JP3949232B2 - プラズマリアクタ - Google Patents
プラズマリアクタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3949232B2 JP3949232B2 JP18404497A JP18404497A JP3949232B2 JP 3949232 B2 JP3949232 B2 JP 3949232B2 JP 18404497 A JP18404497 A JP 18404497A JP 18404497 A JP18404497 A JP 18404497A JP 3949232 B2 JP3949232 B2 JP 3949232B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- plasma reactor
- outer member
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路ウエハ処理のためのプラズマリアクタに関し、特にこのようなリアクタで用いられるガス注入システムの改良システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路ウエハを処理するプラズマリアクタは、典型的には、真空チャンバと、チャンバ内でウエハを保持するペデスタルと、プラズマRF電源と、ガスをチャンバに供給するためのガス注入システムとを有する。リアクタが誘導結合リアクタであれば、プラズマRF電源に接続されるチャンバの周りにコイルアンテナを含めることができる。ウエハペデスタルをまた前記のあるいは別のRF電源に接続させることができる。プラズマリアクタの別のタイプ(たとえば、反応性イオンエッチングリアクタなど)では、コイルアンテナはなく、プラズマRF電源がウエハペデスタルにのみ接続されている。リアクタのガス注入システムは少なくとも一つのガス散布装置を備える。多数のガス散布装置が用いられる場合、それぞれは典型的には、チャンバ内のそれぞれ別の領域にガスを供給するためにリアクタの別の部分に配置される。利用される(一つあるいは複数の)ガス散布装置は処理を行う場合の特定の要件に左右される。たとえば、あるタイプのガス散布装置は、さまざまな処理工程中に(たとえばプラズマ強化化学蒸着など)、リアクタの側壁からチャンバ内に放射状にガスを注入するために用いられ、典型的には、ウエハの水平面近くにある。この放射ガス散布装置は単独で用いてもよいし、あるいは前述の天井タイプのような別のガス散布装置と組み合わせて用いてもよい。
【0003】
一つの典型的な放射ガス散布装置10を図1に示す。この装置10はチャンバの電源領域12のベースすなわち底面の周辺部に設けられている。装置10はリング14の内側表面の周りに規則的に配置されたガス注入ホール16を持つガス散布リング14を有する。処理ガスなどが単一の入り口18から供給される。指定の作業には十分であるが、従来の放射ガス散布装置10はチャンバのかなり多くの部分を物理的にガス散布リング構造14専用にしなければならないという欠点がある。現在のプラズマリアクタ設計において、リアクタの多数のシステムをできるだけコンパクトなユニットに実装することが望まれている。よって、寸法が大きく、貫入したガス散布リング14を組み込むために必要なスペースを割くことは問題である。また、リアクタ側壁22とガス散布リング構造14の間の境界面20は典型的には、ガスが境界面から漏れないように密封されている。この作業を実行するために、境界面20に関する表面領域までも密封する必要があるので、(図示しない)比較的大きな密封部材を用いなくてはならない。よく知られているように、多くの表面を密封することには困難がともない、漏れる危険がある。たとえば、密封部材、たとえば密封Oリングなど、が密封される表面に関する寸法公差はリークパスの形成を防ぐために比較的正確でなくてはならない。密封表面が大きくなればなるほど、領域全体に求められる公差を形成するのは困難になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
リアクタチャンバ側壁22と比較的大きな従来のガス散布リング14の間の境界面に関する別の問題は、境界面20が壁面に作る不連続面である。この不連続面によって、チャンバ側壁22に不可避で形成される堆積残留物の層にストレス点と裂け目が生じる。また、温度差が側壁22とリング14の間に生まれやすく、さらに多くの残留層にストレスによる裂け目を生じさせる。破断した残留物材料はリング14と側壁22で剥がれやすいため、処理を受けるウエハを汚染する危険がある。入り込む処理ガスによって起こる乱れが破断した残留物をチャンバ内に散乱させやすいガス注入ホール16の近くでこの剥離現象は特に顕著である。
【0005】
分散リング14からの不均一なガスの流れはまた、そこにある放射ガス分散装置にも悪影響を及ぼす。ガス分散リング14は典型的には、ある一地点から供給されるので、その入力部でのガス注入ホール16からのガスの流れはリングの反対側よりもはるかに多くなる。このような不均一なフローパターンは、半導体ウエハへのエッチングや堆積を不均一なものとする。また、フィード口が一つだけなので、ガスが複数のガスからなる混合ガスである場合、リング14に到着する前にあらかじめ混合しておかなければならない。チャンバ内で混合させたり、ガスの組成をチャンバのさまざまな部分で変えたりできるように異なるガスをリング14のさまざまなホール16に供給することはまったくできない。
【0006】
よって、現在利用されているユニットほどスペースをとらず、密封表面積が小さいプラズマリアクタガス注入システムが望まれている。また、均一なガスの流れをチャンバに送ることができ、異なるガスを同時にチャンバに送り、チャンバ内で混合させたり、チャンバの場所ごとにガスの組成を変えることができるようなガス注入システムが望まれている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記のような要件を満たすガス注入システムを提供するものである。特に、本発明はチャンバ側壁に設けられ、部材の内側に対面するスロットアパーチャをそれぞれ持った複数のガス散布ノズルを有する放射ガス散布装置に関するものである。複数のガスフィードラインは、各ガス散布ノズルをガス供給部のそれぞれと接続させるために用いられる。ガス供給部はそれぞれ、それぞれのガスフィードラインを介してノズルに供給されるガスを含んでいる。個々のガス供給部は同一のガス種(単一あるいは複数のガス種)からなるガスを有していてもよいし、それぞれ異なるガス種からなるガスを有していてもよい。実際、すべての供給部がそれぞれ別の種類のガスを含んでいてもよい。それぞれの供給部でガスの組成を変えられることで、各ノズルは望まれるいかなるガスも送ることができる。あるいは、異なるガスをチャンバに送る必要がなければ、ノズルを単一のガス供給部に接続してもよい。
【0008】
ガスはチャンバ内に均一に送られることが望ましいことが多い。このために、ガス散布ノズルはチャンバの周辺に互いに均等に配置されている。放射ガス散布装置の好ましい実施例においては、4つのガス散布ノズルが等間隔に配置されている。また、各ノズルからのガス流量が略同一になるように、均一なガスの散布が典型的に求められる。本発明におけるノズルはある範囲のガス流量を送ることができる。よって、均一なガス散布が求められているときはいつでも、すべてのノズルが同一のガス流量となるように構成されている。しかし、均一なガス散布が求められていない時は、それぞれのノズルが異なるガス流量となるように構成されている。たとえば、少なくとも一つのノズルの流量を異なるようにすれば、ガス供給部に関する不均一なポンプ条件を補うことになる。ガス流量を変える一つの方法としては、(別個のガス供給部が用いられている)ガス供給部のガス圧力を変化させるものがある。もう一つの方法としては、ノズル自体の構成を調整するというものがある。後者の方法については、好ましいノズル構造に関連してこの後で詳しく説明する。
【0009】
好ましいガス散布ノズルは、環状の外側部材に囲まれる円筒形の内側部材を有し、環状チャンネルがその間に形成される。この環状チャンネルは、スロットアパーチャを有した環状ギャップを持つ、内側部材の第1の端部と外側部材の第1の端部まで延びている。ガスは、環状チャンネルを介して、スロットアパーチャに流れ、チャンバ内に流入する。本発明の一つの実施例において、各ノズルはまた、ボアを有するガスフィードブロックを含み、そこに外側部材と内側部材が設けられている。
【0010】
外側部材には外部環状空隙があり、これがガスフィードブロックボアの側壁とともに、第1のマニホールドチャンバを形成する。加えて、外側部材に複数のホールがあり、それによってガスが第1のマニホールドチャンバから外側と内側部材の間の環状チャンネルにまで流れるような通路ができる。好ましくは、確実にガスが均一に環状チャンネルに流れるようにホールを外側部材の周辺に等間隔に配置するのがよい。これによって、今度は、スロットアパーチャからのガス流量が均一になる。また、各ノズルからの流量を好適なものとするために、ホールの数と直径を選択する。よって、これらのパラメータがノズルによって異なれば、上述のようにノズル間のガス流量を変化させることが可能になる。あるいは、ノズルすべてのホールの数と直径を同じにしてもよい。その場合、流れを制限する差し込みを必要なだけホールに設けて、各ノズルからの流量を好適なものにすることができる。外側部材と内側部材の間の環状チャンネルが、複数のホールが環状チャンネルに開口する場所に対応する第2のマニホールドチャンバを有するようにしてもよい。この第2のマニホールドチャンバは、スロットアパーチャに最接近する端部で狭くなっており、環状チャンネルの残りの部分はスロットアパーチャとほぼ同一の断面寸法を有する。ガスフィードブロックは、ブロックの外側に開いた第1の端部と、第1のマニホールドチャンバに開いた第2の端部とを有したガスフィードホールを含む。ガスフィードラインの一つは、ガスがガスフィードホールを通って第1のマニホールドチャンバに流れるように、(そしてそこから第2のマニホールドチャンバに、環状チャンネルを下がって、スロットアパーチャを出て、リアクタチャンバに流れるように)、ガスフィードホールの第1の端部に接続されている。
【0011】
放射ガス散布装置は、ガスがノズルの異なる部分の間と、ノズルとチャンバ側壁の間とから漏れないように密封されているのが好ましい。したがって、密封Oリングなどさまざまな密封デバイスが用いられる。このような密封デバイスのひとつは、外側部材とガスフィードブロックボアの側壁の間のリアクタチャンバからあるいはチャンバにガスが通るのを防ぐ。また別のデバイスは、外側と内側部材との間および/または外側部材とガスフィードブロックボアの側壁との間の経路に沿ってノズルの外側に第1のマニホールドチャンバと環状チャンネルのガスが逃げる(あるいは、同じ経路でノズルの外側から内側に浸透する)のを防いでいる。さらに別の密封デバイスを用いて、リアクタチャンバからのあるいはリアクタの外側のガスが、各ノズルの外側とチャンバ側壁の間の境界面を通って流れるのを防ぐ。
【0012】
ガス散布ノズルのそれぞれの外側、内側部材は、ノズルによって送られるガス、リアクタチャンバに存在する別のガスの侵入やあるいは部材上のプラズマ粒子の衝突に強い材料からなるのが好ましい。この侵入や衝突に強い材料はセラミック、石英ガラスか重合材料であるのが好ましい。
【0013】
上述のガス散布ノズル構成のさまざまな別の実施例もまた可能である。たとえば、外側部材をガスフィードブロックのボアに設けてブロックをチャンバ側壁に取り付ける代わりに、ガスブロックに関するボアを直接側壁に形成するような本発明の別の実施例が可能である。よって、ガスフィードブロックは必要ではなくなる。ガスフィードブロックが用いられる別の実施例においては、ガスフィードブロックの前面はチャンバに露出している。この場合、ブロック面はプラズマの浸食効果を受けやすくなる。この危険を回避する一つの方法として、その面あるいはブロック全体を先に述べた浸食への耐性がある材料で形成するというものがある。あるいは、ガスフィードブロックをリアクタの側壁に埋め込んでもよい。後者の実施例では、外側と内側部材の一部だけが側壁を介してリアクタチャンバに突出する。ガスフィードブロックの面は露出されない。
【0014】
ガス散布ノズルの上述の実施例の別の形態では延出した外側、内側部材が備えられている。この変形例では、リアクタチャンバに対面する外側、内側部材の端部がウエハペデスタルの側壁から内側方向に放射状に延出している。延出したノズル形体により、リアクタ内で処理を受けるウエハのできるだけ近くにガスを送ることができる。ウエハの近くにガスを送ることにより、ウエハ表面にわたってガスをより均一に散布させられるので、そのことはいくつかの処理工程では望ましいものである。また、この形体により、ガスの流れをチャンバの壁から離すことができるので、チャンバ側壁近くで、チャンバ壁上の堆積物を乱して、チャンバ内に散乱させ、処理対象のウエハを汚染しかねない乱れを取り除く。
【0015】
本発明における放射ガス散布装置は従来の装置の多くの欠点を解消し、これらの従来例では見られない汎用性をもたらす。たとえば、本発明の比較的控えめなノズルアセンブリでは、従来の装置に特徴的なガス散布リングに比べると、チャンバ側壁内で必要なスペースははるかに少なくて済む。ノズルを用いることによりスペースが除かれ、リアクタ全体をより小型にすることができる。ノズルとリアクタ側壁の境界面も、従来のガス散布リングに関する大きな境界面に比べて、極めて小さいものとなる。これらのより小さな境界面は密封するのが容易になる。たとえば、リアクタの側壁に埋め込まれているガスフィードブロックを有する放射ガス散布装置の実施例では、ノズルの端部のみが壁を介してチャンバに延出している。リアクタ側壁とノズルアセンブリの間の境界面を密封するのに必要なのは小さいOリングだけでよい。密封面は比較的小さいので、リークパスを抑えるのに必要な寸法公差は、従来の放射ガス散布装置のガス散布リングとリアクタ側壁との大きな境界面より容易に確保できる。
【0016】
本発明のさまざまな実施例の好ましい構造は、プラズマによる浸食に耐性のある材料からなるので、従来のガス散布リング構造よりも非常に有利でもある。従来のリングがアルミニウムからなる場合、これが一般的であるが、エッチングガスやプラズマの浸食効果を受けやすいので、頻繁に取り替えなくてはならない。ステンレススチールも従来のリングを製造するのにしばしば用いられるが、これがプラズマにさらされると、望ましくない重金属汚染物を処理を施されるウエハ上に散乱させる。もちろん、この問題点も、従来のリングをセラミックやそのほか本発明の実施例に類似した浸食耐性材料で形成すれば回避することができる。しかし、比較的サイズの大きな従来のリングでは、このような材料で形成することは問題がある。たとえば、大きなセラミック構造物を製造することは非常に難しく、もろくなりやすい。直径が8インチ以上のウエハを処理することを意図した大きなリアクタチャンバでは、この問題は特に顕著となる。本発明におけるガス注入スリットノズルはこのような問題を回避する。
【0017】
従来のガス散布リングに関する上述したガスの流れが不均一になる問題も、本発明によって回避される。ガスは単一の点にある従来例のガス散布リングに送られるので、この入力点近くのノズルの流れは離れたノズルよりも強くなる。しかし、本発明によれば、各ノズルはそれぞれがガス受け入力点を有する。したがって、各ノズルからのガス流量は、望めば、同一にすることができるので、チャンバ内に均一な流れのパターンを作ることになる。もちろん、均一なガスの流れのパターンを望まなければ、本発明の放射ガス散布装置は汎用性があるので、それぞれのノズルからの流量をユーザが望むようにすることができる。また、実施例の中には、それぞれのノズルから異なるガスあるいは異なる混合ガスを供給することができるものがある。従来の装置には、各ノズルごとに望ましい流量とガス組成を選択するという汎用性がない。
【0018】
上述の効果のみならず、本発明の別の目的と効果は、添付の図面を参照しながらこのあとの詳細な説明から明らかになろう。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明はプラズマリアクタのためのガス注入システムに関する。プラズマリアクタガス注入システムはチャンバ内にガスを散布するための一つ以上のガス散布装置を有する。たとえば、リアクタはガスをチャンバ内に散布させるためのリアクタの頂部にあるいはその近辺に天井ガス散布装置を配置することができる。このような装置は本願の先願(すなわち、米国特許出願番号08/307,888、出願日1994年9月16日)と係属中の米国特許出願番号08/551,881、出願日1995年10月16日に開示されている。リアクタはまた放射ガス散布装置を、ガスをチャンバ内に放射状に散布するリアクタの側壁、あるいはその近辺に配置してもよい。本発明における放射ガス散布装置の好ましい実施例について次に開示する。
【0020】
放射ガス散布装置の好ましい実施例は、少なくとも一つの円形スリットノズル100(またはスロット穴付きノズルともいう)を用いている。図2(a)から図2(b)はこれらのノズル100の一つを示しており、しかもその好ましい外形を示している。図2(a)はノズル100を形成する部品を示したノズル100の拡大図であり、図2(b)は組み立てられたノズル構造の断面図である。ノズル100は外側部材102と、内側部材104と、ガスフィードブロック106と、カバー108と、2つの密封Oリング110と112とを有する。内側部材104は外側部材102の中央ボア114に挿入される。このように組み合わされたアセンブリは、密封Oリング112が取り付けられたあと、ガスフィードブロック106のボア116に挿入される。最後に、密封Oリング110はカバー108の裏面にある(図2(b)に示されている)溝120に取り付けられ、カバー108はガスフィードブロック106上に取り付けられる。カバー108は任意のやり方で、たとえば(図示しない)ねじによって、固定することができる。
【0021】
内側部材104は段差のある円筒形をしている。カバー108に対向する端部から始まり、内側部材104は長い円筒状の端部122を有し、この端部122は直径がこの端部より大きな、端部より短い円筒状中間部124に移行する。内側部材104はさらに大きな直径の円板状先端キャップ126で終わる。端部122と、中間部124と先端キャップ126はすべて同軸上にある。
【0022】
外側部材102は両側が開放された段差付き中空円筒形状をなす。カバー108に対向する端部から始まり、外側部材102は長い円筒状スリーブ128を有し、このスリーブ128は同軸の円筒マニホールド部130に移行する。マニホールド部130の直径はスリーブ128よりも大きく、これにより(図2(b)に示す)平坦な環状面132が移行点に形成される。マニホールド部130の外側は環状空隙134を有する。外側部材102の中央ボア114に延出するホール136がこの環状空隙134の底面の周囲に規則的に配置されている。中央ボア114は前述の移行点でスリーブ128の内径に対応する第1の直径を有する。そこから、中央ボア114は、ホール136がボア114の中に開口される場所の近くのより大きな直径方向に外側に先細りになっている。中央ボア114の残りの長さはこの大きな直径を有する。ただし端部ポケット138は、さらに大きな直径を有する。
【0023】
内側部材104の円板状先端キャップ126と円筒状中央部124はそれぞれ、端部ポケット138と中央ボア114のある部位にはめ込まれる。内側部材の円筒状中央部124と中央部124が連結するボア114の当該部位の寸法は、無理にはめ込まれてはいないが、密着しているのが好ましい。このサイジングによって、外側と内側の部材102と104を容易に組み立てることができ、内側部材104の長い端部122を外側部材の中央ボア114の長軸と同軸状の中央部124から延出させることができる。この同軸位置合わせは、内側部材と外側部材の端部によって形成される(図2(b)に示される)スロット付きアパーチャ140が均一の幅を確実に持つようにするために必要である。先端キャップ126と端部ポケット138は内側部材104が外側部材102のさらに縦方向に移動するのを防ぐように設計されている。したがって、先端キャップ126の直径がポケット138の裏に接合するのに十分な大きさである限り、密着はめ込みは求められない。さらに、先端キャップ126の厚さとポケット138の深さをほぼ等しくして、カバー108に近接するこれらの構造の端部が互いに面一になるようにするか、あるいは先端キャップ126をポケット138よりやや厚くしてもよい。後者の形状は、ノズル構成要素間がいかに小さな公差不一致であっても、密封Oリング110の力がカバー108にかかるのにかかわらず、カバー108が十分に先端キャップ126と接触し、内側部材104を外側部材102にしっかりと押し込むことが確実に保証されるので好ましい。内側部材104の中央部124は、ホール136が中央ボア114に開口する点まで外側部材102に延出する。このようにして、(あとで詳細に説明する)ホール136を介したガスの流れが妨げられない。内側部材104の長い端部122は中央部124から外側部材102のボア114の残りの部分まで延出する。長い端部122は外側部材102のスリーブ部128の端部と面一になるところまで延び、その点で前述のスロット付きアパーチャ140を形成する。スリーブ部128の内径と長い端部122の直径は、これによって形成されるアパーチャ140が約0.010から0.030インチまでの幅(理想的には約0.020インチ)を有し、外周から計測する直径が約0.30から1.00インチまで(理想的には約0.40インチ)となるような大きさであるのが好ましい(1インチ=約25.4mm)。
【0024】
ガスフィードブロック106は段差中央ボア116を有する。このボア116の前方部の直径はスリーブ部128の外側の直径に略対応するものであるが、わずかにそれより大きくスリーブ部がブロック106に挿入しやすくなっている。無理なはめ込みではないものの、密着したはめ込みが好ましい。加えて、ボア116の前方部の長さは本発明のこの実施例におけるスリーブ部128と略同一である。よって、取り付けられるとき、スリーブ部128と内側部材104の長い端部122の端部はガスフィードブロック106の前部と略面一となる。ガスフィードブロックボア116はまた、前方部よりも直径の大きい後方部を有する。このより大きな直径は外側部材102のマニホールド部130の外径よりやや大きいものの、ほぼ対応する。ここで再び、外側部材102のマニホールド部130とガスフィードブロックボア116の後方部は、無理なはめ込みではないが密着したはめ込みであるのが好ましい。ガスフィードボア116と外側部材102とが無理なはめ込みではなく密着したはめ込みであるのが好ましいのは、このようにはめ込むことにより、組み立てあるいは分解を妨げることなく、適切にこれらの構成要素を位置合わせすることができるからである。ガスフィードボア116の前方部と後方部の移行部が内面142を形成する。この内面142は密封Oリング112が取り付けられる溝118を、図2(b)に示すように有している。あるいは、図示されていないが、Oリング112が、Oリング112が部材の平坦な環状面132に接するまで外側部材102のスリーブ部128上を滑動するような内径を有するようにしてもよい。また、ガスフィードブロックボア116の内面142に一つも溝を形成しないこともありうる。むしろ、Oリング112は、変形して、環状面132と内面142との境界面を密封する圧縮Oリングであるのがよい。また、内面142は平坦な環状面132をストップさせ、それによって、外側部材102がブロック106にさらに挿入されるのを防ぐ。ガスフィードブロックの後部ボア部の長さは、外側部材102のマニホールド部130の長さにほぼ対応し、これにより、先端キャップ124と、マニホールド部130とガスフィードブロック106の後方で面する表面が互いに面一となる。また、ブロック106の底面を介してガスフィードホール144がある。このガスフィードホール144は(ブロック106に取り付けられるとき)マニホールド部130の環状空隙134の内部に開口する。
【0025】
カバー108の内側と外側で面する側はガスフィードブロック106の後方面と全般的なサイズと形状が同じである。カバー108の内側で面する側はカバー108がガスフィードブロック106に固定される前に密封Oリング110が取り付けられる環状溝120を有する。カバー108は任意の手段(たとえばねじなど)によってガスフィードブロック106の後方面と固定される。いったん取り付けられると、カバー108はガスフィードブロックボア116内で内面142に対して上方に外側部材102を保持して、Oリング112に圧縮力を与える働きをする。また、カバー108は外側部材102内で内側部材104を保持し、ガスフィードブロック106に密封Oリング110を付勢する。
【0026】
作動時、ガスは、ガスフィードブロック106のガスフィードホール144の外側端部に送られる。ガスはホール144を通って移動し、外側部材102の環状空隙134とガスフィードブロック106の内面によって形成されるマニホールドチャンバ146内に送られる。そののち、ガスはマニホールドチャンバ146の周囲を流れ、環状空隙134の底面のホール136を流れる。その結果、ガスはマニホールド部130の内面と内側部材104の長い端部122の内面によって形成される第2のマニホールドチャンバ148に入る。そこから、ガスは外側部材102のスリーブ部128の内面と長い端部122の外面との間の環状空間に流れる。最後に、ガスはノズル100の前方端部に形成されたスロットアパーチャ140から出る。外側部材102とガスフィードブロック106との間のOリング112により、ガスがスリーブ部128とガスフィードブロック106の内面との間の経路に沿って流れるのが防がれる。ガスフィードブロック106の裏面とカバー108との間のOリング110は真空密封され、マニホールド部130の外部表面とガスフィードブロック106の隣接する内面との間にガスが流れないようにされている。密封Oリング110に求められる任務に鑑みれば、カバーを介してリークパスを形成するいかなるカバー取り付け手段(たとえばねじなど)は密封Oリング110の周辺外側に取り付けられるのが好ましい。このようにして、取り付け手段を介した考えうるいかなるリークパスも回避される。
【0027】
図3は本発明における放射ガス散布装置を有したプラズマリアクタ200を示している。この場合、4つの均等に配置されたスロットノズル100は円筒状リアクタハウジングの側壁202に取り付けられている。ノズル100は任意の手段によってリアクタハウジングに固定されていてもよいし、各ノズル100と側壁202の境界面204はガスがその境界面204から漏れないように任意の公知の方法で密封してもよい。リアクタ200はまた処理対象である半導体ウエハ208を支持するウエハペデスタル206を有する。リアクタハウジングに巻き付けられたRFコイルアンテナ210は整合RF電源212によって電力が投入される。RF電源214がまた、ウエハペデスタル206に接続している。しかし、別の電源構成を用いてもよい。たとえば、RFアンテナコイルとRF電源が電磁コイルに取り替えられて、電力がウエハペデスタル206にのみ入力されるような磁気強化反応イオンエッチング装置を用いてもよい。真空ポンプ216と(図示しない)スロットル弁がチャンバ内部ガス圧力を制御する。図3に示したリアクタは4つのノズル100を有するが、本発明がこのような実施例に限定されることを意図しているのではない。むしろ、任意の数のノズル100を、所望なように用いてもよい。また、図3のリアクタは天井ガス散布装置218を有するようにしてもよい。この構成要素は任意であることを示すために点線で示してある。
【0028】
図3において、ガス供給部220はインレット管222を介してスロットノズル100のそれぞれに接続されている。各ノズル100は(図示しない)それぞれのガス供給部220を有しているか、任意の数のノズル100がガス供給部を共有するようにしてもよい。しかし、それぞれのノズル100がそれ自身でガス供給部220を有するという実施例には、いくつかの重要な利点、効果がある。このような構成によって、異なるガス、あるいは混合ガスを各ノズル100から分散させることが可能となる。このような特徴の一つの可能な利用法としては、特定のガスをそれが必要なリアクタチャンバ205のある部分にフィード、ほかの場所には送らないというものがある。たとえば、エッチング種の濃度がチャンバ205のある領域であまりにも低いと判断されると、その領域に最も近いノズル100に対してほかのノズルに供給されるよりも濃厚な混合ガスを供給することができる。異なるガス供給部を用いる別の利用法としては、ノズル100から異なるガスを供給するというものがある。これらのガスはリアクタチャンバ205内で互いに反応するようになっている。単一フィードガス散布リング14を用いた(図1に示したような)従来の放射ガス散布装置では上記の作業を遂行することができない。単一のガスフィード18と単一のガス供給部24が典型的に従来装置で用いられているので、チャンバ12に供給されるガスはあらかじめ混ぜておかなくてはならない。したがって、異なるガスあるいは濃縮ガスをチャンバ12に同時に供給することができない。
【0029】
再び図2(a)と図2(b)を参照すると、溝付ノズル100の部分はノズル100を介してリアクタチャンバに注入されるガスにあるプラズマやガス種の侵入を抑える材料で形成するのが好ましい。好ましい材料としては、セラミック、たとえばアルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、窒化シリコンなど、や多種のガラス−セラミック材料などが挙げられる。しかし、石英ガラス(あるいは任意の好適な石英ガラス)と、ポリイミドやポリエテルイミドなどの重合材料を用いることも可能である。特に、少なくとも外側と内側部材104、106はこのような抗浸食材料の一つから形成するのが好ましい。図3に示したノズル100の実施例はまた、(図2(a)、2(b)の)ガスフィードブロック106の前方面がチャンバ205の内部に露出している。したがって、この前方面(あるいはガスフィードブロック106全体)を、浸食性のある処理ガスと接触するほかのあらゆる面同様、抗浸食材料で形成するのが好ましい。
【0030】
あるいは、ガスフィードブロック106をリアクタ側壁202’に埋め込んで、図4に示すように、内側、外側部材102’、104’の前方端のみを側壁202’を介してリアクタチャンバに突出させるようにしてもよい。これによって、プラズマから分離するので、ガスフィードブロック106はスパッタリングへの耐性を必ずしも有さない材料で製造することもできる。たとえば、ガスフィードブロック106はステンレススチールを材料とすることができる。この材料を用いることにより、セラミックなどと比較して比較的労力が軽減されるので、ブロックの製造が容易になる。また、ステンレススチールを用いるとさらに、ブロック106を通って流れる処理ガスの浸食効果への耐性をできるという利点がある。この設計はまた、ノズル100’とリアクタ側壁202’の間の境界面の密封を簡単にする。図4に示すように、境界面を密封するのに必要なのは、比較的小形のOリング230だけである。しかし、リアクタの内部に対面するノズル100’の外側、内側部材102’、104’の端部はガスフィードブロック106の前方面を超えて延出して、側壁202’を介してリアクタの内部に突出するようにしなくてはならない。図示した実施例において、外側、内側部材102’、104’の端部はリアクタ側壁202’の内面と面一になっている。また、カバー108’は修正を加えられて、リアクタ側壁202’の外側に取り付けられている。これにより、ノズル100’をリアクタの側壁202’に取り付け、固定するのを簡単にする。加えて、外側部材102’、内側部材104’の外側で対面する表面と、ガスフィードブロック106はリアクタ側壁202’の外側表面と略面一にされて、密封Oリング110が依然としてブロック106の表面と接触するようになっている。上述の利点、効果により、図4に示した本発明の実施例が最も好ましいと思われる。
【0031】
本発明におけるノズル100”の別の実施例では、ガスフィードブロックが除かれている。その代わりに、図5に示すように、リアクタ側壁202”それ自体が(図2(a)、2(b)のガスフィードブロック106に関するボア116とガスフィードホール144と同じ寸法の)ボアとガスフィードホールを組み込むように変更されている。外側部材、内側部材102、104はそれからリアクタ側壁202”のボアに取り付けられる。この別の実施例では、カバー108をリアクタ側壁202”の外側に取り付けてもよい。ノズルアセンブリ100”とリアクタ側壁202”の境界面は環状溝118’に設けられたOリング112によって封止される。しかし、リアクタ側壁202”が陽極化アルミニウムなどからなる場合は、側壁の一部分232が処理ガスと直接接触し、ガスの浸食効果を受けやすいのでこの実施例は好ましくないことに注意されたい。
【0032】
本発明のスロットノズルの前述のどの実施例においても、(一例として図4の実施例を用いた)図6に示すように、外側部材102”のスリーブ部128’と内側部材104”の長い円筒形端部122’を伸ばして、チャンバ205に延出するようにしてもよい。本発明の延長したノズルの実施例により、リアクタ内で処理される半導体ウエハに近づけてガスを散布することが可能になる。ウエハにできるだけ近づけて処理ガスを送ることは、ウエハ表面にガスをより均一に散布することができるので、いくつかの処理作業工程で望ましいものである。また、この構成は、チャンバ側壁近くでノズルからのガスの流れによって起こる乱れを実質的に取り除く。これは、乱れがチャンバ側壁を覆う堆積残留物を乱しやすくして、その材料の薄片をチャンバ内に分散させて、処理されるウエハを汚染する原因になりうるので、好ましい。
【0033】
再び図2(a)、2(b)を参照すると、ホール136を用いて、ガスを第2のマニホールドチャンバ148に均一に散布することを容易にする。好ましくは、これらのホール136が外側部材102の周辺に均等に配置されているのがよい。第1のマニホールドチャンバ146を用いて、ガスフィードブロックホール144からの噴射するおそれのあるガスの流れを穏やかにし、第1のチャンバ146全体に散布するようにする。同様に、第2のマニホールドチャンバ148を用いて、ホール136から放出される噴射する危険のあるガスの流れを穏やかにして、第2のチャンバ148全体にガスを散布するようにする。2つのマニホールドチャンバ146、148の相互作用の実効結果と、均等に配置されたホール136とにより、確実にノズル100のスロットアパーチャ140から概して均一にガスが流れるようになる。
【0034】
ホール136の数とその直径は、スロットアパーチャ140の寸法と関連して、(一定のガス供給圧力に対する)ノズル100からのガス流量を実質的に決定する。よって、望ましい流量を確定する一つの方法は、ホール136の数を変えることである。通常、多くのホール136が用いられるほど、ガス流量は大きくなる。好ましいガス流量を確定するもう一つの方法は、ホール136の直径を変えることである。その場合、一般に直径が大きいほど、ガス流量が大きくなる。しかし、上述のように、外側部材102を抗浸食性のセラミック、石英ガラス、重合材料で形成することがまた好ましい。これらの材料に関連した機械的、製造上の制約がホール136の直径と、ホール136の数を制限する。特に、(多くの金属と比較すると)このような材料に比較的小さなホールを形成することは難しい。実際に形成できる最も小さいホールは、直径が約0.030から0.050インチである。しかし、ホールにはめ込まれた、(図示しない)流量が制約された差し込みを用いることによって、ガス流量を制約する任務を遂行するために機械的、製造上の制約に適応するようにより大きなホールも形成できる。前述の任務についての適した差し込みの設計を決定する構造と要因は、当業者には公知であり、本発明の新規な様態とはならない。したがって、ここではこれらの差し込みについての詳細な説明はしない。またホール136近辺の外側部材102の構造上一貫性も考慮する必要がある。部材102の製造が難しくなるとか不都合にこわれやすくなるようなホール136をあまり多くしてならない。前記の機械上、製造上の制約に関係なく、ホール136の数、直径を変えたり、および/または差し込みを用いることによって、ガス流量を現在望ましいものにすることができると考えられる。
【0035】
実験を行ったこの実施例において、それぞれのノズルは約0.20インチの直径の4つのホール136を有していた。外側部材102のスリーブ部128の内径と内側部材104の長い端部122の直径は、アパーチャが直径0.40インチ、幅が0.02インチとなるように選択された。差し込みは一つも取り付けられなかった。この構成によってノズル100から均一なガスの流れのパターンと受け入れ可能なガス流量(すなわち約150から200sccm)とできることがわかった。
【0036】
リアクタチャンバ内に均一なガスを散布するための好適なガス流量は各ノズル100で通常同じであるが、そうでなくともよい場合がある。なかには、ノズル100ごとに流量を変えるほうが効果的である場合もある。たとえば、図3に示す本発明の実施例では、ノズル100がそれぞれ別のガス供給部220を有しており、装置はそれぞれのノズルからそれぞれ異なるガスを供給することができる。それぞれ好適な濃度のガスを確実にチャンバ205に供給できるように個々のノズルのガス流量を調整することも効果的である。流量をノズル100ごとに変えるには、上記のようにホール136の数および/または直径を変えればよい。また、上述の差し込みをこの目的のために利用してもよい。各供給部220からのガスの圧力を変えて、好ましい流量にすることもできる。
【0037】
本発明を好ましい実施例について詳しく説明してきたが、本発明の趣旨や範囲から逸脱することなく変更や、修正もできることを理解されると思われる。
【0038】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、スペースをとらず、密封表面積が小さいプラズマリアクタガス注入システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
本発明の特定の特徴、様態、効果は以下の説明、添付の特許請求の範囲、および添付の図面を参照すればよりよく理解されるであろう。図面において、
【図1】ガス散布リングを用いた典型的な放射ガス散布装置の従来例を示すプラズマリアクタの一部の断面図である。
【図2】(a)は、放射ガス散布装置で用いられるスリットノズルの第1の実施例の斜視拡大図であり、(b)は、(a)の組み立てられたスリットノズルを示す断面図である。
【図3】図2(a)又は(b)に示されたタイプの4つのスリットノズルを組み込んだプラズマリアクタの一部を示す断面図である。
【図4】ノズルがプラズマリアクタの側壁に埋め込まれた放射ガス散布装置で用いられるスリットノズルの第2の実施例の断面図である。
【図5】先の実施例のガスフィードブロックが除かれている放射ガス散布装置に用いられるスリットノズルの第3の実施例を示す断面図である。
【図6】図4のスリットノズルの実施例の別の型を示す適例の断面図で、ノズルの外部および内部部材がリアクタチャンバに延びている。
【符号の説明】
100…スリットノズル、106…ガスフィードブロック、108…カバー、110,112…Oリング、122…端部、128…スリーブ、130…マニホールド。
Claims (23)
- プラズマリアクタであって、
側壁を有するリアクタチャンバと、
処理しようとするウエハを保持するペデスタルと、
ガス注入システムであって、
それぞれが少なくとも1つのプロセスガスを含む複数のガス供給部と、
前記チャンバの前記側壁内に配置されるガス散布装置であって、前記チャンバの内部を向く環状のスロットアパーチャをそれぞれが有する複数のガス散布ノズルを備える、前記ガス散布装置と、
前記複数のガス散布ノズルをそれぞれ、前記複数のガス供給部に接続するための、複数のガスフィードラインと、
を備える該ガス注入システムと、
を備え、
前記ガス散布ノズルのそれぞれが、環状の外側部材に囲まれる円筒形の内側部材を有して、環状チャンネルが前記外側部材と前記内側部材の間に形成され、前記環状チャンネルは、前記内側部材の第1の端部と前記外側部材の第1の端部において前記スロットアパーチャを備える環状空間を有するように終端し、前記環状チャンネルは、ガスが前記スロットアパーチャに流れ、前記チャンバ内に流入することを可能にし、
前記ガス散布ノズルのそれぞれが更に、ガスフィードブロックを備え、該ガスフィードブロックはその内部を通るボアを有し、該ボアの内部に前記外側部材が配置されており、
前記外側部材が、前記ガスフィードブロックの側壁と協働して第1のマニホールドチャンバを形成する外部環状キャビティと、前記第1のガスマニホールドチャンバから、前記外側部材と前記内側部材の間の前記環状チャンネルへと、ガスを流れさせる通路を与える複数のホールと、を備える
プラズマリアクタ。 - 前記ガス散布ノズルが、相互に等しい間隔で前記チャンバの周囲に配置される請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記外側部材の前記ホールが、前記外側部材の周縁の周りに沿って均等な間隔で配置される請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記複数のガス散布ノズルのそれぞれの前記スロットアパーチャから所望の流量のガスを与えるように、前記外側部材の数と直径が選択される請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記環状チャンネルが、第2のマニホールドチャンバを更に備え、
前記第2のマニホールドチャンバは、前記複数のホールが前記環状チャンネルに開口する場所に応じて設けられており、且つ、前記環状空間と前記複数のホールとの間に設けられている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。 - 前記第2のマニホールドチャンバが、前記環状空間に最接近する端部で狭くなっており、前記環状空間はスロットアパーチャと同一の断面寸法を有する請求項5に記載のプラズマリアクタ。
- 前記ガスフィードブロックが更に、該ブロックの外側に開いた第1の端部と、前記第1のマニホールドチャンバに開いた第2の端部とを有したガスフィードホールを有し、
前記複数のガスフィードラインの一つは、ガスが前記ガスフィードホールを通って前記第1のマニホールドチャンバに流れるように、前記ガスフィードホールの前記第1の端部に接続される請求項1に記載のプラズマリアクタ。 - 前記外側部材の外部と前記ガスフィードブロックの前記ボアの側壁の間にガスの通路ができることを防止するためのシール手段を更に備える請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 該プラズマリアクタの外部から該ノズルの中へのガスの通路ができることを防止するためのシール手段を更に備える請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 該ノズルのそれぞれの外部と該チャンバ側壁の間のガスが該プラズマリアクタの外部へ通過する通路ができることを防止するためのシール手段を更に備える請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 該外側部材が、該チャンバ側壁のボアの中に配置される請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記ガス散布ノズルのそれぞれの前記ガスフィードブロックが該プラズマリアクタの側壁の中に埋め込まれ、該外側部材と該内側部材の一部だけが、該リアクタチャンバの側壁を突き抜けて突き出る請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 該外側部材と該内側部材の一部が、該側壁から離れるように該チャンバの中へと放射方向に延びてペデスタルの方向へ延びる請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 該ガス散布ノズルのそれぞれの該外側部材と該内側部材が、(a)セラミックと、(b)石英ガラスと、(c)ポリマー材料とのうちの1つを含む材料を備える請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記複数のガス供給部のそれぞれが、別々のガス又は混合ガスを供給することができ、また、別々の圧力でガスを供給することができる請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記ガス散布ノズルのそれぞれが、前記チャンバ内へ異なる流量のガスを供給することができる請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記ガス散布ノズルのそれぞれの前記スロットアパーチャが、7.62mm〜25.4mmの直径を有する請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記ガス散布ノズルのそれぞれの前記スロットアパーチャが、254μm〜762μmの幅を有する請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記外側部材の前記ホールが4つ存在し、該ホールのそれぞれが、5.08mmの直径を有する請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- 前記ガス散布ノズルが4つ存在する請求項1に記載のプラズマリアクタ。
- プラズマリアクタであって、
側壁を有するリアクタチャンバと、
処理しようとするウエハを保持するペデスタルと、
ガス注入システムであって、
少なくとも1つのプロセスガスを含むガス供給部と、
前記チャンバ側壁内に配置されるガス散布装置であって、チャンバの内部を向くスロットアパーチャを有する複数のガス散布ノズルを備える、前記ガス散布装置と、
前記ガス散布ノズルのそれぞれを前記ガス供給部に接続するための、複数のガスフィードラインと、
を備える該ガス注入システムと、
を備え、
前記ガス散布ノズルのそれぞれが、環状の外側部材に囲まれる円筒形の内側部材を有して、環状チャンネルが前記外側部材と前記内側部材の間に形成され、前記環状チャンネルは、前記内側部材の第1の端部と前記外側部材の第1の端部においてスロットアパーチャを備える環状空間を有するように終端し、前記環状チャンネルは、ガスが前記スロットアパーチャに流れ、前記チャンバ内に流入することを可能にし、
前記ガス散布ノズルのそれぞれが更に、ガスフィードブロックを備え、該ガスフィードブロックはその内部を通るボアを有し、該ボアの内部に前記外側部材が配置されており、
前記外側部材が、前記ガスフィードブロックの側壁と協働して第1のマニホールドチャンバを形成する外部環状キャビティと、前記第1のガスマニホールドチャンバから、前記環状チャンネルへと、ガスを流れさせる通路を与える複数のホールと、を備える
るプラズマリアクタ。 - 該ガス散布ノズルのそれぞれの該外側部材と該内側部材が、(a)セラミックと、(b)石英ガラスと、(c)ポリマー材料とのうちの1つを含む材料を備える請求項21に記載のプラズマリアクタ。
- ガス散布ノズルが4つ存在する請求項21に記載のプラズマリアクタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/682803 | 1996-07-09 | ||
| US08/682,803 US5885358A (en) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098028A JPH1098028A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3949232B2 true JP3949232B2 (ja) | 2007-07-25 |
Family
ID=24741197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18404497A Expired - Fee Related JP3949232B2 (ja) | 1996-07-09 | 1997-07-09 | プラズマリアクタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5885358A (ja) |
| EP (1) | EP0818802A3 (ja) |
| JP (1) | JP3949232B2 (ja) |
| KR (1) | KR100485015B1 (ja) |
| TW (1) | TW381299B (ja) |
Families Citing this family (132)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6041735A (en) * | 1998-03-02 | 2000-03-28 | Ball Semiconductor, Inc. | Inductively coupled plasma powder vaporization for fabricating integrated circuits |
| TW405156B (en) * | 1998-08-24 | 2000-09-11 | United Microelectronics Corp | Micro leakage prevention device |
| US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| JP2001077088A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| EP1102305B1 (en) * | 1999-11-17 | 2003-05-07 | European Community (EC) | Plasma processing apparatus with an electrically conductive wall |
| US6426280B2 (en) | 2000-01-26 | 2002-07-30 | Ball Semiconductor, Inc. | Method for doping spherical semiconductors |
| US7141757B2 (en) * | 2000-03-17 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode having a resonance that is virtually pressure independent |
| US7196283B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-03-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface |
| US8617351B2 (en) | 2002-07-09 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction |
| US6894245B2 (en) * | 2000-03-17 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression |
| US20070048882A1 (en) * | 2000-03-17 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce plasma-induced charging damage |
| US8048806B2 (en) * | 2000-03-17 | 2011-11-01 | Applied Materials, Inc. | Methods to avoid unstable plasma states during a process transition |
| US7220937B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination |
| AU2001247685A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-15 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system |
| JP3482949B2 (ja) | 2000-08-04 | 2004-01-06 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
| US7166524B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant |
| US6939434B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
| US20070042580A1 (en) * | 2000-08-10 | 2007-02-22 | Amir Al-Bayati | Ion implanted insulator material with reduced dielectric constant |
| US7294563B2 (en) * | 2000-08-10 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process |
| US7223676B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer |
| US7137354B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US7183177B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
| US20050230047A1 (en) * | 2000-08-11 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus |
| US7303982B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-12-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US7320734B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US7288491B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
| US7094670B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
| US7037813B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US7465478B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
| US6446572B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-10 | Tokyo Electron Limited | Embedded plasma source for plasma density improvement |
| US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
| US20020129768A1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Carpenter Craig M. | Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods |
| US6758909B2 (en) * | 2001-06-05 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates |
| KR100433285B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-05-31 | 주성엔지니어링(주) | 멀티 홀 앵글드 가스분사 시스템을 갖는 반도체소자제조장치 |
| US6677250B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate |
| WO2003030228A2 (en) * | 2001-10-03 | 2003-04-10 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface |
| US20030070620A1 (en) | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
| US6586886B1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate electrode for a plasma reactor |
| US6787185B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods for improved delivery of metastable species |
| JP4338355B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2009-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| TWI283899B (en) * | 2002-07-09 | 2007-07-11 | Applied Materials Inc | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
| JP3861036B2 (ja) | 2002-08-09 | 2006-12-20 | 三菱重工業株式会社 | プラズマcvd装置 |
| US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
| US20040231798A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-11-25 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US7910013B2 (en) | 2003-05-16 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of source power, bias power and chamber pressure |
| US7452824B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method of characterizing a chamber based upon concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of plural chamber parameters |
| US7795153B2 (en) * | 2003-05-16 | 2010-09-14 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters |
| US7247218B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-07-24 | Applied Materials, Inc. | Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power |
| US7470626B2 (en) | 2003-05-16 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Method of characterizing a chamber based upon concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of source power, bias power and chamber pressure |
| US7901952B2 (en) * | 2003-05-16 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor control by translating desired values of M plasma parameters to values of N chamber parameters |
| US20050059472A1 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-17 | Joshi Shridhar P. | Gaming machine with multi-level progressive jackpot |
| US20050092245A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Ahn-Sik Moon | Plasma chemical vapor deposition apparatus having an improved nozzle configuration |
| US20060112877A1 (en) * | 2003-11-03 | 2006-06-01 | Ahn-Sik Moon | Nozzle and plasma apparatus incorporating the nozzle |
| KR20050093230A (ko) * | 2004-03-18 | 2005-09-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 스퍼터링 장비 |
| US20050211544A1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Seagate Technology Llc | Electrical biasing of gas introduction means of plasma apparatus |
| JP2006237479A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
| US20060196417A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas distribution systems for deposition processes |
| US7359177B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output |
| JP4624856B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7703479B2 (en) * | 2005-10-17 | 2010-04-27 | The University Of Kentucky Research Foundation | Plasma actuator |
| CN100377300C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-03-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种用于半导体处理的反应室 |
| US9218944B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
| US8017029B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside |
| US8012366B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-06 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps |
| US7976671B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution |
| US7967930B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
| US20080099437A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Richard Lewington | Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection |
| US8002946B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
| US7744720B2 (en) * | 2007-12-06 | 2010-06-29 | Tokyo Electron Limited | Suppressor of hollow cathode discharge in a shower head fluid distribution system |
| US8409459B2 (en) * | 2008-02-28 | 2013-04-02 | Tokyo Electron Limited | Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process |
| RU2010143546A (ru) * | 2008-03-26 | 2012-05-10 | ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US) | Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ |
| US8961689B2 (en) * | 2008-03-26 | 2015-02-24 | Gtat Corporation | Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor |
| WO2011112617A2 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with multi inject |
| US9066412B2 (en) * | 2010-04-15 | 2015-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for cooling an optic |
| US8562742B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-10-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for radial delivery of gas to a chamber and methods of use thereof |
| US8591709B1 (en) * | 2010-05-18 | 2013-11-26 | WD Media, LLC | Sputter deposition shield assembly to reduce cathode shorting |
| CN103796413B (zh) | 2012-11-01 | 2017-05-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子反应器及制作半导体基片的方法 |
| US9574268B1 (en) | 2011-10-28 | 2017-02-21 | Asm America, Inc. | Pulsed valve manifold for atomic layer deposition |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| CN106304597B (zh) * | 2013-03-12 | 2019-05-10 | 应用材料公司 | 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件 |
| US9328420B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-05-03 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Gas distribution plate for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
| US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
| US10450649B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
| JP6258184B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| CN107835868B (zh) * | 2015-06-17 | 2020-04-10 | 应用材料公司 | 在处理腔室中的气体控制 |
| KR101730147B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2017-05-12 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| JP6706901B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2020-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| KR102678733B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2024-06-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Hdp-cvd 챔버 아킹을 방지하기 위한 첨단 코팅 방법 및 재료들 |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10662527B2 (en) * | 2016-06-01 | 2020-05-26 | Asm Ip Holding B.V. | Manifolds for uniform vapor deposition |
| KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| CN107993914B (zh) * | 2016-10-26 | 2019-09-06 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气体流量调节装置及其调节方法 |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| JP7176860B6 (ja) | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) * | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| US11492701B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor manifolds |
| US12516414B2 (en) | 2019-03-19 | 2026-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor manifolds |
| CN112017932B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-11-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构 |
| KR20210048408A (ko) | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 증착 반응기 매니폴드 |
| US20220084794A1 (en) * | 2020-09-16 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber with a multiphase rotating modulated cross-flow |
| US12068135B2 (en) * | 2021-02-12 | 2024-08-20 | Applied Materials, Inc. | Fast gas exchange apparatus, system, and method |
| KR20220118798A (ko) * | 2021-02-19 | 2022-08-26 | 삼성전자주식회사 | 2차원 물질 증착 장치 |
| US12018372B2 (en) * | 2021-05-11 | 2024-06-25 | Applied Materials, Inc. | Gas injector for epitaxy and CVD chamber |
| KR102528893B1 (ko) * | 2021-05-13 | 2023-05-04 | (주)코마테크놀로지 | Hdp cvd공정용 사파이어 소재를 이용한 플라즈마 디퓨전 노즐 제조방법 |
| KR20260009805A (ko) * | 2023-05-23 | 2026-01-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 액적 제트 노즐 설계 |
| KR102743697B1 (ko) * | 2024-04-25 | 2024-12-17 | 주식회사 제이지 | 반도체 장비의 세라믹 가스 노즐의 제조 공정 처리 방법 |
| KR102739791B1 (ko) | 2024-05-09 | 2024-12-06 | (주)거성 | 플라즈마 프로세싱 시스템 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4329418A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-11 | Lord Corporation | Organometallic semiconductor devices |
| US4500565A (en) * | 1983-09-28 | 1985-02-19 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Deposition process |
| US5476694A (en) * | 1984-10-24 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposited film by separately introducing an active species and a silicon compound into a film-forming chamber |
| US4717584A (en) * | 1985-02-07 | 1988-01-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a magnetic thin film |
| US5178904A (en) * | 1985-02-16 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film from a group II through group VI metal hydrocarbon compound |
| US5244698A (en) * | 1985-02-21 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US4612077A (en) * | 1985-07-29 | 1986-09-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Electrode for plasma etching system |
| US4731156A (en) * | 1987-02-25 | 1988-03-15 | Itt Avionics, A Division Of Itt Corporation | Plasma processes for surface modification of fluoropolymers using ammonia |
| JPS63219129A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Shimadzu Corp | ドライエツチング装置 |
| US5275850A (en) * | 1988-04-20 | 1994-01-04 | Hitachi, Ltd. | Process for producing a magnetic disk having a metal containing hard carbon coating by plasma chemical vapor deposition under a negative self bias |
| JPH02294029A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
| JPH03188627A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Sharp Corp | プラズマエッチング装置 |
| US5188671A (en) * | 1990-08-08 | 1993-02-23 | Hughes Aircraft Company | Multichannel plate assembly for gas source molecular beam epitaxy |
| US5074456A (en) * | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| JP3227522B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2001-11-12 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| KR0139876B1 (ko) * | 1993-09-14 | 1998-08-17 | 사토 후미오 | 금속산화막의 형성방법 |
| JPH07142394A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Sony Corp | Cvd方法及びcvd装置 |
| US5522934A (en) * | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
| JP3468859B2 (ja) * | 1994-08-16 | 2003-11-17 | 富士通株式会社 | 気相処理装置及び気相処理方法 |
| US5643394A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| US5746875A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| US5683517A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with programmable reactant gas distribution |
| US5702530A (en) * | 1995-06-23 | 1997-12-30 | Applied Materials, Inc. | Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing |
| US5702770A (en) * | 1996-01-30 | 1997-12-30 | Becton, Dickinson And Company | Method for plasma processing |
-
1996
- 1996-07-09 US US08/682,803 patent/US5885358A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-12 TW TW086108107A patent/TW381299B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-07-08 EP EP97304976A patent/EP0818802A3/en not_active Withdrawn
- 1997-07-09 KR KR1019970031637A patent/KR100485015B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-09 JP JP18404497A patent/JP3949232B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0818802A2 (en) | 1998-01-14 |
| JPH1098028A (ja) | 1998-04-14 |
| KR980011807A (ko) | 1998-04-30 |
| US5885358A (en) | 1999-03-23 |
| EP0818802A3 (en) | 2001-10-10 |
| KR100485015B1 (ko) | 2005-06-16 |
| TW381299B (en) | 2000-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3949232B2 (ja) | プラズマリアクタ | |
| KR100862658B1 (ko) | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 | |
| JP5364054B2 (ja) | 調整可能なマルチゾーンガス噴射システム | |
| TWI731078B (zh) | 下游反應器中之邊緣蝕刻率控制用可調整側邊氣體充氣部 | |
| US10825659B2 (en) | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector | |
| US8298370B2 (en) | Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead | |
| US7510624B2 (en) | Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications | |
| EP0702392A2 (en) | Plasma reactor | |
| CN107424901A (zh) | 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件 | |
| US11605529B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US20120135609A1 (en) | Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition | |
| KR20010101359A (ko) | 플라즈마 처리용 가스 주입 시스템 | |
| KR20230100634A (ko) | 웨이퍼 에지 퍼지를 갖는 반도체 처리 장치 | |
| CN113871280A (zh) | 等离子体处理装置及其边缘气体组件 | |
| KR102913715B1 (ko) | 샤워 플레이트 및 플라즈마 처리 장치 | |
| US20090218045A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP5659146B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
| CN219297639U (zh) | 进气装置以及等离子体设备 | |
| KR20030055849A (ko) | 진공 증착장비용 가스 인젝터 노즐 | |
| KR20250095979A (ko) | 반도체 장비의 세라믹 가스 노즐의 제조 공정 처리 방법 | |
| KR20240060998A (ko) | 기판 처리 장치의 가스 인젝터 및 이를 구비한 기판 처리 장치 | |
| KR20050040035A (ko) | 웨이퍼가 로딩되는 보트를 구비하는 증착 공정 설비 | |
| KR20060036727A (ko) | 반도체 제조용 공정챔버의 가스공급노즐 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040430 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060815 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070309 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070410 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070418 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427 Year of fee payment: 5 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |