RU2010143546A - Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ - Google Patents

Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ Download PDF

Info

Publication number
RU2010143546A
RU2010143546A RU2010143546/05A RU2010143546A RU2010143546A RU 2010143546 A RU2010143546 A RU 2010143546A RU 2010143546/05 A RU2010143546/05 A RU 2010143546/05A RU 2010143546 A RU2010143546 A RU 2010143546A RU 2010143546 A RU2010143546 A RU 2010143546A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reaction chamber
reactor system
base
gold
coated
Prior art date
Application number
RU2010143546/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Джеффри К. ГАМ (US)
Джеффри К. ГАМ
Чад ФЕРО (US)
Чад ФЕРО
Дэн ДЕСРОЗЬЕ (US)
Дэн ДЕСРОЗЬЕ
Original Assignee
ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US), ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД filed Critical ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Publication of RU2010143546A publication Critical patent/RU2010143546A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

1. Реакторная система, содержащая: ! - реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере, и корпус, в рабочем состоянии соединенный с основанием, причем по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн; ! - по меньшей мере одну нить, прикрепленную к основанию; ! - источник электрического тока для подвода тока к нити; и ! - источник газа, при работе соединенный с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру. ! 2. Реакторная система по п.1, в которой ток подается непосредственно к нити по токовводу в основании. ! 3. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера содержит также, смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры. ! 4. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим толщину примерно от 0,5 до 3,0 мкн. ! 5. Реакторная система по п.1, в которой по меньшей мере одна нить содержит кремний. ! 6. Реакторная система по п.1, содержащая также систему охлаждения, имеющую по меньшей мере один вход для жидкости и один выход для жидкости, при работе соединенные с реакторной системой. ! 7. Реакторная система по п.1, в которой реакторная система является реакторной системой для химического осаждения из паровой фазы. ! 8. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера, покрытая слоем золота, имеет коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03. ! 9. Реакционная камера для применения в реакторе химического осаждения из паровой фазы, содержащая: ! - по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере; ! - по меньшей мере одну нить, п

Claims (23)

1. Реакторная система, содержащая:
- реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере, и корпус, в рабочем состоянии соединенный с основанием, причем по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн;
- по меньшей мере одну нить, прикрепленную к основанию;
- источник электрического тока для подвода тока к нити; и
- источник газа, при работе соединенный с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру.
2. Реакторная система по п.1, в которой ток подается непосредственно к нити по токовводу в основании.
3. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера содержит также, смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры.
4. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим толщину примерно от 0,5 до 3,0 мкн.
5. Реакторная система по п.1, в которой по меньшей мере одна нить содержит кремний.
6. Реакторная система по п.1, содержащая также систему охлаждения, имеющую по меньшей мере один вход для жидкости и один выход для жидкости, при работе соединенные с реакторной системой.
7. Реакторная система по п.1, в которой реакторная система является реакторной системой для химического осаждения из паровой фазы.
8. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера, покрытая слоем золота, имеет коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03.
9. Реакционная камера для применения в реакторе химического осаждения из паровой фазы, содержащая:
- по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере;
- по меньшей мере одну нить, прикрепленную к основанию, причем реакционная камера при работе соединена с источником электрического тока и источником газа для обеспечения осаждения материала на нить; причем
- по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн.
10. Реакционная камера по п.9, в которой ток подается к нити посредством источника электрического тока.
11. Реакционная камера по п.10, в которой ток подается прямо к нити по токовводу в основании.
12. Реакционная камера по п. 9, содержащая также по меньшей мере один впуск газа и выпуск газа, при работе соединенные с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру.
13. Реакционная камера по п.9, содержащая также смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры.
14. Реакционная камера по п.9, в которой по меньшей мере одна нить содержит кремний.
15. Реакционная камера по п.9, в которой реакционная камера, покрытая слоем золота, имеет коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03.
16. Способ осаждения материала в реакторе, включающий этапы, на которых
- обеспечивают реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере, и корпус, при работе соединенный с основанием, причем по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн;
- прикрепляют по меньшей мере одну нить к основанию;
- подсоединяют источник электрического тока к реакционной камере для подачи тока к нити;
- соединяют источник газа с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру; и
- приводят в действие реактор для осаждения материала на нить в реакционной камере.
17. Способ по п.16, в котором материал, осажденный на нить, является поликристаллическим кремнием.
18. Способ по п.16, в котором нить содержит кремний.
19. Способ по п.16, в котором реактор является реактором химического осаждения из паровой фазы.
20. Способ по п.16, включающий, также, этап подачи тока прямо к нити по токовводу в основании.
21. Способ по п.16, в котором реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим толщину примерно от 0,5 до 3,0 мкн.
22. Способ по п.16, в котором реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03.
23. Способ по п.16, в котором реакционная камера содержит также смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры.
RU2010143546/05A 2008-03-26 2009-03-26 Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ RU2010143546A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3975608P 2008-03-26 2008-03-26
US61/039,756 2008-03-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010143546A true RU2010143546A (ru) 2012-05-10

Family

ID=40911091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010143546/05A RU2010143546A (ru) 2008-03-26 2009-03-26 Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110159214A1 (ru)
EP (1) EP2271587A1 (ru)
KR (1) KR20100139092A (ru)
CN (1) CN101980959A (ru)
RU (1) RU2010143546A (ru)
TW (1) TWI464292B (ru)
WO (1) WO2009120859A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2717450C2 (ru) * 2015-11-19 2020-03-23 Сафран Серамикс Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы
RU2717620C2 (ru) * 2015-11-19 2020-03-24 Сафран Серамикс Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8961689B2 (en) * 2008-03-26 2015-02-24 Gtat Corporation Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor
US20110318909A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Gt Solar Incorporated System and method of semiconductor manufacturing with energy recovery
DE112011102417T5 (de) 2010-07-19 2013-05-16 Rec Silicon Inc. Herstellung von polykristallinem Silizium
JP5496828B2 (ja) * 2010-08-27 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR101440049B1 (ko) * 2010-11-08 2014-09-12 주식회사 엘지화학 반사기 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조용 ｃｖｄ 반응기
KR101145014B1 (ko) * 2011-09-15 2012-05-11 웅진폴리실리콘주식회사 내벽에 복사열 반사 및 불순물 확산 방지용 니켈-망간 합금층을 구비한 화학기상증착 반응기와 그 제조방법
DE102011115782B4 (de) * 2011-10-12 2013-04-25 Centrotherm Sitec Gmbh Reaktor mit beschichtetem Reaktorgefäß und Beschichtungsverfahren
KR101370310B1 (ko) * 2011-10-13 2014-03-06 한닢테크(주) 반도체 실리콘잉곳 제조용 반응로의 내부표면 도금방법
CN103540914B (zh) * 2013-09-24 2016-06-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种使用射频加热的桶式cvd设备反应室
US11015244B2 (en) 2013-12-30 2021-05-25 Advanced Material Solutions, Llc Radiation shielding for a CVD reactor
US10450649B2 (en) 2014-01-29 2019-10-22 Gtat Corporation Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance
DE102014115691A1 (de) * 2014-10-29 2016-05-04 Puerstinger High Purity Systems Gmbh Reaktor zur Abscheidung von Silicium aus einem Prozessgas
US10208381B2 (en) * 2014-12-23 2019-02-19 Rec Silicon Inc Apparatus and method for managing a temperature profile using reflective energy in a thermal decomposition reactor
DE102015200070A1 (de) 2015-01-07 2016-07-07 Wacker Chemie Ag Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium
KR102340294B1 (ko) * 2018-01-17 2021-12-15 한화솔루션 주식회사 폴리실리콘 제조용 cvd 반응기의 벨자 코팅 장비 및 이를 이용한 코팅 방법
WO2022123083A2 (en) * 2020-12-11 2022-06-16 Zadient Technologies SAS Method and device for producing a sic solid material

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2805565A (en) * 1954-03-29 1957-09-10 Racek Alfred Pyrophoric lighter
NL238464A (ru) * 1958-05-29
US3635757A (en) * 1965-07-29 1972-01-18 Monsanto Co Epitaxial deposition method
NL6513928A (ru) * 1965-10-27 1967-04-28
US3647530A (en) * 1969-11-13 1972-03-07 Texas Instruments Inc Production of semiconductor material
DE2050076C3 (de) * 1970-10-12 1980-06-26 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial
BE806098A (fr) * 1973-03-28 1974-02-01 Siemens Ag Procede de fabrication de silicium ou autre matiere semi-conductrice tres pure
DE2324365C3 (de) * 1973-05-14 1978-05-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
US3916822A (en) * 1974-04-26 1975-11-04 Bell Telephone Labor Inc Chemical vapor deposition reactor
DE2508802A1 (de) * 1975-02-28 1976-09-09 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium
DE2518853C3 (de) * 1975-04-28 1979-03-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas
US4082414A (en) * 1976-03-03 1978-04-04 Pyreflex Corporation Heat recuperation
JPS53106626A (en) * 1977-03-02 1978-09-16 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity rod silicon and appratus therefor
US4179530A (en) * 1977-05-20 1979-12-18 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the deposition of pure semiconductor material
US4173944A (en) * 1977-05-20 1979-11-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Silverplated vapor deposition chamber
DE2831819A1 (de) * 1978-07-19 1980-01-31 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von silicium in feinkristalliner form
DE2912661C2 (de) * 1979-03-30 1982-06-24 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
NZ196041A (en) * 1980-02-04 1984-04-27 Eng Management Serv Ltd Refrigerating liquid by batch cooling in recirculating loop
GB8324271D0 (en) * 1983-09-10 1983-10-12 Micropore International Ltd Thermal cut-out device
GB8328858D0 (en) * 1983-10-28 1983-11-30 Atomic Energy Authority Uk Metal vapour deposition
US4579080A (en) * 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
JPH0641369B2 (ja) 1985-06-05 1994-06-01 高純度シリコン株式会社 多結晶シリコンの製造装置
US4632057A (en) * 1985-08-05 1986-12-30 Spectrum Cvd, Inc. CVD plasma reactor
US4837052A (en) * 1986-03-03 1989-06-06 Applied Materials, Inc. Process for forming reflective gold coatings
US4938815A (en) * 1986-10-15 1990-07-03 Advantage Production Technology, Inc. Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
US4805556A (en) * 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
KR910006743B1 (ko) * 1988-07-05 1991-09-02 한국과학기술원 디렉트 모니터링(Direct Monitoring)전기로를 이용한 수평브리지만(Bridgman)단결정성장장치
US5156820A (en) * 1989-05-15 1992-10-20 Rapro Technology, Inc. Reaction chamber with controlled radiant energy heating and distributed reactant flow
US5064367A (en) * 1989-06-28 1991-11-12 Digital Equipment Corporation Conical gas inlet for thermal processing furnace
JPH0729874B2 (ja) * 1989-11-04 1995-04-05 コマツ電子金属株式会社 多結晶シリコン製造装置の芯線間接続用ブリッジ
KR950013069B1 (ko) * 1989-12-26 1995-10-24 어드밴스드 실리콘 머티어리얼즈 인코포레이티드 수소 침투 방지용 외부 코팅층을 갖는 흑연 척 및 탄소가 거의 없는 다결정 실리콘 제조 방법
US5108512A (en) * 1991-09-16 1992-04-28 Hemlock Semiconductor Corporation Cleaning of CVD reactor used in the production of polycrystalline silicon by impacting with carbon dioxide pellets
US5382419A (en) * 1992-09-28 1995-01-17 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
US5478396A (en) * 1992-09-28 1995-12-26 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
GB2271518B (en) * 1992-10-16 1996-09-25 Korea Res Inst Chem Tech Heating of fluidized bed reactor by microwave
US5382412A (en) * 1992-10-16 1995-01-17 Korea Research Institute Of Chemical Technology Fluidized bed reactor heated by microwaves
US5345534A (en) * 1993-03-29 1994-09-06 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means
IT1271233B (it) * 1994-09-30 1997-05-27 Lpe Reattore epitassiale munito di suscettore discoidale piano ed avente flusso di gas parallelo ai substrati
JP3824675B2 (ja) * 1995-03-03 2006-09-20 有限会社デジタル・ウェーブ 結晶製造装置
US5885358A (en) * 1996-07-09 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US6198074B1 (en) * 1996-09-06 2001-03-06 Mattson Technology, Inc. System and method for rapid thermal processing with transitional heater
US6067931A (en) * 1996-11-04 2000-05-30 General Electric Company Thermal processor for semiconductor wafers
US6110289A (en) * 1997-02-25 2000-08-29 Moore Epitaxial, Inc. Rapid thermal processing barrel reactor for processing substrates
US6217662B1 (en) * 1997-03-24 2001-04-17 Cree, Inc. Susceptor designs for silicon carbide thin films
US5792273A (en) * 1997-05-27 1998-08-11 Memc Electric Materials, Inc. Secondary edge reflector for horizontal reactor
US6021152A (en) * 1997-07-11 2000-02-01 Asm America, Inc. Reflective surface for CVD reactor walls
DE19735378A1 (de) * 1997-08-14 1999-02-18 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat
US6544333B2 (en) * 1997-12-15 2003-04-08 Advanced Silicon Materials Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6221155B1 (en) * 1997-12-15 2001-04-24 Advanced Silicon Materials, Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
WO2000004746A1 (en) * 1998-07-16 2000-01-27 The Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for rapid drying of coated materials with close capture of vapors
US6258228B1 (en) * 1999-01-08 2001-07-10 Tokyo Electron Limited Wafer holder and clamping ring therefor for use in a deposition chamber
US6365225B1 (en) * 1999-02-19 2002-04-02 G.T. Equipment Technologies, Inc. Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon
AU3375000A (en) * 1999-02-19 2000-09-04 Gt Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
DE19927735B4 (de) * 1999-06-17 2005-10-06 Eads Space Transportation Gmbh Schubkammer-Anordnung für Raumfahrt-Triebwerke
US6123775A (en) * 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
US6436796B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-20 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxial processing of a semiconductor substrate
US6191399B1 (en) * 2000-02-01 2001-02-20 Asm America, Inc. System of controlling the temperature of a processing chamber
AU2001247685A1 (en) * 2000-03-30 2001-10-15 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system
US6554905B1 (en) * 2000-04-17 2003-04-29 Asm America, Inc. Rotating semiconductor processing apparatus
DE10040591C1 (de) * 2000-08-15 2001-11-08 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf einem feuerfesten Bauteil und deren Verwendung
US6362095B1 (en) * 2000-10-05 2002-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. Nickel silicide stripping after nickel silicide formation
FR2815395B1 (fr) * 2000-10-13 2004-06-18 Joint Industrial Processors For Electronics Dispositif de chauffage rapide et uniforme d'un substrat par rayonnement infrarouge
US6797639B2 (en) * 2000-11-01 2004-09-28 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
US6660095B2 (en) * 2001-01-15 2003-12-09 Jusung Engineering Co., Ltd. Single wafer LPCVD apparatus
US6902622B2 (en) * 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
US6626188B2 (en) * 2001-06-28 2003-09-30 International Business Machines Corporation Method for cleaning and preconditioning a chemical vapor deposition chamber dome
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
US6753506B2 (en) * 2001-08-23 2004-06-22 Axcelis Technologies System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing
US6864480B2 (en) * 2001-12-19 2005-03-08 Sau Lan Tang Staats Interface members and holders for microfluidic array devices
US7217336B2 (en) * 2002-06-20 2007-05-15 Tokyo Electron Limited Directed gas injection apparatus for semiconductor processing
US7041931B2 (en) * 2002-10-24 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Stepped reflector plate
US7115837B2 (en) * 2003-07-28 2006-10-03 Mattson Technology, Inc. Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7480974B2 (en) * 2005-02-15 2009-01-27 Lam Research Corporation Methods of making gas distribution members for plasma processing apparatuses
US20060185589A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Raanan Zehavi Silicon gas injector and method of making
US7722719B2 (en) * 2005-03-07 2010-05-25 Applied Materials, Inc. Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
US7323047B2 (en) * 2005-03-25 2008-01-29 Kyocera Corporation Method for manufacturing granular silicon crystal
US20080206970A1 (en) * 2005-04-10 2008-08-28 Franz Hugo Production Of Polycrystalline Silicon
US8372203B2 (en) * 2005-09-30 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Apparatus temperature control and pattern compensation
US7691204B2 (en) * 2005-09-30 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation
US20070187363A1 (en) * 2006-02-13 2007-08-16 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9683286B2 (en) * 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor
KR100768148B1 (ko) * 2006-05-22 2007-10-17 한국화학연구원 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법
US20080072820A1 (en) * 2006-06-30 2008-03-27 Applied Materials, Inc. Modular cvd epi 300mm reactor
JP5119856B2 (ja) * 2006-11-29 2013-01-16 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置
US20090071403A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
EP2039653B1 (en) * 2007-09-20 2015-12-23 Mitsubishi Materials Corporation Reactor for polycrystalline silicon and polycrystalline silicon production method
US8043470B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-25 Lam Research Corporation Electrode/probe assemblies and plasma processing chambers incorporating the same
US20090191336A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Mohan Chandra Method and apparatus for simpified startup of chemical vapor deposition of polysilicon
US8931431B2 (en) * 2009-03-25 2015-01-13 The Regents Of The University Of Michigan Nozzle geometry for organic vapor jet printing
KR101115697B1 (ko) * 2009-12-02 2012-03-06 웅진폴리실리콘주식회사 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기
US20110318909A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Gt Solar Incorporated System and method of semiconductor manufacturing with energy recovery

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2717450C2 (ru) * 2015-11-19 2020-03-23 Сафран Серамикс Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы
RU2717620C2 (ru) * 2015-11-19 2020-03-24 Сафран Серамикс Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы

Also Published As

Publication number Publication date
CN101980959A (zh) 2011-02-23
US20110159214A1 (en) 2011-06-30
TW201002848A (en) 2010-01-16
WO2009120859A1 (en) 2009-10-01
KR20100139092A (ko) 2010-12-31
EP2271587A1 (en) 2011-01-12
TWI464292B (zh) 2014-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010143546A (ru) Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ
CN101466867B (zh) 催化体化学气相沉积装置
RU2010143559A (ru) Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
CN101589171A (zh) 用于大面积多层原子层化学气相处理薄膜的装置和方法
JP2006319301A (ja) 触媒化学気相蒸着装置
CN101736323B (zh) 刀具表面掺硼金刚石复合涂层制备装置
CN109804110B (zh) 用于敷设碳层的设备和方法
JP2011195346A (ja) 成膜装置および成膜方法
CN102586762A (zh) 多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法
RU2011133919A (ru) Процесс получения поликристаллического кремния
JP2001247965A (ja) 保護被膜、半導体ウェーハの処理装置、及び薄フィルムダイヤモンド被膜の生成方法
US20090274610A1 (en) Method for growing carbon nanowalls
CN202881386U (zh) 用于热丝化学气相沉积系统的终端连接器
RU2006135178A (ru) Способ нанесения металлического покрытия на волокна жидким методом
US20140137799A1 (en) Deposition apparatus and method of forming thin film
JP2001358077A (ja) 薄膜作製装置
JP2008095179A (ja) 基体の被覆用の方法および装置
CN108439382A (zh) 一种可控液态碳源化学气相沉积制备石墨烯的方法及装置
Bahlawane et al. Alcohol‐Assisted CVD of Silver Using Commercially Available Precursors
US20110250367A1 (en) Deposition apparatus with preheating chamber having thermal hood
TWI353391B (ru)
CN102787305A (zh) 一种减少化学气相沉积过程中杂质沉积的装置及方法
CN103168115A (zh) 用于增强热丝化学气相沉积工艺中的钽灯丝寿命的方法
RU2012114734A (ru) Технологическое устройство для осаждения материала и электрод для использования в таком устройстве
JP2008266717A (ja) オゾン生成用電極