減するには、図２８に示すように、ソース電極１２０９側のキャリア量を増やして、ドレイン電極１２０１側のキャリア量を減らす事が必要である。これは、空乏層はソース側から広がり、ドレイン側のキャリアが最後まで残留することによる。
【００１６】
ドレイン側のキャリア量を減らす手法としては、低濃度のｐ型ドレイン層１２０２を用いる方法が、以下の文献に提案されている。
【００１７】
J.Fugger et al., "Optimizing the vertical IGBT structure - The NPT concept as the most economic and electrically ideal solution for a 1200V IGBT", Proceedings of the 8th ISPSD, pp.１69-１7２, 1996
この手法では、ｎ型バッファ層１２０３は、順方向阻止電圧を保持するために必要最小限の濃度で形成し、ｐ型ドレイン層１２０２は正孔の注入を抑えるために低濃度で形成する必要がある。
【００１８】
ｐ型ドレイン層１２０２の形成方法は、ボロンのイオン注入から高温アニールによる拡散を用いる。しかし、拡散による表面だれのためボロンの表面濃度が低くなり、ドレイン電極１２０１に対してオーミック接合を実現することができなくなり、正孔の注入が起こりにくくなる。また、ボロンの注入ドーズ量が少ないため、少しでもドーズ量がバラつくと素子特性も大きく変わり、プロセスマージンが少ないという問題があった。
【００１９】
また、縦型半導体装置における他の問題について述べる。ＩＧＢＴは低損失の半導体装置であるが、近年より低損失化を図るために、基板の厚さを薄くする試みがなされている。例えば、耐圧が６００Ｖ級のＩＧＢＴでは、基板の厚さは５０μｍまでに薄くされている。
【００２０】
しかし、基板を薄くしてｎ−型ベース層を薄くすると、素子の製造工程において基板が割れるという問題があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の横型半導体装置には、高い降伏電圧特性を得ようとして、ｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくすると、ｐ型ドレイン層１１０６の面積が大きくなって、オン電圧が高くなるという問題があった。
【００２２】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、オン電圧を高くすることなく、高い降伏電圧特性を有する横型半導体装置を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明による横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、基板表面での内周及び外周が前記第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状を有する環状構造に形成され、且つ環状内部に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００２４】
この構成によれば、高い降伏電圧特性を得るためにｎ型バッファ層の幅Ｌｂを大きくしても、ｐ型ドレイン層の面積を小さくすることができるので、低オン電圧の横型半導体装置が実現できる。
【００２５】
また、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より低濃度の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、馬蹄形、又はＵ字形構造に形成され、且つ馬蹄形、又はＵ字形内部に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００２６】
この構成によれば、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の円弧状端部への電流集中による素子破壊の虞れが少ない。
【００２７】
更に、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、並設された複数個のストライプ構造に形成され、且つ該ストライプ間に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００２８】
この構成によれば、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の円弧状端部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００２９】
更にまた、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、並設された複数個のストライプ構造に形成され、各ストライプは、複数の短冊状のドレイン層部分の集合体を備え、且つ該ストライプ間及び各短冊間に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００３０】
この構成によれば、第２導電型ドレイン層の面積をより小さくできるため、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の上下端部に、円弧状部を有しないため、円弧状部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００３１】
更にまた、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、直線状に配列された複数の短冊状のドレイン層部分を備え、且つ隣接する該ドレイン層部分間に前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００３２】
この構成によれば、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の円弧状端部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００３３】
ここで、環状構造の前記第２導電型ドレイン層、又は馬蹄形、又はＵ字形構造の前記第２導電型ドレイン層は、複数個の短冊状のドレイン層部分の集合体を備えるように構成されていてもよい。
【００３４】
また、前記第２導電型ドレイン層は、前記第１導電型バッファ層の幅方向において、前記第１導電型ソース層側に変移して配置されていることが好ましい。
【００３５】
更に、前記第２導電型ドレイン層の短冊状のドレイン層部分は、前記第１導電型バッファ層の幅方向に沿って長い短冊状であることが好ましい
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。各実施の形態において、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とするｎチャンネル型ＩＧＢＴを示す。また、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合のみ行う。
【００３７】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴを模式的に示す平面図、図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【００３８】
ＳＯＩ基板１は、シリコンの支持基板２と、埋め込み酸化膜３と、高抵抗(低濃度)のｎ-型シリコン活性層４とを有している。本実施の形態のＩＧＢＴでは、ｎ-型シリコン活性層４をｎ-型ベース層１４として用い、ｎ-型ベース層１４の表面内には、ｎ型バッファ層１５が選択的に拡散形成され、且つｎ型バッファ層１５は、上下両端部が外方に曲率Ｒの円弧状に突出したストライプ形状を有している。ｎ型バッファ層１５表面には、ｐ型ドレイン層１６が選択的に拡散形成されている。
【００３９】
本実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６は、ｎ型バッファ層１５と相似形状で、且つ環状構造を有している。
【００４０】
ｎ−型ベース層１４の表面内には、ｐ型ベース層１７がｎ型バッファ層１５と離間して、且つ該ｎ型バッファ層１５を取り囲むように選択的に拡散形成され、ｐ型ベース層１７は、内周面がｎ型バッファ層１５と相似形状を有している。
【００４１】
ｐ型ドレイン層１６の両側のｐ型ベース層１７の部分には、ストライプ状のｎ+型ソース層１８が選択的に拡散形成され、ｎ+型ソース層１８は、ｐ型ドレイン層１６の直線部分と略同じ長さに形成されている。
【００４２】
そして、ｎ-型ベース層１４とｎ+型ソース層１８とに挟まれたｐ型ベース層１７の表面上には、ゲート絶縁膜１９を介してゲート電極２０が形成されている。ゲート電極２０は、ｎ型バッファ層１５を取り囲むように環状構造に形成され、内外周面がｎ型バッファ層１５と相似形状を有している。さらに、ゲート電極の一部に、外部に電極を取り出すためのゲート配線２３が設けられている。
【００４３】
また、ゲート電極２０及びｎ−型ベース層１４の露出表面上には、絶縁膜２１が形成されている。絶縁膜２１上には、ドレイン配線２２及びソース配線２４がそれぞれ形成されている。
【００４４】
絶縁膜２１には、所定の位置にコンタクトホール２５がそれぞれ形成され、これらのコンタクトホール２５を介して、ドレイン配線２２は、ｐ型ドレイン層１６にオーミック接触し、ソース配線２４は、ｐ型ベース層１７及びｎ＋型ソース層１８にオーミック接触している。
【００４５】
この実施の形態の横型ＩＧＢＴによれば、ｐ型ドレイン層１６が、環状構造を有しており、従来の横型ＩＧＢＴに比べて、ｐ型ドレイン層１６の面積が小さい。
【００４６】
従って、ｐ型ドレイン層の面積の縮少分、ｎ型バッファ層１５の幅Ｌｂを大きくして降伏電圧の高電圧化を図っても、オン電圧が上昇することはない。
【００４７】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２と同じであるので省略する。
【００４８】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層３６は、上記第１の実施の形態における環状構造のｐ型ドレイン層１６の上下端部の一方、例えば下端部を水平方向（紙面上において、左右方向）に切除してなる馬蹄構造、又は逆Ｕ字構造を有する点である。なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００４９】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいても、従来の横型ＩＧＢＴよりもｐ型ドレイン層３６の面積が小さくなっており、上記第１の実施の形態と同様に、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００５０】
また、ｐ型ドレイン層３６の円弧状端部に電流集中し、この部分において素子が破壊する恐れがあるが、上記第１の実施の形態においては、上下、２個所、存在するのに対して、本実施の形態では、１個所であり、素子の破壊の虞れが少ない。
【００５１】
ここで、上記第１の実施の形態におけるｐ型ドレイン層１６は、図４に示されたように、複数個の短冊状のドレイン層部分１６ａの集合体であってもよい。
【００５２】
同様に、上記第２の実施の形態におけるｐ型ドレイン層３６は、図５に示されたように、複数個の短冊状のドレイン層部分３６ａの集合体であってもよい。
【００５３】
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２と同じであるので省略する。
【００５４】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層４６は、上記第１の実施の形態の環状構造のｐ型ドレイン層１６の上下端部を水平方向に切除して２個のストライプ構造に形成した点である。
【００５５】
なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００５６】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいても、従来の横型ＩＧＢＴよりもｐ型ドレイン層４６の面積が小さくなっており、上記第１の実施の形態と同様に、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００５７】
また、ｐ型ドレイン層の上下端部に、円弧状部を有しないため、上記第１及び第２の実施の形態のように、円弧状部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００５８】
(第４の実施の形態)
図７は、本発明の第４の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２と同じであるので省略する。
【００５９】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層５６は、上記第１の実施の形態の環状構造のｐ型ドレイン層１６の上下端部を水平方向に切除して２個のストライプ状に形成し、更に、各ストライプ状のｐ型ドレイン層を水平方向に切除し、複数のｐ型ドレイン層部分５６ａに分割してなる点である。換言すれば、上記第３の実施の形態におけるｐ型ドレイン層４６をメッシュ状に分割してなるものである。なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００６０】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいては、上記第１乃至第３の実施の形態におけるｐ型ドレイン層１６、３６、４６よりもｐ型ドレイン層５６の面積が小さくなっており、上記第１乃至第３の実施の形態に比べて、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００６１】
また、ｐ型ドレイン層５６の上下端部に、円弧状部を有しないため、上記第１及び第２の実施の形態のように、円弧状部への電流集中による素子破壊の恐れがない。
【００６２】
(第５の実施の形態)
図８は、本発明の第５の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２５と同じであるので省略する。
【００６３】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層６６は、ｐ型ドレイン層をストライプ状に形成し、更に、このｐ型ドレイン層を水平方向に複数のｐ型ドレイン層部分６６ａに分割してなる。即ち、短冊状のｐ型ドレイン層部分６６ａを梯子状に配列した点である。なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００６４】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいても、上記従来の横型ＩＧＢＴよりも、ｐ型ドレイン層６６の面積が小さくなっており、上記実施の形態と同様に、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００６５】
また、ｐ型ドレイン層６６の上下端部に、円弧状部を有しないため、上記第１及び第２の実施の形態のように、円弧状部への電流集中による素子破壊の恐れがない。
【００６６】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変更して実施できる。
【００６７】
例えば、上記実施の形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とするｎチャンネル型の横型ＩＧＢＴについて例示したが、本発明は、ｐチャンネル型の横型ＩＧＢＴにも適用できる。この場合には、第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型とすればよい。
【００６８】
また、本発明は、上記実施の形態のドレイン層の構造に限定されず、組み合わせてもよい。例えば、図４、図５を用いて説明したように、第１及び第２の実施の形態に第４の実施の形態をそれぞれ組み合わせて、環状構造のドレイン層及び馬蹄形（逆Ｕ字）構造のドレイン層を複数に分割し、複数の分割ドレイン層で構成された環状構造、或いは馬蹄形構造のドレイン層としてもよい。
【００６９】
更に、本発明は、上記実施の形態のＩＧＢＴに限定されるものではなく、例えばｎｐｎ、ｐｎｐ型トランジスタやＧＴＯ、ＥＳＴのような他のバイポーラ素子にも適用可能である。
【００７０】
次に、本発明の第１〜第５の参考例による縦型ＩＧＢＴについて説明する。
【００７１】
(第１の参考例)
本発明の第１の参考例による縦型ＩＧＢＴについて、図９を用いて説明する。
【００７２】
図２７に示された縦型ＩＧＢＴでは、ｐ型ドレイン層１２０２が素子のドレイン側全面に形成されている。これに対し本参考例では、ｐ型ドレイン層１１０は、ドレイン側の全面ではなく、ｎ型バッファ層１０３における一部部分に形成されている。これに伴い、ドレイン電極１１１は、コレクタ側の全面ではなくｐ型ドレイン層１１０上に形成されている。他のｎ−型ベース層１０４、ｐ型ベース層１０５、ｎ＋型ソース層１０６、ゲート絶縁膜１０７、ゲート電極１０８、ソース電極１０９は、図２７に示されたｎ−型ベース層１２０４、ｐ型ベース層１２０５、ｎ＋型ソース層１２０６、ゲート絶縁膜１２０７、ゲート電極１２０８、ソース電極１２０９と同様であり、説明を省略する。
【００７３】
ここで、ｐ型ドレイン層１１０の表面濃度（Ｃｐ）は、ドレイン電極１１１と完全にオーミック接合が取れるように、
Ｃｐ＞１×１０１９ ｃｍ−３
を満たす様に形成する。この数値は、以下の文献の記載に基づいている。
【００７４】
S.M.Sze, ｐhysics of Semiconductor Devices ２nd Edition, ｐ.305, 1981
ｐ型ドレイン層１１０を以上のような構造とすることで、ドレイン電極１１１からの正孔の注入効率を、ｐ型ドレイン層１１０の濃度ではなく、面積比で調節する事が可能となり、図２６に示されたＩＧＢＴにおけるオーミック接合や、ドーズ量のバラつきに関するプロセスマージンの問題を解決する事が出来る。
【００７５】
（第２の参考例）
図１０に、本発明の第２の参考例に係る縦型ＩＧＢＴの断面を示す。上記第１の参考例と比較し、第２の参考例ではゲート電極１０８がプレーナ型であるのに対し、第１の参考例ではゲート電極１１８がトレンチ型である点で相違する。ソース側におけるゲート電極１１８をこのようなトレンチ型とすることで、ＭＯＳのチャネル密度を増やして、ｎ＋型ソース層１１６のキャリア量を増やすことができる。ドレイン側におけるｐ型ドレイン層１１０、ドレイン電極１１１の構造は上記第１の参考例と同一であり、説明を省略する。
【００７６】
（第３の参考例）
図１１に、本発明の第３の参考例に係る縦型ＩＧＢＴの縦断面を示す。本参考例は、ソース側において、ゲート電極１１８を上記第２の参考例と同様なトレンチ型とするが、ｐ型ベース層１１５およびｎ＋型ソース層１２６と接続するソース電極１２９を一定の割合で間引いてその数を減らしている点で相違する。これにより、正孔の排出抵抗を大きくして電子注入を促進させることができる。このようなソース側の構造は、ソース側のキャリア量を増やすために以下の文献において提案されている。
【００７７】
M.Kitagawa et al., "A 4500V Injection Enhanced Insulated Gate Biｐolar Transistor (IEGT) in a Mode Similar to a Thyristor", IEDM'93, ｐｐ.679-68２, １993
ドレイン側におけるｐ型ドレイン層１１０、ドレイン電極１１１の構造は、上記第１、第２の参考例と同一であり、説明を省略する。
【００７８】
（第４の参考例）
図１２に、本発明の第４の参考例に係る縦型ＩＧＢＴの縦断面を示す。
【００７９】
図９に示された上記第１の参考例と比較し、ドレイン電極１１１とｐ型ドレイン層１１０との間にバリアメタル層１１２が形成されている点が相違する。他の構成は上記第１の参考例と同様であり、説明を省略する。
【００８０】
ドレイン側からの正孔の注入を抑制するために、ｐ型ドレイン層１１０の表面濃度を高くし、かつｎ型バッファ層１０３の表面において浅く拡散して形成する必要がある。しかし、ドレイン電極１１１を、通常用いられているアルミニウムにより形成すると、アルミニウムがシリコンを吸い出して突き抜けが生じ、正孔の注入量を制御することができない。そこで、本参考例では、ドレイン電極１１１とｐ型ドレイン層１１０との間に、バリアメタル層１１２（例えば、TiN,TiW,Ti）を挿入する事により、ドレイン電極１１１におけるアルミニウムがシリコンを吸い出して突き抜ける減少を防止する事ができる。
【００８１】
ここで、バリアメタル層１１２は、上記第２の参考例、あるいは上記第３の参考例におけるドレイン電極１１１とｐ型ドレイン層１１０との間に設けても同様な効果が得られる。
【００８２】
（第５の参考例）
図１３に、本発明の第５の参考例に係る縦型半導体装置の縦断面構造を示す。
【００８３】
本参考例は、ｎ−型基板２０１の一方の面（図中、下面側）に、比較的深くｎ型バッファ層２０２を形成した点と、ｐ型ドレイン層２０９をこのｎ型バッファ層２０２に形成したトレンチ型の溝２０７の底面部分に不純物を導入して形成した点に特徴がある。この場合の深さ方向の不純物プロファイルを、図１４に示す。
【００８４】
先ず、本参考例によれば、深いｎ型バッファ層２０２を形成したことで、基板全体を厚くして十分な強度性を有することができる。
【００８５】
また本参考例によれば、ｎ型バッファ層２０２に形成した溝２０７の底面部分にｐ型ドレイン層２０９を形成したことで、ｎ型バッファ層２０２からｎ−型基板２０１の上面までの厚さを十分に薄くすることができる。
【００８６】
具体的には、例えば厚さ１５０〜４００μｍのｎ−型基板２０１の図中下面側に不純物を拡散して１００〜３５０μｍのｎ型バッファ層２０２を形成し、このｎ型バッファ層２０２に深さ９０〜３４０μｍの溝２０７を形成する。この溝２０７の底面に不純物を導入してｐ型ドレイン層２０９を形成すると、ｎ型バッファ層２０２からｎ−型基板２０１の上面までは約５０〜６０μｍというように十分薄くなる。
【００８７】
また、ドレイン層２０９がそれぞれ分離されて形成されるため、より低損失化を実現することができる。
【００８８】
次に、本参考例による縦型半導体装置の製造方法を工程別に簡単に説明する。ただし、ソース側の工程は従来と同様であるので、この部分の説明は省略する。
【００８９】
図１５に示すように、例えば厚さ１５０〜４００μｍのｎ−型基板２０１を用意し、図中下方の面から不純物を拡散してｎ型バッファ層２０２を形成する。次に、図１６に示すように、ｎ型バッファ層２０２の表面を酸化し、シリコン酸化膜２０３を形成する。そして、シリコン酸化膜２０３にエッチングを行って、溝を形成する箇所を選択的に除去する。
【００９０】
図１７に示すように、残ったシリコン酸化膜２０３をマスクとして異方性エッチングを行い、トレンチ型の溝２０７を形成する。
【００９１】
図１８に示すように、ｎ型バッファ層２０２側の表面全体を酸化し、シリコン酸化膜２０８を形成する。このシリコン酸化膜２０８にエッチバックを行うと、図１９に示すように溝２０７の側壁にシリコン酸化膜２０８が残り、溝２０７の底部及びｎ型バッファ層２０２の表面のシリコン酸化膜２０８は除去される。
【００９２】
このような状態からボロンをイオン注入してアニールすると、図２０に示すように溝２０７の底部にｐ型ドレイン層２０９が形成され、同時にｎ型バッファ層２０２の表面にｐ型ドレイン層２１０が形成される。この後、図１３に示すように、溝２０７の中に埋め込みドレイン電極２１１を形成し、表面全体にドレイン電極２１２を形成する。
【００９３】
尚、ｎ型バッファ層２０２の形成に関してであるが、例えば６５０μｍというように厚いｎ−型基板２０１に不純物を拡散して厚く形成しておき、この後所望の厚さになるように研削してもよい。
【００９４】
あるいは、図２１に示すように、ｎ型バッファ層２０２の表面上に高抵抗のエピタキシャル層２２１を形成してもよい。この場合の不純物プロファイルを図２２に示す。
【００９５】
また、本参考例ではゲート構造をトレンチ型としたが、図２３に示すように、ｐ型ベース層２３１、ｎ＋型ソース層２３２、ソース電極２３５、ゲート絶縁膜２３３、ゲート電極２３４を備えたプレーナ型としてもよい。
【００９６】
上述した実施の形態はいずれも一例であり、本発明の技術的範囲を超えない範囲内において、様々に変形することが可能である。
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の横型半導体装置によれば、バッファ層の幅Ｌｂを大きくしても、ドレイン層の面積を小さくすることができ、高い降伏電圧特性で、且つ低オン電圧を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿った横型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図３】 本発明の第２の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図４】 上記第１の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの変形例を示した平面図。
【図５】 上記第２の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの変形例を示した平面図。
【図６】 本発明の第３の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図７】 本発明の第４の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図８】 本発明の第５の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図９】 本発明の第１の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１０】 本発明の第２の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１１】 本発明の第３の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１２】 本発明の第４の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１３】 本発明の第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１４】 同縦型ＩＧＢＴの濃度プロファイルを示した説明図。
【図１５】 上記第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１６】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１７】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１８】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１９】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図２０】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図２１】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの変形例を示した縦断面図。
【図２２】 同縦型ＩＧＢＴの濃度プロファイルを示した説明図。
【図２３】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの他の変形例を示した縦断面図。
【図２４】 従来の横型ＩＧＢＴの平面図。
【図２５】 図２４のＡ−Ａ’線に沿う横型ＩＧＢＴの断面図。
【図２６】 実験により得られた、ドレイン層の面積とＩＧＢＴのオン電圧の関係を示すグラフ。
【図２７】 従来の縦型ＩＧＢＴの平面図。
【図２８】 同縦型ＩＧＢＴの濃度プロファイルを示した説明図。
【符号の説明】
１ ＳＯＩ基板
２ 支持基板（シリコン）
３ 埋め込み酸化膜
４ シリコン活性層
１４ ｎ−型ベース層
１５ ｎ型バッファ層
１６、１６ａ、３６、３６ａ、４６、５６、６６、１０６ ｐ型ドレイン層
１７ ｐ型ベース層
１８ ｎ＋型ソース層
１９ ゲート絶縁膜
２０ ゲート電極
２１ 絶縁膜
２２ ドレイン配線
２３ ゲート配線
２４ ソース配線
２５ コンタクトホール
Ｌｂ ｎ型バッファ層の幅（１／２幅）
５６ａ、６６ａ ｐ型ドレイン層部分
１０３ ｎ型バッファ層
１０４ ｎ型ベース層
１０５、１１５ ｐ型ベース層
１０６、１１６、１２６ ｎ型ソース層
１０７、１１７ ゲート絶縁膜
１０８、１１８ ゲート電極
１０９、１１９、１２９ ソース電極
１１０ ｐ型ドレイン層
１１１ ドレイン電極
１１２ バリアメタル
２０１ ｎ−型半導体基板
２０２ ｎ型バッファ層
２０３、２０８ シリコン酸化膜
２０７ 溝
２０９、２１０ ｐ型ドレイン層
２１１ 埋め込みドレイン電極
２１２ ドレイン電極
２２１ ｎ−型エピタキシャル層
２３１ ｐ型ベース層２３１
２３２ ｎ型ソース層
２３３ ゲート絶縁膜
２３４ ゲート電極
２３５ ソース電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、横型半導体装置、特に横型絶縁ゲートトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：以下、単にＩＧＢＴと称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁ゲート型の高耐圧半導体装置としてのＩＧＢＴは、電圧制御であるためにゲート回路が構成しやすく、インバータやスイッチング電源等のパワーエレクトロニクス分野で広く利用されている。特に、ＩＧＢＴは、ＭＯＳＦＥＴの高速スイッチング特性とバイポーラトランジスタの高出力特性とを兼ね備えたパワーデバイスである。また、高集積化に有利な横型ＩＧＢＴは、パワーＩＣの出力デバイスとしてよく用いられる。出力デバイスを複数備えたパワーＩＣは、誘電体分離に有利なＳＯＩ(Semiconductor On Insulator)基板を用いて作られることが多い。
【０００３】
この種の従来の横型ＩＧＢＴについて、図２４及び図２５を用いて説明する。図２４は、そのＩＧＢＴの平面図、図２５は、図２４のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。
【０００４】
ＳＯＩ基板１１０１は、支持基板１１０２と、埋め込み酸化膜１１０３と、ｎ-型ベース層１１０４とを有している。ｎ-型ベース層１１０４の表面内には、ｎ型バッファ層１１０５が選択的に拡散形成され、且つｎ型バッファ層１１０５は、両端部が外方に円弧状に突出したストライプ形状を有している。ｎ型バッファ層１１０５表面には、ｐ型ドレイン層１１０６が選択的に拡散形成され、ｐ型ドレイン層１１０６は、ｎ型バッファ層１１０５と相似形状を有している。
【０００５】
ｎ-型ベース層１１０４表面内には、ｐ型ベース層１１０７がｎ型バッファ層１１０５を取り囲むように選択的に拡散形成され、ｐ型ベース層１１０７は、内周面がｎ型バッファ層１１０５と相似形状を有している。ｐ型ドレイン層１１０６の両側のｐ型ベース層１１０７部分には、ストライプ状のｎ+型ソース層１１０８が選択的に拡散形成され、ｎ+型ソース層１１０８は、ｐ型ドレイン層１１０６の直線部分と略同じ長さに形成されている。
【０００６】
そして、ｎ-型ベース層１１０４とｎ+型ソース層１１０７とに挟まれたｐ型ベース層１１０７上には、ゲート絶縁膜１１０９を介してゲート電極１１１０が形成されている。ゲート電極１１１０は、ｎ型バッファ層１１０５を取り囲むように環状構造に形成され、内周面がｎ型バッファ層１１０５の外周面と相似形状を有している。さらに、ゲート電極の一部に、外部に電極を取り出すためのゲート配線１１１３が設けられている。
【０００７】
また、ゲート電極１１１０及びｎ−型ベース層１１０４の露出表面上には、絶縁膜１１１１が形成されている。絶縁膜１１１１上には、ドレイン配線１１１２及びソース配線１１１４がそれぞれ形成されている。絶縁膜１１１１には、所定の位置にコンタクトホール１１１５がそれぞれ形成され、これらのコンタクトホール１１１５を介して、ドレイン配線１１１２は、ｐ型ドレイン層１１０６にオーミック接触し、ソース配線１１１４は、ｐ型ベース層１１０７及びｎ+型ソース層１１０８にオーミック接触している。
【０００８】
このような横型ＩＧＢＴにおいて、高い降伏電圧特性を得るためには、ｎ型バッファ層１１０５の両端部における円弧状の曲率Ｒをある程度大きくしておく必要があり、このためには、ｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくしておく必要がある。ｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくすると、ｐ型ドレイン層１１０６幅も大きくなり、必然的にｐ型ドレイン層１１０６の面積は大きくなる。
【０００９】
しかし、発明者の実験からｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくすることにより、ｐ型ドレイン層１１０６の面積が大きくなるとと、ＩＧＢＴのオン電圧が高くなることが分かった。図２６は、ｐ型ドレイン層の面積とＩＧＢＴのオン電圧の関係を示す図である。図２６から分かるように、従来のＩＧＢＴでは、高い降伏電圧特性を得ようとして、ｎ型バッファ層１０５の幅Ｌｂを大きくすると、ｐ型ドレイン層１０６の面積が大きくなって、オン電圧が高くなるという問題があった。
【００１０】
次に、従来の縦型ＩＧＢＴについて説明する。図２７に、従来の縦型ＩＧＢＴの縦断面図を示す。
【００１１】
このＩＧＢＴは、ドレイン電極１２０１、ｐ型ドレイン層１２０２、ｎ型バッファ層１２０３、ｎ−型ベース層１２０４、ｐ型ベース層１２０５、ｎ型＋ソース層１２０６、ゲート絶縁膜１２０７、ゲート電極１２０８、ソース電極１２０９を備える。
【００１２】
この構造において、ソース電極１２０９に対して正の電圧をドレイン電極１２０１に印加した状態で、ゲート電極１２０８にソース電極１２０９に対して正の電圧を印加すると、ゲート電極１２０８下におけるｐ型ベース層１２０５の表面に形成されるチャネルを介して、ｎ＋型ソース層１２０６がｎ−型ベース層１２０４と短絡し、ｎ−型ベース層１２０４内に電子が注入される。ｐ型ドレイン層１２０２からは、注入された電子に見合った量の正孔がｎ−型ベース層１２０４内に注入される。
【００１３】
これにより高抵抗のｎ−型ベース層１２０４は伝導度変調されて低抵抗となり、同じ順方向阻止特性を有するＭＯＳＦＥＴよりもオン電圧を低くすることができる。
【００１４】
このＩＧＢＴをオフするには、ゲート電極１２０８への正電圧の印加を停止すればよい。これにより、ｎ−型ベース層１２０４への電子の注入は止まり、それに伴い正孔の注入も止まる。しかし、ｎ−型ベース層１２０４中に残った電子および正孔は、電圧上昇に伴う空乏層の広がりによるドリフト電流とｎ−型ベース層１２０４のライフタイムに依存する再結合電流となって、しばらく流れ続ける。
【００１５】
よってオン電圧を低くしたままでＩＧＢＴのターンオフ時の損失を低減するには、図２８に示すように、ソース電極１２０９側のキャリア量を増やして、ドレイン電極１２０１側のキャリア量を減らす事が必要である。これは、空乏層はソース側から広がり、ドレイン側のキャリアが最後まで残留することによる。
【００１６】
ドレイン側のキャリア量を減らす手法としては、低濃度のｐ型ドレイン層１２０２を用いる方法が、以下の文献に提案されている。
【００１７】
J.Fugger et al., "Optimizing the vertical IGBT structure - The NPT concept as the most economic and electrically ideal solution for a 1200V IGBT", Proceedings of the 8th ISPSD, pp.１69-１7２, 1996
この手法では、ｎ型バッファ層１２０３は、順方向阻止電圧を保持するために必要最小限の濃度で形成し、ｐ型ドレイン層１２０２は正孔の注入を抑えるために低濃度で形成する必要がある。
【００１８】
ｐ型ドレイン層１２０２の形成方法は、ボロンのイオン注入から高温アニールによる拡散を用いる。しかし、拡散による表面だれのためボロンの表面濃度が低くなり、ドレイン電極１２０１に対してオーミック接合を実現することができなくなり、正孔の注入が起こりにくくなる。また、ボロンの注入ドーズ量が少ないため、少しでもドーズ量がバラつくと素子特性も大きく変わり、プロセスマージンが少ないという問題があった。
【００１９】
また、縦型半導体装置における他の問題について述べる。ＩＧＢＴは低損失の半導体装置であるが、近年より低損失化を図るために、基板の厚さを薄くする試みがなされている。例えば、耐圧が６００Ｖ級のＩＧＢＴでは、基板の厚さは５０μｍまでに薄くされている。
【００２０】
しかし、基板を薄くしてｎ−型ベース層を薄くすると、素子の製造工程において基板が割れるという問題があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の横型半導体装置には、高い降伏電圧特性を得ようとして、ｎ型バッファ層１１０５の幅Ｌｂを大きくすると、ｐ型ドレイン層１１０６の面積が大きくなって、オン電圧が高くなるという問題があった。
【００２２】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、オン電圧を高くすることなく、高い降伏電圧特性を有する横型半導体装置を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明による横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、基板表面での内周及び外周が前記第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状を有する環状構造に形成され、且つ環状内部に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００２４】
この構成によれば、高い降伏電圧特性を得るためにｎ型バッファ層の幅Ｌｂを大きくしても、ｐ型ドレイン層の面積を小さくすることができるので、低オン電圧の横型半導体装置が実現できる。
【００２５】
また、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より低濃度の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、馬蹄形、又はＵ字形構造に形成され、且つ馬蹄形、又はＵ字形内部に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００２６】
この構成によれば、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の円弧状端部への電流集中による素子破壊の虞れが少ない。
【００２７】
更に、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、並設された複数個のストライプ構造に形成され、且つ該ストライプ間に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００２８】
この構成によれば、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の円弧状端部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００２９】
更にまた、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、並設された複数個のストライプ構造に形成され、各ストライプは、複数の短冊状のドレイン層部分の集合体を備え、且つ該ストライプ間及び各短冊間に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００３０】
この構成によれば、第２導電型ドレイン層の面積をより小さくできるため、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の上下端部に、円弧状部を有しないため、円弧状部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００３１】
更にまた、本発明の横型半導体装置は、第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、前記第２導電型ドレイン層は、直線状に配列された複数の短冊状のドレイン層部分を備え、且つ隣接する該ドレイン層部分間に前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴としている。
【００３２】
この構成によれば、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。また、第２導電型ドレイン層の円弧状端部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００３３】
ここで、環状構造の前記第２導電型ドレイン層、又は馬蹄形、又はＵ字形構造の前記第２導電型ドレイン層は、複数個の短冊状のドレイン層部分の集合体を備えるように構成されていてもよい。
【００３４】
また、前記第２導電型ドレイン層は、前記第１導電型バッファ層の幅方向において、前記第１導電型ソース層側に変移して配置されていることが好ましい。
【００３５】
更に、前記第２導電型ドレイン層の短冊状のドレイン層部分は、前記第１導電型バッファ層の幅方向に沿って長い短冊状であることが好ましい
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。各実施の形態において、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とするｎチャンネル型ＩＧＢＴを示す。また、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合のみ行う。
【００３７】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴを模式的に示す平面図、図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【００３８】
ＳＯＩ基板１は、シリコンの支持基板２と、埋め込み酸化膜３と、高抵抗(低濃度)のｎ-型シリコン活性層４とを有している。本実施の形態のＩＧＢＴでは、ｎ-型シリコン活性層４をｎ-型ベース層１４として用い、ｎ-型ベース層１４の表面内には、ｎ型バッファ層１５が選択的に拡散形成され、且つｎ型バッファ層１５は、上下両端部が外方に曲率Ｒの円弧状に突出したストライプ形状を有している。ｎ型バッファ層１５表面には、ｐ型ドレイン層１６が選択的に拡散形成されている。
【００３９】
本実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６は、ｎ型バッファ層１５と相似形状で、且つ環状構造を有している。
【００４０】
ｎ−型ベース層１４の表面内には、ｐ型ベース層１７がｎ型バッファ層１５と離間して、且つ該ｎ型バッファ層１５を取り囲むように選択的に拡散形成され、ｐ型ベース層１７は、内周面がｎ型バッファ層１５と相似形状を有している。
【００４１】
ｐ型ドレイン層１６の両側のｐ型ベース層１７の部分には、ストライプ状のｎ+型ソース層１８が選択的に拡散形成され、ｎ+型ソース層１８は、ｐ型ドレイン層１６の直線部分と略同じ長さに形成されている。
【００４２】
そして、ｎ-型ベース層１４とｎ+型ソース層１８とに挟まれたｐ型ベース層１７の表面上には、ゲート絶縁膜１９を介してゲート電極２０が形成されている。ゲート電極２０は、ｎ型バッファ層１５を取り囲むように環状構造に形成され、内外周面がｎ型バッファ層１５と相似形状を有している。さらに、ゲート電極の一部に、外部に電極を取り出すためのゲート配線２３が設けられている。
【００４３】
また、ゲート電極２０及びｎ−型ベース層１４の露出表面上には、絶縁膜２１が形成されている。絶縁膜２１上には、ドレイン配線２２及びソース配線２４がそれぞれ形成されている。
【００４４】
絶縁膜２１には、所定の位置にコンタクトホール２５がそれぞれ形成され、これらのコンタクトホール２５を介して、ドレイン配線２２は、ｐ型ドレイン層１６にオーミック接触し、ソース配線２４は、ｐ型ベース層１７及びｎ＋型ソース層１８にオーミック接触している。
【００４５】
この実施の形態の横型ＩＧＢＴによれば、ｐ型ドレイン層１６が、環状構造を有しており、従来の横型ＩＧＢＴに比べて、ｐ型ドレイン層１６の面積が小さい。
【００４６】
従って、ｐ型ドレイン層の面積の縮少分、ｎ型バッファ層１５の幅Ｌｂを大きくして降伏電圧の高電圧化を図っても、オン電圧が上昇することはない。
【００４７】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２と同じであるので省略する。
【００４８】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層３６は、上記第１の実施の形態における環状構造のｐ型ドレイン層１６の上下端部の一方、例えば下端部を水平方向（紙面上において、左右方向）に切除してなる馬蹄構造、又は逆Ｕ字構造を有する点である。なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００４９】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいても、従来の横型ＩＧＢＴよりもｐ型ドレイン層３６の面積が小さくなっており、上記第１の実施の形態と同様に、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００５０】
また、ｐ型ドレイン層３６の円弧状端部に電流集中し、この部分において素子が破壊する恐れがあるが、上記第１の実施の形態においては、上下、２個所、存在するのに対して、本実施の形態では、１個所であり、素子の破壊の虞れが少ない。
【００５１】
ここで、上記第１の実施の形態におけるｐ型ドレイン層１６は、図４に示されたように、複数個の短冊状のドレイン層部分１６ａの集合体であってもよい。
【００５２】
同様に、上記第２の実施の形態におけるｐ型ドレイン層３６は、図５に示されたように、複数個の短冊状のドレイン層部分３６ａの集合体であってもよい。
【００５３】
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２と同じであるので省略する。
【００５４】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層４６は、上記第１の実施の形態の環状構造のｐ型ドレイン層１６の上下端部を水平方向に切除して２個のストライプ構造に形成した点である。
【００５５】
なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００５６】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいても、従来の横型ＩＧＢＴよりもｐ型ドレイン層４６の面積が小さくなっており、上記第１の実施の形態と同様に、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００５７】
また、ｐ型ドレイン層の上下端部に、円弧状部を有しないため、上記第１及び第２の実施の形態のように、円弧状部への電流集中による素子破壊の虞れがない。
【００５８】
(第４の実施の形態)
図７は、本発明の第４の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２と同じであるので省略する。
【００５９】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層５６は、上記第１の実施の形態の環状構造のｐ型ドレイン層１６の上下端部を水平方向に切除して２個のストライプ状に形成し、更に、各ストライプ状のｐ型ドレイン層を水平方向に切除し、複数のｐ型ドレイン層部分５６ａに分割してなる点である。換言すれば、上記第３の実施の形態におけるｐ型ドレイン層４６をメッシュ状に分割してなるものである。なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００６０】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいては、上記第１乃至第３の実施の形態におけるｐ型ドレイン層１６、３６、４６よりもｐ型ドレイン層５６の面積が小さくなっており、上記第１乃至第３の実施の形態に比べて、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００６１】
また、ｐ型ドレイン層５６の上下端部に、円弧状部を有しないため、上記第１及び第２の実施の形態のように、円弧状部への電流集中による素子破壊の恐れがない。
【００６２】
(第５の実施の形態)
図８は、本発明の第５の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図である。このＡ−Ａ'断面は、図２５と同じであるので省略する。
【００６３】
本実施の形態が上記第１の実施の形態と異なる点は、上記第１の実施の形態では、ｐ型ドレイン層１６が環状構造であるのに対して、本実施の形態では、ｐ型ドレイン層６６は、ｐ型ドレイン層をストライプ状に形成し、更に、このｐ型ドレイン層を水平方向に複数のｐ型ドレイン層部分６６ａに分割してなる。即ち、短冊状のｐ型ドレイン層部分６６ａを梯子状に配列した点である。なお、その他の構成については、上記第１の実施の形態と同じである。
【００６４】
本実施の形態の横型ＩＧＢＴにおいても、上記従来の横型ＩＧＢＴよりも、ｐ型ドレイン層６６の面積が小さくなっており、上記実施の形態と同様に、オン電圧を上昇させることなく、降伏電圧の高電圧化を図ることができる。
【００６５】
また、ｐ型ドレイン層６６の上下端部に、円弧状部を有しないため、上記第１及び第２の実施の形態のように、円弧状部への電流集中による素子破壊の恐れがない。
【００６６】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変更して実施できる。
【００６７】
例えば、上記実施の形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とするｎチャンネル型の横型ＩＧＢＴについて例示したが、本発明は、ｐチャンネル型の横型ＩＧＢＴにも適用できる。この場合には、第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型とすればよい。
【００６８】
また、本発明は、上記実施の形態のドレイン層の構造に限定されず、組み合わせてもよい。例えば、図４、図５を用いて説明したように、第１及び第２の実施の形態に第４の実施の形態をそれぞれ組み合わせて、環状構造のドレイン層及び馬蹄形（逆Ｕ字）構造のドレイン層を複数に分割し、複数の分割ドレイン層で構成された環状構造、或いは馬蹄形構造のドレイン層としてもよい。
【００６９】
更に、本発明は、上記実施の形態のＩＧＢＴに限定されるものではなく、例えばｎｐｎ、ｐｎｐ型トランジスタやＧＴＯ、ＥＳＴのような他のバイポーラ素子にも適用可能である。
【００７０】
次に、本発明の第１〜第５の参考例による縦型ＩＧＢＴについて説明する。
【００７１】
(第１の参考例)
本発明の第１の参考例による縦型ＩＧＢＴについて、図９を用いて説明する。
【００７２】
図２７に示された縦型ＩＧＢＴでは、ｐ型ドレイン層１２０２が素子のドレイン側全面に形成されている。これに対し本参考例では、ｐ型ドレイン層１１０は、ドレイン側の全面ではなく、ｎ型バッファ層１０３における一部部分に形成されている。これに伴い、ドレイン電極１１１は、コレクタ側の全面ではなくｐ型ドレイン層１１０上に形成されている。他のｎ−型ベース層１０４、ｐ型ベース層１０５、ｎ＋型ソース層１０６、ゲート絶縁膜１０７、ゲート電極１０８、ソース電極１０９は、図２７に示されたｎ−型ベース層１２０４、ｐ型ベース層１２０５、ｎ＋型ソース層１２０６、ゲート絶縁膜１２０７、ゲート電極１２０８、ソース電極１２０９と同様であり、説明を省略する。
【００７３】
ここで、ｐ型ドレイン層１１０の表面濃度（Ｃｐ）は、ドレイン電極１１１と完全にオーミック接合が取れるように、
Ｃｐ＞１×１０１９ ｃｍ−３
を満たす様に形成する。この数値は、以下の文献の記載に基づいている。
【００７４】
S.M.Sze, ｐhysics of Semiconductor Devices ２nd Edition, ｐ.305, 1981
ｐ型ドレイン層１１０を以上のような構造とすることで、ドレイン電極１１１からの正孔の注入効率を、ｐ型ドレイン層１１０の濃度ではなく、面積比で調節する事が可能となり、図２６に示されたＩＧＢＴにおけるオーミック接合や、ドーズ量のバラつきに関するプロセスマージンの問題を解決する事が出来る。
【００７５】
（第２の参考例）
図１０に、本発明の第２の参考例に係る縦型ＩＧＢＴの断面を示す。上記第１の参考例と比較し、第２の参考例ではゲート電極１０８がプレーナ型であるのに対し、第１の参考例ではゲート電極１１８がトレンチ型である点で相違する。ソース側におけるゲート電極１１８をこのようなトレンチ型とすることで、ＭＯＳのチャネル密度を増やして、ｎ＋型ソース層１１６のキャリア量を増やすことができる。ドレイン側におけるｐ型ドレイン層１１０、ドレイン電極１１１の構造は上記第１の参考例と同一であり、説明を省略する。
【００７６】
（第３の参考例）
図１１に、本発明の第３の参考例に係る縦型ＩＧＢＴの縦断面を示す。本参考例は、ソース側において、ゲート電極１１８を上記第２の参考例と同様なトレンチ型とするが、ｐ型ベース層１１５およびｎ＋型ソース層１２６と接続するソース電極１２９を一定の割合で間引いてその数を減らしている点で相違する。これにより、正孔の排出抵抗を大きくして電子注入を促進させることができる。このようなソース側の構造は、ソース側のキャリア量を増やすために以下の文献において提案されている。
【００７７】
M.Kitagawa et al., "A 4500V Injection Enhanced Insulated Gate Biｐolar Transistor (IEGT) in a Mode Similar to a Thyristor", IEDM'93, ｐｐ.679-68２, １993
ドレイン側におけるｐ型ドレイン層１１０、ドレイン電極１１１の構造は、上記第１、第２の参考例と同一であり、説明を省略する。
【００７８】
（第４の参考例）
図１２に、本発明の第４の参考例に係る縦型ＩＧＢＴの縦断面を示す。
【００７９】
図９に示された上記第１の参考例と比較し、ドレイン電極１１１とｐ型ドレイン層１１０との間にバリアメタル層１１２が形成されている点が相違する。他の構成は上記第１の参考例と同様であり、説明を省略する。
【００８０】
ドレイン側からの正孔の注入を抑制するために、ｐ型ドレイン層１１０の表面濃度を高くし、かつｎ型バッファ層１０３の表面において浅く拡散して形成する必要がある。しかし、ドレイン電極１１１を、通常用いられているアルミニウムにより形成すると、アルミニウムがシリコンを吸い出して突き抜けが生じ、正孔の注入量を制御することができない。そこで、本参考例では、ドレイン電極１１１とｐ型ドレイン層１１０との間に、バリアメタル層１１２（例えば、TiN,TiW,Ti）を挿入する事により、ドレイン電極１１１におけるアルミニウムがシリコンを吸い出して突き抜ける減少を防止する事ができる。
【００８１】
ここで、バリアメタル層１１２は、上記第２の参考例、あるいは上記第３の参考例におけるドレイン電極１１１とｐ型ドレイン層１１０との間に設けても同様な効果が得られる。
【００８２】
（第５の参考例）
図１３に、本発明の第５の参考例に係る縦型半導体装置の縦断面構造を示す。
【００８３】
本参考例は、ｎ−型基板２０１の一方の面（図中、下面側）に、比較的深くｎ型バッファ層２０２を形成した点と、ｐ型ドレイン層２０９をこのｎ型バッファ層２０２に形成したトレンチ型の溝２０７の底面部分に不純物を導入して形成した点に特徴がある。この場合の深さ方向の不純物プロファイルを、図１４に示す。
【００８４】
先ず、本参考例によれば、深いｎ型バッファ層２０２を形成したことで、基板全体を厚くして十分な強度性を有することができる。
【００８５】
また本参考例によれば、ｎ型バッファ層２０２に形成した溝２０７の底面部分にｐ型ドレイン層２０９を形成したことで、ｎ型バッファ層２０２からｎ−型基板２０１の上面までの厚さを十分に薄くすることができる。
【００８６】
具体的には、例えば厚さ１５０〜４００μｍのｎ−型基板２０１の図中下面側に不純物を拡散して１００〜３５０μｍのｎ型バッファ層２０２を形成し、このｎ型バッファ層２０２に深さ９０〜３４０μｍの溝２０７を形成する。この溝２０７の底面に不純物を導入してｐ型ドレイン層２０９を形成すると、ｎ型バッファ層２０２からｎ−型基板２０１の上面までは約５０〜６０μｍというように十分薄くなる。
【００８７】
また、ドレイン層２０９がそれぞれ分離されて形成されるため、より低損失化を実現することができる。
【００８８】
次に、本参考例による縦型半導体装置の製造方法を工程別に簡単に説明する。ただし、ソース側の工程は従来と同様であるので、この部分の説明は省略する。
【００８９】
図１５に示すように、例えば厚さ１５０〜４００μｍのｎ−型基板２０１を用意し、図中下方の面から不純物を拡散してｎ型バッファ層２０２を形成する。次に、図１６に示すように、ｎ型バッファ層２０２の表面を酸化し、シリコン酸化膜２０３を形成する。そして、シリコン酸化膜２０３にエッチングを行って、溝を形成する箇所を選択的に除去する。
【００９０】
図１７に示すように、残ったシリコン酸化膜２０３をマスクとして異方性エッチングを行い、トレンチ型の溝２０７を形成する。
【００９１】
図１８に示すように、ｎ型バッファ層２０２側の表面全体を酸化し、シリコン酸化膜２０８を形成する。このシリコン酸化膜２０８にエッチバックを行うと、図１９に示すように溝２０７の側壁にシリコン酸化膜２０８が残り、溝２０７の底部及びｎ型バッファ層２０２の表面のシリコン酸化膜２０８は除去される。
【００９２】
このような状態からボロンをイオン注入してアニールすると、図２０に示すように溝２０７の底部にｐ型ドレイン層２０９が形成され、同時にｎ型バッファ層２０２の表面にｐ型ドレイン層２１０が形成される。この後、図１３に示すように、溝２０７の中に埋め込みドレイン電極２１１を形成し、表面全体にドレイン電極２１２を形成する。
【００９３】
尚、ｎ型バッファ層２０２の形成に関してであるが、例えば６５０μｍというように厚いｎ−型基板２０１に不純物を拡散して厚く形成しておき、この後所望の厚さになるように研削してもよい。
【００９４】
あるいは、図２１に示すように、ｎ型バッファ層２０２の表面上に高抵抗のエピタキシャル層２２１を形成してもよい。この場合の不純物プロファイルを図２２に示す。
【００９５】
また、本参考例ではゲート構造をトレンチ型としたが、図２３に示すように、ｐ型ベース層２３１、ｎ＋型ソース層２３２、ソース電極２３５、ゲート絶縁膜２３３、ゲート電極２３４を備えたプレーナ型としてもよい。
【００９６】
上述した実施の形態はいずれも一例であり、本発明の技術的範囲を超えない範囲内において、様々に変形することが可能である。
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の横型半導体装置によれば、バッファ層の幅Ｌｂを大きくしても、ドレイン層の面積を小さくすることができ、高い降伏電圧特性で、且つ低オン電圧を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿った横型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図３】 本発明の第２の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図４】 上記第１の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの変形例を示した平面図。
【図５】 上記第２の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの変形例を示した平面図。
【図６】 本発明の第３の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図７】 本発明の第４の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図８】 本発明の第５の実施の形態に係わる横型ＩＧＢＴの平面図。
【図９】 本発明の第１の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１０】 本発明の第２の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１１】 本発明の第３の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１２】 本発明の第４の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１３】 本発明の第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの縦断面図。
【図１４】 同縦型ＩＧＢＴの濃度プロファイルを示した説明図。
【図１５】 上記第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１６】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１７】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１８】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図１９】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図２０】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴを製造する工程を示した縦断面図。
【図２１】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの変形例を示した縦断面図。
【図２２】 同縦型ＩＧＢＴの濃度プロファイルを示した説明図。
【図２３】 同第５の参考例に係わる縦型ＩＧＢＴの他の変形例を示した縦断面図。
【図２４】 従来の横型ＩＧＢＴの平面図。
【図２５】 図２４のＡ−Ａ’線に沿う横型ＩＧＢＴの断面図。
【図２６】 実験により得られた、ドレイン層の面積とＩＧＢＴのオン電圧の関係を示すグラフ。
【図２７】 従来の縦型ＩＧＢＴの平面図。
【図２８】 同縦型ＩＧＢＴの濃度プロファイルを示した説明図。
【符号の説明】
１ ＳＯＩ基板
２ 支持基板（シリコン）
３ 埋め込み酸化膜
４ シリコン活性層
１４ ｎ−型ベース層
１５ ｎ型バッファ層
１６、１６ａ、３６、３６ａ、４６、５６、６６、１０６ ｐ型ドレイン層
１７ ｐ型ベース層
１８ ｎ＋型ソース層
１９ ゲート絶縁膜
２０ ゲート電極
２１ 絶縁膜
２２ ドレイン配線
２３ ゲート配線
２４ ソース配線
２５ コンタクトホール
Ｌｂ ｎ型バッファ層の幅（１／２幅）
５６ａ、６６ａ ｐ型ドレイン層部分
１０３ ｎ型バッファ層
１０４ ｎ型ベース層
１０５、１１５ ｐ型ベース層
１０６、１１６、１２６ ｎ型ソース層
１０７、１１７ ゲート絶縁膜
１０８、１１８ ゲート電極
１０９、１１９、１２９ ソース電極
１１０ ｐ型ドレイン層
１１１ ドレイン電極
１１２ バリアメタル
２０１ ｎ−型半導体基板
２０２ ｎ型バッファ層
２０３、２０８ シリコン酸化膜
２０７ 溝
２０９、２１０ ｐ型ドレイン層
２１１ 埋め込みドレイン電極
２１２ ドレイン電極
２２１ ｎ−型エピタキシャル層
２３１ ｐ型ベース層２３１
２３２ ｎ型ソース層
２３３ ゲート絶縁膜
２３４ ゲート電極
２３５ ソース電極
Claims (8)
- 第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、
前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、
前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、
前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、
前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、
前記第２導電型ドレイン層は、基板表面での内周及び外周が前記第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状を有する環状構造に形成され、且つ環状内部に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴とする横型半導体装置。 - 第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、
前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、
前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、
前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、
前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、
前記第２導電型ドレイン層は、馬蹄形、又はＵ字形構造に形成され、且つ馬蹄形、又はＵ字形内部に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴とする横型半導体装置。 - 環状構造、馬蹄形、又はＵ字形構造の前記第１導電型ドレイン層は、複数個の短冊状のドレイン層部分の集合体を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の横型半導体装置。
- 第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、
前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、
前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、
前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、
前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、
前記第２導電型ドレイン層は、並設された複数個のストライプ構造に形成され、且つ該ストライプ間に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴とする横型半導体装置。 - 第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、
前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、
前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、
前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、
前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、
前記第２導電型ドレイン層は、並設された複数個のストライプ構造に形成され、各ストライプは、複数の短冊状のドレイン層部分の集合体を備え、且つ該ストライプ間及び各短冊間に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴とする横型半導体装置。 - 前記第２導電型ドレイン層は、前記第１導電型バッファ層の幅方向において、前記第１導電型ソース層側に変移して配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の横型半導体装置。
- 第１導電型バッファ層より高抵抗の第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の表面に選択的に形成され、且つ上下両端部が外方に円弧状に突出したストライプ状の前記第１導電型バッファ層と、
前記第１導電型バッファ層の表面に選択的に形成された第２導電型ドレイン層と、
前記第１導電型ベース層の表面に前記第１導電型バッファ層と離間して該第１導電型バッファ層を取り囲むように選択的に形成され、且つ基板表面での内周が該第１導電型バッファ層の基板表面での外周と相似形状の第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に、前記第１導電型バッファ層におけるストライプの直線部と対向して選択的に形成されたストライプ状の第１導電型ソース層と、
前記第１導電型ベース層と前記第１導電型ソース層とに挟まれた前記第２導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２導電型ベース層及び前記第１導電型ソース層にコンタクトされたソース電極と、
前記第２導電型ドレイン層にコンタクトされたドレイン電極とを具備し、
前記第２導電型ドレイン層は、直線状に配列された複数の短冊状のドレイン層部分を備え、且つ隣接する該ドレイン層部分間に前記ドレイン電極とコンタクトしない前記第１導電型バッファ層が露出されていることを特徴とする横型半導体装置。 - 前記第２導電型ドレイン層の短冊状のドレイン層部分は、前記第１導電型バッファ層の幅方向に沿って長い短冊状であることを特徴とする請求項７記載の横型半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001381449A JP3647802B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-12-14 | 横型半導体装置 |
| US10/053,657 US6650001B2 (en) | 2001-01-25 | 2002-01-24 | Lateral semiconductor device and vertical semiconductor device |
| US10/662,295 US6917060B2 (en) | 2001-01-25 | 2003-09-16 | Lateral semiconductor device and vertical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-16624 | 2001-01-25 | ||
| JP2001016624 | 2001-01-25 | ||
| JP2001381449A JP3647802B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-12-14 | 横型半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004177206A Division JP4085073B2 (ja) | 2001-01-25 | 2004-06-15 | 縦型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299635A JP2002299635A (ja) | 2002-10-11 |
| JP3647802B2 true JP3647802B2 (ja) | 2005-05-18 |
Family
ID=26608265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001381449A Expired - Fee Related JP3647802B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-12-14 | 横型半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6650001B2 (ja) |
| JP (1) | JP3647802B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007194575A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| DE102006043990B4 (de) * | 2006-01-31 | 2013-07-04 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4225711B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2009-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体素子及びその製造方法 |
| JP2004087682A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置 |
| EP1420450A3 (en) * | 2002-11-15 | 2006-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor differential circuit with transistors having a virtual ground |
| JP2004228466A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 集積半導体装置およびその製造方法 |
| EP1630872B1 (en) | 2003-06-05 | 2016-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2005333055A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
| CN101515583B (zh) * | 2005-12-21 | 2011-01-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| US7679146B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-03-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device having sub-surface trench charge compensation regions |
| US8421148B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-04-16 | Cree, Inc. | Grid-UMOSFET with electric field shielding of gate oxide |
| JP5431667B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2014-03-05 | 富士電機株式会社 | 窒化ガリウム半導体装置 |
| US8084813B2 (en) * | 2007-12-03 | 2011-12-27 | Cree, Inc. | Short gate high power MOSFET and method of manufacture |
| JP4748149B2 (ja) * | 2007-12-24 | 2011-08-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP5586546B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2014-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US8735937B2 (en) * | 2012-05-31 | 2014-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fully isolated LIGBT and methods for forming the same |
| CN103681812A (zh) * | 2012-09-02 | 2014-03-26 | 朱江 | 一种背沟槽绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
| JP2014229794A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | トヨタ自動車株式会社 | Ｉｇｂｔ |
| CN104299990A (zh) * | 2013-07-19 | 2015-01-21 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 |
| JP6406021B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2018-10-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7459703B2 (ja) * | 2020-07-15 | 2024-04-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105243A (en) | 1987-02-26 | 1992-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Conductivity-modulation metal oxide field effect transistor with single gate structure |
| EP0371785B1 (en) | 1988-11-29 | 1996-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lateral conductivity modulated MOSFET |
| JP3081739B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2000-08-28 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 |
| JPH08227999A (ja) | 1994-12-21 | 1996-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法並びに半導体集積回路及びその製造方法 |
| US5698454A (en) * | 1995-07-31 | 1997-12-16 | Ixys Corporation | Method of making a reverse blocking IGBT |
| US6064086A (en) * | 1995-08-24 | 2000-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having lateral IGBT |
| JP3905981B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
| KR100275756B1 (ko) * | 1998-08-27 | 2000-12-15 | 김덕중 | 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 |
| JP3924975B2 (ja) * | 1999-02-05 | 2007-06-06 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
-
2001
- 2001-12-14 JP JP2001381449A patent/JP3647802B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-24 US US10/053,657 patent/US6650001B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-16 US US10/662,295 patent/US6917060B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007194575A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US8421157B2 (en) | 2005-12-21 | 2013-04-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| DE102006058228B4 (de) * | 2005-12-21 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
| DE102006043990B4 (de) * | 2006-01-31 | 2013-07-04 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020096741A1 (en) | 2002-07-25 |
| US20040070013A1 (en) | 2004-04-15 |
| JP2002299635A (ja) | 2002-10-11 |
| US6917060B2 (en) | 2005-07-12 |
| US6650001B2 (en) | 2003-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3647802B2 (ja) | 横型半導体装置 | |
| US20240371860A1 (en) | Semiconductor device | |
| US7572683B2 (en) | Semiconductor device, the method of manufacturing the same, and two-way switching device using the semiconductor devices | |
| JP5787853B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| CN105047712B (zh) | 纵向型半导体装置及其制造方法 | |
| JP2950688B2 (ja) | 電力用半導体素子 | |
| US10109725B2 (en) | Reverse-conducting semiconductor device | |
| US11699744B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor apparatus | |
| US20240096965A1 (en) | Semiconductor device | |
| CN112930601A (zh) | 绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法 | |
| JP2009295641A (ja) | 電界効果半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09283754A (ja) | 高耐圧半導体装置 | |
| US11239352B2 (en) | Self-aligned and robust IGBT devices | |
| JP2019016804A (ja) | 半導体装置 | |
| US20220320323A1 (en) | Reverse conducting igbt with controlled anode injection | |
| CN107534053A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| JP3409244B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN100499159C (zh) | 具有改善的安全工作区域性能的igbt阴极设计 | |
| CN114651335B (zh) | 绝缘栅双极晶体管 | |
| JP7803420B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JP2014154739A (ja) | 半導体装置 | |
| CN114388612B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| JP2005136092A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| US7741655B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP4085073B2 (ja) | 縦型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040416 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040615 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040910 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041105 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050201 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050209 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080218 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090218 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100218 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100218 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110218 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |