JP4080401B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関するもので、特に、基板を基板載置部に吸着および脱着する際の改良に関する。

従来より処理対象となる基板を吸着プレートに吸着して所定の処理を施す基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。また、従来より角型基板を複数の保持ピンによって支持しつつ、基板を処理プレートと基板受渡し位置との間で昇降する装置が知られている（例えば、特許文献２）。

特開平１０−０８６０８５号公報 特開平１０−０６４９８２号公報

しかし、特許文献１の装置では、吸着対象となる基板がさらに大型化すると、吸着プレートもさらに大型化することとなる。この場合、基板の吸着力を維持しつつ基板全面を良好な吸着力で吸着して保持するためには、吸着プレートに穿設する吸着口の数をさらに増加させる必要があり、吸着プレートの製造コストが増加する。特に、吸着プレートが石等の加工が困難な材質によって構成されている場合、加工コストの増加に繋がる。

また、特許文献２の装置において、基板端縁部付近を支持する支持ピンは複数配設されているが、基板中央部付近を支持する支持ピンは１つしか配設されていない。そのため、処理プレートに吸着した基板吸着部分のうち、基板中央部付近の部分を処理プレートから取り去る場合に、基板に対して均等に上向きの力を与えることができず良好に吸着を解除することができない。

また、特許文献２の装置では、基板端縁部付近を支持する支持ピンと、基板中央部付近を支持する支持ピンとを独立して昇降することができない。そのため、基板の反り状態によっては、例えば、基板が上向きに凸状となるような反り状態の場合には、基板中央部付近が処理プレートと接触しない場合があり、良好に基板を処理プレートに吸着することができない。

さらに、特許文献１および特許文献２の装置において、吸着対象となる基板の吸着プレート（または、処理プレート）に載置される位置がズレた場合であっても、基板位置が所定範囲となるように調整することができず、良好な基板処理を施すことができない。

また、吸着プレートに載置される位置が所定範囲内であっても、吸着解除時に基板の位置がずれると、位置ずれが生じたまま搬送ユニットによって後工程の処理ユニットに搬送され、位置ずれが調整されることなく後工程の処理ユニットに基板が供給されることになる。そのため、位置ずれ量によっては、この後工程の処理ユニットにおいて基板の処理不良が生ずる。

そこで、本発明では、基板が大型化した場合であっても、基板を基板載置部に良好に吸着するとともに、基板載置部に吸着された基板を良好に取り去ることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、基板載置部の吸着面に載置された前記基板を吸着して保持する吸着手段と、前記吸着面の位置と前記吸着面の上方の基板受渡し位置との間で前記基板を昇降し、前記基板の端縁部付近を支持して昇降する第１の支持部と、前記基板の中央部付近を支持し、前記第１の支持部と独立して昇降自在な第２の支持部と、を有する昇降手段と、を備え、前記吸着手段は、前記吸着面に設けられ、全体的にまたは複数の区分に分けて各区分内で相互に連通している複数の吸着溝と、前記複数の吸着溝と接続するとともに、前記基板載置部を貫通する複数の吸着孔と、前記複数の吸着孔と連通接続されて前記吸着面付近を排気する排気手段と、を有し、前記複数の吸着溝のうち前記基板の端縁部付近の吸着に用いられる端縁部吸着溝同士の溝間隔は、前記基板の中央部付近の吸着に用いられる中央部吸着溝同士の溝間隔より狭いことを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記端縁部吸着溝は相互に接続され、前記中央部吸着溝もまた相互に接続される一方、前記端縁部吸着溝と前記中央部吸着溝とは非接続状態であるとともに、前記排気手段は、前記複数の吸着孔のうち前記端縁部吸着溝と連通する端縁部吸着孔と接続され、前記基板の端縁部付近と前記吸着面との間の雰囲気を排気する第１の排気部と、前記複数の吸着孔のうち前記中央部吸着溝と連通する中央部吸着孔と接続され、前記第１の排気部と独立して、前記基板の中央部付近と前記吸着面との間の雰囲気を排気する第２の排気部と、を有することを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記中央部吸着孔と連通しており、前記中央部吸着孔および前記中央部吸着溝を介して前記吸着部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段、をさらに備えることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、基板載置部と、前記基板載置部に載置された前記基板の位置が所定範囲となるように調整するアライメント機構と、前記基板を基板載置部の吸着面に吸着して保持し、前記吸着手段の吸着部の基板側に設けられ、全体的にまたは複数の区分に分けて各区分内で相互に連通される複数の吸着溝と、前記複数の吸着溝と接続するとともに、前記基板載置部を貫通する複数の吸着孔と、前記複数の吸着孔と連通接続されて前記吸着面付近を排気する排気手段と、を有する吸着手段と、前記複数の吸着孔と連通しており、前記複数の吸着孔および前記複数の吸着溝を介して前記吸着部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を備え、前記複数の吸着溝のうち前記基板の端縁部付近の吸着に用いられる端縁部吸着溝同士の溝間隔は、前記基板の中央部付近の吸着に用いられる中央部吸着溝同士の溝間隔より狭いことを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記複数の吸着溝のそれぞれの幅は、２．０ｍｍ以下であることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記端縁部吸着溝のうち少なくとも１つは、前記吸着面のうち基板外周部と対応する部分から１０．０ｍｍ以内に設けられていることを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項６に記載の基板処理装置において、前記端縁部吸着溝のうち他の１つは、前記吸着面のうち基板外周部と対応する部分から１０．０ｍｍより大きく３０．０ｍｍ以下の範囲に設けられていることを特徴とする。

また、請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記中央部吸着溝同士の溝間隔は、１００．０ｍｍ以下であることを特徴とする。

また、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、所定の処理液を吐出するスリットノズルと、前記吸着面に保持された前記基板の全面に前記処理液を吐出するために、前記スリットノズルを前記基板に対して相対的に移動させる移動手段と、をさらに備えることを特徴とする。

また、請求項１０の発明は、基板の端縁部付近を支持する第１の支持部と前記基板の中央部付近を支持する第２の支持部とをそれぞれ独立して昇降可能な昇降手段によって前記基板を基板載置部の吸着面に吸着して保持する基板処理方法であって、前記吸着面に載置された基板は、前記吸着面に設けられ、全体的にまたは複数の区分に分けて各区分内で相互に連通している複数の吸着溝と、前記複数の吸着溝と接続するとともに、前記基板載置部を貫通する複数の吸着孔と、前記複数の吸着孔と連通接続されて前記吸着面付近を排気する排気手段と、を有しており、前記複数の吸着溝のうち前記基板の端縁部付近の吸着に用いられる端縁部吸着溝同士の溝間隔が、前記基板の中央部付近の吸着に用いられる中央部吸着溝同士の溝間隔より狭い吸着手段によって吸着され、(a) 前記第１の支持部および前記第２の支持部によって前記基板を下降させて、前記基板の中央部付近を前記吸着面に到達させる工程と、(b) 前記基板の中央部付近が前記吸着面に到達した時点または到達する直前に、前記吸着面付近の排気処理を開始する工程と、(c) 前記排気処理を施しつつ、前記第２の支持部によって前記基板を下降させて、前記基板の端縁部付近を前記吸着面に到達させる工程と、を備えることを特徴とする。

また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の基板処理方法において、(d) 前記排気手段を大気解放することにより、前記基板が吸着された前記吸着面付近を略大気圧にする解放工程と、(e) 前記解放工程後に、前記基板下面と前記吸着面との間に不活性ガスを供給する工程と、(f) 前記基板載置部に載置された前記基板の位置が所定範囲となるように調整する調整工程と、を備えることを特徴とする。

請求項１から請求項３に記載の発明によれば、第１の支持部と第２の支持部とを独立して下降することができる。これにより、基板の中央部付近から端縁部方向に向かって基板を吸着面に吸着させることができる。そのため、反りやうねりのある基板についても吸着面上で撓むことなく確実に吸着することができる。

また、請求項１から請求項３に記載の発明によれば、端縁部吸着溝同士の溝間隔を中央部吸着溝同士の溝間隔より狭くすることによって、反りやうねりの影響が大きくなる基板端縁部の吸着力を高めることができる。そのため、基板を短時間で確実に吸着することができる。

また、請求項１から請求項３に記載の発明によれば、吸着面の略全面に複数の吸着溝が設けられている。これにより、吸着面に多数の吸着孔を設けることなく基板の全面吸着を行うことができる。そのため、基板載置部に多数の貫通孔を設ける必要がなく、製造コストを低減することができる。

さらに、請求項１から請求項３に記載の発明によれば、第１の支持部と第２の支持部とを独立して昇降することができるため、基板の反りの状況に応じて第１の支持ピンと第２の支持ピンとの高さ位置を調整することができ、基板載置部にて確実に基板を吸着することができる。

特に、請求項２に記載の発明によれば、基板中央部付近の吸着処理と基板端縁部付近の吸着処理とをそれぞれ独立に実行することができる。そのため、基板の吸着処理を、さらに効率的に行うことができる。

特に、請求項３の発明によれば、基板の端縁部付近を吸着したまま、基板の中央部付近を大気解放するとともに、基板中央部付近の下面と吸着面との間に不活性ガスを供給することにより、基板の端縁部付近を吸着させたまま基板中央部付近の吸着状態を解除することができる。そのため、基板の位置が吸着面上でずれることを防止しつつ、基板を吸着面から迅速に取り去ることができる。

また、請求項３の発明によれば、大気解放するとともに基板中央部付近の下面と吸着面との間に不活性ガスを供給することにより、基板の吸着状態および固定状態を解除することができる。そのため、昇降手段によって基板を取り去る際に基板中央部付近の剥離帯電を生ずることによって基板上に形成された配線パターンが破壊されることを防止できる。

請求項４に記載の発明によれば、基板載置部に載置された基板の位置が所定範囲とならない場合であっても、アライメント機構によって位置を調整することができるため、基板を所定の位置に吸着させることができる。

また、請求項４に記載の発明によれば、端縁部吸着溝同士の溝間隔を中央部吸着溝同士の溝間隔より狭くすることによって、反りやうねりの影響が大きくなる基板端縁部の吸着力を高めることができる。そのため、基板を短時間で確実に吸着することができる。

また、請求項４に記載の発明によれば、吸着面の略全面に複数の吸着溝が設けられている。これにより、吸着面に多数の吸着孔を設けることなく基板の全面吸着を行うことができる。そのため、基板載置部に多数の貫通孔を設ける必要がなく、製造コストを低減することができる。

さらに、請求項４に記載の発明によれば、基板の下面と吸着面との間に不活性ガスを供給することによって吸着面に吸着した基板を取り去る際に、基板の位置が吸着面上でずれた場合であっても、アライメント機構によって基板の位置が所定範囲となるように調整することができる。そのため、基板を吸着面から迅速に取り去ることを可能にするとともに、基板の位置ずれを原因として後工程の基板処理で処理不良が発生することを防止できる。

特に、請求項５に記載の発明によれば、吸着溝の幅を２．０ｍｍ以下とすることにより、良好に基板を吸着面に吸着することができる。

特に、請求項６に記載の発明によれば、端縁部吸着溝のうち少なくとも１つを吸着面のうち基板外周部と対応する部分から１０．０ｍｍ以内に設けることにより、基板端縁部付近を良好に吸着面に吸着することができる。

特に、請求項７に記載の発明によれば、端縁部吸着溝のうち少なくとも１つを吸着面のうち基板外周部と対応する部分から１０．０ｍｍ以内に設けるとともに、端縁部吸着溝のうち他の１つを吸着面のうち基板外周部と対応する部分から１０．０ｍｍより大きく３０．０ｍｍ以下の範囲に設けることにより、さらに良好に基板端縁部付近を吸着面に吸着することができる。

特に、請求項８に記載の発明によれば、中央部吸着溝同士の溝間隔を１００．０ｍｍ以下とすることにより、基板中央部付近を良好に吸着面に吸着することができる。

特に、請求項９に記載の発明によれば、スリットノズルから基板の全面に処理液を吐出する基板処理において、基板を吸着面に確実かつ迅速に吸着することができるため、基板全面に良好に処理液を吐出することができる。

また、請求項１０に記載の発明によれば、第１の支持部と第２の支持部とを独立して下降することができる。これにより、まず、（１）基板の中央部付近を吸着面に到達させて吸着させ、続いて、（２）基板の端縁部付近を吸着面に到達させて吸着させることができる。そのため、反りやうねりのある基板についても吸着面上で撓むことなく確実に吸着することができる。

また、請求項１１に記載の発明によれば、前記基板下面と吸着面との間に不活性ガスを供給することによって基板の位置がずれた場合であっても、調整工程によって基板の位置が所定範囲となるように調整することができる。そのため、基板を吸着面から迅速に脱着することを可能にするとともに、基板の位置ずれを原因として後工程の基板処理で処理不良が発生することを防止できる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の構成の一例を示す斜視図である。また、図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の構成の一例を示す上面図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。

基板処理装置１は、レジストを角型基板Ｗに塗布して角型基板Ｗの表面にレジスト膜を形成する装置であり、主として、処理対象基板を載置する基板載置部３と、レジストを角型基板Ｗに向けて吐出するスリットノズル４１と、基板載置部３に載置された角型基板Ｗを吸着する吸着部７０とを備える。

基板載置部３は、載置された角型基板Ｗを吸着して保持するための保持台としての機能を有する。基板載置部３は、略直方体形状の石製であり、その上面の保持面３０および側面は平坦面に加工されている。このように基板載置部３を石製にすることにより、基板載置部３の熱膨張を低減することができ、良好に角型基板Ｗを基板載置部３に吸着して保持することができる。

図３は、本実施の形態における吸着部の構成の一例を示す上面図である。また、図４は、本実施の形態における基板支持部の構成の一例を示す側面図である。吸着部７０は、図２に示すように、石製の保持面３０の略中央部分であって略水平方向に平行に伸びる２本の走行レール３１ａの間に設けられ、基板載置部３に載置された角型基板Ｗを保持面３０に吸着して保持するための部材である。図３および図４に示すように、吸着部７０は、主として、吸着孔７２と、吸着溝７５（７５ａ、７５ｂ）と、保持面３０と基板受渡し位置との間で角型基板Ｗを昇降させる複数のリフトピン７１（７１ａ、７１ｂ）とを備える。

吸着溝７５（７５ａ、７５ｂ）は、吸着部７０の上面であって角型基板Ｗが載置される側の表面を削ることによって形成される略直線状の複数の溝である。吸着溝７５は、吸着した際に角型基板Ｗの下面と略全面にわたって接するように格子状に設けられており、溝の横断面は、略正方形または略長方形の形状を有する。また、各吸着溝７５はそれと交差する他の吸着溝７５と格子点７６において接続されており、すべての吸着溝７５は格子点７６において連通している。さらに、図３に示すように、吸着溝７５上の格子点７６のうちの一部は吸着孔７２と連通している。

ここで、吸着孔７２は、図４に示すように、基板載置部３を貫通する複数の貫通孔であり、部分７８ａの内径は部分７８ｂの内径より小さくなるように形成される。また、各吸着孔７２は保持面３０側の開口部７８ｃにて吸着溝７５上の格子点７６と連通しており、また、各吸着孔７２の下部は、配管８５を介して真空ポンプ８１と連通接続されている。

これにより、真空ポンプ８１を駆動することによって吸着溝７５、吸着孔７２および配管８５を介して吸着部７０上面付近、すなわち、吸着部７０上面と角型基板Ｗの下面との間の雰囲気を排気することができる。したがって、吸着孔７２を吸着部７０の略全面に設けることなく、吸着溝７５および吸着孔７２を介して角型基板Ｗの下面付近を排気することができる。そのため、基板載置部３に多数の吸着孔７２を設けることなく、角型基板Ｗを吸着部７０に吸着することができ、基板載置部３の製造コストを低減することができる。このように保持面３０上に設けられた吸着部７０は、基板載置部３に載置された角型基板Ｗを吸着する吸着面として使用される。

なお、吸着部７０に吸着した角型基板Ｗの吸着状態を解除する際には、真空ポンプ８１を大気解放して、吸着溝７５付近を大気圧と略同一にするとともに、後述する端縁部リフトピン７１ａおよび中央部リフトピン７１ｂの上端部を上昇させることにより、吸着部７０から角型基板Ｗを脱着することができる。

ここで、吸着溝７５同士の間隔は、角型基板Ｗの端縁部付近に形成された溝同士の横方向（Ｙ軸方向）の間隔Ｄ３および縦方向（Ｘ軸方向）の間隔Ｄ６が、それぞれ、角型基板Ｗの中央部付近に形成された溝同士の横方向（Ｙ軸方向）の間隔Ｄ２および縦方向（Ｘ軸方向）の間隔Ｄ５より小さくなるように設定されている（図３参照）。

また、吸着部７０に形成された吸着溝７５のうち最外周部の４本の吸着溝を結んだ環状溝（以下、「第１の環状吸着溝」とも呼ぶ）７５ａと保持面３０上の所定範囲に載置された角型基板Ｗの外周部Ｗ１との距離Ｄ１、Ｄ４が、それぞれ１０．０ｍｍ以下（好ましくは、５ｍ以下）となるように設定されている。さらに、第１の環状吸着溝７５ａから見て基板中心部側の吸着溝７５であって第１の環状吸着溝との距離がＤ３またはＤ６となる４本の吸着溝を結んだ環状溝（以下、「第２の環状吸着溝」とも呼ぶ）７５ｂと、角型基板Ｗの外周部Ｗ１との距離（Ｄ１＋Ｄ３）、（Ｄ４＋Ｄ６）が、それぞれ３０．０ｍｍ以下（好ましくは、１５ｍ以上かつ２５ｍｍ以下）となるように設定されている。

これにより、反りの影響を受けやすい基板端縁部の吸着力を基板中央部付近の吸着力と比較して大きくすることができる。そのため、角型基板Ｗのサイズが大型化しても吸着部７０上に載置された角型基板Ｗを迅速かつ確実に吸着することができる。

なお、本実施の形態では、吸着部７０上に載置された角型基板Ｗを良好に吸着するため、また、吸着部７０のうち吸着溝７５内に存在する空気の影響によって角型基板Ｗの下面側に温度分布が生じ、基板の処理不良が発生することを防止するため、（１）吸着溝７５のそれぞれの溝幅（溝の横断面の水平幅）は、２．０ｍｍ以下（好ましくは０．５ｍｍ以下）と、（２）角型基板Ｗの中央部付近と対応する吸着溝７５の溝間隔Ｄ２、Ｄ５は、１００．０ｍｍ以下（好ましくは、５０．０ｍｍ以下）と、（３）吸着孔７２の部分７８ａの内径は２．０ｍｍ以下（好ましくは、０．５ｍｍ以下）となるように、それぞれ設定している。

リフトピン７１は、保持面３０と基板受渡し位置との間で角型基板Ｗを支持しつつ昇降する部材であり、角型基板Ｗの端縁部付近を支持する端縁部リフトピン７１ａと角型基板Ｗの中央部付近を支持する中央部リフトピン７１ｂとから構成される。

端縁部リフトピン７１ａは、図３に示すように、吸着部７０のうち角型基板Ｗの端縁部に対応する部分、具体的には、第２の環状吸着溝７５に沿って、複数（本実施の形態では１６本）配設されている。また、各端縁部リフトピン７１ａは、図４に示すように、基板載置部３を貫通する貫通孔７１ｃに挿入して設けられている。また、各端縁部リフトピン７１ａの下端部は基部７４ａと接続されており、各端縁部リフトピン７１ａの上端部が略同一高さとなるように設定されている。さらに、基部７４ａは、第１昇降機構７３ａと連動接続されており、図示を省略する案内部に沿って上下方向（Ｘ軸方向）について昇降可能に設けられている。

これにより、第１昇降機構７３ａを駆動させることによって、各端縁部リフトピン７１ａの上端部は、保持面３０より低い位置と保持面３０の上方位置との間で上下に移動することができる。

中央部リフトピン７１ｂは、図３に示すように、吸着部７０のうち角型基板Ｗの中央部に対応する部分に複数（本実施の形態では６本）配設されている。また、各中央部リフトピン７１ｂは、端縁部リフトピン７１ａと同様に、基板載置部３を貫通する貫通孔７１ｃに挿入して設けられている（図４参照）。また、各中央部リフトピン７１ｂの下端部は基部７４ｂと接続されており、各中央部リフトピン７１ｂの上端部が略同一高さとなるように設定されている。さらに、基部７４ｂは、第１昇降機構７３ａと独立して駆動自在に設けられた第２昇降機構７３ｂと連動接続されており、図示を省略する案内部に沿って上下方向（Ｘ軸方向）について昇降可能に設けられている。

これにより、第２昇降機構７３ｂを駆動させることによって、各中央部リフトピン７１ｂの上端部は、端縁部リフトピン７１ａの上端部と独立して昇降可能であり、保持面３０より低い位置と保持面３０の上方位置との間で上下に移動することができる。

図１および図２に戻って、保持面３０のうち吸着部７０を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架橋構造４を保持面３０の上方に支持する。

支持ブロック３１ｂは、架橋構造４に剛性結合され、図２に示すように中央部に比べて両側面部の下端が下方に張り出した形状（逆凹形状）となっており、当該側面部が走行レール３１ａを両側から挟むように配置される。これにより、Ｙ軸方向の移動が制限されるため、架橋構造４の移動方向を走行レール３１ａに沿ったＸ軸方向に規定することができる。

保持面３０の上方には、基板載置部３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、主として、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３、４４とから構成される。このように、架橋構造４の一部であるノズル支持部４０にカーボンファイバ樹脂製の骨材を使用することにり、架橋構造４に必要な強度を維持しつつ軽量化を図ることができる。そのため、架橋構造４を移動させるために必要な駆動力を軽減することができる。

ノズル支持部４０には、図２に示すようにスリットノズル４１が取り付けられている。水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１には、スリットノズル４１へ薬液を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）が接続されている。スリットノズル４１は、レジスト用ポンプによりレジストが送られ、角型基板Ｗの表面を走査することにより、角型基板Ｗの表面の所定の領域にレジストを吐出する。

昇降機構４３、４４はスリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３、４４はスリットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。

リニアモータ５０、５１は、ノズル支持部４０をＸ軸方向に沿って移動させる際の駆動力を発生する部材である。なお、架橋構造４の反対側に設けられているリニアモータ５１もリニアモータ５０とほぼ同様の構成を備るため、ここでは、リニアモータ５０について説明する。

リニアモータ５０は、固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５０による移動量および移動方向は、制御系６からの制御信号により制御可能となっている。固定子５０ａは、架橋構造４の移動方向に沿って伸びるように基板載置部３の側面に固設され、保持面３０よりも低い位置に水平配置される。移動子５０ｂは、架橋構造４側に固設され、固定子５０ａに非接触で対向する。

このように、架橋構造４を移動させるためにリニアモータ５０、５１を用いることにより、ステッピングモータとボールネジとを用いる場合に比べて、装置内に四散するオイルなどの発塵量を削減することができる。また、リニアモータ５０、５１は構造が比較的単純であるため、基板処理装置１の構造を単純化することができる。

制御系６は、図１に示すように、プログラムに従って各種データを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部６２、および各種データを表示する表示部６３を備える。また、制御系６は、図示しないケーブルにより基板処理装置１に付属する各機構と接続されている。そのため、制御系６は、操作部６２および各種センサなどからの信号に基づいて、ステージ３、架橋構造４、昇降機構４３、４４、およびリニアモータ５０、５１などの各構成を制御することができる。

なお、具体的には、記憶部６１としてはデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネルディスプレイのように表示部６３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。

＜１．２．基板処理装置による基板の吸着・脱着手順＞
図５から図７は、本実施の形態の基板載置部３における角型基板Ｗの吸着手順および脱着手順を説明するための図である。ここでは、角型基板Ｗを基板載置部３の吸着部７０に吸着する手順を説明した後に、吸着部７０に吸着した角型基板Ｗの吸着状態を解除して吸着部７０から角型基板Ｗを脱着する手順について説明する。

まず、角型基板Ｗの吸着手順について説明する。吸着手順では、角型基板Ｗをリフトピン７１に支持する前の時点において、第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂを駆動することにより、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄおよび中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅを基板受渡し位置まで移動させる。このとき、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの高さ位置が、中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの高さ位置より上になるように第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂの移動量を制御する。

ここで、先端部７１ｄと先端部７１ｅとの相対的な位置関係（先端部７１ｄと先端部７１ｅとの高低差）は、角型基板Ｗの撓み状態によって決定される。例えば、角型基板Ｗの中央部付近の高さ位置が最も低くなるように撓んでいる（すなわち、角型基板Ｗの面形状が上向き（Ｚ軸正方向）に凸となる）場合、角型基板Ｗの端縁部付近の高さ位置が最も低くなるように撓んでいる（すなわち、角型基板Ｗの面形状が下向き（Ｚ軸負方向）に凸となる）場合と比較して先端部７１ｄと先端部７１ｅとの高低差を大きくする必要がある。

このように先端部７１ｄと先端部７１ｅとの高低差を決定することにより、角型基板Ｗの面形状が上向きに凸となる場合であっても、角型基板Ｗの中央部付近と吸着部７０とを良好に接触させるように角型基板Ｗを保持面３０に下降することができる。そのため、角型基板Ｗ下面の中央部付近から端縁部付近に向けて確実に吸着することができる。

次に、図示を省略する搬送ロボットまたはオペレータによってリフトピン７１に角型基板Ｗを支持する（図５参照）。このとき、角型基板Ｗは、中央部付近の高さ位置が端縁部付近の高さ位置と比較して低くなり、撓んだ状態でリフトピン７１に支持される。

続いて、第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂを制御して、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの下降速度と中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの下降速度とが略同一となるように調整して下降させる。これにより、角型基板Ｗは、撓んだ状態を保持したまま保持面３０に向かって下降する。

続いて、中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの高さ位置が保持面３０の高さ位置と略同一高さ、または中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの高さ位置が保持面３０の高さ位置より低くなって、角型基板Ｗの中央部付近の下面が保持面３０に到達した時点において（図６参照）、第２昇降機構７３ｂによる中央部リフトピン７１ｂの下降動作を停止するとともに真空ポンプ８１を駆動させる。また、このとき、第１昇降機構７３ａは動作し続けるため、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄは下降し続ける。

これにより、角型基板Ｗの下面は、中央部付近から端縁部に向かって徐々に吸着部７０と接触する。そして、角型基板Ｗの下面のうち吸着部７０と接触する部分と吸着部７０との間の雰囲気は、真空ポンプ８１によって排気される。そのため、角型基板Ｗの下面は、中央部付近から端縁部に向かって徐々に吸着部７０に吸着される。その結果、角型基板Ｗを短時間で確実に吸着することができる。

そして、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの高さ位置が保持面３０の高さ位置と略同一高さ、または先端部７１ｄの高さ位置が保持面３０の高さ位置より低くなって角型基板Ｗの端縁部が保持面３０に到達した時点において（図７参照）、第１昇降機構７３ａによる端縁部リフトピン７１ａの下降動作を停止する。これにより、角型基板Ｗの下面の全面が保持面３０に到達し、吸着部７０によって角型基板Ｗの全面が吸着されて吸着処理が完了する。

なお、上述したように角型基板Ｗの端縁部付近に対応する吸着溝７５同士の溝間隔Ｄ３、Ｄ６は、中央部付近に対応する吸着溝７５同士の溝間隔Ｄ２、Ｄ５と比較して小さく設定されており、角型基板Ｗの端縁部付近は中央部付近と比較して強力に吸着される。そのため、反りの影響を受けやすい角型基板Ｗの端縁部であっても確実に吸着することができる。

次に、角型基板Ｗの脱着手順について説明する。脱着手順では、基板処理装置１によってレジストの塗布処理が終了した後に、真空ポンプ８１を真空解放する。これにより、真空ポンプ８１と連通接続された吸着溝７５内に空気が流入し、角型基板Ｗと吸着部７０とが接する部分のうち吸着溝７５部分が略大気圧状態となって吸着状態が解除されるが、角型基板Ｗは吸着部７０に固定され続ける（図７参照）。

続いて、第２昇降機構７３ｂを停止させてまま第１昇降機構７３ａを駆動させて端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの上昇を開始する。このとき中央部リフトピン７１ｂは停止し続けている。これにより、角型基板Ｗの端縁部は徐々に上昇するため、吸着部７０に固定されている角型基板Ｗの下面は端縁部から中央部に向かって吸着部７０から徐々に引き剥がされる（図６参照）。

続いて、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄが所定高さまで上昇すると、第２昇降機構７３ｂを駆動させて、中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅが端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの移動速度と略同一となるように先端部７１ｅを上昇させる。このとき、先端部７１ｄは上昇し続けている。これにより、角型基板Ｗは、中央部付近の高さ位置が端縁部付近の高さ位置と比較して低くなり、撓んだ状態で上昇する。そして、吸着部７０に固定された角型基板Ｗの下面は端縁部から中央部に向かってさらに引き剥がされて完全に固定状態が解除された後、角型基板Ｗを基板受渡し位置まで上昇させて脱着処理が終了する（図５参照）。

＜１．３．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１では、第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂによって、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの高さ位置が中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの高さ位置より上となるように設定しつつ、角型基板Ｗを基板受渡し位置から保持面３０まで下降することができる。これにより、角型基板Ｗの下面について中央部付近から端縁部方向に向かって徐々に吸着することができる。そのため、反りやうねりのある角型基板Ｗについても、保持面上で撓ますことなく確実に吸着することができる。

また、第１の実施の形態の基板処理装置１の吸着部７０において、角型基板Ｗの中央部付近に対応する吸着溝７５同士の溝間隔Ｄ２、Ｄ５と比較して端縁部付近に対応する吸着溝７５同士の溝間隔Ｄ３、Ｄ５を狭く設定している。これにより、反りやうねりの影響が大きくなる端縁部の吸着力を高めることができる。そのため、角型基板Ｗのサイズが大型化したも角型基板Ｗを短時間で確実に吸着することができる。

また、第１の実施の形態の基板処理装置１の吸着部７０では、吸着孔７２と連通する吸着溝７５を吸着部７０の全面に設けることにより、多数の吸着孔７２を設けることなく角型基板Ｗを吸着部７０に吸着することができるため、基板載置部３の加工コストを低減することができる。

さらに、第１の実施の形態の基板処理装置１では、角型基板Ｗの面形状が上向きに凸となる場合であっても、角型基板Ｗの反りの状況に応じて先端部７１ｄと先端部７１ｅとの高低差を調整することができる。そのため、角型基板Ｗの面形状が上向き（Ｚ軸正方向）に凸となる場合であっても、角型基板Ｗを吸着部７０に確実に吸着することができる。

＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態における吸着部１７０のハードウェア構成は、第１の実施の形態の吸着部７０と比較して、主として、角型基板Ｗの端縁部付近に対応する吸着溝と、中央部付近に対応する吸着溝とが連通しておらず、互いに独立して角型基板Ｗと吸着部７０との間の雰囲気を排気することができる点を除いては、第１の実施の形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。

＜２．１．基板処理装置の構成＞
図８は、本実施の形態における吸着部の構成の一例を示す上面図である。また、図９は、本実施の形態における基板支持部の構成の一例を示す側面図である。吸着部１７０は、第１の実施の形態の吸着部７０と同様に、保持面３０上であって略水平方向に平行に伸びる２本の走行レール３１ａの間に設けられ、基板載置部３に載置された角型基板Ｗを保持面３０に吸着して保持するための部材である。図８および図９に示すように、吸着部１７０は、主として、吸着孔７２（７２ａ、７２ｂ）と、吸着溝１７５（１７５ａ、１７５ｂ）と、保持面３０と基板受渡し位置との間で角型基板Ｗを昇降させる複数のリフトピン７１（７１ａ、７１ｂ）とを備える。

吸着溝１７５（１７５ａ、１７５ｂ）は、第１の実施の形態の吸着溝７５と同様に、吸着部１７０の上面であって角型基板Ｗが載置される側の表面を削ることによって形成される略直線状の複数の溝である。吸着溝１７５の断面は、略正方形または略長方形の形状を有する。

吸着溝１７５ａは、図８に示すように、角型基板Ｗの端縁部付近に対応する部分に形成された複数の溝である。吸着溝１７５ａは、角型基板Ｗが吸着した際に、角型基板Ｗの下面のうち端縁部付近に対応する部分と略全面にわたって接するように格子状に設けられている。また、各吸着溝１７５ａは交差する吸着溝１７５ａと格子点１７６ａにおいて接続されており、すべての吸着溝１７５ａは格子点１７６ａにおいて連通している。さらに、図８に示すように、吸着溝１７５ａ上の格子点１７６ａのうちの一部は吸着孔７２ａと連通している。

吸着溝１７５ｂは、角型基板Ｗの中央部付近に対応する部分に形成された複数の溝である。吸着溝１７５ｂは、角型基板Ｗが吸着した際に、角型基板Ｗの下面のうち中央部付近に対応する部分と略全面にわたって接するように格子状に設けられている。また、各吸着溝１７５ｂは交差する吸着溝１７５ｂと格子点１７６ｂにおいて接続されており、すべての吸着溝１７５ａは格子点１７６ａにおいて連通している。さらに、図８に示すように、吸着溝１７５ｂ上の格子点１７６ｂのうちの一部は吸着孔７２ｂと連通している。

なお、図８に示すように、本実施の形態の吸着部１７０の吸着溝１７５ａは、溝が形成されない矩形環状を有する分離部１７７の外側に、また、吸着溝１７５ｂは分離部１７７の内側に、それぞれ配置されている。そのため、吸着溝１７５ａのそれぞれは、いずれの吸着溝１７５ｂとも連通していない。すなわち、吸着溝１７５は２つの部分集合（吸着溝１７５ａおよび吸着溝１７５ｂ）に区分され、それぞれの区分内でのみ相互に連通していることになる。

吸着孔７２ａ、７２ｂは、図９に示すように、基板載置部３を貫通する複数の貫通孔である。吸着孔７２ａは吸着溝１７５ａ上の格子点１７６ａと、また、吸着孔７２ｂは吸着溝１７５ｂ上の格子点１７６ｂと、それぞれ連通している。さらに、図９に示すように、各吸着孔７２ａの下部は、配管１８５ａを介して真空ポンプ１８１ａと連通しており、各吸着孔７２ｂの下部は、配管１８５ｂを介して真空ポンプ１８１ｂと連通している。

これにより、真空ポンプ１８１ａを駆動することによって、吸着溝１７５ａ、吸着孔７２ａおよび配管１８５ａを介して角型基板Ｗの下面のうち端縁部付近に対応する部分と吸着部７０との間の雰囲気を排気することができる。また、真空ポンプ１８１ｂを駆動することによって、吸着溝１７５ｂ、吸着孔７２ｂおよび配管１８５ｂを介して角型基板Ｗの下面のうち中央部付近に対応する部分と吸着部７０との間の雰囲気を排気することができる。そのため、真空ポンプ１８１ａと真空ポンプ１８１ｂとを互いに独立して駆動させることによって、角型基板Ｗの中央部付近と端縁部付近とを互いに独立して吸着部７０に吸着することができる。

また、図９に示すように、吸着溝１７５ａは、吸着孔７２ａ、配管１８５ａ、バルブ１８２ａおよび配管１８４ａを介して、また、吸着溝１７５ｂは、吸着孔７２ｂ、配管１８５ｂバルブ１８２ｂおよび配管１８４ｂを介して、それぞれ窒素ガス供給源８３に連通接続されている。そのため、バルブ１８２ａを開放してバルブ１８２ｂを閉鎖することによって、吸着溝１７５ａから上方に向けて窒素ガスを吐出することができる。また同様に、バルブ１８２ｂを開放してバルブ１８２ａを閉鎖することによって、吸着溝１７５ｂから上方に向けて窒素ガスを吐出することができる。

ここで、吸着溝１７５ａ同士の横方向（Ｙ軸方向）の間隔Ｄ３および縦方向（Ｘ軸方向）の間隔Ｄ６は、それぞれ、吸着溝１７５ｂ同士の横方向（Ｙ軸方向）の間隔Ｄ２および縦方向（Ｘ軸方向）の間隔Ｄ５より小さくなるように設定されている。

また、吸着溝１７５ａのうち最外周部の４本の溝を結んだもの（以下、「第３の環状吸着溝」とも呼ぶ）と角型基板Ｗの外周部Ｗ１との距離Ｄ１、Ｄ４が、それぞれ１０．０ｍｍ以下（好ましくは、５ｍ以下）となるように設定されている。さらに、第３の環状吸着溝から見て基板中心部側の吸着溝１７５ａであって第３の環状吸着溝との距離がＤ３またはＤ６となる４本の溝を結んだもの（以下、「第４の環状吸着溝」とも呼ぶ）と角型基板Ｗの外周部Ｗ１との距離（Ｄ１＋Ｄ３）、（Ｄ４＋Ｄ６）が、それぞれ３０．０ｍｍ以下（好ましくは、１５ｍ以上かつ２５ｍｍ以下）となるように設定されている。

これにより、第１の実施の形態と同様に、反りの影響を受けやすい基板端縁部の吸着力を基板中央部付近の吸着力と比較して大きくすることができる。そのため、吸着部７０上に載置された角型基板Ｗを迅速かつ確実に吸着することができる。

なお、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、吸着部１７０上に載置された角型基板Ｗを良好に吸着するため、また、吸着部１７０のうち吸着溝１７５内に存在する空気の影響によって角型基板Ｗの下面側に温度分布が生じ、基板の処理不良が発生することを防止するため、（１）吸着溝１７５の溝幅は、２．０ｍｍ以下（好ましくは０．５ｍｍ以下）と、（２）吸着溝１７５ｂの溝間隔Ｄ２、Ｄ５は、１００．０ｍｍ以下（好ましくは、５０．０ｍｍ以下）と、（３）吸着孔７２の部分７８ａの内径は２．０ｍｍ以下（好ましくは、０．５ｍｍ以下）となるように、それぞれ設定している。

＜２．２．基板処理装置による基板の吸着・脱着手順＞
ここでは、図５から図７を使用しつつ、本実施の形態の基板載置部３における角型基板Ｗの吸着手順および脱着手順について説明する。なお、本実施の形態の吸着手順は、第１の実施の形態の吸着手順と比較して、（１）角型基板Ｗの中央部付近と端縁部付近とで独立して吸着される点で異なる。また、本実施の形態の脱着手順は、第１の実施の形態の脱着手順と比較して、（２）角型基板Ｗの中央部付近の吸着状態を解除する際に、真空ポンプ１８１ｂを大気解放するとともに、吸着溝１７５ｂから角型基板Ｗに向けて窒素ガスを吐出する点で異なる。そこで、以下では、主として、この相違点を中心に説明する。

まず、角型基板Ｗの吸着手順について説明する。吸着手順では、第１の実施の形態と同様に、角型基板Ｗをリフトピン７１に支持する前の時点において、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄおよび中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅを基板受渡し位置まで移動させる。このとき、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの高さ位置が、中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの高さ位置より上になるように第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂの移動量を制御する。

次に、図示を省略する搬送ロボットまたはオペレータによってリフトピン７１に角型基板Ｗを支持する（図５参照）。このとき、角型基板Ｗは、中央部付近の高さ位置が端縁部付近の高さ位置と比較して低くなり、撓んだ状態でリフトピン７１に支持される。

続いて、第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂを制御して、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの下降速度と中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの下降速度とが略同一となるように調整して下降させる。

続いて、中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの高さ位置が保持面３０の高さ位置と略同一、または中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの高さ位置が保持面３０の高さ位置より低くなって角型基板Ｗの中央部付近の下面が保持面３０に到達した時点において（図６参照）、第２昇降機構７３ｂによる中央部リフトピン７１ｂの下降動作を停止するとともに、真空ポンプ１８１ａを停止状態のまま保持しつつ真空ポンプ１８１ｂを駆動させる。また、このとき、第１昇降機構７３ａは動作し続けるため、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄは下降し続ける。

これにより、角型基板Ｗの下面は、中央部付近から端縁部に向かって徐々に吸着部１７０と接触する。そして、角型基板Ｗの下面のうち吸着部１７０の吸着溝１７５ｂと接触する付近と吸着部１７０との間の雰囲気は、真空ポンプ１８１ｂによって排気される。

そのため、角型基板Ｗの下面のうち吸着溝１７５ｂと接触する部分は、中央部付近から端縁部に向かって徐々に吸着部１７０に吸着される。すなわち、本実施の形態では、吸着溝１７５ａと連通しておらず角型基板Ｗの中央部付近の吸着にのみ使用される吸着溝１７５ｂによって角型基板Ｗの中央部付近を吸着することができ、第１の実施の形態と比較して、さらに効率的にかつ確実に角型基板Ｗの中央部付近を吸着部１７０に吸着することができる。

続いて、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの高さ位置が保持面３０の高さ位置と略同一、または、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの高さ位置が保持面３０の高さ位置より低くなって角型基板Ｗの下面のうち端縁部付近に対応する部分が保持面３０に到達した時点において、第１昇降機構７３ａによる端縁部リフトピン７１ａの下降動作を停止するとともに、真空ポンプ１８１ｂの駆動状態を保持しつつ真空ポンプ１８１ａの駆動を開始する。これにより、角型基板Ｗの下面のうち吸着部１７０の吸着溝１７５ａと接触する付近と吸着部１７０との間の雰囲気は、真空ポンプ１８１ａによって排気される。

そのため、角型基板Ｗの下面のうち吸着溝１７５ａと接触する部分は、端縁部付近から外周部Ｗ１に向かって徐々に吸着部１７０に吸着される。すなわち、本実施の形態では、角型基板Ｗの端縁部付近のみに使用される吸着溝１７５ａによって角型基板Ｗの端縁部付近を吸着することができ、第１の実施の形態と比較して、さらに効率的にかつ確実に角型基板Ｗの端縁部付近を吸着部１７０に吸着することができる。

そして、角型基板Ｗの下面の全面が保持面３０に到達し、吸着部７０によって角型基板Ｗの全面が吸着されて吸着処理が終了する。

次に、基板Ｗの脱着手順について説明する。脱着手順では、基板処理装置１によるレジストの塗布処理が終了した後、真空ポンプ１８１ａは真空状態を維持しつつ真空ポンプ１８１ｂを真空解放するとともに、バルブ１８２ｂ（図９参照）を開放して吸着溝１７５ｂから角型基板Ｗの中央部付近に窒素ガスを吐出する。

これにより、角型基板Ｗの下面のうち中央部付近の吸着状態が解除されるとともに、角型基板Ｗの下面のうち端縁部付近の吸着状態を保持しつつ、中央部付近の固定状態を解除することができる。すなわち、角型基板Ｗの端縁部付近を固定したまま吸着溝１７５ｂから上方に向けて窒素ガスを吐出することができ、角型基板Ｗの位置ずれを生ずることなく角型基板Ｗの中央部付近の固定状態を解除することができる。そのため、迅速かつ確実に角型基板Ｗの中央部付近の固定状態を解除することができる。

また、角型基板Ｗの下面のうち中央部付近の固定状態は、吸着溝１７５ｂから窒素ガスを吐出することによって解除することができる。そのため、角型基板Ｗを吸着部７０から取り去る際に角型基板Ｗの中央部付近にて剥離帯電が生ずるおそれがなく、この剥離帯電によって配線パターンが破壊されるというおそれがない。

続いて、真空ポンプ１８１ａを大気開放して角型基板Ｗの端縁部付近の吸着状態を解除するとともに、第２昇降機構７３ｂを停止させつつ第１昇降機構７３ａを駆動させて端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの上昇を開始する。これにより、角型基板Ｗの端縁部は徐々に上昇するため、吸着部７０に対して固定状態にある角型基板Ｗの下面は端縁部から中央部に向かって徐々に引き剥がされる（図６参照）。

続いて、端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄが所定高さまで上昇すると、第２昇降機構７３ｂの駆動を開始して、中央部リフトピン７１ｂの先端部７１ｅの上昇速度と端縁部リフトピン７１ａの先端部７１ｄの上昇速度とが略同一となるように先端部７１ｅを上昇させる。このとき、先端部７１ｄは上昇し続けている。これにより、角型基板Ｗは、中央部付近の高さ位置が端縁部付近の高さ位置と比較して低くなり、撓んだ状態で上昇する。

そして、角型基板Ｗの下面のうち端縁部付近に対応する部分の固定状態が解除されて角型基板Ｗの下面全部の固定状態が解除された後、角型基板Ｗを基板受渡し位置まで上昇させて脱着処理が終了する（図５参照）。

＜２．３．第２の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態の基板処理装置１では、角型基板Ｗの下面のうち端縁部付近と中央部付近とを互いに独立して吸着部１７０に吸着させることができる。そのため、角型基板Ｗの中央部付近および端縁部付近をさらに効率的に吸着部７０に対して吸着させることができる。その結果、角型基板Ｗのサイズがさらに大型化しても、角型基板Ｗを吸着部７０に迅速かつ確実に吸着することができる。

また、第２の実施の形態の基板処理装置１では、真空ポンプ１８１ａを真空状態に保持しつつ真空ポンプ１８１ｂを大気解放するとともに、角型基板Ｗの中央部付近に対応する吸着溝１７５ｂから角型基板Ｗの下面に向けて窒素ガスを吐出することができる。そのため、中央部リフトピン７１ｂを上昇させることなく角型基板Ｗの下面のうち中央部付近の固定状態を解除することができる。その結果、剥離帯電を防止しつつ、短時間かつ確実に角型基板Ｗの脱着することができる。

＜３．第３の実施の形態＞
ここでは、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態における基板載置部３のハードウェア構成は、第１の実施の形態の吸着部７０と比較して、主として、基板載置部３に載置された角型基板Ｗの位置を調整する複数のアライメント機構２１０がさらに追加されている点を除いて第１の実施の形態の同様である。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。

＜３．１．基板処理装置の構成＞
図１０は、本実施の形態における基板載置部３の構成の一例を示す上面図である。図１０に示すように、アライメント機構２１０は、略長方形の形状を有する吸着部７０の各コーナー部の外側付近に１つずつ（合計４つ）設けられている。

各アライメント機構２１０は、図１０に示すように、主として、駆動部２１１、アーム部２１２、支持部２１３および当接部２１４とを備える。アーム部２１２は、駆動部２１１によって矢印ＡＲ１方向に出退自在に設けられている。また、アーム部２１２の端部のうち吸着部７０側には、「コ」の字型の支持部２１３が取り付けられている。さらに、支持部２１３の吸着部７０側の先端部には、角型基板Ｗのコーナー部と当接することによって角型基板Ｗの位置を微調整する当接部２１４が取り付けられている。これにより、各アライメント機構２１０の駆動部２１１を制御してアーム部２１２の突き出し量を調整することによって、角型基板Ｗの位置を一定範囲内となるように調整することができる。

＜３．２．基板処理装置による基板の吸着・脱着手順＞
図１１から図１３は、本実施の形態の基板載置部３における角型基板Ｗの吸着手順および脱着手順を説明するための図である。ここでは、角型基板Ｗを基板載置部３の吸着部７０に吸着する手順を説明した後に、吸着部７０に吸着した角型基板Ｗの脱着手順について説明する。

ところで、第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂによって角型基板Ｗを基板受渡し位置から保持面３０まで下降させる際、図示を省略する搬送ユニットによって受け渡される角型基板Ｗをリフトピン７１に支持する位置がずれると、保持面３０上における角型基板Ｗの載置する位置がずれてしまい、処理不良の原因となる。そこで、本実施の形態の吸着処理では、保持面３０に載置された角型基板Ｗの位置を複数のアライメント機構２１０によって所定範囲とすることにより、処理不良が発生することを防止している。

まず、基板受渡し位置にて受け渡された角型基板Ｗを第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂを駆動させることによって保持面３０まで下降させる（図１１参照）。このとき、真空ポンプ８１は停止状態を保持しているため、角型基板Ｗは、吸着部７０に吸着されない。また、バルブ８２は閉鎖し続けている。

次に、真空ポンプ８１を停止させたまま、バルブ８２を開放して吸着溝７５（図３参照）から角型基板Ｗの下面に向けて窒素ガスを吐出する。このとき、角型基板Ｗは吸着部７０に吸着されていないため、Ｚ軸の正方向に浮上する（図１２参照）。

続いて、各アライメント機構２１０のアーム部２１２の移動量を調整し、当接部２１４を対応する角型基板Ｗのコーナー部付近と当接することによって角型基板Ｗの位置を微調整する（図１３参照）。このとき、角型基板Ｗは下面から吐出し続けている窒素ガスによって浮上しているため、角型基板Ｗの下面を損傷することなく角型基板Ｗの位置を移動させることができ、角型基板Ｗの位置を一定範囲内とすることができる。

角型基板Ｗの位置の微調整が完了すると、バルブ８２を閉鎖して窒素ガスの吐出を停止するとともに、真空ポンプ８１を駆動させて、角型基板Ｗの下面と保持面３０との間の雰囲気を排気する。そして、角型基板Ｗの下面全部が吸着部７０に吸着されて吸着処理が完了する。

次に、角型基板Ｗの脱着手順について説明する。脱着手段では、基板処理装置１によってレジストの塗布処理が終了した後に、真空ポンプ８１の動作を停止させるとともに真空ポンプ８１を大気開放して角型基板Ｗの下面の吸着状態を解除する。

続いて、バルブ８２を開放して吸着溝７５から角型基板Ｗの下面に向けて窒素ガスを吐出する。これにより、角型基板Ｗの固定状態を解除することができるが、その一方で、角型基板Ｗの位置が窒素ガスのガス圧のためにズレる場合がある。

続いて、バルブ８２を開放し続けて角型基板Ｗを保持面３０から浮上させるとともに、各アライメント機構２１０のアーム部２１２の移動量を調整し、当接部２１４を対応するコーナー部付近と当接することによって角型基板Ｗの位置を微調整する（図１３参照）。

ところで、窒素ガスのガス圧のために角型基板Ｗの位置がずれると、基板受渡し位置にて図示を省略する搬送ユニットの受け取る基板位置がずれることとなる。そして、この搬送ユニットから基板受渡しを受ける後工程の基板処理装置でも角型基板Ｗの位置がずれることとなり、後工程の基板処理装置での処理不良の原因となる場合がある。そこで、本実施の形態の脱着処理では、窒素ガスの吐出後にアライメント機構２１０によって角型基板Ｗの位置を所定範囲とすることにより、後工程の基板処理装置において処理不良が発生することを防止している。

角型基板Ｗの位置の微調整が完了すると、バルブ８２を閉鎖して窒素ガスの吐出を停止するとともに、第１昇降機構７３ａおよび第２昇降機構７３ｂを駆動させることによって、角型基板Ｗを保持面３０から基板受渡し位置まで上昇あせてさせて、脱着処理が完了する。

＜３．３．第３の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第３の実施の形態の基板処理装置１では、基板載置部３に載置された角型基板Ｗの位置が所定範囲とならない場合であっても、複数のアライメント機構２１０によって所定範囲内となるように調整することができるため、処理不良が発生することを防止できる。

また、第３の実施の形態の基板処理装置１では、角型基板Ｗの下面に向けて窒素ガスを吐出することによって角型基板Ｗの位置がずれた場合であっても、複数のアライメント機構２１０によって角型基板Ｗの位置が所定範囲内となるように調整することができる。そのため、後工程の基板処理装置で処理不良が発生することを防止できる。

＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。

（１）本発明の実施の形態において、吸着溝７５、１７５は、それぞれ吸着部７０、１７０上に略直線形状を有する溝として形成されているが、これに限定されるものでなく、例えば、曲線形状であってもよい。

（２）第２の実施の形態では、吸着溝１７５ａ、１７５ｂから上方に向けて、また、第３の実施の形態では、吸着溝７５から上方に向けて、それぞれ窒素ガスを吐出しているが、これに限定されるものでなく、不活性ガスであれば、例えば、アルゴンやヘリウムであっても良い。

（３）第２の実施の形態では、真空ポンプ１８１ａは動作状態として角型基板Ｗの端縁部付近を真空状態に保持しつつ真空ポンプ１８１ｂを大気解放した後に、吸着溝１７５ｂから窒素ガスを吐出しているが、これに限定されるものでない。例えば、角型基板Ｗの位置ずれ量が所定範囲内となる場合、真空ポンプ１８１ａおよび真空ポンプ１８１ｂを大気解放した後に、吸着溝１７５ｂから窒素ガスを吐出しても良い。

（４）また、第２の実施の形態では、角型基板Ｗの中央部付近のみが保持面３０に到達している場合には、真空ポンプ１８１ａを駆動していないが、これに限定されるものでなく、真空ポンプ１８１ｂの駆動を開始した際にあわせて真空ポンプ１８１ａの駆動を開始してもよい。いずれのタイミングで真空ポンプ１８１ａの駆動を開始しても、吸着に要する時間や吸着力に影響を及ぼさない。

（５）第３の実施の形態では、第１の実施の形態で説明した吸着部７０によって角型基板Ｗの吸着処理を行っているが、これに限定されるものでなく、第１の実施の形態で説明した吸着部１７０によって角型基板Ｗを吸着させてもよい。

（６）また、第３の実施の形態では、複数のアライメント機構２１０によって角型基板Ｗの位置の微調整を行っているが、アライメント機構のハードウェア構成はこれに限定されるものでなく、例えば、図１４に示すアライメント機構３１０のようなハードウェア構成を採用してもよい。

図１４に示すように、各アライメント機構３１０は、アライメント機構２１０と異なり、角型基板Ｗの各コーナー部でなく角型基板Ｗの側面部と対向する位置に配設されており、主として駆動部３１１およびアーム部３１２とを備える。アーム部３１２は、駆動部３１１を動作させることによって対応する角型基板Ｗ側面部の略法線方向（すなわち、側面部と略垂直に交わる方向）に出退自在に設けられている。また、アーム部２１２の吸着部７０側の先端部は、角型基板Ｗの側面部の破損を防止するため、なめらかな形状（例えば、略半円形状）に加工されている。

これにより、各アライメント機構３１０の駆動部３１１を制御してアーム部３１２の突き出し量を調整し、先端部３１３を角型基板Ｗの側面部と当接させることによって、角型基板Ｗの位置を一定範囲内となるように調整することができる。

本発明の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す上面図である。 本発明の実施の形態における吸着部の構成の一例を示す上面図である。 本発明の第１の実施の形態における基板支持部の構成の一例を示す側面図である。 本発明の第１の実施の形態の基板載置部における基板の吸着手順および引き上げ手順を説明するための図である。 本発明の第１の実施の形態の基板載置部における基板の吸着手順および脱着手順を説明するための図である。 本発明の第１の実施の形態の基板載置部における基板の吸着手順および脱着手順を説明するための図である。 本発明の第２の実施の形態における基板支持部の構成の一例を示す上面図である。 本発明の第２の実施の形態における基板載置部の構成の一例を示す側面図である。 本発明の第３の実施の形態における基板処理部の構成の一例を示す上面図である。 本発明の第３の実施の形態の基板載置部における基板の吸着手順および脱着手順を説明するための図である。 本発明の第３の実施の形態の基板載置部における基板の吸着手順および脱着手順を説明するための図である。 本発明の第３の実施の形態の基板載置部における基板の吸着手順および脱着手順を説明するための図である。 本発明の第３の実施の形態における基板処理部の構成の一例を示す上面図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
３ 基板載置部
６ 制御系
３０ 保持面
４０ ノズル支持部
４１ スリットノズル
７０、１７０ 吸着部
７１ リフトピン
７１ａ 端縁部リフトピン
７１ｂ 中央部リフトピン
７２（７２ａ、７２ｂ） 吸着孔
７５、１７５ａ、１７５ｂ 吸着溝
７６、１７６ａ、１７６ｂ 格子点
８１、１８１ａ、１８１ｂ 真空ポンプ
８３ 窒素ガス供給源
２１０、３１０ アライメント機構
Ｗ 角型基板

Claims (11)

1. 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
   (a) 基板載置部の吸着面に載置された前記基板を吸着して保持する吸着手段と、
   (b) 前記吸着面の位置と前記吸着面の上方の基板受渡し位置との間で前記基板を昇降し、
   (b-1) 前記基板の端縁部付近を支持して昇降する第１の支持部と、
   (b-2) 前記基板の中央部付近を支持し、前記第１の支持部と独立して昇降自在な第２の支持部と、
   を有する昇降手段と、
   を備え、
   前記吸着手段は、
   (a-1) 前記吸着面に設けられ、全体的にまたは複数の区分に分けて各区分内で相互に連通している複数の吸着溝と、
   (a-2) 前記複数の吸着溝と接続するとともに、前記基板載置部を貫通する複数の吸着孔と、
   (a-3) 前記複数の吸着孔と連通接続されて前記吸着面付近を排気する排気手段と、
   を有し、
   前記複数の吸着溝のうち前記基板の端縁部付近の吸着に用いられる端縁部吸着溝同士の溝間隔は、前記基板の中央部付近の吸着に用いられる中央部吸着溝同士の溝間隔より狭いことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記端縁部吸着溝は相互に接続され、前記中央部吸着溝もまた相互に接続される一方、前記端縁部吸着溝と前記中央部吸着溝とは非接続状態であるとともに、
   前記排気手段は、
   前記複数の吸着孔のうち前記端縁部吸着溝と連通する端縁部吸着孔と接続され、前記基板の端縁部付近と前記吸着面との間の雰囲気を排気する第１の排気部と、
   前記複数の吸着孔のうち前記中央部吸着溝と連通する中央部吸着孔と接続され、前記第１の排気部と独立して、前記基板の中央部付近と前記吸着面との間の雰囲気を排気する第２の排気部と、
   を有することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   (c) 前記中央部吸着孔と連通しており、前記中央部吸着孔および前記中央部吸着溝を介して前記吸着部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
   (a) 基板載置部と、
   (b) 前記基板載置部に載置された前記基板の位置が所定範囲となるように調整するアライメント機構と、
   (c) 前記基板を基板載置部の吸着面に吸着して保持し、
   (c-1) 前記吸着手段の吸着部の基板側に設けられ、全体的にまたは複数の区分に分けて各区分内で相互に連通される複数の吸着溝と、
   (c-2) 前記複数の吸着溝と接続するとともに、前記基板載置部を貫通する複数の吸着孔と、
   (c-3) 前記複数の吸着孔と連通接続されて前記吸着面付近を排気する排気手段と、
   を有する吸着手段と、
   (d) 前記複数の吸着孔と連通しており、前記複数の吸着孔および前記複数の吸着溝を介して前記吸着部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
   を備え、
   前記複数の吸着溝のうち前記基板の端縁部付近の吸着に用いられる端縁部吸着溝同士の溝間隔は、前記基板の中央部付近の吸着に用いられる中央部吸着溝同士の溝間隔より狭いことを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記複数の吸着溝のそれぞれの幅は、２．０ｍｍ以下であることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記端縁部吸着溝のうち少なくとも１つは、前記吸着面のうち基板外周部と対応する部分から１０．０ｍｍ以内に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   前記端縁部吸着溝のうち他の１つは、前記吸着面のうち基板外周部と対応する部分から１０．０ｍｍより大きく３０．０ｍｍ以下の範囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記中央部吸着溝同士の溝間隔は、１００．０ｍｍ以下であることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   所定の処理液を吐出するスリットノズルと、
   前記吸着面に保持された前記基板の全面に前記処理液を吐出するために、前記スリットノズルを前記基板に対して相対的に移動させる移動手段と、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
10. 基板の端縁部付近を支持する第１の支持部と前記基板の中央部付近を支持する第２の支持部とをそれぞれ独立して昇降可能な昇降手段によって前記基板を基板載置部の吸着面に吸着して保持する基板処理方法であって、
    前記吸着面に載置された基板は、
    前記吸着面に設けられ、全体的にまたは複数の区分に分けて各区分内で相互に連通している複数の吸着溝と、
    前記複数の吸着溝と接続するとともに、前記基板載置部を貫通する複数の吸着孔と、
    前記複数の吸着孔と連通接続されて前記吸着面付近を排気する排気手段と、
    を有しており、
    前記複数の吸着溝のうち前記基板の端縁部付近の吸着に用いられる端縁部吸着溝同士の溝間隔が、前記基板の中央部付近の吸着に用いられる中央部吸着溝同士の溝間隔より狭い吸着手段によって吸着され、
    (a) 前記第１の支持部および前記第２の支持部によって前記基板を下降させて、前記基板の中央部付近を前記吸着面に到達させる工程と、
    (b) 前記基板の中央部付近が前記吸着面に到達した時点または到達する直前に、
    前記吸着面付近の排気処理を開始する工程と、
    (c) 前記排気処理を施しつつ、前記第２の支持部によって前記基板を下降させて、前記基板の端縁部付近を前記吸着面に到達させる工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法において、
    (d) 前記排気手段を大気解放することにより、前記基板が吸着された前記吸着面付近を略大気圧にする解放工程と、
    (e) 前記解放工程後に、前記基板下面と前記吸着面との間に不活性ガスを供給する工程と、
    (f) 前記基板載置部に載置された前記基板の位置が所定範囲となるように調整する調整工程と、
    をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。

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