JP3784202B2 - 両面粘着シートおよびその使用方法 - Google Patents

両面粘着シートおよびその使用方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の技術分野】
本発明は、両面粘着シートに関し、特に、脆い被加工物を、硬質板上に一時的に保持し、その加工または保護を行なうために使用される両面粘着シートに関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
近年、ICカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが350μm程度であった半導体チップを、厚さ50〜100μmあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
回路パターン形成後にウエハ裏面を研削することは従来より行われており、その際、回路面に粘着シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を行い、裏面研削を行なっている。従来、この用途には、軟質基材上に粘着剤が塗工されてなる粘着シートが用いられていた。しかし、軟質基材を用いた粘着シートでは、貼付時にかける張力が残留応力として蓄積してしまう。ウエハが大口径の場合や極薄に研削すると、ウエハの強度よりも粘着シートの残留応力が優り、この残留応力を解消しようとする力によってウエハに反りが発生してしまっていた。また研削後にはウエハが脆いため、軟質基材では搬送時にウエハを破壊してしまうことがあった。このため、石英板あるいはアクリル板等の硬質材料にウエハを固定し、これを研削する方法が検討されている。
【0003】
また、プリンターヘッドや、ガラス/エポキシ基板、ガラス、セラミックス等の硬質で脆い材料を小さなチップに切断するには、これらを硬質材料上に固定して切断が行なわれる。この際、被切断物を硬質材料上に固定するためには、両面粘着シートが用いられている。しかし、従来の両面粘着シートで硬質材料同士を貼り合わせた物体を剥離することは極めて困難であり、ウエハなどの脆い材料を使用した場合には、破壊を免れることは不可能であった。
【0004】
このため、半導体ウエハや、上記した各種の被切断物を、硬質材料上に固定するのに好適な両面粘着シートの出現が要望されている。
また半導体ウエハの加工時には、裏面研削においては表面保護シート、ダイシングにおいてはウエハを固定するための粘着シートがそれぞれ必要であり、工程管理上煩雑であった。しかもウエハは脆いため、このような工程間の搬送時に破損することがある。
【0005】
したがって、このようなウエハの裏面研削、ダイシングおよび搬送の一連の工程を同一形態で行え、工程管理が容易であり、しかも破損防止が可能なプロセスの出現が要望されている。
【0006】
【発明の目的】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、被加工物を精度良く効率的に加工するための両面粘着シートを提供することを目的とし、特に極薄あるいは大口径のシリコンウエハの研削において、反りを低減し搬送時の破損を少なくすることにより、厚み精度の高いICチップを歩留りよくしかも裏面研削とダイシングを同一形態で行うことが可能なプロセスに好適な両面粘着シート及び該両面粘着シートを用いた信頼性の高い半導体の製造方法を提供することを目的としている。
【0007】
【発明の概要】
本発明に係る両面粘着シートは、収縮性基材と、該基材の両面に設けられた粘着剤層とからなり、少なくとも一方の粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤からなることを特徴としている。
本発明においては、上記粘着剤層は、ともにエネルギー線硬化型粘着剤からなることが好ましい。また、収縮性基材には、多数の微細な切込みが設けられてなることが好ましい。このような本発明の両面粘着シートは、被加工物を、硬質板上に一時的に保持し、その加工の際に固定または保護を行なうために好ましく使用される。
【0008】
すなわち、本発明の両面粘着シートは、該シートのエネルギー線硬化型粘着剤層に被加工物を貼付するとともに、他方の粘着剤層を硬質板上に貼着して、被加工物を硬質板上に保持し、
被加工物の加工を行ない、
前記エネルギー線硬化型粘着剤層にエネルギー線を照射するとともに、収縮性基材を収縮させ、
得られた加工物をエネルギー線硬化型粘着剤層から剥離する一連の工程に使用される。
【0009】
上記使用方法においても、粘着剤層は、ともにエネルギー線硬化型粘着剤からなることが好ましい。また、収縮性基材には、多数の微細な切込みが設けられてなることが好ましい。
上記使用方法においては、被加工物が表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記加工が該ウエハの裏面研削であることが好ましい。
【0010】
また、前記被加工物が、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記加工がウエハの素子小片へのダイシングであってもよい。
さらに、前記被加工物が、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記加工がウエハの裏面研削およびウエハの素子小片へのダイシングであり、裏面研削およびダイシングが任意の順で行われるものであってもよい。
【0011】
このような本発明の両面粘着シートによれば、各種の被加工物を、硬質板上に一時的に保持し、その加工の際に固定または保護を行なうことができ、または所要の加工・保護を行なった後、簡単な操作により、容易に加工物を剥離することができる。このため、たとえば極薄あるいは大口径の半導体ウエハの裏面研削に使用しても、ウエハの厚み精度が向上し、反りが低減できる。また、搬送時の破損を防止することができる。そのため、種々の電子部品、半導体チップ等を歩留りよく製造できる。
【0012】
さらに本発明によれば、加工、搬送といった一連の工程を同一形態で行えるので、工程管理も容易になる。
【0013】
【発明の具体的説明】
以下、図面を参照しながら、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る両面粘着シート10は、図1に示すように、収縮性基材1と該基材の両面に形成された粘着剤層2aおよび2bとからなる。
収縮性基材1としては、何ら限定されるものではないが、主として熱収縮性フィルムが用いられる。
【0014】
本発明で用いられる収縮性フィルムの収縮率は10〜90%が好ましく、さらに好ましくは20〜80%である。
なお、ここでフィルムの収縮率は、収縮前の寸法と収縮後の寸法とから、下記の数式に基づき算出する。
【0015】
【数1】
Figure 0003784202
【0016】
上記収縮率は、フィルムを120℃に加熱した前後の寸法に基づいて算出される。
上記のような収縮性フィルムとしては、従来、種々のものが知られているが、本発明においては、一般に被加工物にイオン汚染等の悪影響を与えないものであればいかなるものでも用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニルなどの一軸または二軸延伸フィルム等を例示することができる。
【0017】
上記のような収縮性フィルムの厚さは、通常5〜300μmであり、好ましくは10〜200μmである。
収縮性フィルムとしては、特に熱収縮性のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムを用いることが好ましい。
また、収縮性フィルムは、上記した各種収縮性フィルムの単層品であってもよく積層品であってもよい。積層品である場合には、収縮率の異なるフィルム同士の積層品であることが好ましい。収縮率の異なるフィルム同士の積層品を基材1として用いると、図5、図10のように、収縮率の小さい側に凸状に変形しやすくなり、被加工物が点接触で付着するのみとなり、剥離が極めて容易になる。
【0018】
さらに、基材1として用いられる収縮性フィルムには多数の微細な切込みが設けられていてもよい。
切込みの間隔(切込みピッチ)は、個々の被加工物の大きさに応じて決定され、好ましくは被加工物の底面の最大長の0.01〜2倍、より好ましくは0.1〜1倍のピッチで設けられる。または切込みがピッチで0.1〜20mm、より好ましくは1〜10mmであればよい。
【0019】
切込みの形状は、特に限定はされず、たとえば格子状、同心円状、放射線状、あるいはこれらを組み合わせたパターン状であってもよく、またランダムに形成されていてもよい。また、切込みは、基材1の全面にわたって形成してもよい。
なお、本発明の両面粘着シート10を使用する場合に、後述するように、所要の工程が終了した後、エネルギー線硬化型粘着剤層にエネルギー線を照射するが、エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材1を構成する全フィルムは紫外線透過性である必要がある。
【0020】
本発明の両面粘着シート10は、上記基材1の両面に粘着剤層2aおよび2bが設けられてなり、少なくとも一方または両方の粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤からなる。具体的には、被加工物が貼着される側の粘着剤層2aがエネルギー線硬化型粘着剤であればよく、また他方の粘着剤層2b、すなわち硬質板に貼付される側の粘着剤層は、特に限定はされないが、好ましくはエネルギー線硬化型粘着剤からなる。
【0021】
粘着剤層2aおよび2bを、ともにエネルギー線硬化型粘着剤から形成した場合、粘着剤層2aの硬化後の弾性率(弾性率2a)が、粘着剤2bの硬化後の弾性率(弾性率2b)よりも高くなるように、それぞれの粘着剤を選択することが好ましい。弾性率2aは弾性率2bの好ましくは2倍以上、さらに好ましくは5倍以上である。
【0022】
このように粘着剤2a,2bの硬化後の弾性率を選定することにより、収縮性基材1の収縮による両面粘着シート10の変形が促進され、さらに粘着剤層2aの被加工物側にシートが凸状に変形しやすくなり、被加工物が点接触で付着するのみになるため、極めて剥離が容易になる。
エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。
【0023】
エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特開昭60−196,956号公報および特開昭60−223,139号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【0024】
さらにエネルギー線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物たとえば2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアネートなどを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば2−ヒドロキシエチルアクリレートまたは2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。
【0025】
エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤100重量部に対してエネルギー線重合性化合物は50〜200重量部の量で用いられることが望ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、被加工物とアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤層との界面での剥離が容易になり、被加工物をピックアップできる。
【0026】
また、エネルギー線硬化型粘着剤層2aは、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平5−32946号公報、特開平8−27239号公報等にその詳細が記載されている。
【0027】
上記のようなアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前には被加工物に対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、被加工物を充分な接着力で保持するが、エネルギー線照射後には、得られた加工物を容易に剥離することができる。
【0028】
また、他方の粘着剤層2b、すなわち硬質板に貼付される側の粘着剤層は、従来より公知の種々の感圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリウレタン系、ポリビニルエーテル等の再剥離型の粘着剤が用いられる。しかしながら、本発明においては、特に粘着剤層2bも、上述したエネルギー線硬化型粘着剤からなることが好ましい。
【0029】
粘着剤層2aおよび2bの厚さは、その材質にもよるが、通常は各々3〜100μm程度であり、好ましくは10〜50μm程度である。
このような、本発明に係る両面粘着シート10は、半導体ウエハの裏面研削時の表面保護やウエハ固定のために好適に用いられる。また両面粘着シート10は、たとえばガラス/エポキシ基材、ガラス、セラミックス等の硬くて脆い被加工物を加工(切断等)する際に、これらの被加工物を一時的に硬質板上に固定するために用いることもできる。硬質板としては、たとえばガラス板、石英板や、アクリル板、ポリ塩化ビニル板、ポリエチレンテレフタレート板、ポリプロピレン板、ポリカーボネート板等のプラスチック板が使用できる。硬質板のASTM D 883により定義される硬度は、好ましくは70MPa以上である。硬質板の厚みは、その材質にもよるが、通常は、0.1〜10mm程度である。またエネルギー線として紫外線を用いる場合には、硬質板は、紫外線透過性の材質により形成される。
【0030】
本発明の両面粘着シートの使用方法を、図面に基づきさらに具体的に説明する。
まず、図2に示すように、両面粘着シート10のエネルギー線硬化型粘着剤層2aに被加工物3を貼付する。被加工物3は、上述したような半導体ウエハや、ガラス/エポキシ基材、ガラス、セラミックス等の硬くて脆い材料、未加工の各種の電子部品、光学部品等であるが、これらに限定されない。
【0031】
次いで、図3に示すように、他方の粘着剤層2bを硬質板4上に貼着して、被加工物3を硬質板4上に保持する。なお、他方の粘着剤層2bを硬質板の上に貼着した後、エネルギー線硬化型粘着剤層2aに被加工物3を貼着してもよい。この際、粘着剤層2bと硬質板4との間に気泡が入ることを防ぐために、粘着剤層2bと硬質板4との貼付を真空中で行なうことが好ましい。
【0032】
次いで、被加工物3に所要の加工を行なう。半導体ウエハであれば、たとえば裏面研削や、素子小片へのダイシングであり、またガラス/エポキシ基材であれば回路の形成および回路毎のチップへのダイシングであり、ガラス、セラミックス等においては切削やエッチング等の加工を行なう。また、この際、これら被加工物3の、粘着剤層2aに接している側の面では表面保護も同時に行なわれることになる。
【0033】
図4に示すものは、たとえば被加工物3としての半導体ウエハあるいはガラス/エポキシ基材に、回路を形成し、回路毎のチップへのダイシングを行なっている状態である。
ダイシング条件は特に限定されないが、好ましくは熱収縮性基材1を完全に切断分離することが好ましい。切断されることで剥離面積が低減し、剥離時間が短縮できる。また、切り込み量は硬質板4側の粘着剤層に止めることが好ましい。硬質板4を切り込まなければ何度でも硬質板4は再利用できる。
【0034】
次いで、硬質板4の側からエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化型粘着剤層2aの接着力を低下させるとともに、所要の手段で、収縮性基材1を収縮させる。たとえば、加熱収縮型の基材であれば、適当な加熱により基材1を収縮させる。この結果、図5に示すように、基材1の収縮により、得られた加工物3’とエネルギー線硬化型粘着剤層2aとの間に発生する剪断力によって剥離を始める。加工物3’とエネルギー線硬化型粘着剤層2aの剥離は、接着された部分の周辺から中心部に伝播し、その後、全面が剥離する。
【0035】
また、基材1の収縮にともない、粘着剤層2bも変形するので、両面粘着シート10を、硬質板4から容易に除去することもできる。特に粘着剤層2bをエネルギー線硬化型粘着剤で形成しておくと、エネルギー線照射により硬質板4との接着力が低下するので、両面粘着シート10を硬質板4からより容易に除去できる。
【0036】
上述したように、本発明の両面粘着シートにおいては、収縮性基材1に多数の微細な切込み6を設けておくこともできる。この場合、被加工物3に所要の加工を行なった後、加熱等の手段で収縮性基材1を収縮させると、これに同伴してエネルギー線硬化型粘着剤層2aが変形し、加工物3’との接触面積が減少し、接着力が低下する(図6参照)。この結果、両面粘着シート10を加工物3’からより容易に除去できる。
【0037】
本発明の両面粘着シート10は、以下の工程からなる半導体ウエハの裏面研削方法に特に好ましく用いられる。
すなわち、まず、図7に示すように、本発明の両面粘着シート10のエネルギー線硬化型粘着剤層2aに、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハ5の回路面を貼付し、
次いで、図8に示すように、他方の粘着剤層2bを硬質板4上に貼着して、半導体ウエハ5を硬質板4上に保持する。
【0038】
この状態で、半導体ウエハ5の裏面を所定の厚さになるまで研削する(図9参照)。
次いで、上記と同様にして、エネルギー線照射および基材の収縮を行い、半導体ウエハ5をエネルギー線硬化型粘着剤層2aから剥離する(図10参照)。
さらに、半導体ウエハ5の裏面研削の後、図4に示すようにウエハのダイシングを行い、その後にエネルギー線照射により基材の収縮を行ってもよい。これにより、裏面研削およびダイシングを同一形態で行いうるので工程管理が容易になり、また工程間の搬送を、ウエハが硬質板上に保持された形態で行えるので、ウエハの破損も防止できる。
【0039】
さらにまた、本発明では、上記とは逆に、ウエハのダイシングを行った後に、素子小片を硬質板上に保持した状態で、素子小片の裏面研削を行うこともできる。
【0040】
【発明の効果】
以上説明してきたように、このような本発明の両面粘着シートによれば、各種の被加工物を、硬質板上に一時的に保持し、その加工の際の固定または保護を行なうことができ、または所要の加工・保護を行なった後、簡単な操作により、容易に加工物を剥離することができる。このため、たとえば極薄あるいは大口径の半導体ウエハの裏面研削に使用しても、ウエハの厚み精度が向上し、反りが低減できる。また、搬送時の破損を防止することができる。そのため、種々の電子部品、半導体チップ等を歩留りよく製造できる。さらに本発明によれば、加工、搬送といった一連の工程を同一形態で行えるので工程管理も容易になる。
【0041】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0042】
【実施例1】
1-▲1▼ アクリル系粘着剤(n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体)100重量部と、分子量7000のウレタンアクリレートオリゴマー200重量部と、架橋剤(イソシアナート系)10重量部と、エネルギー線硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系)10重量部とを混合し、エネルギー線硬化型粘着剤組成物(紫外線照射後の弾性率が1.5×108Pa)を作成した。
1-▲2▼ 上記1-▲1▼で得られた粘着剤組成物を、剥離処理された厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ10μmとなるように塗布し、100℃で1分間加熱し、エネルギー線硬化型の粘着剤層を形成した。次いで、熱収縮性ポリエチレンフィルム(厚み35μm、120℃での収縮率が65%)に貼り合わせ片面粘着シートを得た。
1-▲3▼ また別に、上記1 ▲1▼で得られた粘着剤組成物を、剥離処理された厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ10μmとなるように塗布し、100℃で1分間加熱し、もう一方のエネルギー線硬化型の粘着剤層を形成した。
1-▲4▼ 1-▲2▼で得られた片面粘着シートの熱収縮性ポリエチレンフィルム側の面を、上記1 ▲3▼で形成したPETフィルム上の粘着剤層に貼り合わせ、両面粘着シートを作成した。
【0043】
【実施例2】
片側の粘着剤組成物を、アクリル系粘着剤(n-ブチルアクリレートと2-ヒドロキシエチルアクリレートとの共重合体)100重量部と、架橋剤(イソシアナート系)10重量部とからなる再剥離型粘着剤とした以外は実施例1と同様の操作を行なった。
【0044】
【実施例3】
両面粘着シートの基材を、熱収縮性ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚み30μm、120℃での収縮率が40%)に代えた以外は、実施例1と同様にして両面粘着シートを作成した。
【0045】
【実施例4】
片側の粘着剤組成物を、アクリル系粘着剤(n-ブチルアクリレートと2-ヒドロキシエチルアクリレートとの共重合体)100重量部と、架橋剤(イソシアナート系)10重量部とからなる再剥離型粘着剤とした以外は実施例3と同様の操作を行なった。
【0046】
【実施例5】
実施例1の1-▲1▼、1-▲2▼と同様にして片面粘着シートを得た。次いで縦横2mmピッチの格子状の切込みを、ローラー状の抜き型を用いて、上記片面粘着シートの熱収縮性フィルムの側より、一部粘着剤にかかるようにして作成した。続いて、1-▲1▼と同じエネルギー線硬化型粘着剤を、剥離処理された厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ10μmとなるように塗布し、100℃で1分間加熱した。次いで、切込みを形成した上記粘着シートの熱収縮性フィルム側に貼り合わせ、収縮性フィルムに切込みが形成されている両面粘着シートを作成した。
【0047】
【実施例6】
6-▲1▼ アクリル系粘着剤(n-ブチルアクリレートとメチルメタクリレートと2-ヒドロキシエチルアクリレートとの共重合体)100重量部と、分子量1000のウレタンアクリレートオリゴマー150重量部と、架橋剤(イソシアナート系)5重量部と、エネルギー線硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系)10重量部とを混合し、エネルギー線硬化型粘着剤組成物(紫外線照射後の弾性率が9.0×108Pa)を作成した。
6-▲2▼ 上記6-▲1▼で得られた粘着剤組成物を、剥離処理された厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ10μmとなるように塗布し、100℃で1分間加熱し、エネルギー線硬化型の粘着剤層を形成した。次いで、熱収縮性ポリエチレンフィルム(厚み35μm、120℃での収縮率が65%)に貼り合わせ片面粘着シートを得た。
6-▲3▼ アクリル系粘着剤(n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体)100重量部と、分子量7000のウレタンアクリレートオリゴマー200重量部と、架橋剤(イソシアナート系)10重量部と、エネルギー線硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系)10重量部とを混合し、エネルギー線硬化型粘着剤組成物(紫外線照射後の弾性率が1.5×108Pa)を作成した。
6-▲4▼ 上記6-▲3▼で得られた粘着剤組成物を、剥離処理された厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ10μmとなるように塗布し、100℃で1分間加熱し、もう一方のエネルギー線硬化型の粘着剤層を形成した。
6-▲5▼ 6-▲2▼で得られた片面粘着シートの熱収縮性ポリエチレンフィルム側の面を、上記6-▲4▼で形成したポリエチレンテレフタレートフィルム上の粘着剤層に貼り合わせ、両面粘着シートを形成した。
【0048】
【実施例7】
以下のようにして、収縮率の異なる貼り合せ収縮フィルムを製造した。
アクリル系粘着剤(n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体)100重量部と、架橋剤(イソシアナート系)10重量部とを混合し、粘着剤組成物を作成した。
【0049】
上記で得られた粘着剤組成物を、剥離処理された厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ5μmとなるように塗布し、100℃で1分間加熱し、粘着剤層を形成した。次いで、熱収縮性ポリエチレンフィルム(厚み30μm、120℃での収縮率が40%)に貼り合わせ片面粘着シートを得た。
上記で作成した片面粘着シートの剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がしながら熱収縮性ポリエチレンフィルム(厚み35μm、120℃での収縮率が65%)に貼り合わせ収縮フィルムの積層物を形成した。
【0050】
実施例1の熱収縮性ポリエチレンフィルムを、上記で得られた収縮率の異なる貼り合わせフィルム(厚み70μm)に変えた以外は、実施例1と同様にして両面粘着シートを形成した。
【0051】
【比較例1】
実施例1において、エネルギー線硬化型粘着剤組成物に代えて実施例2の再剥離型粘着剤を用い、両面に再剥離型粘着剤層が形成された両面粘着シートを作成した。
【0052】
【比較例2】
実施例1において、両面粘着シートの基材を、非収縮性ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚み25μm、120℃での収縮率が1%)に代えた以外は、実施例1と同様にして両面粘着シートを作成した。
上記で得られた両面粘着シートの評価を以下のようにして行なった。結果を表1に示す。
評価方法
▲1▼ 研削用保護テープとしての使用
直径6インチ(150mm)、厚み700μmのシリコンウエハを、実施例および比較例で製造した粘着シートを片面だけ剥離フィルムを剥がし、シリコンウエハの回路形成面に貼付した。このとき、両面粘着シートのエネルギー線硬化型粘着剤層をシリコンウエハに貼付する。ただし、実施例6の場合は紫外線照射後の弾性率が9.0×108Paのエネルギー線硬化型粘着剤層側を、実施例7の場合は120℃での収縮率が40%の側に設けられたエネルギー線硬化型粘着剤層側を、また比較例1では再剥離型粘着剤層をそれぞれシリコンウエハに貼付した。
【0053】
次いで、他方の剥離フィルムを剥がし、真空中でガラス(200mm×200mm、1.15mm厚)に貼付した。
貼付後、ウエハの厚みが50μmになるまでウエハ裏面を研削した。研削後、ガラス側から紫外線を照射し(比較例1は除く)、表面温度120℃に加熱したホットプレート上に上記のサンプルを1分間載置した。各ウエハの上部にエポキシ系接着剤でフックを取付け、万能引張試験機を用いてガラス面からの剥離強度を測定する(剥離スピード700mm/分)。結果を表1に示す。
【0054】
また、加熱後のシートの状態を目視にて観察した。結果を表2に示す。
▲2▼ ダイシングテープとしての使用
直径6インチ、厚み350μmのシリコンウエハ(#2000鏡面)を、実施例および比較例で製造した粘着シートを片面だけ剥離フィルムを剥がし、シリコンウエハの鏡面に貼付した。このとき、両面粘着シートのエネルギー線硬化型粘着剤をシリコンウエハに貼付する。ただし、実施例6、7、比較例1では、上記▲1▼と同様の粘着剤層側にシリコンウエハを貼付した。
【0055】
次いで、他方の剥離フィルムを剥がし、真空中でガラス(200mm×200mm、1.15mm厚)に貼付した。
貼付後、ダイシング装置DAD2H/6T(DISCO社製)、ダイシングブレード27HECCを用いて、ガラスの底面より切り残し量1.16mmとして10mm□に切断分離した。切断分離後、ガラス側から紫外線を照射し(比較例1は除く)、表面温度120℃に加熱したホットプレート上に上記のサンプルを1分間載置した。各チップの上部にエポキシ系接着剤でフックを取付け、万能引張試験機を用いてガラス面からの剥離強度を測定する(剥離スピード700mm/分)。結果を表1に示す。
【0056】
また、加熱後のシートの状態を目視にて観察した。結果を表2に示す。
▲3▼ 研削後搬送し、ダイシングを行う使用方法
直径6インチ、厚み700μmのシリコンウエハを、実施例及び比較例で作成した粘着シートを片面だけ剥離フィルムを剥がし、シリコンウエハの回路形成面に貼付した。このとき、両面粘着シートのエネルギー線硬化型粘着剤層をシリコンウエハに貼付する。
【0057】
ただし、実施例6、7、比較例1では、上記▲1▼と同様の粘着剤層側にシリコンウエハを貼付した。
次いで、他方の剥離フィルムを剥がし、真空でガラス(200mm×200mm、1.15mm厚)に貼付した。
貼付後、ウエハの厚みが50μmになるまでウエハを研削した。研削後そのままの状態でダイシング工程へ搬送した。
【0058】
前記で研削したウエハをダイシング装置DAD2H/6T(DISCO社製)、ダイシングブレード27HECCを用いて、ガラスの底面より切り残し量1.16mmとして10mm□に切断分離した。切断分離後ガラス側から紫外線を照射し(比較例1は除く)、表面温度120℃に加熱したホットプレート上に上記のサンプルを1分間放置した。各チップの上部にエポキシ系接着剤でフックを取り付け、万能引っ張り試験機を用いてガラス面からの剥離強度を測定する(剥離スピード700mm/分)。結果を表1に示す。
【0059】
また、加熱後のシートの状態を目視にて観察した。結果を表2に示す。
▲4▼ ダイシング後搬送し、研削を行う使用方法
直径6インチ、厚み700μmのシリコンウエハを、実施例及び比較例で作成した粘着シートを片面だけ剥離フィルムを剥がし、シリコンウエハの回路形成面に貼付した。このとき、両面粘着シートのエネルギー線硬化型粘着剤層をシリコンウエハに貼付する。
【0060】
ただし、実施例6、7、比較例1では、上記▲1▼と同様の粘着剤層側にシリコンウエハを貼付した。
次いで、他方の剥離フィルムを剥がし、真空でガラス(200mm×200mm、1.15mm厚)に貼付した。
ダイシング装置DAD2H/6T(DISCO社製)、ダイシングブレード27HECCを用いて、ガラスの底面より切り残し量1.16mmとして10mm□に切断分離した。切断分離した後そのままの状態で研削工程へ搬送した。
【0061】
ウエハの厚みが50μmになるまでウエハを研削した。研削後、ガラス側から紫外線を照射し(比較例1は除く)、表面温度120℃に加熱したホットプレート上に上記のサンプルを1分間放置した。各チップの上部にエポキシ系接着剤でフックを取り付け、万能引っ張り試験機を用いてガラス面からの剥離強度を測定する(剥離スピート700mm/分)。結果を表1に示す。
【0062】
また、加熱後のシートの状態を目視にて観察した。結果を表2に示す。
【0063】
【表1】
Figure 0003784202
【0064】
【表2】
Figure 0003784202
【0065】
ガラス側:ウエハ(チップ)側に凸状に変形し、両面粘着シートがガラス側に付着し、ウエハ(チップ)側に残存しなかった。
ランダム:両面粘着シートの変形はランダムに発生し、両面粘着シートはウエハ(チップ)側にもガラス側にも残存したが風圧により簡単に剥離した。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る両面粘着シートの断面図を示す。
【図2】本発明に係る両面粘着シートに被加工物を貼付した状態を示す。
【図3】被加工物を貼付した両面粘着シートを硬質板上に固定した状態を示す。
【図4】被加工物の加工を行なった状態を示す。
【図5】エネルギー線照射および基材収縮後の状態を示す。
【図6】基材に切込みを設けた両面粘着シートの使用例を示す。
【図7】本発明に係る両面粘着シートに半導体ウエハを貼付した状態を示す。
【図8】半導体ウエハを貼付した両面粘着シートを硬質板上に固定した状態を示す。
【図9】半導体ウエハの裏面研削を行なった状態を示す。
【図10】エネルギー線照射および基材収縮後の状態を示す。
【符号の説明】
1…収縮性基材
2a…エネルギー線硬化型粘着剤層
2b…粘着剤層
3…被加工物
3’…加工物
4…硬質板
5…半導体ウエハ

Claims (6)

  1. 120℃における収縮率が20%〜80%である収縮性基材と、該基材の両面に設けられた粘着剤層とからなり、少なくとも一方の粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤からなる両面粘着シートのエネルギー線硬化型粘着剤層に被加工物を貼付するとともに、他方の粘着剤層を硬質板上に貼着して、被加工物を硬質板上に保持し、
    被加工物の加工を行ない、
    前記エネルギー線硬化型粘着剤層にエネルギー線を照射するとともに、収縮性基材を収縮させ、
    得られた加工物をエネルギー線硬化型粘着剤層から剥離することを特徴とする両面粘着シートの使用方法。
  2. 粘着剤層が、ともにエネルギー線硬化型粘着剤からなることを特徴とする請求項1に記載の両面粘着シートの使用方法。
  3. 収縮性基材に、多数の微細な切込みが設けられてなることを特徴とする請求項1または2に記載の両面粘着シートの使用方法。
  4. 前記被加工物が、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記加工がウエハの裏面研削であることを特徴とする請求項1に記載の両面粘着シートの使用方法。
  5. 前記被加工物が、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記加工がウエハの素子小片へのダイシングであることを特徴とする請求項1に記載の両面粘着シートの使用方法。
  6. 前記被加工物が、表面に回路パターンが形成された半導体ウエハであり、前記加工がウエハの裏面研削およびウエハの素子小片へのダイシングであり、裏面研削およびダイシングが任意の順で行われることを特徴とする請求項1に記載の両面粘着シートの使用方法。
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DE19940390A DE19940390A1 (de) 1998-08-26 1999-08-25 Selbstklebende doppelt beschichtete Klebefolie und Verfahren zu ihrer Verwendung
CNB991183487A CN1147555C (zh) 1998-08-26 1999-08-26 双面涂覆的压敏粘合片及其使用方法
MYPI99003686A MY123333A (en) 1998-08-26 1999-08-26 Method of using pressure sensitive adhesive double coated sheet
HK00102925.6A HK1023786B (en) 1998-08-26 2000-05-16 Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
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Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105226B2 (en) * 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
US6114015A (en) * 1998-10-13 2000-09-05 Matsushita Electronic Materials, Inc. Thin-laminate panels for capacitive printed-circuit boards and methods for making the same
US6783620B1 (en) * 1998-10-13 2004-08-31 Matsushita Electronic Materials, Inc. Thin-laminate panels for capacitive printed-circuit boards and methods for making the same
JP4275254B2 (ja) 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4137310B2 (ja) 1999-09-06 2008-08-20 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4392732B2 (ja) 2000-02-07 2010-01-06 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4230080B2 (ja) 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
JP2002033296A (ja) * 2000-04-26 2002-01-31 Lintec Corp シリコンウエハ用の補強材および該補強材を用いたicチップの製造方法
JP3768069B2 (ja) * 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
JP2002075937A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法
AU2001293125A1 (en) * 2000-09-27 2002-04-08 Strasbaugh, Inc. Tool for applying resilient tape to chuck used for grinding or polishing wafers
DE10048881A1 (de) * 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
JP4109823B2 (ja) * 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
DE10052293A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren zum Aufbringen eines Substrats
JP2002164414A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Shinkawa Ltd 半導体ペレット処理方法及び装置
JP2002203822A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Lintec Corp 脆性部材の加工方法および両面粘着シート
DE10065686C2 (de) * 2000-12-29 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Handhabung eines dünnen Halbleiterwafers oder Substrats
JP2002270560A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Lintec Corp ウエハの加工方法
JP4482243B2 (ja) * 2001-03-13 2010-06-16 株式会社新川 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
WO2003041153A1 (en) * 2001-11-07 2003-05-15 Schlumberger Systèmes Method of fixing a sealing object to a base object
DE10157153A1 (de) * 2001-11-22 2003-09-04 Tesa Ag Verfahren zur Herstellung haftklebriger Stanzprodukte
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
JP3911174B2 (ja) * 2002-03-01 2007-05-09 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法および半導体素子
KR100735719B1 (ko) * 2002-03-28 2007-07-06 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체웨이퍼 표면보호용 점착필름 및 상기 점착필름을사용하는 반도체웨이퍼의 보호방법
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
JP2004083633A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び研磨テープ用接着テープ
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
DE10256247A1 (de) * 2002-11-29 2004-06-09 Andreas Jakob Schichtverbund aus einer Trennschicht und einer Schutzschicht zum Schutze und zum Handling eines Wafers beim Dünnen, bei der Rückseitenbeschichtung und beim Vereinzeln
JP2004319045A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Lintec Corp 光ディスク製造用シートおよび光ディスク
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4646508B2 (ja) * 2003-10-01 2011-03-09 日東電工株式会社 両面接着テープ又はシートおよびその製造方法
JP4405246B2 (ja) * 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
JP4275522B2 (ja) 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR100590198B1 (ko) * 2004-03-25 2006-06-19 엘에스전선 주식회사 수축성 이형필름을 갖는 다이싱 필름 및 이를 이용한반도체 패키지 제조방법
JP4833519B2 (ja) * 2004-03-31 2011-12-07 古河電気工業株式会社 両面粘着シート
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
JP2007535601A (ja) * 2004-04-30 2007-12-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ロール安定化された両面感圧接着テープアセンブリ
DE102004036794A1 (de) * 2004-07-29 2006-03-23 Konarka Technologies, Inc., Lowell Aufbereitung eines Substrats
US7101620B1 (en) 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
DE102004058456A1 (de) * 2004-12-03 2006-06-08 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Verfahren zur Formkorrektur eines mit einer Schicht und/oder einer Klebefolie versehenen, dünngeschliffenen Wafers
JP2006261519A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
TWI333672B (en) * 2005-03-29 2010-11-21 Furukawa Electric Co Ltd Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same
JP4754278B2 (ja) * 2005-06-23 2011-08-24 リンテック株式会社 チップ体の製造方法
JP5404992B2 (ja) * 2006-03-20 2014-02-05 電気化学工業株式会社 仮固定用組成物、部材の仮固定方法とそれに用いる基材
DE102006025671B4 (de) * 2006-06-01 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
WO2008032367A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Nitto Denko Corporation Dicing/die bonding film
DE102007010710A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Q-Cells Ag Carriersystem und Verfahren zum Prozessieren einer Mehrzahl von Substraten, die am Carriersystem fixiert sind
US8282754B2 (en) 2007-04-05 2012-10-09 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
WO2008124581A1 (en) 2007-04-05 2008-10-16 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
SG148884A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-29 Micron Technology Inc Method and system for removing tape from substrates
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010129700A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2010263041A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Nitto Denko Corp ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
WO2011094117A2 (en) 2010-01-28 2011-08-04 Avery Dennison Corporation Label applicator belt system
DE102010043871A1 (de) * 2010-11-12 2012-05-16 Tesa Se Klebmasse und Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
KR20120133890A (ko) * 2011-06-01 2012-12-11 동우 화인켐 주식회사 유리 접합용 접착제 조성물, 이를 이용한 유리 접합체 및 화상표시장치
BR112014001254A2 (pt) 2011-07-19 2017-02-21 3M Innovative Properties Co artigo adesivo termodescolável e métodos de preparo e uso do mesmo
DK2752867T3 (en) * 2011-08-31 2019-03-04 Soken Kagaku Kk Adhesive Wrap for Immobilization of Embossing Form, Embossing and Embossing Method
JP2014011242A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ledの製造方法
JP2014011243A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ledの製造方法
KR20150038203A (ko) * 2012-07-26 2015-04-08 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 열 접합해제성 접착제 물품
CN103035483B (zh) * 2012-08-28 2015-10-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
KR101527184B1 (ko) * 2013-10-14 2015-06-09 도레이첨단소재 주식회사 전자 부품 공정용 양면 점착 백 테이프 및 이를 이용한 전자 부품의 분리방법
WO2015056303A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置
CA2955602A1 (en) 2014-07-22 2016-01-28 Blue Photon Technology & Workholding Systems L.L.C. Method and devices to minimize work-piece distortion due to adhering stresses and changes in internal stresses
CN113921447A (zh) * 2014-12-29 2022-01-11 株式会社迪思科 保护片、保护片布置、半导体尺寸晶片的处理系统和方法
CN108611010A (zh) * 2018-03-30 2018-10-02 东莞市澳中电子材料有限公司 一种易清除的双面uv保护胶带及其制备方法
WO2020105482A1 (ja) * 2018-11-21 2020-05-28 三井金属鉱業株式会社 半導体パッケージの製造方法及びそれに用いられる粘着シート

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
US5714029A (en) 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
JPS60223139A (ja) 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
DE3639266A1 (de) * 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
US4729971A (en) * 1987-03-31 1988-03-08 Microwave Semiconductor Corporation Semiconductor wafer dicing techniques
JP2601956B2 (ja) 1991-07-31 1997-04-23 リンテック株式会社 再剥離型粘着性ポリマー
SG52223A1 (en) * 1992-01-08 1998-09-28 Murata Manufacturing Co Component supply method
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JPH0762304A (ja) * 1993-08-31 1995-03-07 Sekisui Chem Co Ltd 粘着テープの製造方法
JP2984549B2 (ja) 1994-07-12 1999-11-29 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
DE19520238C2 (de) * 1995-06-02 1998-01-15 Beiersdorf Ag Selbstklebeband
JP3177149B2 (ja) * 1996-03-15 2001-06-18 リンテック株式会社 粘着テープ用基材、該基材を用いた粘着テープ、および該基材の製造方法
JP3388674B2 (ja) * 1996-04-19 2003-03-24 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧接着剤組成物およびその利用方法
JPH10150007A (ja) * 1996-11-18 1998-06-02 Toyo Chem Co Ltd 半導体ウエハ固定用シート
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置

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