JP3766780B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光ディスク用ピックアップ等に使用される半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体レーザ装置としては、図３に示すものがある。この半導体レーザ装置は、図３に示すように、信号読取のための光源であるレーザダイオード(以下、ＬＤという)２２と、上記ＬＤ２２のレーザ出射光強度をモニタするモニタ用フォトダイオード(以下、ＰＤという)２３と、光ディスクのピット情報を含む反射光信号を電気信号に変換する信号受光用ＰＤ２４とを放熱台２１上の所定の位置に夫々固定している。そして、上記ＬＤ２２, モニタ用ＰＤ３および信号受光用ＰＤ２４の各電極をワイヤボンディングにより所定のリード３０に夫々接続した後、キャップ２５によって気密封止し、そのキャップ２５上にレーザ光を分割,屈折させるホログラム２６を固定している。上記ＬＤ２２,信号受光用ＰＤ２４は所定の位置に対して取付誤差を有するので、この誤差を補償するようにホログラム２６を光学的に調整して最適位置に固定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図４は上記半導体レーザ装置のＬＤ２２とモニタ用ＰＤ２３と信号受光用ＰＤ２４とが放熱台２１に搭載された状態を示している。上記ＬＤ２２の後端面からの出射光のうち、モニタ用ＰＤ２３に入射しない光やモニタ用ＰＤ２３の表面で反射した光がキャップ２５(図３に示す)内で乱反射して迷光となる。この迷光が信号受光用ＰＤ２４の受光部に入射して、ノイズとなるという問題がある。
【０００４】
また、図５は図４のＶ−Ｖ線から見た断面図を示しており、放熱台２１上にＬＤ２２がマウントされ、モニタ用ＰＤ２３がアイレット２０(図３に示す)上にマウントされ、ＬＤ２２の後端面とモニタ用ＰＤ２３との間隔は３ｍｍ程度ある。図５に示すように、ＬＤ２２の後端面から出射されたレーザ光はモニタ用ＰＤ２３表面で一部が反射され、キャップ２５(図３に示す)内に放射されて迷光となり、信号受光用ＰＤ２４に入射してノイズの原因となる。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、ノイズを低減できる半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザと、上記半導体レーザの後端面からの光出力をモニターするためのモニタ用受光素子と、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子とを有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザの後端面と上記モニタ用受光素子との間の光路外に光が出ないように上記光路を覆う遮光性樹脂からなる遮光部を設け、上記半導体レーザと上記モニタ用受光素子との間隔を０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下とし、上記遮光性樹脂の粘性と上記間隔により、上記遮光性樹脂で覆われた空間が上記光路に形成されたことを特徴としている。
【０００７】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザの後端面から出射した光のうちモニタ用受光素子で受光されなかったものは、樹脂からなる遮光部で遮るため、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子に入射することがなく、半導体レーザの光出力が光ディスク等により反射された反射光の受光を妨害することがない。したがって、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、迷光に起因するノイズを低減できる。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
また、一実施形態の半導体レーザ装置は、上記モニタ用受光素子を放熱台に設けられたブロックに搭載したことを特徴としている。
【００１５】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記モニタ用受光素子を放熱台に設けられたブロックに搭載することによって、モニタ用受光素子を放熱台が固定されるアイレットの平面よりも離れた位置に配置でき、モニタ用受光素子のワイヤボンディング時にアイレットが邪魔にならないようにできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の要部の斜視図であり、図２は図１のII−II線から見た断面図である。
【００１８】
図１,図２において、１はコーナー部に切り欠き１aを有する略直方体形状の放熱台、２は上記放熱台１の切り欠き１aの壁面の上側に固定された半導体レーザとしてのＬＤ、３は上記ＬＤ２の後端面からの光出力をモニタするためのモニタ用受光素子としてのモニタ用ＰＤ、４は上記放熱台１の上面に固定された信号受光用受光素子としての信号受光用ＰＤである。上記放熱台１の切り欠き１aの下側部分に金属製の矩形のブロック１０をエポキシ樹脂等により固定し、そのブロック１０上にモニタ用ＰＤ３を固定している。こうすると、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔を１ｍｍ程度まで狭くすることができる。このＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔は、狭い方が後述する遮光性樹脂で覆いやすいが、あまり狭くすると、ＬＤ２の搭載位置精度を高くしなければならないので、０.１ｍｍ〜２ｍｍ程度とし、望ましくは０.５ｍｍ〜１.５ｍｍ程度がよい。
【００１９】
生産上、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔があまり狭いと、ＬＤ２の後端面がモニタ用ＰＤ３に当たってしまう可能性が高くなるので、２ｍｍ程度まで広げておいた方が、早く生産することが可能となる。
【００２０】
上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間を覆う遮光性樹脂からなる遮光部５を形成する。この遮光性樹脂は室温で液状のものを用い、シリンジによりＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に滴下する。上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔が十分狭ければ遮光性樹脂を滴下しても隙間に入らないので、遮光性樹脂に囲まれた空間６が形成される。
【００２１】
この遮光性樹脂は、ＵＶ硬化性(または熱硬化性)で、粘度はＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３の隙間に入らない程度の粘性の高いものを選ぶ。その後、ＵＶ光を照射(または加熱)して硬化させる。なお、遮光性樹脂としては、ＬＤ２の波長７８０ｎｍの出射光が透過しないものなら何でも良く、例えばホトカプラの外装用に使用されているような熱硬化性を有する黒色エポキシ樹脂を使用してもよい。
【００２２】
また、上記ブロック１０としては、レーザ光の出射方向の長さがＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔が１ｍｍ〜２ｍｍ程度になるものを使用する。また、モニタ用ＰＤ３の受光面とレーザ光の光軸とのなす角度は、戻り光による影響が少なくなるように垂直より少し傾けた方がよい。また、上記モニタ用ＰＤ３の中心がＬＤ２のレーザ光の光軸に近くなるようにブロック１０の搭載部分を切り欠いてもよい。
【００２３】
上記構成の半導体レーザ装置において、ＬＤ２の後端面から出射した光のうちモニタ用ＰＤ３で受光されなかったものは、遮光性樹脂で散乱,吸収されるため、信号受光用ＰＤ４に入射することがなく、従って光ディスク信号の受信を妨害することがない。したがって、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、迷光に起因するノイズを低減することができる。
【００２４】
また、上記ＬＤ２の後端面にモニタ用ＰＤ３が近いので、従来のモニタ用ＰＤより小さいモニタ用ＰＤを使用しても十分な信号出力が得られる。
【００２５】
上記第１実施形態では、ＬＤ２,信号受光用ＰＤ４が固定されている放熱台１(金属,セラミック等の放熱が良いもので作製する)にモニタ用ＰＤ３が固定されているブロック１０を固定したが、放熱台とブロックを一体成形してもよい。
【００２６】
（第２実施形態）
また、この発明の第２実施形態の半導体レーザ装置は、樹脂部分を除いて図１,図２に示す半導体レーザ装置と同一の構成をしており、同一構成部は説明を省略し、図１,図２を援用する。
【００２７】
図２に示すように、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に透光性樹脂を充填し、ＵＶ照射または熱硬化により流れないようにして透光性樹脂部７を形成した後、その透光性樹脂部７を遮光性樹脂で覆う(樹脂の滴下を２回行う)。上記ＬＤ２の出射光に対して透光性を有する樹脂をＬＤ２とモニタ用ＰＤ３との間に滴下して透光性樹脂部７を形成することによって、ＬＤ２の後端面からモニタ用ＰＤ３までの光路を確保した上で、透光性樹脂部７を覆うように遮光性樹脂からなる遮光部５を形成する。
【００２８】
この透光性樹脂としては、ＵＶ硬化樹脂,エポキシ樹脂等のＬＤ２の波長７８０ｎｍの出射光が透過するものなら何でもよく、例えば弾力性のあるシリコンゴム系の樹脂がよい。ただし、透光性樹脂は、粘性が低くてＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に入りやすく、かつ、表面張力が高くてＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間からはみ出さないものが最もよい。
【００２９】
上記構成の半導体レーザ装置において、ＬＤ２の後端面から出射されたレーザ光は、従来の半導体レーザ装置の場合と同様、モニタ用ＰＤ３表面で一部が反射されるが、遮光性樹脂５に遮られて、キャップ２５内の空間にまで放出されることはないので、迷光の発生を防止することができる。
【００３０】
また、光路を埋める透光性樹脂部７によって、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に遮光性樹脂が入り込むことがないので、光路を囲む遮光性樹脂からなる遮光部５を確実に作成することができる。
【００３１】
また、上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔は従来に比べて狭くしているので、そのＬＤ２とモニタ用ＰＤ３との間の空間に透光性樹脂を滴下しても、透光性樹脂の表面張力により支えられて、周囲に広がることがない。その結果、少ない量の透光性樹脂で済ますことができると共に、不要な部分に透光性樹脂が付着するのを防止することができる。上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔としては２ｍｍ以下が望ましく、１ｍｍ以下がより好ましい。また、ＬＤ２の後端面をモニタ用ＰＤ３の受光面の凹凸から０.１ｍｍ以上離しておく必要がある。
【００３２】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザと、上記半導体レーザの後端面からの光出力をモニターするためのモニタ用受光素子と、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子とを有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザの後端面とモニタ用受光素子との間の光路外に光が出ないように上記光路を覆う樹脂からなる遮光部を設けたものであり、上記半導体レーザとモニタ用受光素子との間隔を０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下とし、遮光性樹脂の粘性と間隔により、遮光性樹脂で覆われた空間が光路に形成されたものである。
【００３３】
したがって、上記半導体レーザ装置によれば、半導体レーザの後端面から出射した光のうちモニタ用受光素子で受光されなかったものは、樹脂からなる遮光部で遮るため、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子に入射することがないので、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、迷光に起因するノイズを低減することができる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
また、上記モニタ用受光素子を放熱台に設けられたブロックに搭載したので、モニタ用受光素子を放熱台が固定されるアイレットの平面よりも離れた位置に配置でき、モニタ用受光素子のワイヤボンディング時にアイレットが邪魔にならないようにできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１はこの発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の半導体レーザ装置の要部の斜視図である。
【図２】 図２は図１のII−II線から見た断面図である。
【図３】 図３は従来の半導体レーザ装置の半導体レーザ装置の全体を示す斜視図である。
【図４】 図４は上記半導体レーザ装置の要部の斜視図である。
【図５】 図５は図４のＶ−Ｖ線から見た断面図である。
【符号の説明】
１…放熱台、
２…ＬＤ、
３…モニタ用ＰＤ、
４…信号受光用ＰＤ、
５…遮光部
６…空間、
７…透光性樹脂部、
１０…ブロック。
【発明の属する技術分野】
この発明は、光ディスク用ピックアップ等に使用される半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体レーザ装置としては、図３に示すものがある。この半導体レーザ装置は、図３に示すように、信号読取のための光源であるレーザダイオード(以下、ＬＤという)２２と、上記ＬＤ２２のレーザ出射光強度をモニタするモニタ用フォトダイオード(以下、ＰＤという)２３と、光ディスクのピット情報を含む反射光信号を電気信号に変換する信号受光用ＰＤ２４とを放熱台２１上の所定の位置に夫々固定している。そして、上記ＬＤ２２, モニタ用ＰＤ３および信号受光用ＰＤ２４の各電極をワイヤボンディングにより所定のリード３０に夫々接続した後、キャップ２５によって気密封止し、そのキャップ２５上にレーザ光を分割,屈折させるホログラム２６を固定している。上記ＬＤ２２,信号受光用ＰＤ２４は所定の位置に対して取付誤差を有するので、この誤差を補償するようにホログラム２６を光学的に調整して最適位置に固定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図４は上記半導体レーザ装置のＬＤ２２とモニタ用ＰＤ２３と信号受光用ＰＤ２４とが放熱台２１に搭載された状態を示している。上記ＬＤ２２の後端面からの出射光のうち、モニタ用ＰＤ２３に入射しない光やモニタ用ＰＤ２３の表面で反射した光がキャップ２５(図３に示す)内で乱反射して迷光となる。この迷光が信号受光用ＰＤ２４の受光部に入射して、ノイズとなるという問題がある。
【０００４】
また、図５は図４のＶ−Ｖ線から見た断面図を示しており、放熱台２１上にＬＤ２２がマウントされ、モニタ用ＰＤ２３がアイレット２０(図３に示す)上にマウントされ、ＬＤ２２の後端面とモニタ用ＰＤ２３との間隔は３ｍｍ程度ある。図５に示すように、ＬＤ２２の後端面から出射されたレーザ光はモニタ用ＰＤ２３表面で一部が反射され、キャップ２５(図３に示す)内に放射されて迷光となり、信号受光用ＰＤ２４に入射してノイズの原因となる。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、ノイズを低減できる半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザと、上記半導体レーザの後端面からの光出力をモニターするためのモニタ用受光素子と、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子とを有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザの後端面と上記モニタ用受光素子との間の光路外に光が出ないように上記光路を覆う遮光性樹脂からなる遮光部を設け、上記半導体レーザと上記モニタ用受光素子との間隔を０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下とし、上記遮光性樹脂の粘性と上記間隔により、上記遮光性樹脂で覆われた空間が上記光路に形成されたことを特徴としている。
【０００７】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザの後端面から出射した光のうちモニタ用受光素子で受光されなかったものは、樹脂からなる遮光部で遮るため、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子に入射することがなく、半導体レーザの光出力が光ディスク等により反射された反射光の受光を妨害することがない。したがって、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、迷光に起因するノイズを低減できる。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
また、一実施形態の半導体レーザ装置は、上記モニタ用受光素子を放熱台に設けられたブロックに搭載したことを特徴としている。
【００１５】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記モニタ用受光素子を放熱台に設けられたブロックに搭載することによって、モニタ用受光素子を放熱台が固定されるアイレットの平面よりも離れた位置に配置でき、モニタ用受光素子のワイヤボンディング時にアイレットが邪魔にならないようにできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の要部の斜視図であり、図２は図１のII−II線から見た断面図である。
【００１８】
図１,図２において、１はコーナー部に切り欠き１aを有する略直方体形状の放熱台、２は上記放熱台１の切り欠き１aの壁面の上側に固定された半導体レーザとしてのＬＤ、３は上記ＬＤ２の後端面からの光出力をモニタするためのモニタ用受光素子としてのモニタ用ＰＤ、４は上記放熱台１の上面に固定された信号受光用受光素子としての信号受光用ＰＤである。上記放熱台１の切り欠き１aの下側部分に金属製の矩形のブロック１０をエポキシ樹脂等により固定し、そのブロック１０上にモニタ用ＰＤ３を固定している。こうすると、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔を１ｍｍ程度まで狭くすることができる。このＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔は、狭い方が後述する遮光性樹脂で覆いやすいが、あまり狭くすると、ＬＤ２の搭載位置精度を高くしなければならないので、０.１ｍｍ〜２ｍｍ程度とし、望ましくは０.５ｍｍ〜１.５ｍｍ程度がよい。
【００１９】
生産上、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔があまり狭いと、ＬＤ２の後端面がモニタ用ＰＤ３に当たってしまう可能性が高くなるので、２ｍｍ程度まで広げておいた方が、早く生産することが可能となる。
【００２０】
上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間を覆う遮光性樹脂からなる遮光部５を形成する。この遮光性樹脂は室温で液状のものを用い、シリンジによりＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に滴下する。上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔が十分狭ければ遮光性樹脂を滴下しても隙間に入らないので、遮光性樹脂に囲まれた空間６が形成される。
【００２１】
この遮光性樹脂は、ＵＶ硬化性(または熱硬化性)で、粘度はＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３の隙間に入らない程度の粘性の高いものを選ぶ。その後、ＵＶ光を照射(または加熱)して硬化させる。なお、遮光性樹脂としては、ＬＤ２の波長７８０ｎｍの出射光が透過しないものなら何でも良く、例えばホトカプラの外装用に使用されているような熱硬化性を有する黒色エポキシ樹脂を使用してもよい。
【００２２】
また、上記ブロック１０としては、レーザ光の出射方向の長さがＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔が１ｍｍ〜２ｍｍ程度になるものを使用する。また、モニタ用ＰＤ３の受光面とレーザ光の光軸とのなす角度は、戻り光による影響が少なくなるように垂直より少し傾けた方がよい。また、上記モニタ用ＰＤ３の中心がＬＤ２のレーザ光の光軸に近くなるようにブロック１０の搭載部分を切り欠いてもよい。
【００２３】
上記構成の半導体レーザ装置において、ＬＤ２の後端面から出射した光のうちモニタ用ＰＤ３で受光されなかったものは、遮光性樹脂で散乱,吸収されるため、信号受光用ＰＤ４に入射することがなく、従って光ディスク信号の受信を妨害することがない。したがって、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、迷光に起因するノイズを低減することができる。
【００２４】
また、上記ＬＤ２の後端面にモニタ用ＰＤ３が近いので、従来のモニタ用ＰＤより小さいモニタ用ＰＤを使用しても十分な信号出力が得られる。
【００２５】
上記第１実施形態では、ＬＤ２,信号受光用ＰＤ４が固定されている放熱台１(金属,セラミック等の放熱が良いもので作製する)にモニタ用ＰＤ３が固定されているブロック１０を固定したが、放熱台とブロックを一体成形してもよい。
【００２６】
（第２実施形態）
また、この発明の第２実施形態の半導体レーザ装置は、樹脂部分を除いて図１,図２に示す半導体レーザ装置と同一の構成をしており、同一構成部は説明を省略し、図１,図２を援用する。
【００２７】
図２に示すように、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に透光性樹脂を充填し、ＵＶ照射または熱硬化により流れないようにして透光性樹脂部７を形成した後、その透光性樹脂部７を遮光性樹脂で覆う(樹脂の滴下を２回行う)。上記ＬＤ２の出射光に対して透光性を有する樹脂をＬＤ２とモニタ用ＰＤ３との間に滴下して透光性樹脂部７を形成することによって、ＬＤ２の後端面からモニタ用ＰＤ３までの光路を確保した上で、透光性樹脂部７を覆うように遮光性樹脂からなる遮光部５を形成する。
【００２８】
この透光性樹脂としては、ＵＶ硬化樹脂,エポキシ樹脂等のＬＤ２の波長７８０ｎｍの出射光が透過するものなら何でもよく、例えば弾力性のあるシリコンゴム系の樹脂がよい。ただし、透光性樹脂は、粘性が低くてＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に入りやすく、かつ、表面張力が高くてＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間からはみ出さないものが最もよい。
【００２９】
上記構成の半導体レーザ装置において、ＬＤ２の後端面から出射されたレーザ光は、従来の半導体レーザ装置の場合と同様、モニタ用ＰＤ３表面で一部が反射されるが、遮光性樹脂５に遮られて、キャップ２５内の空間にまで放出されることはないので、迷光の発生を防止することができる。
【００３０】
また、光路を埋める透光性樹脂部７によって、ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間に遮光性樹脂が入り込むことがないので、光路を囲む遮光性樹脂からなる遮光部５を確実に作成することができる。
【００３１】
また、上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔は従来に比べて狭くしているので、そのＬＤ２とモニタ用ＰＤ３との間の空間に透光性樹脂を滴下しても、透光性樹脂の表面張力により支えられて、周囲に広がることがない。その結果、少ない量の透光性樹脂で済ますことができると共に、不要な部分に透光性樹脂が付着するのを防止することができる。上記ＬＤ２の後端面とモニタ用ＰＤ３との間隔としては２ｍｍ以下が望ましく、１ｍｍ以下がより好ましい。また、ＬＤ２の後端面をモニタ用ＰＤ３の受光面の凹凸から０.１ｍｍ以上離しておく必要がある。
【００３２】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザと、上記半導体レーザの後端面からの光出力をモニターするためのモニタ用受光素子と、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子とを有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザの後端面とモニタ用受光素子との間の光路外に光が出ないように上記光路を覆う樹脂からなる遮光部を設けたものであり、上記半導体レーザとモニタ用受光素子との間隔を０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下とし、遮光性樹脂の粘性と間隔により、遮光性樹脂で覆われた空間が光路に形成されたものである。
【００３３】
したがって、上記半導体レーザ装置によれば、半導体レーザの後端面から出射した光のうちモニタ用受光素子で受光されなかったものは、樹脂からなる遮光部で遮るため、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子に入射することがないので、簡単な構成で迷光の発生を防止でき、迷光に起因するノイズを低減することができる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
また、上記モニタ用受光素子を放熱台に設けられたブロックに搭載したので、モニタ用受光素子を放熱台が固定されるアイレットの平面よりも離れた位置に配置でき、モニタ用受光素子のワイヤボンディング時にアイレットが邪魔にならないようにできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１はこの発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の半導体レーザ装置の要部の斜視図である。
【図２】 図２は図１のII−II線から見た断面図である。
【図３】 図３は従来の半導体レーザ装置の半導体レーザ装置の全体を示す斜視図である。
【図４】 図４は上記半導体レーザ装置の要部の斜視図である。
【図５】 図５は図４のＶ−Ｖ線から見た断面図である。
【符号の説明】
１…放熱台、
２…ＬＤ、
３…モニタ用ＰＤ、
４…信号受光用ＰＤ、
５…遮光部
６…空間、
７…透光性樹脂部、
１０…ブロック。
Claims (2)
- 半導体レーザと、上記半導体レーザの後端面からの光出力をモニターするためのモニタ用受光素子と、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子とを有する半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザの後端面と上記モニタ用受光素子との間の光路外に光が出ないように上記光路を覆う遮光性樹脂からなる遮光部を設け、
上記半導体レーザと上記モニタ用受光素子との間隔を０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下とし、
上記遮光性樹脂の粘性と上記間隔により、上記遮光性樹脂で覆われた空間が上記光路に形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記モニタ用受光素子を放熱台に設けられたブロックに搭載したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000140051A JP3766780B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000140051A JP3766780B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326409A JP2001326409A (ja) | 2001-11-22 |
| JP3766780B2 true JP3766780B2 (ja) | 2006-04-19 |
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ID=18647404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000140051A Expired - Fee Related JP3766780B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3766780B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4982469B2 (ja) | 2008-10-31 | 2012-07-25 | 株式会社日立製作所 | 光モジュール |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000140051A patent/JP3766780B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001326409A (ja) | 2001-11-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| A02 | Decision of refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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