JP4262582B2 - 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、Ａｌ膜などの反射性金属導電膜上にＩＺＯ膜などの非晶質透明導電膜が積層されてなる積層膜から形成される反射電極部を備えた液晶表示装置における反射電極部や配線などの導電素子の形成方法に関し、特に、ウエットエッチングにより順テーパ状の導電素子を形成する対策に関する。

一般に、カラー液晶ディスプレイやカラー入力装置などとして用いられる液晶表示装置の１つとして、透過型の機能と、反射型の機能とを併せ持った透過反射兼用型の液晶表示装置がある。

このものでは、ＴＦＴ素子部および反射電極部を有するＴＦＴ基板と、カラーフィルタ層および対向電極部を有するカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という）とを備えた反射型液晶表示装置における上記反射電極部の一部が、透明電極部に置き換えられた構造をなしており、バックライトの光をパネル裏面側から照射することで、透過型の液晶表示装置としての機能をも発揮できるようになされている。

上記の透明電極部に用いられる透明導電材料としては、酸化スズ，酸化亜鉛，酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などが使用される。特に、ＩＴＯ，ＩＺＯは、可視光に対する透明性に優れているとともに、適切な導電性を有する適切な材料であり、透過型液晶表示装置では、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板の各透明電極部を共にＩＴＯ又はＩＺＯで構成することが可能である。一方、反射電極部に用いられる反射性金属導電材料としては、アルミニウムなど、透明電極部の場合とは異なる物質である反射性金属が使用される。

その際に、各導電材料はそれ自体の仕事関数を有する。つまり、透明電極部と反射電極部とでは、仕事関数が異なっており、このため、透過表示モードと反射表示モードとを併用できるようにした透過反射兼用型液晶表示装置では、対向ズレが生じる。一般に、透過専用型や、反射専用型の場合には、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の電極電位差が消去されるようにオフセット電圧をパネルに印加することでパネルに直流電圧成分が印加されないようになっているが、透過反射兼用型の場合には、反射電極部と透明電極部との間で電極電位が異なっているにも拘わらず、オフセット電圧は、全絵素に対して一つしか設定することができず、反射電極部か透明電極部かのどちらか片方だけにしか最適オフセット電圧を印加することができない。その結果、液晶パネルに直流電圧成分が印加されることになり、このことで、電極部の電位の矩形波が非対称になって輝度変化（フリッカ）が発生し、表示品位が著しく低下することになる。また、直流電圧成分が長時間印加されると、液晶の信頼性にも悪影響を及ぼすことにもなる。

このようなＴＦＴ基板側の電極材料の仕事関数が異なることに起因する表示不良を解消するには、反射電極部の電極材料の仕事関数を、透明電極部の仕事関数に合わせるようにすることが考えられる。

具体的には、例えば、透明電極部がＩＴＯ膜からなっており、また反射電極部がＡｌ膜からなっている場合には、ＩＴＯ膜表面の仕事関数は略４．９ｅＶであるので、そのＩＴＯ膜の場合と略同じ位の仕事関数を持つ透明導電材料（例えば、ＩＴＯそのものやＩＺＯなど）を、Ａｌ膜上に積層すればよい。これにより、反射電極部表面の仕事関数を、透明電極部表面の仕事関数に略等しくすることができる。また、これにより、反射電極部と透明電極部とが互いに同じ電極電位になることから、液晶に直流電圧が印加されなくなり、よって、信頼性にも悪影響を及ぼさなくなる。

尚、上記に関連する技術としては、特許文献１に記載されているように、反射型の液晶表示装置において、ＴＦＴ基板側のＡｌ膜からなる反射電極部の仕事関数を、ＣＦ基板側のＩＴＯ膜からなる透明電極の仕事関数に合わせるべく、Ａｌ膜上にＩＴＯ膜を積層し、このＩＴＯ／Ａｌ積層膜から反射電極部を形成するようにしたものが知られている。
特開平１０−２０６８４５号公報（第５頁，図６）

ところで、透明導電材料をＡｌ膜上に積層するに当り、透明導電材料として、ＩＺＯを選択することが考えられる。この理由は、ＩＺＯは、非晶質であるので、Ａｌ膜の場合と同じ弱酸のエッチング液を用いてエッチングすることができ、よって、ＩＺＯ／Ａｌ積層膜を連続エッチングによりパターニングを行うことで、反射電極部の形成を容易化することができるからである。

しかしながら、上記の提案例では、従来のパターニング（感光材塗布，露光，現像，エッチング）で処理を行うと、エッチング後の反射電極部端部の断面形状を断面から見たとき、図１１に誇張して示すように、ＩＺＯ膜１０１の端部がＡｌ膜１０２の端部から庇のように飛び出した状態になってしまい、その庇状の部分が後工程で剥れて絵素間のリークを招くことにより液晶表示装置の製造時の歩留りを落とす虞れがある。これは、ＩＺＯがＡｌに比べてエッチングされにくい材料であるためと考えられる。

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、Ａｌ膜などの金属導電膜上に該金属導電膜よりもエッチングされにくいＩＺＯ膜などの非晶質導電膜が積層されてなる積層膜を金属導電膜用のエッチング液によりパターニングして液晶表示装置における反射電極部などの導電素子を形成するに当り、非晶質導電膜をエッチングされやすくする工程を加えることで、非晶質導電膜の端部が金属導電膜の端部から飛び出さない状態にパターニングできるようにし、もって、液晶表示装置の反射電極部をＩＺＯ／Ａｌ積層膜から形成する際に、ＩＺＯ膜の端部が剥がれて絵素間のリークを招くという事態を未然に防止し、もって、そのようなリークに起因して製造時の歩留りが落ちるのを抑えられるようにすることにある。

上記の目的を達成すべく、本発明では、Ａｌ膜上のＩＺＯ膜に対し、フッ素を含有してなる気体雰囲気中でプラズマ処理を行うことで、ＩＺＯ膜をエッチングされやすくし、しかる後、ＩＺＯ／Ａｌ積層膜を連続エッチングするようにした。

具体的には、金属導電膜上に、該金属導電膜と同じエッチング液によるエッチングの可能な非晶質導電膜を積層した後、前記金属導電膜および前記非晶質導電膜からなる積層膜を前記エッチング液を用いてパターニングするようにした導電素子の形成方法として、前記非晶質導電膜に対し、フッ素を含有してなる気体雰囲気中でプラズマ処理を行い、しかる後、前記エッチング液を用いて前記積層膜をパターニングするようにする。尚、ここで、「導電素子」とは、電極や配線などを含む概念である。

上記の構成を、一対の基板と、該両基板間に配置された液晶層とを備え、前記一対の基板のうちの一方の基板は、光反射機能および電極機構を具備する反射性金属導電膜上に、該反射性金属導電膜と同じエッチング液によるエッチングが可能でかつ光透過機能および電極機能を具備する非晶質透明導電膜が積層されてなる積層膜から形成される反射電極部を絵素毎に有する液晶表示装置における前記反射電極部の形成方法に適用する場合には、反射性金属導電膜を形成する工程と、反射性金属導電膜上に非晶質透明導電膜を形成する工程と、前記非晶質透明導電膜に対し、フッ素を含有してなる気体雰囲気中でプラズマ処理を行う工程と、前記反射性金属導電膜および前記非晶質透明導電膜を、エッチング液を用いてパターニングする工程とを備えるようにすることができる。

また、上記の場合に、前記非晶質透明導電膜を、酸化インジウムと酸化亜鉛とを主成分とする非晶質導電性酸化物Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏからなるものとすることができる。

本発明によれば、金属導電膜上に、該金属導電膜よりもエッチングされにくい非晶質導電膜を積層してなる積層膜を、金属導電膜および非晶質導電膜に共通のエッチング液によりエッチングして電極や配線などの導電素子を形成する際に、非晶質導電膜に対し、フッ素を含有してなる気体雰囲気中でプラズマ処理を行うことで、該非晶質導電膜をエッチングされやすくすることができるので、非晶質導電膜の端部が金属導電膜の端部から庇状に飛び出した状態にならないように、導電素子を形成することができる。

また、反射性金属導電膜上に非晶質透明導電膜を積層してなる積層膜を、金属導電膜の場合と同じエッチング液によりエッチングして液晶表示装置の反射電極部を形成する場合には、非晶質透明導電膜に対し、フッ素を含有してなる気体雰囲気中でプラズマ処理を行うことで、該非晶質透明導電膜をエッチングされやすくすることができるので、非晶質透明導電膜の端部が反射性金属導電膜の端部から庇状に飛び出した状態にならないように、反射電極部を順テーパ状に形成することができ、この結果、非晶質透明導電膜の上記庇状の部分が剥がれて絵素間のリークを招くという事態を未然に防止でき、よって、そのようなリークにより液晶表示装置の製造時の歩留りが落ちるのを抑えることができる。

以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。

図２は、本発明の実施形態に係る透過反射兼用型液晶表示装置の液晶表示パネルにおける要部の構成を示す平面図である。

本液晶表示装置は、ＴＦＴ素子部１１および絵素電極１４を有するＴＦＴ基板１０と、カラーフィルタ層および対向電極を有するＣＦ基板（図示せず）と、これらＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板間に配された液晶層４０とを備えており、図２に示すのは、ＣＦ基板側から見たＴＦＴ基板１０である。

ＴＦＴ基板１０は、所定の方向（図２の左右方向）に延びるように配置された複数本のゲートバスライン１２，１２，…と、これらゲートバスライン１２，１２，…にそれぞれ交差する方向（同図の上下方向）に延びるように配置された複数本のソースバスライン１３，１３，…とを有する。これらゲートバスライン１２，１２，…およびソースバスライン１３，１３，…は、導電薄膜からなっている。ＴＦＴ素子部１１は、ゲートバスライン１２，１２，…およびソースバスライン１３，１３，…の各交差部近傍に配置されていて、ソース電極１１ａと、ゲート電極１１ｂと、ドレイン電極１１ｃとを有する。ソース電極１１ａはソースバスライン１３に、またゲート電極１１ｂはゲートバスライン１２にそれぞれ接続されており、ドレイン電極１１ｃには、絵素電極１４が接続されている。この絵素電極１４は、絵素の透過領域に配置された透明電極部１５と、透過領域を取り囲む反射領域に配置された反射電極部１６とからなっている。

上記のＴＦＴ素子部１１の積層構造を、図２のIII−III線断面を示す図３に基づいて説明する。

ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板２１を有していて、このガラス基板２１上には、層厚が略３０００ÅであるＴａ層がゲートバスライン１２から分岐するように設けられており、上記のゲート電極１１ｂは、このＴａ層からなっている。ゲート電極１１ｂ上には、ゲート絶縁膜２２が設けられている。このゲート絶縁膜２２は、層厚が略３０００ÅであるＳｉＮｘ層からなっている。ゲート電極１１ｂに対応するゲート絶縁膜２２上の部位には、第１半導体層２３が設けられている。この第１半導体層２３は、層厚が略１５００ÅであるＳｉ層からなっている。第１半導体層２３上のソース電極１１ａおよびドレイン電極１１ｃに対応する各範囲には、それぞれ、第２半導体層２４が設けられている。これら第２半導体層２４は、層厚が略５００Åであるｎ⁺ 層からなっている。各第２半導体層２４上には、それぞれ、層厚が略４５００ÅであるＴａ／ＩＴＯ層が積層されており、ソース電極１１ａおよびドレイン電極１１ｃは、そのＴａ／ＩＴＯ層からなっている。このようにして、ＴＦＴ素子部１１が構成されている。

上記絵素電極１４の積層構造を、図３のIV−IV線断面を示す図４に基づいて説明する。

各絵素の略全領域に対応する部分には、ＩＴＯ膜２５がＴＦＴ素子部１１のドレイン電極１１ｃに接続するように設けられており、透明電極部１５は、そのＩＴＯ膜２５の透過領域部分からなっている。一方、各絵素の反射領域に対応する部分には、層間絶縁膜２６が形成されている。この層間絶縁膜２６は、層厚が略３０００ÅであるＳｉＮｘ層からなっている。層間絶縁膜２６上には、凹凸形成絶縁膜２７が形成されている。この凹凸形成絶縁膜２７は、膜厚が略３μｍである有機絶縁膜からなっている。そして、反射電極部１６は、その凹凸形成絶縁膜２７上に形成されている。この反射電極部１６は、透過領域との境界部分において透明電極部１５に接続している。

この反射電極部１６は、膜厚が略１０００Åである反射性金属導電膜としてのＡｌ膜２８と、このＡｌ膜２８上に積層された非晶質透明導電膜としてのＩＺＯ膜２９とからなるＩＺＯ／Ａｌ積層膜にて構成されている。

ここで、ＩＺＯ膜２９の膜厚は、表示品位の観点から、１０〜２００Åの範囲であることが望ましい。つまり、極端な例として、ＩＺＯ膜２９の膜厚が数千Åであると、反射すべき光をそのＩＺＯ膜２９が吸収して表示品位の低下を引き起こす。このように、反射表示モードにおいては、反射電極部１６による色味が表示品位に直接に影響することから、ＩＺＯ膜２９の膜厚制御は重要である。実際に、色味の膜厚依存性を確認したところ、膜厚が２００Åを超えているときには、着色が発生して表示品位が著しく低下した。したがって、膜厚は薄ければ薄いほど着色が無くて良好な表示品位が得られる。一方、ＩＺＯ膜２９の膜厚が薄すぎると、今度は、反射電極部１６表面の仕事関数（例えば、４．９ｅＶ）が透明電極部１５におけるＩＴＯ膜２５表面の仕事関数に略等しい値にはならない。そこで、仕事関数の膜厚依存性についても確認したところ、膜厚が１０Åであるときに、辛うじて、ＩＴＯ膜２５の仕事関数に略等しい値が得られた。

以上のようにして、透過反射兼用型液晶表示装置が構成されている。

次に、上記のように構成された透過反射兼用型液晶表示装置の反射電極部の形成方法を、図１に示す工程毎の断面図に基づいて説明する。

第１工程は、反射電極部成膜工程であり、ここでは、図１（ａ）に示すように、凹凸形成絶縁膜２７上に、Ａｌ膜２８およびＩＺＯ膜２９を順に成膜する。具体的には、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて連続的に成膜を行う。尚、ＩＺＯ膜２９の材料の一例としては、「ＩＺＯターゲット」（出光興産社製）が挙げられる。

そして、本実施形態では、第２工程として、図１（ｂ）に示すように、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ ガス雰囲気中にてＩＺＯ膜２９の表面にプラズマ処理を施すＣＦ₄ ／Ｏ₂ プラズマ処理工程を行う。これにより、ＩＺＯ膜２９は、エッチングされやすくなる。

具体的には、一例として、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ ガスのガス流量比を、５００ｓｃｃｍ／０ｓｃｃｍ〜１５０ｓｃｃｍ／３５０ｓｃｃｍ〔但し、１ｓｃｃｍは、０℃および１０１３ｈＰａ条件下での１ｃｃ／ｍｉｎ〕，パワーを１０００〜１４００Ｗ，圧力を１５０ｍＴｏｒｒ（≒２０Ｐａ），温度を６０℃，処理時間を３０〜１２０ｓｅｃとする。

第３工程以降の工程は、従来のフォトリソグラフィの場合と同じである。つまり、第３工程は、感光材塗布工程であり、ここでは、図１（ｃ）に示すように、ＩＺＯ膜２９上の所定範囲に、感光材を塗布してレジスト膜５１を形成する。具体的には、ノボラック樹脂を含有してなるポジ型レジストを、略２．０〜２．４μｍの厚さに塗布する。

第４工程は、露光工程であり、ここでは、図１（ｄ）に示すように、フォトマスク５２を用いて、レジスト膜５１の除去すべき部分を露光する。尚、ネガ型レジストを使用する場合には、逆に、レジスト膜の残すべき部分を露光することになる。

第５工程は、現像工程であり、ここでは、現像液として、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）が２．３８％の濃度に希釈されてなるアルカリ溶液を用い、図１（ｅ）に示すように、レジスト膜５１の現像処理を行う。

第６工程は、エッチング工程であり、ここでは、エッチング液として、硝酸，酢酸，リン酸，水の混合液（弱酸性エッチング液）を用い、図１（ｆ）に示すように、ＩＺＯ／Ａｌ積層膜に対するエッチングを行う。このとき、従来の場合には、エッチング後にＩＺＯ膜の端部が庇状に残ってしまう（図１１参照）が、本実施形態では、第２工程の処理によりＩＺＯ膜２９がエッチングされやすくなっているので、ＩＺＯ／Ａｌ積層膜は、順テーパ状に形成される。

第７工程は、感光材剥離工程であり、ここでは、剥離液を用いて、レジスト膜５１を剥離させる。図１（ｇ）は、剥離後の状態を示している。

以上の第１〜第７工程により、ＩＺＯ膜２９を最表面に有してなる反射電極部１６の順テーパ加工が終了する。

ここで、第２工程における「フッ素を含有してなるガス雰囲気中でのプラズマ処理」の作用について説明すると、詳しいことは未だ判っていないが、プラズマ処理後の表面膜質分析を行った結果、ＩＺＯ膜２９表面に薄いフッ化物が存在することが判った。このフッ化物の存在により、表面の親水性が増して、レジストとの密着力が弱くなり、ＩＺＯ膜２９がエッチングされやすくなると考える。プラズマ処理前後でＩＺＯ膜２９表面の接触角を測定したところ、プラズマ処理前では３０°であったが、プラズマ処理後には１０°と急激に変化した。恐らくこの接触角の変化は、レジストとの密着性が弱くなることを示している一つの結果と考えられる。尚、ＩＺＯ膜２９表面の残留フッ素による該ＩＺＯ膜２９表面の仕事関数の変化についても調査したが、そのような変化は殆ど認められなかった。よって、反射表示モードでの表示品位に悪影響はないものと考えられる。

したがって、本実施形態によれば、透過反射兼用型液晶表示装置において、Ａｌ膜用のエッチング液によりＩＺＯ／Ａｌ積層膜を連続エッチングして反射電極部１６を形成する際に、ＩＺＯ膜２９に対するＣＦ₄ ／Ｏ₂ ガス雰囲気中でのプラズマ処理により、該ＩＺＯ膜２９をエッチングされやすくすることができるので、順テーパ状の反射電極部１６を形成することができる。この結果、Ａｌ膜２８の端部から庇状に飛び出した状態のＩＺＯ膜２９の端部が後工程で剥がれることによる絵素間のリークを未然に防止でき、よって、そのようなリークに起因して製造時の歩留りが落ちるのを抑えることができる。

尚、上記の実施形態では、Ａｌ膜２８上にＩＺＯ膜２９を積層してなるＩＺＯ／Ａｌ積層膜から反射電極部１６を形成するようにしているが、Ａｌ膜２８の下層にＭｏ膜を配置して得られたＡｌ／Ｍｏ積層膜上にＩＺＯ膜２９を積層し、このＩＺＯ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜から反射電極部１６を形成するようにしてもよい。

また、上記の実施形態では、反射性金属導電膜の材料としてＡｌを使用するようにしているが、他の反射性金属導電材料を使用するようにしてもよい。

また、上記の実施形態では、非晶質透明導電膜の材料としてＩＺＯを使用するようにしているが、他の非晶質透明導電材料（例えば、ＩＴＯなど）を使用するようにしてもよい。

また、上記の実施形態では、フッ素を含有する雰囲気ガスとして、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ ガスを用いるようにしているが、その他の雰囲気ガス（例えば、ＳＦ₆ など）を用いるようにしてもよい。

また、上記の実施形態では、エッチング時に、硝酸，酢酸，リン酸，水の混合液（弱酸性エッチング液）を用いるようにしているが、エッチング液としては、反射性金属導電膜および非晶質透明導電膜に応じて適宜選択することができる。例えば、反射性金属導電膜としてのＡｌ膜上に、非晶質透明導電膜として、ＩＴＯ膜を積層する場合には、実施形態の場合と同じエッチング液を用いてエッチングすることができる。

さらに、上記の実施形態では、透過反射兼用型液晶表示装置の反射電極部１６を形成する場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置のバスライン（配線）など、種々の導電素子の形成に適用することができる。その場合、金属導電膜，非晶質導電膜およびエッチング液は、公知のものから必要に応じて適宜採用することができる。

（実験例）
ここで、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ プラズマ処理の行われたＩＺＯ膜表面におけるフッ素の存在を検証するために行った実験について説明する。

具体的には、Ａｌ膜上に、膜厚が１０００ÅのＩＺＯ膜を成膜した後、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ プラズマ処理を１８０ｓｅｃに亘って行った試料１と、６０ｓｅｃに亘って行った試料２とを作成し、これら試料１および２に対し、イオンをスパッタしてエッチングしつつ、ＡＥＳ（Auger Electron Spectroscopy,「オージェ電子分光法」）サーベイおよびＡＥＳプロファイルを順に測定し、その測定結果に基づいてＩＺＯ膜の表面部分におけるフッ化物の層厚を調べるようにした。尚、上記ＡＥＳサーベイおよびＡＥＳプロファイルの各測定条件は、一次電子加速電圧Ｅｐを、Ｅｐ＝３．００ｋｅＶとし，試料１に流れる電流Ｉｐを、Ｉｐ＝０．０２９４μＡとした。

試料１について、スパッタ時間経過に伴うＡＥＳプロファイルを図５に、また、初期状態の時点およびスパッタ時間が０．１ｍｉｎを経過した時点の各ＡＥＳサーベイを図６および図７に、それぞれ示す。ここで、「初期状態」とは、深さ方向に分析する際に、イオンを未だ衝突させていない状態のことである。また、図６および図７の各特性図の横軸は、試料１に一次電子を当てたときに放出される電子のエネルギー〔単位：ｅＶ〕であり、縦軸は、測定された電子の数Ｎを電子のエネルギーで微分したものである。尚、初期状態の時点でのＡＥＳサーベイ（図６参照）の測定値に基づき、Peak-to-Peakの各値を、それぞれ、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｏ，Ｆ，Ｃの各元素の感度係数（Sensitivity Factor）で割って得られた値（Ｉｎ(p-p)，Ｚｎ(p-p)，Ｏ(p-p)，Ｆ(p-p)，Ｃ(p-p)） の合計を１００％とするＦの濃度を算出すると、２０．３３％であった。

試料２について、スパッタ時間経過に伴うＡＥＳプロファイルを図８に、また、初期状態の時点およびスパッタ時間が０．１ｍｉｎを経過した時点の各ＡＥＳサーベイを図９および図１０に、それぞれ示す。尚、図９のＡＥＳサーベイの測定値に基づいて、試料１の場合と同様に初期状態の時点でのＦの濃度を算出すると、１８．８７％であった。

次に、各試料について、ＡＥＳサーベイの測定値に基づき、スパッタ時間経過毎のＦの濃度を算出した。その結果、Ｆの濃度が１％に低下したのは、試料１では、スパッタ時間が０．２６ｍｉｎを経過した時点であり、試料２では、スパッタ時間が０．２７ｍｉｎを経過した時点であった。

一方、試料１および２の各ＡＥＳプロファイルから、Ｉｎの濃度を示すラインと、Ａｌの濃度を示すラインとが交差するポイントを、ＩＺＯ膜が無くなる深さ位置と見做し、そのポイントトの横軸の値（スパッタ時間）を読み取ったところ、試料１の場合には、６．１９ｍｉｎであり、試料２の場合には、６．１０ｍｉｎであった。つまり、膜厚が１０００ÅであるＩＺＯ膜のエッチングに要する時間は、試料１では６．１９ｍｉｎであり、試料２では６．１０ｍｉｎであった。

よって、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ プラズマ処理時間が１８０ｓｅｃである試料１の場合には、膜厚が４２．００Å（≒１０００×０．２６／６．１９）であるフッ化物の膜が、また、処理時間が６０ｓｅｃである試料２の場合には、膜厚が４４．２６Å（≒１０００×０．２７／６．１０）であるフッ化物の膜がそれぞれＩＺＯ膜の表面部分に形成されていると見積もることができる。

尚、参考として、初期状態の時点と、スパッタ開始から０．１ｍｉｎずつ経過した各時点とにおいて、それぞれ、Ｉｎの濃度に対するＦの濃度の比であるＦの相対濃度を、次表に示す。この表からは、Ｆの相対濃度は、試料１の方が試料２に比べて若干高目であり、また、何れの試料においても、開始から０．１ｍｉｎが経過した時点でＦが略無くなっていることが判る。

反射電極部形成時の工程毎の状態を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る透過反射兼用型液晶表示装置の液晶パネルにおけるＴＦＴ基板の要部を示す平面図である。 図２のIII−III線断面図である。 図３のIV−IV線断面図である。 実験例における試料１のＡＥＳプロファイルを示す特性図である。 試料１のスパッタ初期時点でのＡＥＳサーベイを示す特性図である。 試料１のスパッタ開始から０．１ｍｉｎが経過した時点でのＡＥＳサーベイを示す特性図である。 実験例における試料２のＡＥＳプロファイルを示す特性図である。 試料２のスパッタ初期時点でのＡＥＳサーベイを示す特性図である。 試料２のスパッタ開始から０．１ｍｉｎが経過した時点でのＡＥＳサーベイを示す特性図である。 従来の形成方法により得られた反射電極部のテーパ形状を模式的に示す図４相当図である。

符号の説明

１６ 反射電極部（導電素子）
２８ Ａｌ膜（反射性金属導電膜，金属導電膜）
２９ ＩＺＯ膜（非晶質透明導電膜，非晶質導電膜）

Claims (3)

1. 金属導電膜上に、該金属導電膜と同じエッチング液によるエッチングの可能な非晶質導電膜を積層した後、前記金属導電膜および前記非晶質導電膜からなる積層膜を前記エッチング液を用いてパターニングするようにした導電素子の形成方法であって、
   前記非晶質導電膜に対し、フッ素を含有してなる気体雰囲気中でプラズマ処理を行い、しかる後、前記エッチング液を用いて前記積層膜をパターニングすることを特徴とする導電素子の形成方法
2. 一対の基板と、該両基板間に配置された液晶層とを備え、前記一対の基板のうちの一方の基板は、光反射機能および電極機構を具備する反射性金属導電膜上に、該反射性金属導電膜と同じエッチング液によるエッチングが可能でかつ光透過機能および電極機能を具備する非晶質透明導電膜が積層されてなる積層膜から形成される反射電極部を有する液晶表示装置の反射電極部形成方法であって、
   前記反射性金属導電膜を設ける工程と、
   前記反射性金属導電膜上に、前記非晶質透明導電膜を設ける工程と、
   前記非晶質透明導電膜に対し、フッ素を含有してなる気体雰囲気中でプラズマ処理を行う工程と、
   前記反射性金属導電膜および前記非晶質透明導電膜を、前記エッチング液を用いてパターニングする工程とを備えていることを特徴とする液晶表示装置の反射電極部形成方法。
3. 請求項２に記載の液晶表示装置の反射電極部形成方法において、
   前記非晶質透明導電膜は、酸化インジウムと酸化亜鉛とを主成分とする非晶質導電性酸化物Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏからなることを特徴とする液晶表示装置の反射電極部形成方法。
   

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