JP3786010B2 - 光ファイバ - Google Patents

Description

本発明は、光伝送路又は分散補償器として好適な光ファイバに関する。

従来から、例えば、以下のような光ファイバが知られている。特許文献1に開示されている微細構造光ファイバは、クラッド領域に囲まれた通常固体であるコア領域を有し、このクラッド領域は間隔をおいて配置された複数のクラッド特徴構造を有し、そのクラッド特徴構造はそのファイバ軸方向に長く伸び第１のクラッド材料中に配置されたクラッド特徴構造であり、そのコア領域は、有効直径ｄ_０及び実効屈折率Ｎ_０を有し、そのクラッド特徴構造は第１のクラッド材料の屈折率と異なる屈折率を有し、そのクラッド領域はＮ_０より小さい実効屈折率を有するものである。さらに、クラッド領域が、実効屈折率Ｎ_ｃｌを有する内側クラッド領域と実効屈折率Ｎ_ｃｏを有する外側クラッド領域（ただし、Ｎ_ｃｌ＜Ｎ_ｃｏ）を含むことにより、大きな分散が得られることが示されている。

また、非特許文献１には、Ｗ型屈折率プロファイルを有する光ファイバが開示されており、この光ファイバにおいて、小さい（負に大きい）波長分散が実現できることが示されている。

また、非特許文献２には、コア領域の両側に空気の「サイドトンネル領域」を導入することによって、大きな複屈折率を実現すると同時に、２つの偏波モードのカットオフ周波数差を拡大して絶対単一偏波ファイバを実現できることが開示されている。

また、特許文献２では、次のような空気クラッド光ファイバが開示されている。すなわち、石英系ガラスの光ファイバであって、ファイバ中心から外周に向かって、順に、コア領域、内側クラッド領域、第１外側クラッド領域、第２外側クラッド領域が存在し、内側クラッド領域の屈折率がコア領域の屈折率よりも低く、第１外側クラッド領域の実効屈折率は１．３５よりも低い。また、光ファイバの光学特性が第２外側クラッド領域に依存しないように第１外側クラッド領域が選ばれている。空気クラッド光ファイバは、クラッド励起光ファイバレーザや長周期グレーティングに好適であることが示されている。
特開平１０−９５６２８号公報 米国特許５，９０７，６５２号明細書 ＯＦＣ’９６ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ，ＴｈＡ３ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．１８，ｐｐ．８２４−８２６，（１９８２）

しかしながら、特許文献１に開示されている微細構造光ファイバは、クラッド全体にわたって微細構造が分布しており、微細構造の数が多い。例えば、同公報は、「発明者らのシミュレーションによれば、少なくとも４層の第２の毛管特徴構造を与えなければならないことを示している。」という記載があるが、この場合、毛管特徴構造の数は、少なくとも９０個と多数となってしまう。微細構造の数がこのように多くなると、製造が困難になる。同公報によれば、この微細構造光ファイバの製造工程は以下の通りである。すなわち、孔の空いたシリカ管と孔の空いていないシリカロッドを準備し、シリカロッドの周りに多数のシリカ管を配置して管束バンドルを作り、管束バンドルとオーバクラッド管とをコラプスさせてプリフォームを作り、このプリフォームを線引する。しかし、細径のシリカ管を配列を乱さないように束ねて管束バンドルを作製する作業は手間がかかる。また、配列が乱れる可能性が高いため、再現性の良い製造は困難である。製造の困難さは、微細構造の数の増加に伴って増大する。

一方、上記の製造工程以外に、従来の不純物添加型光ファイバのプリフォームに穿孔器具によって孔をあけるという工程も考えられる。しかし、この工程を用いた場合も、従来の微細構造光ファイバは多数の微細構造を含むため、製造コストが高い。

また、同公報に開示されている光ファイバは、特に微細構造が空孔である場合、以下のような問題点を有する。第一に、空孔を含むことによって光ファイバの強度が低下するため、張力や側圧に対する強度が低くなってしまう。第二に、空孔表面のＯＨ基や空孔内の水蒸気による吸収損失が生じる可能性がある。そのため、製造やファイバ接続の際には、空孔への水蒸気侵入の可能性を低減するための処置が必要となり、これらの作業が難しくなる。第三に、融着接続の際にガラスが融けて孔がつぶれると、コアとクラッドの間の実効屈折率差がなくなって、クラッドに漏れ出す光パワーが著しく増加するため、融着部における伝搬損失が増大する。上記第一、第二の問題点は、微細構造の数の増加に伴って影響がさらに増大する。

また、非特許文献1に開示されている不純物添加型光ファイバでは、実現可能な屈折率差が小さい。その結果、負分散の絶対値の大きさや、負分散スロープの絶対値の大きさや、実効コア断面積の大きさや、曲げ損失の低さに関して、実現できる値の範囲が制限されてしまう。

また、非特許文献２に開示されている光ファイバでは、コアの両側に導入された空気の「サイドトンネル領域」を有するため、直線複屈折が大きい。しかし、光伝送への応用、特に既存の光伝送路の一部に組み込む応用にとっては、複屈折が小さいことが望ましい。複屈折の大きい光ファイバに入射する光の偏波状態が、ファイバの主偏波状態に一致していない場合、偏波モード分散による伝送品質劣化が生じる。そのため、入射光の偏波状態を一定にするための素子が必要となり、コストが増大してしまう。また、既存の光伝送路の大部分は、偏波選択性がなく、既存の光伝送路から出射する光の偏波状態は不定である。このように、偏波状態が不定である光の偏波状態を一定に保つことは困難である。

また、特許文献２で開示された空気クラッド光ファイバでは、負に大きな波長分散や負に大きな波長分散スロープを得ることが難しい。これは、第１外側クラッドの実効屈折率を下げることによって第２外側クラッド領域が光学特性に影響を及ぼさないようにすることに主眼がおかれていたためである。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、小さい（負に大きい）波長分散、小さい（負に大きい）波長分散スロープ、大きい実効コア断面積、小さい曲げ損失を実現することができる光ファイバを提供することを目的とする。さらに、製造の容易化及びコストの低減、張力や側圧に対する強度の向上、空孔表面のＯＨ基や空孔内の水蒸気による吸収損失発生の可能性の低減、及び融着損失の低減が図られた光ファイバを提供することを目的とする。

上記目的を満たすため、本発明に係る光ファイバは、実質的に均一な媒質で構成されるコア領域と、コア領域を包囲する内側クラッド領域と、内側クラッド領域を包囲し、実質的に均一な媒質で構成される外側クラッド領域とを有し、コア領域、内側クラッド領域、及び外側クラッド領域は、ファイバ軸に沿って伸びると共に光学特性に影響を与える領域であり、コア領域の平均屈折率ｎ_０と、内側クラッド領域の平均屈折率ｎ_１と、外側クラッド領域の平均屈折率ｎ_２との間に、ｎ_１＜ｎ_２＜ｎ_０なる関係が成立し、内側クラッド領域を構成する主媒質とは異なる屈折率を有する副媒質からなりファイバ軸に沿って伸びる領域が、内側クラッド領域に３個以上含まれる構成を採る。

ファイバ軸に対して垂直な断面内において、コア領域の形状は実質的に円であり、内側クラッド領域と外側クラッド領域の形状は実質的に円環である。コア領域、及び内側クラッド領域、及び外側クラッド領域の平均屈折率は、領域の内半径をａ（コア領域の場合は０）、外半径をｂとして、次のｎ_ａｖｇで与えられる。

ただし、ｒとθとは、ファイバ断面内での位置を表す極座標であり、ｎ（ｒ、θ）は断面内の屈折率分布を表す。一般に、コア領域、内側クラッド領域、及び外側クラッド領域の各領域における平均屈折率は、領域の定義に依存する。「実質的に均一な媒質で構成されるコア領域と、コア領域を包囲する内側クラッド領域と、内側クラッド領域を包囲し、実質的に均一な媒質で構成される外側クラッド領域とを有し」、「コア領域の平均屈折率ｎ_０と、内側クラッド領域の平均屈折率ｎ_１と、外側クラッド領域の平均屈折率ｎ_２との間に、ｎ_１＜ｎ_２＜ｎ_０なる関係が成立する」とは、上記不等式が成立するような、コア領域と内側クラッド領域と外側クラッド領域の定義の仕方が存在することを意味する。なお、ファイバ強度を向上させるために、ガラスや樹脂などの材料からなるジャケット領域で外側クラッド領域を囲むこともできる。この時、ジャケット領域が光学特性に影響を及ぼすのを防ぐために、外側クラッド領域は十分な半径方向の厚みを持っていなければならない。一方、外側クラッド領域は光学特性に影響を及ぼす領域であり、内側クラッド領域の平均屈折率と厚さは、外側クラッド領域が光学特性に影響を及ぼすように選ばれる。

コア領域と外側クラッド領域は実質的に均一な媒質で構成される。これは、これらの領域を構成する材料の主成分が領域内で一様であることを意味する。このとき、不純物濃度が領域内で変化する構成を適宜採ることも可能である。例えば、コア領域は不純物としてＧｅを含むシリカガラスであり、中心から外周に向かってＧｅ濃度が減少する構造を採ることができる。

主媒質とは、その媒質だけで光ファイバを構成することが現実的に可能な媒質である。また、互いに連結していない複数の主媒質領域が、１本の光ファイバ中にあってはならない。一方、副媒質は、その媒質だけで光ファイバを構成することが現実的に不可能な媒質であってもよく、互いに連結していない複数の副媒質領域が、１本の光ファイバ中にあってもよい。典型的な主媒質としては石英系ガラスがあり、典型的な副媒質としては気体や液体がある。

このように、本発明に係る光ファイバでは、内側クラッド領域を構成する主媒質に加えて、この主媒質と異なる屈折率を有する副媒質からなる領域（以下、副媒質領域と称する。）を内側クラッド領域に導入する。一方、外側クラッド領域は実質的に均一な媒質で構成され、副媒質領域を含まない。これは、内側クラッド領域の平均屈折率が外側クラッド領域の平均屈折率よりも低い光ファイバにおいて、負に大きな分散などの好ましい特性を得るためには、副媒質領域の導入によって内側クラッド領域の平均屈折率を下げれば十分であり、外側クラッド領域には副媒質領域を導入する必要はない、という発明者の認識に基づいている。一方、主媒質よりも屈折率の低い副媒質からなる領域を導入することにより、内側クラッド領域の平均屈折率を副媒質領域が無い場合に比べて大きく下げることができる。その結果、従来の不純物添加型光ファイバに比べて負に大きな分散や、負に大きな分散スロープや、大きな実効コア断面積や、小さな曲げ損失といった好ましい特性を得ることができる。また、本発明の光ファイバは、空気クラッド光ファイバと異なり、負に大きな分散や、負に大きな分散スロープを実現することができる。これは、副媒質領域を含む内側クラッド領域を囲む外側クラッド領域が、光学特性、とりわけ波長分散特性に影響を及ぼすためである。さらに、外側クラッド領域が実質的に均一な媒質で構成され、副媒質領域を含まないため、導入する副媒質領域の数を、従来の微細構造光ファイバに比べて大幅に減らすことができる。その結果、シリカ管を配列する製造方法、又は穿孔器具を用いてプリフォームに孔をあける製造方法のいずれを用いるにせよ、再現性よく製造することが容易となり、製造コストも低減することができる。

また、特に副媒質領域が空孔である場合、副媒質領域の数の減少により、従来の微細構造光ファイバに比べて張力や側圧に対する強度が向上すると共に、空孔表面のＯＨ基や空孔内の水蒸気による吸収損失の発生の可能性が減少することによって製造や接続が容易になる。さらに、コア領域の屈折率が外側クラッド領域の屈折率よりも高いので、内側クラッドにおいて孔がつぶれた場合であっても光導波特性が失われず、融着損失を低減することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。

（第１の実施の形態）

図１は、第１の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｂの断面図である。この光ファイバ１０Ｂのコア領域１１は半径αの円形であり、１４．５ｍｏｌ％の濃度のＧｅが添加されたシリカガラス（屈折率ｎ_０＝１．４６５６７）で構成され、コア領域１１の周囲には純粋シリカガラス（屈折率ｎ_２＝１．４４４０２）を材料とする外半径γのクラッド領域１２が設けられている。クラッド領域１２は、コア領域１１を囲み、副媒質領域１３（屈折率ｎ_３＝１）を有する内側クラッド領域１４と、内側クラッド領域１４を囲み副媒質領域１３を含まない外側クラッド領域１５とから構成されている。内側クラッド領域１４において、主媒質は純粋シリカガラスであり、副媒質領域１３を形成する副媒質は空気である。副媒質領域１３は、半径ｒの円形であり、半径β’の円周上に実質的に等間隔で８個配置されている。また、外側クラッド領域１５のさらに外側には、ガラスやポリマー等の材料で構成されるジャケット層が被覆されている。このジャケット層は、マイクロベンドの発生抑止やファイバの強度向上といった機械的な性能向上を図るものであるが、外側クラッド領域１５は十分に厚く、ジャケット層が光学特性に与える影響は無視できる。内側クラッド領域１４と外側クラッド領域１５の境界は、β＝２β’−αなる半径を有する円周で定義する（これは、βがβ’とαの平均であること、つまり、副媒質領域13の中心は、内側クラッド領域１４のコア領域１１との境界および外側クラッド領域１５との境界から径方向に等距離に位置していることを意味する）。

この光ファイバ１０Ｂの構造パラメータは、次の通りである。すなわち、β’／α＝１．９４、ｒ／α＝０．１３５、γ／α＝１８．３である。

ここで、前述したように、領域の内半径をａ（コア領域の場合は０）、外半径をｂとして、ファイバ断面内での位置を極座標で表し、この極座標を用いた断面内の屈折率分布をｎ（ｒ、θ）で表すと、領域の平均屈折率ｎ_ａｖｇは再掲する次式で与えられる。

この式から、所定の領域中に一様な屈折率ｎ_ｍを有する主媒質中にこれと異なる屈折率ｎ_ｓを有する副媒質で形成された副媒質領域が存在する場合、領域内のそれぞれの断面積をＡ_ｍ、Ａ_ｓとすると、この所定領域の平均屈折率ｎ_ａｖｇは簡単に次式で表すことが可能である。

（２）式と上述の各パラメータから内側クラッド領域１４の平均屈折率ｎ_１は１．４３６６となる。

図２は、比較対象とする従来の不純物添加型光ファイバ１０Ａの断面図である。光ファイバ１０Ａのコア領域１１の材料はＧｅ濃度１４．５ｍｏｌ％のシリカ、内側クラッド領域１４の材料はＦ濃度１．１１３ｗｔ％のシリカ、外側クラッド領域１５の材料は純シリカである。

この光ファイバ１０Ａの構造パラメータは、次の通りである。すなわち、β／α＝２．８８、γ／α＝１８．３である。

図３〜図６は、光ファイバ１０Ａ及び１０Ｂにおいて、比率を一定に保ちながら寸法を変えることによってモードフィールド径を変化させたときの光学特性の変化を示す図である。図３及び図４における横軸はモードフィールド径ＭＦＤを示し、図３の縦軸は波長１５５０ｎｍにおける波長分散Ｄ_１５５０、図４の縦軸は波長１５５０ｎｍにおける波長分散スロープＳ_１５５０をそれぞれ示す。また、図５は、光ファイバ１０Ｂにおける外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合Ｐ_ＯＣと光学特性との関係を示す。図５の横軸は外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合Ｐ_ｏｃを示し、左縦軸及び右縦軸は波長１５５０ｎｍにおける波長分散Ｄ_１５５０及び波長分散スロープＳ_１５５０をそれぞれ示す。図６は、光ファイバ１０Ｂにおける外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合Ｐ_ＯＣとファイバ寸法との関係を示し、横軸はコアのＶ値、縦軸は光パワーの割合Ｐ_ｏｃをそれぞれ示す。ここで、コアのＶ値とは寸法に比例する値であり、コア及び外側クラッドの屈折率をそれぞれｎ_０及びｎ_２、真空中での波数をｋとして、

で定義される。

図３及び図４は、光ファイバ１０Ｂが光ファイバ１０Ａに比べて絶対値の大きな負の分散及び波長分散スロープを有することをそれぞれ示している。例えばＭＦＤ＝７μｍのとき、光ファイバ１０ＡではＤ_１５５０＝−９０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、Ｓ_１５５０＝−０．２５ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍであるのに対し、光ファイバ１０ＢではＤ_１５５０＝−１０７ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、Ｓ_１５５０＝−０．８４ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍである。負の分散及び波長分散スロープの絶対値が大きいことにより、正の分散及び波長分散スロープの補償に要する長さが短くて済むため、光ファイバ１０Ｂは光ファイバ１０Ａに比べて正分散及び波長分散スロープの補償に適しているといえる。

図５は、外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合Ｐ_ｏｃが０．００８以上のときに、負の分散及び負の分散スロープが得られることを示している。また、外側クラッド領域を伝搬するパワーの割合Ｐ_ｏｃが０．１以上のときに、特に絶対値の大きな負の分散及び負の分散スロープが得られることを示している。なお、図６に示すように、Ｐ_ｏｃ≧０．００８を実現するためにはＶ_ｃｏｒｅ≦１．６３、Ｐ_ｏｃ≧０．１を実現するためにはＶ_ｃｏｒｅ≦１．３４とされる。

以上説明したように、第１の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｂは、従来の空気クラッド光ファイバと異なり、小さい（負に大きい）波長分散と、小さい（負に大きい）波長分散スロープとを実現することができる。また、波長分散及び波長分散スロープは、不純物添加型の光ファイバ１０Ａに比べて負に大きい。そのため、光伝送路が有する正の波長分散や正の波長分散スロープを補償する用途に好適である。また、複屈折も小さい。さらに、従来の微細構造光ファイバと異なり、コアのガラス屈折率がクラッドでのガラス屈折率よりも高いので、融着時に孔がつぶれることによる接続損失が少ない。また、孔の数も８と少ないため製造が容易であり、強度も高い。特に外側クラッドを伝搬するパワーの割合が０．１以上の時に、絶対値の大きな負の波長分散及び負の波長分散スロープが得られる。

（第２の実施の形態）

図７及び図８は、本発明の第２の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｅ、１０Ｆ及び１０Ｇの断面図である。コア領域３０と内側クラッド領域３１は、Ｇｅ添加されたシリカガラス（屈折率ｎ_０）によって形成され、内側クラッド領域３１は、副媒質領域３２（屈折率ｎ_３）を複数有する。内側クラッド領域３１において、主媒質はＧｅ添加されたシリカガラス（ｎ_０＝１．４６５６７）であり、副媒質領域３２を形成する副媒質は空気（ｎ_３＝１）である。副媒質領域３２は、半径ｒの円形であり、半径β’の円周上に実質的に等間隔で配置されている。内側クラッド領域の外周は半径βの円周である。コア領域３０と内側クラッド領域３１の境界は半径α＝２β’−βの円周で定義する。外側クラッド領域３３は、純粋シリカガラスで形成されている。比較対象として、図２に示す不純物添加型光ファイバ１０Ａを用いる。

図７に示す光ファイバ１０Ｅ及び１０Ｆの構造パラメータは、次の通りである。すなわち、光ファイバ１０Ｅについては、α＝１．０２μｍ、β’＝１．９７μｍ、ｒ＝０．２５３μｍである。このとき、内側クラッド領域３１の平均屈折率ｎ_１は１．４３８８３となる。また、光ファイバ１０Ｆについては、α＝１．２５μｍ、β’＝１．８７μｍ、ｒ＝０．２１５μｍである。このとき、内側クラッド領域３１の平均屈折率ｎ_１は１．４３３９５となる。

また、図８に示す光ファイバ１０Ｇについては、α＝１．５０μｍ、β’＝１．８４μｍ、ｒ＝０．１５５μｍである。このとき、内側クラッド領域３１の平均屈折率ｎ_１は１．４２１１となる。

次に、以上のような構造を持つ第２の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｅ〜１０Ｇの光波長λと、波長分散Ｄと、実効コア断面積Ａ_ｅｆｆとの関係の計算結果を図９に示す。横軸が光波長λ、左側縦軸が波長分散Ｄ，右側縦軸が実効コア断面積Ａ_ｅｆｆとなっている。光ファイバ１０Ａ、１０Ｅ、１０Ｆ及び１０Ｇのいずれも、波長１５５０ｎｍにおいて、実効コア断面積Ａ_ｅｆｆ＝３０μｍ^２であるが、波長分散Ｄは、光ファイバ１０Ａが−１５５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、光ファイバ１０Ｅが−１６４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、光ファイバ１０Ｆが−２０８ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、光ファイバ１０Ｇが−２５４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍの順で負に大きくなっている。また、波長増加に対する実効コア断面積Ａ_ｅｆｆの増加ペースに注目すると、光ファイバ１０Ｅ及び１０Ｆの波長増加に対する実効コア断面積Ａ_ｅｆｆの増加ペースは、光ファイバ１０Ａの波長増加に対する実効コア断面積Ａ_ｅｆｆの増加ペースよりも小さい。波長増加に対する実効コア断面積Ａ_ｅｆｆの増加ペースが小さいということは、光がコアに良く閉じ込められており、曲げ損失が小さいことを意味する。また、一般に、実効コア断面積Ａ_ｅｆｆを大きくすると曲げ損失も大きくなることから、曲げ損失を一定にして比較すると、光ファイバ１０Ｅ及び１０Ｆは、光ファイバ１０Ａよりも大きい実効コア断面積Ａ_ｅｆｆを実現することができる。また、光ファイバ１０Ｅ、１０Ｆ及び１０Ｇのいずれも、副媒質領域の配置が４回回転対称性を実質的に有するので、２つの偏波モードが縮退し、モード複屈折が小さい。

従って、第２の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｅ〜１０Ｇは、図２に示す不純物添加型光ファイバ１０Ａに比べて、小さい（負に大きい）波長分散と、小さい曲げ損失と、大きい実効コア断面積とを実現することができる。波長分散が負に大きいため、正分散の補償に必要な長さが短く、かつ実効コア断面積が大きい。そのため、図１０に示すような、光送信器５０と、光受信器５１と、正分散光ファイバ５２と、負分散光ファイバ５３を含む光通信システムにおいて、第２の実施の形態に係る光ファイバを負分散光ファイバとして用いれば、負分散光ファイバにおける非線型光学効果による伝送路品質劣化を抑制し、大容量の光通信システムを実現することができる。

本発明に係る光ファイバでは、内側クラッド領域を構成する主媒質に加えて、この主媒質と異なる屈折率を有する副媒質からなる領域を内側クラッド領域に導入する。一方、外側クラッド領域は実質的に均一な媒質で構成され、副媒質領域を含まない。主媒質よりも屈折率の低い副媒質からなる領域を導入することにより、内側クラッド領域の平均屈折率を副媒質領域が無い場合に比べて大きく下げることができる。その結果、従来の不純物添加型光ファイバに比べて負に大きな分散や、負に大きな分散スロープや、大きな実効コア断面積や、小さな曲げ損失といった好ましい特性を得ることができる。また、本発明の光ファイバは、空気クラッド光ファイバと異なり、負に大きな分散や、負に大きな分散スロープを実現することができる。これは、副媒質領域を含む内側クラッド領域を囲む外側クラッド領域が、光学特性、とりわけ波長分散特性に影響を及ぼすためである。さらに、外側クラッド領域が実質的に均一な媒質で構成され、副媒質領域を含まないため、導入する副媒質領域の数を、従来の微細構造光ファイバに比べて大幅に減らすことができる。そのため、シリカ管を配列する製造方法、又は穿孔器具を用いてプリフォームに孔をあける製造方法のいずれを用いるにせよ、再現性良く製造することが容易となり、製造コストも低減することができる。

また、特に副媒質領域が空孔である場合、副媒質領域の数の減少により、従来の微細構造光ファイバに比べて張力や側圧に対する強度が向上すると共に、空孔表面のＯＨ基や空孔内の水蒸気による吸収損失の発生の可能性が減少することによって製造や接続が容易になる。さらに、コア領域の屈折率が外側クラッド領域の屈折率よりも高いので、内側クラッドにおいて孔がつぶれた場合であっても光導波特性が失われず、融着損失を低減することができる。

なお、副媒質領域は、ファイバ軸を中心とする４回回転対称性が実質的に成立するように配置されていても良い。これにより、２つの偏波モードを実質的に縮退させ、複屈折を小さくすることができる。また、ファイバ軸を中心とする１個以上の同心円の円周上に実質的に等間隔で配置されていても良い。これにより、２つの偏波モードを実質的に縮退させ、複屈折を小さくすることができる。また、円周に沿って副媒質領域を配置することにより、この円周を含む円環領域の屈折率を一様に変化させたのと同等の効果を得ることができる。このため、従来の不純物添加型光ファイバと同様に、半径方向の屈折率プロファイルに基づく設計が可能となる。従って、系統的な設計が容易となる。また、ファイバ軸を中心とする円の円周上に実質的に等間隔で配置されていても良い。２つの偏波モードを実質的に縮退させ、複屈折を小さくすることができる。また、系統的な設計が容易となる。さらに、副媒質領域の数を最小限に抑えることにより、製造の容易性、高い強度、高い信頼性を実現することが可能となる。

また、本実施の形態に係る光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおける外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合を０．００８以上（より好ましくは０．１以上）とすることができる。そのため、外側クラッド領域を単なる機械的強度の向上等のための領域ではなく、光ファイバの光学特性（とりわけ波長分散特性）に現実的に影響を及ぼす領域とすることができる。特に、外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合が０．００８以上であることにより、小さい（負に大きい）波長分散スロープを実現できる。また、外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合が０．１以上であることにより、小さい（負に大きい）波長分散を実現できる。

さらに、コア領域の媒質と、内側クラッド領域の主媒質と、外側クラッド領域の媒質とは、不純物が添加される場合がある石英系ガラスであり、内側クラッド領域における副媒質領域を形成する副媒質は気体又は真空である構成を採っても良い。これにより、伝送損失を低く抑えると共に、内側クラッドの平均屈折率を大きく低下させて、従来の不純物添加型光ファイバに比べて負に大きな分散などの好ましい特性を実現することが可能となる。

（第３の実施の形態）

図１１は、本発明の第３の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｈのファイバ軸方向の断面図である。また、図１２Ａは、図１１における光ファイバをI−I線で切断した断面図であり、図１２Ｂは、図１１における光ファイバをII−II線で切断した断面図である。第３の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｈは、ファイバ軸方向に区間ａと区間ｂとが交互に配置されており、区間ａでは内側クラッド領域４４に空孔４３を含むが、区間ｂでは空孔４３を含まない。区間ａと区間ｂの間には、遷移区間ｃが存在し、遷移区間ｃでは空孔断面積がファイバ幅方向に変化している。区間ａと区間ｂの長さは、典型的には１００ｍ以上である。一方、遷移区間ｃの長さは１ｍ以下とすることができる。この時、遷移区間ｃの光学特性が光ファイバ全体の光学特性に及ぼす影響は無視できる。コア領域４１の直径は２αであり、区間ａ及び区間ｂにおいて同一の値である。図１２Ａに示すように、区間ａでは、ファイバ軸を中心とする半径β’の円周上に８個の空孔４３（半径ｒ）が等間隔で配置されている。区間ａにおける屈折率分布は、空孔４３を含む円環領域であるディプレスト部を有する屈折率分布に相当し、区間ｂにおける屈折率分布は、ディプレスト部を有さない屈折率分布に相当する。また、第１及び第２の実施の形態と同様に、内側クラッド領域４４の外半径はβ＝２β’−αとし、外側クラッド領域４５の外半径はγとする。

この光ファイバ１０Ｈの構造パラメータは、次の通りである。すなわち、α＝１．７０μｍ、β’＝２．７４μｍ、ｒ＝０．２５μｍである。コア領域４１は、Ｇｅ濃度１２ｍｏｌ％のシリカ、内側クラッド領域４４の主媒質はＧｅ濃度５．０ｍｏｌ％のシリカ、外側クラッド領域４５は純シリカである。区間ａでは空孔４３を含むのに対し、区間ｂでは空孔４３を含まないため、内側クラッド領域４４の平均屈折率ｎ_１は、区間ａにおいて１．４３５、区間ｂにおいて１．４５２であり、ファイバ軸方向に変化した状態となっている。

図１３は、光ファイバ１０Ｈの区間ａ及び区間ｂの波長分散特性の数値シミュレーション結果を示す図である。ここでは、図１３に示すように、波長範囲を１５１０ｎｍから１６００ｎｍとした。区間ａでは、負の波長分散と負の波長分散スロープとを有し、区間ｂでは、正の波長分散と正の波長分散スロープとを有する。特に、波長１５５０ｎｍにおける波長分散Ｄ及び波長分散ロープＳは、
区間ａでは、
Ｄ＝−１２．８ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、
Ｓ＝−０．１２９ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍであり、
区間ｂでは、
Ｄ＝＋６．１６ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、
Ｓ＝＋０．０６５ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍである。

また、１５５０ｎｍにおいて、外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合Ｐ_ＯＣは０．０４８である。

図１４は、長さ１の区間ｂに対して、長さ０．４８の区間ａを組み合わせた場合の平均波長分散Ｄ_ａｖｇを示す図である。ここで、波長分散Ｄ_ｉ、長さＬ_ｉのファイバ区間ｉ（ｉ＝１，２，・・・ｎ）が連結されているとき、連結されたファイバ区間全体の平均波長分散Ｄ_ａｖｇを次式で定義する。また、連結されたファイバ区間全体の長さをＬとして、累積波長分散をＤ_ａｖｇＬで定義する。

同様にして、波長分散スロープＳ_ｉ、長さＬ_ｉのファイバ区間ｉ（ｉ＝１，２，・・・ｎ）が連結されているとき、連結されたファイバ区間全体の平均波長分散スロープＳ_ａｖｇを次式で定義する。また、累積波長分散スロープをＳ_ａｖｇＬで定義する。

波長分散が一定であるとみなすことができるファイバ区間における波長分散を局所波長分散と呼ぶ。これは、このようなファイバ区間が複数接続された伝送路全体での累積波長分散と区別するためである。

図１４に示されるように、平均波長分散Ｄ_ａｖｇ及び平均波長分散スロープＳ_ａｖｇは、波長１５５０ｎｍにおいて実質的にゼロとなる。そのため、上記の比率で区間ａ及び区間ｂを有する光ファイバ伝送路では、１５１０ｎｍから１６００ｎｍの広い波長帯域において平均波長分散の絶対値が０．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下となる。一方、図１３に示されるように局所波長分散の絶対値は４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上と大きい。また、遷移区間に含まれる一部のファイバ区間においては局所波長分散の絶対値が小さくなるが、このようなファイバ区間の長さは短く（例えば、１ｍ以下）できるので、遷移区間における非線形光学現象の影響は無視できる大きさである。従って、累積分散による光パルス広がりと、異なる波長の光信号間の非線形光学現象による伝送品質劣化を同時に抑制することができる。

このように、第３の実施の形態に係る光ファイバでは、ファイバ断面内の屈折率分布をファイバ軸方向に大きく変化させることができるため、波長分散の対波長特性をファイバ軸方向に大きく変化させることができる。そのため、１種類のファイバ区間からなる光ファイバでは実現が困難又は不可能である波長分散特性を実現することができる。特に、局所波長分散の絶対値が大きく、累積波長分散の絶対値が小さいという特性を実現することができる。

また、本実施の形態に係る光ファイバでは、従来の分散マネジメントファイバに比べて、ファイバ断面内の屈折率分布をファイバ軸方向に大きく変化させることによって、波長分散の対波長特性をファイバ軸方向に大きく変化させることができる。そのため、１５１０ｎｍ〜１６００ｎｍの波長帯における波長分散が−１０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより小さいファイバ区間ａと、その波長帯における波長分散が＋５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより大きいファイバ区間をｂとを有し、その波長帯における平均波長分散の絶対値が０．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍよりも小さく、その波長帯においてファイバ区間ａの波長分散スロープが負であると共にファイバ区間ｂの波長分散スロープが正である光ファイバを実現することができる。その結果、従来技術に比べて、累積波長分散の絶対値が所定の値よりも小さくなる波長範囲を拡大し、伝送容量を拡大することができる。

さらに、本実施の形態に係る光ファイバは、空孔を含まない複数の区間ｂがファイバ軸方向に間隔をおいて配置されている。その結果、区間ｂにおいて光ファイバをクリーブし、他の光ファイバと融着接続できる。この時、従来の微細構造光ファイバと異なり、融解による副媒質領域の変形・消失や、副媒質領域によるコアの認識の妨害の問題が起こらないので、従来の微細構造光ファイバに比べて融着接続が容易になる。また、端面において外気に対して開いた空孔がなく、汚染物質が空孔に侵入しない。そのため、屈折率マッチング液を用いて低損失の機械的接続を実現することができる。さらに、一部のファイバ区間ａにおいて側面が損傷し、空孔内に水などの汚染物質が侵入した場合も汚染物質はファイバ全体には行き渡らないため、損傷に対する耐性が従来の微細構造光ファイバに比べて高い。

（第４の実施の形態）

図１５Ａ及び図１５Ｂは、それぞれ本発明の第４の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｉの区間ａ及び区間ｂにおける断面図である。第４の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｉは、第３の実施の形態に係る光ファイバ１０Ｈと同様に、ファイバ軸方向に区間ａと区間ｂとが交互に配置されており、区間ａでは内側クラッド領域５４に空孔５３を含むが、区間ｂでは空孔５３を含まない。区間ａと区間ｂの間には、遷移区間ｃが存在し、遷移区間ｃでは空孔断面積がファイバ幅方向に変化している。区間ａと区間ｂの長さは、典型的には１００ｍ以上である。一方、遷移区間ｃの長さは１ｍ以下とすることができる。この時、遷移区間ｃの光学特性が光ファイバ全体の光学特性に及ぼす影響は無視できる。コア領域５１の直径は２αであり、区間ａ及び区間ｂにおいて同一の値である。図１５Ａに示すように、区間ａでは、ファイバ軸を中心とする半径β’の円周上に８個の空孔５３（半径ｒ）が等間隔で配置されている。区間ａにおける屈折率分布は、空孔５３を含む円環領域であるディプレスト部を有する屈折率分布に相当し、区間ｂにおける屈折率分布は、ディプレスト部を有さない屈折率分布に相当する。また、第１〜第３の実施の形態と同様に、内側クラッド領域５４の外半径はβ＝２β’−αとする。

この光ファイバ１０Ｉの構造パラメータは、次の通りである。すなわち、α＝１．７４μｍ、β’＝２．８１μｍ、ｒ＝０．３９μｍである。コア領域５１は、Ｇｅ濃度１４ｍｏｌ％のシリカ（屈折率ｎ_０＝１．４６５）、内側クラッド領域５４の主媒質及び外側クラッド領域５５は純シリカ（屈折率ｎ_２及びｎ_３＝１．４４４）である。区間ａでは空孔４３を含むのに対し、区間ｂでは空孔４３を含まないため、内側クラッド領域５４の平均屈折率ｎ_１は、ファイバ軸方向に変化した状態となっている。

図１６は、光ファイバ１０Ｉの区間ａ及び区間ｂの波長分散特性の数値シミュレーション結果を示す図である。ここでは、図１６に示すように、波長範囲を１５１０ｎｍから１６００ｎｍとした。区間ａでは、正の波長分散と負の波長分散スロープとを有し、区間ｂでは、負の波長分散と正の波長分散スロープとを有する。特に、波長１５５０ｎｍにおける波長分散Ｄ及び波長分散ロープＳは、
区間ａでは、
Ｄ＝＋２９．７ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、
Ｓ＝−０．０７９ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍであり、
区間ｂでは、Ｄ＝−１２．４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ、
Ｓ＝＋０．０３３ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍである。

また、１５５０ｎｍにおいて、外側クラッドを伝搬する光パワーの割合Ｐ_ＯＣは０．００８１である。

図１７は、長さ１の区間ｂに対して、長さ０．４２の区間ａを組み合わせた場合の平均波長分散Ｄ_ａｖｇを示す図である。平均波長分散Ｄ_ａｖｇ及び平均波長分散スロープＳ_ａｖｇは、波長１５５０ｎｍにおいて実質的にゼロとなる。そのため、上記の比率で区間ａ及び区間ｂを有する光ファイバ伝送路では、１５１０ｎｍから１６００ｎｍの広い波長帯域において平均波長分散の絶対値が１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下となる。一方、図１６に示されるように局所波長分散の絶対値は１０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上と大きい。従って、累積分散による光パルス広がりと、異なる波長の光信号間の非線形光学現象による伝送品質劣化を同時に抑制することができる。

このように、第４の実施の形態に係る光ファイバでも、ファイバ断面内の屈折率分布をファイバ軸方向に大きく変化させることができるため、波長分散の対波長特性をファイバ軸方向に大きく変化させることができる。そのため、１種類のファイバ区間からなる光ファイバでは実現が困難又は不可能である波長分散特性を実現することができる。特に、局所波長分散の絶対値が大きく、累積波長分散の絶対値が小さいという特性を実現することができる。

また、波長分散の対波長特性のファイバ軸方向における変化を適切に設計することにより、１５１０ｎｍ〜１６００ｎｍの波長帯における波長分散が２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより大きいファイバ区間ａと、その波長帯における波長分散が−１０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより小さいファイバ区間ｂとを有し、その波長帯における平均波長分散の絶対値が１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍよりも小さくなる光ファイバを実現することができる。本実施の形態に係る光ファイバでは、従来の分散マネジメントファイバに比べてファイバ断面内の屈折率分布をファイバ軸方向に大きく変化させることによって、波長分散の対波長特性をファイバ軸方向に大きく変化させることができるので、各区間における局所波長分散の絶対値を従来技術よりも大きくすることができる。その結果、累積波長分散による光パルス広がりを抑制すると同時に、異なる波長の光信号間での非線形光学現象による伝送品質劣化を従来技術よりも小さくすることができる。

さらに、本実施の形態に係る光ファイバでは、従来の分散マネジメントファイバに比べて、ファイバ断面内の屈折率分布をファイバ軸方向に大きく変化させることによって、波長分散の対波長特性をファイバ軸方向に大きく変化させることができる。そのため、１５１０ｎｍ〜１６００ｎｍの波長帯における波長分散が２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより大きいファイバ区間ａと、その波長帯における波長分散が−１０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより小さいファイバ区間をｂとを有し、その波長帯における平均波長分散の絶対値が１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍよりも小さく、その波長帯においてファイバ区間ａの波長分散スロープが負であると共にファイバ区間ｂの波長分散スロープが正である光ファイバを実現することができる。その結果、従来技術に比べて、累積波長分散の絶対値が所定の値よりも小さくなる波長範囲を拡大し、伝送容量を拡大することができる。

以上説明したように、本発明に係る光ファイバは、実質的に均一な媒質で構成されるコア領域と、コア領域を包囲する内側クラッド領域と、内側クラッド領域を包囲し、実質的に均一な媒質で構成される外側クラッド領域とを有し、コア領域、内側クラッド領域、及び外側クラッド領域は、ファイバ軸に沿って伸び、コア領域の平均屈折率ｎ_０と、内側クラッド領域の平均屈折率ｎ_１と、外側クラッド領域の平均屈折率ｎ_２との間に、ｎ_１＜ｎ_２＜ｎ_０なる関係が成立する光ファイバにおいて、内側クラッド領域を構成する主媒質とは異なる屈折率を有する副媒質からなりファイバ軸に沿って伸びる副媒質領域が、内側クラッド領域に３個以上含まれる構成を採る。

このような構成により、内側クラッド領域の平均屈折率を、副媒質領域が無い場合に比べて大きく下げることができるため、従来の不純物添加型光ファイバに比べて大きな負分散、大きな負分散スロープ、大きな実行コア断面積、及び小さな曲げ損失を実現することが可能となる。また、従来の空気クラッド光ファイバと異なり、外側クラッド領域が光学特性に影響を及ぼす結果、従来の空気クラッド光ファイバに比べて大きな負分散及び大きな負分散スロープを実現できる。また、導入する副媒質領域の数を大幅に減らすことができるため、再現性良く製造することが容易となり、製造コストも低減できる。また、従来の微細構造光ファイバに比べて張力や側圧に対する強度が向上すると共に、空孔表面のＯＨ基や空孔内の水蒸気による吸収損失の発生の可能性が減少することによって製造や接続が容易になる。さらに、コア領域の屈折率が外側クラッド領域の屈折率よりも高いので、内側クラッドの孔がつぶれた場合であっても光導波特性が失われず、融着損失を低減させることができる。

本発明に係る光ファイバは、光伝走路あるいは分散補償ファイバとして好適に使用できる。

本発明の第１の実施の形態に係る光ファイバの断面図である。 比較対象とする従来の不純物添加型光ファイバの断面図である。 モードフィールド径と、波長１５５０ｎｍにおける波長分散との関係を示す図である。 モードフィールド径と、波長１５５０ｎｍにおける波長分散スロープとの関係を示す図である。 外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合と波長１５５０ｎｍにおける波長分散及び波長分散スロープとの関係を示す図である。 外側クラッド領域を伝搬する光パワーの割合とコア領域のＶ値との関係を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る光ファイバの断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る光ファイバの断面図である。 第２の実施の形態に係る光ファイバの光波長λと、波長分散Ｄと、実効コア断面積Ａ_ｅｆｆとの関係の計算結果を示す図である。 第２の実施の形態に係る光ファイバを負分散光ファイバとして含む光通信システムの構成図である。 本発明の第３の実施の形態に係る光ファイバのファイバ軸方向の断面図である。 図１２Ａは、図１１における光ファイバをI−I線で切断した断面図であり、図１２Ｂは、図１１における光ファイバをII−II線で切断した断面図である。 第３の実施の形態に係る光ファイバの区間ａ及び区間ｂの波長分散特性の数値シミュレーション結果を示す図である。 第３の実施の形態に係る光ファイバにおいて、長さ１の区間ｂに対して、長さ０．４８の区間ａを組み合わせた場合の平均波長分散Ｄ_ａｖｇを示す図である。 図１５Ａは、第４の実施の形態に係る光ファイバの区間ａにおける断面図であり、図１５Ｂは、第４の実施の形態に係る光ファイバの区間ｂにおける断面図である。 第４の実施の形態に係る光ファイバの区間ａ及び区間ｂの波長分散特性の数値シミュレーション結果を示す図である。 第４の実施の形態に係る光ファイバにおいて、長さ１の区間ｂに対して、長さ０．４２の区間ａを組み合わせた場合の平均波長分散Ｄ_ａｖｇを示す図である。

符号の説明

１０…光ファイバ、１１…コア領域、１２…クラッド領域、１３…副媒質領域、１４…内側クラッド領域、１５…外側クラッド領域、３０…コア領域、３１…内側クラッド領域、３２…副媒質領域、３３…外側クラッド領域、４１…コア領域、４３…空孔、４４…内側クラッド領域、４５…外側クラッド領域、５０…光送信器、５１…光受信器、５２…正分散光ファイバ、５３…負分散光ファイバ、５４…内側クラッド領域、５５…外側クラッド領域。

Claims (17)

1. 実質的に均一な媒質で構成されるコア領域と、前記コア領域を包囲する内側クラッド領域と、前記内側クラッド領域を包囲し、実質的に均一な媒質で構成される外側クラッド領域とを有し、
   前記コア領域、前記内側クラッド領域、及び前記外側クラッド領域は、ファイバ軸に沿って伸び、
   前記コア領域の平均屈折率ｎ_０と、前記内側クラッド領域の平均屈折率ｎ_１と、前記外側クラッド領域の平均屈折率ｎ_２との間に、「ｎ_１＜ｎ_２＜ｎ_０」なる関係が成立し、
   前記内側クラッド領域を構成する主媒質と異なる屈折率を有する副媒質からなりファイバ軸に沿って伸びる領域が、前記内側クラッド領域に３個以上１２個以下含まれ、これらがファイバ軸を中心とする１つの円の円周上に実質的に等間隔で配置されていて、
   光を閉じ込めて導波する領域を１つのみ有する、
   ことを特徴とする光ファイバ。
2. 実質的に均一な媒質で構成されるコア領域と、前記コア領域を包囲する内側クラッド領域と、前記内側クラッド領域を包囲し、実質的に均一な媒質で構成される外側クラッド領域とを有し、
   前記コア領域、前記内側クラッド領域、及び前記外側クラッド領域は、ファイバ軸に沿って伸び、
   前記コア領域の平均屈折率ｎ_０と、前記内側クラッド領域の平均屈折率ｎ_１と、前記外側クラッド領域の平均屈折率ｎ_２との間に、「ｎ_１＜ｎ_２＜ｎ_０」なる関係が成立し、
   前記内側クラッド領域を構成する主媒質と異なる屈折率を有する副媒質からなりファイバ軸に沿って伸びる領域が、前記内側クラッド領域に３個以上１２個以下含まれ、
   波長１５５０ｎｍにおける前記外側クラッド領域を伝搬する光パワーの全光パワーに対する割合が０.００８以上である、
   ことを特徴とする光ファイバ。
3. 波長１５５０ｎｍにおける前記外側クラッド領域を伝搬する光パワーの全光パワーに対する割合が０.１以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。
4. 前記副媒質からなる領域がファイバ軸を中心とする４回回転対称性が実質的に成立するように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。
5. 前記副媒質からなる領域が、ファイバ軸を中心とする１個以上の同心円の円周上に実質的に等間隔で配置されていることを特徴とする請求項２記載の光ファイバ。
6. 前記副媒質からなる領域が、ファイバ軸を中心とする１つの円の円周上に実質的に等間隔で配置されていることを特徴とする請求項２記載の光ファイバ。
7. 所定の波長における基底モードの波長分散が、−１００ｐｓ／ｎｍ／ｋｍよりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。
8. 所定の波長において正の波長分散を有すると共に負の波長分散スロープを有することを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。
9. 前記コア領域の媒質と、前記内側クラッド領域の主媒質と、前記外側クラッド領域の媒質は、不純物が添加される場合がある石英系ガラスであり、前記内側クラッド領域の副媒質は気体又は真空であることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。
10. 光送信器と、光ファイバ伝送路と、光受信器からなる光通信システムにおいて、前記光ファイバ伝送路が、請求項１または２に記載の光ファイバと、前記光ファイバと異なる符号の波長分散を持つ光ファイバを含むことを特徴とする光ファイバ通信システム。
11. 前記副媒質からなる領域の断面積及び屈折率の少なくとも一方が前記ファイバ軸方向に変化していることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。
12. 所定の波長における波長分散が所定の正の値より大きい第１種ファイバ区間と、前記波長における波長分散が所定の負の値より小さい第２種ファイバ区間とを有する請求項１１記載の光ファイバ。
13. 前記第１種ファイバ区間では、所定の波長における波長分散が＋１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより大きいと共に、前記第２種ファイバ区間では、前記波長における波長分散が−１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍより小さく、前記波長における波長分散の絶対値が１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍを下回るファイバ区間の長さの合計が光ファイバ全長の１／１０以下であることを特徴とする請求項１２記載の光ファイバ。
14. 前記第１種ファイバ区間の前記波長における波長分散スロープと、前記第２種ファイバ区間の前記波長における波長分散スロープが、符号を異にすることを特徴とする請求項１２記載の光ファイバ。
15. 前記副媒質を含まない複数のファイバ区間が、ファイバ軸方向に間隔を置いて配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。
16. 光を閉じ込めて導波する領域を１つのみ有することを特徴とする請求項２記載の光ファイバ。
17. ファイバ軸に垂直な断面において前記副媒質からなる領域が円形であることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ。

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