JP3832902B2

JP3832902B2 - 半導体イメージセンサ

Info

Publication number: JP3832902B2
Application number: JP22964396A
Authority: JP
Inventors: 千秋青山
Original assignee: Honda Motor Co Ltd
Current assignee: Honda Motor Co Ltd
Priority date: 1996-08-30
Filing date: 1996-08-30
Publication date: 2006-10-11
Anticipated expiration: 2016-08-30
Also published as: US6320618B1; JPH1075397A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は多数の受光素子を二次元的に配列して画像形成を行う半導体イメージセンサに関し、さらに詳しくいえば、自動車等の車両に搭載され、その車両の位置を基準として、車両前方の建造物や先行車両等を含む前方環境を認識する車両前方監視用半導体イメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
車両前方監視センサは、これにより遠方から近傍まで連続的に続く白線を検出して車両の操舵制御を行ったり、道路構造物、先行車両等を含む前方環境を認識して車両の制動制御を行う場合など、自動車の自動運転システム等において使用される。この車両前方監視センサによって、特に高速道路において障害物を監視しようとした場合、車両の目前から二百数十メートル先までの対象物を判定することができなくてはならないが、そのためには非常に解像度の高い撮像素子を使ったカメラ等が必要であった。
【０００３】
このため、従来は二つの一般的なテレビカメラを用い、一方は遠方監視用として望遠レンズを使用して遠方を細かく検知し、もう一方は近傍監視用として通常レンズを用いたカメラを使用して広視野角で検知し、二つのカメラの併用よって前方を監視するといった方法や、ハイビジョン用カメラの高解像度を利用して遠方及び近傍を同時に監視するといった方法等が採用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来方法に使用されるカメラはいずれも極めて高価であってハードウェアコストがかかりすぎるという問題があり、また、ハイビジョン用カメラ等の高解像度を利用して遠方及び近傍を同時に監視する方法にあっては、遠方の監視には適しているが、車両近傍の物体については検索する領域も増えることで画像処理時間も増えるだけでなく、必要な画像形成を行う上において不必要なデータも多量に取り込むこととなり、画像処理上、大きな負担となるという問題があった。
【０００５】
ところで、監視する対象物によっては全てを同じ解像度で画像形成する必要のないものもあるし、特に解像度を高くして詳細な画像を必要とする場合もある。例えば、車両のフロントに設置された車両用前方監視カメラの場合には、図１に示すように、カメラにより撮像される情景の画像上方部ほど道路の遠方に対応し、カメラにより撮像される画像下方部ほど車両の目前の道路等に対応している。従って、遠方情景に対応する画像上方部を高解像度で撮像できるようにし、近傍情景に対応する画像下方部を低解像度で撮像できるようにすれば、必要な画像形成を行いつつ取り込むデータをより少なくすることができ、画像処理負担を軽減することができるだけでなく、より安価な前方監視用カメラを作成することも可能である。
【０００６】
本発明はこのような観点よりなされたものであり、同一基板上に形成された解像度の異なる領域を有する半導体イメージセンサによって、車両遠方から車両近傍に至るまでの必要最小限の画像データを読み取り、安価で効果的な車両前方監視用の画像表示を可能とするとともに、不必要な画像データの取り込みをなくして画像データ処理負担の軽減された半導体イメージセンサを実現することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明に係る半導体イメージセンサは、同一の基板上に多数の受光素子が二次元的に配列され、一の受光素子からの出力を一の画素出力として画像信号を形成するように構成されており、多数の受光素子を複数領域に分割し、遠方情景を撮像する受光部分（図１の画像上方部）を高解像度領域とするとともに、近傍情景を撮像する受光部分（図１の画像下方部）になるに従い低解像度領域になるように、異なる解像度領域を有する構成としている。このような構成とすれば、この半導体イメージセンサを車両前部に配設し車両前方監視用センサに使用した場合には、例えばセンサ上部（センサ下部でもよい）を遠方用監視センサ領域として遠方に存在する小さな対象物を高解像度で検知し、センサ中央部及びセンサ下部（上部でもよい）においては前方数十メートルから車両目前までの道路上の比較的大きな対象物を中度から低度の解像度で検出して画像表示することができるため、センサが必要以上に多量のデータを取り込むことがなくなり、画像処理負担の軽減を図りつつ必要な画像を得ることができる。また、本発明の半導体イメージセンサでは、基板上における受光素子の配列密度を所定の部分ごとに変えて同一平面上において異なる解像度領域を有するように構成されても良い。このような構成にすれば、例えば、画像中央部の重要な部分は高解像度で表示し、その他はより低い解像度で表示することができるなど、不必要な画像データの取り込みを少なくした効果的な画像信号を得ることができるだけでなく、全体として画像処理負担の軽減も図ることができる。
【００１０】
また、本発明に係る半導体イメージセンサは、異なる解像度領域ごとにそれぞれ独立したシャッタースピードコントロール回路を設け、高解像度領域のシャッター時間に対し、低解像度領域のシャッター時間を短くしても良い。
【００１１】
このような構成にすると、例えば、センサ受光部の高解像度領域が遠方情景を監視するように設定されている場合には、車両走行中の遠方情景はゆっくり変化するため高解像度領域のシャッター時間を比較的長く設定し、画素感度の低い遠方情景に対する感度を確保することができ、一方、近傍の対象物ほど情景変化が速いため低解像度領域のシャッタ時間を短くして、画像の鮮明度を確保するなど、各解像度領域ごとにシャッター速度を可変して露光時間を調節することができる。
【００１３】
さらに、本発明に係る半導体イメージセンサは、少なくとも高解像度領域における隣接した複数個の受光素子からの画素出力をまとめて、一の画素出力とする回路を設けたことにより、高解像度領域と低解像度領域の画素出力を同一解像度としている。このような構成にすると、特に高解像度を必要としない場合には、画像情報量を少なくすることができ、画像処理負担を軽減させることができると共に、イメージセンサ全体の画像を同一解像度の画像として表示させることもできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。図２が、ＭＯＳ形撮像デバイスを用いて構成した本発明に係る半導体イメージセンサの構成図である。無数の画素２が同一平面上に整然と配列され、画素アレイ１が形成されている。画素アレイ１上部（図面上部）は画素密度がアレイ下部より４倍ほど高く、アレイ上部が高解像度領域１０１を形成し、アレイ下部が低解像度領域１０３を形成している。そして、両領域を含んで単一基板上に形成された半導体イメージセンサの撮像デバイスを構成している。なお、画素２は画素２を選択するための垂直選択線１６と出力信号を取り出す垂直信号線１５に接続されている。
【００１５】
画素２は図３に示すようにフォトダイオード２１と垂直スイッチング用のＭＯＳトランジスタ２２により構成されており、フォトダイオード２１のアノードが接地されるとともにそのカソードがＭＯＳトランジスタ２２のソースに接続され、ＭＯＳトランジスタ２２のドレインが出力としての垂直信号線１５に接続されている。そして、そのゲートが垂直選択線１６に接続され、垂直選択線１６を通して供給される選択パルスにより垂直スイッチング用のＭＯＳトランジスタ２２のチャンネル開閉が制御される。
【００１６】
垂直信号線１５の一端は水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４のソースに接続され、ＭＯＳトランジスタ１４のソース−ドレイン間を介して垂直信号線１５が映像出力線１３に接続されている。水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４のゲートは水平選択線１７に接続されており、水平選択線１７を通して供給される走査パルスによりＭＯＳトランジスタ１４のスイッチングが制御される。
【００１７】
画素２の数は表示しようとする画面の大きさ、求める画像の解像度によっても異なるが通常、低解像度であっても数百×数百の単位で構成される。従って、画素選択のために配設される垂直選択線１６、水平選択線１７の数は画素２と同じくそれぞれが数百本ずつ必要とされる。この垂直選択線１６及び水平選択線１７の選択のために供給されるパルスは二つのシフトレジスタ（水平シフトレジスタ１１、垂直シフトレジスタ１２）から出力されるが、二つのシフトレジスタは共に連関した二つのクロック（Ｈクロック、Ｖクロック）に同期して作動するため、出力パルスは共にクロック同期したものである。
【００１８】
以上のように構成された半導体イメージセンサの動作を以下に説明する。
垂直シフトレジスタ１２は垂直スタートパルスが入力された後、Ｖクロックに同期して選択パルス（データ読み込み用）を発生させ、この選択パルスを画素アレイ１の各行（垂直選択線１６）に順番に印加（垂直走査）していく。
【００１９】
この選択パルスが垂直選択線１６に接続される垂直スイッチング用のＭＯＳトランジスタ２２のゲートに供給され、そのパルスが供給されている間、ＭＯＳトランジスタ２２が導通し、対象物からの反射光を受けてフォトダイオード２１に蓄積されていた信号電荷が垂直信号線１５に送られる。なお、このとき垂直選択線１６の選択パルスが印加されていない画素２のフォトダイオード２１はそのまま電荷の蓄積を続けている。
【００２０】
水平シフトレジスタ１１は水平スタートパルスが入力された後、Ｈクロックに同期して、走査パルス（データ読み出し用）を発生させ、この走査パルスを水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４のゲートに印加する。この走査パルスの印加により、水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４が順次、導通していくと、垂直信号線１５に一時的に蓄えられていた信号電荷が順次、映像出力線１３に移り、映像出力線１３の出力端から時系列の映像信号として取り出される。
【００２１】
このような走査型の半導体イメージセンサでは、一般に選択パルスが一つの垂直選択線１６を選択している間に、水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４の全てが一度、走査パルスによって選択され、画素アレイ１の一行の画素出力が垂直信号線１５を介して映像出力線１３に出力される。選択パルスによって垂直選択線１６が垂直方向に垂直走査されていくに従い、一画面の画像データを全て映像出力線１３に出力する。
【００２２】
このとき、垂直信号線１５に信号電荷が移送された直後に映像出力線１３に出力できるように走査パルスと選択パルスがコントロールされているだけでなく、低解像度領域１０３では、高解像度領域１０１の走査パルス周期より２倍長い周期の走査パルス間隔となって、一行（一つの選択線１６）の選択時間中の走査パルス数を高解像度領域１０１における走査パルス数と同じくし、不必要な画像データの取り込みが行われないように構成されている。
【００２３】
ところで、第４図に示すように異なる解像度領域毎に、それぞれ異なる画像データの読み込み、読み出しを行うコントロール回路（垂直シフトレジスタ１１ａ、１１ｂ垂直シフトレジスタ１２ａ，１２ｂ及び水平スイッチング用ＭＯＳトランジスタ１４ａ，１４ｂ等）を設けて構成することも可能であり、このように構成すれば、低解像度領域１０３における選択時間や走査時間を高解像度領域１０１におけるそれらと同じく高速にすることができ、画像データ収集の時間を短くすることができる。
【００２４】
以上は撮像デバイスの画素アレイ１を水平方向に２分割した場合について説明したが、本願発明は水平方向の分割に限られるものではなく、また２分割の場合に限らず多分割することも可能である。しかし、車両搭載用の前方監視センサでは、高速道路等における監視対象として図１に示すような情景が多く、このため本発明にかかる他の半導体イメージセンサでは図５に示すごとく、画素アレイ１を水平方向に３分割し、画素アレイ１上部を遠方監視用として高解像度領域１０１とし、前方数十メートル先を中近傍用の中解像度領域１０２とし、監視領域の広い車両目前を低解像度領域１０３とし、全体として一つの撮像デバイスを構成している。このように構成すると、画像表示の鮮明度を確保しつつ画像処理負担の軽減を図る上から極めて効果的である。
【００２５】
第６図は本発明に係る半導体イメージセンサに関する参考例であり、異なる２つの解像度領域を有する半導体イメージセンサの異なる解像度領域毎にそれぞれ独立したシャッタースピードコントロール回路を設けた場合の構成図である。これは水平シフトレジスタ１１の出力である水平選択線１７と、水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４ａのゲートとの間に、水平選択線１７と同数の２入力オア回路３２を設け、オア回路３２の一方の入力に水平選択線１７を接続し、他方の入力に信号電荷の放出時間を設定するシャッタスピード設定回路３２１の出力を接続して構成されている。
【００２６】
また、画素アレイ１の垂直方向に関しても同様に、垂直シフトレジスタ１２の出力である垂直選択線のうち高解像度領域１０１に対応する垂直選択線１６０と垂直スイッチング用ＭＯＳトランジスタ２２（図３参照）の間に、垂直選択線１６０の数と同数の２入力オア回路３２を設け、オア回路３２の一方の入力に高解像度領域１０１に対応する垂直選択線１６０を接続し、他方の入力に前記シャッタースピード設定回路３２の出力を接続して構成されている。また、映像出力線１３の出力端にはアナログスイッチ１３１が設けられており、通常は映像出力線１３を出力端に導通させておき、シャッタスピードコントロール回路が作動されたときには、シャッタスピード設定回路３２１の出力パルス（露光制御パルス）に同期して、信号電荷の放出時間だけアナログスイッチ１３１がグランド側に接続される。
【００２７】
低解像度領域１０３についても全く同様な構成でシャッタスピードコントロール回路が設けられており、シャッタスピード設定回路３２１、オア回路３３及びアナログスイッチ１３２もそれぞれ異なる領域毎に独立に設けられていることから、これらシャッタスピードコントロール回路はそれぞれ異なる解像度領域毎に独立して作動させることがが可能である。
【００２８】
このような構成にすると、垂直スイッチング用のＭＯＳトランジスタ２２のゲート及び水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４のゲートにそれぞれ供給される選択パルス及び走査パルスに代わって、露光制御パルスをシャッタースピード設定回路３２１又は同３３２から直接かつ同時に各ゲートに供給することができ、各画素２に蓄積されていた信号電荷を全て撮像デバイス外に放出させることができるため、新たな露光時間を設定することができる。このため、走行中の画像変化の相対速度に対応して、シャッター時間（すなわち露光時間）を長くしたり短くしたりすることもでき、画素感度を自由に変更することができる。
【００２９】
例えば、車両走行中に画素アレイ１の上部高解像度領域１０１が遠方情景の監視用に設定されている場合には、遠方情景は車両から見るとゆっくり変化するため、露光時間を長くし、画素感度が低下する高解像度領域１０１の遠方情景に対するデータ取り込み感度を確保したり、近傍情景は車両から見ると速く変化するため露光時間を短くして、画像の鮮明さを確保するしたりすることができる。
【００３０】
なお、このようなシャッタスピードコントロール回路は、前述のようなシャッタスピード設定回路３２１、３３２や多数のオア回路３２、３３等を設けることなく、他の方法によっても実現することができる。例えば、第４図に示すように、異なる解像度毎にクロック発生回路１８、１９とこのクロック信号によってシフトレジスタを制御する制御回路３０、３１を設け、この制御信号によって異なる解像度毎にフレーム時間を変更してもよい。
【００３１】
第７図は画素アレイ１の高解像度領域１０１における画像信号を形成する画素出力を部分的に取り出すことができるようにした本発明に係る半導体イメージセンサの他の参考例である。この実施例における画像信号の部分取出回路は上述してきた半導体イメージセンサに、水平シフトレジスタ選択回路４１と映像出力線１３上に配設された出力選択回路４２とを設けて構成されている。
【００３２】
例えば、画像データを形成するデバイスである画素アレイ１は垂直方向、水平方向共に数百単位の画素数を有して構成されている場合が多いが、この場合には画素列を選択する走査パルスを発生させる水平シフトレジスタ１１は１つの選択時間（１つの垂直選択線が選択されている時間）を数百に時分割して水平選択線１７を選択する走査パルスを発生させる必要がある。この場合、水平シフトレジスタ１１を１つの連続した大レジスタとして構成するのではなく、例えば５０進の小シフトレジスタを１１１から１１ｎまで直列に接続して、通常は全体として１つの水平シフトレジスタ１１が形成されるように構成しておく。
【００３３】
このように構成しておくと、高解像度領域１０１の一部の画像のみを拡大表示させたいような場合には、対応する画素アレイ１の水平選択線１７に走査パルスを供給する小シフトレジスタ（例えば１１２〜１１９までのシフトレジスタ）のみを水平シフトレジスタ選択回路４１によって選択し、この小シフトレジスタによって選択される垂直信号線１５の画素出力信号のみを映像出力線１３に出力できるようにすることができる。
【００３４】
この場合、水平選択線１７の全てを走査しながら、必要な小シフトレジスタ（例えば１１２〜１１９）によって選択される水平選択線１７に対応した垂直信号線１５の画素出力信号のみを出力選択回路４２によって選択して出力することもできるし、また、時間短縮のために、水平シフトレジスタ選択回路４１によって選択された小シフトレジスタ（１１２〜１１９）の間でのみ走査して部分画像データを形成する画素出力信号のみを映像出力線１３に出力することもできる。
【００３５】
このように構成しておけば、例えばトンネル内を走行している場合のように、情報量の大きい高解像度領域１０１からの画素データ出力の全てを使用して画像形成する必要がなく、必要な一部分の画像のみを表示させたい場合においては、適正な画素データ出力のみを選択処理して映像出力線１３に出力することができるため、画像処理負担の軽減を図ることができる。
【００３６】
第８図は、特に山道走行中であって、前方に山が迫っている場合のように、特に高解像度を必要としない場合において、高解像度領域１０１の隣接した４個の画素出力を一にまとめて１画素出力とすることができるようにした本発明の係る他の半導体イメージセンサの実施形態を示すものである。この半導体イメージセンサは水平シフトレジスタ１１の出力である隣接する２本の水平選択線１７と、それぞれの水平選択線１７に対応する２つの水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４のゲートとの間に１つの水平選択線結合回路５２を設け、全体として水平選択線１７の数の半数の水平選択線結合回路５２を配置して構成されている。
【００３７】
また、画素アレイ１の垂直方向に関しても同様に、垂直シフトレジスタ１２の出力である高解像度領域１０１の隣接する２本の垂直選択線１６と、それぞれの垂直選択線１６に対応する２つの垂直スイッチング用ＭＯＳトランジスタ２２（図３参照）のゲートとの間に１つの垂直選択線結合回路５１を設け、全体として高解像度領域１０１の垂直選択線１６の数の半数の垂直選択線結合回路５１を垂直シフトレジスタ１２に沿って配置して構成されている。
【００３８】
一の垂直選択結合回路５１の構成を第９図に示す。垂直選択結合回路５１は３つのオア回路と１つのアンド回路によって構成されている。垂直シフトレジスタ１２の出力線である垂直選択線１６のうち、隣接する２本の垂直選択線１６ａ，１６ｂがオア回路５２の入力に接続され、その出力がアンド回路５３の一方の入力に接続されている。アンド回路５３の他方の入力には解像度の変更を制御する解像度選択回路５０からの制御信号が入力される。そして、このアンド回路５３の出力と垂直選択線１６ａの選択パルスとの論理和（オア回路５４）取られ、その出力が垂直選択線１６ａの代わりに新たな垂直選択線１６ａ’として元の垂直選択線１６ａに対応した垂直スイッチング用ＭＯＳトランジスタ２２のゲートに供給される。
【００３９】
さらに、アンド回路５３の出力はオア回路５５の入力にも接続され、アンド回路５３の出力と垂直選択線１６ｂの選択パルスとの論理和も取られ、その出力が垂直選択線１６ｂの代わりに新たな垂直選択線１６ｂ’としてもとの垂直選択線１６ｂに対応した垂直スイッチング用ＭＯＳトランジスタ２２のゲートに供給されている。水平選択線結合回路５２も全く同様の構成であり、この回路５２は水平シフトレジスタ１１と水平スイッチング用のＭＯＳトランジスタ１４のゲートとの間に配設されて構成されている。
【００４０】
このように構成された選択線結合回路５１、５２の動作を説明する。通常通り、高解像度を選択しておく場合には解像度選択回路５０の出力は低レベルのままであり、従って、アンド回路５３の出力は常に低レベルである。このため、垂直シフトレジスタ１２から垂直選択線１６ａ、１６ｂに供給される選択パルスは、それぞれオア回路５４、５５を通って直接垂直スイッチング用ＭＯＳトランジスタ２２に供給される。
【００４１】
２つの選択パルスがそれぞれの選択線１６ａ、１６ｂにシフトした状態で供給される場合には、この２本の選択線によって映像出力線１３に２つの画素データを含む出力が得られることになる。この動作は水平シフトレジスタ１１側においても同様であり、結局、互いにシフトした２つの選択パルス及び走査パルスがそれぞれの選択線１６、１７に供給される場合には、この４本の選択線によって映像出力線１３に４つの画素データを含む出力が得られることになる。
【００４２】
今、高解像度を必要としない場合には、解像度選択回路５０の出力をハイレベルにセットする。するとアンド回路５３はゲートとして常に解放されたままとなり、垂直選択線１６ａに生じた選択パルスは選択線１６ａと１６ｂを同時に選択することになる。また、時間が経過して垂直シフトレジスタ１２がシフトし、垂直選択線１６ｂに選択パルスが生じても同じく１６ａと１６ｂを同時に選択することになる。従って、垂直信号線１５にはただ１つの画素データ信号のみが出力される。
【００４３】
この画素データ信号を映像出力線１３に出力するための水平選択線１７に生じる走査パルスについても同様であり、従って、隣接する４つの画素からはただ１つの画素データを含む出力が得られることになる。なお、本実施例では隣接する４つの画素２から１つの画素出力を得る場合について説明したが、４つとは限らず９画素から１出力を得ることもでき、さらに任意に構成することも可能である。
【００４４】
このような構成にすると、高解像度領域１０１の画素出力を隣接する画素ごとにまとめて出力することができるため、特に高解像度の画像を必要としない場合には、画像処理負担の軽減を図ることができる。また、高解像度領域１０１を低解像度領域１０３の４倍の解像度を有するように構成している場合には、４つの隣接する画素をまとめて１つの画素出力が得られるようにすれば、半導体イメージセンサ全体の画像を同一解像度の画像として表示することができる。
【００４５】
【発明の効果】
このように、同一基板上に解像度の異なる領域を形成した半導体イメージセンサとすれば、不必要な情報を除外しつつ、安価な構成で効果的な画像処理が可能なイメージセンサを構成することができる。特に本発明に係る半導体イメージセンサを車両前方監視センサとして使用する場合には、センサを道路遠方の景色等に対応する部分と、車両目前の道路画像に対応する部分とに分け、道路遠方部に対応する部分を高解像度領域とし、目前の景色に対応する部分に行くに従って低解像度領域となるようにすることにより、安価な構成で効果的な画像表示を可能としたイメージセンサを提供することができる。その結果、センサが必要以上に画像データを取り込む必要がなくなり、画像処理負担の軽減されたイメージセンサとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】車両監視用センサが取り込む典型的な画像の一例である。
【図２】本発明に係る半導体イメージセンサの構成図である。
【図３】ＭＯＳ形半導体イメージセンサの一画素の構成を示す拡大図である。
【図４】図２に示す本発明の半導体イメージセンサの他の構成を示す構成図である。
【図５】本発明に係る半導体イメージセンサの画素アレイを水平方向に３分割した場合の画像構成例である。
【図６】本発明に係る半導体イメージセンサにシャッタースピードコントロール回路を設けた場合の構成図である。
【図７】本発明に係る半導体イメージセンサに画像の部分取出回路を設けた場合の構成図である。
【図８】複数の画素出力をまとめて一の画素出力とすることができる回路を設けた本発明に係る半導体イメージセンサの構成図である。
【図９】一の選択線結合回路の構成例を示す図である。

Claims

同一基板上に多数の受光素子を二次元的に配列し、前記一の受光素子からの出力を一の画素出力として画像信号を形成する半導体イメージセンサであって、
前記多数の受光素子を複数領域に分割し、
遠方情景を撮像する受光部分を高解像度領域とするとともに、近傍情景を撮像する受光部分になるに従い低解像度領域になるように、異なる解像度領域を有する構成としたことを特徴とする半導体イメージセンサ。
前記同一基板上における前記受光素子の配列密度を変えることにより同一平面上において異なる解像度領域を有するように構成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体イメージセンサ。
前記異なる解像度領域毎にそれぞれ独立したシャッタースピードコントロール回路を設け、前記高解像度領域のシャッター時間に対し、前記低解像度領域のシャッター時間を短くしたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体イメージセンサ。
少なくとも前記高解像度領域における隣接した前記受光素子からの出力を複数個まとめて一の画素出力とする回路を設けたことにより、前記高解像度領域と前記低解像度領域の画素出力を同一解像度とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体イメージセンサ。