JP4111116B2 - 厚膜配線の形成方法及び積層型電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
このような目的を達成するため、特許文献1では、可撓性樹脂凹版に導電性ペーストを充填し、ペーストを乾燥した後、乾燥による体積吸収分を補うため、追加の導電性ペーストを再充填し、再充填後の導電ペーストを再乾燥する工程を複数回繰り返し、基板上に接着層を形成し、凹版を基板に貼り合わせ、導電性ペーストを基板に転写した後、焼成して厚膜配線を得るものが提案されている。
しかし、この方法では、導電性ペーストの充填と乾燥を複数回繰り返さなければならないので、作業工数が多く、作業時間が長いという問題がある。
この方法では、上記のような導電性ペーストの充填・乾燥を繰り返す必要がないので、作業工数を削減できる利点がある。
したがって、従来方法では所定以上の厚みの厚膜配線を形成することが困難であった。
次に、パターン溝に埋め込まれた感光性導電性ペーストに対し凹版の表裏両側から光を照射し、硬化反応を生じさせて導電性ペーストの全面を所定の硬度まで硬化させる。ここで、光とは、紫外線、可視光線および赤外線の波長領域の光が含まれる。例えば、導電性ペーストが紫外線硬化型の場合、紫外線を凹版の表裏両側から照射することで、凹版の表面に露出している導電性ペーストの露出部には直接紫外線が照射され、凹版の溝と接している導電性ペーストの部分には凹版を通して紫外線が照射される。導電性ペーストの中には、金属粉末、有機バインダ、光重合開始剤、光硬化性モノマーなどが含まれるが、凹版の表裏両側から紫外線が照射されるので、導電性ペーストの全周(全面)が所定硬度まで硬化され、導電性ペーストの凝集力が高くなる。したがって、従来のように導電性ペーストが溝内に残るといった転写不良が発生しない。
次に、凹版内で硬化した導電性ペーストを基体に転写する。すなわち、凹版の表面に基体を押し付けることで、導電性ペーストと基体間に発生する粘着力によって基体の表面に乗り移る。このとき、導電性ペーストと基体との粘着力または接着力を、導電性ペーストと凹版との粘着力または接着力より大きくしておくことで、凹版の溝に導電性ペーストの一部が残留せず、転写不良を防止できる。
導電性ペーストを基体に転写した後、導電性ペーストを焼成することによって、厚膜配線を基体上に形成する。例えば、基体を焼成炉に投入し、一体に焼成することで、厚膜配線を形成できる。
上記のように凹版の表裏両側から光を照射するので、凹版に埋め込まれた導電性ペーストの全周(全面)を所定硬度まで硬化させることができ、転写性が向上する。そのため、20μm以上の厚みを持つ導電性ペーストであっても、転写不良を解消できる。
光透過性の凹版としてガラスが考えられるが、基体からの剥離時に凹版を曲げることができず、剥離性がよくない。また、ガラスの場合、微細な溝加工はエッチング加工になるが、溝深さは約2μm程度が限度であり、深く掘れない。
そこで、凹版を透明なPETフィルムで構成することで、剥離時に凹版を曲げることができ、しかも溝の加工性もよく、安価に構成できる。
樹脂材料としてはポリイミドが考えられるが、ポリイミドは紫外線透過率が約60%程度と低い。これに対し、PETフィルムは紫外線透過率が約90%以上と高いので、導電性ペーストの硬化反応を効果的に生じさせることができる。
凹版に樹脂フィルムを用いる場合、凹版の光による劣化が懸念される。PETフィルムには、図8に示すように光の波長吸収スペクトルがあり、紫外線領域では比較的波長の短い300nm以下の波長を吸収しやすい。第2の工程で連続的に紫外線を照射すると、凹版は光を吸収し、劣化が進む。そこで、紫外線照射時には波長カットフィルタ(例えばガラス板に波長カット材料をコーティングしたもの)を間に入れ、350nm以下の波長の紫外線をカットすることで、凹版の耐久性を上げることができる。
図9はPETフィルムへの紫外線の積算光量とPETフィルムの引張強度との関係を示したものであり、フィルタを用いない場合には5000J/cm2 以下でPETフィルムの引張強度がほぼ零まで低下していたのに対し、フィルタを用いた場合には85000J/cm2 付近まで引張強度を維持することができた。
PETフィルムに溝加工を行なう場合、レーザー光を用いると、深い溝を容易に加工できるので望ましい。しかし、PETフィルムには上記のように光の波長吸収スペクトルがあるので、ペーストが硬化反応を起こす波長(紫外線)での光透過性がよく、かつレーザー光による加工性に優れているものがよい。
PETフィルムの場合、図8に示すように320nm付近で光透過率が急激に変化する。そこで、加工波長が190〜250nmのエキシマレーザーを用いれば、レーザー光をほぼ100%吸収するので、加工性が優れ、短時間で所望の深さ(20μm以上)の溝を加工できる。
また、上述のようにPETフィルムが紫外線による光透過性に優れているので、凹版の耐久性が向上する。
導電性ペーストPを凹版に充填した際、凹版の表面に掻き取り残り(地汚れ)が発生することがある。凹版から基体へ直接転写する方法の場合、地汚れも一緒に転写されてしまう可能性がある。そこで、中間体を介して間接的に基体へ転写する方法を用いれば、地汚れは非常に膜厚が薄いため、中間体へは転写されるが、基体へは転写されない。そのため、基体の表面に地汚れのない綺麗な導体パターンを得ることができる。
凹版から基体への導電性ペーストの転写性を向上させる方法としては、例えば凹版の表面(溝内を含む)に予めフッ素系樹脂などの離型剤をコーティングする方法、基体の表面に予め粘着剤あるいは接着剤を塗布しておく方法、凹版の溝の断面形状をその側面が所定のテーパ角を有する台形状とする方法など種々の方法が考えられるが、これらの方法とは別に、あるいはこれらの方法に加えて、請求項6の方法を用いるのがよい。
図10に示すように、例えば紫外線を照射する場合は、紫外線の積算光量により導電ペーストと凹版の剥離性が変化する。透明な中間体を重ねてから両面UV照射する場合、中間体側からは密着力が大きくなる条件(積算光量または照射量を多くする)で、凹版側からは密着力が小さくなる条件(積算光量または照射量を少なくする)で硬化することで、中間体へ容易に転写可能となる。
なお、中間体を介さず、基体に直接転写する場合も、基体が透明であればこの方法を用いることができる。
この方法は、光源の光の強さまたは照射時間を長くするだけでよいので、上述の他の方法に比べて処理が簡単である。
例えば、凹版をガラスなどの硬質材料で形成した場合、上記のようにパターン溝をイオンエッチングやイオントリミングによって加工する必要上、加工コストが高く、特に深溝を形成するには大きな課題があった。また、比較的安価なウエットエッチングでの加工は、主に金属などの光透過性を有しない材料が対象物であり、等方性エッチングになるため、アスペクト比の大きな溝加工ができない。
一方、PETやPCのような樹脂フィルムにレーザー加工することで凹版とする方法もあるが、この場合には基体への転写時に凹版を変形させながら引き剥がすので、パターン歪みが生じ、精密な導体パターンが得られないだけでなく、凹版へのダメージが大きく、劣化が激しい。
そこで、請求項7では加工の容易な可撓性材料よりなる樹脂製凹版を、ガラスなどの非可撓性(硬質)の支持体上に貼り合わることで、上記の課題を解決している。すなわち、凹版と支持体とを介して光を照射でき、凹版を変形させずに転写できるので、歪みがなく、精密な導体パターンが得られるとともに、凹版の劣化も少ない。
凹版のパターン溝内に予めフッ素系樹脂などの離型剤をコーティングしておけば、凹版から基体への導電性ペーストの転写性が向上し、導電性ペーストを例えば40μm〜60μmと厚く形成する場合においても、凹版から基体へ導電性ペーストを確実に転写することができる。
導電性ペーストが転写され、所定枚数積層された基体は、導電性ペーストと同時焼成される。ここで、導電性ペーストは内部に含まれた金属粉末が溶融し、厚膜配線となるとともに、基体はセラミック多層基板へと変化する。このように内部に厚膜配線を持つ積層型電子部品を得ることができる。
なお、積層体を形成するには、次のような方法がある。1つの方法は、基体上に導電性ペーストを転写し、その上に導電性ペーストが転写された別の基体を順次積層して積層体を形成する方法であり、他の方法は、基体上に導電性ペーストを転写し、その上に導電性ペーストが転写されていない基体を積層し、その積層体の上に導電性ペーストを転写し、その上にさらに導電性ペーストが転写されていない基体を積層していくという方法である。いずれの方法を用いてもよい。
この転写装置は、円筒ドラム形状の凹版1を備えている。この凹版1は、透明ガラスなどの紫外線透過性を有する材料で形成されており、その外表面に所望の厚膜配線パターンに対応するパターン溝2が形成されている。パターン溝2の深さは20μm以上で、アスペクト比(縦/横)は1に近いものがよい。凹版1の直径はφ300〜600mmが望ましい。凹版1は矢印方向に一定速度で駆動される。
こうすることで、導電性ペーストPの溝側の接着力に比べて、導電性ペーストPのキャリアシート8側の接着力の方が大きくなり、凹版1からキャリアシート8への転写性が向上する。
具体的には、凹版1の内側(導電性ペーストPの裏側)からの紫外線照射量を0.2〜1.5J/cm2 とし、キャリアシート8の裏側(導電性ペーストPの表側)からの紫外線照射量を1.5J/cm2 以上とするのがよい。
焼成後、積層セラミック基板を個片に切断し、その端面に電極を形成することで、積層型電子部品が得られる。
この実施例では、中間体としてのキャリアシート8を用いずに、凹版1から基体20へ導電性ペーストPを直接転写するものである。なお、第1実施例と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
供給装置3によって凹版1のパターン溝2に充填された導電性ペーストPに対して、凹版1の表裏(内外)両側に配置されたUV用光源11,12から紫外線が照射される。紫外線UVを凹版1の表裏両側から照射することで、凹版1の表面に露出している導電性ペーストPの露出部には直接紫外線が照射され、凹版1の溝2と接している導電性ペーストPの部分には凹版1を通して紫外線が照射される。その結果、導電性ペーストPの全周が所定硬度まで硬化(乾燥)され、導電性ペーストPの凝集力が高くなる。
この実施例では、中間体を用いずに基体20へ直接転写するとともに、基体20として焼成済みセラミック板のような硬質基板を用いたものである。
凹版1の表裏(内外)両側に配置されたUVランプ11,12によって、パターン溝2内で所定硬度まで硬化された導電性ペーストPは、凹版1の下端面に沿って水平移動する基体20へ直接転写される。
この場合も、パターン溝2内の導電性ペーストPの全周が所定硬度まで硬化(乾燥)されているので、導電性ペーストPの凝集力が増し、基体20への転写性が向上する。
この実施例では、凹版30として平板状の凹版を用いたものである。なお、第1実施例と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
凹版1は透明ガラスなどの硬質平板よりなり、表面にパターン溝2が形成されている。パターン溝2の深さは20μm以上で、アスペクト比(縦/横)は1がよい。凹版1上に導電性ペーストPが供給され、スキージ6で余分の導電性ペーストPを掻き取ることで、パターン溝2に導電性ペーストPが充填される。
この実施例では、中間体としてのキャリアシート8を用いずに、凹版1から基体20へ導電性ペーストPを直接転写するものである。なお、第4実施例と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
供給装置3によって凹版1のパターン溝2に充填された導電性ペーストPに対して、凹版1の表裏両側に配置されたUV用光源11,12から紫外線が照射される。紫外線UVを凹版1の表裏両側から照射することで、凹版1の表面に露出している導電性ペーストPの露出部には直接紫外線が照射され、凹版1の溝2と接している導電性ペーストPの部分には凹版1を通して紫外線が照射される。その結果、導電性ペーストPの全面が所定硬度まで硬化(乾燥)され、導電性ペーストPの凝集力が高くなる。
この場合も、凹版1の裏側(下側)から照射される紫外線に比べて、凹版1の表側(上側)から照射される紫外線の照射量(露光量)を多くすることで、パターン溝2から露出する導電性ペーストPの粘着性または接着性を高めるとともに、導電性ペーストPの凝集力を高めることができる。
図6の(a)はドラム状の凹版1を示し、図6の(b)は平板状の凹版1を示す。
この場合も、凹版1および支持体40が共に紫外線透過性を有するので、支持体40の内側および凹版1の外側から紫外線を照射することで、パターン溝2に充填された導電性ペーストPの全面を硬化させることができる。また、可撓性を有する樹脂フィルムにレーザー加工することで凹版1とするので、加工が容易である。さらに、凹版1が支持体40によって変形が防止されるので、凹版1からキャリアシート8へ導電性ペーストPを転写する時、あるいは凹版1から基体20へ導電性ペーストPを転写する時、凹版1を変形させずに済み、パターン歪みや凹版1の劣化を防止できる利点がある。
また、凹版1をPETフィルムなどの透明な軟質の樹脂材料のみで形成することも可能である。
上記実施例では、凹版から基体(または中間体)への導電性ペーストの転写性を向上させる方法として、凹版の表面から照射される光の照射量を、裏面から照射される光の照射量より多くしたが、これとは別にあるいはこれと共に、凹版の表面に予めフッ素系樹脂などの離型剤をコーティングしたり、基体(または中間体)の表面に予め粘着剤あるいは接着剤を塗布しておく方法などを用いてもよい。
図7の(a)は、導電性ペーストPが転写された基体20aを準備し、その上に導電性ペーストPが転写された別の基体20bを配置し、最上層に導電性ペーストが転写されていない基体20cを配置し、同時に積層して積層体23を形成する方法であり、図7の(b)は、基体20a上に導電性ペーストPを転写し、その上に導電性ペーストPが転写されていない基体20bを積層し、その積層体の上に導電性ペーストPを転写する工程を繰り返した後、最上層に導電性ペーストが転写されていない基体20cを積層して積層体23を形成する方法である。
その後、積層体23と導電性ペーストPとが同時焼成される。ここでは3層構造の積層体について説明したが、4層以上であってもよいことは勿論である。
1 凹版
2 パターン溝
6 スキージ
8 中間体(キャリアシート)
10 露光部
11,12 UV光源
20 基体(セラミックグリーンシート)
Claims (9)
- 基体上に厚膜配線を形成する方法であって、
所望の厚膜配線パターンに対応するパターン溝が表面に形成された光透過性を有する凹版のパターン溝に、感光性導電性ペーストを埋め込む第1の工程と、
上記パターン溝に埋め込まれた感光性導電性ペーストに対し凹版の表裏両側から光を照射し、硬化反応を生じさせて導電性ペーストの全周を所定の硬度まで硬化させる第2の工程と、
上記凹版内で硬化した導電性ペーストを基体に直接または中間体を介して転写する第3の工程と、
上記導電性ペーストを焼成することによって、厚膜配線を基体上に形成する第4の工程と、を有する厚膜配線の形成方法。 - 上記凹版は透明なPETフィルムよりなることを特徴とする請求項1に記載の厚膜配線の形成方法。
- 上記第2の工程は、上記凹版の表裏両側から350nmより波長の長い光を照射することを特徴とする請求項2に記載の厚膜配線の形成方法。
- 上記凹版のパターン溝は、上記光より短い波長を持つレーザー光によって加工され、
上記凹版は、上記レーザー光の透過性が低く、上記光の透過性が高い波長吸収スペクトルを有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の厚膜配線の形成方法。 - 上記中間体は光透過性を有する材料よりなり、
上記第2の工程は、導電性ペーストが充填または塗布された凹版に対して中間体を重ね合わせた状態で、凹版の裏側および中間体の裏側の両方から光を照射するものであり、
上記第3の工程は、凹版内で硬化した導電性ペーストを中間体に転写した後、中間体上の導電性ペーストを基体に再転写するものであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の厚膜配線の形成方法。 - 上記第2の工程における凹版の表側から照射される光の照射量を、裏側から照射される光の照射量より多くしたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の厚膜配線の形成方法。
- 上記凹版は可撓性を有する樹脂製凹版であり、
この樹脂製凹版は光透過性を有する非可撓性の支持体上に貼り合わされていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の厚膜配線の形成方法。 - 上記凹版のパターン溝の内面には離型剤がコーティングされていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の厚膜配線の形成方法。
- セラミックグリーンシートよりなる基体を準備する工程と、
上記基体上に直接または中間体を介して導電性ペーストを転写する工程と、
上記2つの工程を繰り返して上記導電性ペーストが転写された複数の上記基体を積層した積層体を形成する工程と、
上記積層体を焼成すると同時に上記導電性ペーストを焼成する工程と、を備えた積層型電子部品の製造方法において、
上記導電性ペーストが請求項1ないし8のいずれかに記載の厚膜配線の形成方法によって形成されることを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
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